KR100986205B1 - 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법 - Google Patents

반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 고온 테스트 시 현재 테스트 중인 반도체 소자와 다음 테스트 할 반도체 소자의 교체시간으로 발생되는 교체시간을 단축하기 위한 제어방법에 관한 것으로, 현재 반도체 소자의 테스트 시간을 프로그램으로 제어하는 제어부에서 테스트 평균값을 구하여 테스트 종료 시간 도달 전 미리 고온 플레이트에서 반도체 소자를 픽업 후 공급으로 반도체 소자의 교체 되는 시간을 단축함으로서 테스트 반도체 소자의 수량을 향상 시켜 생산량을 크게 증대 시킬 수 있는 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법을 제공하는 데 있다.
반도체, 고온 테스트, 핫 플레이트, 테스터, 반도체 테스트. 픽업, 인덱스 타임

Description

반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법{Shift time of semiconductor at semiconductor high temperature test short control method}
본 발명은 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 반도체 소자에 고온의 열을 인가하여 반도체 소자의 고온에서의 성능 테스트로 양품을 구별하는 반도체 고온 테스트 검사로 반도체 소자의 고온 테스트 시 현재 테스트 중인 반도체 소자와 다음 테스트 할 반도체 소자의 교체시간으로 발생되는 교체시간을 단축하기 위한 제어방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체의 고온(Hot Test) 테스트 시 고온 플레이트(HOT Plate)를 이용하여 자재(반도체)에 열을 가한 후 그 자재를 테스터에 접촉하여 테스트를 하게 된다.
이 과정에서 자재에 가해진 열의 누수를 방지하기 위해 고온 플레이트(HOT Plate)에서 테스터로 자재를 이송 시 이전 자재의 테스트가 종료 될 때까지 이송을 하지 않고 고온 플레이트에서 열을 계속 가한다.
이로 인한 자재의 반복 테스트 시 현재 테스트 자재와 다음 테스트 자재와의 교체 시간이 상당 발생한다.
이와 같이, 도 1에 도시한 바와 같이 기존의 반도체 소자 테스트 방법을 설명하면 우선, 기본적으로 중앙에 테스터가 존재하며, 양측에 고온 플레이트가 존재한다.
아울러, 이송장치에 의해 반도체 소자를 일측의 고온 플레이트에 안착시키면(S10) 설정된 온도로 반도체 소자에 가열(S20)하여 컨텍터 푸셔1은 반도체 소자를 픽업하게 된다.(S30)
상기 컨텍터 푸셔1은 반도체 소자를 중앙에 위치한 테스터에 접촉시키면 테스터에서는 반도체 소자의 테스트(S40)가 이루어진다.
그리고, 상기 테스터에서 반도체 소자의 테스트가 완전히 종료(S50) 된 후 컨텍터 1이 테스트 종료된 반도체 소자를 픽업하여 테스터 구간에서 이탈(S60)한다.
그리고, 다음 테스트 하기위한 테스터의 타측에 존재하는 다른 고온 플레이트에 안착되어 가열 중인 반도체 소자를 컨텍터 푸셔2가 픽업(S70)하게된다.
상기 컨텍터 푸셔2가 반도체 소자를 테스터에 접촉시켜 테스트가 종료(S80)되면 종료된 반도체 소자를 컨텍터 푸셔2가 픽업을 하면 검사할 반도체 소자가 남아 있는지 검색하는 요청이 들어오면 반도체 소자 검사 작업 여부를 확인(S90)하여 상기 테스트할 반도체 소자가 있으면 가열된 반도체 소자를 컨텍터 푸셔1가 픽업하게 된다.(S30)
이때, 상기 반도체 소자의 테스트 작업을 반복하다가 테스터에서 반도체 소 자의 테스트 후 다음 테스트 할 반도체 소자가 소진되었으면 작업종료되어 더이상 작업은 이루어지지 않게 된다.
이와 같이, 기존의 반도체 소자를 고온으로 테스트하는 과정에서 테스트 중인 반도체 소자가 완전이 종료되고, 컨텍터 푸셔1이 테스터에서 반도체 소자를 픽업하여 이탈이 되기까지 일측의 컨텍터 푸셔2는 반도체 소자를 픽업하지 않아 고온으로 테스트하는 반도체 소자의 총 검사 시간이 길어지는 문제점이 있다.
