KR100999820B1

KR100999820B1 - 직접인쇄방법으로 기판에 내열성 도전성 패턴을 형성하기 위한 페이스트 조성물

Info

Publication number: KR100999820B1
Application number: KR1020090053873A
Authority: KR
Inventors: 허순영; 박성실
Original assignee: 조근호
Priority date: 2008-12-01
Filing date: 2009-06-17
Publication date: 2010-12-08
Also published as: TW201033309A; KR20110000615A; CN101747684A; KR20100062883A

Abstract

본 발명은 내열성 도전성 패턴을 형성할 수 있는 페이스트 조성물에 관한 것으로, 도전성 입자, 폴리아믹산 및 용매를 포함하는 직접인쇄방식에 의한 도전성 패턴 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.

본 발명에 의한 페이스트 조성물을 직접인쇄방식으로 기판에 납땜 공정이 필요한 회로 또는 안테나를 형성할 수 있으며 특히 연성회로기판에 적용하여, 제조공정을 단순화하고 공정비용 및 제조시간을 절감할 수 있으며, 폐수발생을 최소화 할 수 있다.

연성회로기판, 폴리아믹산, 페이스트

Description

직접인쇄방법으로 기판에 내열성 도전성 패턴을 형성하기 위한 페이스트 조성물{Paste composition for forming heat-resistant conductive patterns on substrate}

본 발명은 직접인쇄방법으로 기판에 도전성 패턴을 형성할 수 있는 페이스트 조성물 특히 인쇄회로기판(PCB) 또는 연성회로기판(FPCB)에 솔더링에 의한 부품실장이 가능하도록 직접인쇄방법으로 내열성 도전성 패턴을 형성할 수 있는 페이스트 조성물에 관한 것이다.

전자제품의 가장 기본적인 부품인 인쇄회로기판(PCB)과 연성인쇄회로기판(FPCB)은 각각 기판에 동박이 적층되어 있는 동박적층판(CCL)과 연성동박적층판(FCCL)을 소정의 패턴에 따라 에칭 방법으로 회로 또는 패턴을 형성하여 제조된다. 에칭공정에 의하여 패턴을 형성하는 이러한 방법을 감법(減法; subtractive method)이라고 칭할 수 있다. 이러한 인쇄회로기판(PCB)과 연성인쇄회로기판(FPCB)은 전자제품의 작동에 필요한 여러 가지 부품이 실장 되어 전자제품의 주요 부품으로 기능하게 된다.

한편, LCD와 PDP를 포함하는 디스플레이, 터치패널, RFID와 전자파 차폐제 등에서 비교적 단순한 패턴 형성을 공정의 복잡성과 다량의 폐수 발생의 문제점을 갖는 에칭공정에 의한 감법(減法; subtractive method) 대신에 직접 인쇄방식에 의한 가법(加法; additive method)에 의하여 경제적으로 달성하기 위한 노력을 확대하고 있다.

또한, 이러한 노력의 확장으로, 최근에는 에칭공정에 의하여 패턴을 형성하는 감법(減法; subtractive)이 가지는 공정의 복잡성과 다량의 에칭 폐수 발생의 문제점을 피하고 인쇄회로기판(PCB)과 연성인쇄회로기판(FPCB)을 경제적으로 제조하기 위하여 도전성 패턴을 기판에 직접 인쇄하여 형성하는 기술이 시도되고 있다. 그러나 인쇄회로기판(PCB)과 연성인쇄회로기판(FPCB)에는 많은 소자와 부품이 솔더링에 의하여 실장이 되므로 도전성 패턴을 직접인쇄방식으로 형성하는 데는 접착력과 내열성의 문제점을 극복하여야 한다.

본 발명은 직접인쇄방법으로 인쇄회로기판(PCB) 또는 연성회로기판 (FPCB)에 도전성 패턴을 형성할 수 있는 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.

본 발명은, 또한, 연성회로기판 (FPCB)에 도금이 가능하고 솔더링이 가능한 도전성 패턴을 형성할 수 있는 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.

본 발명은, 또한, Rfid 칩 실장이 가능한 Rfid 안테나 패턴 형성용 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.

