KR101022697B1 - 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정 - Google Patents

알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정 Download PDF

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Abstract

본 발명은 알에프아이디(RFID) 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정에 관한 것으로서, 구리에 비해 가격변동이 적고 가격이 저렴한 알루미늄소재를 RFID 태그 안테나 제조에 사용할 수 있고, 특히 구리에 비해 에칭에 어려움이 있었던 알루미늄박에 대한 에칭효율 및 그에 따른 가공효율을 높일 수 있어 안테나회로를 안정되게 형성시킬 수 있음은 물론 알루미늄의 에칭작업이 제대로 이루어지지 않아 제거되지 않고 잔존하는 알루미늄에 의해 쇼트 발생 가능성이 있는 문제점을 개선할 수 있는 등 에칭가공의 불량률을 개선할 수 있으며, 알루미늄소재에 의한 안정된 동작특성을 발휘하는 RFID 태그 안테나를 제조할 수 있는 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정에 관한 것이다.

Description

알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정{ETCHING PROCESSING FOR ALUMINIUM FOIL OF CIRCUIT FORMING IN MANUFACTURING RFID TAG ANTENNA}
본 발명은 알에프아이디(RFID) 태그 안테나 제조시 안테나회로를 알루미늄박에 형성시키기 위한 에칭공정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 알루미늄박의 에칭 처리효율을 높여 안테나회로를 안정되게 형성시킬 수 있도록 하여 불량률을 극히 최소화시킬 수 있도록 하고 알에프아이디(RFID) 안테나로서 안정된 동작특성을 발휘되게 하는 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정에 관한 것이다.
일반적으로 알에프아이디(RFID) 태그(Tag)는 무선인식기술을 이용하는 것으로서 크게 칩과 안테나로 구성되는데, 다양한 소재로 회로(패턴)가 설계된 안테나를 제조한 후 이 안테나의 회로 상에 인식정보가 기록된 칩을 탑재시킨 구성으로 이루어진다.
이러한 RFID 태그용 라벨 안테나의 제조방식을 개략적으로 살펴보면, PET 등의 베이스필름에 구리(Cu)나 알루미늄(Al) 등의 박막형 도전성금속을 라미네이팅시킨 후 에칭하여 회로를 형성시키는 에칭방식과, PET 등의 베이스필름에 실버페이스트 등의 도전성잉크로 인쇄하여 회로를 형성시키는 인쇄방식이 가장 많이 사용되고 있다.
그런데, 종래기술에 있어서 구리(Cu)는 에칭의 실시에 의한 회로 형성작업이 용이한 장점을 보유하고 있으나 대신 가격이 비싸 재료 구입 및 사용에 따른 문제점이 있었고, 알루미늄은 에칭처리가 힘들어 구리에 비해 안정된 회로를 형성하는데 어려움이 있으나 가격이 저렴하여 재료 구입 및 사용에 용이한 장점을 보유하고 있다.
특히, 최근에는 가격이 저렴한 이유로 알루미늄의 사용이 권장되고 있으나, 알루미늄의 에칭작업이 제대로 이루어지지 않아 제거되지 않고 잔존하는 알루미늄에 의해 쇼트 발생 가능성이 있는 문제점이 있는 등 형성되는 안테나회로의 안정성에 문제가 발생되거나 제품 불량률이 커지는 문제점들이 제기되고 있다.
본 발명은 상술한 문제점 등을 감안하여 안출된 것으로서, 알루미늄박(aluminium foil)의 에칭(etching) 처리효율을 높여 안테나회로를 안정되게 형성시킬 수 있도록 하여 불량률을 극히 최소화시킬 수 있도록 하고 알에프아이디(RFID) 안테나로서 안정된 동작특성을 발휘되게 하는 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 베이스필름에 알루미늄박이 결합되고 알루미늄박 위에 선택적으로 인쇄층이 형성된 안테나소재를 구비하되, 권출롤과 권취롤에 감아 안테나소재를 롤투롤 이송 처리하도록 준비하는 소재이송 준비단계;
상기 안테나소재가 프리에칭액이 저장된 프리에칭탱크를 침적상태로 지나가게 하고 슬리트형 분사노즐을 통해 프리에칭액을 안테나소재측에 분사하여 알루미늄박의 표면에 미세하게 남아있는 잉크 잔막을 제거함과 아울러 표면 산화층을 제거하는 프리에칭단계;
상기 프리에칭단계를 거친 안테나소재가 염화철액에 의한 에칭액이 저장된 에칭탱크를 침적상태로 지나가게 하고 슬리트형 분사노즐을 통해 에칭액을 안테나소재측에 분사하여 인쇄층이 형성되지 않은 부분의 알루미늄박을 선택적으로 부식시켜 안테나회로를 형성시키는 에칭단계;
상기 에칭단계를 거친 안테나소재가 에칭수세탱크를 통과하게 하되 스프레이노즐을 통해 공업용수를 스프레이 분사함으로써 에칭액을 씻어내는 에칭수세단계;
상기 에칭수세단계를 거친 안테나소재가 박리액이 저장된 박리탱크를 통과하게 하고 스프레이노즐을 통해 박리액을 스프레이 분사함으로써 인쇄층의 막을 팽윤시켜 알루미늄박으로부터 박리시키는 박리단계;
상기 박리단계를 거친 안테나소재가 박리수세탱크를 통과하게 하되 스프레이노즐을 통해 공업용수를 스프레이 분사함으로써 박리액을 씻어냄과 더불어 인쇄층의 잔류막을 완전히 제거하는 박리수세단계;
상기 박리수세단계를 거친 안테나소재가 순수수세탱크를 통과되게 하되 스프레이노즐을 통해 순수한 물을 스프레이 분사함으로써 최종 수세를 실시하는 순수수세단계;
상기 순수수세단계를 거친 안테나회로가 형성된 안테나소재가 건조로를 통과하게 함으로써 열풍을 공급하여 물기를 완전히 제거하는 건조단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 건조단계에서는 순수수세단계를 거친 안테나소재를 건조로측에 투입하기 전에, 물기제거용 스퀴즈롤러와의 접촉을 통하여 안테나소재측이 머금은 물기를 균일하게 제거하는 선행 건조작업을 수행하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 프리에칭액은 증류수 150~180중량부에 대해서 황산 2~5중량부, 수산(oxalic acid)분말 3~10중량부, 무기염(Inorganic Salt) 5~20중량부가 혼합된 혼합액을 사용하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 에칭액은 염화철 비중이 1.35± 0.2로 유지되게 하고 온도가 45± 5℃를 유지되게 하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 박리액은 물에 가성소다를 혼합하되 10~30%의 농도를 유지되게 하고, 40~60℃의 박리온도를 유지되게 하며, 안테나소재측에 2.0± 1kgf/㎠의 분사압력으로 스프레이 분사하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 건조단계에서는 건조로를 통해 80± 10℃의 온도조건과 10± 5N㎥/min의 풍량조건으로 열풍을 공급하여 건조 처리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 구리에 비해 가격변동이 적고 가격이 저렴한 알루미늄소재를 RFID 태그 안테나 제조에 사용할 수 있고, 특히 구리에 비해 에칭에 어려움이 있었던 알루미늄박에 대한 에칭효율 및 그에 따른 가공효율을 높일 수 있어 안테나회로를 안정되게 형성시킬 수 있음은 물론 기존에 많이 발생되던 불량률을 극히 최소화시킬 수 있는 유용한 효과가 있다.
본 발명은 알루미늄의 에칭작업이 제대로 이루어지지 않아 제거되지 않고 잔존하는 알루미늄에 의해 쇼트 발생 가능성이 있는 문제점을 개선할 수 있는 등 에칭가공의 불량률을 개선할 수 있고, 알루미늄소재에 의한 안정된 동작특성을 발휘하는 RFID 태그 안테나를 제조할 수 있는 등 제품 신뢰성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 RFID 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정을 나타낸 공정 흐름도.
도 2는 본 발명에 의한 RFID 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정을 설명하기 위해 나타낸 제조공정도.
도 3은 본 발명에 있어 안테나소재의 구성과 권출 및 권취상태를 설명하기 위해 나타낸 예시도.
도 4는 본 발명에 있어 안테나소재에 처리되는 에칭 가공상태를 나타낸 요부 순서도.
도 5는 본 발명에 있어 프리에칭단계시 잉크 잔막 제거상태를 나타낸 예시도.
본 발명에 대해 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같으며, 이와 같은 상세한 설명을 통해서 본 발명의 목적과 구성 및 그에 따른 특징들을 보다 잘 이해할 수 있게 될 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 알에프아이디(RFID) 태그(Tag) 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명하면, 소재이송 준비단계(S1), 프리에칭단계(S2), 에칭단계(S3), 에칭수세단계(S4), 박리단계(S5), 박리수세단계(S6), 순수수세단계(S7), 건조단계(S8)를 포함하여 이루어진다.
상기 소재이송 준비단계(S1)는 PET 등의 베이스필름(11)에 알루미늄박(12)이 결합되고 알루미늄박(12) 위에 선택적으로 인쇄층(13)이 형성된 라벨형태의 안테나소재(10)를 구비하되, 권출롤(101)과 권취롤(102)에 감아 이를 통해 안테나소재(10)를 롤투롤(Roll to Roll) 이송 처리할 수 있도록 준비한다.
이때, 안테나소재(10)는 도 3에 나타낸 예시에서와 같이 가능한 인쇄층(13)이 바깥쪽에 위치된 상태로 하여 이송되게 함이 바람직하나, 특별히 이에 한정되는 것이 아니며, 권취시에는 알루미늄박(12)을 에칭하여 형성시킨 회로형성부분이 반드시 위로 향하여 권취되게 한다.
상기 안테나소재(10)의 베이스필름(11) 위에 결합되는 알루미늄박(12)은 9㎛의 박판으로 구성된다.
상기 프리에칭단계(S2)는 프리에칭액이 저장된 프리에칭탱크(110)를 안테나소재(10)가 침적상태로 지나가게 하고 슬리트형 분사노즐(111)을 통해 프리에칭액을 안테나소재(10)의 알루미늄박(12)을 향하여 분사되게 함으로써 인쇄층(13) 형성시 도 5의 예시에서와 같이 알루미늄박(12)의 표면에 미세하게 남아있는 잉크 잔막(fringe)을 제거하는 소프트 에칭을 실시함과 아울러 표면 산화층을 제거할 수 있도록 한다.
이러한 프리에칭을 통해서는 이후 수행될 에칭작업에 대한 효율 및 효과를 증대시킬 수 있으며, 안테나소재(10)를 프리에칭액 내에 침적시킨 상태에서 프리에칭을 실시함으로써 안테나소재(10)의 전체면적에 걸쳐 고르게 영향력을 미치게 할 수 있고 박판인 안테나소재(10)측으로 분사되는 프리에칭액에 대한 가압력이 극히 최소화 및 상쇄되므로 안테나소재(10)가 휘어지는 것을 방지 및 평탄도를 유지할 수 있는 등 품질불량을 예방할 수 있게 된다.
이때, 프리에칭액은 금속의 표면처리가 가능하도록 유기산 및 산화제 수용액을 사용함이 바람직한데, 증류수 150~180중량부에 대해서 황산 2~5중량부, 수산(oxalic acid)분말 3~10중량부, 무기염(Inorganic Salt) 5~20중량부가 혼합된 조성을 갖는 혼합액을 사용할 수 있다.
상기 에칭단계(S3)는 프리에칭단계(S2)를 거친 안테나소재(10)가 염화철액에 의한 에칭액이 저장된 에칭탱크(120)를 침적상태로 지나가게 하고 슬리트형 분사노즐(121)을 통해 에칭액을 안테나소재(10)의 알루미늄박(12)을 향하여 분사되게 함으로써 염화철의 작용으로 도 4의 (b)에 나타낸 예시에서와 같이, 인쇄층(13)이 형성되지 않은 부분의 알루미늄박(12)을 선택적으로 부식시켜 원하는 형상으로 안테나회로가 형성되게 한다.
이때, 에칭액은 균일한 에칭작업을 위해 염화철 비중이 1.35± 0.2로 유지되게 하고 온도가 45± 5℃를 유지되게 하며, 상기한 염화철 비중의 범위 내에서 에칭작업시 변화되는 비중에 맞추어 안테나소재(10)의 에칭속도(이송속도)를 자동 조정되게 한다.
여기서, 에칭의 진행에 따라 염화철 비중이 증대되는데, 초기 염화철 비중이 낮을 때 에칭속도를 높이고, 염화철 비중이 높아지면 에칭속도를 낮추는 것이 균일한 에칭효율을 위해 필요하다.
이렇게 에칭단계(S3)에 있어 염화철의 비중 및 온도를 일정하게 유지시키는 것은 과에칭 또는 미에칭에 의한 제품불량을 방지하여 추후 기능상에 문제가 발생됨을 방지 및 제품 신뢰성을 높이기 위함이다.
덧붙여, 상기 에칭단계(S3)에서도 안테나소재(10)를 에칭액 내에 침적시킨 상태에서 에칭을 실시함으로써 안테나소재(10)측으로 분사되는 에칭액에 대한 가압력을 극히 최소화 및 상쇄시킬 수 있어 박판 구성인 안테나소재(10)가 휘어지는 것을 방지 및 평탄도를 유지할 수 있고, 특히 안테나소재(10)의 전체면적에 걸쳐 고른 에칭을 수행할 수 있게 되므로 균일한 품질의 회로 및 안정적인 회로를 얻어낼 수 있어 품질불량을 방지함은 물론 제품 신뢰성을 높일 수 있게 된다.
상기 에칭수세단계(S4)는 에칭단계(S3)를 통해 선택적으로 부식되어 알루미늄박(12)에 원하는 형상의 안테나회로를 형성시킨 상태의 안테나소재(10)가 에칭수세탱크(130)를 통과하게 하되 스프레이노즐(131)을 통해 공업용수를 안테나소재(10)측에 스프레이 분사함으로써 염화철에 의한 에칭액을 씻어내도록 한다.
이때, 상기 에칭수세단계(S4)는 제1수세, 제2수세 및 제3수세의 3번에 걸친 다단의 수세작업이 수행되게 함으로써 염화철을 씻어내기 위한 수세효율을 높일 수 있도록 함이 바람직하며, 각 수세작업은 상온(20~30℃) 상태의 공업용수를 2.0± 1kgf/㎠의 분사압력으로 스프레이 분사되게 한다.
상기 박리단계(S5)는 에칭수세단계(S4)를 거친 안테나소재(10)가 박리액이 저장된 박리탱크(140)를 통과하게 하고 스프레이노즐(141)을 통해 박리액을 안테나소재(10)측으로 스프레이 분사함으로써 도 4의 (c)에 나타낸 예시에서와 같이, 알루미늄박(12) 위에 선택적으로 인쇄되어있는 인쇄층(13)을 팽윤시켜 알루미늄박(12)으로부터 박리되게 한다.
이때, 박리액은 물에 가성소다(수산화나트륨)를 혼합하되 인쇄층(13)에 미치는 팽윤성 및 용해성의 효율증대를 위해 10~30%의 농도를 갖도록 한 것을 사용함이 바람직하고, 팽윤에 의한 인쇄층(13)의 박리가 빠르게 진행될 수 있도록 40~60℃의 박리온도를 유지되게 하며, 안테나소재(10)측에 2.0± 1kgf/㎠의 분사압력으로 스프레이 분사되게 한다.
여기서, 박리액은 알루미늄박(12)과 인쇄층(13)의 사이, 즉 계면(경계)에 침투하여 알루미늄박(12)과 인쇄층(13)간의 결합관계를 끊으면서 도 4의 (c)에 나타낸 예시에서와 같이 인쇄층(13)의 막을 팽윤 및 일부 용해시킴에 의해 인쇄층(13)을 박리시키는데 작용하게 되며, 도 4의 (d)에 나타낸 예시에서와 같이 알루미늄박(12)에 안테나회로를 최종 형성되게 한다.
이렇게, 박리단계(S5)를 거치게 되면 알루미늄을 사용하고 안정된 회로가 형성된 RFID 태그 안테나의 형태를 갖추게 된다.
덧붙여, 박리단계(S5)에 있어 가성소다의 농도 및 박리액의 온도를 일정하게 유지시키는 것은 과박리에 의한 알루미늄박(12)에 형성된 회로의 훼손을 방지함은 물론 또는 미박리에 의한 이물질 잔존으로 동작특성이 저하되는 것을 방지하여 품질불량을 최소화하고 제품 신뢰성을 높이기 위함이다.
상기 박리수세단계(S6)는 박리단계(S5)를 통과함으로써 인쇄층(13)이 박리되고 알루미늄박(12)에 안테나회로가 형성된 안테나소재(10)가 박리수세탱크(150)를 통과하게 하되 스프레이노즐(151)을 통해 공업용수를 안테나소재(10)측에 스프레이 분사함으로써 박리액을 씻어냄과 더불어 인쇄층(13)의 잔류막을 완전히 제거할 수 있도록 한다.
이때, 공업용수는 상온(20~30℃) 상태에서 2.0± 1kgf/㎠의 분사압력으로 스프레이 분사되게 한다.
상기 순수수세단계(S7)는 박리수세단계(S6)를 거친 안테나소재(10)가 순수수세탱크(160)를 통과되게 하되 스프레이노즐(161)을 통해 증류수 등과 같은 순수한 물을 스프레이 분사함으로써 최종적인 수세를 실시하여 안테나소재(10)측에 잔존하는 박리액 및 산용액 등을 깨끗이 씻어내도록 한다.
이때, 사용되는 순수는 2.0± 1kgf/㎠의 분사압력으로 스프레이 분사되게 한다.
상기 건조단계(S8)는 알루미늄박(12)의 에칭을 통하여 안테나회로를 형성시킨 안테나소재(10)가 순수수세단계(S7)를 거쳐 건조로(172)를 통과하게 함으로써 열풍을 공급하여 안테나소재(10)측으로부터 물기를 완전히 제거 및 RFID 태그용 안테나 제조를 위한 알루미늄박 에칭 가공을 마무리되게 한다.
이때, 건조로(172)를 통해서는 80± 10℃의 온도조건과 10± 5N㎥/min의 풍량조건으로 열풍을 공급함으로써 안테나회로가 형성되어 RFID 태그 안테나로서의 형태를 갖는 안테나소재(10)측으로부터 물기가 완전히 제거되게 한다.
이와 같은 건조단계(S8)에서는 순수수세단계(S7)를 거친 안테나소재(10)를 건조로(172)측에 투입하기 전에, 물기제거용 스퀴즈롤러(171)와의 접촉을 통하여 안테나소재(10)측이 머금은 물기를 균일하게 제거하는 선행 건조작업을 수행하게 함으로써 이후 건조로(172)를 통한 열풍 공급을 통해 완전하게 물기를 제거 및 얼룩이 발생되는 불량을 방지할 수 있도록 구성함이 바람직하다.
한편, 상술한 에칭공정단계에 있어서는 에칭단계(S3)에서부터 순수수세단계(S7)까지의 각 단계마다의 말미에 에어블로워(B)를 각각 설치하여 공기를 공급할 수 있도록 구성함으로써 액이 사용되는 각 단계마다의 말미에 건조작업이 행해질 수 있도록 구성되게 할 수 있다.
10: 안테나소재 11: 베이스필름
12: 알루미늄박 13: 인쇄층
101: 권출롤 102: 권취롤
110: 프리에칭탱크 111: 슬리트형 분사노즐
120: 에칭탱크 121: 슬리트형 분사노즐
130: 에칭수세탱크 131: 스프레이노즐
140: 박리탱크 141: 스프레이노즐
150: 박리수세탱크 151: 스프레이노즐
160: 순수수세탱크 161: 스프레이노즐
171: 스퀴즈롤러 172: 건조로

Claims (6)

  1. 베이스필름(11)에 알루미늄박(12)이 결합되고 알루미늄박(12) 위에 선택적으로 인쇄층(13)이 형성된 안테나소재(10)를 구비하되, 권출롤(101)과 권취롤(102)에 감아 안테나소재(10)를 롤투롤 이송 처리하도록 준비하는 소재이송 준비단계;
    상기 안테나소재(10)가 프리에칭액이 저장된 프리에칭탱크(110)를 침적상태로 지나가게 하고 슬리트형 분사노즐(111)을 통해 프리에칭액을 안테나소재(10)측에 분사하여 알루미늄박(12)의 표면에 미세하게 남아있는 잉크 잔막을 제거함과 아울러 표면 산화층을 제거하는 프리에칭단계;
    상기 프리에칭단계를 거친 안테나소재(10)가 염화철액에 의한 에칭액이 저장된 에칭탱크(120)를 침적상태로 지나가게 하고 슬리트형 분사노즐(121)을 통해 에칭액을 안테나소재(10)측에 분사하여 인쇄층(13)이 형성되지 않은 부분의 알루미늄박(12)을 선택적으로 부식시켜 안테나회로를 형성시키는 에칭단계;
    상기 에칭단계를 거친 안테나소재(10)가 에칭수세탱크(130)를 통과하게 하되 스프레이노즐(131)을 통해 공업용수를 스프레이 분사함으로써 에칭액을 씻어내는 에칭수세단계;
    상기 에칭수세단계를 거친 안테나소재(10)가 박리액이 저장된 박리탱크(140)를 통과하게 하고 스프레이노즐(141)을 통해 박리액을 스프레이 분사함으로써 인쇄층(13)의 막을 팽윤시켜 알루미늄박(12)으로부터 박리시키는 박리단계;
    상기 박리단계를 거친 안테나소재(10)가 박리수세탱크(150)를 통과하게 하되 스프레이노즐(151)을 통해 공업용수를 스프레이 분사함으로써 박리액을 씻어냄과 더불어 인쇄층(13)의 잔류막을 완전히 제거하는 박리수세단계;
    상기 박리수세단계를 거친 안테나소재(10)가 순수수세탱크(160)를 통과되게 하되 스프레이노즐(161)을 통해 순수한 물을 스프레이 분사함으로써 최종 수세를 실시하는 순수수세단계;
    상기 순수수세단계를 거친 안테나회로가 형성된 안테나소재(10)가 건조로(172)를 통과하게 함으로써 열풍을 공급하여 물기를 완전히 제거하는 건조단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 건조단계에서는 순수수세단계를 거친 안테나소재(10)를 건조로(172)측에 투입하기 전에, 물기제거용 스퀴즈롤러(171)와의 접촉을 통하여 안테나소재(10)측이 머금은 물기를 균일하게 제거하는 선행 건조작업을 수행하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 프리에칭액은 증류수 150~180중량부에 대해서 황산 2~5중량부, 수산(oxalic acid)분말 3~10중량부, 무기염(Inorganic Salt) 5~20중량부가 혼합된 혼합액을 사용하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 에칭액은 염화철 비중이 1.35± 0.2로 유지되게 하고 온도가 45± 5℃를 유지되게 하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 박리액은 물에 가성소다를 혼합하되 10~30%의 농도를 유지되게 하고, 40~60℃의 박리온도를 유지되게 하며, 안테나소재(10)측에 2.0± 1kgf/㎠의 분사압력으로 스프레이 분사하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 건조단계에서는 건조로(172)를 통해 80± 10℃의 온도조건과 10± 5N㎥/min의 풍량조건으로 열풍을 공급하여 건조 처리하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정.
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