KR100973006B1 - 발룬 - Google Patents

발룬 Download PDF

Info

Publication number
KR100973006B1
KR100973006B1 KR1020080052029A KR20080052029A KR100973006B1 KR 100973006 B1 KR100973006 B1 KR 100973006B1 KR 1020080052029 A KR1020080052029 A KR 1020080052029A KR 20080052029 A KR20080052029 A KR 20080052029A KR 100973006 B1 KR100973006 B1 KR 100973006B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transmission line
terminal
balun
capacitor
inductor
Prior art date
Application number
KR1020080052029A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090125939A (ko
Inventor
이동환
윤희수
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020080052029A priority Critical patent/KR100973006B1/ko
Priority to US12/262,206 priority patent/US7956702B2/en
Publication of KR20090125939A publication Critical patent/KR20090125939A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100973006B1 publication Critical patent/KR100973006B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/42Balance/unbalance networks
    • H03H7/422Balance/unbalance networks comprising distributed impedance elements together with lumped impedance elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1758Series LC in shunt or branch path
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1775Parallel LC in shunt or branch path

Abstract

본 발명은, 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서, 상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부, 및 상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하는 발룬을 제공할 수 있다.
발룬(balun), 전송선로(transmission line)

Description

발룬 {BALUN}
본 발명은, 발룬에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전송선로 및 공진회로를 사용하여 매칭 임피던스 특성, 신호 통과 특성, 평형단자 사이의 격리특성을 향상시킬 수 있는 발룬에 관한 것이다.
발룬(Balun)이란, 평형신호(Balanced Signal)을 불평형 신호(Unbalanced Signal)로 변환해주거나 또는 반대로 불평형 신호를 평형 신호로 변환해 주는 회로 또는 소자로서 전송선로의 조합 또는 집중소자(Lumped Element)를 사용하여 구현할 수 있다.
도 1의 (a) 및 (b)는 종래기술에 따른 발룬 회로의 구성도 및 등가 회로도이다.
도 1의 (a)를 참조하면 종래에는 발룬 회로를 구현하기 위해서 λ/4 의 전기적 길이를 갖는 전송선로(110) 및 3λ/4의 전기적 길이를 갖는 전송선로(120)를 이용하였다.
상기 도 1의 (a)의 발룬 회로는 상기 도 1의 (b)와 같은 등가회로로 표현될 수 있다. 상기 도 1의 (b)에 도시된 등가회로에서, 입력단(101)과 제1 출력단(102) 사이에 형성된 제1 인덕터(121) 및 제2 캐패시터(122)는 발룬 회로의 중심주파수를 차단 주파수로 하는 저역통과 필터로, 상기 입력단(101)과 제2 출력단(103) 사이에 형성된 제1 캐패시터(131) 및 제2 인덕터(132)는 고역 통과필터로 동작할 수 있다.
이러한 형태로 발룬 회로를 구현하는 경우에는 불평형단의 반사손실 특성, 입력단과 출력단 사이의 신호 통과특성, 두 평형 단자간 신호 격리 특성이 우수하지 못한 단점이 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 전송선로 및 공진회로를 사용하여 매칭 임피던스 특성, 신호 통과 특성, 및 평형단자 사이의 격리특성을 향상시킬 수 있는 발룬을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서, 상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부, 및 상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하는 발룬을 제공할 수 있다.
상기 제1 전송선로는, 상기 제1 평형단자 및 제2 평형단자 사이에 180도의 위상차를 유지하도록 할 수 있다.
상기 필터부는, 상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터와, 상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터와, 일단이 상기 제1 캐패시터 및 불평형 단자 사이에 연결되며 타단은 접지되는 제2 인덕터, 및 일단이 상기 제1 인덕터 및 불평형 단자 사이에 연결되며 타단은 접지되는 제2 캐패시터를 포함할 수 있다.
상기 필터부는, 상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터와, 상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터, 및 상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 제2 전송선로를 포함할 수 있다.
상기 제2 전송선로는, 동작주파수에서 90도의 전기적 길이를 가질 수 있다.
상기 발룬은, 상기 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 제2 인덕터를 더 포함할 수 있다.
상기 발룬은, 상기 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 제2 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
상기 발룬은, 상기 제2 전송선로에 병렬로 연결되는 제2 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
상기 필터부는, 상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터와, 상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터, 및 상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 개방되는 제2 전송선로를 포함할 수 있다.
상기 제2 전송선로는, 180도의 전기적 길이를 가질 수 있다.
상기 발룬은, 상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 제2 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전송선로 및 공진회로를 사용하여 매칭 임피던스 특성, 신호 통과 특성, 및 평형단자 사이의 격리특성을 향상시킬 수 있는 발룬을 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하겠다.
도 2는, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 2를 참조하면 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬(200)은, 제1 전송선로(210), 및 필터부(250)를 포함할 수 있다.
상기 발룬(200)에는 하나의 불평형 단자(201)와 두 개의 평형 단자(202, 203)가 형성될 수 있으며, 본 실시형태에서는, 불평형 단자를 입력단자(input)로, 평형단자를 출력단자(out1, out2)로 형성할 수 있다.
상기 제1 전송선로(210)는 일단이 상기 제1 평형단자(202)와 연결되며, 타단 은 상기 필터부(250)에 연결될 수 있다.
상기 필터부(250)는, 제1 인덕터(220), 제1 캐패시터(230), 제2 인덕터(241), 및 제2 캐패시터(242)를 포함할 수 있다.
상기 제1 인덕터(220)의 일단은 상기 제1 전송선로(210)에 연결될 수 있고, 타단은 상기 불평형 단자(201)에 연결될 수 있다. 제2 캐패시터(242)의 일단은 상기 제1 인덕터(220)와 불평형 단자(201) 사이에 연결되고 타단은 접지될 수 있다.
상기 불평형 단자(201)와 상기 제2 평형단자(203) 사이에는 제1 캐패시터(230)가 직렬 연결될 수 있다. 제2 인덕터(241)의 일단은 상기 제1 캐패시터(230)와 불평형 단자(201) 사이에 연결되고 타단은 접지될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 제1 인덕터(220) 및 제2 캐패시터(242)는 저역통과 필터를 형성하고, 상기 제1 캐패시터(230)와 제2 인덕터(241)는 고역통과 필터를 형성할 수 있다.
상기 제1 전송선로(210)는, 상기 제1 및 제2 평형단자(202, 203) 사이의 위상 차이를 180도로 유지하도록 형성될 수 있다. 상기 제1 전송선로는 특성임피던스(Z1) 및 전기적 길이(φ1)로 표현될 수 있으며, 상기 전송 선로의 특성 임피던스 및 전기적 길이는 회로의 특성에 따라 자유롭게 변경될 수 있다.
상기 입력단(201)에 연결되는 저항(R0)은 불평형 신호가 입력되는 입력단의 특성 임피던스를 나타내고, 출력단(202, 203)에 각각 연결되는 저항(RL)은 평형 신호가 출력되는 출력단의 부하 임피던스를 나타내며, 상기 입력단 및 출력단은 유입 되는 신호의 방향에 따라 서로 바뀔 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 3을 참조하면 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬(300)은, 제1 전송선로(310), 제1 인덕터(320), 제1 캐패시터(330), 및 제2 전송선로(240)를 포함할 수 있다.
상기 발룬(300)에는 하나의 불평형 단자(301)와 두 개의 평형 단자(302, 303)가 형성될 수 있으며, 본 실시형태에서는, 불평형 단자를 입력단자(input)로, 평형단자를 출력단자(out1, out2)로 형성할 수 있다.
상기 제1 전송선로(310)는 일단이 상기 제1 평형단자(302)와 연결되며, 타단은 상기 제1 인덕터(320)의 일단에 연결될 수 있다. 상기 제1 인덕터(320)의 타단은 상기 불평형 단자(301)에 연결될 수 있다.
상기 불평형 단자(301)와 상기 제2 평형단자(303) 사이에는 제1 캐패시터(330)가 연결될 수 있으며, 상기 제1 인덕터(320) 및 제1 캐패시터(330) 사이에는 제2 전송선로(340)의 일단이 연결될 수 있다.
상기 입력단(301)에 연결되는 저항(R0)은 불평형 신호가 입력되는 입력단의 특성 임피던스를 나타내고, 출력단(302, 303)에 각각 연결되는 저항(RL)은 평형 신호가 출력되는 출력단의 부하 임피던스를 나타내며, 상기 입력단 및 출력단은 유입되는 신호의 방향에 따라 서로 바뀔 수 있다.
상기 제1 전송선로(310)는, 상기 제1 및 제2 평형단자(302, 303) 사이의 위상 차이를 180도로 유지하도록 형성될 수 있다. 상기 제1 전송선로는 특성 임피던스(Z1) 및 전기적 길이(φ1)로 표현될 수 있으며, 상기 전송 선로의 특성 임피던스 및 전기적 길이는 회로의 특성에 따라 자유롭게 변경될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 제2 전송선로(340)는 일단이 접지되고, 소정의 특성 임피던스(Z2) 및 전기적 길이(φ2)로 표현될 수 있다. 여기서 상기 제2 전송선로의 전기적 길이는 동작주파수에서 λ/4 일 수 있다.
도 4는, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 4를 참조하면 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬(400)은, 제1 전송선로(410), 제1 인덕터(420), 제1 캐패시터(430), 및 제2 전송선로(440)를 포함할 수 있다.
상기 발룬(400)에는 하나의 불평형 단자(401)와 두 개의 평형 단자(402, 403)가 형성될 수 있으며, 본 실시형태에서는, 불평형 단자를 입력단자(input)로, 평형단자를 출력단자(out1, out2)로 형성할 수 있다.
상기 제1 전송선로(410)는 일단이 상기 제1 평형단자(402)와 연결되며, 타단은 상기 제1 인덕터(420)의 일단에 연결될 수 있다. 상기 제1 인덕터(420)의 타단은 상기 불평형 단자(401)에 연결될 수 있다.
상기 불평형 단자(401)와 상기 제2 평형단자(403) 사이에는 제1 캐패시 터(430)가 연결될 수 있으며, 상기 제1 인덕터(420) 및 제1 캐패시터(430) 사이에는 제2 전송선로(440)의 일단이 연결될 수 있다.
상기 입력단(401)에 연결되는 저항(R0)은 불평형 신호가 입력되는 입력단의 특성 임피던스를 나타내고, 출력단(402, 403)에 각각 연결되는 저항(RL)은 평형 신호가 출력되는 출력단의 부하 임피던스를 나타내며, 상기 입력단 및 출력단은 유입되는 신호의 방향에 따라 서로 바뀔 수 있다.
상기 제1 전송선로(410)는, 상기 제1 및 제2 평형단자(402, 403) 사이의 위상 차이를 180도로 유지하도록 형성될 수 있다. 상기 제1 전송선로는 특성임피던스(Z1) 및 전기적 길이(φ1)로 표현될 수 있으며, 상기 전송 선로의 특성 임피던스 및 전기적 길이는 회로의 특성에 따라 자유롭게 변경될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 제2 전송선로(440)는 일단이 개방되고, 소정의 특성 임피던스(Z3) 및 전기적 길이(φ3)로 표현될 수 있다. 여기서 상기 제2 전송선로의 전기적 길이는 동작주파수에서 λ/2 일 수 있다.
도 5의 (a) 내지 (d)는, 각각 상기 도 1 내지 도 4의 실시형태에 따른 발룬에서의 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5의 (a) 내지 (d)의 그래프에서는, 중심 주파수를 2.5 GHz, 대역폭을 100MHz, 입력 임피던스(RO) 및 출력 임피던스(RL)를 각각 50Ω으로 하고, 제1 인덕 터(L1) 및 제2 인덕터(L2)를 3.183nH, 1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)를 1.273pF로 하여 그 특성을 측정하였다. 또한, 제1 전송선로는 특성 임피던스를 50 옴으로 하고, 전기적 길이를 동작주파수에서 90도로 하였다.
도 5의 (a) 내지 (d)에서 각각 제1 곡선(①)은 입력단 임피던스 매칭 특성(S11), 제2 곡선(②)은 입력단에서부터 제1 출력단으로 통과되는 신호의 통과특성(S21), 제3 곡선(③)은 입력단에서부터 제2 출력단으로 통과되는 신호의 통과특성(S31), 제4 곡선(④)은 두 출력단 사이의 격리특성(S32)을 나타낸다.
먼저 도 1에 도시된 종래기술에 따른 발룬의 특성을 나타내는 도 5의 (a)와 도 2에 도시된 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬의 특성을 나타내는 도 5의 (b)를 비교하여 설명하겠다.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에서 입력단 임피던스 매칭 특성(①) 즉, 입력 반사손실을 각각 비교하면, 종래기술에 따른 발룬에 비해 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬이 동작 주파수인 2.5 GHz 대역에서 반사손실이 -20 dB 이하로 떨어져서 임피던스 매칭 특성이 크게 향상되는 것을 볼 수 있다.
또한, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에서 제1 출력단 및 제2 출력단에서의 신호의 통과특성(②, ③)을 비교하면, 종래기술에 따른 발룬에서는 2.5 GHz에서 삽입손실이 약 -3.52 dB을 나타내는데 반해, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬에서는 삽입손실이 약 -3.01 dB을 나타내었다. 따라서, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발 룬은 종래기술에 비해 삽입손실이 작아져 통과특성이 향상되는 것을 알 수 있다.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에서 두 출력단 사이의 격리특성(④)을 비교하면, 종래기술에 따른 발룬에서는 약 -3.52 dB를 나타내는데 반해, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬에서는 약 -6.02 dB를 나타내었다. 따라서, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬은 종래기술에 비해 두 출력단 사이의 격리 특성이 증가되는 것을 알 수 있다.
도 5의 (c)에 도시된 그래프는, 도 3에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발룬의 특성을 나타내는 그래프이다. 도 3에 도시된 실시형태의 발룬은 도 2에 도시된 실시형태의 발룬에서 인덕터(241) 및 캐패시터(242)로 구성되는 병렬공진회로(240)를 제2 전송선로(340)를 사용하여 구현한 것이다. 상기 제2 전송선로(340)는 특성 임피던스를 50 옴으로 하고, 전기적 길이를 동작주파수에서 90도로 하였다.
도 5의 (b) 및 도 5의 (c)를 비교하면, 동작 주파수인 2.5 GHz 대역에서의 입력 임피던스 매칭특성(①), 신호 통과특성(②, ③), 및 격리도 특성(④)은 모두 유사하게 나타날 수 있다.
다만, 도 3에 개시된 실시형태의 발룬의 경우에는 도 5의 (c)에 나타난 바와 같이 동작 주파수인 2.5 GHz 대역의 두 배인 약 5 GHz 대역에서 감쇠극(attenuation pole)(N1)이 나타남을 볼 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 발 룬에서는 동작 주파수인 2.5 GHz 대역에서의 동작 특성은 양호하고, 동작 주파수 이외의 주파수 대역에 대해서는 차단특성이 좋은 발룬을 얻을 수 있다.
도 5의 (d)에 도시된 그래프는, 도 4에 도시된 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발룬의 특성을 나타내는 그래프이다. 도 4에 도시된 실시형태의 발룬은 도 2에 도시된 실시형태의 발룬에서 인덕터(241) 및 캐패시터(242)로 구성되는 공진회로(240)를 일단이 개방된 제2 전송선로(440)를 사용하여 구현한 것이다. 상기 제2 전송선로(440)는 특성 임피던스를 50 옴으로 하고, 전기적 길이를 180도로 하였다.
도 5의 (c) 및 도 5의 (d)를 비교하면, 본 실시형태에서는 약 1.25 GHz와 약 3.75 GHz 에서 두 개의 감쇠극(N2, N3)이 형성됨을 볼 수 있다. 이처럼 통과 대역을 사이에 두고 두 개의 감쇠극이 형성되면 원하지 않는 대역의 주파수를 차단할 수 있는 특성이 양호해질 수 있다.
도 6의 (a) 및 (b)는, 상기 도 3에 도시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(340)의 임피던스 변화에 따른 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6의 (a)는 상기 제2 전송선로(340)의 특성 임피던스를 10 옴(ohm)으로 하고, 도 6의 (b)는 상기 제2 전송선로(340)의 특성 임피던스를 100 옴(ohm)으로 하여 시뮬레이션을 한 결과이다.
도 6의 (a) 및 (b)를 비교하면, 상기 제2 전송선로의 특성 임피던스가 낮아 지면 입력 매칭 특성(①)이 협대역이 되고, 저지대역에서의 감쇠특성(②, ③)이 크게 개선됨을 볼 수 있다. 또한, 반대로 제2 전송선로의 특성 임피던스가 높아지면 입력 매칭 특성(①)이 광대역이 되고, 저지대역에서의 감쇠특성(②, ③)이 저하됨을 볼 수 있다. 따라서, 본 실시형태에서는 상기 제2 전송선로의 특성 임피던스를 조절하여 입력 매칭 특성 및 저지대역에서의 감쇠특성 등을 조절할 수 있다.
도 7 내지 도 10은 각각 상기 도 3에 개시된 실시형태의 발룬에 추가적인 인덕터 또는 캐패시터를 연결한 구조를 갖는 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 7의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 7의 (a)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬은, 상기 도 3에 도시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(740)와 접지부 사이에 제2 인덕터(750)가 추가적으로 직렬 연결될 수 있다.
본 실시형태에서, 제1 전송선로(710)는 특성임피던스가 50 옴이고 전기적 길이가 90도 이며, 제1 인덕터(720)는 약 3.183 nH, 제1 캐패시터(730)는 1.273 pF 로 하고, 상기 제2 인덕터(750)의 인덕턴스를 약 3 nH로 한 경우, 상기 제2 전송선로(740)의 전기적 길이를 47도로 단축할 수 있다. 따라서 상기 추가적인 제2 인덕터(750)의 인덕턴스 값을 조절함으로써 상기 제2 전송선로(740)의 길이를 단축시킬 수 있다. 단, 이때 공진기의 역할을 하는 제2 전송선로의 물리적 길이가 단축되므 로 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 감쇠극(attenuation pole)은 5 GHz 이상의 주파수로 이동될 수 있다.
도 8의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 8의 (a)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬은, 상기 도 3에 개시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(840)와 병렬연결되도록 제2 캐패시터(850)가 추가적으로 연결될 수 있다.
본 실시형태에서, 제1 전송선로(810)는 특성임피던스가 50 옴이고 전기적 길이가 90도 이며, 제1 인덕터(820)는 약 3.183 nH, 제1 캐패시터(830)는 1.273 pF 이고, 상기 제2 캐패시터(850)의 캐패시턴스를 3 pF 로 한 경우, 상기 제2 전송선로(840)의 전기적 길이를 23도로 단축할 수 있다. 따라서 상기 추가적인 제2 캐패시터(850)의 캐패시턴스 값을 조절함으로써 상기 제2 전송선로(840)의 길이를 단축시킬 수 있다. 단, 이때 공진기의 물리적 길이가 단축되므로 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 감쇠극(attenuation pole)은 5 GHz 이상의 주파수로 이동될 수 있다.
도 9의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 9의 (a)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬은, 상기 도 3에 개시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(940)와 입력단자(901) 사이에 제2 인덕터(950)가 추가적으로 직렬 연결될 수 있다.
도 9의 (b)에 도시된 본 실시형태의 특성 그래프를 상기 도 7의 (b)의 그래프와 비교하면, 본 실시형태의 경우 감쇠극(N4)이 5GHz 이하로 이동하는 것을 알 수 있다. 따라서, 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 추가적인 제2 인덕터의 위치에 따라서 신호 통과특성을 조절할 수 있다.
도 10의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 10의 (a)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬은, 상기 도 3에 개시된 실시형태의 발룬에서 제2 전송선로(1040)와 입력단자(1001) 사이에 추가적인 제2 캐패시터(1050)이 직렬 연결될 수 있다.
도 10의 (b)에 도시된 본 실시형태의 특성 그래프를 상기 도 8의 (b)의 그래프와 비교하면, 본 실시형태의 경우 감쇠극(attenuation pole)이 5GHz 이하로 이동하는 것을 알 수 있다. 또한 본 실시형태에서는 통과대역을 사이에 두고 두 개의 감쇠극(N5, N6)이 형성될 수 있다. 여기서, 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 추가적인 제2 캐패시터의 값을 변경하여 상기 감쇠극이 형성되는 주파수를 조절할 수 있다.
도 11은 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 11을 참조하면, 본 실시형태에 따른 발룬(1100)은 상기 도 4에 도시된 발룬에서 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고, 타단은 접지되는 추가적인 제2 캐패시터(1150)가 더 포함될 수 있다.
상기 추가적인 제2 캐패시터(1150)는 상기 제2 전송선로(1140)와 용량 결합을 이루므로, 상기 제2 캐패시터(1150)의 캐패시턴스 값을 조절하면 상기 제2 전송선로(1140)의 길이를 줄일 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1의 (a) 및 (b)는, 종래기술에 따른 발룬의 구성도 및 이의 등가 회로도이다.
도 2는, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 3은, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 4는, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
도 5의 (a) 내지 (d)는, 각각 상기 도 1 내지 도 4에 도시된 발룬의 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6의 (a) 및 (b)는, 상기 도 3에 도시된 발룬에서 제2 전송선로의 임피던스에 따른 특성변화를 나타내는 그래프이다.
도 7의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 8의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 9의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 10의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도 및 특성 그래프이다.
도 11은, 본 발명의 추가적인 실시형태에 따른 발룬의 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
210 : 제1 전송선로 220 : 제1 인덕터
230 : 제1 캐패시터 241 : 제2 인덕터
242 : 제2 캐패시터 250 : 필터부
340 : 제2 전송선로

Claims (11)

  1. 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서,
    상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부; 및
    상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하고,
    상기 제1 전송선로는, 상기 제1 평형단자 및 제2 평형단자 사이에 180도의 위상차를 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 발룬.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 필터부는,
    상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터;
    상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터;
    일단이 상기 제1 캐패시터 및 불평형 단자 사이에 연결되며 타단은 접지되는 제2 인덕터; 및
    일단이 상기 제1 인덕터 및 불평형 단자 사이에 연결되며 타단은 접지되는 제2 캐패시터
    를 포함하는 발룬.
  4. 삭제
  5. 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서,
    상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부; 및
    상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하고,
    상기 필터부는,
    상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터;
    상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터; 및
    상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 제2 전송선로를 포함하며,
    상기 제2 전송선로는, 90도의 전기적 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 발룬.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 제2 인덕터
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 전송선로에 직렬로 연결되는 제2 캐패시터
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제2 전송선로에 병렬로 연결되는 제2 캐패시터
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬.
  9. 삭제
  10. 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자를 포함하는 발룬회로에 있어서,
    상기 제1 평형단자, 제2 평형단자, 및 불평형 단자에 연결되며 저역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하는 필터부; 및
    상기 필터부와 상기 제1 평형단자 사이에 연결되는 제1 전송선로를 포함하고,
    상기 필터부는,
    상기 제1 전송선로와 상기 불평형 단자 사이에 직렬 연결되는 제1 인덕터;
    상기 불평형 단자와 상기 제2 평형단자 사이에 직렬 연결되는 제1 캐패시터; 및
    상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 개방되는 제2 전송선로를 포함하며,
    상기 제2 전송선로는, 180도의 전기적 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 발룬.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 인덕터 및 제1 캐패시터 사이에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 제2 캐패시터
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬.
KR1020080052029A 2008-06-03 2008-06-03 발룬 KR100973006B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080052029A KR100973006B1 (ko) 2008-06-03 2008-06-03 발룬
US12/262,206 US7956702B2 (en) 2008-06-03 2008-10-31 Balun

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080052029A KR100973006B1 (ko) 2008-06-03 2008-06-03 발룬

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090125939A KR20090125939A (ko) 2009-12-08
KR100973006B1 true KR100973006B1 (ko) 2010-07-30

Family

ID=41379069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080052029A KR100973006B1 (ko) 2008-06-03 2008-06-03 발룬

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7956702B2 (ko)
KR (1) KR100973006B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019216559A1 (ko) * 2018-05-10 2019-11-14 순천향대학교 산학협력단 Lc 발룬

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012014984A1 (ja) * 2010-07-28 2012-02-02 国立大学法人京都工芸繊維大学 マイクロ波共振器
US9306535B2 (en) 2013-02-28 2016-04-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Integrated receive filter including matched balun
US10200009B2 (en) * 2016-08-31 2019-02-05 Analog Devices Global Switchable transformer-based balun
CN108134170B (zh) * 2016-12-01 2021-02-19 国基电子(上海)有限公司 一种平衡非平衡转换器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040027039A (ko) * 2002-09-27 2004-04-01 삼성전기주식회사 3 라인 발룬 트랜스포머
JP2005166702A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Tdk Corp バラン
JP2006108814A (ja) 2004-09-30 2006-04-20 Taiyo Yuden Co Ltd バランスフィルタ
KR20080017951A (ko) * 2006-08-23 2008-02-27 엘지이노텍 주식회사 발룬

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100288964B1 (ko) 1999-03-06 2001-04-16 김춘호 고주파용적층형트랜스포머
US6621370B1 (en) * 2000-09-15 2003-09-16 Atheros Communications, Inc. Method and system for a lumped-distributed balun
CN1495963A (zh) 2002-08-30 2004-05-12 ���µ�����ҵ��ʽ���� 滤波器、高频模块、通信设备以及滤波方法
FR2848721A1 (fr) * 2002-12-13 2004-06-18 St Microelectronics Sa Transformateur a changement de mode selectif en frequences
FR2878092A1 (fr) * 2004-11-18 2006-05-19 St Microelectronics Sa Balun a elements localises

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040027039A (ko) * 2002-09-27 2004-04-01 삼성전기주식회사 3 라인 발룬 트랜스포머
JP2005166702A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Tdk Corp バラン
JP2006108814A (ja) 2004-09-30 2006-04-20 Taiyo Yuden Co Ltd バランスフィルタ
KR20080017951A (ko) * 2006-08-23 2008-02-27 엘지이노텍 주식회사 발룬

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019216559A1 (ko) * 2018-05-10 2019-11-14 순천향대학교 산학협력단 Lc 발룬

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090125939A (ko) 2009-12-08
US20090295496A1 (en) 2009-12-03
US7956702B2 (en) 2011-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180026601A1 (en) High isolation power combiner/splitter and coupler
US6621376B2 (en) Multiband matching circuit for a power amplifier
US9543630B2 (en) Electronic device
US6952142B2 (en) Frequency-selective balun transformer
KR20080099809A (ko) 정합 회로
KR100973006B1 (ko) 발룬
WO2017047199A1 (ja) 可変移相器、可変移相回路、rfフロントエンド回路および通信装置
US7109827B2 (en) Filter arrangement for balanced and unbalanced line systems
KR100969614B1 (ko) 비가역 회로 소자
JP5094515B2 (ja) ミリ波帯スイッチ
KR101207061B1 (ko) 소형 Gbps 무선신호 송수신기용 다중 극점 대역통과 여파기용 신형 메타재질 CRLH 기본구조와 그의 교차결합에 의한 채널 선택도 향상법
KR102303898B1 (ko) 복합 필터 장치
KR100449226B1 (ko) 유전체 듀플렉서
KR101758905B1 (ko) 개방루프 공진기를 이용한 이중대역 대역통과 여파기
JP4650897B2 (ja) 周波数可変rfフィルタ
Padmavathi et al. Analysis and design of reflectionless filters for c band applications
JP4501729B2 (ja) 高周波フィルタ
JP4230467B2 (ja) コプレーナライン型の共振器を用いた高周波フィルタ
KR101889091B1 (ko) 위상 경로차 유도용 다중 링 구조의 초광대역 소형 대역 통과 여파기
JP2008054174A (ja) 90度ハイブリッド回路
JP6135316B2 (ja) 高調波抑圧回路
Kumar et al. Switchable compact widestopband bandstop filter to wideband bandpass filter
JP4994275B2 (ja) 高周波多分岐スイッチ
JP2011244187A (ja) 帯域可変フィルタ
JP2009164997A (ja) 帯域可変フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130624

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140701

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150707

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee