KR100949096B1 - Method for cleaning substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 세정 방법을 개시한 것으로서, 처리조에 공정 온도로 가열된 탈이온수를 공급하여 처리조를 예열하고, 예열된 처리조에 처리액을 공급하여 기판을 세정 처리하는 것을 특징으로 한다. 이러한 특징에 의하면, 기판의 세정 공정 시 처리조로 공급되는 처리액의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.The present invention discloses a substrate cleaning method, wherein deionized water heated at a process temperature is supplied to a treatment tank to preheat the treatment tank, and the substrate is cleaned by supplying a treatment liquid to the preheated treatment tank. According to this aspect, it is possible to provide a substrate processing method capable of keeping the temperature of the processing liquid supplied to the processing tank at the time of the substrate cleaning step constant.

세정, 처리조, 예열 Washing, treatment tank, preheating

Description

기판 세정 방법{METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE}Substrate Cleaning Method {METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 세정 처리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method, and more particularly, to a method for cleaning a substrate.

일반적으로 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 웨이퍼 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 웨이퍼 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 웨이퍼를 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.In general, as semiconductor devices become more dense, highly integrated, and higher in performance, micronization of circuit patterns proceeds rapidly, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the wafer surface have a great effect on device characteristics and production yield. Get mad. For this reason, the cleaning process for removing various contaminants adhering to the wafer surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and the process for cleaning the wafer is performed at the front and rear stages of each unit process for manufacturing the semiconductor.

반도체 웨이퍼의 세정 공정은 반도체 웨이퍼 상의 오염 물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 화학 용액 처리 공정(약액 처리 공정), 약액 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수로 세척하는 린스 공정, 그리고 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조 공정으로 이루어진다. The cleaning process of the semiconductor wafer includes a chemical solution treatment process (chemical treatment process) for etching or peeling off contaminants on the semiconductor wafer by chemical reaction, a rinse process for washing the chemically treated semiconductor wafer with deionized water, and a rinsed semiconductor wafer. It consists of a drying process of drying.

현재 반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 가스 상태에서 기판 표면의 오염 물질을 제거하는 건식 세정(Dry Cleaning)과, 약액 중에 웨이퍼를 침적시 켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 습식 세정(Wet Cleaning)으로 크게 나뉜다.Currently, the cleaning method used in the semiconductor manufacturing process includes dry cleaning to remove contaminants on the substrate surface in a gas state, and wet cleaning to remove contaminants by chemical dissolution by depositing a wafer in a chemical solution. Are largely divided into

이 중 습식 세정은 기판 표면을 손상 없이 고르고 깨끗하게 세정하기 위하여 주로 사용되고 있는데, 기판의 대구경화 및 칩 사이즈의 감소에 따라 젖은 상태에 의한 배스 시스템(Bath System)을 주로 사용하고 있다. Among them, wet cleaning is mainly used to clean and evenly clean the surface of a substrate without damage, and mainly uses a bath system in a wet state due to large size of the substrate and reduction of chip size.

배스 시스템(Bath System)은, 세정액이 채워진 다수의 처리조와, 기판을 다수의 처리조로 순차적으로 이송시키는 이송장치를 구비하고 있으며, 이송장치를 이용하여 기판을 각 처리조에 순차적으로 로딩(Loading) 및 언로딩(Unloading)하여 일괄 처리 공정으로 세정 공정 및 건조 공정을 진행한다.The bath system includes a plurality of treatment tanks filled with a cleaning liquid and a transfer device for sequentially transferring the substrates to the plurality of treatment tanks, and the substrates are sequentially loaded and loaded into the treatment tanks using the transfer apparatus. Unloading is carried out in a batch process to a washing process and a drying process.

본 발명은 기판의 세정 공정 시 처리조로 공급되는 처리액의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있는 기판 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate cleaning method capable of maintaining a constant temperature of the processing liquid supplied to the processing tank during the substrate cleaning process.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 세정 방법은, 기판을 세정하는 방법에 있어서, 처리조에 가열된 탈이온수를 공급하여 상기 처리조를 예열하고, 상기 처리조로부터 상기 탈이온수를 배출시킨 후 상기 처리조에 가열된 처리액을 공급하고, 상기 처리조에 기판을 반입하여 상기 기판을 세정 처리하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the substrate cleaning method according to the present invention is a method for cleaning a substrate, wherein the heated deionized water is supplied to a treatment tank to preheat the treatment tank, and the deionized water is discharged from the treatment tank. Thereafter, the heated treatment liquid is supplied to the treatment tank, and the substrate is loaded into the treatment tank to wash the substrate.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 세정 방법에 있어서, 상기 탈이온수는 상기 처리조가 기설정된 세정 공정 온도로 예열되도록 세정 공정 온도로 가열된 상태로 상기 처리조에 공급될 수 있다.In the substrate cleaning method according to the present invention having the configuration as described above, the deionized water may be supplied to the treatment tank in a state heated to the cleaning process temperature so that the treatment tank is preheated to a predetermined cleaning process temperature.

기판의 세정 처리 후 기판을 상기 처리조로부터 반출시키고, 상기 처리조에 상기 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수를 공급하여 상기 처리조 내의 상기 처리액을 상기 탈이온수로 치환할 수 있다.After cleaning the substrate, the substrate may be taken out of the treatment tank, and deionized water heated to the predetermined cleaning process temperature may be supplied to the treatment tank to replace the treatment liquid in the treatment tank with the deionized water.

상기 처리액은 믹싱 탱크에서 혼합된 희석액과 약액의 혼합액이며, 상기 처리액은 공정 진행 전에는 상기 믹싱 탱크에 유입/유출되면서 순환되고, 공정 진행 시 상기 믹싱 탱크로부터 상기 처리조로 공급될 수 있다.The treatment liquid is a mixed liquid of the dilution liquid and the chemical liquid mixed in the mixing tank, the treatment liquid is circulated while flowing into / out of the mixing tank before the process proceeds, it can be supplied from the mixing tank to the treatment tank during the process.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 세정 방법은, 기판을 세정하는 방법에 있어서, 처리조에 탈이온수를 공급하여 상기 처리조를 세정 처리하고, 상기 처리조로부터 상기 탈이온수를 배출시킨 후 상기 처리조에 가열된 처리액을 공급하고, 상기 처리조에 기판을 반입하여 상기 기판을 세정 처리하되, 상기 처리조의 세정 처리를 위해 상기 처리조에 공급되는 상기 탈이온수는 가열된 상태로 공급되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, in the substrate cleaning method of the present invention, in the method of cleaning a substrate, after supplying deionized water to a treatment tank and washing the treatment tank, the deionized water is discharged from the treatment tank. Supplying a heated treatment liquid to the treatment tank, and carrying the substrate into the treatment tank to clean the substrate, wherein the deionized water supplied to the treatment tank for cleaning treatment of the treatment tank is supplied in a heated state. do.

본 발명에 의하면, 기판의 세정 공정 시 처리조로 공급되는 처리액의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다.According to this invention, the temperature of the process liquid supplied to a process tank at the time of the board | substrate washing process can be kept constant.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 세정 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a substrate cleaning method according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible, even if shown on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

( 실시 예 )(Example)

도 1은 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 개략적 평면도이고, 도 2는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 개략적 측단면도이다. 1 is a schematic plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus, and FIG. 2 is a schematic side cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 세정 설비(10)는 기판 캐리어(미도시)가 로딩 또는 언로딩되는 로딩/언로딩부(100), 기판들의 정렬이 이루어지는 정렬부(200), 기판들의 세정 처리가 이루어지는 세정 처리부(300), 세정 처리부(300)에 기판을 이송하는 기판 이송부(400), 그리고 기판 세정을 위한 세정액의 공급 및 순환과, 전반적인 설비를 제어하는 제어반(Power & Controller Box, 500a)을 갖는 유틸리티부(500)를 포함한다. 1 and 2, the substrate cleaning apparatus 10 may include a loading / unloading unit 100 in which a substrate carrier (not shown) is loaded or unloaded, an alignment unit 200 in which the substrates are aligned, and the substrates. A control panel for controlling the supply and circulation of the cleaning liquid and the overall equipment (Power & Controller Box, And a utility unit 500 having 500a).

로딩/언로딩부(100)에는 복수 개의 기판들이 수용된 기판 캐리어(미도시)가 로딩/언로딩되며, 로딩/언로딩부(100)에는 세정 공정을 진행하기 위해 운반된 캐리어 또는 다음 공정으로 운반될 캐리어들이 대기 상태로 보관되는 스톡커를 포함하는 통상의 구성과 기능을 갖는다. 정렬부(200)에서는 기판들을 세정 공정에 맞도록 정렬하고, 정렬된 기판들은 기판 이송부(400)에 의해 세정 처리부(300)의 각 처리조(310)들로 순차적으로 이송되어 세정 처리된다.In the loading / unloading unit 100, a substrate carrier (not shown) in which a plurality of substrates are accommodated is loaded / unloaded, and the loading / unloading unit 100 is transported to a carrier carried to a cleaning process or a next process. It will have a conventional configuration and function including a stocker in which carriers to be stored are stored in a standby state. In the alignment unit 200, the substrates are aligned to meet the cleaning process, and the aligned substrates are sequentially transferred to the respective treatment tanks 310 of the cleaning processing unit 300 by the substrate transfer unit 400 to be cleaned.

세정 처리부(300), 기판 이송부(400) 및 유틸리티부(500)는 상층과 하층에 각각 배치된 복층 구조로 이루어질 수 있으며, 그리고 세정 처리부(300)와 유틸리티부(500) 사이에는 기판 세정 설비(10)의 유지 보수 작업을 용이하게 하기 위한 작업 공간(600)이 형성될 수 있다. The cleaning processing unit 300, the substrate transfer unit 400, and the utility unit 500 may be formed in a multilayer structure disposed at an upper layer and a lower layer, respectively, and a substrate cleaning facility may be disposed between the cleaning processing unit 300 and the utility unit 500. Work space 600 may be formed to facilitate the maintenance work of 10).

유틸리티부(500)는 상부와 하부로 구획되며, 상부에는 전반적인 설비를 제어하는 제어반(500a)이 설치되고, 하부에는 각각의 처리조(310)에 대응되도록 세정액 공급 유닛들(500b,500c)이 설치된다. 약액 공급 유닛들(500b,500c)은 처리조(310)에 기판의 세정 처리를 위한 세정액을 공급하고 순환시킨다.The utility unit 500 is divided into an upper part and a lower part, a control panel 500a for controlling an overall installation is installed at an upper part, and cleaning liquid supply units 500b and 500c are installed at a lower part so as to correspond to the respective treatment tanks 310. Is installed. The chemical liquid supply units 500b and 500c supply and circulate the cleaning liquid for cleaning the substrate to the treatment tank 310.

도 3은 기판 처리 장치에 구비된 처리조 및 약액 공급 유닛의 배관 계통을 개략적으로 보여주는 도면이다.3 is a view schematically illustrating a piping system of a treatment tank and a chemical liquid supply unit included in a substrate processing apparatus.

도 2 및 도 3을 참조하면, 약액 공급 유닛들(500b,500c)은 탈이온수 공급 부재(520), 처리액 공급 부재(540) 및 배수 부재(560)를 포함한다. 탈이온수 공급 부재(520)는 처리조(310)로 탈이온수를 공급하고, 처리액 공급 부재(540)는 처리조(310) 내에 처리액을 공급하며, 배수 부재(560)는 처리조(310) 내의 탈이온수(처리액이 치환된 탈이온수를 포함한다.)를 배출시킨다. 2 and 3, the chemical liquid supply units 500b and 500c include a deionized water supply member 520, a treatment liquid supply member 540, and a drain member 560. The deionized water supply member 520 supplies deionized water to the treatment tank 310, the treatment liquid supply member 540 supplies the treatment liquid into the treatment tank 310, and the drain member 560 is the treatment tank 310. D) deionized water (including deionized water in which the treatment liquid is substituted) is discharged.

처리조(310)는 기판 표면의 잔류 이물질을 제거하기 위한 세정 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 처리조(310)는 내조(312) 및 외조(314)를 가진다. 내조(312)는 공정 진행시 탈이온수 또는 처리액이 채워지는 공간을 제공하며, 복수 개의 기판(W)들이 충분히 잠길 수 있는 체적을 가진다. 외조(314)는 내조(312)를 감싸도록 설치되고, 내조(312)로부터 오버플로우(Overflow)되는 탈이온수 또는 처리액을 수용한다. 내조(312)의 내측에는 반입되는 기판들을 지지하기 위한 기판 가이드(316)가 제공된다.The treatment tank 310 provides a space in which a cleaning process for removing residual foreign matter on the surface of the substrate is performed. The treatment tank 310 has an inner tank 312 and an outer tank 314. The inner tank 312 provides a space in which deionized water or a treatment liquid is filled during the process, and has a volume in which the plurality of substrates W can be sufficiently locked. The outer tub 314 is installed to surround the inner tub 312 and accommodates deionized water or a treatment liquid that overflows from the inner tub 312. Inside the inner tub 312 is provided a substrate guide 316 for supporting the substrates to be loaded.

탈이온수 공급 부재(520)는 처리조(310) 내에 탈이온수를 공급한다. 처리조(310)에 공급되는 탈이온수는 처리조(310) 내부를 외부와 격리시켜 파티클이 처리조(310)로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 처리조(310) 내부를 세정할 수도 있다. 탈이온수 공급 부재(520)는 탈이온수 공급원(522)과, 탈이온수 공급 원(522)으로부터 처리조(310)로 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급 라인(524)을 가진다. 탈이온수 공급 라인(524) 상에는 탈이온수를 가열하는 제 1 히터(526)와, 탈이온수의 공급 유량을 조절하는 밸브(528)가 설치된다. 제 1 히터(526)는 처리조(310)로 공급되는 탈이온수를 기설정된 세정 공정 온도로 가열한다. 제 1 히터(526)에 의해 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수가 처리조(310)로 공급되면, 처리조(310)가 기판의 세정 처리 이전에 세정 공정 온도로 예열될 수 있다. 그리고, 밸브(528)에는 바이패스(Bypass) 라인(529)이 연결된다. 바이패스 라인(529)은 처리조(310)의 용량에 해당하는 탈이온수가 처리조(310)에 채워진 후, 탈이온수를 처리조(310)로부터 오버플로우(Overflow)시키기 위해 사용된다.The deionized water supply member 520 supplies deionized water into the treatment tank 310. Deionized water supplied to the treatment tank 310 may isolate the inside of the treatment tank 310 from the outside to prevent particles from flowing into the treatment tank 310, and may also clean the inside of the treatment tank 310. . The deionized water supply member 520 has a deionized water supply source 522 and a deionized water supply line 524 that supplies deionized water from the deionized water supply source 522 to the treatment tank 310. On the deionized water supply line 524, a first heater 526 for heating deionized water and a valve 528 for adjusting a supply flow rate of deionized water are provided. The first heater 526 heats the deionized water supplied to the treatment tank 310 to a predetermined cleaning process temperature. When deionized water heated to the cleaning process temperature by the first heater 526 is supplied to the treatment tank 310, the treatment tank 310 may be preheated to the cleaning process temperature before the substrate is cleaned. In addition, a bypass line 529 is connected to the valve 528. The bypass line 529 is used to overflow the deionized water from the treatment tank 310 after the deionized water corresponding to the capacity of the treatment tank 310 is filled in the treatment tank 310.

처리액 공급 부재(540)는 믹싱 탱크(541), 약액 공급원(542), 희석액 공급원(544) 및 순환 부재(550)를 포함한다. 믹싱 탱크(541)는 약액과 희석액을 혼합한다. 믹싱 탱크(541)에는 약액 공급원(542)으로부터 약액을 전달하는 약액 공급 라인(543)과, 희석액 공급원(544)으로부터 희석액을 전달하는 희석액 공급 라인(545)이 연결된다. 약액 공급 라인(543) 상에는 약액의 공급 유량을 조절하는 밸브(543a)가 설치되고, 희석액 공급 라인(545) 상에는 희석액의 공급 유량을 조절하는 밸브(545a)가 설치된다. 약액으로는 세정 처리하고자 하는 기판상에 형성된 막질에 따라 다양한 종류의 약액이 사용될 수 있으며, 희석액으로는 탈이온수(DeIonized Water, DIW)가 사용될 수 있다. 통상적으로 희석액이 먼저 믹싱 탱크(541)에 공급되고, 믹싱 탱브(541) 내의 희석액은 후술할 순환 부재(550)에 의해 순환된다. 이후 약액이 믹싱 탱크(541)로 공급되며, 약액은 믹싱 탱크(541) 내에서 희석액과 혼합 희석되고, 순환 부재(550)에 의해 순환된다.The treatment liquid supply member 540 includes a mixing tank 541, a chemical liquid source 542, a diluent liquid source 544, and a circulation member 550. The mixing tank 541 mixes the chemical liquid and the diluent liquid. The mixing tank 541 is connected to a chemical liquid supply line 543 for delivering a chemical liquid from the chemical liquid source 542 and a diluent liquid supply line 545 for delivering a diluent liquid from the dilution liquid source 544. On the chemical liquid supply line 543, a valve 543a for adjusting the supply flow rate of the chemical liquid is provided, and on the diluent liquid supply line 545, a valve 545a for adjusting the supply flow rate of the diluted liquid is provided. As the chemical liquid, various kinds of chemical liquids may be used according to the film quality formed on the substrate to be cleaned, and as the diluent, deionized water (DIW) may be used. Typically, the diluent is first supplied to the mixing tank 541, and the diluent in the mixing tank 541 is circulated by the circulation member 550 to be described later. Thereafter, the chemical liquid is supplied to the mixing tank 541, and the chemical liquid is mixed and diluted with the diluent in the mixing tank 541 and circulated by the circulation member 550.

믹싱 탱크(541)에는 순환 부재(550)가 연결된다. 순환 부재(550)는 믹싱 탱크(541) 내부의 희석액 또는 약액과 희석액이 혼합 희석된 처리액을 순환시킨다. 순환 부재(550)는 믹싱 탱크에 희석액 또는 처리액을 유출입시키는 순환 라인(551)을 가진다. 순환 라인(551)의 일단은 믹싱 탱크(541)의 하부에 연결되고, 타단은 믹싱 탱크(541)의 상부에 연결될 수 있다. 순환 라인(551) 상에는 펌프(552), 제 2 히터(553), 필터(554), 그리고 농도계(555)가 설치된다. 펌프(552)는 순환 라인(551)에 유동 압력을 제공하고, 제 2 히터(553)는 순환 라인(551)을 따라 순환되는 희석액 또는 처리액을 기설정된 세정 공정 온도로 가열한다. 필터(554)는 순환 라인(551)을 따라 흐르는 희석액 또는 처리액 내에 잔류하는 파티클과 같은 오염 물질들을 여과시킨다. 농도계(555)는 순환 라인(551)을 따라 이동하는 처리액의 농도를 측정한다.The circulation member 550 is connected to the mixing tank 541. The circulation member 550 circulates the dilution liquid in the mixing tank 541 or the treatment liquid in which the dilution liquid is mixed and diluted. The circulation member 550 has a circulation line 551 for introducing and diluting the diluent or the treatment liquid into the mixing tank. One end of the circulation line 551 may be connected to the lower portion of the mixing tank 541, and the other end may be connected to the upper portion of the mixing tank 541. The pump 552, the second heater 553, the filter 554, and the densitometer 555 are installed on the circulation line 551. The pump 552 provides a flow pressure to the circulation line 551, and the second heater 553 heats the diluent or processing liquid circulated along the circulation line 551 to a predetermined cleaning process temperature. The filter 554 filters contaminants such as particles remaining in the diluent or treatment liquid flowing along the circulation line 551. The densitometer 555 measures the concentration of the processing liquid moving along the circulation line 551.

상기와 같은 구성을 가지는 순환 부재(550)에 의해 믹싱 탱크(541) 내의 처리액이 순환된다. 처리액은 순환 부재(550)에 의해 일정 시간 동안 순환되며, 처리될 기판들이 처리조(310)로 반입되기 전에 처리조(310)로 공급된다. 이때, 처리조(310) 내의 탈이온수는 후술할 배수 부재(560)에 의해 배수되며, 탈이온수의 배수가 완료된 이후에 처리액이 처리조(310)로 공급된다. 처리액은 순환 부재(550)의 순환 라인(551)으로부터 분기된 처리액 공급 라인(546)을 통해 처리조(310)로 공급된다. 처리조(310)가 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수에 의해 공정 온도로 예열 된 상태에서, 세정 공정 온도로 가열된 처리액이 처리조(310)로 공급되기 때문에, 처리조(310)로 공급된 처리액의 온도는 일정하게 유지될 수 있다.The processing liquid in the mixing tank 541 is circulated by the circulation member 550 having the above configuration. The processing liquid is circulated by the circulation member 550 for a predetermined time and is supplied to the processing tank 310 before the substrates to be processed are carried into the processing tank 310. At this time, the deionized water in the treatment tank 310 is drained by the drain member 560 to be described later, and after the drainage of the deionized water is completed, the treatment liquid is supplied to the treatment tank 310. The treatment liquid is supplied to the treatment tank 310 through the treatment liquid supply line 546 branched from the circulation line 551 of the circulation member 550. Since the treatment liquid heated to the cleaning process temperature is supplied to the treatment tank 310 in a state where the treatment tank 310 is preheated to the process temperature by deionized water heated to the cleaning process temperature, the treatment tank 310 is supplied to the treatment tank 310. The temperature of the treated liquid can be kept constant.

배수 부재(560)는 처리조(310) 내의 탈이온수(처리액이 희석된 탈이온수를 포함한다.)를 배수하기 위한 것으로, 배수통(562)과 배수 라인(564)을 가진다. 배수 라인(564)은 처리조(310)의 하부에 연결되어 처리조(310) 내의 탈이온수를 배수통(562)으로 배수시키고, 배수통(562)은 오염된 탈이온수를 수용한다.The drain member 560 is for draining deionized water (including deionized water in which the treatment liquid is diluted) in the treatment tank 310, and has a drain container 562 and a drain line 564. Drain line 564 is connected to the lower portion of the treatment tank 310 to drain the deionized water in the treatment tank 310 to the drain container 562, the drain container 562 receives the contaminated deionized water.

상기와 같은 구성을 가지는 기판 세정 장치를 이용하여 기판을 세정 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다. 도 4는 본 발명에 따른 기판 세정 방법의 공정 흐름도이다.The process of cleaning the substrate using the substrate cleaning apparatus having the above configuration will be described below. 4 is a process flow diagram of a substrate cleaning method according to the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 먼저 탈이온수 공급 부재(520)의 탈이온수 공급 라인(524)을 통해 처리조(310)로 탈이온수가 공급된다. 탈이온수는 제 1 히터(526)에 의해 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 상태로 공급된다. 여기서, 기설정된 세정 공정 온도라 함은 탈이온수에 후속하여 처리조(310)로 공급되는 처리액의 온도와 동일한 온도이다. 탈이온수가 탈이온수 공급 라인(524)을 통해 처리조(310)의 용량에 대응하도록 처리조(310)에 채워지고, 이후에는 처리조(310)로부터 오버플로우(Overflow)되도록 바이패스 라인(529)을 통해 소량씩 탈이온수가 공급된다. 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수가 처리조(310)로 공급되면, 처리조(310)는 탈이온수에 의해 세정 공정 온도로 예열된다. 그리고, 처리조(310)에 공급된 탈이온수는 처 리조(310)의 예열 이외에도 처리조(310) 내부를 외부와 격리시켜 파티클이 처리조(310)로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 처리조(310) 내부를 세정할 수도 있다. 3 and 4, first, deionized water is supplied to the treatment tank 310 through the deionized water supply line 524 of the deionized water supply member 520. Deionized water is supplied in a state heated by the first heater 526 to a predetermined cleaning process temperature. Here, the predetermined washing process temperature is the same temperature as that of the treatment liquid supplied to the treatment tank 310 after the deionized water. By-pass line 529 so that deionized water is filled in the treatment tank 310 to correspond to the capacity of the treatment tank 310 through the deionized water supply line 524, and then overflows from the treatment tank 310. Small amount of deionized water is supplied through). When deionized water heated to the washing process temperature is supplied to the treatment tank 310, the treatment tank 310 is preheated to the washing process temperature by the deionized water. In addition to the preheating of the treatment tank 310, the deionized water supplied to the treatment tank 310 may isolate the inside of the treatment tank 310 from the outside to prevent particles from flowing into the treatment tank 310, and may also be treated. The inside of the tank 310 may be cleaned.

이러한 상태에서, 제어부(미도시)로부터 기판의 투입 신호가 전달되면, 배수 부재(560)는 처리조(310) 내의 탈이온수를 배수시키며, 처리액 공급 부재(540)로부터 처리조(310)로 처리액이 공급된다. 처리액은 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 상태로 처리조(310)에 공급된다. 처리조(310)가 탈이온수에 의해 세정 공정 온도로 예열된 상태에서 처리액이 처리조(310)로 공급되기 때문에, 처리조(310)와 그 내부에 공급된 처리액 사이에는 온도 구배가 발생하지 않는다. 이로 인해 처리조(310) 내의 처리액의 온도가 세정 공정 온도로 균일하게 유지될 수 있다.In this state, when the input signal of the substrate is transmitted from the control unit (not shown), the drain member 560 drains the deionized water in the treatment tank 310, the processing liquid supply member 540 to the treatment tank 310 The treatment liquid is supplied. The treatment liquid is supplied to the treatment tank 310 in a state of being heated to a predetermined washing process temperature. Since the treatment liquid is supplied to the treatment tank 310 in a state where the treatment tank 310 is preheated to the washing process temperature by deionized water, a temperature gradient occurs between the treatment tank 310 and the treatment liquid supplied therein. I never do that. For this reason, the temperature of the processing liquid in the processing tank 310 can be maintained uniformly at the cleaning process temperature.

처리조(310)로 공급되는 처리액은 믹싱 탱크(541)에서 혼합된 희석액과 약액의 혼합액이다. 희석액이 먼저 믹싱 탱크(541)로 공급된 상태에서 순환 부재(550)의 펌프(552)에 의해 희석액이 순환되고, 희석액은 순환되는 동안 제 2 히터(553)에 의해 가열된다. 이러한 상태에서 제어부(미도시)로부터 기판 투입 신호가 전달되기 전에 약액이 믹싱 탱크(541)로 공급되고, 희석액과 혼합 희석된다. 혼합 희석된 처리액은 순환 라인(551)을 따라 믹싱 탱크(541)로 유출입되면서 순환되고, 순환되는 동안 순환 라인(551) 상에 설치된 농도계(555)에 의해 농도가 측정된다. 처리액의 농도가 설정 값의 오차 범위 이내에 들면 처리액은 처리조(310)로 공급되고, 처리액의 농도가 설정 값의 오차 범위를 벗어나면 처리액은 탱크(미도시)로 배수된다. The treatment liquid supplied to the treatment tank 310 is a mixed liquid of the dilution liquid and the chemical liquid mixed in the mixing tank 541. The diluent is circulated by the pump 552 of the circulation member 550 with the diluent first supplied to the mixing tank 541, and the diluent is heated by the second heater 553 while being circulated. In this state, the chemical liquid is supplied to the mixing tank 541 before the substrate input signal is transmitted from the controller (not shown), and the mixture is diluted with the diluent. The mixed and diluted treatment liquid is circulated as it flows in and out of the mixing tank 541 along the circulation line 551, and the concentration is measured by the densitometer 555 installed on the circulation line 551 during the circulation. When the concentration of the treatment liquid is within the error range of the set value, the treatment liquid is supplied to the treatment tank 310, and when the concentration of the treatment liquid is outside the error range of the set value, the treatment liquid is drained to a tank (not shown).

이와 같이, 처리액은 공정 진행을 위해 처리조(310)로 공급되기 전에는 믹싱 탱크(541)에 유입/유출되면서 순환되고, 공정 진행시 믹싱 탱크(541)로부터 처리조(310)로 공급된다. 처리조(310)에 처리액이 공급된 상태에서, 처리조(310)로 기판을 반입하여 처리액에 의해 기판을 세정 처리한다. 기판의 세정 처리 후 기판은 반출되고, 처리액이 채워진 처리조(310)로 다시 탈이온수를 공급한다. 기판의 세정 처리 후 처리조(310)로 공급되는 탈이온수는 처리조(310) 내의 처리액을 충분히 묽게 희석하고, 최종적으로 처리조(310) 내의 처리액을 탈이온수로 치환한다. 이후 탈이온수를 배수시키고, 처리조(310)로 처리액을 다시 공급하여 기판을 세정 처리한다. 이상에서 설명한 바와 같은 과정을 반복적으로 진행하면서 기판의 세정 처리 공정을 진행한다.In this way, the treatment liquid is circulated while being introduced / outflowed into the mixing tank 541 before being supplied to the treatment tank 310 for process progress, and is supplied from the mixing tank 541 to the treatment tank 310 during the process progress. In the state in which the processing liquid is supplied to the processing tank 310, the substrate is loaded into the processing tank 310 and the substrate is washed with the processing liquid. After the substrate is cleaned, the substrate is taken out, and deionized water is supplied to the treatment tank 310 filled with the treatment liquid. The deionized water supplied to the treatment tank 310 after washing the substrate is sufficiently diluted with the treatment liquid in the treatment tank 310, and finally the treatment liquid in the treatment tank 310 is replaced with deionized water. Thereafter, deionized water is drained and the treatment liquid is supplied back to the treatment tank 310 to clean the substrate. The substrate is subjected to the cleaning treatment process while repeatedly performing the process described above.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

도 1은 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 개략적 평면도,1 is a schematic plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus;

도 2는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 개략적 측단면도,2 is a schematic side cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus;

도 3은 기판 처리 장치에 구비된 처리조 및 약액 공급 유닛의 배관 계통을 개략적으로 보여주는 도면,3 is a view schematically illustrating a piping system of a treatment tank and a chemical liquid supply unit included in a substrate processing apparatus;

도 4는 본 발명에 따른 기판 세정 방법의 공정 흐름도이다.4 is a process flow diagram of a substrate cleaning method according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 로딩/언로딩부 200 : 정렬부100: loading / unloading unit 200: alignment unit

300 : 세정 처리부 310 : 처리조300: washing treatment unit 310: treatment tank

400 : 기판 이송부 500 : 유틸리티부400: substrate transfer part 500: utility part

520 : 탈이온수 공급 부재 526 : 제 1 히터520 deionized water supply member 526: first heater

540 : 처리액 공급 부재 550 : 순환 부재540: treatment liquid supply member 550: circulation member

553 : 제 2 히터 560 : 배수 부재553: second heater 560: drain member

Claims (5)

기판을 세정하는 방법에 있어서,In the method of cleaning a substrate, 처리조에 가열된 탈이온수를 공급하여 상기 처리조를 예열하고, Preheat the treatment tank by supplying heated deionized water to the treatment tank, 상기 처리조로부터 상기 탈이온수를 배출시킨 후 상기 처리조에 가열된 처리액을 공급하고, After discharging the deionized water from the treatment tank and supplying a heated treatment liquid to the treatment tank, 상기 처리조에 기판을 반입하여 상기 기판을 세정 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.A substrate cleaning method comprising carrying in a substrate to the processing tank and cleaning the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탈이온수는 상기 처리조가 기설정된 세정 공정 온도로 예열되도록 세정 공정 온도로 가열된 상태로 상기 처리조에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.And the deionized water is supplied to the treatment tank while heated to the cleaning process temperature so that the treatment tank is preheated to a predetermined cleaning process temperature. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 기판의 세정 처리 후 기판을 상기 처리조로부터 반출시키고,The substrate is taken out of the processing tank after the cleaning treatment of the substrate, 상기 처리조에 상기 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수를 공급하여 상기 처리조 내의 상기 처리액을 상기 탈이온수로 치환하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.And supplying deionized water heated to the predetermined cleaning process temperature to the treatment tank to replace the treatment liquid in the treatment tank with the deionized water. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 처리액은 믹싱 탱크에서 혼합된 희석액과 약액의 혼합액이며,The treatment liquid is a mixture of diluent and chemical liquid mixed in the mixing tank, 상기 처리액은 공정 진행 전에는 상기 믹싱 탱크에 유입/유출되면서 순환되고, 공정 진행시 상기 믹싱 탱크로부터 상기 처리조로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.The processing liquid is circulated while flowing in and out of the mixing tank before the process proceeds, and is supplied to the processing tank from the mixing tank during the process. 처리조에 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수를 공급하여 상기 처리조를 세정 처리하고,Supplying deionized water heated to a predetermined cleaning process temperature to a treatment tank to clean the treatment tank, 상기 처리조로부터 상기 탈이온수를 배출시키고,Discharge the deionized water from the treatment tank, 상기 처리조에 상기 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 처리액을 공급하고,Supplying the treatment liquid heated to the predetermined cleaning process temperature to the treatment tank; 상기 처리조에 기판을 반입하여 상기 기판을 세정 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.A substrate cleaning method comprising carrying in a substrate to the processing tank and cleaning the substrate.
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