본 발명에 의하여, 도전성 입자 및 폴리아믹산과 용매로 이루어지는 폴리아믹산 용액을 포함하고, 직접인쇄방식에 의하여 도전성 패턴을 형성할 수 있는 페이스트 조성물이 제공된다. 본 발명의 도전성 패턴 형성용 페이스트 조성물은, 바람직하게는, 도전성 입자 0.01 내지 96 중량부, 폴리아믹산 0.5 내지 96 중량부 및 용매 잔량으로 이루어진다. 필요한 경우에 상기 페이스트 조성물은 금속전구체를 더 포함할 수 있다. 본 발명에서 폴리아믹산은 바람직하게는 하기 식1의 구조를 갖는다.

상기 식1에서 R1과 R2는 각각 탄화수소 체인 또는 질소, 산소 또는 황이 포함된 헤테로 원자 체인이거나 벤젠고리가 브릿지 또는 융합된 상태를 나타내고, n은 중합도를 나타낸다. R1과 R2는, 예를 들면, 각각 CO-, -SO2-, -CH2-, -C2H4-, -C3H6- 또는 -O- 이다. 이러한 폴리아믹산은 하기 식a의 방향족 이산 무수물과 하기 식b의 방향족 디아민을 중합하여 제조한다. 용매로는 상기 방향족 이산 무수물과 상기 방향족 디아민을 용해할 수 있는 용매, 예를 들면, N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸피롤리돈(NMP), 테트라메틸우레아(TMU), 디메틸술폭사이드(DMSO) 또는 이들의 혼합물 등이 사용된다. 방향족 이산 무수물 용액과 방향족 디아민 용액을 혼합하여 폴리아믹산 바인더를 제조한다. 방향족 이무수물과 방향족 디아민은 바람직하게는 동일한 용매를 사용하며, 상기 용매는 또한 페이스트의 용매로 사용된다.

상기 식a의 방향족 이산 무수물은, 예를 들면, 1,2,4,5-벤젠 테트라카르복실 디 무수산과 3,3', 4,4'-벤조페논테트라카르복실디무수산(BTDA), 옥시디프탈릭무수산(ODPA), 3,3', 4,4'-디페닐술폰테트라카르복실디무수산(DSDA), 바이페닐테트라카르복실디무수산(BPDA), 3-히드로퀴논-o,o' -디아세트무수산(HQDA) 또는 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판디무수산(BPADA)이다. 상기 식b의 방향족 디아민은, 예를 들면, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 옥시디아닐린, 4,4'-디아미노디페닐술폰 또는 4,4'-디아미노벤조페논이다.

여기서 도전성 입자라고 함은 전기 전도성이 있는 물질의 입자로서 특별히 제한되지 않으며 도전성이 있는 금속, 비금속 또는 이들의 산화물, 탄화물, 붕화물, 질화물, 탄질화물의 분말과 카본블랙과 흑연 등 탄소계 분말을 포함한다. 도전성 입자는 예를 들어 금, 알루미늄, 구리, 인듐, 안티몬, 마그네슘, 크롬, 주석, 니켈, 은, 철, 티탄 및 이들의 합금과 이들의 산화물, 탄화물, 붕화물, 질화물, 탄질화물의 입자이다. 탄소계 도전성 입자로는 예를 들면, 천연 흑연 분말, 팽창된 흑연, 그라펜, 카본블랙, 나노카본, 카본나노튜브 등이다. 입자의 형태는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 판형, 파이버 형과 나노 크기의 나노입자 나노튜브 등이 사용될 수 있다. 이러한 도전성 입자는 단독 또는 조합하여 사용될 수 있다.

본 발명에서 금속 전구체라고 하면 금속이 헤테로 원자 P, S, O와 N를 통하여 착체를 형성하여 금속 용융 온도보다 낮은 온도에서 금속화되는 물질을 말한다. 이러한 유기 금속은, 예를 들면, 금속과 케톤기, 머캅토기, 카르복실기, 아닐린기, 에테르기 또는 아황산기 등으로 결합되어 있다.

