KR20070027909A - 이미지 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
혼색 발생을 억제하기 위한 이미지 소자의 제조 방법에 있어서, 우선, 반도체 기판 상에 포토 다이오드 및 트랜지스터를 포함하는 다수의 단위 픽셀들을 형성하고, 상기 단위 픽셀들을 메우도록 층간 절연막을 형성한다. 상기 포토 다이오드와 대응되는 층간 절연막의 표면을 일부 식각하여 개구부를 갖는 층간 절연막 구조물을 형성하고, 상기 층간 절연막 구조물 및 개구부 상에 금속막을 연속적으로 형성한다. 이어서, 상기 개구부 저면에 형성된 금속막을 선택적으로 제거한다. 이로써, 개구부 측벽 및 층간 절연막 구조물 표면에 잔존하는 금속 패턴에 의해 목적하는 포토 다이오드로 광을 가이드 하고, 상기 포토 다이오드 이외의 부위로 입사되는 광을 차단함으로써, 상기 이미지 소자의 혼색 발생을 억제할 수 있다.
Description
도 1은 종래 기술에 따른 이미지 소자를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 이미지 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 이미지 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
200 : 반도체 기판 202 : 소자 분리막
204 : 포토 다이오드 206 : 트랜지스터
208 : 층간 절연막 210 : 금속 배선
212 : 제1 개구부 214 : 층간 절연막 구조물
216 : 도전막 218 : 제2 개구부
220 : 제1 유전막 222 : 금속 패턴
224 : 제1 유전막 패턴 226 : 제 3개구부
228 : 제2 유전막
본 발명은 이미지 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 CMOS 이미지 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학 영상(Optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 모듈로서, 그 영상 신호를 저장 및 전송, 디스플레이 장치로 표시하기 위하여 사용한다. 이미지 센서는 실리콘 반도체를 기반으로 한 고체 촬상 소자(Charge Coupled Device : CCD, 이하 'CCD'라 나타낸다)와 상보성 금속 산화막 반도체(Complementary Metal Oxide Semiconductor : CMOS, 이하 'CMOS'라 나타낸다)로 크게 두 가지로 분류된다.
상기 CCD 이미지 센서는 CMOS 이미지 센서에 비해서 노이즈가 적고 이미지 품질이 우수한 것이 특징이며, 동일 화소급의 CMOS 이미지 센서보다 크기가 작아서 1/2인치 이하가 되어야하는 DSC(Digital Still Camera) 제품군에 적합하다.
상기 CMOS 이미지 센서는 CCD 이미지 센서에 비해 생산 단가와 소비 전력이 낮고 주변 회로 칩과 통합하기 쉽다는 장점이 있다. 일반적인 반도체 제조 기술로 생산하기 때문에 증폭 및 신호 처리와 같은 주변 시스템과 통합이 용이하여서 생산비용을 낮출 수 있다. 또한, 처리 속도가 빠르면서 CCD 이미지 센서의 1% 정도로 소비 전력이 낮은 것이 특징이다. 따라서, 상기 CMOS는 휴대폰과 개인 휴대 단말기(PDA)용 카메라와 같은 소형 휴대용 단말기에 적합하다.
상기 CMOS 이미지 센서는 이미지를 촬상하는 액티브 픽셀 영역 및 상기 액티 브 픽셀 영역의 출력 신호를 컨트롤하기 위한 CMOS 로직 영역을 포함한다. 상기 픽셀 영역은 포토 다이오드 및 MOS 트랜지스터로 구성되고 상기 CMOS 로직 영역은 다수의 CMOS 트랜지스터들로 구성될 수 있다.
상기 액티브 픽셀 영역 및 상기 CMOS 로직 영역은 하나의 기판 상에 집적될 수 있으며, 상기 픽셀 영역 및 CMOS 로직 영역에 형성되는 트랜지스터들과 같은 소자가 동시에 형성된다.
이때, 상기 각 픽셀들 간의 이격되는 간격이 감소됨에 따라, 이웃하는 픽셀로 입사되는 광에 의한 혼색(Optical cross-talk)이 빈번하게 발생하게 된다. 또한, 상기 이미지 소자에서 금속 배선이 다층으로 구현됨에 따라, 입사각이 큰 광이 입사되는 경우, 상기 금속 배선에서의 반사를 통해 상기 광이 인접한 픽셀로 입사될 수 있다. 이렇게 인접한 픽셀로 입사된 광에 의해 혼색이 발생될 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 픽셀들 사이에 광 가이드 패턴을 구비하여 입사된 광이 상기 광 가이드 패턴을 통해 목적하는 포토 다이오드로 입사되도록 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 이미지 소자를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 포토 다이오드(102) 및 트랜지스터(104)를 포함하는 다수의 단위 픽셀들이 형성된 기판(100) 상에 포토 다이오드(102)와 대향하는 개구부(도시되지 않음)를 갖는 층간 절연막 구조물(110)이 형성되어 있다. 상기 개구부 내에는 상기 층간 절연막 구조물(110)과 다른 굴절률을 갖는 산화막 패턴(112)이 형 성되어 입사된 광을 굴절시켜 목적하는 포토 다이오드(102)로 안내한다. 이때, 설명되지 않은 도면 부호 106은 불순물 영역이며, 108은 금속 배선이다.
그러나, 상기 광 가이드 산화막 패턴은 상기 광 가이드 산화막 패턴 내로 입사된 광만을 목적하는 포토 다이오드(102)로 안내할 수 있으나, 상기 광 가이드 패턴 이외로 입사된 광을 차단할 수 없어 이미지 소자의 혼색을 발생시킬 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 이미지 소자의 혼색을 억제하기 위한 이미지 소자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 이미지 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 포토 다이오드 및 트랜지스터를 포함하는 다수의 단위 픽셀들을 형성한다. 상기 포토 다이오드와 대향되는 개구부는 가지고, 상기 다수의 단위 픽셀들을 매립하도록 상기 기판 상에 층간 절연막 구조물을 형성한다. 상기 개구부의 측벽, 저면 및 층간 절연막 구조물 상에 연속적으로 금속막을 형성한다. 상기 개구부 저면에 형성된 금속막을 선택적으로 제거함으로써 목적하는 포토 다이오드로 광을 가이드하고, 상기 포토 다이오드 이외의 부위로 입사되는 광을 차단하기 위한 금속 패턴을 형성한다.
상기 금속막을 형성한 후, 상기 개구부를 메우도록 상기 금속막 상에 유전막을 형성할 수 있다. 이때, 상기 도전 패턴은 상기 유전막 상에 상기 개구부와 대향되는 유전막의 표면을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스 트 패턴을 식각 마스크로 상기 개구부 저면이 노출되도록 상기 유전막의 일부 및 도전막의 일부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 또한, 상기 도전 패턴은 상기 금속막 상에 상기 개구부 저면에 형성된 금속막을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 개구부의 저면에 형성된 금속막을 제거함으로써 형성될 수 있다. 상기 금속 패턴이 형성된 개구부 내부를 메우도록 상기 금속 패턴 상에 유전막을 형성할 수 있다. 상기 제1 막은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 상기 개구부는 상기 다수의 단위 픽셀을 매립하도록 상기 기판 상에 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 상기 포토 다이오드와 대향되는 상기 층간 절연막 표면을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하며, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 노출된 층간 절연막 표면의 일부를 제거함으로써 형성될 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 포토 다이오드를 노출시키는 금속 패턴에 의해 목적하는 포토 다이오드로 입사된 광을 가이드하고, 상기 포토 다이오드 이외의 부위로 입사되는 광을 차단할 수 있어, 이미지 소자의 혼색을 방지할 수 있어 이미지 소자의 감도(sensitivity)를 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들에 따른 이미지 소자의 제조 방법에 대해 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
실시예 1
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 반도체 기판(200)을 소자 분리 영역(202)에 의해 필드 영역(field area) 및 액티브 영역(active area)으로 한정한다. 상기 소자 분리 영역(202)은 예컨대, 트렌치 소자 분리막, 열적 필드 산화막 등이 있으며, 본 실시예에서는 상기 소자 분리 영역(202)으로써 실리콘 부분 산화 공정(local oxidation of silicon : LOCOS)으로 열적 필드 산화막을 형성한다.
이어서, 상기 반도체 기판(100) 표면 아래에 불순물을 도핑하여 포토 다이오드(photo diode, 204)와 채널 영역(channel area, 도시되지 않음)을 형성한다. 이때, 상기 포토 다이오드(204)는 수광 소자로 기능하며, 광 효율을 높이기 위하여 다소 넓은 영역을 차지한다.
다음으로, 상기 반도체 기판(200) 상에 게이트 절연막(도시되지 않음) 및 도전막(도시되지 않음)을 순차적으로 형성한다. 상기 도전막 및 게이트 절연막을 소정의 사진 공정으로 패터닝하여 게이트 구조물(206)을 형성한다. 그 결과, 상기 반도체 기판(200) 상에는 게이트 구조물(206)들로써, 트랜스퍼 게이트(transfer gate), 리셋 게이트(reset gate), 선택 게이트(selection gate) 및 액세스 게이트(excess gate)가 형성된다. 상기 게이트 구조물(206)들은 상기 포토 다이오드(204)가 형성된 기판(200) 일 측에 형성될 수 있으며, 특히, 상기 트랜스퍼 게이트는 상기 채널 영역 상에 형성될 수 있다.
상기 게이트 구조물(206)들을 사이의 노출된 반도체 기판(200) 표면 아래에 플로팅 확산 영역 및 저 농도 확산 영역을 형성한다. 구체적으로, 상기 게이트 구 조물(206)들을 마스크로 사용하여 이온 주입을 수행하여 상기 플로팅 확산 영역과 저 농도 확산 영역을 형성할 수 있으며, 특히, 상기 플로팅 확산 영역은 상기 트랜스퍼 게이트 사이에서 상기 포토 다이오드(204)와 마주보는 반도체 기판(200) 타 측 표면 아래에 형성되며, 상기 채널 영역과 연결될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 게이트 구조물(206)들이 형성된 반도체 기판(200) 상에 층간 절연막(208) 및 금속 배선(210)을 형성한다. 이때, 상기 층간 절연막(208)은 다층 구조로 이루어지고, 상기 금속 배선(210)을 상기 층간 절연막(208) 내부에 상기 포토 다이오드(204)와 중첩되지 않게 형성된다. 또한, 상기 층간 절연막(208)은 광 투과성이 우수한 물질을 사용한다. 이에 따라, 본 실시예에서는 실리콘 산화물(SiO2)을 사용하여 상기 층간 절연막(208)을 형성한다.
구체적으로, 상기 다층 구조를 갖는 상기 층간 절연막(208) 및 금속 배선(210)을 형성하는 방법은, 먼저 하부 층간 절연막(도시되지 않음)을 형성한 후, 전기적 연결을 위한 부위에 하부 콘택홀(도시되지 않음)을 형성한다. 그리고, 상기 하부 콘택홀을 포함하는 하부 층간 절연막 상에 하부 금속막(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 하부 금속막을 패터닝하여 하부 금속 배선(도시되지 않음)을 형성한다. 이어서, 상기 하부 금속 배선을 갖는 하부 층간 절연막 상에 상부 층간 절연막(도시되지 않음)을 형성한 후, 전기적 연결을 위한 부위에 상부 콘택홀(도시되지 않음)을 형성한다. 계속해서, 상기 상부 콘택홀을 포함하는 상부 층간 절연막 상에 상부 금속막(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 상부 금속막을 패터닝하여 상부 금 속 배선(도시되지 않음)을 형성한다.
상기 공정을 반복적으로 수행함으로써 다층 구조를 갖는 상기 층간 절연막(208)과 상기 층간 절연막(208) 내부에 금속 배선(210)을 형성할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 다층 층간 절연막(208)의 표면 아래 부위에 선택적으로 제1 개구부(212)를 형성한다. 상기 제1 개구부(212)는 상기 포토 다이오드(204)와 대향하도록 위치하며, 상기 포토 다이오드(204)의 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 이는 상기 포토 다이오드(204)로 입사되는 광의 양을 최대로 하기 위함이다.
상기 제1 개구부(212)를 형성하는 공정을 보다 상세하게 살펴보면, 상기 다층 층간 절연막(208) 상에 포토 다이오드(204)와 대향하는 층간 절연막(208) 표면을 노출시키는 제1 포토레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 노출된 층간 절연막(208) 표면 일부를 식각하여 제1 개구부(212)를 갖는 층간 절연막 구조물(214)을 형성한다. 이때, 상기 제1 개구부(212)에 의해 포토 다이오드(204) 및 금속 배선(210)이 노출되지 않도록 한다.
이어서, 상기 제1 개구부(212)를 형성한 후, 상기 제1 포토레지스트 패턴은 에싱(ashing) 또는 스트립(strip) 공정에 의해 제거된다.
도 5를 참조하면, 상기 제1 개구부(212) 및 상기 층간 절연막 구조물(214) 상에 금속막(216)을 연속적으로 형성한다. 동시에, 상기 금속막(216)을 형성함으로써, 상기 제1 개구부(212)로부터 제1 개구부(212)보다 폭이 작은 제2 개구부(218) 를 수득한다.
상기 금속막(216)의 금속으로는 티타늄(Ti)을 사용하며, 상기 티타늄은 상기 금속막(216)으로 입사된 광을 반사시켜 목적하는 포토 다이오드(204)로만 상기 광을 입사시키며, 상기 포토 다이오드(204) 이외의 영역으로 입사되는 광을 차단하는 기능을 수행한다. 이에 대한 설명은 이후에 자세하게 설명하기로 한다.
도 6을 참조하면, 상기 금속막(216) 상에 상기 제2 개구부(218)를 매립하도록 제1 유전막(220)을 형성한다. 상기 제1 유전막(220)은 상기 층간 절연막(208)을 이루는 물질과 다른 굴절률을 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 상기 제1 유전막(220)은 상기 층간 절연막(208)을 이루는 물질보다 굴절률이 큰 물질로 이루어진다. 예컨대, 상기 제1 유전막(220)은 HDP(high density plasma) 공정으로 이루어진 실리콘 산화막일 수 있다. 상기 층간 절연막(208)도 실리콘 산화물로 이루어져 있는데, 상기 실리콘 산화물은 상기 실리콘 산화물이 형성되는 공정에 따라 굴절률, 투명도 및 강도와 같은 물리적 특성이 다르다. 이와 같은 특성을 이용하여 상기 제1 유전막(220) 및 층간 절연막 구조물(214)은 서로 다른 공정으로 형성되며, 이렇게 형성된 실리콘 산화물은 동일한 물질로 이루어지더라도 물리적 특성이 다르게 된다.
도 7을 참조하면, 상기 제1 유전막(220) 상에 상기 포토 다이오드(204)와 대향되는 제1 유전막(220)을 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 제1 유전막(220) 및 금속막(216)의 일부를 제거하여 제1 유전막 패턴(224) 및 금속 패턴(222)을 형성한다. 동시에, 측벽 에 제1 유전막(220) 및 금속막(216)이 적층되고, 저면에는 층간 절연막 구조물(214)이 형성된 제3 개구부(226)가 형성된다.
즉, 상기 금속 패턴(222)은 상기 층간 절연막 구조물(214) 표면과 상기 제3 개구부(226) 측벽에 형성된다. 상기 층간 절연막 구조물(214) 표면에 형성된 금속 패턴(222)은 목적하는 포토 다이오드(204) 이외의 부위로 입사된 광을 차단하며, 상기 제3 개구부(226) 측벽에 형성된 금속 패턴(222)은 상기 입사광을 상기 목적하는 포토 다이오드(204)로 안내하는 기능을 한다. 이로써, 상기 이미지 소자의 혼색을 방지할 수 있으며, 동시에 이미지 소자의 감도를 향상시킬 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제3 개구부(226)를 완전하게 매립하도록 층간 절연막 구조물(214) 상에 제2 유전막(228)을 형성한다. 이때, 상기 제2 유전막(228)은 상기 제1 유전막(220)과 물리적 특성이 다른 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
도시되어 있지는 않지만, 상기 제2 유전막(228) 상에 컬러 필터(도시되지 않음), 평탄층(도시되지 않음) 및 마이크로 렌즈(도시되지 않음)를 순차적으로 형성한다. 구체적으로, 상기 컬러 필터는 컬러 이미지의 구현하며, 레드, 그린, 블루로 염색된 포토레지스트를 상기 제2 유전막(228) 상에 형성한 후, 선택적으로 패터닝하여 형성한다. 이어서, 상기 컬러 필터 상에 평탄층을 형성하고, 상기 평탄층 상에 마이크로 렌즈를 형성한다. 상기 마이크로 렌즈는 상기 평탄층 상에 포토레지스트를 도포한 후, 열처리를 수행함으로써 형성된다. 또한, 선택적으로 상기 마이크로 렌즈 표면상에 상기 마이크로 렌즈를 보호하기 하기 위하여 저온 산화막(Low Temperature Oxide : LTO)과 같은 캡핑막(도시되지 않음)을 더 형성할 수 있다.
실시예 2
도 9 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다.
도 9를 참조하면, 우선, 실시예 1의 도 1 내지 도 5를 참조로 설명한 것과 동일한 공정을 수행함으로써, 기판(300)에 소자 분리막(302), 포토 다이오드(304) 및 트랜지스터(306)를 포함하는 다수의 단위 픽셀들을 형성하고, 상기 단위 픽셀들을 매립하며 포토 다이오드(304)에 대향되는 제1 개구부(도시되지 않음)를 갖는 층간 절연막 구조물(310)과 상기 층간 절연막 구조물(310) 내부에 구비되는 금속 배선(308)을 형성하며, 이어서, 상기 제1 개구부 및 층간 절연막 구조물(310) 상에 금속막(312)을 연속적으로 형성한다.
상기 제1 개구부에 상기 금속막(312)이 형성됨으로써 상기 제1 개구부보다 폭이 좁은 제2 개구부(316)가 형성된다.
계속해서, 상기 금속막(312) 상에 상기 제1 개구부 저면 상에 형성된 금속막(312)을 선택적으로 노출시키는 포토레지스트 패턴(314)을 형성한다.
도 10을 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(314)을 식각 마스크로 상기 제2 개구부 저면에 형성된 금속막(312)을 제거하여 금속 패턴(318)을 형성한다. 상기 공정을 통해, 상기 제2 개구부(316)로부터 저면에 금속막(312)이 제거된 제3 개구부(320)가 생성된다. 이때, 상기 금속막(312) 하부에 형성된 층간 절연막 구조물(310)이 일부 식각될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 제3 개구부(320)를 메우도록 상기 층간 절연막 구조물(310) 상에 유전막(322)을 형성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 층간 절연막 구조물 상에 구비되어 포토 다이오드 상부가 노출되도록 형성된 금속 패턴에 의해 목적하는 포토 다이오드로 광을 가이드하고, 상기 포토 다이오드 이외의 부위로 입사되는 광을 차단할 수 있다.
따라서, 이미지 소자의 혼색 현상을 억제할 수 있으며, 동시에 상기 이미지 소자의 감도를 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (7)
- 기판 상에 포토 다이오드 및 트랜지스터를 포함하는 다수의 단위 픽셀들을 형성하는 단계;상기 포토 다이오드와 대향되는 개구부는 가지고, 상기 다수의 단위 픽셀들을 매립하도록 상기 기판 상에 층간 절연막 구조물을 형성하는 단계;상기 개구부의 측벽, 저면 및 층간 절연막 구조물 상에 연속적으로 금속막을 형성하는 단계; 및상기 개구부 저면에 형성된 금속막을 선택적으로 제거함으로써 목적하는 포토 다이오드로 광을 가이드하고, 상기 포토 다이오드 이외의 부위로 입사되는 광을 차단하기 위한 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막을 형성한 후, 상기 개구부를 메우도록 상기 금속막 상에 유전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 도전 패턴을 형성하는 단계는,상기 유전막 상에 상기 개구부와 대향되는 유전막의 표면을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 개구부 저면이 노출되도록 상 기 유전막의 일부 및 도전막의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전 패턴을 형성하는 단계는,상기 금속막 상에 상기 개구부 저면에 형성된 금속막을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 개구부의 저면에 형성된 금속막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속 패턴이 형성된 개구부 내부를 메우도록 상기 금속 패턴 상에 유전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 막은 티타늄(Ti)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 개구부를 형성하는 단계는,상기 다수의 단위 픽셀을 매립하도록 상기 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막 상에 상기 포토 다이오드와 대향되는 상기 층간 절연막 표 면을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 노출된 층간 절연막 표면의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
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| KR1020050079834A KR20070027909A (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 이미지 소자의 제조 방법 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101023071B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2011-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| US9615041B2 (en) | 2014-03-10 | 2017-04-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of manufacturing the same |
-
2005
- 2005-08-30 KR KR1020050079834A patent/KR20070027909A/ko not_active Application Discontinuation
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