KR101017103B1 - 온도가 조정된 척을 이용한 무전해 증착 방법 및 장치 - Google Patents

온도가 조정된 척을 이용한 무전해 증착 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101017103B1
KR101017103B1 KR1020057004388A KR20057004388A KR101017103B1 KR 101017103 B1 KR101017103 B1 KR 101017103B1 KR 1020057004388 A KR1020057004388 A KR 1020057004388A KR 20057004388 A KR20057004388 A KR 20057004388A KR 101017103 B1 KR101017103 B1 KR 101017103B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
solution
deposition
temperature
chamber
Prior art date
Application number
KR1020057004388A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050056209A (ko
Inventor
이고르 씨. 이바노프
조나단 웨이구오 장
아르터 콜릭스
Original Assignee
블루29 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 블루29 엘엘씨 filed Critical 블루29 엘엘씨
Publication of KR20050056209A publication Critical patent/KR20050056209A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101017103B1 publication Critical patent/KR101017103B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/1676—Heating of the solution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/1678—Heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/168—Control of temperature, e.g. temperature of bath, substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/1682—Control of atmosphere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Abstract

본 발명은 금속, 반도체, 유전체 등이 될 수 있는 코팅 물질을 무전해 증착하는 방법에 관한 것으로, 이 방법은 상대적으로 낮은 온도의 처리 용액에서 실행되며, 용액의 낮은 온도는 기판의 척(chuck) 내부에 설치된 가열기에 의해 조절되는 기판의 증가된 온도에 의해 보상된다. 처리 용액의 온도를 낮추면, 일반적으로 증가된 온도에서 발생되는 용액의 열분해를 막고 가스 거품의 형성을 줄일 수 있다. 기판의 처리된 표면을 상부로 향하게 위치시킴으로써 상기 기판의 표면에 거품이 축적되는 것을 더욱더 막을 수 있다. 기판 홀더(holder)에는 기판 표면을 선택적으로 급속 가열하거나 냉각하는데 사용될 수 있는 기판 가열기와 기판 냉각기가 구비된다.

Description

온도가 조정된 척을 이용한 무전해 증착 방법 및 장치 {METHOD AND APPARATUS FOR ELECTROLESS DEPOSITION WITH TEMPERATURE-CONTROLLED CHUCK}
본 발명은 반도체 생산분야에 관한 것으로, 특히 반도체 기판위에 물질을 무전해 증착시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 용액으로부터 금속 박막의 형태로 증착되는 기판을 홀딩하는 온도가 조정된 척을 사용한 무전해 증착에 관한 것이다.
반도체 장치, 특히 반도체 기판위에 적층된 다양한 금속 및 비금속 층의 다중 층 구조를 갖는 집적 회로의 제조과정은 일반적으로 기판위에 또는 다른 이전에 증착된 층위에 복수의 금속층들을 형성하는 것을 포함한다. 이러한 층들은 결합하여 집적 회로 또는 소위 '칩'을 형성하는 수 천개의 개별 장치들을 구성할 수 있기 때문에 복잡한 평면 기하학 형태를 가질 수 있다. 현대의 칩들은 수십 옴스트롱(Å)에서 마이크론(micron)의 몇분의 1에 이르는 두께를 갖는 금속 또는 유전 층들을 가질 수 있다.
반도체 장치의 집적 회로에 사용되는 금속 박막은 전류의 전도체로 작용한 다. 또한, 집적 회로에 사용되는 금속 연결의 신호 전류 밀도는 전도체 막의 다량의 공간 전달과 관련된 전자이동(electromigration)과 같은 현상을 발생시키는 매우 높은 수치에 도달할 수 있는 것으로 알려져 있다. 따라서, 증착된 금속 막의 특성 및 속성(막 두께의 일정성, 낮은 전기 저항성, 등등)은 대체로 집적 회로와 반도체 장치의 실행 특성과 품질을 결정한다.
이러한 이유로, 집적 회로에 사용되는 금속 박막은 상기된 공정의 반복가능성 및 제어가능성 뿐만 아니라 금속 증착 공정과 관련된 매우 엄격한 기술적인 요건들을 충족시켜야 한다.
집적 회로를 형성하기 위하여 광 범위한 금속들이 마이크로 전자 제조 산업에서 사용된다. 이러한 금속들에는 예를 들어, 규화물, 땜납 등과 같은 전기 전도성 혼성 합금 뿐만 아니라 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 백금, 구리, 코발트 등도 포함된다. 코팅 막을 화학적 증기 증착법(CVD), 물리적 증기 증착법(PVD), 전기도금 및 무전해 도금과 같은 다양한 기술적인 공정을 이용하여 기판위에 형성하는 방법이 또한 알려져 있다. 이들 기술들 중에서, 전기 도금 및 무전해 도금 또는 증착이 증착된 막의 특성을 개선하는데 가장 경제적이고 가장 유용하다. 따라서, 전기 도금 및 무전해 도금 기술은 다른 기술들을 성공적으로 대체한다.
전기 도금 및 무전해 도금은 패턴화된 금속 층 뿐만 아니라 연속적인 금속층의 증착에도 사용될 수 있다. 반도체 웨이퍼(wafer)위에 금속을 증착시키기 위해 마이크로전자 제조 산업에서 사용되는 공정 시퀀스 중 하나는 "다마신(damascene)" 공정으로 알려진 것이다. 그러한 공정에서는, 흔히 "바이어스(vias)"라 불리는 홀 (hole), 트렌치(trench) 및/또는 다른 오목부(recess)가 작업 부위에 형성되고 구리와 같은 금속으로 채워진다. 다마신(damascene) 공정에서, 유전 물질안 에칭(etching)된 바이어스(vias) 또는 트랜치(trench)를 가진 웨이퍼는 먼저 금속 시드(seed) 층이 구비되고, 이는 뒤이은 금속 전기 도금 단계에서 전류를 전도하는데 사용된다. 만일 구리와 같은 금속이 사용된다면, 시드(seed) 층은 Ti, TiN 등과 같은 경계층(barrier layer) 물질 위에 놓여진다. 시드 층은 매우 얇은 금속층으로, 하나 또는 그 이상의 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 금속 시드(seed) 층은 1000Å의 두께를 가진 층을 형성하기 위해 물리적 증기 증착법 또는 화학적 증기 증착법을 이용하여 증착될 수 있다. 시드 층은 바람직하게는 구리, 금, 니켈, 팔라듐(palladium) 또는 다른 금속들로 형성될 수 있다. 시드 층은 바이어스(vias), 트랜치(trench) 또는 다른 오목부 형태를 포함할 수 있는 표면위에 형성된다.
이어서 금속층이 연속층 형태로 시드 층 위에 전기 도금된다. 연속층은 트랜치(trench) 및 바이어스(vias)를 채우고 그 위에 일정량 연장되는 금속층을 제공하기 위해 덮개층을 형성하도록 도금된다. 그러한 연속층은 전형적으로 5000 - 15,000Å(0.5 - 1.5㎛)의 두께를 가진다.
연속층이 반도체 웨이퍼위에 전기 도금된 후, 바이어스(vias), 트랜치(trench) 또는 다른 오목부(recess) 외부에 존재하는 초과 금속 물질은 제거된다. 이 금속은 형성되는 반도체 집적 회로에서 금속 층의 최종 패턴을 제공하기 위해 제거된다. 초과 도금된 물질은 예컨데 화학적 기계적 평탄화법(chemical mechanical planarization)을 이용하여 제거될 수 있다. 화학적 기계적 평탄화법이란 전기 도금 단계에서 형성된 금속층의 부적합한 부분을 제거하기 위해 노출된 금속 표면을 갈고 연마하는 연마제를 갖는 화학적 제거제 또는 화학적 제거제의 조합된 반응을 이용하는 공정 단계이다.
전기 도금과 관련된 단점은 반도체 웨이퍼의 전기 도금에 사용되는 리액터(reactor)의 디자인과 관련된 기술적인 문제점이다. 웨이퍼의 주위에 시드 층을 가진 분리된 전기 접촉부(예컨데, 8개의 접촉부)를 제한된 수로 사용하면 웨이퍼의 다른 부분보다 접촉 지점 근처에서 보통 더 높은 전류 밀도가 생성된다. 차례로, 웨이퍼를 통한 이러한 일정치못한 전류 분배는 도금된 금속 물질의 증착을 균일하지 않게 만든다. 시드 층과 접촉하는 것이 아닌 전기 전도 소자의 제공으로 형성되는 전류 도난(current thieving)이 그러한 불균일성을 최소화하기 위해 웨이퍼 접촉지점 근처에 채용될 수 있다. 그러나 그러한 도난 기술은 전기 도금 장치를 복잡하게 하고, 유지 보수의 필요성을 증가시킨다.
전기 도금되는 특정 금속도 역시 전기 도금 공정을 복잡하게 할 수 있다. 예를 들면, 특정 금속의 전기 도금은 일반적으로 상대적으로 높은 전기 저항을 갖는 시드 층을 필요로한다. 결론적으로, 일반적인 복수의 전기 웨이퍼 접촉지점(예컨데, 8개로 분리된 지점)을 사용하면 상기 웨이퍼 위에 도금된 금속층에 충분한 균일성을 제공하지 못할 수 있다. 바이어스(vias) 및 트랜치(trench)와 같은 패턴의 크기를 줄이기 위해서는 더 높은 저항을 갖는 보다 얇은 층이 또한 요구되는데, 이러한 높은 저항은 웨이퍼의 에지에서 중앙 지점에 이르기 까지 차례로 높은 전압 강하를 발생시킬 수 있고, 이로 인해 중앙 지점의 증착율은 상당히 줄어든다.
상기 언급된 문제점 이외에도, 전기 도금 리액터(reactor)와 관련된 다른 문제점이 역시 존재한다. 장치의 크기가 줄어들수록, 공정 환경에 대한 까다로운 통제의 필요성이 증가한다. 이는 전기 도금 공정에 영향을 미치는 오염물질의 통제를 포함한다. 따라서, 그러한 오염 물질을 생성할 수 있는 리액터의 이동 소자는 엄격하게 분리되어야 한다.
또한, 종래의 전기 도금 리액터들은 다른 전기 도금 제조 공정을 유지하거나 및/또한 재형성하기가 어렵다. 전기 도금 리액터의 형상이 큰 규모의 제조에 적합하기 위해서는, 그러한 문제점들이 극복되어야 한다.
전기 도금에 의한 구리 증착과 관련된 한가지 결점은 마이크로 전자 부품(0.1 ㎛이하)위의 매우 작은 패턴에 대하여, 전기 도금에 의한 구리 증착은 장경비(aspect ratio)가 높은 바이어스와 트랜치의 일측벽과 적합성이 떨어지고, 형성된 내부 연결 및 플러그(vias)에 공백(void)이 생기게 할 수 있다. 이는 종종 PVD 또는 CVD에 의해 증착된 구리 시드 층이 불일치하기 때문이다. 따라서, 상기 시드 층은 장경비(aspect ratio)가 높은 패턴의 바닥에 전류를 전달하기네 충분한 두께를 갖지 못할 수도 있다.
마이크로 전자 부품위에 구리를 증착하는 대체 공정은 외부 전류원 없이 용액으로부터 촉매 표면위에 금속을 증착하는 "무전해" 도금으로 알려져 있다. 예를 들면, 이러한 공정는 종래의 전기 도금을 위해 플라스틱 조각을 마련하는 예비 단계로 사용될 수 있다. 세척(cleaning)과 에칭(etching) 후에, 이 플라스틱 표면은 원 위치에서 촉매 금속, 예를 들어 팔라듐을 촉진하도록 반응하는 용액에 담궈진다. 먼저 상기 플라스틱을 산성 주석 염화물 용액에 담근후 팔라듐(palladium) 염화물 용액에 담그며, 상기 팔라듐은 주석에 의해 촉매 금속 상태로 줄어준다. 촉매 표면을 생성하는 다른 방법은 플라스틱 조각을 팔라듐 콜로이드 용액에 담근후 촉진제에 담그는 것이다. 이와 같이 처리된 플라스틱 조각은 이제 무전해 방법에 의해 니켈 또는 구리로 도금될 수 있고, 이는 전도 표면을 형성하여 종래의 전기 도금 방법에 의해 다른 금속들로 도금될 수 있다.