직접인쇄방식은 브러싱, 스프레잉, 롤러코팅, 스크린인쇄, 그라비어인쇄, 옵셋인쇄, 플렉소인쇄, 디스펜싱, 로타리스크린인쇄법 또는 잉크젯프린팅의 인쇄 방법 등을 포함한다.

본 발명에서 사용되는 기판은 경성기판 외에 다양한 연성기판이 사용될 수 있다. 연성기판의 예로는 종이, 폴리에스테르필름, 폴리이미드 필름 등이다.

기판에 패턴으로 인쇄된 본 발명의 페이스트는 상온 이상의 온도에서 건조한 다음 200 ℃ 내지 350 ℃의 범위에서 열처리하여 폴리아믹산 바인더를 이미드화한 다. 금속전구체를 사용하는 경우에는 금속화 온도를 감안하여 별도로 금속화 열처리를 하거나 200 ℃ 내지 350 ℃의 범위에서 금속화와 폴리아믹산의 이미드화를 동시에 진행할 수 있다. 이러한 열처리에 의하여 금속전구체는 금속화하고 폴리아믹산 바인더는 폐환하여 기판에 고착된다. 이미드화된 바인더는 400 ℃ 이상의 내열성을 나타낸다.

본 발명의 페이스트 조성물은 기판에 직접인쇄방식에 의하여 솔더링에 의한 부품실장이 가능한 도전성 패턴을 형성할 수 있다. 특히, 본 발명의 페이스트 조성물은 열처리에 의하여 바인더가 폴리이미드화하여 연성 폴리이미드 기판에 직접인쇄방식에 의하여 솔더링에 의한 부품실장이 가능하고 내열성, 내변형성과 내구성이 탁월한 도전성 패턴을 형성할 수 있다. 이러한 도전성 패턴은 그대로 사용될 수도 있으나 도전성과 솔더링 융착성을 높이기 위하여 전해도금에 의하여 도전성을 강화할 수 있다.

본 발명의 페이스트 조성물로 기판에 형성하는 도전성 패턴에는 전기회로, 전극회로, Rfid 안테나와 부분 또는 전체적인 피복 등이 포함된다.

이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로 본 발명의 보호범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니 된다.

실시예1 내지 7

바인더의 제조

와코사의 특급시약 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA) 19.2중량부를 칭량하여 준세이사의 특급시약 N-메틸 피롤리돈(NMP) 80 중량부에 용해하여 준비한다. 와코사의 특급시약 피로멜리틱디무수산 (PMDA) 20.9중량부를 N-메틸 피롤리돈 80 중량부에 분산시킨다. 분산된 PMDA에 ODA용액을 2시간동안 적가한다. 혼합물을 상온에서 24시간 교반하면서 반응시켜 폴리아믹산 바인더 용액을 제조한다.

페이스트의 제조

평균입자크기가 2㎛인 판형(직경이 두께의 50배) 은(Ag) 파우더 150~210중량부와 메틸피롤리돈 0~30중량부, 상기에서 제조된 폴릭아믹산(PAA) 바인더 용액 60~150중량부를 넣어 완전히 혼합하여 은페이스트를 제조한다. 폴리아믹산 바인더 용액의 용매와 은 페이스트의 용매가 동일하므로, 제조된 은 페이스트는 은 파우더 150~210중량부 및 폴리아믹산과 용매로 이루어지는 폴리아믹산 용액 60~180중량부를 포함한다. 제조된 은 페이스트의 조성을 표 1에 표시하였다. 폴리이미드 필름에 스크린인쇄기를 이용하여 도1의 타입으로 인쇄한다. 인쇄물은 기재와 함께 200 ℃에서 10분 간 건조하여 페이스트 내부의 유기물을 제거한다. 형성된 패턴의 전기저항, 접착력, 경도, 열안정성 등을 측정하여 표 2에 표시하였다. 형성된 패턴의 전기저항을 표 3에 표시하였다. 접착력은 테이프 테스트를, 경도는 연필경도측정법을, 열안정성은 400 ℃에서 납땜 했을 때 녹거나 변형되는 정도를 나타내었다.

