KR100986211B1 - Metal substrate, method of making the substrate, and smd type led package using the substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 열전도도가 양호한 금속판을 이용하여 리드 프레임을 제작하고, 이 금속 리드 프레임에 엘이디 칩을 실장한 후 국소지역만 몰딩하여 노출된 금속 리드 프레임을 통해 방열이 양호하게 이루어지도록 된 금속기판과 금속기판 제조방법 및 그 기판을 이용한 표면실장형 엘이디 패키지에 관한 것이다.The present invention is to produce a lead frame using a metal plate having a good thermal conductivity, and after mounting the LED chip on the metal lead frame and molding only the local area and the heat dissipation through the exposed metal lead frame and the metal substrate is good The present invention relates to a metal substrate manufacturing method and a surface mount type LED package using the substrate.
본 발명의 금속기판은 제1 전극판; 제2 전극판; 상기 제1 전극판과 상기 제2 전극판을 전기적으로 절연시키면서 물리적으로 단단히 결합시키는 절연 결합체; 및 상기 절연 결합체로 결합된 상기 전극판의 상측 일부에 엘이디 칩을 실장하기 위해 형성된 실장공간으로 구성된다. 그리고 상기 절연 결합체는 상기 두 전극판과 요철 결합이 이루어지게 하여 결합력을 향상시킨 구조로 되어 있고, 상기 제1 전극에는 에칭을 통해 원형 홀을 형성한 후 수지로 채워 몰딩시에 동일 재질의 수지와 결합 되게 함으로써 수지 몰드와 금속기판과의 결합력을 향상시킬 수 있도록 되어 있다.The metal substrate of the present invention comprises: a first electrode plate; A second electrode plate; An insulating assembly for physically and firmly coupling the first electrode plate and the second electrode plate while being electrically insulated; And a mounting space formed to mount an LED chip on a portion of the upper side of the electrode plate coupled with the insulating binder. In addition, the insulating binder has a structure in which the two electrode plates and the concave-convex coupling are made to improve the bonding force, and the first electrode is formed with a circular hole through etching, and then filled with a resin and molded with the same material. By bonding, the bonding force between the resin mold and the metal substrate can be improved.
LED 패키지, 금속기판, 방열, 열방출, 에칭, 수지, 몰딩 LED Package, Metal Board, Heat Dissipation, Heat Dissipation, Etching, Resin, Molding
Description
본 발명은 표면실장형(SMD Type) 엘이디(LED) 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열전도도가 양호한 금속판을 이용하여 리드 프레임을 제작하고, 이 금속 리드 프레임에 엘이디 칩을 실장한 후 국소지역만 몰딩하여 노출된 금속 리드 프레임을 통해 방열이 양호하게 이루어지도록 된 금속기판과 금속기판 제조방법 및 그 기판을 이용한 표면실장형 엘이디 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a SMD-type LED (LED) package, and more particularly, to fabricate a lead frame using a metal plate having good thermal conductivity, and to mount the LED chip on the metal lead frame, The present invention relates to a metal substrate and a method of manufacturing a metal substrate, and a surface mount type LED package using the substrate, in which heat dissipation is performed through a metal lead frame exposed by molding only.
일반적으로, 발광 다이오드(이하, LED라 함)는 다수 캐리어가 전자인 n형 반도체와 다수 캐리어가 정공인 p형 반도체가 서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체소자로서, 통상 인듐인(InP), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 질화갈륨(GaN) 등의 화합물 반도체를 이용하여 다양한 파장의 빛을 발생한다.In general, a light emitting diode (hereinafter referred to as an LED) is a photoelectric conversion semiconductor device having a structure in which an n-type semiconductor having a majority carrier as an electron and a p-type semiconductor having a hole having a plurality of carriers are bonded to each other. In general, indium (InP), Various wavelengths of light are generated using compound semiconductors such as gallium arsenide (GaAs), gallium phosphorus (GaP), and gallium nitride (GaN).
엘이디(LED) 소자의 패키지 형태는 램프형(Lamp Type)과 표면실장형(SMD Type)이 있는데, 램프형은 2개의 리드 프레임 상부에 컵 형상으로 일정한 각을 갖는 금속전극표면에 엘이디칩을 실장하고 그 위에 몰딩하여 렌즈를 형성한 구조이다. 이러한 램프형 구조는 열저항이 크고 열 방출이 어려워 고출력용 발광다이오드에 적용하기 어렵다.There are two types of LED devices: lamp type and surface mount type. The lamp type mounts the LED chip on the metal electrode surface with the cup angle on the two lead frames. And molded on it to form a lens. Such a lamp type structure is difficult to be applied to a high output light emitting diode because of its high thermal resistance and difficult heat dissipation.
표면실장형 엘이디 패키지는 세라믹 등의 기판 위에 다이(Die) 본딩한 후 에폭시 수지 등으로 몰딩한 구조로서 램프형보다 열 방출이 양호한 이점이 있다. 그러나 세라믹 패키지는 단가가 비싸므로 이를 개선하고자 금속판을 기판으로 사용하는 엘이디 패키지 기술이 대한민국 등록특허공보에 등록번호 10-0616692호로 공고된 바 있다.The surface-mount type LED package has a structure in which die bonding is performed on a substrate such as a ceramic and then molded with an epoxy resin, which has better heat dissipation than a lamp type. However, since the ceramic package is expensive, LED package technology using a metal plate as a substrate has been disclosed in Korean Patent Registration No. 10-0616692 to improve this.
도 15는 종래에 금속기판을 이용한 표면실장형 엘이디 패키지의 예로서, 금속기판(11,12) 위에 엘이디칩(14)을 실장한 후 전체를 수지(13)로 몰딩한 구조이다. 이러한 엘이디 패키지 구조에서는 금속기판의 노출방향이 단지 2 방향 뿐이므로 열 방출이 미흡하다. 그런데 엘이디 패키지에서 열이 패키지 외부로 방출되지 못할 경우에는 LED의 특성이 열화되고 수명이 단축되게 된다.15 is a conventional example of a surface mount type LED package using a metal substrate, the
종래의 금속기판을 이용한 표면실장형 엘이디 패키지는 수지로 금속기판을 대부분 몰딩하게 되므로 노출되는 금속기판 면이 적어 열 방출 효과가 떨어지는 문제점이 있다. The surface mount type LED package using the conventional metal substrate is a resin molding most of the metal substrate, there is a problem that the heat dissipation effect is lowered because there is less exposed metal substrate surface.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 열전도도가 양호한 금속판을 이용하여 리드 프레임을 제작하되, 이 금속 리드 프레임에 엘이디 칩을 실장한 후 국소지역만 몰딩하여 노출된 금속 리드 프레임을 통해 방열이 양호하게 이루어지도록 된 금속기판과 금속기판 제조방법 및 이를 이용한 표면실장형 엘이디 패키지를 제공하는 것이다.The present invention has been proposed to improve the above problems, and an object of the present invention is to manufacture a lead frame using a metal plate having a good thermal conductivity, but by mounting the LED chip on the metal lead frame only by molding a local area The present invention provides a metal substrate and a method of manufacturing a metal substrate, and a surface mount LED package using the same, in which heat dissipation is performed through the exposed metal lead frame.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 금속기판은, 제1 전극판; 제2 전극판; 상기 제1 전극판과 상기 제2 전극판을 전기적으로 절연시키면서 물리적으로 단단히 결합시키는 절연 결합체; 및 상기 절연 결합체로 결합된 상기 전극판의 상측 일부에 엘이디 칩을 실장하기 위해 형성된 실장공간으로 구성된다.In order to achieve the above object, the metal substrate of the present invention, the first electrode plate; A second electrode plate; An insulating assembly for physically and firmly coupling the first electrode plate and the second electrode plate while being electrically insulated; And a mounting space formed to mount an LED chip on a portion of the upper side of the electrode plate coupled with the insulating binder.
그리고 상기 절연 결합체는 상기 두 전극판과 요철 결합이 이루어지게 하여 결합력을 향상시킨 구조로 되어 있고, 상기 제1 전극에는 에칭을 통해 원형 홀을 형성한 후 수지로 채워 몰딩시에 동일 재질의 수지와 결합되게 함으로써 수지 몰드와 금속기판과의 결합력을 향상시킬 수 있도록 되어 있다.In addition, the insulating binder has a structure in which the two electrode plates and the concave-convex coupling are made to improve the bonding force, and the first electrode is formed with a circular hole through etching, and then filled with a resin and molded with the same material. By being bonded, the bonding force between the resin mold and the metal substrate can be improved.
또한 상기 실장공간은 어느 한 전극 위에만 형성되고, 상기 금속기판의 상면에는 몰딩시 벽 기능을 하는 도금층이 부가된 것이다.In addition, the mounting space is formed only on one electrode, and a plating layer that functions as a wall during molding is added to the upper surface of the metal substrate.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 금속기판 제조방법은, 금속원판의 하부에 제1 전극판과 제2 전극판을 구분하기 위한 패턴과 상기 제1 전극판에 결합력을 향상시키기 위한 패턴을 형성한 후 하프 에칭에 의해 패턴을 따라 상기 금속원판의 하부를 제거하고 상기 하프 에칭된 영역을 절연성 수지로 메우는 단계; 상기 제1 전극판과 상기 제2 전극판을 구분하기 위한 영역에 인접한 금속원판 하부의 일부를 쿼터 에칭을 하여 해당 영역 금속원판 하부의 1/4을 제거한 후 상기 쿼터 에칭된 영역을 절연성 수지로 메우는 단계; 상기 금속원판의 상부에 상기 제1 전극판과 상기 제2 전극판을 구분하기 위한 패턴을 형성한 후 하프 에칭에 의해 상기 패턴을 따라 상기 금속원판의 상부를 제거하고, 상기 하프 에칭된 영역을 절연성 수지로 메우는 단계; 및 상기 금속원판의 상부를 하프 에칭하여 LED 칩을 실장하기 위한 실장공간을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the metal substrate manufacturing method of the present invention includes a pattern for separating the first electrode plate and the second electrode plate on the lower portion of the metal disc and a pattern for improving the bonding force on the first electrode plate. Forming and removing a lower portion of the metal disc along the pattern by half etching and filling the half etched region with an insulating resin; A portion of the lower portion of the metal disc adjacent to the area for distinguishing the first electrode plate and the second electrode plate is quarter-etched to remove 1/4 of the lower portion of the area metal disc, and then the quarter-etched area is filled with insulating resin. step; After forming a pattern for distinguishing the first electrode plate and the second electrode plate on the upper portion of the metal plate, by removing the upper portion of the metal plate along the pattern by half etching, and insulating the half-etched region Filling with resin; And half-etching an upper portion of the metal disc to form a mounting space for mounting the LED chip.
상기 금속기판 제조방법은, 상기 실장공간을 어느 한 전극면 위에 오게 하고, 상기 금속기판의 상면에는 도금층을 부가하는 단계를 더 구비할 수 있다.The metal substrate manufacturing method may further include a step of placing the mounting space on one electrode surface and adding a plating layer to an upper surface of the metal substrate.
또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 금속기판을 이용한 엘이디 패키지는 제1 전극판과, 제2 전극판, 상기 제1 전극판과 상기 제2 전극판을 전기적으로 절연시키면서 물리적으로 단단히 결합시키는 절연 결합체, 및 상기 절연 결합체로 결합된 상기 전극판의 상측 일부에 엘이디 칩을 실장하기 위해 형성된 실장공간으로 이루어진 금속기판; 상기 실장공간에 다이본딩되어 상기 제1 전극판 및 상기 제2 전극판과 와이어 본딩된 적어도 하나 이상의 엘이디 칩; 및 상기 엘이디 칩이 실장된 실장공간을 몰딩하고 있는 몰딩부를 포함하여 상기 금속기판의 일부만 몰딩하고 대부분을 노출시켜 4방향으로 방열할 수 있도록 된 것을 특징으로 한다. 상기 몰딩부에는 평면형, 볼록형, 혹은 오목형 렌즈가 성형되어 있거나 도트 패턴, 프리즘 패턴, 렌티귤러 패턴 중 어느 하나가 형성된 것이다.In addition, in order to achieve the above object, the LED package using the metal substrate of the present invention is physically tightly coupled while electrically insulating the first electrode plate, the second electrode plate, the first electrode plate and the second electrode plate. A metal substrate comprising an insulating assembly, and a mounting space formed to mount an LED chip on a part of an upper side of the electrode plate coupled to the insulating assembly; At least one LED chip die-bonded to the mounting space and wire-bonded with the first electrode plate and the second electrode plate; And a molding part for molding the mounting space in which the LED chip is mounted, thereby molding only a part of the metal substrate and exposing most of the metal board to radiate heat in four directions. The molding part is formed with a flat, convex, or concave lens, or any one of a dot pattern, a prism pattern, and a lenticular pattern is formed.
본 발명은 가격이 저렴하고 열전도도가 높은 금속재질의 기판을 엘이디칩 패키지용 기판으로 사용함과 아울러 금속기판의 국소 영역만을 수지로 몰딩하고 금속기판의 대부분을 노출시켜 열방출 효과가 크게 향상되고 원가를 낮출 수 있는 장점이 있다. 또한 본 발명에 따르면 하프 에칭과 쿼터 에칭을 적절히 배합하여 제1 전극판과 제2 전극판 및 절연 결합체의 결합부위에 요철영역을 형성하여 물리적으로 단단히 결합시키고, 일부 전극판에 홀을 형성한 후 수지로 채워 몰딩시 유사재질의 수지에 의해 결합력을 강화시켜 금속과 수지몰드의 결합력을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. The present invention uses a metal substrate of low cost and high thermal conductivity as a substrate for LED chip package, molds only a local region of the metal substrate with a resin and exposes most of the metal substrate, thereby greatly improving heat dissipation effect and cost. There is an advantage that can be lowered. In addition, according to the present invention, half-etching and quarter-etching are appropriately combined to form concave-convex regions at the joining portions of the first electrode plate, the second electrode plate, and the insulating joint, thereby physically firmly bonding the holes, and forming holes in some electrode plates. When molding with a resin there is an advantage that can enhance the bonding strength of the metal and the resin mold by strengthening the bonding force by the resin of the similar material.
본 발명과 본 발명의 실시에 의해 달성되는 기술적 과제는 다음에서 설명하는 본 발명의 바람직한 실시예들에 의하여 보다 명확해질 것이다. 다음의 실시예들은 단지 본 발명을 설명하기 위하여 예시된 것에 불과하며, 본 발명의 범위를 제 한하기 위한 것은 아니다.The technical problems achieved by the present invention and the practice of the present invention will be more clearly understood by the preferred embodiments of the present invention described below. The following examples are merely illustrated to illustrate the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention.
[제1 실시예][First Embodiment]
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 금속기판을 도시한 사시도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 금속기판의 평면도, 도 3은 제1 실시예에 따른 금속기판의 측단면도, 도 4는 제1 실시예에 따른 금속기판의 제조 공정도, 도 5는 제1 실시예에 따른 금속기판의 결합 상태를 설명하기 위한 분리 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a metal substrate according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the metal substrate according to the first embodiment, and FIG. 3 is a side cross-sectional view of the metal substrate according to the first embodiment. 4 is a manufacturing process diagram of the metal substrate according to the first embodiment, Figure 5 is an exploded perspective view for explaining the bonding state of the metal substrate according to the first embodiment.
본 발명의 제1 실시예에 따른 표면실장형 LED 패키지를 위한 금속기판(110)은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극판(111)과, 제2 전극판(112), 제1 전극판(111)과 제2 전극판(112)을 전기적으로 절연시키면서 물리적으로 단단히 결합시키는 절연 결합체(113), 절연 결합체(113)로 결합된 금속기판(110)의 상부에 엘이디 칩을 실장하기 위해 형성된 실장공간(114)으로 구성된다.As shown in FIGS. 1 to 3, the
도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 전극판(111)은 LED칩의 일 전극(예컨대, P 형전극)과 와이어 본딩되어 엘이디 칩에 전원을 공급함과 아울러 엘이디 칩에서 발생되는 열을 외부로 쉽게 방출한다. 제2 전극판(112)은 LED칩의 타 전극(예컨대, N 형전극)과 와이어 본딩되어 엘이디 칩에 전원을 공급함과 아울러 엘이디 칩에서 발생되는 열을 외부로 쉽게 방출한다.1 to 3, the
그리고 절연 결합체(113)는 절연성 수지로서, 제1 전극판(111)과 제2 전극판(112)을 전기적으로 절연시키면서 하나의 기판으로 결합하고 있다. 이때 두개의 전극판(111,112)은 금속재질로 되어 있으나 절연 결합체(113)는 수지로 되어 서로 재질이 다르기 때문에 결합력을 강화시키기 위해 본 발명에서는 하프 에칭 및 쿼터 에칭을 통해 제1 전극판(111)과 제2 전극판(112)에 요철을 형성함과 아울러 쿼터 에칭부를 수지로 채워 절연 결합체(113)가 두 전극판(111,112)과 요철 결합이 이루어지게 하여 결합력을 향상시킨 구조로 되어 있다. 또한 제1 전극판(111)에 에칭을 통해 원형 홀(115)을 형성한 후 수지로 채워 몰딩시에 동일 재질의 수지와 결합 되게 함으로써 수지 몰드와 금속기판과의 결합력을 향상시킬 수 있도록 되어 있다. The
이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 금속기판(110)은 도 4에 도시된 바와 같이, 가공되지 않은 사각판 모양의 금속원판을 하부와 상부로 구분하여 금속원판의 하부를 에칭 및 수지로 채우는 과정과, 상부를 에칭 및 수지로 채워 제1 전극판과 제2 전극판으로 분리한 후 상부에 실장공간을 형성하는 과정을 통해 제조된다. 본 발명의 실시예에서 하프 에칭은 패턴을 따라 금속원판의 전체 두께의 1/2을 제거하는 에칭을 나타내고, 쿼터 에칭은 패턴을 따라 금속원판의 전체 두께의 1/4을 제거하는 에칭을 의미한다.As shown in FIG. 4, the
도 4에서 (a)는 금속원판의 하부를 하프 에칭한 패턴을 나타낸 것이고, (b)는 하프 에칭한 하부를 절연성 수지로 메운 것을 나타내며, (c)는 금속원판의 하부를 쿼터 에칭한 패턴을 나타낸 것이며, (d)는 쿼터 에칭한 부분을 수지로 메운 것을 나타낸다. 또한 도 4에서 (e)는 금속원판의 상부를 하프 에칭한 패턴을 나타낸 것이고, (f)는 하프 에칭한 상부를 절연성 수지로 메운 것을 나타내며, (g)는 금속기판의 상부를 하프 에칭한 패턴을 나타낸 것이다.In FIG. 4, (a) shows a half-etched pattern of the lower part of the metal disc, (b) shows a half-etched bottom part with an insulating resin, and (c) shows a pattern of quarter-etched bottom part of the metal disc. (D) shows that the quarter-etched part was filled with resin. In addition, in FIG. 4, (e) shows a pattern of half-etched the upper portion of the metal disc, (f) shows a half-etched top portion filled with an insulating resin, and (g) shows a pattern of half-etched the upper portion of the metal substrate. It is shown.
도 4를 참조하면, (a)와 같이 금속원판의 하부에 제1 전극판(111)과 제2 전극판(112)을 구분하기 위한 패턴(113p1)과 제1 전극판(111)에 결합력을 향상시키기 위한 원형 패턴(115p)을 형성한 후 하프 에칭에 의해 패턴을 따라 금속원판의 하부를 제거하고, (b)와 같이 하프 에칭된 영역을 절연성 수지(113a1)로 메워 다시 평면이 되게 한다. 그리고 (c)와 같이 3곳(111p,112p)에 쿼터 에칭을 하여 해당 영역 금속원판 하부의 1/4을 제거한 후 (d)와 같이 쿼터 에칭된 영역을 절연성 수지(113a2)로 메워 다시 평면이 되게 한다. Referring to FIG. 4, as shown in (a), the bonding force is applied to the pattern 113p 1 and the
이후 (e)와 같이 금속원판의 상부에 제1 전극판(111)과 제2 전극판(112)을 구분하기 위한 패턴(113p2)을 형성한 후 하프 에칭에 의해 패턴을 따라 금속원판의 상부를 제거하고, (f)와 같이 하프 에칭된 영역을 절연성 수지(113b)로 메워 다시 평면이 되게 한다. 그리고 (g)와 같이 금속기판의 상부에 제1 전극판(111)과 제2 전극판(112)의 일부를 포함하는 원형 패턴으로 하프 에칭하여 LED칩을 실장하기 위한 실장공간(114)을 형성한다.Subsequently, as shown in (e), a pattern 113p 2 for forming the
이와 같은 제조절차를 통해 완성된 제1 실시예의 금속기판(110)은 도 5에 도시된 분리 사시도와 같이, 제1 전극판(111)과 제2 전극판(112)이 하프 및 쿼터 에칭에 의해 요철 형상을 갖는 절연 결합체(113)와 요철 결합되어 결합력이 향상된 구조로 되어 있다. 그리고 금속원판 상부의 하프 에칭에 의해 제1 전극판(111)의 하부에 형성된 하프 홀을 메운 원형의 수지(115)가 노출되어 엘이디 칩 실장 후 수지 몰딩시에 수지와 결합되어 결합력을 향상시킬 수 있도록 되어 있다.In the
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 금속기판(110)에 LED칩을 실장하는 엘 이디 패키징 절차를 도시한 순서도이고, 도 7은 본 발명의 엘이디 패키징 절차에 따라 완성된 엘이디 패키지의 예를 도시한 도면이다.6 is a flowchart illustrating an LED packaging process for mounting an LED chip on the
본 발명의 제1 실시예에 따른 엘이디 패키징 절차는 도 6에 도시된 바와 같이, 금속기판(110)을 준비한 후 금속기판의 실장공간(114)에 엘이디 칩(120)을 다이 본딩하는 단계(S1,S2)와, 와이어 본딩하는 단계(S3), 몰딩 혹은 디스펜싱 후 렌즈를 성형하는 단계(S4,S4-1,S4-2), 경화하는 단계(S5), 및 커팅하는 단계(S6)로 이루어진다.According to the LED packaging procedure according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6, after the
도 6을 참조하면, 먼저 본 발명의 제1 실시예에 따른 금속기판(110)을 준비한 후 금속기판의 실장공간(114)에 엘이디 칩(120)을 다이본딩한다(S1,S2). 다이본딩은 실장공간(114)의 바닥면에 본딩 페이스트로 엘이디 칩(120)을 부착하는 것이다. 이어 엘이디 칩의 전극을 금속기판의 전극판(111,112)과 와이어 본딩으로 각각 연결하고(S3), 엘이디 칩(120)이 실장된 실장공간을 몰딩하거나 디스펜싱 후 몰딩한다(S4,S4-1,S4-2). 이때 몰딩시에는 소정 형상의 렌즈를 성형하여 광효율을 향상시키는 것이 바람직하다. 이후 경화 및 커팅하여 엘이디 패키지를 완성한다(S5,S6).Referring to FIG. 6, first, the
본 발명의 제1 실시예에 따라 완성된 엘이디 패키지(100)는 도 7에 도시된 바와 같이, 실장공간만 수지(130)로 패킹되고 금속기판(110)의 대부분은 노출되어 열 방출이 4방향으로 일어날 수 있도록 되어 있다. 이때 실장공간을 수지로 디스펜싱 혹은 몰딩할 때 다양한 형상의 렌즈가 성형되어 광효율을 향상시킬 수 있도록 되어 있다.As shown in FIG. 7, the
도 7에서 (a)는 실장공간만 디스펜싱 혹은 몰딩한 엘이디 패키지를 도시한 도면이고, (b)는 실장공간을 디스펜싱 혹은 몰딩하면서 실장공간의 상부에 평판형 렌즈(140)를 성형한 엘이디 패키지를 도시한 도면이다. 그리고 (c)는 실장공간을 디스펜싱 혹은 몰딩하면서 실장공간의 상부에 볼록형 렌즈(140')를 성형한 엘이디 패키지를 도시한 도면이고, (d)는 실장공간을 디스펜싱 혹은 몰딩하면서 실장공간의 상부에 평판형 렌즈를 성형한 후 그 위에 볼록형 렌즈(140")를 성형한 엘이디 패키지를 도시한 도면이다. 이외에도 오목형 렌즈나 도트 패턴, 프리즘 패턴 등 다양한 형상의 렌즈나 패턴을 성형할 수도 있다.In Figure 7 (a) is a view showing an LED package dispensing or molding only the mounting space, (b) is an LED formed by forming a
도 8은 본 발명에 따른 제1 실시예의 변형 예들로서 전극의 모양을 변형하거나 멀티 칩을 실장한 예들을 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 8 is a view schematically illustrating examples in which the shape of an electrode is modified or a multi chip is mounted as modified examples of the first embodiment according to the present invention.
도 8에서 (a)는 두 전극 사이에 하나의 엘이디 칩을 실장하는 앞서 설명한 기본형이고, (b)는 기본형의 전극 모양을 변형한 것이며, (c)는 기본형 구조에 멀티칩을 실장한 예이다. 그리고 (d)는 2단자형의 예이고, (e)는 실장공간을 3개로 분리하여 형성한 3 포켓형이고, (f)는 3포켓이면서 전극을 변형한 예이고, (g)는 3포켓 4단자형의 예이고, (h)는 6단자형의 예이며, (i)는 3포켓 6단자형의 예이다.In FIG. 8, (a) shows the basic type described above in which one LED chip is mounted between two electrodes, (b) shows a modified shape of the electrode of the basic type, and (c) shows an example in which the multi-chip is mounted on the basic type structure. . And (d) is an example of a two-terminal type, (e) is a three pocket type formed by separating the mounting space into three, (f) is an example of modifying the electrode while being three pockets, and (g) is three
[제2 실시예]Second Embodiment
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 금속기판을 도시한 사시도이고, 도 10은 제2 실시예에 따른 금속기판의 평면도, 도 11은 제2 실시예에 따른 금속기판의 측단면도이며, 도 12는 제2 실시예에 따른 금속기판의 제조 공정도이다.9 is a perspective view showing a metal substrate according to a second embodiment of the present invention, FIG. 10 is a plan view of the metal substrate according to the second embodiment, and FIG. 11 is a side cross-sectional view of the metal substrate according to the second embodiment. 12 is a manufacturing process chart of the metal substrate according to the second embodiment.
본 발명의 제2 실시예에 따른 표면실장형 LED 패키지를 위한 금속기판(210)은 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 전극판(211)과, 제2 전극판(212), 제1 전극판(211)과 제2 전극판(212)을 전기적으로 절연시키면서 물리적으로 단단히 결합시키는 절연 결합체(213), 절연 결합체(213)로 결합된 금속기판(210)의 상부에 엘이디 칩을 실장하기 위해 형성된 실장공간(214)으로 구성된다.As shown in FIGS. 9 to 11, the
제2 실시예의 금속기판(210)은 엘이디 칩을 실장하기 위한 실장공간(214)이 제1 전극판(211) 위에 형성되어 있고, 엘이디 칩(220)과 제2 전극판(212)을 와이어 본딩하는 와이어가 제1 실시예보다 높아지므로 몰딩시 벽의 기능을 하는 도금층(218)이 금속기판(210)의 상면에 부가된 점을 제외하고는 제1 실시예의 금속기판과 동일하다.In the
도 9 내지 도 11을 참조하면, 제1 전극판(211)은 LED칩의 일 전극(예컨대, P 형전극)과 와이어 본딩되어 엘이디 칩에 전원을 공급함과 아울러 엘이디 칩에서 발생되는 열을 외부로 쉽게 방출한다. 제2 전극판(212)은 LED칩의 타 전극(예컨대, N 형전극)과 와이어 본딩되어 엘이디 칩에 전원을 공급함과 아울러 엘이디 칩에서 발생되는 열을 외부로 쉽게 방출한다. 그리고 절연 결합체(213)는 절연성 수지로서, 제1 전극판(211)과 제2 전극판(212)을 전기적으로 절연시키면서 하나의 기판으로 결합하고 있다.9 to 11, the
이러한 본 발명의 제2 실시예에 따른 금속기판(210)은 도 12에 도시된 바와 같이, 사각판 모양의 금속원판을 하부와 상부로 구분하여 금속원판의 하부를 에칭 및 수지로 채우는 과정과, 상부를 에칭 및 수지로 채워 제1 전극판과 제2 전극판으 로 분리한 후 상부에 실장공간을 형성하는 과정, 및 상부의 하프 에칭부를 마스크 처리후 도금하여 벽 기능을 하는 도금층을 형성하는 과정을 통해 제조된다. As shown in FIG. 12, the
도 12에서 (a)는 금속원판의 하부를 하프 에칭한 패턴을 나타낸 것이고, (b)는 하프 에칭한 하부를 절연성 수지로 메운 것을 나타내며, (c)는 금속원판의 하부를 쿼터 에칭한 패턴을 나타낸 것이며, (d)는 쿼터 에칭한 부분을 수지로 메운 것을 나타낸다. 또한 도 4에서 (e)는 금속원판의 상부를 하프 에칭한 패턴을 나타낸 것이고, (f)는 하프 에칭한 상부를 절연성 수지로 메운 것을 나타내며, (g)는 금속기판의 상부를 하프 에칭한 패턴을 나타낸 것이고, (h)는 상부의 하프 에칭부를 마스크 처리후 도금하여 벽 기능을 하는 도금층을 형성하는 것을 도시한 도면이다.In FIG. 12, (a) shows a half-etched pattern of the lower part of the metal disk, (b) shows a half-etched lower part of the pattern with an insulating resin, and (c) shows a pattern of quarter-etched lower part of the metal disk. (D) shows that the quarter-etched part was filled with resin. In addition, in FIG. 4, (e) shows a pattern of half-etched the upper portion of the metal disc, (f) shows a half-etched top portion filled with an insulating resin, and (g) shows a pattern of half-etched the upper portion of the metal substrate. (H) shows the formation of a plating layer functioning as a wall by plating the upper half-etched part after the mask treatment.
도 12를 참조하면, 제2 실시예의 금속기판(210)을 제조하는 절차는 (g)에서와 같이 금속기판의 상부 제1 전극판(211)에만 원형으로 하프 에칭하여 LED칩을 실장하기 위한 실장공간(214)을 형성하고, (h)와 같이 상부의 하프 에칭부를 마스크 처리 후 도금하여 벽 기능을 하는 도금층(218)을 형성하는 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일하므로 더 이상의 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 12, the procedure for manufacturing the
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 금속기판(210)에 LED칩을 실장하여 완성된 엘이디 패키지의 예를 도시한 도면이고, 도 14는 본 발명에 따른 제2 실시예의 변형 예들로서 전극의 모양을 변형하거나 멀티 칩을 실장한 예들을 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 13 is a view showing an LED package completed by mounting an LED chip on a
본 발명의 제2 실시예에 따라 완성된 엘이디 패키지(200)는 도 13에 도시된 바와 같이, 실장공간만 수지(230)로 패킹되고 금속기판(210)의 대부분은 노출되어 열 방출이 4방향으로 일어날 수 있도록 되어 있다. 이때 실장공간을 수지로 디스펜싱 혹은 몰딩할 때 다양한 형상의 렌즈가 성형되어 광효율을 향상시킬 수 있도록 되어 있다.The LED package 200 completed according to the second embodiment of the present invention, as shown in Figure 13, only the mounting space is packed with the
도 13에서 (a)는 실장공간만 디스펜싱 혹은 몰딩한 엘이디 패키지를 도시한 도면이고, (b)는 실장공간을 디스펜싱 혹은 몰딩하면서 실장공간의 상부에 볼록형 렌즈(240)를 성형한 엘이디 패키지를 도시한 도면이다. 이외에도 오목형 렌즈나 도트 패턴, 프리즘 패턴 등 다양한 형상의 렌즈나 패턴을 성형할 수도 있다.In FIG. 13, (a) is a view showing an LED package dispensing or molding only the mounting space, (b) is an LED package formed by forming a
또한 도 14에서 (a)는 두 전극 사이에 하나의 엘이디 칩을 실장하는 앞서 설명한 제2 실시예의 기본형이고, (b)는 기본형의 전극 모양을 변형한 것이며, (c)는 기본형 구조에 멀티칩을 실장한 예이다. 그리고 (d)는 2단자형의 예이고, (e)는 실장공간을 3개로 분리하여 형성한 3 포켓형이고, (f)는 3포켓이면서 전극을 변형한 예이고, (g)는 3포켓 4단자형의 예이고, (h)는 6단자형의 예이며, (i)는 3포켓 6단자형의 예이다.In addition, in FIG. 14, (a) is a basic type of the second embodiment described above in which one LED chip is mounted between two electrodes, (b) is a modified shape of an electrode of the basic type, and (c) is a multi-chip in the basic type structure. Is an example. And (d) is an example of a two-terminal type, (e) is a three pocket type formed by separating the mounting space into three, (f) is an example of modifying the electrode while being three pockets, and (g) is three
이상에서 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. The present invention has been described above with reference to one embodiment shown in the drawings, but those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 금속기판을 도시한 사시도이고,1 is a perspective view showing a metal substrate according to a first embodiment of the present invention,
도 2는 제1 실시예에 따른 금속기판의 평면도, 2 is a plan view of a metal substrate according to a first embodiment;
도 3은 제1 실시예에 따른 금속기판의 측단면도, 3 is a side cross-sectional view of a metal substrate according to the first embodiment;
도 4는 제1 실시예에 따른 금속기판의 제조 공정도, 4 is a manufacturing process diagram of a metal substrate according to the first embodiment;
도 5는 제1 실시예에 따른 금속기판의 결합 상태를 설명하기 위한 분리 사시도,5 is an exploded perspective view for explaining a bonding state of the metal substrate according to the first embodiment;
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 금속기판에 LED칩을 실장하는 엘이디 패키징 절차를 도시한 순서도, 6 is a flowchart illustrating an LED packaging procedure for mounting an LED chip on a metal substrate according to the first embodiment of the present invention;
도 7은 본 발명의 엘이디 패키징 절차에 따라 완성된 엘이디 패키지의 예를 도시한 도면,FIG. 7 illustrates an example of an LED package completed according to the LED packaging procedure of the present invention. FIG.
도 8은 본 발명에 따른 제1 실시예의 변형 예들로서 전극의 모양을 변형하거나 멀티 칩을 실장한 예들을 개략적으로 도시한 도면,8 is a view schematically showing examples of modifying the shape of an electrode or mounting a multi-chip as modified examples of the first embodiment according to the present invention;
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 금속기판을 도시한 사시도, 9 is a perspective view showing a metal substrate according to a second embodiment of the present invention;
도 10은 제2 실시예에 따른 금속기판의 평면도, 10 is a plan view of a metal substrate according to a second embodiment;
도 11은 제2 실시예에 따른 금속기판의 측단면도이며, 11 is a side cross-sectional view of a metal substrate according to the second embodiment,
도 12는 제2 실시예에 따른 금속기판의 제조 공정도,12 is a manufacturing process diagram of a metal substrate according to the second embodiment;
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 금속기판에 LED칩을 실장하여 완성된 엘이디 패키지의 예를 도시한 도면, FIG. 13 is a view showing an example of an LED package completed by mounting an LED chip on a metal substrate according to a second embodiment of the present invention;
도 14는 본 발명에 따른 제2 실시예의 변형 예들로서 전극의 모양을 변형하 거나 멀티 칩을 실장한 예들을 개략적으로 도시한 도면,14 is a view schematically showing examples in which the shape of an electrode is modified or a multi chip is mounted as modified examples of the second embodiment according to the present invention;
도 15는 종래의 표면실장형 엘이디 패키지의 단면도이다.15 is a cross-sectional view of a conventional surface mount LED package.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
110,210: 금속기판 111,211: 제1 전극판110,210: metal substrate 111,211: first electrode plate
112,212: 제2 전극판 113,213: 절연 결합체112,212: second electrode plate 113,213: insulating assembly
114,214: 실장공간 120,220: 엘이디 칩114,214: Mounting space 120,220: LED chip
130,230: 수지 218: 도금층130,230: Resin 218: plating layer
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