이로 인한 자재의 반복 테스트 시 현재 테스트 자재와 다음 테스트 자재와의 교체 시간이 상당 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 그 목적은 현재 반도체 소자의 테스트 되는 시간을 프로그램으로 제어하여 제어부에서 평균값을 구하여 평균값 시간 도달 전 미리 고온 플레이트에서 반도체 소자를 픽업하여 반도체 소자의 교체 되는 시간을 단축하여 테스트 반도체 소자의 수량을 향상 시켜 생산량을 크게 증대 시킬 수 있는 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법을 제공함을 목적으로 한다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은, 반도체 소자가 셔틀에 이동하여 중앙에 테스터와 양측에 각각 제1,2 고온 플레이트가 위치한 테스트 구간으로 진입한 반도체 소자를 이송부가 고온 플레이트에 반도체 소자를 안착시키면 가열되고, 컨턱터 푸셔에 의해 반도체 소자를 테스터에 접촉시켜 테스트가 이루어지는 것을 반복 교체하면서 테스트하는 반도체 소자를 고온으로 테스트하는 검사에서, 상기 제1 고온 플레이트에서 가열 된 반도체 소자를 제1 컨텍터 푸셔에서 픽업하여 중앙에 위치하는 테스터에 접촉시키는 제1접촉 단계와;
상기 제1 컨텍터 푸셔에서 접촉시킨 반도체 소자를 테스터에서 테스트 하는 제1 테스트 단계와;
상기 테스터에서 반도체 소자의 테스트가 종료되기 1초전에 제2 컨텍터 푸셔가 제2 고온 플레이트에서 반도체를 픽업하여 대기하는 제1 대기단계와;
상기 반도체 소자가 테스터에서 테스트 종료되는 평균 시간을 제어부에서 측정하여 종료 1초전 설정으로 시간차를 제어하여 반도체 소자 교체 시간을 단축하는 제어하는 제어단계와;
상기 테스터에서 반도체 소자의 테스트가 종료되어 제1 컨텍터 푸셔가 테스터에서 반도체 소자를 픽업하는 테스터 구간에서의 이탈단계와;
상기 제1 컨텍터 푸셔에 의해 반도체 소자가 테스터 구간에서의 이탈과 동시에 제2 컨텍터 푸셔에 부착된 반도체 소자를 테스터 측으로 이동하여 테스터에 접촉시키는 제2 접촉단계와;
상기 제2 컨텍터 푸셔에서 접촉시킨 반도체 소자를 테스터에서 테스트 하는 제2 테스트 단계와;
상기 테스터에서 반도체 소자의 테스트가 종료되기 1초전에 제1 컨텍터 푸셔가 제1 고온 플레이트에서 반도체를 픽업하여 대기하는 제2 대기단계;로 제1 컨텍터 푸셔와 제2 컨텍터 푸셔가 반도체 소자를 테스터에 반복 접촉 교체시키는 시간차 간격을 최소화하는 방법이다.
이러한, 상기 테스터가 중앙에 위치하고 양측에 각각 제1 고온 플레이트와 제2 고온 플레이트가 존재하여 제1,2 컨텍터 푸셔가 각각 교호되게 순차적으로 가열된 반도체 소자를 테스터에 반복 공급하는 반도체 소자 공급 시간차는 반도체 소자의 테스트 평균 시간을 제어부에서 측정하여 테스트 종료 1초전 설정에 의해 각 각 제1,2 컨텍터 푸셔가 순차적으로 작동되는 구조이다.
아울러, 상기 제1 테스트 단계와 제2 테스트 단계에서는 테스터에서 반도체 소자의 테스트가 종료되기 1초전에 제1,2 컨텍터 푸셔가 가열중인 반도체 소자를 픽업하는 작업이 이루어지는 것이다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 현재 반도체 소자의 테스트되는 시간을 프로그램의 제어부에서 평균값을 구하여 평균값 시간 도달 전 미리 고온 플레이트에서 반도체 소자를 픽업하여 반도체 소자의 교체 되는 시간을 단축하여 테스트 반도체 소자의 수량을 향상 시켜 생산량을 크게 증대 시킬 수 있는 효과가 있다.
아울러, 테스터에서 반도체 소자가 테스트 중일 때 반대편 컨텍터 푸셔(Contact Pusher)가 테스트 종료 1초전에 고온 플레이트(Hot Plate)에서 자재를 짚고 대기를 하기 때문에 각각의 컨텍터 푸셔가 테스터에 접촉시키는 시간을 매회당 0.8sec씩 시간을 단축 시킬 수 있으며, 총 생산량으로 계산시 시간당 약 20% 생산량 증가를 할 수 있는 효교가 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 소자가 셔틀에 이동하여 중앙에 테스터와 양측에 각각 제1,2 고온 플레이트가 위치한 테스트 구간으로 진입한 반도체 소자를 이송부가 고온 플레이트에 반도체 소자를 안착시키면 가열되고, 컨턱터 푸셔에 의해 반도체 소자를 테스터에 접촉시켜 테스트가 이루어지는 것을 반복 교체하면서 테스트하는 반도체 소자를 고온으로 테스트하는 검사에서, 상기 제1 고온 플레이트에서 가열 된 반도체 소자를 제1 컨텍터 푸셔에서 픽업하여 중앙에 위치하는 테스터에 접촉시키는 제1접촉 단계와;
상기 제1 컨텍터 푸셔에서 접촉시킨 반도체 소자를 테스터에서 테스트 하는 제1 테스트 단계와;
상기 테스터에서 반도체 소자의 테스트가 종료되기 1초전에 제2 컨텍터 푸셔가 제2 고온 플레이트에서 반도체를 픽업하여 대기하는 제1 대기단계와;
상기 반도체 소자가 테스터에서 테스트 종료되는 평균 시간을 제어부에서 측정하여 종료 1초전 설정으로 시간차를 제어하여 반도체 소자 교체 시간을 단축하는 제어하는 제어단계와;
상기 테스터에서 반도체 소자의 테스트가 종료되어 제1 컨텍터 푸셔가 테스터에서 반도체 소자를 픽업하는 테스터 구간에서의 이탈단계와;
상기 제1 컨텍터 푸셔에 의해 반도체 소자가 테스터 구간에서의 이탈과 동시에 제2 컨텍터 푸셔에 부착된 반도체 소자를 테스터 측으로 이동하여 테스터에 접촉시키는 제2 접촉단계와;
상기 제2 컨텍터 푸셔에서 접촉시킨 반도체 소자를 테스터에서 테스트 하는 제2 테스트 단계와;
상기 테스터에서 반도체 소자의 테스트가 종료되기 1초전에 제1 컨텍터 푸셔 가 제1 고온 플레이트에서 반도체를 픽업하여 대기하는 제2 대기단계;로 제1 컨텍터 푸셔와 제2 컨텍터 푸셔가 반도체 소자를 테스터에 반복 접촉 교체시키는 시간차 간격을 최소화하는 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법을 제공함으로써 달성하였다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면에 의하여 더욱 상세하게 설명한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 하나의 실시 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 고온 테스트를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 고온 테스트 시 반도체 소자의 테스트 구간을 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 고온 테스트는 반도체 소자(110)를 고온으로 테스트하기 위한 테스트 구간이 마련되면서 그외 장치는 기본적으로 셔틀을 구비한 베이스플레이트와 반도체 소자(110)를 공급해주는 트레이 셔틀과 이 송장치, 로딩/언로딩 유닛이 갖춰져 반도체 소자(110)를 테스트하게 된다.
이렇게 구성된 반도체 소자(110) 테스트 구간에서 반도체 소자(110)가 셔틀에 이동하여 중앙에 테스터(120)와 양측에 각각 제1,2 고온 플레이트(210)(220)가 위치한 테스트 구간으로 진입하면 반도체 소자(110)를 이송부가 각각의 제1,2 고온 플레이트(210)(220)에 반도체 소자(110)를 안착시키면 가열되고, 제1,2 컨턱터 푸셔(230)(240)에 의해 반도체 소자(110)를 테스터(120)에 접촉시켜 테스트가 이루어지는 것을 반복 교체하면서 테스트하는 반도체 소자(110)를 고온으로 테스트하는 검사가 이루어지도록 제어되는 것이다.
아울러, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법을 나타낸 블록도이다
상기 도면에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 소자(110) 테스트 검사 제어에서 반도체 고온 테스트 시 반도체 소자(110)의 교체 시간을 단축할 수 있는 제어방법에 관한 것이다.
이같이, 베이스플레이트로 반도체 소자(110)가 공급되면서 이송되어 반도체 소자(110) 테스트 구간으로 진입하면 이송장치에 의해 제1 고온 플레이트(210)에서 안착되어 가열 된 반도체 소자(110)를 제1 컨텍터 푸셔(230)에서 픽업하여 중앙에 위치하는 테스터(120)에 접촉시킨다.(S110)
그리고, 상기 제1 컨텍터 푸셔(110)에서 접촉시킨 반도체 소자를 테스터에서 테스트하게 된다.(S120)
이때, 상기 테스터(120)에서 반도체 소자(110)의 테스트가 종료되기 1초전에 제2 컨텍터 푸셔(240)가 제2 고온 플레이트(220)에서 반도체 소자(120)를 픽업하여 대기한다.(S130)
여기서, 상기 반도체 소자(110)가 테스터(120)에서 테스트 종료되는 평균 시간을 제어부(도면 미 도시)에서 측정하여 종료 1초전 설정으로 프로그램에 의해 시간차를 제어하여 반도체 소자(110) 교체 시간을 단축하는 제어하는 것이다.(S140)
이때, 상기 테스터(120)가 반도체 소자(110)를 테스트하는 평균 시간을 측정하는 프로그램은 반도체 소자(110)를 테스트하는 제어부에서 반도체 소자(110)를 테스트하는 프로그램과 같은 하나의 테이터(120)를 구성한 프로그램으로 구성할 수 있다.
아울러, 상기 테스터(120)가 반도체 소자(110)를 테스트하는 평균 시간을 측정하여 제어부에서 교체하는 시간을 1초전으로 설정하여 교체제어할 수 있으며, 종료 1초전이 아니더라도 반도체 소자(110)를 테스트하는 평균 시간을 제어부에서 측정하여 반도체 소자(110)가 교체되는 시간차를 검사 종료 0.5초전 또는 검사 종료 2초전 등의 교체시간으로 변경하여 테스트 검사 환경에 맞게 설정값을 조정할 수 있음은 물론이다.
한편, 상기 테스터(120)에서 반도체 소자(110)의 테스트가 종료되어 제1 컨텍터 푸셔(230)가 테스터(120)에서 반도체 소자(110)를 픽업하여 테스터(120) 구간에서 이탈하게 된다.(S150)
이어서, 상기 제1 컨텍터 푸셔(230)에 의해 반도체 소자(110)가 테스터(120) 구간에서의 이탈과 동시에 제2 컨텍터 푸셔(240)에 부착된 반도체 소자(110)를 테 스터(120) 측으로 이동하여 테스터(120)에 접촉시킨다.(S160)
그리고, 상기 제2 컨텍터 푸셔(240)에서 접촉시킨 반도체 소자(110)를 테스터(120)에서 테스트 한다.(S170)
상기 테스터(120)에서 반도체 소자(110)의 테스트가 종료되기 1초전에 제1 컨텍터 푸셔(230)가 제1 고온 플레이트(210)에서 반도체 소자(110)를 픽업하여 대기(S180)함으로써 제1 컨텍터 푸셔(230)와 제2 컨텍터 푸셔(240)가 반도체 소자(110)를 테스터(120)에 반복 접촉 교체시키는 시간차 간격을 최소화하는 것이다.
이와 같이, 상기 테스터(120)가 중앙에 위치하고 양측에 각각 제1 고온 플레이트(210)와 제2 고온 플레이트(220)가 존재하여 제1,2 컨텍터 푸셔(230)(240)가 각각 교호되게 순차적으로 가열된 반도체 소자(110)를 테스터(120)에 반복 공급하는 반도체 소자(110) 공급 시간차는 반도체 소자(110)의 테스트 평균 시간을 제어부에서 측정하여 테스트 종료 1초전 설정에 의해 각각 제1,2 컨텍터 푸셔(230)(240)가 순차적으로 작동되는 것이다.
여기서, 제1 테스트 단계(S120)와 제2 테스트 단계(S170)에서는 테스터(120)에서 반도체 소자(110)의 테스트가 종료되기 1초전에 각각 제1,2 컨텍터 푸셔(230)(240)가 가열중인 반도체 소자(110)를 픽업과 대기에 빠른 교체 작업 제공으로 교체 시간을 단축하는 것이다.
아울러, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법을 나타낸 순서도이다.
상기 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 고온으로 반도체 소자(110)를 테 스트하는 방법에서 반도체 소자(110)의 교체 시간을 단출할 수 있는 제어 방법을 도면을 참조하여 보다 구체적으로 기술한다.
우선, 반도체 테스트 구간에는 중앙에 테스터(120)가 존재하며, 양측에 제1,2 고온 플레이트(210)(220)가 존재한다.
그리고, 공급되는 반도체 소자(110)를 이송장치에 의해 중앙에 위치한 테스터(120) 일측의 제1 고온 플레이트(210)에 안착시키면(S210) 설정된 온도로 반도체 소자(110)에 가열하여 설정된 온도로 올라갔는지를 확인(S220)하여 제1 컨텍터 푸셔(230)는 반도체 소자(110)를 픽업하게 된다.(S230)
이어서, 상기 제1 컨텍터 푸셔(230)는 반도체 소자(110)를 중앙에 위치한 테스터(120)에 접촉시키면 테스터(120)에서는 반도체 소자(110)의 테스트(S240)가 이루어진다.
여기서, 상기 반도체 소자(110)가 접촉되어 상기 반도체 소자(110)가 테스터(120)에서 테스트 종료되는 테스트 시간을 제어부(도면 미 도시)에서 측정하여 종료 1초전 시간차를 설정하기 위해 반도체 소자(110) 테스트 시간 평균값을 구하게 된다.(S252)
아울러, 상기 테스터(120)에서 반도체 소자(110)의 테스트가 완전히 종료되기 1초전을 제어부에서 체크(S254)하여 테스트 종료 1초전 일때 제2 컨텍터 푸셔(240)가 작동되도록 지시하는 것이다,
위의 테스트 검사에 있어 테스트 평균값을 구하여 테스트 종료 1초전에 다른 반도체 소자(110)를 픽업하면서 대기 상태를 이루는 것이 교체시간을 단축(250)할 수 있는 것이다.
이어서, 제어부의 1초전 작업 지시로 다음으로 테스트 하기 위한 테스터(120)의 타측에 존재하는 제2 고온 플레이트(220)에 안착되어 가열 중인 반도체 소자(110)를 제2 컨텍터 푸셔(240)가 픽업(S260)하여 대기한다.
한편, 상기 테스터(120)에서 검사 종료된 반도체 소자(110)를 제1 컨텍터 푸셔(230)에 의해 테스터(120) 구간에서의 이탈과 동시에 제2 컨텍터 푸셔(240)에 부착된 반도체 소자(110)를 테스터(120) 측으로 이동하여 테스터(120)에 접촉시키게 된다.
그리고, 상기 제2 컨텍터 푸셔(240)가 반도체 소자(110)를 테스터(120)에 접촉시켜 테스트가 종료(S270)되면 종료된 반도체 소자(110)를 제2 컨텍터 푸셔(240)가 픽업을 하여 검사할 다른 반도체 소자(110)가 남아 있는지 검색하는 요청으로 반도체 소자(110) 검사 작업 여부를 확인(S280)하여 상기 테스트할 반도체 소자(110)가 있으면 가열된 반도체 소자(110)를 제1 컨텍터 푸셔(230)가 픽업하게 된다.(S230)
이때, 상기 반도체 소자(110)의 테스트 작업을 반복하다가 테스터(120)에서 반도체 소자(110)의 테스트 후 다음 테스트 할 반도체 소자(110)가 소진되었으면 작업종료되어 더이상 작업은 이루어지지 않게 된다.
이같이, 상기 테스터(120)에서 반도체 소자(110)가 테스트 중일 때 반대편 제1,2 컨텍터 푸셔(Contact Pusher)(230)(240)가 테스트 종료 1초전에 제1,2 고온 플레이트(Hot Plate)(210)(220)에서 자재를 짚고 대기를 하기 때문에 각각의 제1,2 컨텍터 푸셔(230)(240)가 테스터(120)에 접촉시키는 시간을 매회당 0.8sec씩 시간을 단축 시킬 수 있는 것이다.
이와 같이, 상기 본 발명의 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법으로 현재 반도체 소자(110)의 테스트 되는 시간을 프로그램으로 제어하여 제어부에서 평균값을 구하여 평균값 시간 도달 전 미리 제1,2 고온 플레이트(210)(220)에서 반도체 소자(110)를 픽업하여 반도체 소자(110)의 교체 되는 시간을 단축하여 테스트 반도체 소자(110)의 수량을 향상 시켜 생산량을 크게 증대 시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
도 1은 종래의 반도체 고온 테스트 방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 고온 테스트를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 고온 테스트 시 반도체 소자의 테스트 구간을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법을 나타낸 블록도.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법을 나타낸 순서도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
110:반도체 소자 120:테스터
210:제1 고온 플레이트 220:제2 고온 플레이트
230:제 1 컨텍터 푸셔 240:제2 컨텍터 푸셔

Claims (4)

  1. 반도체 소자가 셔틀에 이동하여 중앙에 테스터와 양측에 각각 제1,2 고온 플레이트가 위치한 테스트 구간으로 진입한 반도체 소자를 이송부가 고온 플레이트에 반도체 소자를 안착시키면 가열되고, 제1,2 컨턱터 푸셔에 의해 반도체 소자를 테스터에 접촉시켜 테스트가 이루어지는 것을 반복 교체하면서 테스트하는 반도체 소자를 고온으로 테스트하는 검사 제어 방법에 있어서,
    상기 제1 고온 플레이트(210)에서 가열 된 반도체 소자(110)를 제1 컨텍터 푸셔(230)에서 픽업하여 중앙에 위치하는 테스터(120)에 접촉시키는 제1접촉 단계(S110)와;
    상기 제1 컨텍터 푸셔(230)에서 접촉시킨 반도체 소자(110)를 테스터(120)에서 테스트 하는 제1 테스트 단계(S120)와;
    상기 테스터(120)에서 반도체 소자(110)의 테스트가 종료되기 1초전에 제2 컨텍터 푸셔(240)가 제2 고온 플레이트(220)에서 반도체 소자(110)를 픽업하여 대기하는 제1 대기단계(S130)와;
    상기 반도체 소자(110)가 테스터(120)에서 테스트 종료되는 평균 시간을 제어부에서 측정하여 종료 1초전 시간차 설정으로 반도체 소자 교체 시간을 단축 제어하는 제어단계(S140)와;
    상기 테스터(120)에서 반도체 소자(110)의 테스트가 종료되어 제1 컨텍터 푸셔(230)가 테스터(120)에서 반도체 소자(110)를 픽업하는 테스터(110) 구간에서의 이탈단계(S150)와;
    상기 제1 컨텍터 푸셔(230)에 의해 반도체 소자(110)가 테스터(120) 구간에서의 이탈과 동시에 제2 컨텍터 푸셔(240)에 부착된 반도체 소자(110)를 테스터(120) 측으로 이동하여 테스터(120)에 접촉시키는 제2 접촉단계(S160)와;
    상기 제2 컨텍터 푸셔(240)에서 접촉시킨 반도체 소자(110)를 테스터(120)에서 테스트 하는 제2 테스트 단계(S170)와;
    상기 테스터(120)에서 반도체 소자(110)의 테스트가 종료되기 1초전에 제1 컨텍터 푸셔(230)가 제1 고온 플레이트(210)에서 반도체 소자(110)를 픽업하여 대기하는 제2 대기단계(S180);로 제1 컨텍터 푸셔(230)와 제2 컨텍터 푸셔(240)가 반도체 소자(110)를 테스터(120)에 반복 접촉 교체시키는 시간차 간격을 최소화하는 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 테스터(120)가 반도체 소자(110)를 검사 중 제2 컨텍터 푸셔(240)가 반도체 소자(110)를 픽업하는 시간차를 검사 종료 1초전으로 설정하는 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 테스터(120)가 중앙에 위치하고 양측에 각각 제1 고온 플레이트(210)와 제2 고온 플레이트(220)가 존재하여 제1,2 컨텍터 푸셔(230)(240)가 각각 교호되게 순차적으로 가열된 반도체 소자(110)를 테스터(120)에 반복 공급하는 반도체 소자(110) 공급 시간차는 반도체 소자(110)의 테스트 평균 시간을 제어부에서 측정하여 테스트 종료 1초전 설정에 의해 각각 제1,2 컨텍터 푸셔(230)(240)가 순차적으로 작동되는 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어단계(S140)에서 테스터(120)가 반도체 소자(110)를 테스트하는 평균 시간을 제어부에서 측정하여 반도체 소자(110)가 교체되는 시간차를 검사 종료 0.5초전, 검사 종료 2초전의 교체시간 설정값으로 조정할 수 있는 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 고온 테스트 시 반도체의 교체 시간 단축 제어방법.
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