제조한 페이스트를 이용하여 도1에 나타낸 회로를 인쇄하여 건조 후 전해도금을 실시하여 접착력과 경도를 측정하고, 도2에 나타낸 것과 같은 0.5 mm×1 mm 크기의 회로를 인쇄하여 건조한 후 전해도금을 실시하여 400 ℃의 인두를 이용하여 적층세라믹콘덴서(1005)를 부착하여 부착강도를 측정하였다. 그 결과를 표 4에 나타내었다.

표1

실시예	Paste No.	PAA Binder	NMP	Ag powder
1	AP-A	60	30	210
2	AP-B	75	15	210
3	AP-C	90	-	210
4	AP-D	105	-	195
5	AP-E	120	-	180
6	AP-F	135	-	165
7	AP-G	150	-	150

표2

실시예	Paste No.	전기저항 (×10^-2 Ω/□)	접착력	경도	열안정성
1	AP-A	4.094	5B	5H	○
2	AP-B	3.428	5B	5H	○
3	AP-C	2.287	5B	5H	◎
4	AP-D	3.512	5B	5H	◎
5	AP-E	5.254	5B	5H	◎
6	AP-F	7.882	5B	5H	◎
7	AP-G	9.883	5B	5H	◎

◎ 매우우수, ○ 우수, △ 보통, × 나쁨

표3

표4

실시예	Paste No.	접착력	경도	접착강도(g_f)
1	AP-A	5B	5H	630
2	AP-B	5B	5H	650
3	AP-C	5B	5H	742
4	AP-D	5B	5H	853
5	AP-E	5B	5H	901
6	AP-F	5B	5H	934
7	AP-G	5B	5H	980

실시예 8-19

바인더의 제조

와코사의 특급시약 4,4' 디아미노디페닐에테르(ODA) 71.75중량부를 칭량하여 준세이사의 특급시약 N-메틸 피롤리돈(NMP) 300중량부에 용해하여 준비한다. 와코사의 특급시약 피로멜리틱디무수산 (PMDA) 78.24중량부를 N-메틸 피롤리돈 300중량부에 분산시킨다. 분산된 PMDA에 ODA용액을 2시간 동안 적가한다. 혼합물을 상온에서 18시간 교반하면서 반응시켜 폴리아믹산(PAA) 바인더 용액을 제조한다.

페이스트의 제조

상기 폴릭아믹산(PAA) 바인더 용액 37.5~52.5중량부에 평균입자크기가 2㎛인 판형(직경이 두께의 50배) 은 파우더 93.75~112.5중량부와 N-메틸 피롤리돈 0~18.75중량부를 넣어 완전히 혼합하여 은 페이스트를 제조한다. 폴리아믹산 바인더 용액의 용매와 은 페이스트의 용매가 동일하므로, 제조된 은 페이스트는 은 파우더 93.75~112.5중량부 및 폴리아믹산과 용매로 이루어지는 폴리아믹산 용액 37.5~71.25중량부를 포함한다. 제조된 은 페이스트의 조성을 표 5에 표시하였다. 폴리이미드 필름에 스크린인쇄기를 이용하여 도1의 타입으로 인쇄한다. 인쇄물은 기재와 함께 200 ℃에서 10분간 건조하여 페이스트 내부의 유기물을 제거한다. 형성된 패턴의 두께, 전기저항, 접착력, 경도, 열안정성 등을 측정하여 표 6에 표시하였다. 형성된 패턴의 전기저항을 표 7에 표시하였다. 접착력은 테이프 테스트를, 경도는 연필경도측정법을, 열안정성은 400 ℃에서 납땜 했을 때 녹거나 변형되는 정도를 나타내었다.

실시예 20-31

폴릭아믹산(PAA) 바인더 용액의 제조는 폴리아믹산 바인더의 용매로 N-메틸 피롤리돈 대신에 디메틸아세트아미드(DMAc)을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 8과 같이 실시하였다. 제조된 은 페이스트의 조성을 표 8에 표시하였다. 인쇄물의 건조방법, 두께, 전기저항, 접착력, 경도, 열안정성 등의 측정 방법 또한 실시예 8 과 동일하며, 그 결과를 표 9에 나타내었다. 형성된 패턴의 전기저항을 표 10에 표시하였다.

실시예 32-34

폴릭아믹산(PAA) 바인더 용액의 제조는 폴리아믹산 바인더의 용매로 N-메틸 피롤리돈 대신에 디메틸포름아미드(DMF)로 사용하는 것을 제외하고는 실시예 8과 같이 실시하였다. 제조된 은 페이스트의 조성을 표 11에 표시하였다. 인쇄물의 건조방법, 두께, 전기저항, 접착력, 경도, 열안정성 등의 측정 방법 또한 실시예 8과 동일하며, 그 결과를 표 12에 나타내었다. 형성된 패턴의 전기저항을 표 13에 표시하였다.

실시예 35-37

폴릭아믹산(PAA) 바인더 용액의 제조는 폴리아믹산 바인더의 용매로 N-메틸 피롤리돈 대신에 디메틸술폭사이드(DMSO)을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 8과 같이 실시하였다. 제조된 은 페이스트의 조성을 표 14에 표시하였다. 인쇄물의 건조방법, 두께, 전기저항, 접착력, 경도, 열안정성 등의 측정 방법 또한 실시예 8과 동일하며, 그 결과를 표 15에 나타내었다. 형성된 패턴의 전기저항을 표 16에 표시하였다.

실시예 38-41

4,4' 디아미노디페닐에테르(ODA)와 피로멜리틱디무수산 (PMDA)의 당량비가 1.1:1가 되도록 각각 60.293g과 59.7g을 사용하여 폴리아믹산 바인더 용액을 제조하는 것을 제외하고는 실시예 8과 같이 실시하였다. 제조된 은 페이스트의 조성을 표 17에 표시하였다. 인쇄물의 건조방법, 두께, 전기저항, 접착력, 경도, 열안정성 등의 측정 방법 또한 실시예 8과 동일하며, 그 결과를 표 18에 나타내었다. 형성된 패턴의 전기저항을 표 19에 표시하였다.

실시예 42-45

4,4' 디아미노디페닐에테르(ODA)와 피로멜리틱디무수산 (PMDA)의 당량비가 1.2 : 1가 되도록 각각 63.15g과 56.85g을 사용하여 폴리아믹산 바인더 용액을 제조하는 것을 제외하고는 실시예 8과 같이 실시하였다. 제조된 은 페이스트의 조성을 표 20에 표시하였다. 인쇄물의 건조방법, 두께, 전기저항, 접착력, 경도, 열안정성 등의 측정 방법 또한 실시예 8과 동일하며, 그 결과를 표 21에 나타내었다. 형성된 패턴의 전기저항을 표 22에 표시하였다.

표 5. NMP 바인더 첨가 페이스트 조성

실시예	Paste No.	PAA Binder	NMP	Ag powder
8	PA-A1	37.5	18.75	93.75
9	PA-B1	45	11.25	93.75
10	PA-C1	52.5	3.75	93.75
11	PA-A2	37.5	15	97.5
12	PA-B2	45	7.5	97.5
13	PA-C2	52.5	3	94.5
14	PA-A3	37.5	11.25	101.25
15	PA-B3	45	3.75	101.25
16	PA-C3	52.5	2.25	95.25
17	PA-A4	37.5	-	112.5
18	PA-B4	45	-	105
19	PA-C4	52.5	-	97.5

표 6. NMP 바인더 첨가 페이스트 특성

실시예	Paste No.	두께(um)	전기저항 (×10^-2 Ω/□)	접착력	경도	열안정성
8	PA-A1	7	4.677	5B	5H	◎
9	PA-B1	8	4.129	5B	5H	◎
10	PA-C1	9	4.119	5B	5H	◎
11	PA-A2	12	3.204	5B	5H	◎
12	PA-B2	11	2.798	5B	5H	◎
13	PA-C2	9	4.498	5B	5H	◎
14	PA-A3	13	3.440	5B	5H	◎
15	PA-B3	14	3.083	5B	5H	◎
16	PA-C3	11	2.993	5B	5H	◎
17	PA-A4	17	2.730	5B	5H	◎
18	PA-B4	19	2.381	5B	5H	◎
19	PA-C4	12	3.310	5B	5H	◎

