KR100964314B1 - 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법 - Google Patents

포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100964314B1
KR100964314B1 KR1020070136597A KR20070136597A KR100964314B1 KR 100964314 B1 KR100964314 B1 KR 100964314B1 KR 1020070136597 A KR1020070136597 A KR 1020070136597A KR 20070136597 A KR20070136597 A KR 20070136597A KR 100964314 B1 KR100964314 B1 KR 100964314B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser
repair
substrate
source gas
photo mask
Prior art date
Application number
KR1020070136597A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090068824A (ko
Inventor
김일호
Original Assignee
주식회사 코윈디에스티
김일호
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코윈디에스티, 김일호 filed Critical 주식회사 코윈디에스티
Priority to KR1020070136597A priority Critical patent/KR100964314B1/ko
Publication of KR20090068824A publication Critical patent/KR20090068824A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100964314B1 publication Critical patent/KR100964314B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법은 포토 마스크 리페어 장치에 있어서, 스테이지 상에 안착된 기판의 결함을 리페어할 수 있도록 레이저 빔을 공급하는 레이저 발진부; 상기 레이저 발진부에서 공급되는 레이저 빔을 상기 기판의 리페어 위치에 전달하는 광학계; 상기 기판 리페어시 금속 소스가스를 상기 기판에 공급하는 원료가스 공급부; 상기 원료가스 공급부와 연결되어 박막 형성 물질을 근접한 상기 기판에 공급하는 챔버; 및 상기 기판 리페어시 가공면을 모니터링할 수 있는 모니터링부; 를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따르면, 증착 물질에 따라 레이저 조사 시간과 유량을 조절하여 증착율을 측정하고, 원하는 증착 두께에 따라 레이저 조사 시간과 유량을 조정함에 따라 피가공물의 정밀 리페어가 가능하도록 제어할 수 있으므로 정확한 두께 조절이 가능하고 과대 증착에 대해 이를 제거하는 공정이 필요하지 않으며 택 타임(Tact time) 저하 및 단가 절감을 할 수 있는 효과가 있다.
포토 마스크, 리페어, 증착, 두께 제어, 금속소스 가스, 퍼지 가스

Description

포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법{REPAIR METHOD FOR PHOTO MASK AND APPARATUS OF PHOTO MASK REPAIR}
본 발명은 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 증착 물질에 따라 레이저 조사 시간과 유량을 조절하여 증착률을 측정하고 원하는 증착 두께에 따라 레이저 조사 시간과 유량을 조정함에 따라 피가공물의 정밀 리페어가 가능하도록 제어할 수 있으므로 정확한 두께 조절이 가능하고 과대 증착에 따른 제거 공정이 필요하지 않으며 택 타임(Tact time) 저하 및 단가 절감할 수 있는 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로 포토리소그라피(photolithography) 공정에 의해 패터닝을 할 때 사용되는 일반적인 포토 마스크는 기판과 상기 기판상에 형성되며 광을 완전히 투과시키는 광투과부와 광을 완전히 차단시키는 광차단부를 가진다.
상기와 같은 종래의 일반적인 포토 마스크는 한 층의 패턴을 구현할 수밖에 없으므로 노광→현상→에칭으로 이루어지는 한 사이클의 포토리소그라피 공정에만 사용할 수 있다.
여기서 일반적인 포토 마스크는 단지 한 층의 패턴을 구현할 수밖에 없는 구 조로 되어 있어 비경제적이므로 기판상에 형성되어 조사되는 광을 완전히 투과시키는 광투과부와, 조사되는 광을 완전히 차단시키는 광차단부 및 조사되는 광의 일부만 투과시키는 반투과부를 가지는 하프 톤 마스크(half tone mask) 등이 개발되고 있는 시점이다.
종래에서 포토 마스크의 리페어는 크게 접착력 향상을 위한 첨가 재료를 사용하는 기술과, 흔히 흑점 불량이라 일컬어지는 마스크 패턴을 벗어나 과대 증착된 영역의 패턴을 다듬거나 연결부를 제거하는 트리밍(Trimming) 기술 및 흔히 백점 불량이라 일컬어지는 미증착 또는 증착 불량 등을 수리하는 기술로 이루어진다.
각 픽셀들은 0 내지 255 범위의 스케일의 그레이 레벨 값을 취할 수 있다.그러므로, 마스크를 생성하기 위하여, 촬영된 사진의 그레이 레벨 값은 2개의 영역, 즉 결함이 있는 비마스킹 영역과 결함이 없는 마스킹 영역으로 나뉜다.
