KR100973006B1 - 발룬 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서, 상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부, 및 상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하는 발룬을 제공할 수 있다.
발룬(balun), 전송선로(transmission line)
Description
본 발명은, 발룬에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전송선로 및 공진회로를 사용하여 매칭 임피던스 특성, 신호 통과 특성, 평형단자 사이의 격리특성을 향상시킬 수 있는 발룬에 관한 것이다.
발룬(Balun)이란, 평형신호(Balanced Signal)을 불평형 신호(Unbalanced Signal)로 변환해주거나 또는 반대로 불평형 신호를 평형 신호로 변환해 주는 회로 또는 소자로서 전송선로의 조합 또는 집중소자(Lumped Element)를 사용하여 구현할 수 있다.
도 1의 (a) 및 (b)는 종래기술에 따른 발룬 회로의 구성도 및 등가 회로도이다.
도 1의 (a)를 참조하면 종래에는 발룬 회로를 구현하기 위해서 λ/4 의 전기적 길이를 갖는 전송선로(110) 및 3λ/4의 전기적 길이를 갖는 전송선로(120)를 이용하였다.
상기 도 1의 (a)의 발룬 회로는 상기 도 1의 (b)와 같은 등가회로로 표현될 수 있다. 상기 도 1의 (b)에 도시된 등가회로에서, 입력단(101)과 제1 출력단(102) 사이에 형성된 제1 인덕터(121) 및 제2 캐패시터(122)는 발룬 회로의 중심주파수를 차단 주파수로 하는 저역통과 필터로, 상기 입력단(101)과 제2 출력단(103) 사이에 형성된 제1 캐패시터(131) 및 제2 인덕터(132)는 고역 통과필터로 동작할 수 있다.
이러한 형태로 발룬 회로를 구현하는 경우에는 불평형단의 반사손실 특성, 입력단과 출력단 사이의 신호 통과특성, 두 평형 단자간 신호 격리 특성이 우수하지 못한 단점이 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 전송선로 및 공진회로를 사용하여 매칭 임피던스 특성, 신호 통과 특성, 및 평형단자 사이의 격리특성을 향상시킬 수 있는 발룬을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서, 상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부, 및 상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하는 발룬을 제공할 수 있다.
상기 제1 전송선로는, 상기 제1 평형단자 및 제2 평형단자 사이에 180도의 위상차를 유지하도록 할 수 있다.
상기 필터부는, 상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터와, 상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터와, 일단이 상기 제1 캐패시터 및 불평형 단자 사이에 연결되며 타단은 접지되는 제2 인덕터, 및 일단이 상기 제1 인덕터 및 불평형 단자 사이에 연결되며 타단은 접지되는 제2 캐패시터를 포함할 수 있다.
상기 필터부는, 상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터와, 상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터, 및 상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 제2 전송선로를 포함할 수 있다.
상기 제2 전송선로는, 동작주파수에서 90도의 전기적 길이를 가질 수 있다.
상기 발룬은, 상기 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 제2 인덕터를 더 포함할 수 있다.
상기 발룬은, 상기 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 제2 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
상기 발룬은, 상기 제2 전송선로에 병렬로 연결되는 제2 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
상기 필터부는, 상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터와, 상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터, 및 상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 개방되는 제2 전송선로를 포함할 수 있다.
상기 제2 전송선로는, 180도의 전기적 길이를 가질 수 있다.
상기 발룬은, 상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 제2 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전송선로 및 공진회로를 사용하여 매칭 임피던스 특성, 신호 통과 특성, 및 평형단자 사이의 격리특성을 향상시킬 수 있는 발룬을 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하겠다.
도 2는, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 2를 참조하면 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬(200)은, 제1 전송선로(210), 및 필터부(250)를 포함할 수 있다.