◎ 매우우수, ○ 우수, △ 보통, × 나쁨

표 7. NMP 바인더 첨가 페이스트 전기저항

표 8. DMAc 바인더 첨가 페이스트 조성

실시예	Paste No.	PAA Binder	DMAc	Ag powder
20	PA-J1	37.5	18.75	93.75
21	PA-K2	45	11.25	93.75
22	PA-L3	52.5	3.75	93.75
23	PA-J2	37.5	15	97.5
24	PA-K2	45	7.5	97.5
25	PA-L2	52.5	3	94.5
26	PA-J3	37.5	11.25	101.25
27	PA-K3	45	3.75	101.25
28	PA-L3	52.5	2.25	95.25
29	PA-J4	37.5	-	112.5
30	PA-B4	45	-	105
31	PA-L4	52.5	-	97.5

표 9. DMAc 바인더 첨가 페이스트 특성

실시예	Paste No.	두께(um)	전기저항 (×10^-2 Ω/□)	접착력	경도	열안정성
20	PA-J1	8	4.203	5B	5H	◎
21	PA-K1	8	3.642	5B	5H	◎
22	PA-L1	7	1.832	5B	5H	◎
23	PA-J2	8	4.064	5B	5H	◎
24	PA-K2	10	2.621	5B	5H	◎
25	PA-L2	12	2.025	5B	5H	◎
26	PA-J3	11	3.778	5B	5H	◎
27	PA-K3	14	2.255	5B	5H	◎
28	PA-L3	12	2.320	5B	5H	◎
29	PA-J4	19	2.513	5B	5H	◎
30	PA-K4	13	2.140	5B	5H	◎
31	PA-L4	13	4.368	5B	5H	◎

◎ 매우우수, ○ 우수, △ 보통, × 나쁨

표 10. DMAc 바인더 첨가 paste 전기저항

표 11. DMF 바인더 첨가 페이스트 조성

실시예	Paste No.	PAA Binder	DMF	Ag powder
32	PA-G	37.5	18.75	93.75
33	PA-H	45	11.25	93.75
34	PA-I	52.5	3.75	93.75

표 12. DMF 바인더 첨가 페이스트 특성

실시예	Paste No.	두께(um)	전기저항 (×10^-2 Ω/□)	접착력	경도	열안정성
32	PA-G	8	5.901	5B	5H	◎
33	PA-H	9	4.875	5B	5H	◎
34	PA-I	7	3.012	5B	5H	◎

◎ 매우우수, ○ 우수, △ 보통, × 나쁨

표 13. DMF 바인더 첨가 페이스트 전기저항

표 14. DMSO 바인더 첨가 페이스트 조성

실시예	Paste No.	PAA Binder	DMSO	Ag powder
35	PA-J	37.5	18.75	93.75
36	PA-K	45	11.25	93.75
37	PA-L	52.5	3.75	93.75

표 15. DMSO 바인더 첨가 페이스트 특성

실시예	Paste No.	두께(um)	전기저항 (×10^-2 Ω/□)	접착력	경도	열안정성
35	PA-J	11	5.214	5B	5H	◎
36	PA-K	13	4.504	5B	5H	◎
37	PA-L	12	4.349	5B	5H	◎

◎ 매우우수, ○ 우수, △ 보통, × 나쁨

표 16. DMSO 바인더 첨가 페이스트 전기저항

표 17. ODA : PMDA = 1.1 : 1 바인더 첨가 페이스트 조성

실시예	Paste No.	PAA Binder	NMP	Ag powder
38	PA-M	30	26.25	93.75
39	PA-N	37.5	18.75	93.75
40	PA-O	45	11.25	93.75
41	PA-P	52.5	3.75	93.75

표 18. ODA : PMDA = 1.1 : 1 바인더 첨가 페이스트 특성

실시예	Paste No.	두께(um)	전기저항 (×10^-2 Ω/□)	접착력	경도	열안정성
38	PA-M	8	5.193	5B	5H	◎
39	PA-N	8	3.582	5B	5H	◎
40	PA-O	9	2.441	5B	5H	◎
41	PA-P	10	2.232	5B	5H	◎

◎ 매우우수, ○ 우수, △ 보통, × 나쁨

표 19. ODA : PMDA = 1.1 : 1 바인더 첨가 페이스트 전기저항

표 20. ODA : PMDA = 1.2 : 1 바인더 첨가 페이스트 조성

실시예	Paste No.	PAA Binder	NMP	Ag powder
42	PA-Q	30	26.25	93.75
43	PA-R	37.5	18.75	93.75
44	PA-S	45	11.25	93.75
45	PA-T	52.5	3.75	93.75

표 21. ODA : PMDA = 1.2 : 1 바인더 첨가 페이스트 특성

실시예	Paste No.	두께(um)	전기저항 (×10^-2 Ω/□)	접착력	경도	열안정성
42	PA-Q	9	5.666	5B	5H	◎
43	PA-R	8	4.129	5B	5H	◎
44	PA-S	9	2.828	5B	5H	◎
45	PA-T	10	2.529	5B	5H	◎

◎ 매우우수, ○ 우수, △ 보통, × 나쁨

표 22. ODA : PMDA = 1.2 : 1 바인더 첨가 페이스트 전기저항

도 1은 본 발명의 실시예 1에서 인쇄한 패턴 및 도금 후의 사진이다.

도 2는 본 발명의 실시예 2에서 인쇄한 패턴 및 도금 후의 사진이다.

도 3은 도금 후 납땜하는 사진이다.

Claims

폴리이미드 필름 상에 도금을 하기 위한 회로 패턴을 인쇄방식으로 형성하기 위한 페이스트 조성물로서,

은 입자 150중량부 내지 210중량부 및 폴리아믹산과 용매로 이루어지는 폴리아믹산 용액 60중량부 내지 180중량부를 포함하거나, 상기 은 입자 93.75중량부 내지 112.5중량부 및 상기 폴리아믹산 용액 37.5중량부 내지 71.25중량부를 포함하고,

상기 폴리아믹산이 하기 식1의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.

(상기 식1에서 R1과 R2는 각각 탄소 체인 또는 질소, 산소 또는 황으로 이루어진 체인이거나 벤젠고리가 브릿지 또는 융합된 상태를 나타내고, n은 중합도를 나타낸다.)
삭제
제1항에 있어서, 상기 폴리아믹산이 하기 식a의 방향족 이산 무수물과 하기 식b의 방향족 디아민을 상기 페이스트 조성물의 용매와 동일 용매 내에서 중합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.

(상기 식에서 R1과 R2는 각각 탄소 체인 또는 질소, 산소 또는 황으로 이루어진 체인이거나 벤젠고리가 브릿지 또는 융합된 상태를 나타낸다.)
제3항에 있어서, 상기 방향족 이산 무수물이 1,2,4,5-벤젠 테트라카르복실 디 무수산과 3,3', 4,4'-벤조페논테트라카르복실디무수산(BTDA), 옥시디프탈릭무수산(ODPA), 3,3', 4,4'-디페닐술폰테트라카르복실디무수산(DSDA), 바이페닐테트라카르복실디무수산(BPDA), 3-히드로퀴논-o,o'-디아세트무수산(HQDA) 또는 2,2-비스[4-3,4-디카르복시페녹실페닐]프로판디무수산(BPADA)이고, 상기 방향족 디아민이 m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 옥시디아닐린, 4,4'-디아미노디페닐술폰 또는 4,4'-디아미노벤조페논인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
제3항에 있어서, 상기 용매가 N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸피롤리돈(NMP), 테트라메틸우레아(TMU), 디메틸술폭사이드(DMSO) 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
제3항에 있어서, 상기 은 입자에 추가하여 도전성이 있는 금속 또는 비금속 분말; 상기 금속 또는 비금속의 산화물, 탄화물, 붕화물, 질화물 또는 탄질화물의 분말; 또는 탄소계 분말을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
삭제
제1항에 있어서, 상기 인쇄방식은 브러싱, 스프레잉, 롤러코팅, 스크린인쇄, 그라비어인쇄, 옵셋인쇄, 플렉소인쇄, 디스펜싱, 로타리스크린인쇄법 또는 잉크젯프린팅인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
삭제