여기서, 종래에는 증착 공정을 진행하면서 하프 톤을 만드는데 그레이 레벨(Gray-Level)을 30%정도로 맞춰야 하고, 기존의 방법들에서 레이저를 이용한 증착 기술은 레이저 종류, 파워(Power), 스캔 속도 및 온도 등의 증착 속도에 영향을 주는 요소들이 있어서 레이저 증착시 사용하는 레이저와 원료 가스(Cr, Mo)의 증착 속도가 매우 빨라서 두께 제어가 어려우므로 증착 조건을 맞추기가 쉽지 않으며 이로 인해 과대 증착(Over Deposition)이 발생되어 이를 제거하는 공정이 추가로 발생하게 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 증착 물질에 따라 레이저 조사 시간과 유량을 조절하여 증착률을 측정하고 원하는 증착 두께에 따라 레이저 조사 시간과 유량을 조정함에 따라 피가공물의 정밀 리페어가 가능하도록 제어할 수 있으므로 정확한 두께 조절이 가능하고 과대 증착에 따른 제거 공정이 필요하지 않으며 택 타임(Tact time) 저하 및 단가 절감할 수 있게 한 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법을 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 포토 마스크 리페어 장치에 있어서, 스테이지 상에 안착된 기판의 결함을 리페어할 수 있도록 레이저 빔을 공급하는 레이저 발진부; 상기 레이저 발진부에서 공급되는 레이저 빔을 상기 기판의 리페어 위치에 전달하는 광학계; 상기 기판 리페어시 금속 소스가스를 상기 기판에 공급하는 원료가스 공급부; 상기 원료가스 공급부와 연결되어 박막 형성 물질을 근접한 상기 기판에 공급하는 챔버; 및 상기 기판 리페어시 가공면을 모니터링할 수 있는 모니터링부; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명의 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법은 증착 물질에 따라 레이저 조사 시간과 유량을 조절하여 증착률을 측정하고 원하는 증착 두께에 따라 레이저 조사 시간과 유량을 조정함에 따라 피가공물의 정밀 리페어가 가능하도록 제어할 수 있으므로 정확한 두께 조절이 가능하고 과대 증착에 대해 이를 제거 하는 공정이 필요하지 않으며 택 타임(Tact time) 저하 및 단가 절감할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법을 첨부도면을 참조하여 일 실시 예를 들어 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 포토 마스크 리페어 장치는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 레이저 발진부(100), 광학계(130), 원료가스 공급부, 챔버(190), 제어부(도면에 미도시), 모니터링부(도면에 미도시) 및 스테이지(200)로 이루어진다.
상기 레이저 발진부(100)는 트리밍(Trimming) 공정을 수행하여 피가공물(이하 ‘기판’)의 과대 증착된 영역을 수리하도록 레이저 빔을 공급하거나 피가공물(이하 '기판')의 끊어진 영역의 패턴 불량을 수리하되 상기 스테이지(200) 상에 안착된 기판(S)의 결함을 리페어할 수 있도록 증착 두께를 조절하면서 레이저 빔을 공급한다.
여기서, 상기 레이저 빔은 근자외선(NUV) 이하의 레이저를 사용하여 흑점 불량시 트리밍(Trimming) 공정을 수행하거나, 백점 불량시 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 수행할 수 있으며, 적외선(IR) 레이저와 근자외선(NUV) 레이저를 이용하되 펄스파 근자외선(NUV) 레이저 이하 또는 적외선(IR) 레이저는 흑점 불량시 리페어에 적용하고, 연속파 근자외선(NUV) 레이저 이하의 레이저는 백점 불량 시 리페어에 적용한다.
여기서, 흑점 불량에 따른 리페어시 레이저는 36 피코초(pico second) 이하의 펄스 지속 시간(pulse duration)을 가질 때 온도에 의한 손상이 없다.
상기 레이저 발진부(100)는 레이저 소스를 방출하되 단일 펄스 구동 또는 반복 펄스 구동이 가능하며 다이오드 펌핑 고체 레이저 방식 또는 플래시 램프 펌핑 고체 레이저 방식으로 발진되고 피코초(ps) 내지 펨토초(fs) 펄스 폭, 즉, 36 피코초(36 X 10-12 초) 이하의 펄스 폭을 갖는다. 그리고 상기 레이저 발진부(100)는 하나 또는 복수개로 구비되며 파장대는 250 ~1064nm 사이를 사용한다.
더욱이, 상기 레이저 발진부(100)는 Q-스위치 방식으로 레이저 빔을 발진하며, 네오늄 YAG(Nd:YAG), 네오늄 YLF(Nd:YLF) 레이저, 사파이어(Ti:Sapphire) 레이저, 화이버 오실레이터(Fiber-Oscillator), 이터븀(Yitterbium) 및 엑시머(Excimer) 레이저 중 적어도 어느 하나를 발진한다.
상기 광학계(130)는 상기 레이저 발진부(100)에서 공급되는 레이저 빔을 상기 기판(S)의 리페어 위치에 조사하여 초점이 맺히도록 전달하며, 빔 쉐이퍼(110), 빔 세기 조절부(120), 레이저 형상 및 크기 조절부(140), CCD 카메라부(150), 오토 포커스부(160), 리볼버(170) 및 대물렌즈(180)로 세분화하여 구성된다.
상기 빔 쉐이퍼(Beam shaper: 110)는 상기 레이저 발진부(100)에서 발진되는 레이저를 균질화된 빔으로 변화시키거나 및 공정시 원하는 크기를 갖도록 확대시킨다.
상기 빔 세기 조절부(120)는 상기 빔 쉐이퍼(110)에서 출력되는 레이저 빔의 세기를 조절하며, 에테뉴에이터(attenuator) 및 파워컨트롤러로 구성된다.
한편, 상기 빔 세기 조절부(120)와 후술할 레이저 형상 및 크기 조절부(140)의 사이에는 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140) 방향으로 레이저 빔을 굴절시키는 미러(122)가 구비된다.
상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140)는 상기 빔 세기 조절부(120)를 거친 레이저 빔의 형상 및 가공 면의 크기를 조절하며, 상기 기판(S)의 결함에 대한 리페어 위치인 가공 면의 크기에 따라 가변되는 슬릿 타입(Slit type) 또는 마스크 타입(Mask type) 중 어느 하나로 구비되며, 구동부(도면에 미도시)에 의해 구동되어 레이저 형상 및 크기 조절부(140)가 슬릿 타입일 경우 크기 조절 및 위치 이동을 위해 구동시키고, 마스크 타입일 경우 위치 이동을 위해 구동시킨다.
조명(142)은 제1 빔 스플리터(144)에 의해 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140)를 밝게 하도록 조사하며, 일반 램프 또는 LED 램프 중 어느 하나를 접목시킨다.
제1 빔 스플리터(Beam Splitter: 144)는 상기 빔 세기 조절부(120)와 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140) 및 조명(142)의 레이저 조사 교차점에 구비되어 레이저 빔을 레이저 형상 및 크기 조절부(140)로 전송하거나 상기 조명(142)의 빛을 레이저 빔과 함께 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140)로 전송한다.
상기 CCD 카메라부(150)는 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140)와 상기 대물렌즈(180) 사이에서 리페어 위치에 초점을 맞출 수 있도록 상기 기판(S)의 리페어 영상을 취득하며, 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140)와 상기 대물렌즈(180) 및 상기 CCD 카메라부(150)의 레이저 조사 교차점에 제2 빔 스플리터(152)가 구비된다.
더욱이, 상기 CCD 카메라부(150)는 상기 기판(S) 리페어시 가공 위치를 출력하고 이 이외에 촬영된 영상을 제어부(도면에 미도시)에 의하여 리페어 전/후의 결함 유무를 비교 판독하고 검사/확인할 수 있으며 이 결과를 상기 오토 포커스부(160)에 구동 신호를 수신하여 초점을 자동으로 맞출 수 있다.
그리고 상기 제2 빔 스플리터(152)는 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140)에서의 레이저 빔을 상기 대물렌즈(180)로 전달하거나, 이 대물렌즈(180)를 통해 취득한 상기 기판(S)의 리페어 영상을 상기 CCD 카메라부(150)에 선택적으로 전송할 수 있다.
상기 오토 포커스부(Auto Focus Unit: 160)는 상기 CCD 카메라부(150)와 상기 대물렌즈(180) 사이에 구비되어 리페어 위치를 자동으로 초점을 맞추기 위해 Z축 구동부(미도시)로 구동 신호를 전달하여 상기 대물렌즈(180)를 기판 방향 또는 기판 반대 방향으로 이동시킨다.
그리고 상기 오토 포커스부(160)에는 반사조명(162)이 더 구비되며 그 사이에 구비되는 제4 빔 스플리터(166)에 의해 상기 대물렌즈(180)를 거쳐 상기 기판(S)의 리페어 위치를 밝게 하도록 조사하거나 이 오토 포커스부(160)에서 상기 기판(S)의 리페어 부위 영상을 취득하여 초점을 맞출 수 있도록 있다.
그리고 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140)와 상기 대물렌즈(180) 및 상기 오토 포커스부(160)의 레이저 조사 교차점에 제3 빔 스플리터(164)가 구비되며, 상기 제3 빔 스플리터(164)는 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140)를 거친 레이저 빔을 상기 대물렌즈(180)에 전달하거나 상기 기판(S)의 리페어 위치에 대한 영상을 상기 오토 포커스부(160)에 선택적으로 전송할 수 있다.
상기 리볼버(Revolver: 170)는 상기 대물렌즈(180)와 상기 제3 빔 스플리터(164)의 사이에 구비되어 이 대물렌즈(180)의 배율을 바꾸도록 상기 대물렌즈(180)를 회전되게 한다.
상기 대물렌즈(180)는 상기 챔버(190)의 상부에 구비되어 상기 레이저 형상 및 크기 조절부(140)에서 출력되는 레이저 빔을 이 챔버(190) 내부로 조사하게 된다.
상기 원료가스 공급부는 기판 리페어시 원료가스를 상기 기판(S)에 공급하는 기능을 하되, 상기 챔버(190)에 박막 형성 물질인 금속소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급부(198a)와 이 챔버(190)에 박막 형성 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부(198b)로 세분화하여 구성된다.
상기 소스 가스 공급부(198a)는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1개의 금속원자를 포함하는 금속 소스가스를 공급하며 상기 챔버(190)의 소스 가스주입구(196a)로 연결된다.
또한 상기 금속 소스 가스 공급부(198a)는 크롬(Cr)과 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)에 증착 속도를 적절히 조절(제어)하기 위해 텅스텐(W)을 설정 비율로 혼합한 가스를 상기 챔버(190)의 소스 가스주입구(196a)로 주입하도록 연결된다.
상기 퍼지 가스 공급부(198b)는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 가스 중 어느 하나 또는 혼합된 가스를 상기 챔버(190)의 퍼지 가스주입구(198)로 주입하도록 연결된다.
상기 챔버(190)는 상기 원료가스 공급부와 연결되며 이 원료가스 공급부를 통해 박막 형성 물질을 상기 기판(S)에 근접한 상태로 공급하는 기능을 하며, 본체(192), 광학창(194), 소스 가스주입구(196a), 배기가스 흡입구(196b) 및 퍼지 가스주입구(198)로 세분화하여 구성된다.
상기 본체(192)는 그 내부에 상기 소스 가스 공급부(198a)를 통해 주입되는 금속소스 가스인 박막 형성 물질이 충진되어 리페어를 실시한다.
상기 광학창(194)은 상기 본체(192)의 내부 상단에 고정되어 상기 대물렌즈(180)를 통과한 상기 레이저 빔을 상기 기판(S)에 조사한다.
상기 소스 가스주입구(196a)는 상기 본체(192)의 저면 중심부에 형성되며 상기 본체(192)의 외벽에서 상기 소스 가스 공급부(198a)와 연결되어 소스 가스를 리페어시 상기 기판(S)에 공급한다.
상기 배기가스 흡입구(196b)는 상기 소스 가스주입구(196a)와 상기 퍼지 가스주입구(198)의 사이 공간에 원형 홈 형태로 형성되어 미반응가스 및 반응 부가물을 외부로 배기할 수 있도록 배기가스 흡입라인(198c)을 통해 배기 펌프(도면에 미도시)와 연결된다.
상기 퍼지 가스주입구(198)는 상기 본체(192)의 저면 가장자리에 원형 홈 형태로 형성되며 상기 본체(192)의 외벽에서 상기 퍼지 가스 공급부(198b)와 연결되 어 퍼지 가스 공급시 에어 커튼 기능을 하므로 기판(S) 리페어시 미반응가스 및 반응 부가물이 외부로 반출되는 것을 방지한다.
상기 제어부는 상기 레이저 발진부(100), 빔 쉐이퍼(110), 빔 세기 조절부(120), 레이저 형상 및 크기 조절부(140)의 구동부, CCD 카메라부(150), 오토 포커스부(160), 리볼버(170), 원료가스 공급부 및 후술할 모니터링부를 제어한다.
여기서, 상기 모니터링부는 상기 기판(S) 리페어시 가공 면을 출력할 수 있도록 CCD 카메라부(150)와 연결되며 이 이외에 상기 CCD 카메라부(150)에 의해 촬영된 영상을 상기 제어부에 의하여 결함 유무를 비교 판독하고 검사/확인할 수 있다.
상기 스테이지(200)는 그 상면에 리페어 공정을 수행할 기판(S)이 로딩/언로딩되어 안착되고 클램프(도면에 미도시)에 의해 고정된다. 그리고 상기 기판(S) 후면인 상기 스테이지(200)의 하측에 투과조명(transmitted illumination: 210)을 설치하여 불량이 발생한 부위를 상기 투과조명(210)으로 비추어준다.
더욱이, 상기 투과조명(210)은 기판(S) 후면에서 구동부(도면에 미도시)에 의해 X축, Y축으로 구동하여 패턴의 위치로 이동하게 된다.
한편, 상기 레이저 발진부(100), 광학계(130) 및 챔버(190)로 이루어지는 헤드는 기판(S)의 한 부분의 리페어가 완료되면 타 리페어 공간으로 이동하는 구동수단(도면에 미도시)에 의해 상기 스테이지(200) 상에서 X, Y, Z축 방향으로 이동된다.
본 발명에 의한 포토 마스크 리페어 방법은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 결함 유무 확인 단계(300), 결함 위치 이동 단계(310), 결함 위치 확인 및 리페어 준비 단계(320), 리페어 단계(330), 증착 두께 조절 단계(340) 및 리페어 완료 후 결함 유무 확인 단계(350)로 구성된다.
상기 결함 유무 확인 단계(300)는 결함 위치에 대한 정보를 인식하고 인식 정보를 출력할 수 있도록 상기 기판상에 결함 유무를 확인하되 컨베이어(도면에 미도시) 또는 이송로봇(도면에 미도시)에 의해 상기 스테이지(200)로 로딩된 상기 기판(S) 상에 결함 유무를 상기 CCD 카메라부(150)로 촬영한 후 상기 제어부에서 판단하여 결함 위치를 파악하는 단계이다.
이때, 상기 결함 유무 확인 단계(300)의 수행 이전에 카메라로 촬영하여 상기 기판(S)의 결함 여부 검사하는 단계가 더 수행되며 이 결함 여부에 대한 정보를 인식하도록 리페어 장비에 구동신호를 출력하게 된다. 여기서, 상기 단계(300)에서 상기 기판(S)의 결함이 있다고 판단되면 기판(S)을 로딩시킨 후 얼라인(Align)하게 된다.
상기 결함 위치 이동 단계(310)는 결함 여부에 대한 정보를 수신받은 후 결함 순서를 상기 제어부에서 결정하며 상기 기판(S)의 결함 위치로 상기 레이저 발진부(100), 광학계(130) 및 챔버(190)로 이루어지는 헤드를 상기 구동수단의 구동에 의해 이동시켜 레이저 빔의 조사 위치를 리페어 위치로 이동시키는 단계이다.
여기서, 상기 레이저 빔은 적외선 레이저(IR), 자외선 레이저(UV) 중 하나 또는 복수개로 구성할 수 있으며 250 ~ 1064nm의 레이저 파장을 갖고 단일 펄스 구 동 또는 반복 펄스 구동이 가능하며 다이오드 펌핑 고체 레이저 방식 또는 플래시 램프 펌핑 고체 레이저 방식으로 발진되고 피코초(ps) 내지 펨토초(fs) 펄스 폭, 즉, 36 피코초(36 X 10-12 초) 이하의 펄스 폭을 갖는다.
더욱이, 상기 레이저 발진부(100)는 Q-스위치 방식으로 레이저 빔을 발진하며, 네오늄 YAG(Nd:YAG), 네오늄 YLF(Nd:YLF) 레이저, 사파이어(Ti:Sapphire) 레이저, 화이버 오실레이터(Fiber-Oscillator), 이터븀(Yitterbium) 및 엑시머(Excimer) 레이저 중 적어도 어느 하나를 발진한다.
상기 결함 위치 확인 및 리페어 준비 단계(320)는 상기 결함 위치 이동 단계(310) 수행 후에 상기 CCD 카메라부(150)로 리페어 위치를 재차 촬영한 후 상기 제어부에서 결함 여부를 재차 판단하고 결함 발생 위치가 맞다면 상기 레이저 발진부(100), 광학계(130), 챔버(190) 및 원료가스 공급부를 작동시킬 수 있도록 준비하는 단계이다.
상기 리페어 단계(330)는 상기 기판(S) 상의 결함 위치를 증착하여 리페어하는 단계로, 상기 레이저 빔을 X, Y 축 방향으로 이동시키면서 상기 본체(192)의 광학창(194)을 통과하여 조사하되 상기 원료가스 공급부의 소스 공급부(198a)를 통해 공급되는 금속소스 가스인 금속 원료가스에 레이저 빔을 조사하면 금속과 결합된 배위자(ligand)간의 결합이 깨지면서 금속 원자만 떨어져 나오게 되는데, 금속 패턴 상에서 이러한 반응을 일으키면 금속원자가 기판(S)의 금속 패턴 위에 박막형태로 증착 형성된다.
즉, 상기 리페어 단계(330)는 상기 기판 결함 위치에 금속소스 가스를 주입하는 단계, 금속소스 가스를 주입 위치에 상기 레이저 빔을 조사하여 증착하는 단계, 상기 레이저 빔 조사시 외측에서 미반응가스 및 반응 부가물의 누출을 방지하도록 퍼지 가스를 공급하는 단계 및 상기 기판의 리페어시 미반응가스 및 반응 부가물을 흡입하는 단계로 이루어진다.
한편, 상기 리페어 단계(330)는 근자외선(NUV) 이하의 레이저를 사용하여 흑점 불량시 트리밍(Trimming) 공정을 수행하거나, 백점 불량시 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 수행할 수 있으며, 적외선(IR) 레이저와 근자외선(NUV) 레이저를 이용하되 펄스파 근자외선(UV)이하 레이저 또는 적외선(IR) 레이저는 흑점 불량시 리페어에 적용하고, 근자외선(NUV) 이하의 연속파 레이저는 백점 불량시 리페어에 적용한다.
여기서, 흑점 불량에 따른 리페어시 레이저는 36 피코초(pico second) 이하의 펄스 지속 시간(pulse duration)을 가질 때 온도에 의한 손상이 없다.
이때, 상기 리페어 단계(330) 수행시 상기 기판(S) 후면에 구비된 투과조명(transmitted illumination: 210)을 설치하여 불량이 발생한 부위를 상기 투과조명(210)으로 비추고 모니터링부(미도시)를 통해 리페어시 양품 패턴과 불량 패턴의 이미지를 모니터링하면서 증착을 실시한다.
상기 소스 가스 공급부(198a)는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1개의 금속원자를 포함하는 금속 소스가스를 공급하며 상기 챔버(190)의 소스 가스주입구(196a)로 연결된다.
여기 상기 기판 결함 위치에 금속소스 가스를 주입하는 단계는 상기 원료가스 공급부의 소스 가스 공급부(198a)와 연결된 상기 본체(192)의 소스가스 주입구(196a)를 통해 기판(S)의 결함 위치에 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1개의 금속원자를 포함하는 금속 소스가스를 공급하며 상기 챔버(190)의 소스 가스주입구(196a)로 연결된다.
상기 금속소스 가스를 주입 위치에 상기 레이저 빔을 조사하여 증착하는 단계는 상기 기판(S)의 결함 위치에 공급되는 금속소스 가스에 레이저 빔을 조사하면 이 금속소스 가스가 기판(S)의 표면에 집중되어 모이도록 공급(Feeding)하여 기판(S) 표면에 금속소스 가스의 화학 흡착(Chemical absorption)을 유도하며 메탈 증착을 실시한다.
즉, 금속소스 가스를 공급하여 광학분해 작용을 하면서 끊어진 패턴 영역에 금속원료가 증착된다.
상기 레이저 빔 조사시 외측에서 미반응가스 및 반응 부가물의 누출을 방지 하도록 퍼지 가스를 공급하는 단계는 상기 원료가스 공급의 퍼지가스 공급부(198b)와 연결된 상기 본체(192)의 퍼지가스 주입구(196b)를 통해 기판(S)의 리페어시 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 가스 중 어느 하나 또는 혼합된 가스를 상기 챔버(190)의 퍼지 가스주입구(198)로 주입하도록 연결된다.
이때, 상기 퍼지가스에 의해 미반응가스 및 반응 부가물을 외부로 상기 배기가스 흡입라인(198c)을 통해 배기할 때 에어 커튼 기능을 하므로 기판(S) 리페어시 미반응가스 및 반응 부가물이 외부로 반출되는 것을 강제적으로 차단한다.
상기 기판의 리페어시 미반응가스 및 반응 부가물을 흡입하는 단계는 상기 레이저 빔 조사시 외측에서 미반응가스 및 반응 부가물의 누출을 방지하도록 퍼지 가스를 공급하는 단계 진행시 반출을 차단하는 미반응가스 및 반응 부가물을 상기 배기펌프에 의해 흡입하여 공정에 악영향을 미치는 것을 방지한다.
또한 상기 소스 가스 공급부(198a)는 크롬(Cr)과 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)에 증착 속도를 적절히 조절(제어)하기 위해 텅스텐(W)을 설정 비율로 혼합한 가스를 상기 챔버(190)의 소스 가스주입구(196a)로 주입하도록 연결된다.
상기 기판 리페어시 증착 두께를 조절하는 단계(340)는 상기 기판(S) 리페어시 반응 소스 가스의 특성과 반응을 일으키는 레이저 빔 및 증착 조건이 반응 속도에 영향을 미치므로 금속소스 가스에 따라 레이저 조사 시간과 소스 가스의 유량을 조절하면서 레이저 빔을 피코초(ps) 또는 펨토초(fs) 펄스 폭을 갖도록 발진시키면 리페어시 증착 두께의 고정밀 제어가 가능하다.
결국, 금속소스 가스를 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr) 및 몰리브덴(Mo)과 같은 증착 물질에 따라 레이저 조사 시간과 소스 가스의 유량을 각각 조절하여 원하는 증착 두께에 따라 증착 두께의 정밀한 컨트롤이 가능하다.
더욱이, 상기 기판 리페어시 증착 두께를 조절하는 단계(340)는 그레이 레벨 조절시 레이저 조사 시간과 소스 가스의 유량을 조절하여 증착 두께를 조절하며, 하프톤 마스크를 리페어 할 때 그레이 레벨을 기존과 동일하게 유지하면서 증착 두께 조절을 상기 모니터링부를 통해 모니터링하면서 실시한다.
그 후, 상기 기판(S) 상의 메탈 증착 층 표면에 보호막 증착(Passivation)하여 내구성 향상을 추구할 수 있다.
상기 리페어 완료 후 결함 유무 확인 단계(350)는 상기 CCD 카메라부(150)로 리페어 완료된 결함 위치를 촬영한 후 상기 제어부에서 판단하여 결함 완료를 파악하는 단계이다.
여기서, 상기 단계(350)가 종료된 다음 상기 기판(S)의 결함이 완전히 리페어 되지 않았다고 상기 제어부에서 판단되면 로딩된 기판(S)을 처음 단계로 로딩한 후 상기 단계들을 반복한다.
그리고 상기 리페어 완료 후 결함 유무 확인 단계(350) 수행 이후 이웃한 리페어 위치로 이동하고 재차 상기 단계들을 반복 수행한다.
또한, 상기 기술한 실시예는 제어부에 의해 수동 및 자동으로 실시된다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 보호범위는 상기 실시 예에 한정되는 것이 아니며, 해당 기술분야의 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 사상 및 기술영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 포토 마스크 리페어 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 의한 포토 마스크 리페어 장치에서 챔버를 도시한 측단면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 포토 마스크 리페어 방법의 공정 순서를 나타낸 플로우 차트이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 레이저 발진부 110: 빔 쉐이퍼
120: 빔 세기 조절부 130: 광학계
140: 레이저 형상 및 크기 조절부 142: 조명
144: 빔 스플리터 150: CCD 카메라부
160: 오토 포커스부 170: 리볼버
180: 대물렌즈 190: 챔버
200: 스테이지 210: 투과조명
S: 기판

Claims (25)

  1. 포토 마스크 리페어 장치에 있어서,
    스테이지 상에 안착된 기판의 결함을 리페어할 수 있도록 레이저 빔을 공급하는 레이저 발진부;
    상기 레이저 발진부에서 공급되는 레이저 빔을 상기 기판의 리페어 위치에 전달하는 광학계;
    상기 기판 리페어시 금속 소스가스를 챔버에 공급하는 원료가스 공급부;
    상기 원료가스 공급부와 연결되어 박막 형성 물질을 하측에 근접한 상기 기판에 공급하는 챔버; 및
    상기 기판 리페어시 가공면을 촬상하여 모니터링할 수 있는 모니터링부;를 포함하며,
    상기 챔버는,
    상기 기판의 상측에 위치되는 본체;
    상기 본체내 상단에 고정되어 상기 레이저 빔을 상기 기판에 조사하는 광학창;
    상기 본체의 저면 중심부에 형성되며 소스 가스 공급부와 연결되어 금속소스 가스를 리페어시 상기 기판에 공급하는 소스 가스주입구;
    상기 본체의 저면 가장자리에 원형 홈 형태로 형성되며 퍼지 가스 공급부와 연결되어 퍼지 가스 공급시 에어 커튼 기능을 하는 퍼지 가스주입구; 및
    상기 소스 가스주입구와 상기 퍼지 가스주입구의 사이에 형성되어 미반응가스 및 반응 부가물을 배기하는 배기가스 흡입구;를 포함하고,
    상기 레이저 발진부는 적외선 레이저(IR), 자외선 레이저(UV) 중 하나 또는 복수개로 구비되고 250 ~1064nm 사이의 파장 범위를 사용하며, 36 피코초(36 X 10-12 초) 이하의 펄스 폭을 갖고,
    상기 금속 소스가스는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn) 중에서 적어도 1개의 금속원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 리페어시 CCD 카메라부에 의해 촬상된 불량 패턴 이미지와 양품 패턴 이미지를 비교, 판독하여 리페어 종료를 제어하는 제어부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 후면에서 X축, Y축으로 구동하여 불량 패턴 위치로 이동하여 리페어시 가공 부위를 비추어주는 투과조명이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 발진부는 레이저 소스를 방출하되 단일 펄스 구동 또는 반복 펄스 구동이 가능하며, 다이오드 펌핑 고체 레이저 방식 또는 플래시 램프 펌핑 고체 레이저 방식으로 발진되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 발진부는 근자외선(NUV) 이하의 레이저를 사용하여 흑점 불량일 때 트리밍(Trimming) 공정과, 백점 불량일 때 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 수행하거나, 적외선(IR)과 근자외선(NUV)이하 레이저를 이용하여 적외선(IR) 레이저는 트리밍, 근자외선(NUV)이하의 레이저는 CVD를 수행하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 원료가스 공급부는, 상기 챔버에 박막 형성 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부와, 상기 챔버에 박막 형성 물질인 금속소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 퍼지 가스 공급부는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 가스 중 어느 하나 또는 이중 혼합된 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 포토 마스크 리페어 방법에 있어서,
    1) 레이저 빔의 조사 위치를 기판의 리페어 위치로 이동시키는 단계;
    2) 상기 기판의 리페어 위치로 박막 형성 물질을 공급하는 단계;
    3) 상기 기판상의 결함 위치를 리페어하는 단계; 및
    4) 상기 기판 리페어시 박막의 증착 두께를 조절하는 단계;를 포함하며,
    상기 3) 단계는,
    a) 상기 기판 결함 위치에 금속소스 가스를 주입하는 단계;
    b) 주입된 금속소스 가스에 상기 레이저 빔을 조사하여 증착하는 단계;
    c) 상기 레이저 빔 조사시 외측에서 미반응가스 및 반응 부가물의 누출을 방지하도록 퍼지 가스를 공급하는 단계; 및
    d) 상기 기판의 리페어시 미반응가스 및 반응 부가물을 흡입하는 단계; 로 이루어지고,
    상기 a) 단계에서의 금속소스 가스는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn) 중에서 적어도 1개의 금속원자를 포함하며,
    상기 4) 단계에서의 증착 두께에 의한 그레이 레벨 조절은 증착 시간과 상기 금속소스 가스의 유량을 조절함에 따라 증착 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제 16항에 있어서,
    상기 3) 단계에서는 근자외선(NUV) 이하의 레이저를 사용하여 트리 밍(Trimming) 공정과 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 수행하거나, 적외선(IR)과 근자외선(NUV)이하 레이저를 이용하여 적외선(IR) 레이저는 트리밍 공정을, 근자외선(NUV) 레이저 이하는 CVD 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 방법.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 제 16항에 있어서,
    상기 c) 단계는, 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 가스 중 어느 하나 또는 혼합된 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 방법.
  24. 삭제
  25. 제 16에 있어서,
    상기 4) 단계는 그레이 레벨을 기존과 동일하게 유지하며 증착 두께 조절을 실시간으로 모니터링하면서 실시하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 방법.
KR1020070136597A 2007-12-24 2007-12-24 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법 KR100964314B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070136597A KR100964314B1 (ko) 2007-12-24 2007-12-24 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070136597A KR100964314B1 (ko) 2007-12-24 2007-12-24 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090068824A KR20090068824A (ko) 2009-06-29
KR100964314B1 true KR100964314B1 (ko) 2010-06-16

Family

ID=40996157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070136597A KR100964314B1 (ko) 2007-12-24 2007-12-24 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100964314B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190097738A (ko) 2018-02-13 2019-08-21 주식회사 에이치비테크놀러지 마스크 상/하부 리페어를 위한 Dual Head 마스크 리페어 장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101069809B1 (ko) * 2010-04-08 2011-10-04 주식회사 코윈디에스티 패드 패턴 수리장치
CN102236248A (zh) * 2010-04-20 2011-11-09 株式会社Cowindst 用于修复半色调掩模的方法和系统
KR101285876B1 (ko) * 2011-05-12 2013-07-12 한국기계연구원 레이저 가공 기술을 이용한 기판 상 박막의 선택적 제거 장치
KR101176474B1 (ko) * 2011-05-12 2012-08-24 주식회사 코윈디에스티 픽셀재생장치 및 이를 이용한 픽셀재생방법
KR101234739B1 (ko) * 2011-05-27 2013-02-19 주식회사 코윈디에스티 유기발광소자의 패드패턴 수리장치
KR101387996B1 (ko) * 2012-06-15 2014-04-22 한국기계연구원 능동형 유기 자체 발광 소자의 열적 및 비열적 복합 리페어 장치
KR101388117B1 (ko) * 2012-08-29 2014-04-23 주식회사 엘티에스 유기발광 표시장치의 레이저 리페어 방법
KR101380148B1 (ko) * 2012-08-31 2014-04-02 (주)뮤텍코리아 집광렌즈를 이용한 레이저가공 위치 조절 구조
KR101856653B1 (ko) * 2016-10-17 2018-06-20 주식회사 이오테크닉스 기압을 이용한 마스크 고정모듈
KR102034394B1 (ko) * 2018-09-17 2019-10-18 주식회사 코윈디에스티 레이저 화학기상증착을 이용한 미세 배선 형성 방법
CN114047779A (zh) * 2021-10-22 2022-02-15 贵州电网有限责任公司 一种基于无人机巡检的缺陷追踪方法及系统
CN117031873B (zh) * 2023-09-28 2024-01-05 上海传芯半导体有限公司 修复方法及修复装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086233A (ja) * 1994-06-20 1996-01-12 Nec Corp フォトマスクの欠損欠陥修正方法およびその装置
JP2003347242A (ja) * 2002-05-22 2003-12-05 Nec Corp レーザ加工方法及び装置
JP2004139126A (ja) 2003-12-24 2004-05-13 Nec Corp レーザリペア方法および装置
KR20040070158A (ko) * 2004-07-19 2004-08-06 최지훈 극초단 펄스 레이저 빔을 이용한 초정밀 직접 패터닝 방법 및 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086233A (ja) * 1994-06-20 1996-01-12 Nec Corp フォトマスクの欠損欠陥修正方法およびその装置
JP2003347242A (ja) * 2002-05-22 2003-12-05 Nec Corp レーザ加工方法及び装置
JP2004139126A (ja) 2003-12-24 2004-05-13 Nec Corp レーザリペア方法および装置
KR20040070158A (ko) * 2004-07-19 2004-08-06 최지훈 극초단 펄스 레이저 빔을 이용한 초정밀 직접 패터닝 방법 및 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190097738A (ko) 2018-02-13 2019-08-21 주식회사 에이치비테크놀러지 마스크 상/하부 리페어를 위한 Dual Head 마스크 리페어 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090068824A (ko) 2009-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100964314B1 (ko) 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법
TWI395262B (zh) 晶圓雷射處理方法
CN108538740A (zh) 半导体锭的检查方法、检查装置和激光加工装置
KR100937767B1 (ko) 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치 및 그 방법
KR100953686B1 (ko) 레이저 가공장치
JPH06252485A (ja) レーザ加工機
CN102814872B (zh) 加工装置
KR100492245B1 (ko) 펨토초 레이저를 이용한 고정도 가공장치
CN100343759C (zh) 投影曝光用掩模、投影曝光装置、及投影曝光方法
TWI630052B (zh) 雷射加工裝置、及具有圖案之基板之加工條件設定方法
TWI742272B (zh) 雷射加工方法及雷射加工裝置
JP2016221538A (ja) 撮像装置、金属加工装置、及び撮像方法
KR102100361B1 (ko) 금속 마스크 생산 장치
TWI553981B (zh) 雷射處理設備和方法
KR20090105423A (ko) 레이저 가공장치 및 가공방법
JP2008516417A (ja) レーザーを利用した半導体基板の処理システム及び方法
KR20170014768A (ko) 형광필름을 커팅하는 레이저 장비
JPH05145226A (ja) 半田付状態のｘ線検査装置
KR100824960B1 (ko) 컬러 필터 수정 장치 및 방법
CN112139684A (zh) 激光加工装置
JP2639346B2 (ja) フォトマスクの欠損欠陥修正方法およびその装置
KR102128169B1 (ko) 가스 유량 조절 장치 및 이를 이용하는 레이저 화학기상증착 장치
KR101189151B1 (ko) 가변형 어퍼쳐 및 이를 포함하는 스퍼터 장치
KR101114738B1 (ko) 가변형 어퍼쳐 및 이를 포함하는 스퍼터 장치
JP2001018086A (ja) レーザ加工装置および方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
E90F Notification of reason for final refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130605

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140609

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150604

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160607

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170609

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180611

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190610

Year of fee payment: 10