상기 발룬(200)에는 하나의 불평형 단자(201)와 두 개의 평형 단자(202, 203)가 형성될 수 있으며, 본 실시형태에서는, 불평형 단자를 입력단자(input)로, 평형단자를 출력단자(out1, out2)로 형성할 수 있다.
상기 제1 전송선로(210)는 일단이 상기 제1 평형단자(202)와 연결되며, 타단 은 상기 필터부(250)에 연결될 수 있다.
상기 필터부(250)는, 제1 인덕터(220), 제1 캐패시터(230), 제2 인덕터(241), 및 제2 캐패시터(242)를 포함할 수 있다.
상기 제1 인덕터(220)의 일단은 상기 제1 전송선로(210)에 연결될 수 있고, 타단은 상기 불평형 단자(201)에 연결될 수 있다. 제2 캐패시터(242)의 일단은 상기 제1 인덕터(220)와 불평형 단자(201) 사이에 연결되고 타단은 접지될 수 있다.
상기 불평형 단자(201)와 상기 제2 평형단자(203) 사이에는 제1 캐패시터(230)가 직렬 연결될 수 있다. 제2 인덕터(241)의 일단은 상기 제1 캐패시터(230)와 불평형 단자(201) 사이에 연결되고 타단은 접지될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 제1 인덕터(220) 및 제2 캐패시터(242)는 저역통과 필터를 형성하고, 상기 제1 캐패시터(230)와 제2 인덕터(241)는 고역통과 필터를 형성할 수 있다.
상기 제1 전송선로(210)는, 상기 제1 및 제2 평형단자(202, 203) 사이의 위상 차이를 180도로 유지하도록 형성될 수 있다. 상기 제1 전송선로는 특성임피던스(Z1) 및 전기적 길이(φ1)로 표현될 수 있으며, 상기 전송 선로의 특성 임피던스 및 전기적 길이는 회로의 특성에 따라 자유롭게 변경될 수 있다.
상기 입력단(201)에 연결되는 저항(R0)은 불평형 신호가 입력되는 입력단의 특성 임피던스를 나타내고, 출력단(202, 203)에 각각 연결되는 저항(RL)은 평형 신호가 출력되는 출력단의 부하 임피던스를 나타내며, 상기 입력단 및 출력단은 유입 되는 신호의 방향에 따라 서로 바뀔 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 3을 참조하면 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬(300)은, 제1 전송선로(310), 제1 인덕터(320), 제1 캐패시터(330), 및 제2 전송선로(240)를 포함할 수 있다.
상기 발룬(300)에는 하나의 불평형 단자(301)와 두 개의 평형 단자(302, 303)가 형성될 수 있으며, 본 실시형태에서는, 불평형 단자를 입력단자(input)로, 평형단자를 출력단자(out1, out2)로 형성할 수 있다.
상기 제1 전송선로(310)는 일단이 상기 제1 평형단자(302)와 연결되며, 타단은 상기 제1 인덕터(320)의 일단에 연결될 수 있다. 상기 제1 인덕터(320)의 타단은 상기 불평형 단자(301)에 연결될 수 있다.
상기 불평형 단자(301)와 상기 제2 평형단자(303) 사이에는 제1 캐패시터(330)가 연결될 수 있으며, 상기 제1 인덕터(320) 및 제1 캐패시터(330) 사이에는 제2 전송선로(340)의 일단이 연결될 수 있다.
상기 입력단(301)에 연결되는 저항(R0)은 불평형 신호가 입력되는 입력단의 특성 임피던스를 나타내고, 출력단(302, 303)에 각각 연결되는 저항(RL)은 평형 신호가 출력되는 출력단의 부하 임피던스를 나타내며, 상기 입력단 및 출력단은 유입되는 신호의 방향에 따라 서로 바뀔 수 있다.
상기 제1 전송선로(310)는, 상기 제1 및 제2 평형단자(302, 303) 사이의 위상 차이를 180도로 유지하도록 형성될 수 있다. 상기 제1 전송선로는 특성 임피던스(Z1) 및 전기적 길이(φ1)로 표현될 수 있으며, 상기 전송 선로의 특성 임피던스 및 전기적 길이는 회로의 특성에 따라 자유롭게 변경될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 제2 전송선로(340)는 일단이 접지되고, 소정의 특성 임피던스(Z2) 및 전기적 길이(φ2)로 표현될 수 있다. 여기서 상기 제2 전송선로의 전기적 길이는 동작주파수에서 λ/4 일 수 있다.
도 4는, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 4를 참조하면 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬(400)은, 제1 전송선로(410), 제1 인덕터(420), 제1 캐패시터(430), 및 제2 전송선로(440)를 포함할 수 있다.
상기 발룬(400)에는 하나의 불평형 단자(401)와 두 개의 평형 단자(402, 403)가 형성될 수 있으며, 본 실시형태에서는, 불평형 단자를 입력단자(input)로, 평형단자를 출력단자(out1, out2)로 형성할 수 있다.
상기 제1 전송선로(410)는 일단이 상기 제1 평형단자(402)와 연결되며, 타단은 상기 제1 인덕터(420)의 일단에 연결될 수 있다. 상기 제1 인덕터(420)의 타단은 상기 불평형 단자(401)에 연결될 수 있다.
상기 불평형 단자(401)와 상기 제2 평형단자(403) 사이에는 제1 캐패시 터(430)가 연결될 수 있으며, 상기 제1 인덕터(420) 및 제1 캐패시터(430) 사이에는 제2 전송선로(440)의 일단이 연결될 수 있다.
상기 입력단(401)에 연결되는 저항(R0)은 불평형 신호가 입력되는 입력단의 특성 임피던스를 나타내고, 출력단(402, 403)에 각각 연결되는 저항(RL)은 평형 신호가 출력되는 출력단의 부하 임피던스를 나타내며, 상기 입력단 및 출력단은 유입되는 신호의 방향에 따라 서로 바뀔 수 있다.
상기 제1 전송선로(410)는, 상기 제1 및 제2 평형단자(402, 403) 사이의 위상 차이를 180도로 유지하도록 형성될 수 있다. 상기 제1 전송선로는 특성임피던스(Z1) 및 전기적 길이(φ1)로 표현될 수 있으며, 상기 전송 선로의 특성 임피던스 및 전기적 길이는 회로의 특성에 따라 자유롭게 변경될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 제2 전송선로(440)는 일단이 개방되고, 소정의 특성 임피던스(Z3) 및 전기적 길이(φ3)로 표현될 수 있다. 여기서 상기 제2 전송선로의 전기적 길이는 동작주파수에서 λ/2 일 수 있다.
도 5의 (a) 내지 (d)는, 각각 상기 도 1 내지 도 4의 실시형태에 따른 발룬에서의 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5의 (a) 내지 (d)의 그래프에서는, 중심 주파수를 2.5 GHz, 대역폭을 100MHz, 입력 임피던스(RO) 및 출력 임피던스(RL)를 각각 50Ω으로 하고, 제1 인덕 터(L1) 및 제2 인덕터(L2)를 3.183nH, 1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)를 1.273pF로 하여 그 특성을 측정하였다. 또한, 제1 전송선로는 특성 임피던스를 50 옴으로 하고, 전기적 길이를 동작주파수에서 90도로 하였다.
도 5의 (a) 내지 (d)에서 각각 제1 곡선(①)은 입력단 임피던스 매칭 특성(S11), 제2 곡선(②)은 입력단에서부터 제1 출력단으로 통과되는 신호의 통과특성(S21), 제3 곡선(③)은 입력단에서부터 제2 출력단으로 통과되는 신호의 통과특성(S31), 제4 곡선(④)은 두 출력단 사이의 격리특성(S32)을 나타낸다.