전기 도금 방법과 함께 무전해 방법도 역시 반도체 장치의 제조에서 널리 사용된다.
전기 도금과 비교해서, 무전해 도금 또는 증착은 매우 얇은 시드를 사용하거나 또는 시드를 전혀 사용하지 않고 실행될 수 있는 선택적인 공정이다. 무전해 공정은 외부 전류원을 사용하지 않으므로, 무전해 증착은 분리된 접촉부가 없어 더 균일한 코팅을 얻을수 있다. 무전해 증착은 간단하고 저렴한 장치를 이용하여 높은 장경비 간격을 채우도록 실행될 수 있다.
아래에는 특히 반도체 장치의 제조에 사용되는 무전해 증착을 위한 종래의 방법들과 장치들의 몇몇 예가 주어져있다.
예를 들면, J. Calvert 등의 1996년에 등록된 미국 특허 NO.5,500,315는 종래의 시스템의 많은 단점을 극복한 무전해 금속 도금-촉매제 시스템을 개시하고 있다. 상기 발명의 일 특징에 따르면, 공정은 기판에 무전해 증착 촉매제와 결합할 수 있는 한 개 또는 그 이상의 화학단을 제공하는 단계(상기 화학단의 적어도 일부 분이 기판에 화학적으로 결합됨); 상기 기판을 무전해 금속 촉매제와 접촉시키는 단계; 및 상기 기판에 금속 증착을 형성하기 위해 상기 기판을 무전해 금속 도금 용액과 접촉시키는 단계를 포함한다. 상기 화학단은 예를 들어 상기 기판에 공유 결합될 수 있다. 다른 바람직한 측면에 따르면, 상기 발명은 선택적인 무전해 금속배선(metallization) 공정을 제공하는데, 이는 기판의 반응성을 무전해 금속배선 촉매제에 선택적으로 수정하는 단계; 상기 기판을 무전해 금속배선 촉매제와 접촉시키는 단계; 및 기판에 선택적인 무전해 증착을 형성하기 위해 상기 기판을 무전해 금속배선 용액과 접촉시키는 단계를 포함한다. 상기 기판 반응성은 기판위에 촉매 결합단 또는 그 전구체를 선택적으로 처리함으로써 수정될 수 있는데, 예를 들면 이성질체, 광분해(photocleavage) 또는 결합단이나 전구체 단의 다른 변형에 의한다.
그러한 직접적인 수정은 종래의 선택적인 도금 기술보다 훨씬 더 직접적이고 편리한 방법으로 선택적인 도금이 가능하게 해준다. 구체적으로, 상기 언급된 특허는 감광액(photoresist) 또는 흡수 형태의 주석 함유 도금 촉매제를 사용하지 않고도 선택적인 무전해 증착을 가능하게 한다.
상기 방법은, 기판의 선택적인 유형에 결합단을 제공하고 몇몇 실시예는 용액의 다른 온도를 나타내기는 하지만, 상기 발명은 용액 또는 기판 홀더의 온도를 조절함으로써 무전해 증착 공정을 최적화하기 위한 방법을 제시하고 있지는 않다.
또한, 상기 발명은 오로지 방법에만 관련된 것이로 어떠한 무전해 증착 장비도 기술하고 있지 않다.
D.Woodruff 등의 2001년에 등록된 미국 특허 No. 6,309,524는, 일 실시예에서, 제품 표면위에 금속을 도금하기 위한 범용 전기 도금/무전해 리액터를 개시하고 있다. 제품을 도금하기 위한 통합 도구는 무전해 증착 공정을 이용하여 상기 부품을 도금하기 위한 제 1 가공 챔버와 전기 도금 공정을 이용하여 상기 부품을 도금하기 위한 제 2 가공 챔버을 포함한다. 로봇식 전달 기구가 사용되는데, 이는 상기 부품을 무전해 증착하기 위해 제 1 가공 챔버로 전달하고, 이어서 상기 부품을 전기 도금하기 위해 제 2 가공 챔버로 전달하도록 프로그램되어 있다.
특히 무전해 증착 공정에 있어 용액기(bath)들의 사용에 대한 일반적인 문제점은 웨이퍼를 한 용액기(bath)로부터 다른 용액기로 옮길 때 웨이퍼의 기판 표면에 이물질이나 오염물질이 증착될 수 있다는 점이다. 또 다른 문제점은 이동중(용액기에서 용액기로) 웨이퍼의 표면이 공기에 노출되어 전해질 기화로 인해 웨팅(wetting)이 제대로 되지 않고 표면의 트랜치(trench)나 표면의 작은(접촉) 구멍이 좁아지게 할 수 있다. 그리고 또 다른 문제점은 대기에 대한 노출이 촉매 표면의 산화를 유발할 수 있고, 이로 인해 촉매 작용이 약화되고 금속 증착의 질이 떨어질 수 있다는 것이다. 이러한 문제점은 특히 대기에서 쉽게 산화되는 구리와 같은 물질을 사용할 때 문제시된다. 따라서, 마이크론(micron) 이하의 범위에서 고 품질 금속 증착을 생성하기 위해서는, 가공 챔퍼들 사이에 웨이퍼를 전달하지 않고, 단일 용액기(bath) 또는 가공 챔퍼를 이용하고 가공 챔버를 통한 공정의 각 단계에서 다른 유체를 이동시킴으로써 상기 웨이퍼를 대기에 노출시키지 않는 것이 바람직하다. 또한, 이 특허는 용액과 기판의 온도 조절과 같은 중요한 사항을 고려하지 않 는다.
상기 문제점들은 Y. Shacham-Diamand 등의 1998년에 등록된 미국 특허 No. 5,830,805에 기술된 시스템에 의해 해결된다. 이 특허는 무전해 증착 장치와 반도체 웨이퍼의 가공하기 위한 무전해 증착을 실행 방법에 대해 개시하고 있는데, 이는 챔버 내에 웨이퍼가 있는 동안 한 개 이상의 가공 유동체를 웨이퍼에 부과하는 폐쇄 가공 챔버를 사용한다. 이 발명은 증착, 에칭, 세척, 행굼 및/또는 건조를 포함하는 제조 공정에 유용하다. 이 특허의 장치의 바람직한 실시예에서 사용되는 가공 챔버는 하나 또는 그 이상의 반도체 웨이퍼를 수용할 수 있는 폐쇄 컨테이너(container)이다. 분산 시스템이 웨이퍼 가공을 위해 첫번째 유체를 상기 챔버에 주입하고, 웨이퍼의 가공된 후에 첫번째 유체를 상기 챔버로부터 제거한다. 그 후 분산 시스템은 웨이퍼의 가공을 위해 다음 유체를 상기 챔버에 주입하고, 웨이퍼의 가공 후에 그 유체를 챔버로부터 제거한다. 이러한 절차는 제조 공정이 완료될 때까지 계속된다. 이 발명에 사용되는 유체는 실행되는 공정에 따라 달라지고, 수세하기 위해서 D1 워터, N2와 같은 유체를 포함할 수 있으며, 전해질 용액은 환원제, 복합 용제 또는 PH 조절기를 포함한다.
상기 유체는 봉인된 가공 챔버의 입구로 유입되고 출구로 배출된다. 유체는 가공 챔버로 유입되면서 균일하게 웨이퍼에 분산된다. 재순환 시스템은 유체가 가공 챔버를 통해 뒤로 재순환 되기 전에, 온도 조절 시스템, 화학적 집중 감시 시스템, 펌프(pump) 시스템 및 여과 시스템을 사용하여 상기 유체를 가공 챔버를 통하 여 이동시킨다.
추가 실시예들은 : 표면의 일 면 또는 양 면에 웨이퍼가 놓이는 회전하도록 설치되는 관형 웨이퍼 하우징; 상기 하우징의 내부 표면위에 웨이퍼를 설치할 때 관 모양의 하우징의 내부에 설치되는 내부 코어(core); 및 상기 웨이퍼 위에 균일한 흐름으로 유체를 분산하는 분산 장치를 포함한다. 가공 챔버에는 가열기 및 온도 조절 시스템이 구비될 수 있다. 그러나, 이 가공 챔버는 개방형 챔버이고, 그 결과 압력이 조절되는 증착 공정을 불가능하게 한다. 뿐만 아니라, 상기 개방형 챙버는 용액의 오염에 대해 상기 공정을 적절하게 보호해 주지 않는다.
그 장점에도 불구하고, 종래의 무전해 공정은 작동 화학 용액의 온도가 주된 파라메터중 하나이다. 무전해 공정에서 증착 속도는 거의 기하급수적으로 온도에 의존한다. 예를 들면 1991년 피니싱 출판사(Finishing Publications Ltd)의 "무전해 니켈 도금"에 실린 사설에서, W. Riedel은 온도는 증착율에 영향을 끼치는 가장 중요한 파라메터이고 Ni-P 무전해 공정에 대하여 증착율은 용액기(bath) 온도가 10℃올라 갈 때마다 두 배로 증가한다고 했다(사설의 39페이지)
또한, 웨이퍼의 표면에 금속을 연결하는데 있어 주된 요건중의 하나는 낮은 저항성이다. 이러한 요건을 만족하는 차선 방안으로 구리가 선택되었다. 그러나 PVD 구리 시드와 ECD(전기 도금 구리 증착) 구리 사이의 경계면에 다양한 첨가제가 존재하기 때문에, 저항은 훨씬 얇은 무전해 증착 구리층에서와 비교하여 불균형하게 증가한다. 이러한 현상은 2001년 AMC의 S. Lopatin에 의해 보도되었다.
또한, Y.Lantasov 등의 "마이크로 전자 공학" No. 50(2000) 441 - 447 P 도2 에는 ELD 구리의 저항은 증착 조건에 강하게 의존하고 높은 온도에서는 저항이 낮은 물질을 얻을 수 있는 것으로 나타나 있다.
반면에, 높은 온도에서의 무전해 증착은 증착된 층을 상당히 불균일하게 만든다. 이는 국소 온도 변동 때문에 발생한다. 온도가 높아질수록, 그러한 변동은 커진다. 용액 탱크의 대부분에서 상승된 온도를 안정화시키는 것은 정교한 온도 조절 시스템과 온도 유지 시스템(봉인, 온도 절연, 등등)을 사용하는 것과 관련된다. 이는 장비 비용과 유지비를 증가시킨다.
상기된 이유 때문에, 반도체 장비의 제조자는 실내 온도에서 실행되는 무전해 공정을 선호한다. 낮은 증착 속도는 일렬로 배열된 수많은 챔버에서 수많은 기판들을 동시에 작동시키는 다중 증착 장비를 이용함으로써 보상된다(예컨데, DE. Woodruff등의 2001년에 등록된 미국 특허 No. 6,322,677 참조). 그러한 장비는 큰 생산 공간을 필요로 하고, 많은 양의 용액을 사용하게 한다. 또한, 용액의 준비, 저장, 사후처리 등을 위해 추가 공간이 필요하다. 이는 차례로 환경적 문제를 일으킨다.
종래의 무전해 증착 장치의 다른 일반적인 문제점은 증착 속도가 낮다는데 있는데, 이 속도는 일반적으로 증착된 물질의 유형에 의존하며 최상의 경우에도 100nm/min을 넘지 않지만 일반적으로 이보다 훨씬 느리다. 예를 들면, CoWP의 증착 속도는 5 내지 10 nm/min 사이의 범위내에 있을수 있다.
2002년 3월 22일에 출원된 미국 특허 출원 No. 103,015 에서, 출원인은 상기 기술된 공정 및 장치와 관련된 전기 도금과 무전해 증착의 문제점을 상당부분 해결 하였다. 보다 구체적으로, 이 특허 출원에 기술된 장치는 봉인될 수 있는 근접 챔버를 가지고, 증가된 압력 및 고온을 견딜 수 있다. 상기 챔버는 수직축 둘레를 회전할 수 있는 기판 홀더(holder)와 상기 기판 홀더 내의 에지-그립(edge-grip) 기구를 포함한다. 증착 챔버는 증착 용액, 헹굼을 위한 DI 워터와 같은 다양한 공정 유체를 공급하기 위한 복수의 입구 포트들과 압축된 가스를 공급하기 위한 포트를 가진다. 상기 장치에는 또한 용액 가열기 및 챔버의 온도와 압력을 제어하기 위한 제어 시스템 뿐만 아니라 유체와 가스를 처리하기 위한 저장소와 탱크가 제공된다. 상기 가열기는 작동 챔버 밖에 위치하거나 기판 홀더 내부에 설치될 수 있으며, 또는 두개의 가열기가 동시에 사용될 수 있다. 상기 용액의 끓은점 바로 아래의 압력과 온도에서 증착 공정을 수행함으로써 균일한 증착을 달성할 수 있다. 용액은 커버에 형성된 샤워헤드(showerhead)를 통해 위로부터 공급되거나, 챔버의 바닥을 통해 공급될 수 있다. 행굼액 또는 다른 보조 용액은 평행한 기판위에 배열될 수 있는 빠르게 움직일 수 있는 화학적 분산 암(arm)를 통해 공급된다.
미국 특허 출원 No. 103,015의 장치는 챔버로 가는 도중 용액을 가열하는 증착 챔버의 외부 또는 증착 챔버의 커버의 내부에 위치한 가열기를 통해 전체 처리 용액의 균일한 가열을 제공한다. 핵심은 처리 용액의 전체를 균일한 온도로 유지하는 것이다. 일반적으로, 온도는 조절될 수 있으나, 항상 비교적 높은 레벨(예, 80 내지 90℃)에서 일정하게 유지되어야 한다. 그러나 처리 용액의 온도가 상승하면 필수적으로 증착 공정의 생산성이 늘어나지만, 온도가 높으면 용액의 빠른 열분해를 일으키므로 상기 공정에는 처리 용액을 일정하게 대체시킬 것이 요구된다. 용액 을 일정하게 대체시키는 것은 높은 유속으로 실행되어야 하고, 이는 생산 단가를 증가시킨다.
처리 용액이 영구적으로 고온일 경우의 부적합한 효과는 아래와 같이 설명될 수 있다: 무전해 증착은 환원제(예컨데, 차아인산염 음이온(hypophosphite anions))가 산화되는 동안에 방출된 전자에 의해 촉매에 활성화하는 표면위의 금속 이온, 예를 들면 코발트, 텅스텐, 또는 이와 유사한 것을 환원하는 공정이다. 환원제의 산화는 기판에 의해 촉진되고, 가장 널리 허용되는 형태의 경우에, 환원제의 전하가 기판을 통해 금속 이온에 전달되어 기판 표면에 금속 원자들이 생기는 것이라고 추정할 수 있다.
상기 공정의 단순화된 조합 화학 반응식은 다음과 같이 표현될 수 있다.
H2PO2 - + H2O + Co++ = Coo + H+ + H2PO3
환원제는, 처리되는 부품에서 금속의 증착과, 고온(특히, 가열 소자의 열점)에서의 가수분해, 증착 도구 하드웨어에 의해 생성된 입자들의 촉매 산화작용 및 툴(tool) 구축에 사용되는 중합체의 반응 요소(에틸렌 결합 또는 카르복시기 단등과 같은)를 가진 환원제의 작용에 의해 소모된다.
오염 입자들이 충분히 밀집한 곳 및/또는 용액의 끓는점에서, 혼합물은 상기 입자들(및 결손)의 표면에서 금속이 환원됨으로 인해 동시에 또 완전히 분해될 수 있다. 어느 정도의 금속 원자들이 형성되면, 이 금속 원자들은 용액이 한층더 계속적으로 분해되도록 새로운 결정핵이 된다.
2002. 5. 2에 공개된 국제 특허 출원 공개 No. WO 02/34962(이하, 국제 출원이라 한다)은, 처리 용액의 열분해의 문제점을 가열 장치를 가진 기판 홀더를 사용하여 부분적으로 해결한 무전해 장치를 기술하고 있다. 이 장치의 기판 홀더는 작동 챔버에서 증착되는 동안에 처리된 표면이 아래로 향하도록 기판을 고정(cramping)하기 위한 기판 척(chuck)을 가진다.
이 국제 출원의 장치의 주된 단점은 기판의 처리된 표면이 아래로 향하도록 위치해 있다는 것이다. 용액이 정지 상태에 있거나 용액이 낮은 속도로 흐를 때의 공정에서, 기판의 이러한 위치는 처리된 표면에 가스 거품이 축적되게 한다. 이러한 가스 거품은 균일한 증착을 위해 필요한 상태를 방해한다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서, 국제 출원의 장치의 증착 챔버는 기판의 아래를 향하는 표면 위에 특정 경로로 처리 용액이 흐르도록 하기 위한 곡선으로 된 바닥면을 가진다. 그러나, 처리 용액의 흐름이 기판의 모서리면에서 다소 역동적인 상태를 만들지라도, 특정 정체 지점이 기판의 중심부에 항상 존재할 것이다. 이러한 국소 지역은 가스 거품을 축적할 수 있다. 또한, 기판 표면에서 유속의 차이는 불균일한 온도 분배를 형성할 수 있다. 다시 말해, 국제 출원의 장치는 균일한 무전해 증착을 제공하지 못한다.
가스 거품이 축적되고 척의 중심부에 용액이 정체되는 것에 관한 문제점을 해결하기 위해서, 상기 장치의 일 실시예에서는 회전 척(chuck)이 흔들리는 정교한 동적 시스템을 포함한다. 그러한 정교한 시스템은 장치와 제품을 보다 비싸게 만드는 반면, 공정은 조절하기가 어려워진다.
본 발명의 목적은 처리될 기판의 위로 향하는 면에 아주 균일한 박막의 무전해 증착을 위한 방법 및 장치를 제공하는데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 정지 상태 또는 처리 용액이 비교적 낮은 속도로 흐를 때 정체(stagnation) 구역을 형성하지 않고 균일한 무전해 증착이 가능하게 하는 상기된 장치 및 방법을 제공하는데 있다. 또 다른 목적은 상대적으로 낮은 온도의 많은 양의 처리 용액을 온도가 조정된 기판 홀더와 조합하여 사용함으로써 처리 용액의 열분해가 생기지 않고 기판위에 균일하게 금속을 증착할 수 있게 하는 상기된 장치 및 방법을 제공함에 있다. 또 다른 목적은 복잡한 기판 이동 기구를 사용하지 않고 거품 없는 증착을 가능하게 하는 상기된 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판 위 및/또는 전체 처리 용액에서 온도가 최적으로 조절된 무전해 증착방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 방법은 금속, 반도체, 유전체일 수 있는 코팅 물질의 무전해 증착이 비교적 낮은 온도의 처리 용액에서 실행되는 것으로 구성되며, 이러한 낮은 온도는 기판 척에 설치되는 가열기에 의해 조절되는 증가된 기판 온도에 의해 보상된다. 처리 용액의 온도 감소는 주로 증가된 온도에서 발생되는 용액의 열분해를 막고 가스 거품의 생성을 감소시킨다. 기판의 처리된 표면이 상부로 향하므로, 기판의 표면에 거품이 축적되는 것은 더욱더 방지된다. 상기 장치의 유지 유닛들 즉, 다양한 공정 유체를 공급하기 위해 입구 포트들과 압축 가스를 공급하기 위한 포트를 갖춘 근접가능한 챔버, 압축된 가스를 공급하기 위한 포트, 유체와 가스를 처리하기 위한 저장소와 탱크, 챔버내의 온도 및 압력을 조절하기 위한 용액 가열기 및 조절 시스템 등은 동일한 출원인의 상기된 이전 특허 출원에서 개시된 장치와 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 무전해 장치의 개략도이다.
도 2는 에지-그립(edge-grip) 기구에 고정된 기판(W)의 평면도이다.
도 3은 기판 홀더의 몸체내에 설치된 전기 가열기와 순환류 냉각기를 갖춘 기판 홀더의 개략도이다.
도 4는 장치의 온도 및 압력 조절 시스템의 블럭 다이어그램이다.
도 5는 순환류 냉각기와 결합된 펠티어(Peltier) 타입 장치 형태로 된 기판 온도 조절 유닛의 개략적인 수직 단면도이다.
도 1에 개략적으로 도시되어 있고 전체적으로 참조 번호 20으로 지시된 본 발명의 무전해-도금 장치는 무전해-도금 챔버(22)(이하, "챔버(22)"라 한다)를 포함하는 하우징(housing)(21)을 가지며, 상기 챔버(22)는 그 위에 위치한 커버(24)로 밀폐될 수 있다. 닫힌 상태에서, 챔버(22)는 증가된 압력을 견딜 수 있고, 커버, 챔버, 포트, 주입 장치, 부속 기구 등과 같은 연결 부품들 사이에 적절한 봉인 장치들(도시되지 않음)이 제공된다. 보다 구체적으로, 챔버(22) 내부에서 형성될 수 있는 압력은 대기 압력보다 높은 2기압에 도달할 수 있고, 또한 대기 압력보다 낮게 예를 들어 0.1기압 이하로 감소될 수 있다.
챔버(22)는 고온 및 고압에서 장치(20)의 작동 공정에서 사용되는 각 용액들의 작용을 견딜 수 있는 화학적으로 안정한 물질로 이루어지거나, 그러한 물질로 코팅된 내부 표면을 가진다. 그러한 물질의 예로는 테플론(Teflon), 일정 유형의 세라믹, 또는 그와 유사한 것이 있다.
챔버(22)는, 하단면에 부착된 샤프트(28)에 의해 챔버 내부에서 회전될 수 있는 기판 홀더(26)를 포함한다. 상기 샤프트(28)는 챔버(22)의 하단(32)을 봉인되도록 통과하고, 그 외부 단에서 기어 휠(34)을 견고하게 지지한다. 이 기어 휠(34)은 모터(36)의 출구 샤프트의 다른 기어 휠(38)를 통해 모터(36)에 의해 회전된다. 상기 기어 휠들(34,38)은 동기(synchronization) 벨트(40)를 통해 연결된다.
상기 기판 홀더(26)는 판 형태를 가지며, 기판 홀더의 상단부에 에지-그립(edge-grip) 기구(44)가 구비되는데, 이는 상단면에 기판(W)을 죄고(grip) 고정하고 지지하기 위한 것이다.
샤프트(28)는 중심을 통과하는 홀(48)을 가진다. 로드(rod)(50)가 홀(48)을 통해 챔버(22)안으로 봉인되도록 그리고 미끄러지도록 삽입된다. 상기 로드(50)의 상단은 에지-그립(edge-grip) 기구(44)의 하단에 견고하게 연결되며, 반면 로드(50)의 하단은 베어링(도시되지 않음)을 통해 장치(20)의 외부면에 연장되는 크로스(cross) 빔(beam) 또는 판(52)에 연결된다. 상기 판(52)은 차례로 선형 구동 기 구(54)에 연결되고, 이는 도 1에 도시된 실시예에서 각각 판(52)에 견고하게 연결된 피스톤 로드들(56a,58a)을 가지는 두 개의 공기 실리더(56,58) 형태로 이루어져 있다.
상기 하우징(21)는 게이트 기구(62)에 의해 개폐될 수 있는 웨이퍼 로딩(laoding) 포트(60)를 가진다. 상기 로딩 포트(60)는 웨이퍼(W)를 포트(60)를 통해 기판 홀더(26)로 로딩하기 위해 커버(24)가 들어올려져 있을 때 열리는데, 이는 예컨데 장치(20)의 외부에 로딩 포트(60)와 나란히 배열되도록 설치될 수 있는 로봇의 기계 암(도시되지 않음)에 의해 행해진다.
장치(20) 둘레에는 도 1에 도시된 조절 및 보조 장치들이 설치되어 있다. 이들 장치들은 그 유형과 특성이 장치의 특정 목적 및 기능에 따라 달라지기 때문에 예시적으로 도시하였다.
도 1에 도시된 실시예에서, 보조 시스템은 용액과 가스 탱크 그룹을 포함한다. 참조 번호 64는 주 증착 용액 공급 탱크를 지시한다. 참조 번호 75b는 작동 챔버(22)에 유동체를 공급하기 위한 파이프를 지시한다. 상기 유체는 액체, 가스가 포함될 수 있고, 그 공급은 삼중 밸브(77c)(도 1)에 의해 조절되는데, 이는 온도 조절 장치(88), 필터(92), 파이프(80)을 통해 펌프(91)에 의해 탱크(64)로부터 처리 용액을 작동 챔버(22)로 공급하는 첫번째 위치로 스위칭되거나, 공급 파이프(80a)를 통해 물 탱크(80a)로부터 물을 공급하거나 파이프(80b)를 통해 가스 저장소(80b')로부터 가스를 공급하는 두번째 위치로 스위칭될 수 있다. 도 1에서, 참조 번호 88a는 조절기를 지시한다.
상기 장치는 또한 두번째 압축가스 공급라인(78)을 포함한다. 이는 예를 들어 챔버(22)의 내부로 질소 가스를 공급하거나 챔버(22)로부터 가스를 신속하게 배출하기 위한, 즉 건조시키기 위한 상기된 증착 용액 라인(80)는 상기 기판 W 위로부터 챔버(22)안으로 증착 용액을 공급하기 위해 탱크(64)에 연결된다. 참조 번호(79)는 챔버(22)의 가스의 내부압력을 측정하기 위한 압력 센서를 지시한다.
참조 번호 66a, 66b, 66c 등은 마지막 행굼을 위한 이온이 제거된 물을 포함하는 행굼 용액뿐 아니라 무전해 증착에 필요한 다양한 화학 시약을 저장할 수 있는 보조 화학 공급 탱크들을 가르킨다. 참조 번호 68a, 68b, 68c 등은 하우징(21) 의 내부 즉 챔버(22)의 내부와 탱크들(66a,66b,66c)을 개폐 연결하는 솔레노이드 밸브를 지시한다.
상기 용액은 재순환하기 위해 용액 회수 라인(86)을 통해 챔버(22)의 내부에서 탱크(64)로 회수된다. 용액의 온도 조절은 보조 온도 조절 장치(88)에 의해 수행되는 반면 용액의 온도는 용액 회수 라인(86)에 설치된 온도 센서(90)를 이용하여 지속적으로 측정된다.
본 발명의 설비(20)의 다른 필수적 장치는 도 2에 도시된 화학 분산 암(arm)(94)인데, 상기 도 2는 에지-그립 장치(44)에 고정된 기판(W)의 평면도이다. 상기 화학 분산 암(94)은 통상 챔버(22)의 외부에 예컨데 도 2의 점선에 의해 도시된 위치(94)에 설치된다. 이를 위하여, 화학 분산 암(arm)(94)의 외부 단부는 암(94)이 점선으로 도시된 위치에서 실선으로 도시된 위치로 샤프트(95) 둘레를 따라 회전 운동하도록 각각 회전 구동 기구(도시되지 않음)에 연결된다.
몇몇 탱크들은 표면(S)이 파이프(80)와 화학 분산 암(94) 방향으로 상부로 향하도록 척(26)에 고정된 기판(W)의 처리된 표면(S)(도 2)으로 공급하기 위한 웨팅 유체를 포함할 수 있다. 기판의 처리된 표면을 위쪽으로 향하게 하면 처리된 표면에 거품이 축척되는 것을 방지할 수 있다. 본 발명의 기판-홀더의 구조는 처리 용액이 정지된 상태 또는 상대적으로 낮은 속도로 흐를때 정체(stagnation) 구역이 형성되는 것을 또한 방지한다.
상기 웨팅 유체는 증착에 사용되는 것과 동일한 처리 용액을 포함하거나 증착에 관여하는 용제 또는 물질에 대해 중립적인 개선된 웨팅 특성을 가지는 특정 유체를 포함할 수 있다. 이는 예를 들어 물 또는 알코올일 수 있다.
챔버(22)의 하단(32)은 상부로 열려있는 컵 모양의 커버 지지대(25)를 견고하게 지지한다. 커버 지지대(25)의 상부 모서리(27)는 또한 상기 커버의 모서리(23)와 맞추어 지고 커버(24)와 컵모양 커버에 의해 한정된 폐쇄 공간을 형성하기 위해 경사지게 형성된다. 상기 커버(24)가 아래로 움직일 때, 모서리(23)는 모서리(27)위에 위치하게 된다.
상기 커버(24)는 챔버(22)의 상부에 설치된 가이드 개구(74)에 미끄러져 움직이고 밀봉되도록 설치된다. 커버는 예컨데 공기 실린더(76)에 의해 기계적으로 움직일 수 있다. 커버(24)의 움직임에 의하여, 커버와의 유압적, 공압적 연결은 호스 또는 다른 유동 파이프 형태로 이루어진다.
챔버(22)에는 또한 다른 증착 용액 공급 라인(81)이 제공되는데, 이는 펌프에 의해 척(chuck)(26) 아래에서 챔버(24)로 증착 용액을 공급하기 위해서 탱크에 서 챔버의 바닥(32)까지 연결된다. 기판 W의 표면에 증착 용액을 도포하기 위한 보다 바람직한 상태를 제공하기 위한 몇몇 경우에 그러한 공급이 필요할 수 있다.
도 3은 기판 홀더의 몸체에 설치된 전기 가열기와 순환류 냉각기를 갖춘 기판 홀더의 개략적인 수직 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 가열-냉각 유닛(84)은 기판 홀더(26)의 몸체에 설치되고 가열 또는 냉각 모드에서 작동할 수 있다. 가열기(83)에 전류를 공급하는 것은 회전 샤프트(28)(도1)에서 전류 집합 링(85a,85b)과 전기적으로 접촉하는 슬라이딩 전류 접촉부(84a,84b)를 통해 실행되는데, 상기 회전 샤프트는 전도체(85c,85d)에 의해 가열기(83a)에 연결된다.
참조 번호 87은 냉각 장치를 나타내며, 이는 척(chuck)(26)의 몸체에 설치되어 기술적인 공정에서 필요할 때 척(chuck)을 급속히 냉각 시키기 위함이다. 상기 냉각 유닛(87)은 이온이 제거된 물 또는 이와 유사한 것과 같은 냉매를 통과시키기 위한 나선 채널 형태로 형성될 수 있다. 이를 위하여, 냉각 유닛은 냉각제(도시되지 않음)를 구비한 저장소에 연결될 수 있다. 냉각제는 저장소(도시되지 않음)와 냉각 유닛(87) 사이의 라인에 설치된 펌프(도시되지 않음)에 의해 순환된다. 저장소와 냉각 유닛(87) 사이에 냉각제를 모으고 분산하기 위한 다기관(manifold)(97)은 그 사이의 각 봉인 장치(97c,97d)로 샤프트(28)에 결합된 고정부(97a)와 회전부(97b)로 구성된다.
도 4는 본 장치(20)의 온도 및 압력 조절 시스템의 개략적인 블록 다이어그램이다. 상기 시스템(96)은 각각 센서와 측정 장치를 갖춘 척(chuck) 히터(83), 냉각재 펌프(93a), 용액 가열기(88),용액 공급 펌프(91)와 같은 작동 유닛을 연결하 는 조절기(98)로 이루어져 있는데, 상기 센서와 측정 장치는 척(26) 내부의 열전대(thermocouple)(84')(도 3), 탱크에서 냉각제의 온도를 측정하기 위한 열전대(89')(도시되지 않음), 작동 챔버(22)에서 처리 용액 온도를 측정하기 위한 열전대(90)(도 1) 및 압력 게이지(gauge)이다. 상기 조절기는 각 전력 공급 유닛(84",88",89a",91")을 통한 각 작동 기구(가열기, 펌프 등)의 작동을 조절한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 척 가열기/냉각기 유닛(183)의 개략도이다. 이 유닛(183)도 기판 고정 척(126)의 몸체에 설치되며, 가열 또는 냉각 모드에서 작동할 수 있다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 상기 척(126)은 그 몸체에 설치되는 펠티어(Peltier) 타입의 냉각기-가열기(127)를 가지며, 이는 전류가 한 방향으로 흐를때 열이 발생하고 전류가 반대 방향으로 흐를때 열을 흡수하는 원리에 의해 작동하는 두 개의 반도체 기판 패키지를 포함한다. 전류의 방향은 반도체 기판들의 극을 바꾸는 스위치(129)를 사용하여 변경된다. 척 가열기/냉각기 유닛(183)의 휴지(rest), 즉 회전부들 사이의 전류 전달등은 도 3에 도시된 장치(83)에서와 동일하다.
펠티더(Peltier) 타입의 가열기-냉각기(127)를 제공함으로써 척(126)과 기판 W의 처리 표면을 가열할 수 있을 뿐만 아니라 홀더 표면과 기판 W를 빠르게 냉각할 수 있으며, 이는 빠르게 냉각될 수 있는 가열된 척 표면과 조합된 온도가 감소된 용액에서 금속을 증착하는 것에 기초한 본 발명의 방법을 실행하는데 필수적인 것이다.
본 발명(도 1)의 장치(20)에서 기판 W의 표면에 소정의 박막 코팅을 무전해 로 증착하기 위해서는, 장치(20)의 커버(24)가 올려지고, 기판(W)가 수동으로 또는 장치(20) 근처에 위치되거나 이 장치의 일 부품일 수 있는 로봇의 기계 암(arm)에 의한 로딩 포트(60)를 통해 기판 홀더(26)의 에지-그립(edge-grip) 기구(44)에 배치된다. 상기 기판이 그립 기구(44)에 의해 그 위치에서 고정된 후, 용액이 화학 분산 암(94)(도 2)을 통해 공급된다. 이러한 공정이 끝나면, 상기 커버(24)가 내려가, 그 모서리(23)가 커버 지지대(25)의 모서리(27)위에 놓인다. 기구(76)에 의해 커버(24)가 폐쇄된다. 전체 챔버(22)는 게이트(62)가 닫힌후에 밀폐된다. 상기 에지-그립 기구(44)는 기판 홀더(26)의 판형 몸체로 내려간다. 에지-그립 기구(44)의 하강은 공압 실린더(56, 58)를 사용하여 행해진다.
기판 홀더(26)와 그 안에 위치한 기판 W를 지지하는 에지-그립 기구(44)는 모터로부터 동기(synchronization) 벨트(40)와 각각의 기어 휠(34,38)를 통해 회전하기 시작한다. 동시에, 증착 용액(용액들)은 튜브(75b,81,70)을 통해 챔버(22)로 선택적으로 공급된다(도 1). 기판 표면은 먼저 균일하게 웨팅되고, 그 후 용액(용액들)이 챔버 내부에 균일하게 분산된다.
전형적인 작동 모드에서, 용액은 16 내지 95℃의 온도로 챔버에 공급된다.
기판이 가열기(83,127)에 의해 가열될 동안, 용액은 상대적으로 낮은 온도로 작동 챔버(22)로 공급되며, 이는 용액의 열분해를 방지한다. 용액은 화학 분산 암(arm)을 통해 메인 탱크(64) 또는 보조 탱크들(66a,66b,66c등)로부터 필요한 시퀀스에 따라 선택적으로 공급될 수 있다. 실내 온도에서 용액을 공급하면 용액의 재순환 속도를 줄이고 용액의 수명을 연장할 수 있다. 결과적으로, 처리된 웨이퍼당 생산 비용을 줄일 수 있다.
용액에서 금속의 효과적인 증착을 위하여, 기판 홀더(26)에 의해 지지되는 기판 W의 표면 온도는 16 내지 120℃범위로 유지된다. 용액과 기판 표면의 실제 최적 온도는 실험적으로 결정된다. 예를 들면, 코발트의 증착을 위한, 용액 온도는 50 내지 120℃의 범위에 있어야 한다. 상기 범위의 용액 온도에서, 실리콘 기판이 16 내지 140℃로 유지될 때 최상의 결과값이 얻어질 수 있다.
필요한 경우, 증착 용액은 라인(81)을 통하여 펌프(93)에 의해 메인 용액 탱크(64)로 부터 챔버 바닥(32)을 통해 챔버(24)로 공급될 수 있다.
상기 언급한 바와 같이, 본 발명의 방법에 따르면 용액이 상대적으로 낮은 온도에서 증착 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 그러나, 필요한 경우 상기 용액은 가열기(88)에 의해 가열될 수도 있고, 챔버(22) 내의 압력은 중성가스, 예를 들어 N2를 공급하여 증가시킬 수 있다. 이러한 모든 작동은 조절기(98)의 조절하에서 수행된다(도 4).
사실상, 증착 공정은 커버(24)와 커버 지지대(25)에 의해 한정되는 추가적인 폐쇄 공간(29)(도 1)에서 실행된다. 작동 중, 에지-그립 기구(44)를 갖춘 기판 홀더(26)와 그 안의 웨이퍼 W는 상기 폐쇄 공간에 위치된다.
증착 작업이 완료되면, 펌프(91)에 의한 용액의 공급은 중단되고, 용액은 탱크(64)로 돌아오고, 조절기(98)(도 4)는 전력원(84", 88")등을 통해 각각의 작동 장치들(가열기, 펌프, 등)에 이들 장치들이 작동하도록 명령을 보낸다. 이 경우, 몇몇 솔레노이드 밸브들을 닫고, 다른 밸브들을 열고, 기술분야에서 알려진 다른 적절한 장치들을 활성화하기 위해서 적절한 명령어들이 제어기(98)를 통해 전송된다.
본 발명의 방법 및 장치의 한가지 중요한 장점은 도 3과 5에 도시된 유형의 가열기와 냉각기 모두를 통합하는 온도가 조절되는 기판 홀더를 사용한다는 것이다. 이는 증착 공정의 온도를 보다 유연하게 조절하게 해주고 장치의 기술적인 용량을 넓혀준다. 예를 들어, 어떤 공정에서는 증착 공정의 즉각적인 중단을 위해 기판을 매우 빠르게 냉각시키는 것이 필요할 수 있다.
도 3에 도시된 기판 홀더를 갖춘 장치의 작동 중, 척(26)와 기판 W의 표면 S는 전기 가열기(83)에 의해 도 4에 도시된 온도 및 압력 조절 유닛(96)의 조절하에 필요한 온도로 가열된다. 전기 전류는 미끄러져 이동하는 전류 접촉부(84a, 84b)를 통해 가열기(83)에 공급되는데, 상기 전류 접촉부는 전도체(85c, 85d)에 의해 가열기(83)와 연결되는 회전 샤프트(28)에서 전류 수집 링들(85a, 85b)과 전기적으로 접촉한다.
가열기(83)의 급랭이 필요한 때에는, 이는 이온이 제거된 물 또는 이와 유사한 것과 같은 냉매를 통과시키기 위해 나선 채널 형태로 척(26)의 몸체에 설치된 냉각 장치(87)에 의해 행해진다. 냉각제는 저장소(89) 및 냉각 유닛(87) 사이의 라인에 설치된 펌프(89a)에 의해 순환된다.
도 5에 도시된 조합된 펠티어(Peltier)-타입 냉각기/가열기의 경우, 기판 지지 척(126)은 상기 동일한 장치중 하나로부터 가열되거나 냉각될 수 있다. 전류의 방향은 반도체 기판의 극을 변경하는 스위치(129)를 사용하여 변경될 수 있다. 펠티어(Peltier)-타입 가열기/냉각기를 제공함으로써 척(126)의 처리 표면 및 기판 W의 처리 표면을 가열할 수 있을 뿐만 아니라, 홀더 표면과 기판 W를 급랭시킬 수 있는데, 이는 급랭될 수 있는 가열된 척의 표면과 함께 온도가 감소된 용액에서 금속을 증착하는 것에 기초한 본 발명의 방법을 실행하는데 필수적이다.
즉, 본 발명의 장치와 방법은 가열된 기판 척과 함께 실내온도의 처리 용액을 사용하는 것에 바탕을 둔 것임을 나타내고 있다. 상기된 온도 조절 주기는 용액의 대체, 용액 농도의 변화, 용액 온도의 변화와 조합될 수 있다. 상기 방법 및 장치는 무전해 증착에 요구될 수 있는 다양한 기술 공정들에서 광범위하게 사용될 수 있다. 본 방법 발명에서 중요하고 필수적인 것은 증착 용액 온도와 기판 온도 사이의 차이값을 소정값으로 조절하고 유지하는 것이다.
또한, 본 발명은 처리되는 기판의 표면이 상부로 향하도록 배치하여 무전해 증착하는 방법 및 장치를 제공하며, 이는 처리 용액이 정지 상태에 있거나 상대적으로 낮은 속도로 흐를 때 정체(stagnation) 구역을 형성하지 않고 또한 온도가 조절된 기판 홀더와 함께 상대적으로 낮은 온도에서 다량의 처리 용액의 사용함으로써 인한 처리 용액의 열분해를 일으키지 않고 균일한 증착이 가능하게 하며, 복잡한 기판 이동 기구를 사용하지 않고 거품 없이 증착이 가능하게 한다. 본 발명의 방법은 기판 및/또는 처리 용액 전체의 온도를 최적합으로 조절하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 구체적인 실시예를 참조하여 도시하고 설명하였으나, 이는 단지 예시로서 해석되어야 하고 본 실제 출원의 범위를 제한하는 것은 아니다. 따라서 기술 공정, 구성, 물질, 모양 및 구성부분 등에서 어떠한 변화 및 수정이 가능하며, 이러한 변화들 및 수정들은 특허 청구 범위를 벗어나지 않는다. 예를 들면, 상기 공정은 가스 방출의 억제와 같은 고압 공정의 장점을 이용하기 위해 증가된 압력하에서 실행될 수 있다. 상기 공정은 명세서에 주어진 것과는 다른 기판 온도 및 용액 온도에서 실행될 수 있다.

Claims (23)

  1. 기판 홀더에 의해 지지되는 기판에 박막을 증착하는 단계;
    상기 기판에 박막을 증착하는 동안 기판 홀더를 가열하는 단계;
    상기 기판에 박막을 증착하는 것을 즉시 중단하기 위하여 상기 기판 홀더를 냉각하는 단계;를 포함하는 무전해 증착 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 홀더를 가열하는 단계는 상기 기판 홀더를 미리 설정된 온도 범위에서 유지하는 단계를 포함하며, 상기 기판에 박막을 증착하는 단계는 상기 기판을 상기 미리 설정된 온도 범위보다 낮은 온도를 가지는 증착 용액에 노출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무전해 증착 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판 홀더를 냉각하는 단계는 상기 증착 용액이 박막의 증착을 촉진하는 온도 이하로 상기 기판 홀더를 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무전해 증착 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 기판을 증착 용액에 노출하는 단계는 상기 기판을 증착 용액의 열적 분해를 방지하는 온도를 가지는 증착 용액에 노출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무전해 증착 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 기판을 증착 용액에 노출하는 단계는 상기 기판을 실온의 증착 용액에 노출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무전해 증착 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 기판을 증착 용액에 노출하는 단계는 상기 기판을 16℃ 내지 95℃의 온도를 가지는 증착 용액에 노출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무전해 증착 방법.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 기판 홀더를 가열하는 단계는 상기 기판 홀더를 16℃ 내지 140℃의 온도로 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무전해 증착 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
KR1020057004388A 2002-09-13 2003-08-26 온도가 조정된 척을 이용한 무전해 증착 방법 및 장치 KR101017103B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/242,331 US6846519B2 (en) 2002-08-08 2002-09-13 Method and apparatus for electroless deposition with temperature-controlled chuck
US10/242,331 2002-09-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050056209A KR20050056209A (ko) 2005-06-14
KR101017103B1 true KR101017103B1 (ko) 2011-02-25

Family

ID=31991389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057004388A KR101017103B1 (ko) 2002-09-13 2003-08-26 온도가 조정된 척을 이용한 무전해 증착 방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6846519B2 (ko)
EP (1) EP1579029A3 (ko)
JP (1) JP2006506520A (ko)
KR (1) KR101017103B1 (ko)
AU (1) AU2003265687A1 (ko)
WO (1) WO2004024983A2 (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7138014B2 (en) * 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
US7189313B2 (en) * 2002-05-09 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with fluid retention band
US7235483B2 (en) * 2002-11-19 2007-06-26 Blue29 Llc Method of electroless deposition of thin metal and dielectric films with temperature controlled stages of film growth
US20040258848A1 (en) * 2003-05-23 2004-12-23 Akira Fukunaga Method and apparatus for processing a substrate
JP4467571B2 (ja) * 2003-09-19 2010-05-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 無電解堆積のエンドポイントを検出するための装置および方法
US7223308B2 (en) * 2003-10-06 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Apparatus to improve wafer temperature uniformity for face-up wet processing
US7827930B2 (en) * 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7323058B2 (en) * 2004-01-26 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7311779B2 (en) * 2003-10-06 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Heating apparatus to heat wafers using water and plate with turbolators
US7654221B2 (en) * 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US20060033678A1 (en) * 2004-01-26 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
US7256111B2 (en) * 2004-01-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Pretreatment for electroless deposition
US8069813B2 (en) * 2007-04-16 2011-12-06 Lam Research Corporation Wafer electroless plating system and associated methods
US7874260B2 (en) * 2006-10-25 2011-01-25 Lam Research Corporation Apparatus and method for substrate electroless plating
US7829152B2 (en) * 2006-10-05 2010-11-09 Lam Research Corporation Electroless plating method and apparatus
US20060062897A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Applied Materials, Inc Patterned wafer thickness detection system
JP2006241580A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Ebara Corp 基板処理方法及び基板処理装置
US7789962B2 (en) * 2005-03-31 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same
US7845308B1 (en) 2005-10-26 2010-12-07 Lam Research Corporation Systems incorporating microwave heaters within fluid supply lines of substrate processing chambers and methods for use of such systems
KR20070058310A (ko) * 2005-12-02 2007-06-08 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 무전해 도금 장치 및 무전해 도금 방법
JP4746443B2 (ja) * 2006-02-27 2011-08-10 株式会社東芝 電子部品の製造方法
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
EP2034049A1 (en) * 2007-09-05 2009-03-11 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO An electroless process for depositing a metal on a non-catalytic substrate
US8404626B2 (en) 2007-12-21 2013-03-26 Lam Research Corporation Post-deposition cleaning methods and formulations for substrates with cap layers
TWI460305B (zh) * 2010-11-30 2014-11-11 Ind Tech Res Inst 化學水浴法鍍膜設備
US9752231B2 (en) 2012-05-11 2017-09-05 Lam Research Corporation Apparatus for electroless metal deposition having filter system and associated oxygen source
JP5534494B1 (ja) * 2012-07-13 2014-07-02 国立大学法人東北大学 エッチング方法
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
JP6611666B2 (ja) * 2016-05-16 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 載置台システム、基板処理装置及び温度制御方法
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
US10295489B2 (en) 2016-09-12 2019-05-21 Ecolab Usa Inc. Deposit monitor
US10816285B2 (en) * 2017-02-24 2020-10-27 Ecolab Usa Inc. Thermoelectric deposit monitor
US11953458B2 (en) 2019-03-14 2024-04-09 Ecolab Usa Inc. Systems and methods utilizing sensor surface functionalization

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990006301A (ko) * 1997-06-11 1999-01-25 구자홍 자동 음량보정 방법 및 장치
KR19990029433A (ko) * 1997-09-02 1999-04-26 마에다 시게루 기판을 도금하는 방법 및 장치
WO2002034963A1 (fr) 2000-10-26 2002-05-02 Ebara Corporation Dispositif et procede pour depot electrolytique

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4324854A (en) * 1980-03-03 1982-04-13 California Institute Of Technology Deposition of metal films and clusters by reactions of compounds with low energy electrons on surfaces
US5389496A (en) 1987-03-06 1995-02-14 Rohm And Haas Company Processes and compositions for electroless metallization
ES2054357T3 (es) 1989-05-08 1994-08-01 Philips Nv Aparato y metodo para tratar substratos planos bajo una presion reducida.
US6042712A (en) 1995-05-26 2000-03-28 Formfactor, Inc. Apparatus for controlling plating over a face of a substrate
US6090261A (en) * 1995-05-26 2000-07-18 Formfactor, Inc. Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate
US5775416A (en) 1995-11-17 1998-07-07 Cvc Products, Inc. Temperature controlled chuck for vacuum processing
US6168695B1 (en) 1999-07-12 2001-01-02 Daniel J. Woodruff Lift and rotate assembly for use in a workpiece processing station and a method of attaching the same
US5830805A (en) 1996-11-18 1998-11-03 Cornell Research Foundation Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition
KR100691201B1 (ko) 1998-07-10 2007-03-08 세미툴 인코포레이티드 무전해 도금 및 전기 도금을 사용하는 구리 도금 방법 및그 장치
US6221437B1 (en) * 1999-04-12 2001-04-24 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Heated workpiece holder for wet plating bath
KR20020074175A (ko) 2000-10-26 2002-09-28 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 무전해도금장치 및 방법
JP2002256486A (ja) * 2001-03-06 2002-09-11 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US6843852B2 (en) 2002-01-16 2005-01-18 Intel Corporation Apparatus and method for electroless spray deposition
US20030152690A1 (en) * 2002-02-07 2003-08-14 Yuh Sung Method for operating and controlling electroless plating

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990006301A (ko) * 1997-06-11 1999-01-25 구자홍 자동 음량보정 방법 및 장치
KR19990029433A (ko) * 1997-09-02 1999-04-26 마에다 시게루 기판을 도금하는 방법 및 장치
WO2002034963A1 (fr) 2000-10-26 2002-05-02 Ebara Corporation Dispositif et procede pour depot electrolytique

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003265687A8 (en) 2004-04-30
US6846519B2 (en) 2005-01-25
KR20050056209A (ko) 2005-06-14
EP1579029A2 (en) 2005-09-28
WO2004024983A3 (en) 2005-10-27
JP2006506520A (ja) 2006-02-23
US20040052963A1 (en) 2004-03-18
WO2004024983A2 (en) 2004-03-25
AU2003265687A1 (en) 2004-04-30
EP1579029A3 (en) 2005-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101017103B1 (ko) 온도가 조정된 척을 이용한 무전해 증착 방법 및 장치
US6913651B2 (en) Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates
US6908512B2 (en) Temperature-controlled substrate holder for processing in fluids
US7648913B2 (en) Method of electroless deposition of thin metal and dielectric films with temperature controlled stages of film growth
US7169705B2 (en) Plating method and plating apparatus
CN1329972C (zh) 半导体器件及其制造方法
JP3960774B2 (ja) 無電解めっき装置及び方法
US7690324B1 (en) Small-volume electroless plating cell
US9255331B2 (en) Apparatus for plating process
JP2007509236A (ja) 無電解堆積のための装置
US20060037858A1 (en) Electroless plating apparatus and electroless plating method
US20050196523A1 (en) Electroless plating method and apparatus, and computer storage medium storing program for controlling same
JP3985858B2 (ja) めっき装置
JP2005048209A (ja) 無電解メッキ方法、無電解メッキ装置、半導体装置の製造方法及びその製造装置
US20040164504A1 (en) Universal substrate holder for treating objects in fluids
WO2003038148A1 (en) Plating apparatus and plating method
US20050022909A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN1965105A (zh) 带有温控卡盘的无电沉积方法和设备
JP3886383B2 (ja) めっき装置及びめっき方法
US20050164499A1 (en) Electroless plating method and apparatus
JP3985857B2 (ja) 無電解めっき装置及び無電解めっき方法
US20050061659A1 (en) Plating apparatus and plating method
JP2004263287A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2006022133A1 (ja) 無電解めっき装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140207

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150205

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160204

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170214

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180206

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190201

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200212

Year of fee payment: 10