KR100963828B1 - 셋 전압 윈도우가 좁은 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 기판 위에, 하부 전극, 바이너리 산화물 박막 및 상부 전극 순으로 형성된 구조를 갖는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법에 있어서,상기 바이너리 산화물 박막 및 상기 상부 전극은 상온 및 상압보다 낮은 저압 상태에서 각각 증착이 이루어지며, 상기 상부 전극의 증착 전에 상기 바이너리 산화물 박막을 산소 분위기하에서 후열처리하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상온은 15∼80 ℃이고, 상압보다 낮은 저압은 1∼100 mTorr인 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 후열처리는 2 mTorr~760 Torr의 압력과, 300∼750 ℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 바이너리 산화물 박막 및 상기 상부 전극의 증착은, 스퍼터링법, 펄스레이저 증착법, 증발법 (thermal evaporation), 전자빔 증발법 (electron-beam evaporation), 원자층 증착법 (atomic layer deposition; ALD), 분자선 에피탁시 증착법 (molecular beam epitaxy; MBE) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 표면에 자연 산화막 (SiO2)이 형성된 실리콘 기판이며, 상기 하부 전극 형성 공정 전에, 상기 기판 위에 상기 실리콘 기판과 상기 하부 전극의 접착력을 강화하는 접착층 (adhesion layer)을 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하부 전극은 백금 (Pt)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 바이너리 산화물 박막 소재로 혼합 원자가 상태 (mixed valence state)인 산화망간을 사용하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 상부 전극은 티타늄 (Ti)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법.
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