먼저 도 1에 도시된 종래기술에 따른 발룬의 특성을 나타내는 도 5의 (a)와 도 2에 도시된 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬의 특성을 나타내는 도 5의 (b)를 비교하여 설명하겠다.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에서 입력단 임피던스 매칭 특성(①) 즉, 입력 반사손실을 각각 비교하면, 종래기술에 따른 발룬에 비해 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬이 동작 주파수인 2.5 GHz 대역에서 반사손실이 -20 dB 이하로 떨어져서 임피던스 매칭 특성이 크게 향상되는 것을 볼 수 있다.
또한, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에서 제1 출력단 및 제2 출력단에서의 신호의 통과특성(②, ③)을 비교하면, 종래기술에 따른 발룬에서는 2.5 GHz에서 삽입손실이 약 -3.52 dB을 나타내는데 반해, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬에서는 삽입손실이 약 -3.01 dB을 나타내었다. 따라서, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발 룬은 종래기술에 비해 삽입손실이 작아져 통과특성이 향상되는 것을 알 수 있다.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에서 두 출력단 사이의 격리특성(④)을 비교하면, 종래기술에 따른 발룬에서는 약 -3.52 dB를 나타내는데 반해, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬에서는 약 -6.02 dB를 나타내었다. 따라서, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬은 종래기술에 비해 두 출력단 사이의 격리 특성이 증가되는 것을 알 수 있다.
도 5의 (c)에 도시된 그래프는, 도 3에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발룬의 특성을 나타내는 그래프이다. 도 3에 도시된 실시형태의 발룬은 도 2에 도시된 실시형태의 발룬에서 인덕터(241) 및 캐패시터(242)로 구성되는 병렬공진회로(240)를 제2 전송선로(340)를 사용하여 구현한 것이다. 상기 제2 전송선로(340)는 특성 임피던스를 50 옴으로 하고, 전기적 길이를 동작주파수에서 90도로 하였다.
도 5의 (b) 및 도 5의 (c)를 비교하면, 동작 주파수인 2.5 GHz 대역에서의 입력 임피던스 매칭특성(①), 신호 통과특성(②, ③), 및 격리도 특성(④)은 모두 유사하게 나타날 수 있다.
다만, 도 3에 개시된 실시형태의 발룬의 경우에는 도 5의 (c)에 나타난 바와 같이 동작 주파수인 2.5 GHz 대역의 두 배인 약 5 GHz 대역에서 감쇠극(attenuation pole)(N1)이 나타남을 볼 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 발 룬에서는 동작 주파수인 2.5 GHz 대역에서의 동작 특성은 양호하고, 동작 주파수 이외의 주파수 대역에 대해서는 차단특성이 좋은 발룬을 얻을 수 있다.
도 5의 (d)에 도시된 그래프는, 도 4에 도시된 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발룬의 특성을 나타내는 그래프이다. 도 4에 도시된 실시형태의 발룬은 도 2에 도시된 실시형태의 발룬에서 인덕터(241) 및 캐패시터(242)로 구성되는 공진회로(240)를 일단이 개방된 제2 전송선로(440)를 사용하여 구현한 것이다. 상기 제2 전송선로(440)는 특성 임피던스를 50 옴으로 하고, 전기적 길이를 180도로 하였다.
도 5의 (c) 및 도 5의 (d)를 비교하면, 본 실시형태에서는 약 1.25 GHz와 약 3.75 GHz 에서 두 개의 감쇠극(N2, N3)이 형성됨을 볼 수 있다. 이처럼 통과 대역을 사이에 두고 두 개의 감쇠극이 형성되면 원하지 않는 대역의 주파수를 차단할 수 있는 특성이 양호해질 수 있다.
도 6의 (a) 및 (b)는, 상기 도 3에 도시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(340)의 임피던스 변화에 따른 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6의 (a)는 상기 제2 전송선로(340)의 특성 임피던스를 10 옴(ohm)으로 하고, 도 6의 (b)는 상기 제2 전송선로(340)의 특성 임피던스를 100 옴(ohm)으로 하여 시뮬레이션을 한 결과이다.
