KR100962349B1 - 반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액의 희석처리장치 및 그제어방법 - Google Patents

반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액의 희석처리장치 및 그제어방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액을 화재 발생의 염려 없이 안전하게 희석하여 배출할 수 있는 희석처리장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명은, 반도체 제조 장치로부터 발생된 가연성 폐액이 저장되는 폐액저장용기; 상기 폐액저장용기의 일측 상부에 설치되어 상기 폐액을 희석시키기 위한 희석제가 투입되는 희석제투입부; 상기 폐액저장용기 내부에 축적되는 폐액의 상한과 하한을 규제하기 위한 상부감지센서와 하부감지센서; 상기 폐액저장용기의 내부에 설치되어 회전에 의해 폐액을 희석시키는 프로펠러; 상기 폐액저장용기의 외부 상측에 설치되고 공기압에 의해 상기 프로펠러를 양방향 회전시키기 위한 실린더; 상기 폐액저장용기 내부에 축적된 폐액이 중력에 의해 자연적으로 배출되도록 하기 위해 폐액저장용기의 하측의 배출구에 연결설치되어 온/오프 작동되는 드레인밸브;를 포함하여 이루어진다.
반도체, 포토레지스트, 폐액, 희석, 실린더, 프로펠러

Description

반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액의 희석처리장치 및 그 제어방법{DILUTION TREATMENT APPARATUS OF FLAMMABILITY WASTEWATER PRODUCED IN THE MANUFACTURING PROCESS OF THE SILICON WAFER AND THE METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액을 희석하여 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조시 발생되는 가연성의 고점도 폐액에 희석제를 첨가하여 희석시킨 후 배출 처리하는 가연성 폐액의 희석처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼의 포토마스킹 공정중의 포토리소그래피(Photolithograph)는 웨이퍼로 전달되는 영상 마스크를 형성하고, 감광막이라 불리는 포토레지스트(Photoresist) 물질을 도포한 후, 포토레지스트 물질이 도포된 웨이퍼 표면에 마스크의 영상을 전사하는 공정을 포함한다.
이와 같이 반도체 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 도포하는 방법 중 회전도포법이 알려져 있다.
회전도포법은 회전척 상에 웨이퍼가 놓여지고, 포토레지스트 공급장치에 의해 일정량씩 웨이퍼 중심 표면에 분사된다.
웨이퍼 표면에 분사된 포토레지스트는 회전하는 웨이퍼의 원심력에 의해 웨이퍼 표면을 따라 가장자리로 퍼져나가게 된다.
이 경우 웨이퍼 표면에 분사되는 포토레지스트는 웨이퍼 표면을 도포하는데 필요한 양보다 많은 양이 공급되고, 잉여의 포토레지스트는 웨이퍼 가장자리로부터 떨어져 포토레지스트 폐액을 처리하는 장치에 수집된다.
도 1은 종래기술에 의한 폐액 처리장치를 보여주는 개략도이다.
도 1에 도시된 폐액 처리장치는, 폐액 배출부(1) 하부에 폐액 저장용기(3)를 두고 폐액(4)이 일정량 이상이 되면 폐액 배출부(1)의 배출관(2)을 상부로 이동시키고 폐액 저장용기(3)를 사람이 주기적으로 교체하거나 비워주도록 된 장치이다.
이러한 폐액 처리장치에 의하면 사람이 직접 용기를 교체하거나 비워주어야 하므로 작업이 번거롭고 불편한 문제점이 있다.
도 2는 종래기술에 의한 다른 폐액 처리장치를 보여주는 개략도이다.
도 2에 도시된 폐액 처리장치는, 제1개폐밸브(14)를 개방시키면 폐액배출부(11)에서 배출관(12)을 통해 고점도 폐액이 폐액 저장용기(13)에 저장되고, 폐액 저장용기(13)에 축적된 폐액이 폐액 감지부(18)의 상부감지센서(18a)에 의해 감지되면 제2개폐밸브(15)를 개방하는 동시에 공기주입부(17)를 통해 저장용기(13) 내부로 3kg/㎠의 공기를 인가함으로써, 폐액을 저장용기(13)로부터 배출관(16)을 통해 외부로 배출시킨다. 이때, 제1개폐밸브(14)는 차단된다. 미설명부호 18b는 하부감지센서를 나타낸다.
이와 같은 폐액 처리장치를 이용하여 폐액을 배출시키는 경우에는, 상부감지 센서(18a)에서 감지하여 하부감지센서(18b)가 감지할 때까지 폐액의 배출이 이루어지는 동안 제1개폐밸브(14)가 차단됨으로 인해 그 배출시간 동안 배출관(12)에 폐액이 저장되어 점차 응고되는 문제점이 있다.
또한 별도의 희석제를 쓰지 않음으로서 하부감지센서(18b) 하단의 폐액은 배출되지 않아 지속적인 응고현상이 발생하게 되어 장시간 사용 시 정상적인 배출이 어려워지는 문제점이 있다.
또한 상부감지센서(18a)가 고장나는 경우에는 폐액이 저장용기(13) 외부로 오버플로우(overflow)되어 장비가동을 중지시키고 수리를 해야하는 문제점이 있다.
도 3은 종래기술에 의한 다른 폐액 처리장치를 보여주는 개략도이다.
도 3에 도시된 폐액 처리장치는, 폐액이 수집된 저장용기(21)의 상부에 모터(22)를 설치하여 상기 모터(22)를 구동시키면 모터(22)에 연결된 회전축(23) 및 프로펠러(24)가 회전하게 되도록 되어 있다.
상기 저장용기(21) 내부에는 폐액과 함께 희석제가 투입되어 상기 프로펠러(24)의 회전에 의해 폐액을 희석시킨 후 저장용기(21) 외부로 배출하게 된다.
상기 희석제는 주로 휘발성이 강한 시너(thinner)를 사용하고, 시너로부터 발생하는 휘발성 증기는 저장용기(21)의 외부로 나와 상기 모터(22)의 주위로 퍼지는데, 이 경우 모터(22)를 구동시키게 되면 전기적 스파크로 인해 화재의 우려가 있으므로, 가연성 폐액의 희석에는 사용이 적합하지 못한 문제점이 있다.
또한 모터(22)를 사용하므로 모터구동을 위한 별도의 드라이버가 필요하게 된다.
본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액을 화재 발생의 염려 없이 안전하게 희석하여 배출할 수 있는 희석처리장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
또한 프로펠러를 양방향으로 회전되도록 함으로써 폐액의 희석력을 향상시킬 수 있는 희석처리장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
또한 폐액의 배출 시점을 결정하기 위한 센서가 고장나더라도 폐액저장용기의 외부로 폐액이 오버플로우되는 것을 방지할 수 있는 희석처리장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
또한 폐액이 오버플로우배출구를 통해 오버플로우되는 경우 충분히 희석된 폐액이 배출되도록 함으로써 오버플로우배출구의 응고에 의한 막힘을 방지할 수 있는 희석처리장치 및 제어방법을 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
또한 프로펠러를 이용하여 폐액을 희석시킬 때 폐액저장용기의 모서리부에 응고가 발생되는 것을 방지할 수 있는 희석처리장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 제조 장치로부터 발생된 가연성 폐액이 저장되는 폐액저장용기; 상기 폐액저장용기의 일측 상부에 설치되어 상기 폐액을 희석시키기 위한 희석제가 투입되는 희석제투입부; 상기 폐 액저장용기 내부에 축적되는 폐액의 상한과 하한을 규제하기 위한 상부감지센서와 하부감지센서; 상기 폐액저장용기의 내부에 설치되어 회전에 의해 폐액을 희석시키는 프로펠러; 상기 폐액저장용기의 외부 상측에 설치되고 공기압에 의해 상기 프로펠러를 양방향 회전시키기 위한 실린더; 상기 폐액저장용기 내부에 축적된 폐액이 중력에 의해 자연적으로 배출되도록 하기 위해 폐액저장용기의 하측의 배출구에 연결설치되어 온/오프 작동되는 드레인밸브;를 포함하여 이루어진다.
이 경우 상기 폐액저장용기의 일측에는 상기 상부감지센서보다 높은 위치에 오버플로우배출구가 형성된 것으로 구성될 수 있다.
또한 상기 상부감지센서의 상측에는 폐액을 감지하는 오버플로우센서가 설치되고, 상기 오버플로우배출구를 통해 배출되는 폐액은 상기 오버플로우센서의 폐액 감지 시 상기 드레인밸브를 통하여 배출되는 것으로 구성될 수 있다.
또한 상기 프로펠러가 양방향으로 회전되도록 하기 위해 상기 실린더에 반대방향의 공기압이 교대로 작용하도록 이루어진 것으로 구성될 수 있다.
또한 상기 폐액저장용기는 단면이 사각형으로 이루어지고, 상기 폐액저장용기 내부의 모서리공간에 폐액이 유입되는 것을 차단하기 위한 차단판이 결합된 것으로 구성될 수 있다. 이 경우 폐액저장용기 형태는 원형 또는 다각형으로 이루어질 수 있으며 사각형으로 한정되지 않는다.
본 발명의 희석처리장치 제어방법은, (a) 폐액저장용기 내부에 폐액이 축적되고 희석제가 투입되는 단계; (b) 상기 폐액저장용기 내부에 설치된 프로펠러가 회전되어 폐액이 희석되는 단계; (c) 상기 폐액저장용기에 축적되는 폐액의 상한을 규제하기 위한 상부감지센서가 미작동되고, 상기 상부감지센서의 상측에 설치된 오버플로우센서에서 폐액이 감지된 경우, 상기 폐액을 배출시키기 위한 드레인밸브를 개방시켜 오버플로우되는 폐액을 배출시키는 단계;를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 의하면, 공기공급에 의한 실린더를 이용하여 프로펠러를 회전시킴으로써 종래 모터 사용시 발생하던 전기 스파크로 인한 화재를 방지할 수 있어 가연성 폐액의 안전한 희석 처리가 가능하다.
또한 오버플로우배출구를 구비함으로써 상부감지센서가 고장 또는 오작동의 경우에도 폐액저장용기 외부로 폐액이 오버플로우되는 것을 방지하여 작업성을 향상시킬 수 있다.
또한 상부감지센서 외에 별도로 드레인밸브의 온/오프를 제어하기 위한 오버플로우센서를 구비함으로써 상부감지센서가 고장으로 인해 미작동되더라도 충분히 희석된 폐액이 오버플로우배출구를 통해 배출되도록 하여 폐액이 오버플로우되어 장치 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.
또한 프로펠러는 양방향으로 교대로 회전됨으로써 폐액의 희석력을 향상시켜 폐액의 원활한 배출이 가능하다.
또한 차단판을 구비하여 폐액저장용기 내부의 모서리공간으로 폐액이 유입되는 것을 차단함으로써 폐액의 희석력을 향상시켜 모서리공간에서 응고가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 희석처리장치가 구비된 반도체 제조 장비를 보여주는 사시개략도, 도 5는 도 4에 도시된 반도체 제조 장비의 평면개략도, 도 6은 도 4에 도시된 반도체 제조 장비의 측면개략도이다.
도 4 내지 도 6에 도시된 반도체 장비는 반도체 제조 공정 중 웨이퍼에 포토레지스트(Photoresist)를 도포하기 위한 장비를 나타낸다.
웨이퍼를 반송하기 위한 인텍스부(101)에는 웨이퍼카세트(102)와 웨이퍼를 X축과 Y축 및 θ축으로 이송가능한 서브반송기구(103)가 구비된다.
상기 인텍스부(101)의 측부에는, 웨이퍼에 도포, 가열, 냉각 등 일련의 프로세스가 이루어지는 프로세스부(104)가 구비된다.
상기 프로세스부(104)에는 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하기 위한 도포유닛(105a,105b), 다단구조로 이루어진 가열유닛(106a)과 냉각유닛(106b) 및 어드히젼유닛(106c), 웨이퍼를 반송하기 위한 주반송기구(107)가 구비된다.
상기 도포유닛(105a,105b)에서는, 회전도포법에 의해 웨이퍼 표면에 포토레지스트가 도포된다.
이때 웨이퍼 표면에 도포되고 남는 잉여의 포토레지스트(폐액)는, 드레인부(108)를 통하여 상기 도포유닛(105a,105b)의 하부에 설치된 희석처리장치(100)에 수집된다.
종래에는 희석처리장치를 메인 장비 외부에 별도로 설치하였으나, 본 발명의 희석처리장치(100)는 도 4에 도시된 바와 같이 배출구가 장비의 내부 방향을 향하도록 설치되어 있어 희석처리장치(100)의 높이 및 폭을 소형화하고 메인 장비 내부에 설치가능하게 된다.
도 7은 본 발명의 희석처리장치를 개략적으로 보여주는 정단면도, 도 8은 도 7에 도시된 희석처리장치의 평단면도, 도 9는 도 7에 도시된 희석처리장치의 측단면도이다.
본 발명의 희석처리장치(100)는, 도포유닛(105a,105b)에서 발생된 잉여의 포토레지스트(이하 '폐액'이라 함)가 저장되는 폐액저장용기(110), 상기 폐액저장용기(110)의 일측 상부에 설치되어 폐액을 희석시키기 위한 희석제가 투입되는 희석제투입부(120), 상기 폐액저장용기(110) 내부에 축적되는 폐액의 상한과 하한을 규제하기 위한 상부감지센서(132)와 하부감지센서(131), 상기 폐액저장용기(110)의 내부에 설치되어 회전에 의해 폐액을 희석시키는 프로펠러(141), 상기 폐액저장용기(110)의 외부 상측에 설치되고 공기압에 의해 상기 프로펠러(141)를 양방향 회전시키기 위한 실린더(143), 상기 폐액저장용기(110) 내부에 축적된 폐액이 중력에 의해 자연적으로 배출되도록 하기 위해 폐액저장용기(110)의 하측의 배출구(151)에 연결설치되어 온/오프(ON/OFF) 작동되는 드레인밸브(153)로 구성된다.
상기 폐액을 희석시키기 위한 희석제는 휘발성이 강한 시너(thinner)를 사용하므로, 희석된 폐액은 가연성(可燃性) 액체가 된다.
상기 폐액저장용기(110)의 상부에는 도포유닛(105a,105b)에서 낙하되는 폐액 을 폐액저장용기(110) 내부로 도입하기 위한 도입관(170)이 설치된다.
상기 희석제투입부(120)는, 폐액저장용기(110)의 일측 상부에 연결설치되는 투입구(121)와 상기 투입구(121)를 통해 폐액저장용기(110) 내부로 희석제를 공급 하거나 희석제의 공급을 차단하기 위한 희석제공급밸브(122)로 이루어진다. 희석제는 폐액이 축적되는 양에 따라 주기적으로 공급하는 것으로 구성될 수 있다.
상기 하부감지센서(131)와 상부감지센서(132)는 폐액저장용기(110) 내부에 저장된 폐액의 양을 감지하여 드레인밸브(153)를 작동시키기 위한 것이다. 즉, 폐액의 양이 줄어들어 하부감지센서(131)에서 폐액을 감지하게 되면 드레인밸브(153)를 닫게 되고, 드레인밸브(153)를 닫아 폐액의 양이 증가함에 따라 상부감지센서(132)에서 폐액을 감지하게 되면 드레인밸브(153)를 열어 폐액을 배출시킨다.
이 경우 하부감지센서(131)는 폐액저장용기(110) 내부에 일정량의 폐액을 유지시킴으로써 폐액이 응고되는 것을 방지하는 기능을 한다.
상기 하부감지센서(131)와 상부감지센서(132) 및 후술하는 오버플로우센서(133) 사이를 연결하는 관은 투명한 재질로 함으로써 이를 통하여 폐액의 수위를 실시간으로 육안 확인이 가능하도록 하는 것이 바람직하다.
상기 프로펠러(141)를 양방향 회전시키기 위한 실린더(143)는, 공기압에 의해 프로펠러(141)를 회전시키는 에어실린더(Air Cylinder)이다. 따라서 실린더(143)에는 전기 스파크가 발생하지 않으므로 희석된 폐액이 가연성(可燃性)이더라도 화재가 발생할 염려는 없다.
본 실시예에서는 공기압에 의해 실린더(143)가 작동하는 것으로 하였으나, 공기압 대신 유압에 의한 구성도 가능함은 당업자에게 자명한 사항이다.
상기 실린더(143)는 공기가 서로 반대방향으로 교대로 공급되도록 함으로써 프로펠러(141)가 180도 회전 후 반대방향으로 180도 회전되는 과정을 반복하도록 되어 있다. 이와 같이 프로펠러(141)가 양방향 회전하게 되면 단방향 회전에 비해 희석이 원활히 이루어진다.
상기 드레인밸브(153)는 폐액저장용기(110)의 하부 측면에 결합된 배출구(151) 및 연결관(152)에 연결설치되어, 하부감지센서(131)와 상부감지센서(132)의 감지신호에 따라 개폐됨으로써 폐액을 배출하게 된다.
본 발명의 경우 폐액에 희석제를 첨가하여 점도를 낮추었으므로, 상기 드레인밸브(153)를 개방시키면 폐액저장용기(110) 내부에 축적된 폐액은 중력에 의해 자연적으로 배출된다. 따라서 종래와 같이 폐액저장용기(110) 내부에 공기압을 가할 필요가 없다.
배출구(151)와 드레인밸브(153)는 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장비의 내부를 향하도록 설치되는 것이 바람직하다. 이로 인해 희석처리장치(100)의 높이 및 폭을 소형화하는 것이 가능하다.
폐액의 상한은 상부감지센서(132)의 폐액 감지 신호에 따라 드레인밸브(153)를 개방함으로써 조절하지만, 만약 상부감지센서(132)가 고장난 경우에는 폐액의 상한을 규제할 수 없어 폐액저장용기(110) 외부로 오버플로우(overflow)되는 것을 방지할 수 없다.
만약 오버플로우가 발생되는 경우에는 장비가동을 중단하여야 하므로 생산량 이 저하되고, 수리비용 증가 등의 문제가 발생한다.
따라서 폐액저장용기(110)의 일측에는 상기 상부감지센서(132)보다 높은 위치에 오버플로우배출구(161)가 형성되어 있어, 상부감지센서(132)가 고장난 경우에도 상기 오버플로우배출구(161)를 통해 폐액이 배출된다.
이 경우 오버플로우배출구(161)는 드레인밸브(153)를 거치지 않고 곧바로 배출되도록 구성할 수도 있으나, 이와 같이 구성할 경우 폐액저장용기(110) 내부로 낙하된 폐액이 희석과정을 거치지 않고 곧바로 오버플로우배출구(161)로 배출될 수 있고 그 경우 오버플로우배출구(161)는 점도가 높은 폐액으로 인해 응고 및 막힘 현상이 발생할 수 있다.
따라서 본 실시예에서는 폐액저장용기(110) 내부로 낙하된 폐액이 희석제에 의해 희석된 후에 배출될 수 있도록 오버플로우배출구(161)와 연결관(162) 및 드레인밸브(153) 입구측 연결관(152)이 연결되어 드레인밸브(153)를 통해 폐액이 배출되도록 되어 있다.
즉, 오버플로우배출구(161)를 통해 배출되는 폐액은 폐액저장용기(110)에 낙하된 후 희석제의 투입과 프로펠러(141)의 회전에 의해 희석된 후 액면의 상승으로 인해 오버플로우감지센서(133)의 폐액 감지 시 드레인밸브(153)를 개방시켜 폐액을 배출하게 되므로 오버플로우되는 폐액은 희석과정을 거친 후의 것이 되므로 응고 및 막힘 현상의 발생을 방지할 수 있다.
한편, 도면에는 도시되어 있지 않지만 폐액저장용기(110)의 하면에는 누설감지센서를 설치하는 것이 바람직하다. 상기 누설감지센서는 어떤 원인으로 인해 폐 액저장용기(110) 외부로 폐액이 누설된 경우 이를 감지한 후 알람을 송출하여 사용자게 알리게 된다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 의한 희석처리장치를 보여주는 평단면도이다.
프로펠러(141)의 회전에 의해 폐액의 희석화가 이루어지지만, 단면이 사각형인 폐액저장용기(110)의 모서리부분의 폐액은 희석이 잘 이루어지지 않는다.
물론 폐액저장용기(110)를 원통형으로 할 경우에는 이와 같은 문제는 발생하지 않지만, 원통형의 경우 직육면체에 비해 메인장비 내부에서의 공간활용도가 떨어지게 된다.
따라서 본 실시예의 폐액저장용기(110)는 공간활용도를 높이기 위하여 단면이 사각형인 직육면체로 구성하고, 상기 폐액저장용기(110) 내부의 모서리공간에 폐액이 유입되는 것을 차단하기 위한 차단판(180)을 네 모서리부분에 결합시킴으로써 희석이 이루어지지 않는 사각지대를 없애도록 하였다.
도 11은 본 발명의 희석처리장치를 제어하는 방법을 보여주는 흐름도이다.
먼저, 도포유닛(105a,105b)에서 발생된 폐액이 폐액저장용기(110)에 낙하되어 축적되면 희석제투입부(120)에 의해 희석제가 투입되고 실린더(143)에 공기압이 인가되어 프로펠러(141)는 시계방향과 반시계방향으로 반복 회전한다(S201).
폐액이 점차 축적되어 상부감지센서(132)에 의해 폐액이 감지되면(S202), 드 레인밸브(153)를 개방하여 배출구(151) 및 드레인밸브(153)를 통해 폐액이 배출되도록 한다(S203).
만약 상부감지센서(132)가 폐액을 감지하지 못하고 오버플로우센서(133)에서 폐액이 감지된 경우에는 드레인밸브(153)를 개방시켜 오버플로우되는 폐액을 오버플로우배출구(161)와 연결관(162,152) 및 드레인밸브(153)를 거쳐 배출시킨다(S203,S204).
이 경우에는 오버플로우되는 폐액이 희석과정을 거친 후의 것이 되므로 응고 및 막힘 현상의 발생을 방지할 수 있다.
드레인밸브(153)의 개방에 따라 폐액의 수면이 하강하고 하부감지센서(131)에서 폐액을 감지하게 않게 된 경우에는 드레인밸브(153)를 차단시켜 폐액의 배출을 중지하게 된다(S206).
이상, 본 발명의 실시 예를 사용하여 설명하였으나 이들 실시예는 예시적인 것에 불과하며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 사상에서 벗어나지 않으면서 다양한 수정과 변경을 가할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래기술에 의한 폐액 처리장치를 보여주는 개략도,
도 2는 종래기술에 의한 다른 폐액 처리장치를 보여주는 개략도,
도 3은 종래기술에 의한 다른 폐액 처리장치를 보여주는 개략도,
도 4는 본 발명의 희석처리장치가 구비된 반도체 제조 장비를 보여주는 사시개략도,
도 5는 도 4에 도시된 반도체 제조 장비의 평면개략도,
도 6은 도 4에 도시된 반도체 제조 장비의 측면개략도,
도 7은 본 발명의 희석처리장치를 개략적으로 보여주는 정단면도,
도 8은 도 7에 도시된 희석처리장치의 평단면도,
도 9는 도 7에 도시된 희석처리장치의 측단면도,
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 의한 희석처리장치를 보여주는 평단면도,
도 11은 본 발명의 희석처리장치를 제어하는 방법을 보여주는 흐름도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 폐액저장용기 120 : 희석제투입부
121 : 투입구 122 : 희석제공급밸브
131 : 하부감지센서 132 : 상부감지센서
133 : 오버플로우센서 141 : 프로펠러
142 : 회전축 143 : 실린더
151 : 배출구 161 : 오버플로우배출구

Claims (6)

  1. 반도체 제조 장치로부터 발생된 가연성 폐액이 저장되는 폐액저장용기;
    상기 폐액저장용기의 일측 상부에 설치되어 상기 폐액을 희석시키기 위한 희석제가 투입되는 희석제투입부;
    상기 폐액저장용기 내부에 축적되는 폐액의 상한과 하한을 규제하기 위한 상부감지센서와 하부감지센서;
    상기 폐액저장용기의 일측으로 상기 상부감지센서보다 높은 위치에 형성된 오버플로우배출구;
    상기 폐액저장용기의 내부에 설치되어 회전에 의해 폐액을 희석시키는 프로펠러;
    상기 폐액저장용기의 외부 상측에 설치되고 공기압에 의해 상기 프로펠러를 양방향 회전시키기 위한 실린더;
    상기 폐액저장용기 내부에 축적된 폐액이 중력에 의해 자연적으로 배출되도록 하기 위해 폐액저장용기의 하측의 배출구에 연결설치되어 온/오프 작동되는 드레인밸브;
    를 포함하여 이루어진 반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액의 희석처리장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상부감지센서의 상측에는 폐액을 감지하는 오버플로우센서가 설치되고, 상기 오버플로우배출구를 통해 배출되는 폐액은 상기 오버플로우센서의 폐액 감지 시 상기 드레인밸브를 통하여 배출되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액의 희석처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 프로펠러가 양방향으로 회전되도록 하기 위해 상기 실린더에 반대방향의 공기압이 교대로 작용하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액의 희석처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 폐액저장용기는 단면이 사각형으로 이루어지고, 상기 폐액저장용기 내부의 모서리공간에 폐액이 유입되는 것을 차단하기 위한 차단판이 결합된 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액의 희석처리장치.
  6. (a) 폐액저장용기 내부에 폐액이 축적되고 희석제가 투입되는 단계;
    (b) 상기 폐액저장용기 내부에 설치된 프로펠러가 회전되어 폐액이 희석되는 단계;
    (c) 상기 폐액저장용기에 축적되는 폐액의 상한을 규제하기 위한 상부감지센서가 미작동되고, 상기 상부감지센서의 상측에 설치된 오버플로우센서에서 폐액이 감지된 경우, 상기 상부감지센서의 상측에 형성된 오버플로우배출구를 통해 폐액이 배출됨과 아울러 상기 폐액을 배출시키기 위한 드레인밸브를 개방시켜 오버플로우되는 폐액을 배출시키는 단계;
    를 포함하는 반도체 제조시 발생되는 가연성 폐액의 희석처리장치 제어방법.
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