KR101023071B1 - 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 이미지 센서의 제조 방법은 반도체 기판에 불순물 이온 주입하여 포토다이오드 영역을 형성하는 단계, 상기 포토다이오드 영역이 형성된 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 포토다이오드 영역을 노출하도록 상기 층간 절연막 내에 홈을 형성하는 단계, 증착 온도를 변경하거나 어닐링 온도를 변경하여 상기 홈 내부 표면에 서로 다른 굴절률을 갖는 다층의 굴절층들을 증착하는 단계, 상기 다층의 굴절층들이 형성된 층간 절연막 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계, 및 상기 컬러 필터층 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
이미지 센서, 포토다이오드, 굴절률.
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 빛의 손실 및 크로스 토크를 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자를 말하며, 그 종류에는 CCD(Charge Coupled Device) 방식의 소자 및 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Silicon) 방식의 소자가 있다. 이미지 센서는 빛을 감지하는 포토다이오드를 포함하는 수광 영역과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직 영역으로 구성되며, 상기 수광 영역에 입사된 빛을 각각의 픽셀 단위의 포토 다이오드와 하나 이상의 트랜지스터로 화상을 촬상하는 소자이다.
도 1은 일반적인 이미지 센서의 단면도를 나타낸다. 도 1은 이미지 센서의 수광 영역에 포함된 단위 픽셀의 단면도를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 상기 이미지 센서는 반도체 기판(110)에 형성된 적어도 하나의 포토다이오드(120), 상기 적어도 하나의 포토다이오드(120)가 형성된 반도체 기판(110) 상에 금속 배선들(135)을 포함하는 다층 구조의 층간 절연막(130), 상기 층간 절연막(130) 상에 상기 적 어도 하나의 포토다이오드(120)에 대응되도록 형성된 컬러 필터층(140), 상기 컬러 필터층 상에 형성된 평탄화층(150), 및 상기 컬러 필터층(140)과 대응되도록 상기 평탄화층(150) 상에 형성된 마이크로 렌즈(160)를 포함한다.
상기 마이크로 렌즈를 통과한 후 상기 컬러 필터층에서 필터링된 입사광은 상기 컬러 필터층과 대응되는 포토다이오드로 수광된다. 그러나 마이크로 렌즈의 에지(edge) 부분을 통과한 후 상기 컬러 필터층에서 필터링된 입사광은 이웃하는 포토다이오드로 진행하여 크로스 토크를 유발시킬 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 빛의 손실 및 크로스 토크를 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는 반도체 기판 내에 불순물 이온이 주입되어 형성된 포토다이오드 영역, 상기 반도체 기판 상에 형성된 층간 절연막, 상기 포토다이오드 영역과 대응되도록 상기 층간 절연막 내에 형성된 홈, 서로 다른 굴절률을 갖도록 상기 홈 내부 표면에 순차적으로 증착된 다층의 굴절층들, 상기 포토다이오드 영역에 대응되도록 상기 층간 절연막 상에 형성된 컬러 필터층, 및 상기 컬러 필터층에 대응되도록 형성된 마이크로렌즈를 포함한다.
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 반도체 기판에 불순물 이온 주입하여 포토다이오드 영역을 형성하는 단계, 상기 포토다이오드 영역이 형성된 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 포토다이오드 영역을 노출하도록 상기 층간 절연막 내에 홈을 형성하는 단계, 증착 온도를 변경하거나 어닐링 온도를 변경하여 상기 홈 내부 표면에 서로 다른 굴절률을 갖는 다층의 굴절층들을 증착하는 단계, 상기 다층의 굴절층들이 형성된 층간 절연막 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계, 및 상기 컬러 필터층 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 이미지 센서의 수광 경로 상에 상기 다층의 굴절층들을 포함하는 층간 절연막을 형성하여 굴절률의 차이에 의하여 빛의 진행 경로를 상기 포토다이오드 방향으로 변경하도록 하여 포토다이오드 영역으로 향하는 빛들의 손실이나 크로스 토크를 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 기술적 과제 및 특징들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 본 발명을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 단면도를 나타낸다. 도 2a는 이미지 센서의 수광 영역 중 단위 픽셀의 단면도를 나타낸다. 도 2a를 참조하면, 상기 이미지 센서는 기판(210), 소자 분리막(217), 단위 포토다이오드(215), 층간 절연막(220), 홈(미도시), 금속 배선(235), 다층의 굴절층들(230, 235,240), 보호막(245), 컬러 필터층(250), 평탄화층(255), 및 마이크로 렌즈를 포함한다.
상기 소자 분리막(217)은 반도체 기판 내에 형성되며, 활성 영역(active region) 및 소자 분리 영역을 정의한다. 상기 단위 포토다이오드(215)는 상기 활성 영역 내에 불순물 이온(예컨대, N형 불순물 이온)을 주입하여 형성된다.
상기 층간 절연막(220)은 다층의 절연막들(미도시)이 적층된 구조이며, USG(Undoped Silcate Glass) 또는 TEOS(TetraEthOxySilane)일 수 있다. 상기 금속 배선(235)은 상기 층간 절연막(235) 내에 형성된다.
상기 홈(미도시)은 상기 단위 포토다이오드 영역(215)을 노출시키도록 상기 층간 절연막 내에 형성된다. 상기 홈은 홀(hole) 형태일 수 있다.
상기 다층의 굴절층들(230, 235,240)은 상기 홈 내부 표면에 순차적으로 적층되어 상기 홈을 채운다. 상기 다층의 굴절층들(230, 235,240) 각각은 서로 다른 굴절율을 갖도록 형성된다. 상기 다층의 굴절층들(230, 235,240) 각각은 상기 홈 내부에서 중심부로 갈수록 굴절률이 증가한다.
예컨대, 상기 다층의 굴절층들(230, 235,240)은 제1 굴절율(n1) 갖도록 상기 홈 표면에 가장 먼저 증착된 제1 굴절층(230), 제2 굴절율(n2)을 갖도록 상기 제1 굴절층(230) 상에 증착되는 제2 굴절층(235), 및 제3 굴절율(n3)을 갖도록 상기 제2 굴절층(235) 상에 증착되는 제3 굴절층(240)을 포함할 수 있다. 이때 상기 제2 굴절율(n2)은 상기 제1 굴절율(n1)보다 크고, 상기 제3 굴절율(n3)보다는 작다(n1<n2<n3).
상기 보호막(245)은 수분 및 스크래치로부터 소자를 보호하기 위하여 상기 다층의 굴절층들(230, 235,240)이 형성된 층간 절연막(235) 전면에 형성된다. 상기 컬러 필터층(250)은 상기 단위 포토다이오드 영역(215)에 대응되도록 상기 보호막(245) 상에 형성된다. 상기 평탄화층(255)은 상기 컬러 필터층(250) 상에 형성된다. 상기 마이크로 렌즈(260)는 상기 컬러 필터층(250)에 대응되도록 상기 평탄화층(255) 상에 형성된다.
도 2b는 도2a에 도시된 다층의 굴절층들(230, 235,240)에서의 빛의 굴절을 나타낸다. 도 2b를 참조하면, 굴절율이 서로 다른 제3 굴절층(240), 제2 굴절층(235), 및 제 굴절층(230)을 통과하는 빛(L1)은 각층에서 굴절되거나 전반사되어 최종적으로 상기 단위 포토다이오드(215)로 수광될 수 있다. 빛은 굴절율이 서로 다른 두 매질의 경계면에서 굴절하며, 그 굴절각은 경계하는 두 매질 각각의 굴절율에 의해 결정될 수 있다. 이러한 굴절율은 두 매질 각각의 구조 밀도에 따라 결정된다. 상기 다층의 굴절층들(230, 235,240) 각각의 두께는 모두 동일할 수 있으며, 서로 다를 수 있다. 상기 다층의 굴절층들(230, 235,240) 각각의 두께는 굴절된 빛이 각각의 층에서 진행하는 거리에 영향을 미친다. 예컨대, 제2 굴절층(235)에서 굴절된 빛의 진행 거리는 상기 제2 굴절층(235)의 두께에 비례한다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸다. 도 3a 내지 도 3h는 단위 픽셀의 단면도만을 도시한다.
먼저 도 3a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(310)에 활성 영역 및 소자 분리 영역을 정의하는 소자 분리막(315)을 형성한다. 상기 소자 분리막(315)은 R- LOCOS(Recessed-Local Oxidation of Silicon) 방식 또는 STI(Shallow Trench Isolation) 방식을 사용하여 형성할 수 있다. 그리고 상기 활성 영역에 불순물 이온(예컨대, N형 불순물 이온)을 선택적으로 주입하여 포토다이오드 영역(320)을 형성한다.
다음으로 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 포토다이오드 영역(320)이 형성된 반도체 기판(310) 상에 금속 배선(330)을 포함하는 층간 절연막(325)을 형성한다.
상기 층간 절연막(325)은 다층의 절연막들(미도시)이 적층된 구조이며, USG(Undoped Silcate Glass) 또는 TEOS(TetraEthOxySilane)일 수 있다. 예컨대, 제1 층간 절연막(미도시)을 상기 반도체 기판(310) 상에 형성한 후 상기 제1 층간 절연막 상에 제1 금속 배선(미도시)을 형성하고, 상기 제1 금속 배선이 형성된 제1 층간 절연막 상에 제2 층간 절연막을 형성할 수 있다. 이러한 과정을 반복하여 금속 배선을 포함하는 다층의 절연막들이 적층된 구조의 층간 절연막을 형성할 수 있다. 상기 금속 배선(330)은 수광 경로에 해당하는 포토다이오드 영역(320) 상부의 층간 절연막(325)의 영역에는 형성되지 않는다.
다음으로 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 포토다이오드 영역(320)를 노출하도록 상기 층간 절연막(325) 내에 홈(335)을 형성한다. 상기 홈(335)은 이미지 센서의 각 픽셀(pixel)의 포토다이오드 영역(320)에 대응하여 형성된다. 예컨대, 포토리쏘그라피(photolithography) 공정을 수행하여 상기 층간 절연막(325) 상에 이미지 센서의 각 픽셀(pixel)의 포토다이오드 영역(320)을 노출하는 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한 후 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 층간 절연막(325)을 식각하여 상기 홈(335)을 형성할 수 있다. 상기 홈(335)은 상기 수광 경로에 해당하는 층간 절연막(325) 영역을 식각하여 형성될 수 있다.
다음으로 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 홈(335)이 형성된 층간 절연막(325) 전면에 제1 굴절율(n1)을 갖는 제1 굴절층(340)을 형성한다. 상기 제1 굴절층(340)은 상기 홈(335)의 내부 표면 및 상기 층간 절연막(325) 상부 표면에 제1 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
다음으로 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 굴절층(340) 표면에 제2 굴절율(n2)을 갖는 제2 굴절층(345)을 형성한다. 그리고 도 3f에 도시된 바와 같이 상기 제2 굴절층(345) 상부에 상기 홈(335)을 매립하도록 제3 굴절율(n3)을 갖는 제3 굴절층(350)을 형성한다.
도 3d 내지 도 3f에는 수광 경로에 대응하여 형성된 상기 홈(335) 내에 굴절률이 서로 다른 다수의 굴절층들(340, 345, 350)을 형성하는 과정을 도시한다. 이하 굴절률이 서로 다른 다수의 굴절층들을 형성하는 구체적인 방법에 대하여 설명한다.
먼저 상기 굴절층들으로는 산화막, 예컨대, TEOS막 또는 TEOS-O3막이 사용될 수 있다. 먼저 N2 캐리어 가스를 통하여 반응기에 TEOS를 유입시키고, 제1 증착 온도(T1)로 제1 공정 시간 동안 제1 두께(d1)만큼 상기 홈(335)이 형성된 층간 절연막(325) 표면에 TEOS를 증착하여 제1 굴절층(340)을 형성한다. 이때 상기 제1 굴절층(340)은 상기 제1 증착 온도(T1)에 의하여 증착되는 물질의 밀도에 의하여 결정 되는 제1 굴절률(n1)을 가질 수 있다.
도 4는 증착 온도와 굴절률과의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 4를 참조하면, 일반적으로 증착 온도와 굴절률과의 관계는 일정 기준 온도(예컨대, 300℃)를 기준으로 상기 기준 온도보다 낮은 영역에서는 증착 온도가 증가함에 따라 굴절률도 증가하나, 상기 기준 온도보다 높은 영역에서는 증착 온도가 증가함에 따라 굴절률은 감소한다.
상기 제1 굴절층(340)의 형성이 완료되면, 증착 온도를 변경하여 제2 증착 온도(T2)로 제2 공정 시간 동안 제2 두께(d2)만큼 상기 제1 굴절층(340) 상에 제2 굴절층(345)을 증착한다. 이때 상기 제2 굴절층(345)은 상기 제2 증착 온도(T2)에 의하여 증착되는 물질의 밀도에 의하여 결정되는 제2 굴절률(n2)을 가질 수 있다.
상기 제2 굴절층(345)의 형성이 완료되면, 증착 온도를 다시 변경하여 제3 증착 온도(T3)로 제3 공정 시간 동안 제3 두께(d3)만큼 상기 제2 굴절층(345) 상에 제3 굴절층(350)을 형성한다. 이때 상기 제3 굴절층(350)은 상기 제3 증착 온도(T3)에 의하여 증착되는 물질의 밀도에 의하여 결정되는 제3 굴절률(n2)을 가질 수 있다. 상기 홈(335)이 완전히 채워지도록 상기 제3 굴절층(350)을 증착한다.
포토다이오드로 향하는 빛들의 손실이나 크로스 토크를 방지하지 위해서는 굴절률의 차이에 의하여 빛의 진행 경로를 상기 포토다이오드 방향으로 변경하도록 상기 굴절층들의 굴절률을 조정해야 한다.
이를 위해서는 순차적으로 증착되는 상기 굴절층들(340,345,350) 각각의 굴절률이 증가하여야 한다. 즉 상기 제2 굴절율(n2)은 상기 제1 굴절율(n1)보다 크 고, 상기 제3 굴절율(n3)보다는 작아야 한다(n1<n2<n3).
예컨대, 상기 기준 온도(예컨대, 300℃)보다 낮은 영역에서는 증착 온도를 점점 증가하여(T1<T2<T3), 상기 제1 굴절층(340), 제2 굴절층(345), 및 상기 제3 굴절층(350)을 순차로 증착할 수 있다. 이때 상기 증착 온도를 변경하여 상기 굴절층들 각각의 경계면에서 빛이 상기 포토다이오드 영역 방향으로 전반사가 일어나도록 상기 굴절률들(n1,n2,n3)을 조정할 수 있다.
상기 다층의 굴절층들(230, 235,240) 각각의 증착 두께(d1,d2,d3)는 공정 시간에 따라 조절할 수 있다. 상기 다층의 굴절층들(230, 235,240) 각각의 증착 두께(d1,d2,d3)는 모두 동일할 수 있으며, 서로 다를 수 있다. 상기 다층의 굴절층들(230, 235,240) 각각의 두께는 굴절된 빛이 각각의 층에서 진행하는 거리에 영향을 미친다. 예컨대, 제2 굴절층(235)에서 굴절된 빛의 진행 거리는 상기 제2 굴절층(235)의 두께에 비례한다.
상기 굴절률이 서로 다른 다수의 굴절층들을 형성하는 다른 방법은 다음과 같다. 먼저 기준 증착 온도(Tref)로 제1 공정 시간 동안 제1 두께(d1)만큼 상기 홈(335)이 형성된 층간 절연막(325) 표면에 TEOS를 증착하여 제1 굴절층(340)을 형성한다. 그리고 제1 어닐링(anealing) 온도(Ta1)로 증착된 제1 굴절층(340)을 어닐링한다. 이때 상기 제1 굴절층(340)은 상기 제1 어닐링 온도(Ta1)에 의하여 결정되는 밀도에 따른 제1 굴절률(n1)을 가질 수 있다.
다음으로 기준 증착 온도(Tref)로 제2 공정 시간 동안 제2 두께(d1)만큼 상기 제1 굴절층(340) 상에 TEOS를 증착하여 제2 굴절층(345)을 형성한다. 그리고 제 2 어닐링 온도(Ta2)로 증착된 제2 굴절층(345)을 어닐링한다. 이때 상기 제2 굴절층(345)은 상기 제2 어닐링 온도(Ta1)에 의하여 결정되는 밀도에 따른 제2 굴절률(n2)을 가질 수 있다.
다음으로 기준 증착 온도(Tref)로 제3 공정 시간 동안 제3 두께(d3)만큼 상기 제3 굴절층(340) 상에 TEOS를 증착하여 제3 굴절층(345)을 형성한다. 그리고 제3 어닐링 온도(Ta2)로 증착된 제3 굴절층(345)을 어닐링한다. 이때 상기 제3 굴절층(350)은 상기 제3 어닐링 온도(Ta3)에 의하여 결정되는 밀도에 따른 제3 굴절률(n3)을 가질 수 있다.
여기서 상기 제1 어닐링 온도(Ta1), 제2 어닐링 온도(Ta2), 및 제3 어닐링 온도(Ta3) 각각은 상기 기준 증착 온도(Tref)보다 높을 수 있으며, 상기 제2 어닐링 온도(Ta2)를 상기 제1 어닐링 온도(Ta1)보다 높고 상기 제3 어닐링 온도(Ta3)보다 낮게 함으로써(Ta1<Ta2<Ta3), 상기 제2 굴절률(n2)이 상기 제1 굴절률(n1)보다 높고, 상기 제3 굴절률(n3)보다 낮도록 할 수 있다. 이때 상기 어닐링 공정에 의하여 각각의 굴절층 형성시 발생하는 결손을 보완할 수 있는 장점이 있다.
도 3d 내지 도 3f에는 상기 홈(335) 내에 3개의 굴절층들(340,345,350)이 형성된 형태를 나타내고 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로 도 3g에 도시된 바와 같이 상기 다수의 굴절층들(340,345,350)이 형성된 층간 절연막(325)을 CMP(Chemical Mechanicl Polishing)를 이용하여 평탄화하여 상기 층간 절연막(325)을 노출시킨다. 평탄화 공정 완료 후 상기 홈(335) 내 에 채워진 다층의 굴절층들(340-1, 345-1,350-1)이 형성된다.
다음으로 도 3h에 도시된 바와 같이, 상기 다층의 굴절층들(340-1, 345-1,350-1)이 형성된 층간 절연막(325) 상에 보호막(355)을 형성한다. 상기 보호막(355)은 수분 및 스크래치로부터 소자를 보호하기 위하여 형성된다.
그리고 상기 포토다이오드 영역(320)과 대응되도록 상기 보호막(355) 상에 컬러 필터층(360)을 형성한다. 이어서 상기 컬러 필터층(360) 상에 평탄화층(365)을 형성하고, 상기 컬러 필터층(360)과 대응되도록 상기 평탄화층(365) 상에 마이크로 렌즈(370)를 형성한다.
마이크로 렌즈(370), 컬러 필터층(360), 다층의 굴절층들(340,345,350)이 형성된 층간 절연막(325), 및 포토다이오드 영역(320)으로 연결되는 수광 경로에서, 상기 다층의 굴절층들(340,345,350)은 굴절률의 차이에 의하여 빛의 진행 경로를 상기 포토다이오드 영역(320) 방향으로 변경하도록 하여 포토다이오드 영역(320)으로 향하는 빛들의 손실이나 크로스 토크를 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 증착 온도 또는 어닐링 온도를 변경하여 서로 다른 굴절층들을 증착하므로 기존 설비를 이용하여 추가 비용이 없으며, 단일 물질을 이용하여 서로 다른 굴절률을 갖는 멀티 필름과 같은 기능을 갖도록 하며, 증착 온도를 변경함에 따라 연속적인 다층의 굴절층들을 증착할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변 형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 일반적인 이미지 센서의 단면도를 나타낸다.
도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 단면도를 나타낸다.
도 2b는 도2a에 도시된 다층의 굴절층들에서의 빛의 굴절을 나타낸다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸다.
도 4는 증착 온도와 굴절률과의 관계를 나타내는 그래프이다.
Claims (10)
- 반도체 기판 내에 불순물 이온이 주입되어 형성된 포토다이오드 영역;상기 반도체 기판 상에 형성된 층간 절연막;상기 포토다이오드 영역과 대응되도록 상기 층간 절연막 내에 형성된 홈;서로 다른 굴절률을 갖도록 상기 홈 내부 표면에 순차적으로 형성되며, 상기 홈 내부에서 중심부로 갈수록 굴절률이 증가하는 다층의 굴절층들;상기 포토다이오드 영역에 대응되도록 상기 층간 절연막 상에 형성된 컬러 필터층; 및상기 컬러 필터층에 대응되도록 형성된 마이크로렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 삭제
- 반도체 기판에 불순물 이온 주입하여 포토다이오드 영역을 형성하는 단계;상기 포토다이오드 영역이 형성된 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 포토다이오드 영역을 노출하도록 상기 층간 절연막 내에 홈을 형성하는 단계;증착 온도를 변경하거나 어닐링 온도를 변경하여 상기 홈 내부 표면에 서로 다른 굴절률을 갖는 다층의 굴절층들을 증착하는 단계;상기 다층의 굴절층들이 형성된 층간 절연막 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계; 및상기 컬러 필터층 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하며,순차적으로 증착되는 상기 다층의 굴절층들 각각의 굴절률은 증가하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 삭제
- 제3항에 있어서, 상기 다층의 굴절층들을 증착하는 단계는,옥사이드(oxide)를 제1 증착 온도로 상기 홈 표면에 증착하여 제1 굴절층을 증착하는 단계;제2 증착 온도로 상기 옥사이드를 상기 제1 굴절층 상에 증착하여 제2 굴절층을 증착하는 단계; 및제3 증착 온도로 상기 옥사이드를 상기 제2 굴절층 상에 증착하여 제3 굴절층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 옥사이드는 TEOS 또는 TEOS-O3인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 제2 증착 온도는 상기 제1 증착 온도보다 높고, 상기 제3 증착 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 다층의 굴절층들을 증착하는 단계는,기준 증착 온도로 상기 홈이 형성된 층간 절연막 표면에 옥사이드를 증착하여 제1 굴절층을 형성하는 단계;제1 어닐링 온도로 상기 증착된 제1 굴절층을 어닐링하여 상기 제1 굴절층이 제1 굴절률을 갖도록 하는 단계;기준 증착 온도로 상기 제1 굴절층 상에 옥사이드를 증착하여 제2 굴절층을 형성하는 단계; 및어닐링 온도를 변경하여 제2 어닐링 온도로 상기 증착된 제2 굴절층을 어닐링하여 상기 제2 굴절층이 제2 굴절률을 갖도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 제2 어닐링 온도는 상기 제1 어닐링 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 다층의 굴절층들을 증착하는 단계는,상기 다층의 굴절층들 각각의 증착 두께는 서로 다른 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
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