도 6의 (a) 및 (b)를 비교하면, 상기 제2 전송선로의 특성 임피던스가 낮아 지면 입력 매칭 특성(①)이 협대역이 되고, 저지대역에서의 감쇠특성(②, ③)이 크게 개선됨을 볼 수 있다. 또한, 반대로 제2 전송선로의 특성 임피던스가 높아지면 입력 매칭 특성(①)이 광대역이 되고, 저지대역에서의 감쇠특성(②, ③)이 저하됨을 볼 수 있다. 따라서, 본 실시형태에서는 상기 제2 전송선로의 특성 임피던스를 조절하여 입력 매칭 특성 및 저지대역에서의 감쇠특성 등을 조절할 수 있다.
도 7 내지 도 10은 각각 상기 도 3에 개시된 실시형태의 발룬에 추가적인 인덕터 또는 캐패시터를 연결한 구조를 갖는 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 7의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 7의 (a)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬은, 상기 도 3에 도시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(740)와 접지부 사이에 제2 인덕터(750)가 추가적으로 직렬 연결될 수 있다.
본 실시형태에서, 제1 전송선로(710)는 특성임피던스가 50 옴이고 전기적 길이가 90도 이며, 제1 인덕터(720)는 약 3.183 nH, 제1 캐패시터(730)는 1.273 pF 로 하고, 상기 제2 인덕터(750)의 인덕턴스를 약 3 nH로 한 경우, 상기 제2 전송선로(740)의 전기적 길이를 47도로 단축할 수 있다. 따라서 상기 추가적인 제2 인덕터(750)의 인덕턴스 값을 조절함으로써 상기 제2 전송선로(740)의 길이를 단축시킬 수 있다. 단, 이때 공진기의 역할을 하는 제2 전송선로의 물리적 길이가 단축되므 로 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 감쇠극(attenuation pole)은 5 GHz 이상의 주파수로 이동될 수 있다.
도 8의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 8의 (a)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬은, 상기 도 3에 개시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(840)와 병렬연결되도록 제2 캐패시터(850)가 추가적으로 연결될 수 있다.
본 실시형태에서, 제1 전송선로(810)는 특성임피던스가 50 옴이고 전기적 길이가 90도 이며, 제1 인덕터(820)는 약 3.183 nH, 제1 캐패시터(830)는 1.273 pF 이고, 상기 제2 캐패시터(850)의 캐패시턴스를 3 pF 로 한 경우, 상기 제2 전송선로(840)의 전기적 길이를 23도로 단축할 수 있다. 따라서 상기 추가적인 제2 캐패시터(850)의 캐패시턴스 값을 조절함으로써 상기 제2 전송선로(840)의 길이를 단축시킬 수 있다. 단, 이때 공진기의 물리적 길이가 단축되므로 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 감쇠극(attenuation pole)은 5 GHz 이상의 주파수로 이동될 수 있다.
도 9의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 9의 (a)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬은, 상기 도 3에 개시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(940)와 입력단자(901) 사이에 제2 인덕터(950)가 추가적으로 직렬 연결될 수 있다.
도 9의 (b)에 도시된 본 실시형태의 특성 그래프를 상기 도 7의 (b)의 그래프와 비교하면, 본 실시형태의 경우 감쇠극(N4)이 5GHz 이하로 이동하는 것을 알 수 있다. 따라서, 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 추가적인 제2 인덕터의 위치에 따라서 신호 통과특성을 조절할 수 있다.
도 10의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 10의 (a)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬은, 상기 도 3에 개시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(1040)와 입력단자(1001) 사이에 추가적인 제2 캐패시터(1050)이 직렬 연결될 수 있다.
