KR100951779B1 - LED Package and The Method of Manufacturing Thereof - Google Patents

LED Package and The Method of Manufacturing Thereof Download PDF

Info

Publication number
KR100951779B1
KR100951779B1 KR1020080043631A KR20080043631A KR100951779B1 KR 100951779 B1 KR100951779 B1 KR 100951779B1 KR 1020080043631 A KR1020080043631 A KR 1020080043631A KR 20080043631 A KR20080043631 A KR 20080043631A KR 100951779 B1 KR100951779 B1 KR 100951779B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pad
dam member
light emitting
emitting diode
insulating resin
Prior art date
Application number
KR1020080043631A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090117533A (en
Inventor
박찬익
조재현
최철호
신정훈
Original Assignee
주식회사 디에스엘시디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 디에스엘시디 filed Critical 주식회사 디에스엘시디
Priority to KR1020080043631A priority Critical patent/KR100951779B1/en
Publication of KR20090117533A publication Critical patent/KR20090117533A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100951779B1 publication Critical patent/KR100951779B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법은 발광다이오드 칩이 실장되고, 칩본딩 및 와이어본딩을 할 수 있는 적어도 두 개 이상의 패드부가 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 패드부 중 적어도 어느 하나로부터 연장되어 상부면이 제1, 제2패드부의 상부면보다 낮은 수준인 리드부를 가진 리드프레임이 일렬로 다수 배치되는 프레임패널 제공단계; 상기 리드프레임의 패드부 상부면과 상기 리드부 저면을 노출하는 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 반드시 덮도록 하는 절연수지 몰딩단계; 상기 절연수지가 몰딩된 리드프레임의 상부에 적층하여, 상기 제1패드부의 칩 실장영역과 상기 제2패드부 전체를 상부로 노출시키도록 중앙영역에 관통홀이 형성된 금속의 댐부재 제공단계; 상기 댐부재와 상기 리드프레임을 적층 고정하여 제1패드부와 댐부재의 중첩되는 부분의 사이공간을 충전하고, 상기 댐부재의 표면 및 상기 절연수지에 의해 노출된 상기 리드프레임의 표면에 금속을 증착시키는 전기도금단계; 상기 댐부재의 상부로 노출된 제1패드부 및 제2패드부에 발광다이오드 칩 및 와이어를 본딩하여 전기적 결선을 이루는 칩 실장단계; 상기 칩 실장단계에서 실장된 발광다이오드 칩과 본딩와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 투광수지를 주입하고 경화하는 투광수지 몰딩단계; 상기 투광수지 몰딩단계 이후 일렬로 다수 배치된 상기 리드프레임 및 상기 댐부재를 절단하여 개별화된 패키지를 완성하는 분리단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 열전도성이 높고 고반사율 을 갖는 발광다이오드 패키지가 제공된다.The present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same. In the method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention, a light emitting diode chip is mounted, and at least two pad portions capable of chip bonding and wire bonding are provided on the same plane. Providing a frame panel spaced apart from each other, the lead frames having a lead portion extending from at least one of the pad portions and having upper portions lower than the upper surfaces of the first and second pad portions; An insulating resin molding step of necessarily covering an upper portion of the lead portion within a thickness exposing the upper surface of the pad portion and the lower surface of the lead portion of the lead frame; Stacking the insulating resin on the lead frame and providing a dam member made of metal having a through-hole formed in a central area so as to expose the chip mounting area of the first pad part and the entirety of the second pad part upward; The dam member and the lead frame are laminated and fixed to fill a space between the first pad part and the overlapped portion of the dam member, and metal is deposited on the surface of the dam member and the surface of the lead frame exposed by the insulating resin. An electroplating step of depositing; A chip mounting step of bonding an LED chip and a wire to the first pad part and the second pad part exposed to the upper portion of the dam member to form an electrical connection; A translucent resin molding step of injecting and curing the translucent resin into the through hole of the dam member to cover the LED chip and the bonding wire mounted in the chip mounting step; And separating the lead frames and the dam members arranged in a row after the floodlight molding molding step to complete individualized packages. As a result, a light emitting diode package having high thermal conductivity and high reflectance is provided.

리드프레임, 패키지베이스, 사출성형, 발광다이오드, 댐부재, 전기도금 Lead frame, package base, injection molding, light emitting diode, dam member, electroplating

Description

발광다이오드 패키지 및 그 제조방법{LED Package and The Method of Manufacturing Thereof}LED Package and The Method of Manufacturing Thereof

본 발명은 발광다이오드 칩이 실장될 수 있는 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 제 1패드부에 칩이 실장되어 상기 칩으로부터 방사되는 광을 집광하기에 용이한 캐비티를 구비한 댐부재를 적층하되, 상기 칩으로부터 발생된 열을 잘 방출할 수 있는 발광다이오드 칩 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a package in which a light emitting diode chip can be mounted and a method for manufacturing the same, wherein the dam member is provided with a cavity mounted on a first pad part and having a cavity for condensing light emitted from the chip. The present invention relates to a light emitting diode chip package capable of dissipating heat generated from the chip well and a method of manufacturing the same.

일반적으로 LED(Light Emitting Diode) 패키지의 주된 특징 중의 하나는 LED칩으로부터 방사되는 광을 집광함과 동시에 LED칩과 본딩와이어를 보호하기 위한 투광수지를 담기에 용이한 캐비티를 가지는 것이다.In general, one of the main features of the LED (Light Emitting Diode) package is to have a cavity that easily condenses the light-emitting resin for protecting the LED chip and the bonding wire while condensing the light emitted from the LED chip.

이러한 캐비티는 플라스틱 인쇄회로기판, 세라믹 인쇄회로기판, 금속의 리드프레임 등 기판의 종류에 따라서 다양한 재료와 방법으로 형성될 수 있다.Such a cavity may be formed of various materials and methods according to the type of substrate, such as a plastic printed circuit board, a ceramic printed circuit board, and a lead frame of metal.

그러나, 생산성 및 경제성에 따라 광반사효율만을 최우선으로 고려하여 방열성, 내광성, 내열성 등의 다른 조건들은 비교적 작게 고려되었다.However, other conditions such as heat dissipation, light resistance, heat resistance, etc. were considered relatively small, considering only light reflecting efficiency as a top priority according to productivity and economy.

그런데, 고출력 대형LED, 자외선LED 내지 고신뢰성을 요구하는 용도의 LED의 경우 광반사효율 뿐만 아니라, 방열성(放熱性), 내광성(耐光性) 및 내열성(耐熱性) 이 중요한 조건으로 고려되어야만 했다.However, in the case of high output large size LEDs, ultraviolet LEDs and LEDs requiring high reliability, not only light reflecting efficiency but also heat dissipation, light resistance and heat resistance should be considered as important conditions.

이에 따라, 캐비티를 금속 재료를 사용함으로써 상술한 다양한 조건을 만족시킬 수 있었는데, 종래는 금속 재료로서 캐비티를 형성하기 위해서 플라스틱 인쇄회로기판 또는 세라믹 인쇄회로기판 등에서는 금속 댐부재를 부착한 LED패키지가 일반적이었고, 이와 같은 금속 댐부재를 플라스틱 인쇄회로기판 또는 세라믹 인쇄회로기판 등에 부착하기 위해 통상적으로 브레이징(Brazing)이 사용되었다.Accordingly, the above-mentioned various conditions could be satisfied by using the metal as the cavity. In the past, in order to form the cavity as the metal material, an LED package having a metal dam member is used in a plastic printed circuit board or a ceramic printed circuit board. In general, brazing is commonly used to attach such a metal dam member to a plastic printed circuit board or a ceramic printed circuit board.

이와 같은 LED패키지에서 LED의 동작열은 칩이 부착된 기판으로 전달되며, 이 전달된 열은 댐부재에 전달되어 댐부재에 의해 외부로 방열된다.In such an LED package, the operating heat of the LED is transmitted to the substrate to which the chip is attached, and the transferred heat is transferred to the dam member and radiated to the outside by the dam member.

한편, 금속의 리드프레임을 기반으로 한 경우에는, 리드프레임은 인쇄회로기판에 비해 월등한 금속의 체적비를 가지고, 여기에 금속의 댐부재를 부착하기 때문에 플라스틱 인쇄회로기판 또는 세라믹 인쇄회로기판을 기반으로 하는 LED패키지보다 방열 성능이 더 효과적일 수 있다.On the other hand, when the lead frame is based on a metal, the lead frame has a superior volume ratio of the metal compared to the printed circuit board, and since the dam member of the metal is attached thereto, the lead frame is based on a plastic printed circuit board or a ceramic printed circuit board. The heat dissipation performance can be more effective than the LED package.

그러나, 리드프레임은 전극의 전기적 절연을 위해서 형성되는 이격 홈이 있어 상기 홈을 절연수지로 돌출되지 않게 채워야 하고, 적층되는 댐부재 역시 고정과 절연을 위해 열저항을 유발하는 비전도성 수지접착제를 그 사이에 개입한 형태로만 패키지를 제작해야만 했으므로 칩에 의해 발생된 열을 효과적으로 외부로 방출하는데에는 한계가 있었다.However, the lead frame has a spaced groove formed to electrically insulate the electrode, so that the groove must be filled so as not to protrude from the insulation resin, and the stacked dam member also includes a non-conductive resin adhesive which causes thermal resistance for fixing and insulation. Since the package had to be manufactured only in the intervening form, there was a limit to effectively dissipating heat generated by the chip to the outside.

또한, 금속 댐부재와 리드프레임 사이에 절연 접착제를 개재하는 것만으로는 패키지를 제작하기에 어려움이 있었다.In addition, it is difficult to manufacture a package only by interposing an insulating adhesive between the metal dam member and the lead frame.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 발광다이오드 동작열이 금속의 댐부재로 효과적으로 전달되어 방열될 수 있도록 상기 발광다이오드가 부착된 패드부와 상기 댐부재의 접합하는 접합수단을 용접 및 전기전도성 접착제 등으로 접합하는 발광다이오드 패키지를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve such a conventional problem, and the bonding between the pad member and the dam member is attached to the light emitting diode attached so that the heat of the light emitting diode operating heat is effectively transferred to the dam member of the metal The present invention provides a light emitting diode package for bonding a joining means with a welding and an electrically conductive adhesive.

또한, 상기 댐부재 및 상기 패드부 중 절연수지로부터 노출된 금속부분에 전기도금을 이용해 도금함으로써 발광다이오드의 동작열을 용이하게 외부로 방출할 수 있는 발광다이오드 패키지를 제공함에 있다.The present invention also provides a light emitting diode package capable of easily dissipating the heat of operation of the light emitting diode to the outside by plating the metal part exposed from the insulating resin among the dam member and the pad part using electroplating.

또한, 칩본딩을 하는 패드부와 와이어본딩을 하는 패드부를 절연시키는 절연수지를 최소화하여 발광다이오드의 동작열을 외부로 효과적으로 전달되어 방열하 f수 있는 발광다이오드 패키지를 제공함에 있다.In addition, the present invention provides a light emitting diode package capable of efficiently dissipating heat by effectively transmitting heat to the outside by minimizing an insulating resin that insulates the pad portion for chip bonding and the pad portion for wire bonding.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 발광다이오드 패키지에 있어서, 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부와 상기 발광다이오드 칩과의 와이어 본딩을 위한 제2패드부로 구분되는 적어도 두 개 이상의 패드부가 형성되되, 각 패드부는 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 제2패드부에서 연장되어 상부면이 상기 제1, 제2패드부의 상부면보다 낮은 수준을 이루는 리드부를 가진 리드프레임; 상기 리드프레임의 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 덮도록 몰딩되되, 상기 제1패드부와 상기 제 2패드부의 이격공간을 충전(充塡)하도록 몰딩되고, 상기 제1, 제2패드부의 상면 및 저면 그리고 상기 리드부의 저면을 노출하도록 몰딩된 제 1절연수지; 상기 리드프레임의 상부에 적층되며, 상기 제1패드부의 칩 실장영역 및 상기 제2패드부 전체를 상부로 노출시켜 상기 제1, 제2패드부에 칩본딩 및 와이어본딩이 가능하도록 중앙영역에 관통홀이 형성되고, 상기 리드부와는 상기 제1절연수지를 사이에 두고 절연되는 금속의 댐부재; 상기 댐부재와 상기 제1패드부의 사이를 충전하면서 상기 댐부재의 외부표면과 상기 리드프레임 중 상기 제1절연수지로부터 외부로 노출된 표면에 증착된 전기도금층; 상기 리드프레임의 제1패드부에 실장되는 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩과 제2패드부를 전기적으로 연결하도록 마련된 와이어; 상기 발광다이오드 칩과 상기 와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 몰딩된 투광수지;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지에 의해 달성된다.According to the present invention, in the light emitting diode package, at least two pads are divided into a first pad portion on which the light emitting diode chip is mounted and a second pad portion for wire bonding between the light emitting diode chip. A lead frame having a lead portion disposed on the same plane and spaced apart from each other, extending from the second pad portion, and having an upper surface lower than an upper surface of the first and second pad portions; Molded to cover the upper portion of the lead portion within the thickness of the lead frame, is molded to fill the space between the first pad portion and the second pad portion, the upper surface of the first and second pad portion and A first insulating resin molded to expose a bottom surface and a bottom surface of the lead portion; Stacked on top of the lead frame, the chip mounting area of the first pad portion and the entirety of the second pad portion are exposed to the upper portion to penetrate through the central region to enable chip bonding and wire bonding to the first and second pad portions. A metal dam member having a hole formed therein and insulated from the lead portion with the first insulating resin interposed therebetween; An electroplating layer deposited on an outer surface of the dam member and a surface exposed to the outside from the first insulating resin of the lead frame while filling between the dam member and the first pad portion; A light emitting diode chip mounted on the first pad part of the lead frame; A wire provided to electrically connect the light emitting diode chip and the second pad part; And a light-transmitting resin molded in a through hole of the dam member so as to cover the light emitting diode chip and the wire.

여기서, 상기 리드프레임의 패드부는 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부와, 상기 제1패드부와 대응되는 두께로 형성되며 동일평면상에서 이격되어 배치되고 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된 제2패드부와, 상기 제2패드부로부터 외측방향으로 연장되며 상부면이 상기 제1, 제2 패드부의 상부면 보다 낮은 수준으로 형성된 리드부를 포함할 수 있다.The pad portion of the lead frame may include a first pad portion on which a light emitting diode chip is mounted, and a second pad portion formed to have a thickness corresponding to the first pad portion and disposed on the same plane and spaced apart from each other to allow wire bonding. And a lead portion extending outwardly from the second pad portion and having an upper surface lower than an upper surface of the first and second pad portions.

이때, 상기 제1패드부는 상면 중앙영역에 발광다이오드 칩이 실장될 수 있도록 함몰된 칩수용부가 형성된 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that the first accommodating chip accommodating part is formed so that the light emitting diode chip can be mounted on the upper center area.

또한, 상기 전기도금층이 형성된 상기 제1패드부와 상기 댐부재는 상호 접합을 위해 상호 맞닿는 면에 레이저용접, 전기압점용접 또는 접착제 중 어느 하나인 접합수단이 더 형성되며, 상기 접합수단은 상기 제1패드부와 상기 댐부재의 맞닿는 면 에서 다수 개가 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the first pad portion and the dam member on which the electroplating layer is formed are further formed bonding means of any one of a laser welding, an electric pressure welding or an adhesive on the surface abutting for mutual bonding, the bonding means is the first It is preferable that a plurality of pads are formed in contact with the dam member.

또한, 상기 댐부재는 상기 제1절연수지의 상면을 노출하도록 일 측에 홈이 형성되며, 상기 홈에 상기 댐부재와 상기 제1절연수지의 중첩되는 부분을 기밀토록 몰딩되는 제2절연수지를 더 포함할 수 있다.In addition, the dam member has a groove formed on one side to expose the upper surface of the first insulating resin, the second insulating resin is molded to hermetically overlap the portion of the dam member and the first insulating resin in the groove. It may further include.

상기 목적은, 본 발명의 다른 측면에 따라, 발광다이오드 패키지에 있어서, 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부, 상기 발광다이오드 칩과의 와이어 본딩을 위한 제2패드부로 구분되는 적어도 두 개 이상의 패드부가 형성되되, 각 패드부는 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 제1, 제2패드부 각각의 일측 및 타측에서 외측방향으로 하향 절곡되어 연장된 제1리드부와 제2리드부를 가진 리드프레임; 상기 리드프레임의 제1, 제2 패드부의 상면과 제1, 제2 리드부의 최저면만을 노출하도록 일정 두께로 몰딩된 제1절연수지; 상기 리드프레임의 상부에 적층되며, 상기 제1패드부의 칩 실장영역 및 상기 제 2패드부 전체를 상부로 노출시켜 상기 제1, 제2패드부에 칩본딩 및 와이어본딩이 가능하도록 중앙영역에 관통홀이 형성되고, 상기 리드부와는 상기 제1절연수지를 사이에 두고 절연되는 금속의 댐부재; 상기 댐부재와 상기 제1패드부의 사이를 충전하면서, 상기 댐부재의 외부표면과 상기 리드프레임 중 상기 제1절연수지로부터 외부로 노출된 표면에 증착된 전기도금층; 상기 리드프레임의 제1패드부에 실장되는 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩과 제2패드부를 전기적으로 연결하도록 마련된 와이어; 상기 발광다이오드 칩과 상기 와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 몰딩된 투광수지;를 포함하는 것을 특징 으로 하는 발광다이오드 패키지에 의해 달성된다.According to another aspect of the present invention, in the light emitting diode package, at least two or more pads are divided into a first pad unit on which the light emitting diode chip is mounted, and a second pad unit for wire bonding with the light emitting diode chip. A lead frame having a first lead portion and a second lead portion formed to be formed, the pad portions being spaced apart from each other on the same plane and extending downwardly bent outwardly from one side and the other side of each of the first and second pad portions; A first insulating resin molded to a predetermined thickness to expose only upper surfaces of the first and second pad portions of the lead frame and only the lowest surfaces of the first and second lead portions; Stacked on top of the lead frame, the chip mounting area of the first pad portion and the entirety of the second pad portion are exposed to the upper portion and penetrates through the central region to enable chip bonding and wire bonding to the first and second pad portions. A metal dam member having a hole formed therein and insulated from the lead portion with the first insulating resin interposed therebetween; An electroplating layer deposited on an outer surface of the dam member and a surface exposed to the outside from the first insulating resin of the lead frame while filling between the dam member and the first pad portion; A light emitting diode chip mounted on the first pad part of the lead frame; A wire provided to electrically connect the light emitting diode chip and the second pad part; And a light-transmitting resin molded in a through hole of the dam member to cover the light emitting diode chip and the wire.

여기서, 상기 리드프레임은 제1, 제2패드부의 상면이 동일평면상에 위치하고, 상기 제1, 제2패드부로부터 하향 절곡된 제1, 제2리드부의 최저면은 동일평면상에 위치하는 것이 바람직하다.Here, the lead frame is the upper surface of the first and second pad portion is located on the same plane, and the lowest surface of the first and second lead portion bent downward from the first and second pad portion is located on the same plane. desirable.

또한, 상기 리드프레임의 패드부 중 제1패드부는 발광다이오드 칩이 실장되도록 중앙영역에 함몰된 칩 수용부가 형성되고, 상기 칩수용부의 저면은 상기 제1, 제2리드부의 최저면과 동일평면 상에 위치하여 상기 제1절연수지의 외부로 노출되는 것이 바람직하다.In addition, the first pad portion of the pad portion of the lead frame is formed with a chip receiving portion recessed in the central region so that the light emitting diode chip is mounted, the bottom surface of the chip receiving portion is flush with the lowest surface of the first, second lead portion It is preferably located at and exposed to the outside of the first insulating resin.

이때, 상기 전기도금층이 형성된 상기 제1패드부와 상기 댐부재는 상호 접합을 위해 상호 맞닿는 면에 레이저용접, 전기압점용접 또는 접착제 중 어느 하나인 접합수단이 더 형성되며, 상기 접합수단은 상기 제1패드부와 상기 댐부재의 맞닿는 면 에서 다수 개가 형성되는 것이 바람직하다.In this case, the first pad portion and the dam member on which the electroplating layer is formed are further formed bonding means of any one of a laser welding, an electric pressure welding or an adhesive on the surface abutting each other for bonding. It is preferable that a plurality of pads are formed in contact with the dam member.

또한, 상기 댐부재는 상기 제1절연수지의 상면을 노출하도록 일측 또는 타측 중 적어도 어느 하나에 홈이 형성되며, 상기 홈을 몰딩하여 상기 댐부재와 상기 절연수지의 중첩되는 부분을 기밀토록 몰딩되는 제2절연수지를 더 포함할 수 있다.In addition, the dam member has a groove formed on at least one of the one side or the other side to expose the upper surface of the first insulating resin, and molding the groove to be hermetically molded to overlap the portion of the dam member and the insulating resin. The second insulating resin may further include.

상기 목적은, 본 발명의 또 다른 측면에 따라, 발광다이오드 패키지의 제조방법에 있어서, 발광다이오드 칩이 실장되고, 칩본딩 및 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된 제1패드부 및 제2패드부를 포함하는 적어도 두 개 이상의 패드부가 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 패드부 중 적어도 어느 하나로부터 연장되어 상부면이 상기 패드부의 상부면 보다 낮은 수준인 리드부를 가진 리드프레임이 일렬로 다수 배치되는 프레임패널 제공단계; 상기 리드프레임의 패드부 상부면과 리드부 저면을 노출하는 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 덮는 제1절연수지 몰딩단계; 상기 제1절연수지가 몰딩된 리드프레임의 상부에 적층하여, 상기 제 1패드부의 칩 실장영역과 상기 제 2패드부 전체를 상부로 노출시키도록 중앙영역이 타공되어 관통홀이 형성된 금속의 댐부재 제공단계; 상기 댐부재와 상기 리드프레임을 적층 고정하여, 제1패드부와 댐부재의 중첩된 부분의 사이공간을 충전하고, 상기 댐부재의 표면 및 상기 제1절연수지에 의해 노출된 상기 리드프레임의 표면에 금속을 증착시키는 전기도금 단계; 상기 댐부재의 상부로 노출된 제1패드부 및 제2패드부에 발광다이오드 칩 및 와이어를 본딩하여 전기적 결선을 이루는 칩 실장단계; 상기 칩 실장단계에서 실장된 발광다이오드 칩과 본딩와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 투광수지를 주입하고 경화하는 투광수지 몰딩단계; 상기 투광수지 몰딩단계 이후 일렬로 다수 배치된 상기 리드프레임 및 상기 댐부재를 절단하여 개별화된 패키지를 완성하는 분리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법에 의해 달성된다.According to yet another aspect of the present invention, in the method of manufacturing a light emitting diode package, a light emitting diode chip is mounted, comprising a first pad portion and a second pad portion provided to enable chip bonding and wire bonding. At least two pads are spaced apart from each other on the same plane, and extends from at least one of the pads to provide a frame panel in which a plurality of lead frames having lead portions having an upper surface lower than an upper surface of the pad portion are arranged in a row. step; A first insulating resin molding step of covering an upper portion of the lead portion within a thickness exposing the upper surface of the pad portion and the lower surface of the lead portion of the lead frame; A metal dam member having a through hole formed by stacking the first insulating resin on the molded lead frame and having a central area formed to expose the chip mounting area of the first pad part and the entirety of the second pad part. Providing step; The dam member and the lead frame are laminated and fixed to fill a space between the first pad portion and the overlapped portion of the dam member, and the surface of the dam member and the surface of the lead frame exposed by the first insulating resin. Electroplating to deposit metal onto the substrate; A chip mounting step of bonding an LED chip and a wire to the first pad part and the second pad part exposed to the upper portion of the dam member to form an electrical connection; A translucent resin molding step of injecting and curing the translucent resin into the through hole of the dam member to cover the LED chip and the bonding wire mounted in the chip mounting step; It is achieved by the method of manufacturing a light emitting diode package comprising a; separating the lead frame and the dam member arranged in a row after the transparent resin molding step to complete the individualized package.

여기서, 상기 전기도금단계 이전에 실행되며, 상기 리드프레임과 금속의 댐부재의 밀착 고정을 위해 레이저 용접, 전기압점용접, 또는 접착제 중 어느 하나를 사용하되, 상기 리드프레임과 상기 댐부재와 맞닿는 면 중 다수의 스폿을 통해 상호접합을 이루는 접합단계를 더 포함할 수 있다.Here, it is executed before the electroplating step, using any one of laser welding, electro-pressure welding, or adhesive for the tight fixing of the lead frame and the dam member of the metal, the surface which is in contact with the lead frame and the dam member It may further comprise a bonding step of making a junction through a plurality of spots.

또한, 상기 투광수지 몰딩단계 이전에 실행되며, 상기 리드부를 절연하는 상기 제1절연수지와 상기 댐부재와의 중첩되는 부분을 기밀하게 하기 위해 상기 댐부 재에 상기 제1절연수지의 상면이 상부로 노출되도록 측면에 홈이 형성되고, 상기 홈을 제2절연수지로 충전하여 몰딩하는 제2절연수지 몰딩단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the upper surface of the first insulating resin to the upper portion of the dam portion in order to ensure the airtight portion overlapping the first insulating resin and the dam member to be insulated before the light-transmissive resin molding step. A groove may be formed on the side surface to expose the surface, and the method may further include a second insulating resin molding step of filling the groove with the second insulating resin and molding the groove.

본 발명에 따르면, 발광다이오드 동작열이 금속의 댐부재로 효과적으로 전달되어 방열될 수 있도록 상기 발광다이오드가 부착된 패드부와 상기 댐부재의 접합하는 접합수단을 용접 및 전기전도성 접착제 등으로 접합하는 발광다이오드 패키지제공된다.According to the present invention, the light emitting diode for joining the pad portion to which the light emitting diode is attached and the bonding means for bonding the dam member with a welding and an electroconductive adhesive or the like so that the heat of the light emitting diode operation can be effectively transferred and radiated to the metal dam member. Diode package is provided.

또한, 상기 댐부재 및 상기 패드부 중 절연수지로부터 노출된 금속부분에 전기도금을 이용해 도금함으로써 발광다이오드의 동작열을 용이하게 외부로 방출할 수 있는 발광다이오드 패키지가 제공된다.In addition, a light emitting diode package is provided which can easily discharge the operating heat of the light emitting diode to the outside by plating with a metal part exposed from the insulating resin of the dam member and the pad portion using an electroplating.

또한, 칩본딩을 하는 패드부와 와이어본딩을 하는 패드부를 절연시키는 절연수지를 최소화하여 발광다이오드의 동작열을 외부로 효과적으로 전달되어 방열할 수 있는 발광다이오드 패키지가 제공된다.In addition, a light emitting diode package is provided which can effectively transmit heat to the heat of the light emitting diode by minimizing an insulating resin that insulates the pad portion for chip bonding and the pad portion for wire bonding.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.Prior to the description, in the various embodiments, components having the same configuration will be representatively described in the first embodiment using the same reference numerals, and in other embodiments, different configurations from the first embodiment will be described. do.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 전기전자소자용 리드프레임에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a lead frame for an electric / electronic device according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 분해사시도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지(P1)는 리드프레임(10), 제1절연수지(20), 댐부재(30), 접합수단(40), 제2절연수지(50), 전기도금층(60), 발광다이오드 칩(70), 와이어(80), 투광수지(90)로 구성될 수 있다.1 is an exploded perspective view of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is a perspective view of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention. 1 and 2, the light emitting diode package P 1 according to the first embodiment of the present invention includes a lead frame 10, a first insulating resin 20, a dam member 30, and a joining means 40. ), A second insulating resin 50, an electroplating layer 60, a light emitting diode chip 70, a wire 80, and a light transmitting resin 90.

여기서, 상기 각 구성에 대해 상세히 살펴본다. 도 3a는 본 발명의 제1실시예에 따른 리드프레임의 사시도이고, 도 3b는 본 발명의 제1실시예에 따른 리드프레임의 배면사시도이다.Here, the above configuration will be described in detail. Figure 3a is a perspective view of a lead frame according to a first embodiment of the present invention, Figure 3b is a rear perspective view of the lead frame according to the first embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 리드프레임(10)은 제1패드부(11), 제2패드부(13), 리드부(14)로 구성될 수 있다. 이때, 리드프레임(10)은 전기적으로 도통되거나 후술할 발광다이오드 칩의 동작열을 외부로 방열할 수 있도록 금속재질로 마련될 수 있다.Referring to FIGS. 3A and 3B, the lead frame 10 may include a first pad part 11, a second pad part 13, and a lead part 14. In this case, the lead frame 10 may be provided with a metal material so as to be electrically conductive or to radiate the heat of operation of the light emitting diode chip to be described later.

또한, 리드프레임(10)은 상면 및 배면이 하프에칭((half etching)되어 제 1패드부(11), 제2패드부(13) 및 리드부(14)가 형성될 수 있다. In addition, the upper and lower surfaces of the lead frame 10 may be half-etched to form the first pad part 11, the second pad part 13, and the lead part 14.

여기서, 제1패드부(11)는 소정의 두께로 마련되며, 상부의 중앙영역에는 하프에칭(half etching)되어 함몰된 칩수용부(12)가 형성되어 후술할 발광다이오드 칩이 실장될 수 있다.Here, the first pad part 11 is provided to have a predetermined thickness, and a chip accommodating part 12 recessed by being half etched is formed in a central area of the upper part so that the LED chip described later may be mounted. .

또한, 제2패드부(13)는 후술할 와이어(80)를 본딩할 수 있도록 형성되되, 제1패드부(11)와 대응되는 두께로 마련되며, 제1패드부(11)와 동일평면상에서 이격되어 배치되도록 형성되도록 상면 및 배면이 하프에칭((half etching)된다.In addition, the second pad portion 13 is formed to bond the wire 80 to be described later, is provided with a thickness corresponding to the first pad portion 11, on the same plane as the first pad portion 11 The top and back surfaces are half etched so as to be spaced apart from each other.

즉, 제1패드부(11)와 제2패드부(13)는 동일평면상에서 이격되어 배치됨으로써 발생하는 공간인 이격홈(A)으로는 후술할 제1절연수지(20)가 몰딩될 수 있게 되고, 이에 따라 제1패드부(11)와 제2패드부(13)는 상호 절연될 수 있게 되는 것이다.That is, the first pad part 11 and the second pad part 13 may be spaced apart from each other on the same plane so that the first insulating resin 20 to be described later may be molded into the spaced groove A. As a result, the first pad part 11 and the second pad part 13 may be insulated from each other.

한편, 제1패드부(11) 및 제2패드부(13)는 배면 하프에칭(half etching)시 제 1패드부의(11)의 제1이탈방지홈(11a)이 형성되고, 제 2패드부(13)의 제2이탈방지홈(13a)이 형성된다. 이와 같은 이탈방지홈들이 형성됨으로써 후술할 제1절연수지(20)가 이격홈(A)으로 몰딩되더라도 이탈을 방지할 수 있게 된다. Meanwhile, the first pad part 11 and the second pad part 13 are formed with a first release preventing groove 11a of the first pad part 11 when the bottom half is etched, and the second pad part. The second departure preventing groove 13a of (13) is formed. As the separation preventing grooves are formed, the separation may be prevented even when the first insulating resin 20 to be described below is molded into the separation groove A.

리드부(14)는 상술한 제2패드부(13)로부터 외측방향으로 평행하게 연장형성되되, 상면 하프에칭((half etching)시 상부 일부가 반식각되어 형성될 수 있다.The lead part 14 may extend in parallel to the outer side from the second pad part 13 described above, and may be formed by half etching the upper part during half etching of the upper surface.

또한, 리드부(14)는 저면이 전기적 접속단자로 이용될 수 있도록 단자부(14a)가 마련된다. 즉, 후술할 제1절연수지(20)에 의해 몰딩되더라도 단자부(14a)는 전기적 접속을 위해 제1절연수지(20)로부터 외부로 노출되도록 형성되는 것이다.In addition, the lead portion 14 is provided with a terminal portion 14a so that the bottom surface can be used as an electrical connection terminal. That is, even when molded by the first insulating resin 20 to be described later, the terminal portion 14a is formed to be exposed to the outside from the first insulating resin 20 for electrical connection.

다음으로, 제1절연수지에 대해 설명한다. 도 4는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이고, 도 5는 도 2의 배면도이다.Next, the first insulating resin will be described. 4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1, and FIG. 5 is a rear view of FIG. 2.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제1절연수지(20)는 상술한 리드프레임(10)의 두께 내에서 상기 리드부(14)를 덮도록 몰딩되어 제1패드부(11)와 제2패드부(13)를 절연시키는 수지이다.4 and 5, the first insulating resin 20 is molded to cover the lead portion 14 within the thickness of the lead frame 10 described above, so that the first pad portion 11 and the second pad are formed. It is resin which insulates the part 13.

또한, 제1절연수지(20)는 제1패드부(11)와 제2패드부(13) 사이의 절연홈(A)을 충전(充塡)하며, 제2패드부(13)의 상면 및 단자부(14a)의 저면을 노출하도록 몰딩된다. 이때, 제1패드부(10) 및 제2패드부(13)에 형성된 제1, 제2이탈방지홈(11a)(13a)까지 제1절연수지(20)가 충전됨으로써 몰딩된 제1절연수지(20)가 리드프레임(10)으로부터 쉽게 이탈되지 않게 된다.In addition, the first insulating resin 20 fills the insulating groove A between the first pad part 11 and the second pad part 13, and the upper surface of the second pad part 13 and Molded to expose the bottom of the terminal portion 14a. In this case, the first insulating resin molded by filling the first insulating resin 20 to the first and second separation preventing grooves 11a and 13a formed in the first pad part 10 and the second pad part 13 is formed. 20 is not easily separated from the lead frame 10.

이와 같이 제1절연수지(20)에 의해 몰딩됨으로써 리드프레임(10)의 제1패드부(11)와 제2패드부(13)는 제1절연수지(20)에 의해 절연되고, 제2패드부(13)는 아일랜드(island) 형태로 형성될 수 있다. 또한, 제2패드부(13)의 상면은 후술할 와이어(80)를 본딩할 수 있도록 제1절연수지(20)의 외부로 노출되고, 리드부(14)의 단자부(14a)는 전기적 접속단자로 이용될 수 있도록 제1절연수지(20)의 외부로 노출될 수 있게 된다.As described above, the first pad part 11 and the second pad part 13 of the lead frame 10 are insulated by the first insulating resin 20 by being molded by the first insulating resin 20. The portion 13 may be formed in an island shape. In addition, the upper surface of the second pad portion 13 is exposed to the outside of the first insulating resin 20 so as to bond the wire 80 to be described later, the terminal portion 14a of the lead portion 14 is an electrical connection terminal It can be exposed to the outside of the first insulating resin 20 to be used as.

댐부재(30)는 상술한 제1절연수지(20)가 몰딩된 리드프레임(10)의 크기와 대응되는 크기로 마련되어 리드프레임(10)의 상부에 적층된다. 여기서, 댐부재(30)는 열전도율 및 방열성이 좋은 금속재질로 마련될 수 있다.(도 1 참조)The dam member 30 is provided in a size corresponding to the size of the lead frame 10 in which the first insulating resin 20 is molded and stacked on the lead frame 10. Here, the dam member 30 may be formed of a metal material having good thermal conductivity and heat dissipation. (See FIG. 1).

또한, 댐부재(30)는 상술한 리드부(14) 상부에 몰딩된 제1절연수지(20)가 노출되도록 측부에 홈(31)이 마련될 수 있다. 이같은 홈(31)이 마련되어 후술할 제2절연수지(50)을 홈(31)에 몰딩함으로써 제1절연수지(20)와 댐부재(30)가 접합될 수 있게 된다.In addition, the dam member 30 may be provided with a groove 31 at a side thereof to expose the first insulating resin 20 molded above the lead portion 14. Such a groove 31 is provided so that the first insulating resin 20 and the dam member 30 can be bonded by molding the second insulating resin 50 to be described later in the groove 31.

한편, 댐부재(30)는 상술한 제1패드부(11)의 칩수용부(12) 및 제2패드부(13)를 댐부재(30)의 상부 외측으로 노출할 수 있는 홀 형태의 관통홀(32)이 형성될 수 있다.On the other hand, the dam member 30 penetrates the hole shape through which the chip receiving portion 12 and the second pad portion 13 of the first pad portion 11 described above may be exposed to the outside of the upper portion of the dam member 30. The hole 32 may be formed.

이와 같이 형성된 관통홀(32)를 통해 제1패드부(11) 및 제2패드부(13)가 댐부재(30)의 상부 외측으로 노출됨으로써 후술할 발광다이오드 칩(70) 및 와이어(80)를 제1패드부(11) 및 제2패드부(13)에 실장하여 전기적으로 연결할 수 있게 되면, 상기 관통홀(32)은 캐비티(cavity)로서의 역할을 하여, 칩수용부(12)에 실장되는 후술할 발광다이오드 칩(70)으로부터 방사되는 광을 집광하기에 용이하게 된다.The first pad part 11 and the second pad part 13 are exposed to the outer side of the upper portion of the dam member 30 through the through hole 32 formed as described above, so that the LED chip 70 and the wire 80 to be described later will be described. Is mounted on the first pad part 11 and the second pad part 13 to be electrically connected, the through hole 32 serves as a cavity, and is mounted on the chip receiving part 12. It becomes easy to focus the light emitted from the light emitting diode chip 70 which will be described later.

다음으로, 접합수단, 제2절연수지 및 전기도금층에 대해 설명한다. 도 6은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다. 도 6은 이해를 돕기 위해 투광수지(90)는 분리된 상태로 도시되어 있고, 전기도금층(60)은 과장된 형태로 도시되어 있다.Next, the bonding means, the second insulating resin and the electroplating layer will be described. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 2. FIG. 6 shows the translucent resin 90 in a separated state for the sake of understanding, and the electroplating layer 60 is shown in an exaggerated form.

도 6을 참조하면, 접합수단(40)은 제 1패드부(11)와 댐부재(30) 사이에 개재되어 상기 제 1패드부(11)와 상기 댐부재(30)를 상호 접합하게 된다.Referring to FIG. 6, the joining means 40 is interposed between the first pad part 11 and the dam member 30 to bond the first pad part 11 and the dam member 30 to each other.

이때, 접합수단(40)은 전기압점용접 또는 레이저용접 등을 이용한 용접일 수 있다. 이같은 용접을 이용하여 제 1패드부(11)와 댐부재(30)가 접합됨으로써 상호 간 열전도율을 높일 수 있다.In this case, the bonding means 40 may be welding using electric pressure welding or laser welding. By using such welding, the first pad part 11 and the dam member 30 are bonded to each other to increase thermal conductivity.

한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1패드부(11)와 댐부재(13) 상호 간 접합 할 수 있도록 개재되는 접합수단(40)은 접착제(40a)일 수 있다. 여기서, 접착제(40a) 대신에 박막의 양면접착필름을 사용할 수도 있다.On the other hand, as shown in Figure 7, the bonding means 40 which is interposed so that the first pad portion 11 and the dam member 13 can be bonded to each other may be an adhesive (40a). Here, a thin double-sided adhesive film may be used instead of the adhesive 40a.

또한, 도시된 도면에서는 한 개 지점에서만 접합되는 것으로 도시되었으나, 필요에 따라 다수의 스폿(지점)에서 상술한 바와 같은 접합수단(40)을 개재할 수 있다.In addition, although shown in the figure shown to be bonded at only one point, if necessary, the plurality of spots (points) may be interposed through the bonding means 40 as described above.

제2절연수지(50)는 댐부재(30)의 홈(31)에 주입되어 제1절연수지(20)의 상부로 적층된 댐부재(30)와의 중첩되는 부분을 기밀(氣密)하도록 몰딩하는 접합수단이다.(도 6참조) 이때, 제2절연수지(50)는 에폭시수지일 수 있다.The second insulating resin 50 is injected into the groove 31 of the dam member 30 and molded to hermetically seal an overlapping portion with the dam member 30 stacked on the upper portion of the first insulating resin 20. (See FIG. 6) In this case, the second insulating resin 50 may be an epoxy resin.

다음으로 전기도금층(60)을 설명한다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 전기도금층(60)은 접합수단(40)과 제2절연수지(50)에 의해 결합된 댐부재(30)와 리드프레임(10)을 소정의 전기도금조를 통해 형성될 수 있다. 이때, 관통홀(32)의 내측벽면(32a)을 포함한 댐부재(30)의 노출된 금속표면과, 리드프레임(10) 중 제1절연수지(20)로부터 외부로 노출된 금속표면에 형성될 수 있다.Next, the electroplating layer 60 will be described. 6 and 7, the electroplating layer 60 may include a dam member 30 and a lead frame 10 coupled by the joining means 40 and the second insulating resin 50 to a predetermined electroplating bath. It can be formed through. In this case, the exposed metal surface of the dam member 30 including the inner wall surface 32a of the through hole 32 and the metal surface exposed to the outside from the first insulating resin 20 of the lead frame 10 may be formed. Can be.

또한, 전기도금층(60)을 형성하는 금속으로는 열전도 및 반사율이 좋은 은(Ag) 등의 금속을 이용하는 것이 바람직하다. 이같은 은도금층이 형성됨으로써 발광다이오드로부터 방사되는 빛을 효율적으로 집광할 수 있게 되고, 열전도율이 좋아 발생되는 열을 외부로 잘 방출할 수 있게 된다. 특히, 관통홀(32)의 내측벽면(32a)에 전기도금층(60)이 형성됨으로써 종래보다 집광효율이 더욱 증대되게 된다.As the metal for forming the electroplating layer 60, it is preferable to use a metal such as silver (Ag) having good thermal conductivity and reflectance. By forming such a silver plating layer, it is possible to efficiently collect the light emitted from the light emitting diodes, and it is possible to emit heat generated due to good thermal conductivity to the outside. In particular, since the electroplating layer 60 is formed on the inner wall surface 32a of the through hole 32, the light collecting efficiency is further increased than before.

또한, 전기도금층(60)은 제1패드부(11)와 댐부재(30)의 중첩된 부분의 미세한 사이공간을 충전(充塡)하며 형성될 수 있다. 즉, 제1패드부(11)와 댐부재(30)가 접합수단(40) 및 제2절연수지(50)을 통해 접합되어 있기는 하되, 접촉하고 있는 접촉면 모두가 접합되어 있지 않아 상호 간에 미세한 사이공간이 발생하여 열전도율이 낮을 수 있다. 따라서, 이 같은 미세한 사이공간을 전기도금층(60)이 충전함으로써 제1패드부(11)와 댐부재(30)의 상호 간 열전도율이 더욱 향상될 수 있게 된다.In addition, the electroplating layer 60 may be formed while filling the minute interspaces of the overlapping portions of the first pad part 11 and the dam member 30. That is, although the first pad part 11 and the dam member 30 are joined through the joining means 40 and the second insulating resin 50, all of the contact surfaces which are in contact with each other are not bonded to each other. An interspace may occur, resulting in low thermal conductivity. Therefore, the electroplating layer 60 fills such fine interspaces so that the thermal conductivity of the first pad part 11 and the dam member 30 can be further improved.

이어서, 발광다이오드 칩(70), 와이어(80) 및 투광수지(90)를 설명한다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 발광다이오드 칩(70)은 제1패드부(11)의 칩수용부(12)에 실장되어 소정의 접착수단에 의해 본딩될 수 있다. 또한, 와이어(80)는 칩수용부(12)에 실장된 발광다이오드 칩(70)과 제1패드부(11) 및 제2패드부(13)와 본딩되어 발광다이오드 칩(70)이 전기적으로 연결되도록 한다.Next, the light emitting diode chip 70, the wire 80, and the transparent resin 90 will be described. 6 and 7, the light emitting diode chip 70 may be mounted on the chip accommodating part 12 of the first pad part 11 and bonded by a predetermined bonding means. In addition, the wire 80 is bonded to the light emitting diode chip 70, the first pad part 11, and the second pad part 13 mounted on the chip accommodating part 12 so that the light emitting diode chip 70 is electrically connected to the light emitting diode chip 70. To be connected.

한편, 투광수지(90)는 광을 투과시킬 수 있는 수지로써, 댐부재(30)의 관통홀(32)의 내부로 몰딩형성된다. 이때, 몰딩되는 투광수지(90)의 높이는 관통홀(32)의 높이와 대응되도록 몰딩되는 것이 바람직하다.On the other hand, the translucent resin 90 is a resin which can transmit light, and is molded into the through hole 32 of the dam member 30. In this case, the height of the molded light-transmitting resin 90 is preferably molded to correspond to the height of the through-hole 32.

도 2를 참조하면, 이와 같이 몰딩됨으로써, 본딩된 발광다이오드 칩(70) 및 와이어(80)를 보호할 수 있게 된다. 또한, 제2패드부(13)로부터 소정의 전기적 신호를 전달받으면 발광다이오드로 칩부터 빛이 방사되고, 방사된 빛은 캐비티(cavity) 역할을 하는 관통홀(32)을 통해 집광될 수 있고, 이후 투광수지(90)를 통해 외부로 방사할 수 있게 되는 것이다.Referring to FIG. 2, by molding as described above, the bonded LED chip 70 and the wire 80 may be protected. In addition, when a predetermined electrical signal is received from the second pad unit 13, light is emitted from the chip to the light emitting diode, and the emitted light may be collected through the through hole 32 serving as a cavity. Since it will be able to radiate to the outside through the light-transmitting resin (90).

상술한 바와 같은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 열을 방출할 수 있는 제1패드부의 노출된 금속표면적이 넓게 형성됨으로써 열 방출효율이 증대될 수 있고, 리드프레임과 댐부재의 사이공간을 충전하는 전기도금층이 형성됨으로써 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열은 리드프레임으로부터 댐부재로 효과적으로 전달될 수 있게 된다. 또한, 노출되는 금속표면에 전기도금층이 형성됨으로써 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있다.As described above, the light emitting diode package according to the first embodiment of the present invention has a large exposed metal surface area of the first pad portion capable of dissipating heat, thereby increasing heat dissipation efficiency, and improving the efficiency of the lead frame and the dam member. Since the electroplating layer filling the interspace is formed, heat generated from the light emitting diode chip can be effectively transferred from the lead frame to the dam member. In addition, since the electroplating layer is formed on the exposed metal surface, heat can be effectively released to the outside.

지금부터는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법에 대해서 설명한다. 도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법의 개략적인 순서도이고, 도 9 내지 도 14는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조공정을 나타낸 도면이다.The manufacturing method of the light emitting diode package according to the first embodiment of the present invention will now be described. 8 is a schematic flowchart of a method of manufacturing a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 9 to 14 are views illustrating a manufacturing process of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention.

먼저, 도 9를 참조하면, 상술한 바와 같은 리드프레임(10)이 측부로부터 연장되어 일렬로 다수 개가 결합된 프레임패널(100)을 제공한다(S10).First, referring to FIG. 9, the lead frame 10 as described above is extended from the side to provide a frame panel 100 in which a plurality of lines are coupled (S10).

이때, 프레임패널(100)에는 리드프레임(10)의 제 1패드부(11)와 제 2패드부(13)의 이격된 공간인 이격홈(A)으로 제1절연수지(20)가 주입될 수 있도록 상기 이격홈(A)과 연통되는 수지주입홈(110)이 마련될 수 있다.In this case, the first insulating resin 20 is injected into the frame panel 100 into the spaced groove A, which is a spaced space between the first pad portion 11 and the second pad portion 13 of the lead frame 10. Resin injection groove 110 may be provided so as to communicate with the separation groove (A).

한편, 도 9에서는 일방향으로 일렬로 연결된 것을 도시하고 있으나, 이와 같은 것을 좌우대칭으로 마련하고, 하나의 수지주입홈(110)과 네 개의 리드프레임(10)의 이격홈(A)과 연통되도록 형성하면 한 번의 제1절연수지(20) 주입으로 다 수 개의 리드프레임(10)에 제1절연수지(20)를 몰딩할 수 있도록 프레임패널을 마련할 수 도 있다.On the other hand, Figure 9 is shown in a row connected in one direction, it is provided such that the left and right symmetry, it is formed so as to communicate with the spaced grooves (A) of one resin injection groove 110 and four lead frames (10). When the first insulating resin 20 is injected, a frame panel may be provided to mold the first insulating resin 20 to a plurality of lead frames 10.

다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 제공된 프레임패널(100)을 소정의 격벽이 마련되어 각 리드프레임을 구획할 수 있는 상부금형틀 및 하부 금형틀(미도시)의 사이에 배치한 후, 제1절연수지(20)를 프레임패널(100)의 수지주입홈(110)으로 주입하여 각각의 리드프레임(10)의 리드부(14)의 상부를 덮도록 주입하되, 리드프레임(10)의 두께와 대응되며 제1패드부(11)와 제2패드부(13)의 이격홈(A)을 완전히 충전(充塡)하도록 주입한다(S20).Next, as shown in FIG. 9, after the provided frame panel 100 is disposed between an upper mold frame and a lower mold frame (not shown) in which predetermined barrier ribs may be provided to partition each lead frame, the first frame panel 100 may be provided. Insulating resin 20 is injected into the resin injection groove 110 of the frame panel 100 so as to cover the upper portion of the lead portion 14 of each lead frame 10, the thickness of the lead frame 10 and Correspondingly, the spaced grooves A of the first pad part 11 and the second pad part 13 are injected to be completely filled (S20).

이때, 도 10에 도시된 바와 같이, 제2패드부(13)의 상면과 리드부(14)의 저면인 단자부(14a)는 외부로 노출되도록 제1절연수지(20)를 주입 및 경화시켜 몰딩하는 것이 바람직하다.At this time, as shown in FIG. 10, the upper surface of the second pad portion 13 and the terminal portion 14a, which is the bottom surface of the lead portion 14, may be molded by injecting and curing the first insulating resin 20 to be exposed to the outside. It is desirable to.

다음, 제1절연수지(20)가 몰딩된 리드프레임(10)을 상부 및 하부금형틀을 분리한다. 이어, 도 9 및 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 프레임패널(100)에 결합된 리드프레임(10)과 대응되도록 댐부재프레임(200)에 결합된 댐부재(30)를 프레임패널(10)의 상부에 적층한다(S30). 이때, 댐부재(30)는 중앙영역에 관통홀(32)이 형성되고 일 측부에 홈(31)이 형성된 것이 바람직하며, 상기 관통홀(32)를 통해 제1패드부(11)의 칩 실장영역과 제2패드부(13)를 상부로 노출시키도록 적층하는 것이 바람직하다. 한편, 댐부재(30)는 각 리드프레임(10)의 상부에 개별적으로 제공될 수도 있다. Next, the upper and lower mold frames are separated from the lead frame 10 in which the first insulating resin 20 is molded. Subsequently, as shown in FIGS. 9 and 11, the dam member 30 coupled to the dam member frame 200 corresponds to the lead frame 10 coupled to the frame panel 100. It is stacked on top of (S30). In this case, the dam member 30 is preferably formed with a through hole 32 in a central region and a groove 31 formed at one side thereof, and chip mounting of the first pad part 11 through the through hole 32. It is preferable to stack the region and the second pad portion 13 to expose the upper portion. On the other hand, the dam member 30 may be provided on the upper portion of each lead frame 10 individually.

이어, 도 12에서 도시된 바와 같이, 댐부재(30)와 제1패드부(11)가 접촉하는 부분 중 한 개 지점 또는 복수 지점에서 접합수단(40)을 통해 접합한다(S40). 이때, 사용되는 접합수단(40)은 전기압점용접 또는 레이저용접 등의 용접일 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 접합수단(40)은 댐부재(30)와 제1패드부(11)의 사이에 소정의 접착제 또는 박막의 양면접착필름 등을 개재시켜 접합할 수도 있다.Subsequently, as shown in FIG. 12, at one point or a plurality of points where the dam member 30 and the first pad part 11 contact each other, the bonding means 40 is bonded (S40). At this time, the bonding means 40 used may be welding such as electric pressure welding or laser welding. In addition, as described above, the bonding means 40 may be bonded between the dam member 30 and the first pad portion 11 with a predetermined adhesive or a thin double-sided adhesive film interposed therebetween.

이후, 접합된 리드프레임(10)과 댐부재(30)를 소정의 전기도금조(미도시)에 담궈 노출된 금속표면에 소정의 금속을 증착시켜 전기도금층(60)을 형성한다(S50).Thereafter, the bonded lead frame 10 and the dam member 30 are immersed in a predetermined electroplating tank (not shown) to deposit a predetermined metal on the exposed metal surface to form the electroplating layer 60 (S50).

여기서, 전기도금층(60)은 접합수단(40)을 통해 접합된 댐부재(30)와 리드프레임(10) 및 제1절연수지(20)의 미세한 틈을 충전(充塡)하면서 증착될 수 있다. 또한, 전기도금층(60)은 댐부재(30)의 노출된 금속표면 및 제1절연수지(20)의 외부로 노출된 리드프레임(10)의 금속표면에 증착되어 형성될 수 있다.Here, the electroplating layer 60 may be deposited while filling a minute gap between the dam member 30 and the lead frame 10 and the first insulating resin 20 bonded through the bonding means 40. . In addition, the electroplating layer 60 may be formed by being deposited on the exposed metal surface of the dam member 30 and the metal surface of the lead frame 10 exposed to the outside of the first insulating resin 20.

이와 같이 형성된 전기도금층(60) 중 댐부재(30)의 관통홀(32)의 내측벽면(32a)에 증착되는 전기도금층(60)은 발광다이오드 칩으로부터 방사되는 빛을 더욱 잘 반사할 수 있다. 또한, 댐부재(30)와 리드프레임(10)의 사이공간을 충전하도록 증착된 전기도금층(60)은 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열을 외부로 방출할 수 있도록 용이하게 전달할 수 있는 역할을 할 수 있게 된다. 한편, 여기서 전기도금되는 금속으로는 열전도율 및 광반사도가 좋은 은(Ag)등이 바람직하다.The electroplating layer 60 deposited on the inner wall surface 32a of the through hole 32 of the dam member 30 of the electroplating layer 60 formed as described above may better reflect light emitted from the light emitting diode chip. In addition, the electroplating layer 60 deposited to fill the space between the dam member 30 and the lead frame 10 may serve to easily transfer heat generated from the light emitting diode chip to the outside. Will be. As the metal to be electroplated here, silver (Ag) having good thermal conductivity and light reflectivity is preferable.

이어서, 도 13에 도시된 바와 같이, 댐부재(30)의 관통홀(32)를 통해 상부로 노출된 제 1패드부(10) 및 제 2패드부(20)에 발광다이오드 칩(70) 및 와이어(80)를 본딩하여 전기적 결선을 이룬다(S60).Subsequently, as shown in FIG. 13, the light emitting diode chip 70 and the first pad part 10 and the second pad part 20 exposed upward through the through hole 32 of the dam member 30. Bonding the wire 80 forms an electrical connection (S60).

이어, 댐부재(30)의 홈(31)으로 에폭시수지 등의 제2절연수지(50)을 주입 및 몰딩하여 댐부재(30)와 제1절연수지(20)를 접합시킨다(S70).Next, the dam member 30 and the first insulating resin 20 are bonded to each other by injecting and molding a second insulating resin 50 such as an epoxy resin into the groove 31 of the dam member 30 (S70).

여기서, 제2절연수지를 몰딩하는 단계는 후술할 투광수지 몰딩단계 이전에만 실행되면 되므로, 반드시 칩 및 와이어를 본딩한 후에 이뤄지는 공정은 아닐 수 있다.Here, the molding of the second insulating resin may be performed only before the light-transmitting resin molding step, which will be described later, and may not necessarily be performed after bonding the chip and the wire.

이후, 도 14에 도시된 바와 같이발광다이오드 칩(70)과 와이어(80)를 덮도록 댐부재(30)의 관통홀(32)에 투광수지(90)를 주입하고 경화한다(S80). Thereafter, as shown in FIG. 14, the light-transmitting resin 90 is injected into the through hole 32 of the dam member 30 to cover the light emitting diode chip 70 and the wire 80, and then cured (S80).

이어, 상술한 공정을 모두 거친 후에 프레임패널(100)에 일렬로 연결된 리드프레임(10)과 댐부재(30)를 커팅라인(CL)에서 쏘우(Saw) 또는 금형 타발로 개별화하여 도 2에서와 같은 발광다이오드 패키지(P1)를 완성하게 된다.Subsequently, the lead frame 10 and the dam member 30 connected in a row to the frame panel 100 after all the above-described process is individualized in the cutting line (CL) by the saw (saw) or mold punching in FIG. The same light emitting diode package P 1 is completed.

이와 같이 형성된 발광다이오드 패키지는 일정한 체적 내에서 열전도성이 비교적 작은 수지몰딩부분을 최소화하고, 방열수단인 제1패드부(11)의 면적을 최대로 하여 발광다이오드 칩으로부터 전도된 열을 외부로 방출이 용이해진다.The light emitting diode package formed as described above minimizes a resin molding portion having a relatively low thermal conductivity within a predetermined volume, and maximizes the area of the first pad portion 11 as a heat dissipation means to radiate heat conducted from the light emitting diode chip to the outside. This becomes easy.

또한, 댐부재(30)와 리드프레임(10) 상호 간의 접합은 전기도금층(60)을 통해 넓은 면적에서 접촉 되도록 접합되고, 열전도성이 좋은 물질로 접합됨으로써 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열을 댐부재(30)로 효과적으로 전달할 수 있고, 이에 따라 댐부재(30)를 통해 외부로 열이 용이하게 방출될 수 있게 된다.In addition, the bonding between the dam member 30 and the lead frame 10 is bonded to a large area through the electroplating layer 60, and the heat generated from the light emitting diode chip by bonding with a good thermal conductivity material dam member 30 can be effectively transmitted, and thus heat can be easily released to the outside through the dam member 30.

아울러, 댐부재(30)의 관통홀(32)의 내측벽면(32a)에 금속도금층(60)이 형성됨으로써 관통홀(32)이 캐비티(cavity)역할을 하여 발광다이오드 칩으로부터 방사되는 광을 효과적으로 집광할 수 있게 된다.In addition, since the metal plating layer 60 is formed on the inner wall surface 32a of the through hole 32 of the dam member 30, the through hole 32 serves as a cavity to effectively absorb light emitted from the light emitting diode chip. It becomes possible to collect light.

다음으로 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 대하여 설명한다. 도 15는 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 분해사시도이고, 도 16은 본 발명의 제 2실시예에 따른 발광다이오드의 사시도이다.Next, a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention will be described. 15 is an exploded perspective view of a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a perspective view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에에 따른 발광다이오드 패키지(P2)는 리드프레임(10), 제1절연수지(20), 댐부재(30), 접합수단(40), 전기도금층(60), 발광다이오드 칩(70), 와이어(80), 투광수지(90)로 구성된다.Referring to FIG. 14, the light emitting diode package P 2 according to the second embodiment of the present invention may include a lead frame 10, a first insulating resin 20, a dam member 30, a joining means 40, The electroplating layer 60, the light emitting diode chip 70, the wire 80, and the light transmitting resin 90 are formed.

본 발명의 제2실시예는 제1실시예와 비교하여 리드프레임과 댐부재의 형태를 달리한다. 도 15는 본 발명의 제2실시예에 따른 리드프레임의 사시도이고, 도 16은 도 15의 Ⅲ-Ⅲ'의 단면도이고, 도 17은 도 15의 Ⅳ-Ⅳ'의 단면도이다.In the second embodiment of the present invention, the shape of the lead frame and the dam member is different from that of the first embodiment. 15 is a perspective view of a lead frame according to a second embodiment of the present invention, FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG. 15, and FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line IV-IV ′ of FIG. 15.

도 15 및 도 17을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 리드프레임(10)은 제1실시예와 같이 전기적으로 도통 및 열이 전도될 수 있도록 금속재질로 마련될 수 있으며, 제 1패드부(11), 제 2패드부(13), 제 1리드부(15), 제 2리드부(16)로 구성될 수 있다.15 and 17, the lead frame 10 according to the second embodiment of the present invention may be formed of a metal material to electrically conduct and conduct heat as in the first embodiment. The pad part 11, the second pad part 13, the first lead part 15, and the second lead part 16 may be configured.

제 1패드부(11)에는 중앙영역에 발광다이오드 칩이 실장될 수 있도록 함몰형 성된 칩수용부(12)가 마련되고, 제 2패드부(13)는 제 1패드부(11)와 대응되는 두께로 형성되며, 동일평면상에서 이격되어 배치되고 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된다. The first pad part 11 is provided with a chip accommodating part 12 recessed to allow the light emitting diode chip to be mounted in the central area, and the second pad part 13 corresponds to the first pad part 11. It is formed in a thickness, and is arranged to be spaced apart on the same plane and is provided to enable wire bonding.

또한, 제 1리드부(15)는 제 1패드부(11)의 일측 및 타측으로부터 외측방향으로 하향절곡되어 연장형성되고, 제 2리드부(16)는 제 2패드부(13)의 외측방향으로 하향절곡되어 연장형성될 수 있다.In addition, the first lead portion 15 is bent downwardly extending from one side and the other side of the first pad portion 11 in an outward direction, and the second lead portion 16 extends outward of the second pad portion 13. It may be bent downward to extend.

한편, 칩수용부(12)의 저면과 제 1리드부(15) 및 제 2리드부(16)의 저면은 동일평면상에 위치하도록 형성되는 것이 전기접속 단자로 이용되는 각 리드부의 저면이 후술할 제1절연수지(20)의 외부로 노출될 수 있어 바람직하다.On the other hand, the bottom face of the chip receiving portion 12 and the bottom face of the first lead portion 15 and the second lead portion 16 are formed on the same plane, the bottom of each lead portion used as an electrical connection terminal will be described later. It may be exposed to the outside of the first insulating resin 20 is preferable.

본 발명의 제 2실시예에 따른 제1절연수지(20)는, 도 15 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제 1실시예에서와 같이 리드프레임(10)의 제 1패드부(11) 및 제 2패드부(13)의 이격공간인 이격홈(A)에 주입형성되어 제 1패드부(11)와 제 2패드부(13)를 절연시킬 수 있다.As shown in FIGS. 15 and 19, the first insulating resin 20 according to the second embodiment of the present invention may include the first pad part 11 of the lead frame 10 and the same. The first pad part 11 and the second pad part 13 may be insulated from each other by being injected into the separation groove A, which is a space of the second pad part 13.

이때, 제1절연수지(20)는 제 1패드부(11)와 제 2패드부(13)의 상면 및 저면과 제 1리드부(14)와 제 2리드부(15)의 저면을 제1절연수지(20)의 외부로 노출되도록 형성되어 전기적 연결을 용이하게 하고, 발광다이오드 칩(70)으로부터 전도되는 열을 방출함에 있어 외부와 닿는 표면적을 더 넓힐 수 있어 효율적일 수 있다.In this case, the first insulating resin 20 may include a top surface and a bottom surface of the first pad part 11 and the second pad part 13, and a bottom surface of the first lead part 14 and the second lead part 15. It is formed to be exposed to the outside of the insulating resin 20 to facilitate the electrical connection, and in dissipating heat conducted from the light emitting diode chip 70 can be more effective to widen the surface area in contact with the outside.

또한, 제 2실시예에서는 칩수용부(12)의 저면이 각 리드부의 저면과 동일평면상에 위치함으로써 제1절연수지(20)로부터 외부로 노출형성될 수 있다. 이같이 형성됨으로써 발광다이오드 칩(70)으로부터 직접적으로 열을 전달받은 것을 외부로 방출할 수 있어 바람직하다.In addition, in the second embodiment, the bottom surface of the chip receiving portion 12 may be located on the same plane as the bottom surface of each lead portion, thereby being exposed to the outside from the first insulating resin 20. This is preferable because it can emit the heat directly from the light emitting diode chip 70 to the outside.

여기서, 본 발명의 제 2실시예에 따른 댐부재(30)는 제1실시예와는 달리 홈이 일측 및 타측 즉, 양측부에 형성되어 있다(도 15참조). 이는 제1실시예에서는 제1절연수지(20)의 상부에 적층시 제1절연수지(20)와 맞닿는 부분이 일 측부였으나, 제2실시예에서는 몰딩되는 제1절연수지(20)가 양 측으로 형성되어 있으므로 상기 제1절연수지(20)와 댐부재(30)를 접합하기 위한 수단인 제2절연수지(50)을 양 측 홈(31)으로 주입하여 접합하기 위해 이와 같이 형성된다.Here, in the dam member 30 according to the second embodiment of the present invention, grooves are formed on one side and the other side, that is, both sides, unlike the first embodiment (see FIG. 15). In the first embodiment, when the upper portion of the first insulating resin 20 is stacked, the part of the first insulating resin 20 is in contact with one side. In the second embodiment, the molded first insulating resin 20 is formed on both sides. Since the second insulating resin 50, which is a means for joining the first insulating resin 20 and the dam member 30, is formed as described above, the second insulating resin 50 is injected into both grooves 31.

상술한 바와 같은 리드프레임(10)과 댐부재(30) 외에는 제1실시예와 동일하므로 발광다이오드 패키지에 대한 이하 설명은 생략한다.Except for the lead frame 10 and the dam member 30 as described above is the same as the first embodiment, a description of the light emitting diode package will be omitted.

한편, 제조방법에 있어서도 제공되는 리드프레임(10) 및 댐부재(30)의 형태만 달리할 뿐 제 1실시예와 동일하나, 다만 리드프레임(10)의 형태가 달라짐으로써 주입되는 제1절연수지(20)는 리드프레임(10) 중 제 1패드부(10)와 제 2패드부(20)의 저면 및 각 리드부의 저면까지 주입되는 것이 바람직하며, 댐부재(30) 접합시에도 양측에 형성된 홈(32)에 각각 에폭시수지를 주입하는 것이 바람직하다.Meanwhile, in the manufacturing method, only the shape of the lead frame 10 and the dam member 30 provided is the same as in the first embodiment, but the first insulating resin is injected by changing the shape of the lead frame 10. 20 is preferably injected into the bottom surface of the first pad portion 10 and the second pad portion 20 and the bottom surface of each lead portion of the lead frame 10, and is formed on both sides even when the dam member 30 is bonded It is preferable to inject epoxy resin into the grooves 32, respectively.

이외 다른 공정들은 제1실시예와 동일하므로 이하 설명은 생략하고, 이와 같은 방법으로, 도 20에 도시된 바와 같이 완성된 패키지의 형태로 제조될 수 있다. Since other processes are the same as in the first embodiment, the following description is omitted, and in this way, it may be manufactured in the form of a completed package as shown in FIG. 20.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하 는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the invention claimed in the claims, it is intended that any person skilled in the art to which the invention pertains falls within the scope of the claims described in the present invention to various extents which can be modified.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 분해사시도,1 is an exploded perspective view of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 사시도,2 is a perspective view of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention;

도 3a는 본 발명의 제1실시예에 따른 리드프레임의 사시도,Figure 3a is a perspective view of a lead frame according to the first embodiment of the present invention,

도 3b는 본 발명의 제1실시예에 따른 리드프레임의 배면사시도,3B is a rear perspective view of the lead frame according to the first embodiment of the present invention;

도 4는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도, 4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1;

도 5는 도 2의 배면도5 is a rear view of FIG. 2.

도 6 및 도 7은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도6 and 7 are cross-sectional views taken along the line II-II 'of FIG.

도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법의 개략적인 순서도,8 is a schematic flowchart of a method of manufacturing a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention;

도 9 내지 도 14는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조공정도,9 to 14 are manufacturing process diagrams of the light emitting diode package according to the first embodiment of the present invention;

도 15는 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 분해사시도,15 is an exploded perspective view of a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention;

도 16는 본 발명의 제 2실시예에 따른 리드프레임의 사시도,16 is a perspective view of a lead frame according to a second embodiment of the present invention;

도 17은 도 15의 Ⅲ-Ⅲ'의 단면도,17 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG. 15;

도 18은 도 15의 Ⅳ-Ⅳ'의 단면도,18 is a cross-sectional view taken along line IV-IV 'of FIG. 15;

도 19은 도 15의 Ⅴ-Ⅴ'의 단면도,19 is a cross-sectional view taken along line VV ′ of FIG. 15;

도 20은 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이도 패키지의 사시도이다.20 is a perspective view of the LED package according to the second embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 리드프레임 20 : 제1절연수지 30 : 댐부재10: lead frame 20: first insulating resin 30: dam member

40 : 접합수단 50 : 제2절연수지 60 : 전기도금층40 bonding means 50 second insulating resin 60 electroplating layer

70 : 발광다이오드 칩 80 : 와이어 90 : 투광수지70: light emitting diode chip 80: wire 90: light transmitting resin

Claims (13)

발광다이오드 패키지에 있어서,In the light emitting diode package, 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부와 상기 발광다이오드 칩과의 와이어 본딩을 위한 제2패드부로 구분되는 적어도 두 개 이상의 패드부가 형성되되, 각 패드부는 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 제2패드부에서 연장되어 상부면이 상기 제1, 제2패드부의 상부면보다 낮은 수준을 이루는 리드부를 가진 리드프레임;At least two pad parts are formed, which are divided into a first pad part on which the light emitting diode chip is mounted and a second pad part for wire bonding between the light emitting diode chip, each pad part being spaced apart on the same plane, A lead frame having a lead portion extending from the pad portion to have an upper surface lower than an upper surface of the first and second pad portions; 상기 리드프레임의 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 덮도록 몰딩되되, 상기 제1패드부와 상기 제2패드부의 이격공간을 충전(充塡)하도록 몰딩되고, 상기 제1, 제2패드부의 상면 및 저면 그리고 상기 리드부의 저면을 노출하도록 몰딩된 제1절연수지;Molded to cover the upper portion of the lead portion within the thickness of the lead frame, is molded to fill the space between the first pad portion and the second pad portion, the upper surface of the first and second pad portion and A first insulating resin molded to expose a bottom surface and a bottom surface of the lead portion; 상기 리드프레임의 상부에 적층되며, 상기 제1패드부의 칩 실장영역 및 상기 제2패드부 전체를 상부로 노출시켜 상기 제1, 제2패드부에 칩본딩 및 와이어본딩이 가능하도록 중앙영역에 관통홀이 형성되고, 상기 리드부와는 상기 제1절연수지를 사이에 두고 절연되는 금속의 댐부재;Stacked on top of the lead frame, the chip mounting area of the first pad portion and the entirety of the second pad portion are exposed to the upper portion and penetrates through the central region to enable chip bonding and wire bonding to the first and second pad portions. A metal dam member having a hole formed therein and insulated from the lead portion with the first insulating resin interposed therebetween; 상기 댐부재와 상기 제1패드부의 사이를 충전하면서 상기 댐부재의 외부표면과 상기 리드프레임 중 상기 제1절연수지로부터 외부로 노출된 표면에 증착된 전기도금층;An electroplating layer deposited on an outer surface of the dam member and a surface exposed to the outside from the first insulating resin of the lead frame while filling between the dam member and the first pad portion; 상기 리드프레임의 제1패드부에 실장되는 발광다이오드 칩;A light emitting diode chip mounted on the first pad part of the lead frame; 상기 발광다이오드 칩과 제2패드부를 전기적으로 연결하도록 마련된 와이어;A wire provided to electrically connect the light emitting diode chip and the second pad part; 상기 발광다이오드 칩과 상기 와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 몰딩된 투광수지;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.And a light-transmitting resin molded in a through hole of the dam member so as to cover the light emitting diode chip and the wire. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리드프레임의 패드부는 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부와, 상기 제1패드부와 대응되는 두께로 형성되며 동일평면상에서 이격되어 배치되고 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된 제2패드부와, 상기 제2패드부로부터 외측방향으로 연장되며 상부면이 상기 제1, 제2 패드부의 상부면 보다 낮은 수준으로 형성된 리드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.A pad portion of the lead frame, a first pad portion on which a light emitting diode chip is mounted, a second pad portion formed to have a thickness corresponding to the first pad portion, spaced apart from one another on the same plane, and provided for wire bonding; And a lead portion extending outwardly from the second pad portion and having a top surface lower than the top surfaces of the first and second pad portions. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 제1패드부는 상면 중앙영역에 발광다이오드 칩이 실장될 수 있도록 함몰된 칩수용부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The first pad unit is a light emitting diode package, characterized in that the chip receiving portion recessed to form a light emitting diode chip is mounted in the upper center area. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 전기도금층이 형성된 상기 제1패드부와 상기 댐부재는 상호 접합을 위해 상호 맞닿는 면에 레이저용접, 전기압점용접 또는 접착제 중 어느 하나인 접합수단이 더 형성되며, 상기 접합수단은 상기 제1패드부와 상기 댐부재의 맞닿는 면 에서 다수 개가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The first pad portion and the dam member on which the electroplating layer is formed are further formed with a bonding means of any one of a laser welding, an electric pressure welding, or an adhesive on a surface abutting for mutual bonding, the bonding means is the first pad A light emitting diode package, characterized in that a plurality is formed in the abutment surface of the portion and the dam member. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 댐부재는 상기 제1절연수지의 상면을 노출하도록 일 측에 홈이 형성되며, 상기 홈에 상기 댐부재와 상기 제1절연수지의 중첩되는 부분을 기밀토록 몰딩되는 제2절연수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The dam member has a groove formed on one side thereof to expose an upper surface of the first insulating resin, and further includes a second insulating resin formed to hermetically seal an overlapping portion of the dam member and the first insulating resin in the groove. Light emitting diode package, characterized in that. 발광다이오드 패키지에 있어서, In the light emitting diode package, 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부, 상기 발광다이오드 칩과의 와이어 본딩을 위한 제2패드부로 구분되는 적어도 두 개 이상의 패드부가 형성되되, 각 패드부는 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 제1, 제2패드부 각각의 일측 및 타측에서 외측방향으로 하향 절곡되어 연장된 제1리드부와 제2리드부를 가진 리드프레임;At least two pad parts are formed, which are divided into a first pad part in which a light emitting diode chip is mounted and a second pad part for wire bonding with the light emitting diode chip, wherein the pad parts are spaced apart from each other on the same plane. A lead frame having a first lead portion and a second lead portion which are bent downward from one side and the other side of the second pad portion in an outward direction; 상기 리드프레임의 제1, 제2 패드부의 상면과 제1, 제2 리드부의 최저면만을 노출하도록 일정 두께로 몰딩된 제1절연수지;A first insulating resin molded to a predetermined thickness to expose only upper surfaces of the first and second pad portions of the lead frame and only the lowest surfaces of the first and second lead portions; 상기 리드프레임의 상부에 적층되며, 상기 제1패드부의 칩 실장영역 및 상기 제 2패드부 전체를 상부로 노출시켜 상기 제1, 제2패드부에 칩본딩 및 와이어본딩이 가능하도록 중앙영역에 관통홀이 형성되고, 상기 리드부와는 상기 제1절연수지를 사이에 두고 절연되는 금속의 댐부재;Stacked on top of the lead frame, the chip mounting area of the first pad portion and the entirety of the second pad portion are exposed to the upper portion and penetrates through the central region to enable chip bonding and wire bonding to the first and second pad portions. A metal dam member having a hole formed therein and insulated from the lead portion with the first insulating resin interposed therebetween; 상기 댐부재와 상기 제1패드부의 사이를 충전하면서, 상기 댐부재의 외부표면과 상기 리드프레임 중 상기 제1절연수지로부터 외부로 노출된 표면에 증착된 전기도금층;An electroplating layer deposited on an outer surface of the dam member and a surface exposed to the outside from the first insulating resin of the lead frame while filling between the dam member and the first pad portion; 상기 리드프레임의 제1패드부에 실장되는 발광다이오드 칩;A light emitting diode chip mounted on the first pad part of the lead frame; 상기 발광다이오드 칩과 제2패드부를 전기적으로 연결하도록 마련된 와이어;A wire provided to electrically connect the light emitting diode chip and the second pad part; 상기 발광다이오드 칩과 상기 와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 몰딩된 투광수지;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.And a light-transmitting resin molded in a through hole of the dam member so as to cover the light emitting diode chip and the wire. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 리드프레임은 제1, 제2패드부의 상면이 동일평면상에 위치하고, 상기 제1, 제2패드부로부터 하향 절곡된 제1, 제2리드부의 최저면은 동일평면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The lead frame is characterized in that upper surfaces of the first and second pad portions are located on the same plane, and lowest surfaces of the first and second lead portions bent downward from the first and second pad portions are located on the same plane. LED package. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 리드프레임의 패드부 중 제1패드부는 발광다이오드 칩이 실장되도록 중앙영역에 함몰된 칩 수용부가 형성되고, 상기 칩수용부의 저면은 상기 제1, 제2리드부의 최저면과 동일평면 상에 위치하여 상기 제1절연수지의 외부로 노출되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.Among the pad portions of the lead frame, a first pad portion is formed with a chip receiving portion recessed in a central area so that the light emitting diode chip is mounted, and the bottom surface of the chip receiving portion is located on the same plane as the lowest surface of the first and second lead portions. The light emitting diode package, characterized in that exposed to the outside of the first insulating resin. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 전기도금층이 형성된 상기 제1패드부와 상기 댐부재는 상호 접합을 위해 상호 맞닿는 면에 레이저용접, 전기압점용접 또는 접착제 중 어느 하나인 접합수단이 더 형성되며, 상기 접합수단은 상기 제1패드부와 상기 댐부재의 맞닿는 면 에서 다수 개가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The first pad portion and the dam member on which the electroplating layer is formed are further formed with a bonding means of any one of a laser welding, an electric pressure welding, or an adhesive on a surface which is in contact with each other for mutual bonding, and the bonding means is the first pad. A light emitting diode package, characterized in that a plurality is formed in the abutment surface of the portion and the dam member. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 댐부재는 상기 제1절연수지의 상면을 노출하도록 일측 또는 타측 중 적어도 어느 하나에 홈이 형성되며, 상기 홈을 몰딩하여 상기 댐부재와 상기 절연수지의 중첩되는 부분을 기밀토록 몰딩되는 제2절연수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The dam member has a groove formed in at least one of the one side or the other side to expose the upper surface of the first insulating resin, the second molding is formed to seal the overlapping portion of the dam member and the insulating resin by molding the groove A light emitting diode package further comprising an insulating resin. 발광다이오드 패키지의 제조방법에 있어서, In the method of manufacturing a light emitting diode package, 발광다이오드 칩이 실장되고, 칩본딩 및 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된 제1패드부 및 제2패드부를 포함하는 적어도 두 개 이상의 패드부가 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 패드부 중 적어도 어느 하나로부터 연장되어 상부면이 상기 패드부의 상부면 보다 낮은 수준인 리드부를 가진 리드프레임이 일렬로 다수 배치되는 프레임패널 제공단계;The light emitting diode chip is mounted, and at least two pad portions including a first pad portion and a second pad portion, which are provided for chip bonding and wire bonding, are spaced apart from each other on the same plane, and from at least one of the pad portions. A frame panel providing step of extending a plurality of lead frames having lead portions having an upper surface lower than an upper surface of the pad portion; 상기 리드프레임의 패드부 상부면과 리드부 저면을 노출하는 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 덮는 제1절연수지 몰딩단계;A first insulating resin molding step of covering an upper portion of the lead portion within a thickness exposing the upper surface of the pad portion and the lower surface of the lead portion of the lead frame; 상기 제1절연수지가 몰딩된 리드프레임의 상부에 적층하여, 상기 제 1패드부의 칩 실장영역과 상기 제 2패드부 전체를 상부로 노출시키도록 중앙영역이 타공되어 관통홀이 형성된 금속의 댐부재 제공단계;A metal dam member having a through hole formed by stacking the first insulating resin on the molded lead frame and having a central area formed to expose the chip mounting area of the first pad part and the entirety of the second pad part. Providing step; 상기 댐부재와 상기 리드프레임을 적층 고정하여, 제1패드부와 댐부재의 중첩된 부분의 사이공간을 충전하고, 상기 댐부재의 표면 및 상기 제1절연수지에 의해 노출된 상기 리드프레임의 표면에 금속을 증착시키는 전기도금 단계;The dam member and the lead frame are laminated and fixed to fill a space between the first pad portion and the overlapped portion of the dam member, and the surface of the dam member and the surface of the lead frame exposed by the first insulating resin. Electroplating to deposit metal onto the substrate; 상기 댐부재의 상부로 노출된 제1패드부 및 제2패드부에 발광다이오드 칩 및 와이어를 본딩하여 전기적 결선을 이루는 칩 실장단계;A chip mounting step of bonding an LED chip and a wire to the first pad part and the second pad part exposed to the upper portion of the dam member to form an electrical connection; 상기 칩 실장단계에서 실장된 발광다이오드 칩과 본딩와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 투광수지를 주입하고 경화하는 투광수지 몰딩단계;A translucent resin molding step of injecting and curing the translucent resin into the through hole of the dam member to cover the LED chip and the bonding wire mounted in the chip mounting step; 상기 투광수지 몰딩단계 이후 일렬로 다수 배치된 상기 리드프레임 및 상기 댐부재를 절단하여 개별화된 패키지를 완성하는 분리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.And a separating step of cutting the lead frames and the dam members arranged in a row after the floodlight molding molding step to complete the individualized package. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 전기도금단계 이전에 실행되며, 상기 리드프레임과 금속의 댐부재의 밀착 고정을 위해 레이저 용접, 전기압점용접, 또는 접착제 중 어느 하나를 사용하되, 상기 리드프레임과 상기 댐부재와 맞닿는 면 중 다수의 스폿을 통해 상호접합을 이루는 접합단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.It is executed before the electroplating step, and any one of laser welding, electro-pressure welding, or adhesive is used for tightly fixing the lead frame and the dam member of the metal, and a plurality of surfaces which are in contact with the lead frame and the dam member. The method of manufacturing a light emitting diode package further comprising a bonding step of forming a mutual junction through the spot. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 투광수지 몰딩단계 이전에 실행되며, 상기 리드부를 절연하는 상기 제1절연수지와 상기 댐부재와의 중첩되는 부분을 기밀하게 하기 위해 상기 댐부재에 상기 제1절연수지의 상면이 상부로 노출되도록 측면에 홈이 형성되고, 상기 홈을 제2절연수지로 충전하여 몰딩하는 제2절연수지 몰딩단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.The upper surface of the first insulating resin is exposed to the dam member to the upper part of the dam member so as to seal the overlapping portion of the first insulating resin and the dam member to insulate the lid part. Grooves are formed on the side surface, and further comprising a second insulating resin molding step of molding by filling the grooves with a second insulating resin.
KR1020080043631A 2008-05-09 2008-05-09 LED Package and The Method of Manufacturing Thereof KR100951779B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080043631A KR100951779B1 (en) 2008-05-09 2008-05-09 LED Package and The Method of Manufacturing Thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080043631A KR100951779B1 (en) 2008-05-09 2008-05-09 LED Package and The Method of Manufacturing Thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090117533A KR20090117533A (en) 2009-11-12
KR100951779B1 true KR100951779B1 (en) 2010-04-08

Family

ID=41601996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080043631A KR100951779B1 (en) 2008-05-09 2008-05-09 LED Package and The Method of Manufacturing Thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100951779B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210044344A (en) * 2019-10-14 2021-04-23 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169064A (en) 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp Substrate for mounting optical parts, its method of manufacture, and optical module
JP2006509372A (en) 2002-12-06 2006-03-16 クリー　インコーポレイテッド Composite leadframe LED package and method of manufacturing the same This application is US Provisional Patent Application No. 60 / 431,523, filed December 6, 2002, entitled "Leadframe based LEDor semiconductor packaging package". Claims the benefit of filing date to the US Patent and Trademark Office.
KR20060068857A (en) * 2004-12-17 2006-06-21 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package
JP2006286837A (en) 2005-03-31 2006-10-19 Toyoda Gosei Co Ltd Led device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169064A (en) 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp Substrate for mounting optical parts, its method of manufacture, and optical module
JP2006509372A (en) 2002-12-06 2006-03-16 クリー　インコーポレイテッド Composite leadframe LED package and method of manufacturing the same This application is US Provisional Patent Application No. 60 / 431,523, filed December 6, 2002, entitled "Leadframe based LEDor semiconductor packaging package". Claims the benefit of filing date to the US Patent and Trademark Office.
KR20060068857A (en) * 2004-12-17 2006-06-21 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package
JP2006286837A (en) 2005-03-31 2006-10-19 Toyoda Gosei Co Ltd Led device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210044344A (en) * 2019-10-14 2021-04-23 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device
KR102275368B1 (en) 2019-10-14 2021-07-13 주식회사 에스엘바이오닉스 Semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090117533A (en) 2009-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2218116B1 (en) Slim led package
JP5819414B2 (en) Surface mountable optoelectronic component and method for manufacturing surface mountable optoelectronic component
KR100986211B1 (en) Metal substrate, method of making the substrate, and smd type led package using the substrate
KR100863612B1 (en) Light emitting device
US20100109039A1 (en) Light emitting diode package
JP4910220B1 (en) LED module device and manufacturing method thereof
TWI505519B (en) Light-emitting diode light bar and the method for manufacturing the same
JP2003168829A (en) Light emitting device
KR100805822B1 (en) Light emitting diode package
TW201511347A (en) LED package structure and manufacturing method thereof
KR101645009B1 (en) Led package with heat radiation substrate
JP6029188B2 (en) LED package and manufacturing method thereof
TWI455366B (en) Manufacturing method of led package
JP3185994U (en) Light emitting diode device and lead frame plate
TWI455363B (en) Led package and method for manufacturing the same
KR100575216B1 (en) Package base of led
KR200447448Y1 (en) Lead Frame Package for LED Device and LED Package using the same
JP7283938B2 (en) semiconductor light emitting device
KR100951779B1 (en) LED Package and The Method of Manufacturing Thereof
KR101162541B1 (en) Printed circuit board for package and manufacturing method thereof
JP2009283654A (en) Light-emitting device and its fabrication process
TW201448286A (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
KR101443121B1 (en) Light emitting device package and method for manufacturing the same
JP2012216654A (en) Resin mold frame and optical semiconductor device
KR102016019B1 (en) High thermal conductivity semiconductor package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee