KR101046086B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판; 및 상기 기판 상에 형성되며, 제1 및 제2 도전형 화합물 반도체층 및 그 사이에 형성된 활성층을 갖는 화합물 반도체 발광구조물을 포함하며, 상기 기판 및 화합물 반도체 발광구조물의 계면에는 부분적으로 상기 화합물 반도체 발광구조물의 구성원소성분으로 분해된 영역이 존재하고, 상기 분해된 영역이 요부로 제공되는 요철 면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 두 물질이 접해 있는 계면에 요철을 형성하는 방법을 제공함으로써, 반도체 발광소자의 제조 공정 중 어느 단계에서도 적용이 가능한 장점을 갖는다. 또한 상기 제조방법에 의하여 제조된 반도체 발광소자는 화합물 반도체 발광구조물의 구성원소 성분의 분해에 의하여 형성된 요철면을 가지고 있어, 이에 의하여 소자 내부에서 발생된 광의 외부 추출 효율이 우수하다.
반도체 발광소자, LED, 요철면, 광 추출 효율

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법{Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof}
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 요철이 형성된 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 전류가 가해지면 p형 및 n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 반도체 발광소자는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전력소모, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 Ⅲ족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
그러나, 일반적인 반도체 발광 소자의 경우 내부양자 효율은 거의 100%에 이르지만, 실제 소자 밖으로 나오는 외부양자 효율은 매우 낮다. 이는 다중양자우물 구조에서 생성된 빛이 소자 밖으로 나올 때 소자와 공기 사이의 계면에서 굴절률 차이에 의해 일어나는 전반사에 기인한다. 소자 내부에서 발생된 빛이 소자의 표면에 이르렀을 때 입사각이 임계각보다 큰 경우 빛이 밖으로 추출되지 못하고 반사되어 소자 내부로 다시 진행한다. 따라서 반도체 발광소자의 광 추출 효율은 매우 낮아 진다. 또한 계면을 빠져나가지 못한 빛은 소자 내부를 이동하다가 열로 전환되고, 소자의 열 발생량을 늘려 소자의 수명을 단축시킬 수 있다.
반도체 발광소자의 광 추출 효율을 향상시키기 위하여 굴절율의 변화를 주는다양한 방법이 시도되고 있다. 일반적으로 굴절율을 변화시키기 위해 반도체층 및 기판에 패턴을 형성하는 방법은 포소리소그래피(Photolithograhy)를 이용해 패턴 마스크막을 제조하기 때문에 공정이 복잡하여 비용 및 손실을 가져오는 문제점이 있다. 또한 이러한 기술은 매우 정교한 리소그래피(lithograhy) 기술을 사용하므로, 제조 공정이 어렵고, 비용이 높으며 양산성 및 재현성이 떨어지는 문제점이 있다.
따라서, 양산성 및 재현성이 우수하고, 다양한 형상 및 크기를 갖는 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 패턴 형성 기술이 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 양산성 및 재현성이 우수하고, 다양한 형상 및 크기를 갖는 요철을 형성할 수 있는 방법을 제공하여 광 추출 효율이 우수한 반도체 발광 소자를 제공하고자 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로써, 기판; 및 상기 기판 상에 형성되며, 제1 및 제2 도전형 화합물 반도체층 및 그 사이에 형성된 활성층을 갖는 화합물 반도체 발광구조물을 포함하며, 상기 기판 및 화합물 반도체 발광구조물의 계면에는 부분적으로 상기 화합물 반도체 발광구조물의 구성원소성분으로 분해된 영역이 존재하고, 상기 분해된 영역이 요부로 제공되는 요철면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.
상기 화합물 반도체 발광구조물은 Ⅲ-V족 화합물 반도체 또는 Ⅱ-VI족 화합물 반도체를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 화합물 반도체 발광구조물은 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 Ⅲ-V족 화합물 반도체을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 분해된 영역에는 Ⅲ족 금속과 V족 가스가 공존할 수 있다.
상기 화합물 반도체 발광구조물은 GaN 반도체이며, 상기 분해된 영역에는 액상인 갈륨 금속(Ga)과 질소(N2) 가스가 공존할 수 있다.
상기 분해된 영역은 상기 화합물 반도체 발광구조물의 구성원소성분이 제거된 빈 공간일 수 있다.
상기 화합물 반도체 발광구조물은 상기 기판과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 형성된 언도프 화합물 반도체층을 추가적으로 포함하며, 상기 요철면은 상기 기판 및 상기 언도프 화합물 반도체층의 계면에 형성될 수 있다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로써, 기판 상에 제 1 도전형 화합물 반도체층을 형성하는 제 1 단계; 및 상기 제 1 도전형 화합물 반도체층이 그 구성원소의 성분으로 분해되도록 레이저를 선택적으로 조사하여 상기 기판 및 상기 제 1 도전형 화합물 반도체층의 계면에 상기 분해된 영역이 요부로 제공되는 요철면이 형성되도록 하는 제 2 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
상기 제1 도전형 화합물 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 화합물 반도체층은 상기 기판 상에 순차적으로 형성되며, 상기 요철면은 상기 기판과 접하는 상기 제1 도전형 화합물 반도체층 표면에 형성될 수 있다.
상기 레이저가 선택적으로 조사되는 영역은 상기 화합물 발광구조물의 측면까지 연결될 수 있다.
상기 레이저를 조사하는 단계는 상기 레이저에 의해 분해된 구성원소성분이 상기 화합물 발광구조물의 측면까지 연결된 조사영역을 통해서 배출되도록 실행될 수 있다.
본 발명은 두 물질이 접해 있는 계면에 요철을 형성하는 방법을 제공함으로써, 반도체 발광소자의 제조 공정 중 어느 단계에서도 적용이 가능한 장점을 갖는다. 또한 상기 제조방법에 의하여 제조된 반도체 발광소자는 화합물 반도체 발광구조물의 구성원소 성분의 분해에 의하여 형성된 요철면을 가지고 있어, 이에 의하여 소자 내부에서 발생된 광의 외부 추출 효율이 우수하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 다만, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다. 도 1를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(100)는 기판(101)과 상기 기판(101) 상에 형성되며, 제 1 도전형 화합물 반도체층(102), 활성층(103) 및 제 2 도전형 화합물 반도체층(104)을 갖는 발광구조물(110)을 포함한다. 상기 기판 및 상기 화합물 반도체 발광 구조물의 계면에는 부분적으로 상기 화합물 반도체 발광 구조물의 구성원소성분으로 분해된 영역(102a)이 존재하고, 상기 분해된 영역(102a)이 요부로 제공된 요철면을 갖는다. 또한 상기 제 1 도전형 화합물 반도체층(102) 및 제 2 도전형 화합물 반도체층(104)에 각각 전기적으로 접속된 제 1 전극(106) 및 제 2 전극(105)을 포함한다. 상기 제 1 전극(106)은 상기 제 2 도전형 화합물 반도체층(104), 활성층(103) 및 제 1 도전형 화합물 반도체층(102)의 일 영역을 메사 식각하여 노출된 제 1 도전형 화합물 반도체층(102) 상에 형성된다. 즉, 본 실시 형태에서는 반도체 성장용 기판(101)이 포함되고, 제 1 전극 및 제 2 전극이 같은 면에 형성된 수평 구조의 반도체 발광소자이다.
상기 제 1 도전형 화합물 반도체층(102) 및 제 2 도전형 화합물 반도체층(104)은 이에 제한되는 것은 아니나, Ⅲ-V족 화합물 반도체 또는 Ⅱ-VI족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 Ⅲ-V족 화합물 반도체는 예를 들면, GaN계 반도체, GaAs계반도체, GaP계 반도체, 또는 GaAsP계 반도체가 있다. 보다 구체적으로 상기 Ⅲ-V족 화합물 반도체는 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 가질 수 있다. 또한 상기 화합물 반도체층은 각각의 도전형을 고려하여 각각 n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑될 수 있다. 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn, Be 등이 사용될 수 있다.
상기 활성층(103)은 전자와 정공이 재결합함으로써 그 밴드 갭 에너지 크기 만큼의 광을 방출하는 발광층으로 기능 하며, 복수의 양자장벽층 및 양자우물층이 서로 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 기판(101)은 반도체층의 성장을 위해 제공되는 것으로서, 사파이어 기판을 사용할 수 있다. 사파이어 기판은 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 반도체층에 질화물계 화합물 반도체를 포함하는 경우 성장용 기판으로 주로 사용된다. 본 실시 형태는 수평 구조의 반도체 발광 소자에 주로 사용되는 사파이어 기판을 예시한 것이나, 기판의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 후술하는 바와 같이 화합물 반도체층의 구성원소성분으로 분해하기 위하여 레이저를 사용하는 경우 기판을 통과하여 화합물 반도체층에 도달할 수 있도록 화합물 반도체층 보다 밴드 갭이 큰 물질로 이루어진 기판이면 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 조건을 만족하는 범위 내에서 사파이어 기판, 또는 반도체 기판 등을 사용할 수 있다.
상기 기판(101) 및 화합물 반도체 발광구조물(110)의 계면에는 부분적으로 상기 화합물 반도체 발광구조물의 구성원소 성분으로 분해된 영역(102a)이 존재하고, 상기 분해된 영역(102a)이 요부로 제공되는 요철면을 갖는데, 상기 요철면에 의하여 굴절율이 변화되어 활성층(103)에서 방출되어 상기 기판(101) 쪽으로 진행하는 광의 외부 추출 효율을 높인다.
상기 화합물 반도체 발광구조물에 레이저를 조사하는 경우 화합물 반도체의구성 원소성분으로 분해된다. 즉, 화합물 반도체 발광 구조물이 Ⅲ-V족 화합물 반도체를 포함하는 경우 Ⅲ족 금속과 V족 가스로 분해된다. 이 경우, 상기 분해된 영역(102a)에는 Ⅲ족 금속과 V족 가스가 공존하게 된다.
보다 구체적으로, 상기 화합물 반도체 발광구조물이 GaN 반도체를 포함하는 경우 상기 분해된 영역에는 액상인 갈륨 금속(Ga)과 질소(N2) 가스가 공존하게 된다.
상기 분해된 영역(102a)은 도 1에 도시한 바와 같이 그 단면이 사각형을 가질 수 있으며, 레이저의 세기, 빔의 형상 및 조사 횟수의 조절에 의하여 다양한 형상을 가질 수 있다.
또한 상기 분해된 영역에 존재하는 화합물 반도체 발광구조물의 구성원소성분을 제거하여 빈 공간이 요부로 제공되는 요철면을 형성할 수 있다.
상기 화합물 반도체 발광구조물(110)은 도시되지 않았으나, 상기 기판과 상기 제 1 도전형 반도체층 사이에 언도프 화합물 반도체층을 추가적으로 포함할 수 있다. 이 경우 상기 요철면은 상기 언도프 화합물 반도체층의 계면에 형성된다. 즉, 언도프 화합물 반도체층의 구성성분 원소가 분해되어 분해된 영역 상에 존재하게 된다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(200)는 기판(201)과 상기 기판(201) 상에 형성되며, 제 1 도전형 화합물 반도체층(202), 활성층(203) 및 제 2 도전형 화합물 반도체층(204)을 갖는 발광구조물(210)을 포함한다.
상기 기판(201) 및 상기 화합물 반도체 발광 구조물(210)의 계면에는 부분적으로 상기 화합물 반도체 발광 구조물의 구성원소성분으로 분해된 영역(202a)이 존재하고, 상기 분해된 영역(202a)이 요부로 제공된 요철면을 포함한다.
또한 상기 제 2 도전형 화합물 반도체층(204) 상에는 전기적으로 접속된 제 2 전극(205)을 포함한다. 상기 기판(201)은 도전성 기판으로써, 제 1 도전형 화합물 반도체층(202)은 상기 기판(201)을 통하여 전압이 인가될 수 있고, 상기 기판(201)의 하면 또는 제 1 도전형 화합물 반도체층(202) 및 기판(201) 사이에 반사전극(미도시)이 형성될 수 있다.
즉, 본 실시 형태에서는 반도체 성장용 기판이 제거되고, 전극이 화합물 반도체층의 적층 방향으로 서로 마주보도록 배치된 수직구조 반도체 발광소자이다. 이러한 차이 외에 동일한 용어로 나타낸 구성요소에 대해서는 도 1의 경우와 동일한 것으로 이해될 수 있다.
이하, 상기에서 설명한 반도체 발광수조를 제조하는 방법을 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 단면도로써, 보다 구체적으로 수평형 반도체 발광소자의 제조방법을 나타낸다.
우선, 도 3a에 도시된 바와 같이 기판(101) 상에 제 1 도전형 화합물 반도체층(102)을 형성한다. 따로 도시하지는 않았으나, 상기 제 1 도전형 질화물 반도층(102)을 성장시키기 이전에 언도프 화합물 반도체층을 형성 시킬 수 있다.
이 후, 제 1 도전형 화합물 반도체층(102)이 형성되지 않은 기판의 다른 측면에서, 제 1 도전형 화합물 반도체층(102)이 그 구성원소의 성분으로 분해되도록 레이저를 선택적으로 조사한다.
이 때, 상기 레이저는 기판(101) 및 화합물 반도체층의 종류에 따라 기판을 투과하고, 제 1 도전형 화합물 반도체층에는 흡수되는 파장을 가진 것을 적절히 선택할 수 있는데, 193nm, 248nm, 308nm 엑시머 레이저, Nd:YAG 레이저, He-Ne 레이저 또는 Ar 이온 레이저 등을 사용할 수 있다.
레이저의 세기 및 조사 횟수를 조절하여 분해되는 두께 즉, 요부의 두께를 조절할 수 있고, 레이저 빔의 형상 및 조사되는 부분의 간격을 조절하여 다양한 패턴의 요철을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 기판이 사파이어 기판이고, 제 1 도전형 화합물 반도체층이 GaN 반도체를 포함하는 경우, 9.9eV 보다 작고, 3.4eV 보다 큰 에너지를 가지는 레이저를 이용할 수 있다. 레이저 조사에 의하여 기판과 접하고 있는 화합물 반도체층은 구성원소의 성분으로 분해된다. 레이저가 조사된 부분은 액상인 갈륨금 속(Ga)과 질소(N2) 가스가 공존하게 된다. 상기 분해된 상기 분해된 영역은 도 3에 도시한 바와 같이 그 단면이 사각형을 가질 수 있으며, 레이저 빔의 형상 또는 파장을 조절함으로써, 다양한 형상을 가질 수 있다.
레이저의 선택에 따라 분해되어 요철을 형성하는 화합물 반도체층을 결정할 수 있다. 도 3a은 기판(101) 상에 제1 도전형 화합물 반도체층(102)을 형성한 후 레이저를 조사한 것으로, 요철면이 상기 기판(101)과 접하는 상기 제1 도전형 화합물 반도체층(102) 표면에 형성된 상태를 도시한 것이다.
다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 제 1 도전형 화합물 반도체층(102) 상에 활성층(103) 및 제 2 도전형 화합물 반도체층(104)을 형성한다. 상기 제 1 도전형 및 제 2 도전형 반도체층(101, 103), 활성층(102)의 성장은 공지된 공정을 이용할 수 있으며, 예를 들면, 유기금속 기상증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 또는 하이브리드 기상증착법(HVPE)을 이용할 수 있다.
이 후, 제 2 도전형 화합물 반도체층(104) 상에 전기적으로 접속되는 제 2 전극(105)을 형성하고, 상기 제 2 도전형 화합물 반도체층(104), 활성층(103) 및 제 1 도전형 화합물 반도체층(102)의 일 영역을 메사 식각하여 노출된 제 1 도전형 화합물 반도체층(102) 상에 제 1 전극(106)을 형성하여 수평형 구조의 반도체 발광소자를 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태에 따르면 도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이 상기 기판(101) 상에 제 1 도전형 화합물 반도체층(102), 활성층(103) 및 제 2 도전형 화합물 반도체층(104)을 형성한 후 수행될 수 있다.
이와 같이 레이저를 조사하여 반도체 발광소자에 패턴을 형성하는 방법은 반도체 구조물의 적층 순서에 구속받지 않고, 적용될 수 있다.
또한 레이저가 선택적으로 조사되는 영역은 상기 화합물 발광구조물(110)의 측면까지 연결될 수 있다. 레이저에 의해 분해된 구성원소성분이 상기 화합물 발광구조물의 측면까지 연결된 조사영역을 통해서 배출되도록 실행될 수 있다(d). 선택적으로 분해된 구성원소 성분 중 기체 상태의 성분만을 배출하거나, 기체 상태의 성분 및 액체 상태의 성분을 배출할 수 있다. 이의 경우 분해 영역은 빈 공간으로 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 단면도로써, 보다 구체적으로 수직형 반도체 발광소자의 제조방법을 나타낸다.
우선, 도 5a에 도시된 바와 같이 성장용 기판(220) 상에 순차적으로 제 2 도전형 화합물 반도체층(204), 활성층(203) 및 제 1 도전형 화합물 반도체층(202)을 형성한다. 상기 성장용 기판(220)이 반도체 성장에 유리한 부도전성인 사파이어 기판을 이용한 경우, 상기 제 1 도전형 화합물 반도체층(202) 상에 도전성 기 판(201)을 형성한다. 이 후, 상기 성장용 기판(220)을 제거한다. 상기 성장용 기판의 제거는 대표적으로, 레이저 리프트오프 공정(LLO)을 이용할 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다른 기계적 또는 화학적 공정을 통하여서도 분리가 가능하다.
다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 제 1 도전형 화합물 반도체층(102)이 형성되지 않은 기판(201)의 다른 측면에 레이저를 조사하여 상기 기판과 접하고 있는 제 1 도전형 화합물 반도체층(202)을 부분적으로 분해시킨다. 상기 분해된 영역(202a)은 요철면의 요부를 형성하게 된다.
이 후, 도 5c에 도시된 바와 같이 제 2 도전형 화합물 반도체층(204) 상에 제 2 전극(205)을 형성하여 수평 구조형 반도체 발광소자를 제조할 수 있다.
이러한 차이 외에 동일한 용어로 나타낸 다른 구성 요소에 대해서는 도 4의 경우와 동일한 것으로 이해될 수 있으므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자에 레이저 빔을 조사하여 제 1 도전형 화합물 반도체층 및 기판의 계면에 패턴을 형성하였다. 이때 조사된 레이저 빔은 10um X 10um 크기이고, 조사된 빔 간의 간격은 5um였다. 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 광 출력 및 전기적 특성을 하기 표 1에 나타내었다. 하기 표 1의 비교예는 다른 조건은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자와 동일하나, 제 1 도전형 반도체층 및 기판의 계면에 패턴이 형성되지 않는 반도체 발광소자이다.
광출력(mW at 350mA) 정전압(V at 350mA)
비교예 135 4.07
실시예 159 4.02
광출력 증가율 17.8%
상기 표 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는 비교예에 비하여 약 17.8%정도 광출력이 향상되었다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101: 기판 110: 발광 구조물
102: 제 1 도전형 화합물 반도체층 102a: 분해 영역
103: 활성층 104: 제 2 도전형 화합물 반도체층
105, 106: 제 1 및 제 2 전극

Claims (11)

  1. 기판; 및
    상기 기판 상에 형성되며, 제1 및 제2 도전형 화합물 반도체층 및 그 사이에 형성된 활성층을 갖는 화합물 반도체 발광구조물을 포함하며,
    상기 기판 및 화합물 반도체 발광구조물의 계면에는 부분적으로 상기 화합물 반도체 발광구조물의 구성원소성분으로 분해된 영역이 존재하고, 상기 분해된 영역이 요부로 제공되는 요철면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화합물 반도체 발광구조물은 Ⅲ-V족 화합물 반도체 또는 Ⅱ-VI족 화합물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 화합물 반도체 발광구조물은 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 Ⅲ-V족 화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 분해된 영역에는 Ⅲ족 금속과 V족 가스가 공존하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 화합물 반도체 발광구조물은 GaN 반도체이며,
    상기 분해된 영역에는 액상인 갈륨금속(Ga)과 질소(N2) 가스가 공존하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 분해된 영역은 상기 화합물 반도체 발광구조물의 구성원소성분이 제거된 빈 공간인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 화합물 반도체 발광구조물은 상기 기판과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 형성된 언도프 화합물 반도체층을 추가적으로 포함하며,
    상기 요철면은 상기 기판 및 상기 언도프 화합물 반도체층의 계면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 기판 상에 제 1 도전형 화합물 반도체층을 형성하는 제 1 단계; 및
    상기 제 1 도전형 화합물 반도체층이 그 구성원소의 성분으로 분해되도록 레 이저를 선택적으로 조사하여 상기 기판 및 상기 제 1 도전형 화합물 반도체층의 계면에 상기 분해된 영역이 요부로 제공되는 요철면이 형성되도록 하는 제 2 단계;
    를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 도전형 화합물 반도체층 상에, 활성층 및 제2 도전형 화합물 반도체층이 순차적으로 형성되며,
    상기 요철면은 상기 기판과 접하는 상기 제1 도전형 화합물 반도체층 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 레이저가 선택적으로 조사되는 영역은 상기 화합물 발광구조물의 측면까지 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 레이저를 조사하는 단계는 상기 레이저에 의해 분해된 구성원소성분이 상기 화합물 발광구조물의 측면까지 연결된 조사영역을 통해서 배출되도록 실행되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자 제조방법.
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