도 10의 (b)에 도시된 본 실시형태의 특성 그래프를 상기 도 8의 (b)의 그래프와 비교하면, 본 실시형태의 경우 감쇠극(attenuation pole)이 5GHz 이하로 이동하는 것을 알 수 있다. 또한 본 실시형태에서는 통과대역을 사이에 두고 두 개의 감쇠극(N5, N6)이 형성될 수 있다. 여기서, 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 추가적인 제2 캐패시터의 값을 변경하여 상기 감쇠극이 형성되는 주파수를 조절할 수 있다.
도 11은 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 11을 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬(1100)은 상기 도 4에 도시된 발룬에서 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고, 타단은 접지되는 추가적인 제2 캐패시터(1150)가 더 포함될 수 있다.
상기 추가적인 제2 캐패시터(1150)는 상기 제2 전송선로(1140)와 용량 결합을 이루므로, 상기 제2 캐패시터(1150)의 캐패시턴스 값을 조절하면 상기 제2 전송선로(1140)의 길이를 줄일 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1의 (a) 및 (b)는, 종래기술에 따른 발룬의 구성도 및 이의 등가 회로도이다.
도 2는, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 3은, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 4는, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 5의 (a) 내지 (d)는, 각각 상기 도 1 내지 도 4에 도시된 발룬의 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6의 (a) 및 (b)는, 상기 도 3에 도시된 발룬에서 제2 전송선로의 임피던스에 따른 특성변화를 나타내는 그래프이다.
도 7의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 8의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 9의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 10의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 11은, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
210 : 제1 전송선로 220 : 제1 인덕터
230 : 제1 캐패시터 241 : 제2 인덕터
242 : 제2 캐패시터 250 : 필터부
340 : 제2 전송선로
Claims (11)
- 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서,상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부; 및상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하고,상기 제1 전송선로는, 상기 제1 평형단자 및 제2 평형단자 사이에 180도의 위상차를 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 발룬.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 필터부는,상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터;상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터;일단이 상기 제1 캐패시터 및 불평형 단자 사이에 연결되며 타단은 접지되는 제2 인덕터; 및일단이 상기 제1 인덕터 및 불평형 단자 사이에 연결되며 타단은 접지되는 제2 캐패시터를 포함하는 발룬.
- 삭제
- 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서,상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부; 및상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하고,상기 필터부는,상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터;상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터; 및상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 제2 전송선로를 포함하며,상기 제2 전송선로는, 90도의 전기적 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 발룬.
- 제5항에 있어서,상기 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 제2 인덕터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬.
- 제5항에 있어서,상기 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 제2 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬.
- 제5항에 있어서,상기 제2 전송선로에 병렬로 연결되는 제2 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬.
- 삭제
- 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서,상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부; 및상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하고,상기 필터부는,상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터;상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터; 및상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 개방되는 제2 전송선로를 포함하며,상기 제2 전송선로는, 180도의 전기적 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 발룬.
- 제10항에 있어서,상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 제2 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080052029A KR100973006B1 (ko) | 2008-06-03 | 2008-06-03 | 발룬 |
US12/262,206 US7956702B2 (en) | 2008-06-03 | 2008-10-31 | Balun |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080052029A KR100973006B1 (ko) | 2008-06-03 | 2008-06-03 | 발룬 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090125939A KR20090125939A (ko) | 2009-12-08 |
KR100973006B1 true KR100973006B1 (ko) | 2010-07-30 |
Family
ID=41379069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080052029A KR100973006B1 (ko) | 2008-06-03 | 2008-06-03 | 발룬 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7956702B2 (ko) |
KR (1) | KR100973006B1 (ko) |
Cited By (1)
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-
2008
- 2008-06-03 KR KR1020080052029A patent/KR100973006B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-10-31 US US12/262,206 patent/US7956702B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090125939A (ko) | 2009-12-08 |
US20090295496A1 (en) | 2009-12-03 |
US7956702B2 (en) | 2011-06-07 |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |