KR101395453B1 - Apparatus and method for cleaning wafer - Google Patents

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이승재
공순현
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주식회사 엘지실트론
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Abstract

The present invention relates to a wafer washing device comprising a main supply part for supplying spray solution to each processing tank; a surface active agent storage tank for measuring and storing the amount of surface active agent; a mixing part for selectively mixing the surface active agent provided at the surface active agent tank with a spray solution provided from the main supply part; a spray nozzle for spraying the spray solution provided from the main supply part to a wafer; a first processing tank for performing a first washing process for the wafer; a second processing tank for performing a second washing process for the wafer after being supplied with ultrapure water from the main supply part; and a third processing tank for performing a third washing process for eliminating the bonding surface of the wafer after being supplied with the ultrapure water from the main supply part.

Description

웨이퍼 세정 장치 및 세정 방법{Apparatus And Method For Cleaning Wafer} [0001] Apparatus and Method for Cleaning Wafer [

본발명은 웨이퍼 세정 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 슬라이싱 공정 후에 웨이퍼를 세정하기 위한 웨이퍼 세정 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer cleaning apparatus and method thereof, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus and method for cleaning a wafer after a wafer slicing process.

실리콘 웨이퍼는 다결정의 실리콘을 단결정 실리콘 잉곳으로 성장시키는 성장 공정, 성장된 단결정 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱 공정, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑 공정, 기계적인 연마에 의해 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭 공정, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱 공정, 그리고 웨이퍼를 세정하는 세정 공정등을 거쳐 제조된다. Silicon wafers are produced by a process of growing a polycrystalline silicon into a monocrystalline silicon ingot, a slicing process of cutting the grown monocrystalline silicon ingot into a wafer shape, a lapping process of flattening the wafer by uniformizing the thickness of the wafer, A polishing process for mirror-polishing the wafer surface, and a cleaning process for cleaning the wafer.

현재 웨이퍼 제조 공정은 잉곳을 웨이퍼 형태로 자르는 슬라이싱 공정 이후, 웨이퍼를 보관 및 이동한 후 슬라이싱된 웨이퍼에 대한 세정 공정을 실시한다. Currently, the wafer manufacturing process is a slicing process in which the ingot is cut into a wafer form, and after the wafer is stored and moved, a cleaning process is performed on the sliced wafer.

도 1 및 도 2는 종래 웨이퍼 세정을 실시하기 전의 문제점을 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 슬라이싱된 웨이퍼를 수용하는 카세트 내부에서 웨이퍼는 서로 흡착되는 현상이 발생하며, 이로 인해 초순수 및 세정액이 웨이퍼에 균일하게 침투되지 못하여 세정 공정시 웨이퍼의 세정 불량으로 웨이퍼의 수율이 낮아지는 문제점이 발생하게 된다. Figs. 1 and 2 are diagrams showing problems before conventional wafer cleaning. Referring to FIG. 1, wafers are attracted to each other in the cassette housing the sliced wafers, and ultrapure water and the cleaning liquid are not uniformly penetrated into the wafers, A problem occurs in that it is lowered.

도 2를 참조하면, 세정 공정을 진행한 후 웨이퍼의 세정 불량이 나타난 모습을 나타난 것을 확인할 수 있으며, 이는 특히 웨이퍼가 서로 흡착되는 가장자리부에서 두드러지게 나타난다. Referring to FIG. 2, it can be seen that the defective cleaning of the wafer is observed after the cleaning process, which is especially noticeable at the edge where the wafers are attracted to each other.

따라서, 상기와 같은 웨이퍼간의 흡착현상이 일어날 경우에도, 웨이퍼 전면에 대한 균일한 세정력을 갖는 웨이퍼 세정 장치 및 세정 방법이 필요하다. Accordingly, there is a need for a wafer cleaning apparatus and a cleaning method that have a uniform cleaning force against the entire wafer even when the adsorption phenomenon occurs between the wafers as described above.

본발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 슬라이싱된 잉곳을 세정할 때 웨이퍼 전면에 대한 세정력을 향상시킨 웨이퍼 세정 장치 및 세정방법을 제공하고자 함에 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a wafer cleaning apparatus and a cleaning method that improve the cleaning power against the entire wafer surface when cleaning a sliced ingot.

또한, 세정 공정시 초음파 세정과 세정액 분사 노즐을 사용한 세정을 한 세정조에서 실시할 수 있는 웨이퍼 세정장치 및 세정방법을 제공한다. The present invention also provides a wafer cleaning apparatus and cleaning method that can be performed in a cleaning tank that performs ultrasonic cleaning in a cleaning process and cleaning using a cleaning liquid spray nozzle.

그리고, 세정 공정에 사용된 세정액을 재이용하기 위한 수단을 구비함으로써 원부자재를 절감할 수 있는 웨이퍼 세정장치 및 세정방법을 제공한다. There is also provided a wafer cleaning apparatus and a cleaning method which can reduce raw materials by providing a means for reusing the cleaning liquid used in the cleaning process.

본발명에 따른 웨이퍼 세정장치는, 각각의 처리조로 분사 용액을 공급하는 메인 공급부; 계면활성제의 양을 측정 및 저장하는 계면활성제 저장탱크; 상기 메인 공급부로부터 제공되는 분사 용액에 상기 계면활성제 탱크에서 제공되는 계면활성제를 선택적으로 혼합하는 믹싱부; 상기 메인 공급부로부터 제공되는 분사 용액을 웨이퍼 측으로 분사하는 분사노즐을 구비하고, 웨이퍼에 대한 제1 세정공정을 수행하는 제1 처리조; 상기 메인공급부로부터 초순수를 공급받아, 웨이퍼에 대한 제2 세정공정을 수행하는 제2 처리조; 및 상기 메인공급부로부터 초순수를 공급받아, 웨이퍼의 본딩면을 제거하기 위한 제3 세정공정을 수행하는 제 3처리조;를 포함한다. The wafer cleaning apparatus according to the present invention comprises: a main supply part for supplying an injection solution to each processing bath; A surfactant storage tank for measuring and storing the amount of surfactant; A mixing unit for selectively mixing the surfactant provided in the surfactant tank with the spray solution supplied from the main supply unit; A first treatment tank having an injection nozzle for spraying the injection solution supplied from the main supply unit toward the wafer side and performing a first cleaning process on the wafer; A second treatment tank which receives ultrapure water from the main supply unit and performs a second cleaning process on the wafer; And a third treatment tank that receives ultrapure water from the main supply unit and performs a third cleaning process to remove the bonding surface of the wafer.

그리고, 본발명에 따른 웨이퍼 세정방법은, 제1 처리조에서 계면활성제 혼합된 세정액을 사용한 제1 세정을 실시하는 단계; 제2 처리조에서 초순수를 이용한 제2 세정을 실시하는 단계; 및 제3 처리조에서 가열된 초순수를 이용하여, 웨이퍼의 본딩면을 제거하기 위한 제3 세정을 실시하는 단계;를 포함한다. The wafer cleaning method according to the present invention includes the steps of: performing a first cleaning using a cleaning liquid mixed with a surfactant in a first treatment tank; Performing a second cleaning using ultrapure water in a second treatment tank; And performing a third cleaning for removing the bonding surface of the wafer by using the ultra-pure water heated in the third treatment tank.

본발명의 실시예에 따르면, 각 세정조에 구비된 분사 노즐은 웨이퍼의 전면에 세정액을 침투시켜 웨이퍼의 세정 효율을 극대화할 수 있다. According to the embodiment of the present invention, the injection nozzle provided in each cleaning tank can penetrate the entire surface of the wafer with the cleaning liquid, thereby maximizing the cleaning efficiency of the wafer.

그리고, 각 세정조에 구비된 버퍼 탱크로 세정용액을 재활용하여 초음파 세정공정을 실시함으로써, 웨이퍼 세정장치에 구비되는 원부자재를 절감할 수 있는 효과가 있다. Further, the cleaning solution is recycled by the buffer tank provided in each cleaning tank to perform the ultrasonic cleaning process, thereby reducing the raw material to be provided in the wafer cleaning apparatus.

또한, 본발명의 각처리조 내에서 수행되는 세정방법에 의하면, 하나의 처리조 내에서 세정액에 의한 세정 및 초음파 세정을 실시함으로써, 웨이퍼의 세정 효율을 더욱 개선시킬 수 있다.
Further, according to the cleaning method performed in each treatment tank of the present invention, the cleaning efficiency of the wafer can be further improved by performing cleaning with a cleaning liquid and ultrasonic cleaning in one treatment tank.

도 1은 본발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치 중, 제1 처리조와 제2 처리조에 구비된 웨이퍼 지지대를 나타낸 도면이다.
도 3은 본발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치 중, 제1 처리조와 제2 처리조에 구비된 웨이퍼 지지대의 세정 방법을 나타낸 도면이다. 1 is a cross-sectional view of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a wafer support table provided in the first treatment tank and the second treatment tank, among the wafer cleaning apparatuses according to the embodiment of the present invention.
3 is a view showing a cleaning method of the wafer support table provided in the first and second treatment tanks of the wafer cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

도 1은 본발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본발명의 웨이퍼 세정 장치는, 각각의 처리조로 분사 용액을 공급하는 메인 공급부(10)와, 웨이퍼에 대한 1차 세정공정을 수행하는 제1 처리조(100), 상기 메인공급부로부터 초순수를 공급받아, 웨이퍼에 대한 2차 세정공정을 수행하는 제2 처리조(200), 상기 메인공급부(10)로부터 초순수를 공급받아, 웨이퍼의 본딩면을 제거하기 위한 3차 세정 공정을 수행하는 제 3처리조(300)를 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 1, the wafer cleaning apparatus of the present invention includes a main supply unit 10 for supplying a spray solution to each treatment tank, a first treatment tank 100 for performing a first cleaning process on the wafer, A second treatment tank 200 that receives ultrapure water from a supply unit and performs a secondary cleaning process on the wafer, a third cleaning process that receives ultrapure water from the main supply unit 10 and removes the bonding surface of the wafer And a third treatment tank 300 for performing the treatment.

그리고, 상기 제1 처리조(100) 및 제2 처리조(200)에는 상기 메인 공급부(10)로부터 제공되는 분사 용액을 웨이퍼 측으로 분사하는 분사노즐(110, 210) 및 초음파 세정 공정을 위한 초음파 진동자(120, 220)가 각각의 처리조 측벽에 구비되며, 웨이퍼를 이격 및 지지하기 위한 웨이퍼 지지대(130, 230)가 웨이퍼 하부에 마련된다. 그리고, 제1 처리조 및 제2 처리조 내부의 웨이퍼를 고정하는 지지부에는 분사되는 세정액의 혼합을 위해 상하로 10㎝ 간격으로 움직이는 교반기가 더 마련된다. The first treatment tank 100 and the second treatment tank 200 are provided with injection nozzles 110 and 210 for spraying the injection solution supplied from the main supply unit 10 to the wafer side and an ultrasonic vibrator (120, 220) are provided on each treatment tank side wall, and wafer supports 130, 230 for separating and supporting the wafer are provided under the wafer. Further, a stirrer for moving the wafer at an interval of 10 cm up and down is further provided on the support for fixing the wafer in the first treatment tank and the second treatment tank to mix the cleaning solution to be sprayed.

그리고, 제3 처리조(300)에는 웨이퍼를 반전시키기 위한 로테이터(320)가 구비되며, 상부에는 공급되는 초순수를 가열하기 위한 히터부(50)가 구비된다. The third treatment tank 300 is provided with a rotator 320 for reversing the wafer, and a heater unit 50 for heating ultrapure water to be supplied is provided in the upper portion.

상세히, 각 처리조의 구성 및 웨이퍼를 세정하는 방법에 대하여 개시한다. In detail, the structure of each processing tank and the method of cleaning the wafer will be described.

제1 처리조(100) 내부에는 웨이퍼면을 기준으로 30도, 60도, 120도 및 150도에 해당하는 위치에서 세정액을 분사하기 위한 분사노즐(110)이 마련된다. 그리고, 계면활성제의 양을 측정 및 저장하는 계면활성제 저장탱크(30), 메인 공급부(10)로부터 제공되는 초순수와 상기 계면활성제 저장탱크(30)로부터 제공되는 계면 활성제를 선택적으로 혼합하는 믹싱부(20)를 구비하며, 상기 계면활성제 저장탱크(30)와 믹싱부(20) 사이에는 조절밸브(40)가 마련되어, 계면활성제를 세정액에 믹싱할 수 있다. 그리고, 제1 처리조(100) 하부에는 상기 제1 처리조(100)에서 사용된 세정액의 배출을 제어하는 제1 드레인 밸브(140)가 구비된다. In the first treatment tank 100, an injection nozzle 110 for spraying a cleaning liquid at a position corresponding to 30 degrees, 60 degrees, 120 degrees, and 150 degrees with respect to the wafer surface is provided. A surfactant storage tank 30 for measuring and storing the amount of the surfactant, a mixing unit for selectively mixing the ultra pure water provided from the main supply unit 10 and the surfactant provided from the surfactant storage tank 30 And a control valve 40 is provided between the surfactant storage tank 30 and the mixing unit 20 so that the surfactant can be mixed into the cleaning liquid. A first drain valve 140 is provided under the first treatment tank 100 to control the discharge of the cleaning liquid used in the first treatment tank 100.

이어서, 제1 처리조(100)에서 수행되는 웨이퍼 세정 공정에 대해 살펴본다. Next, the wafer cleaning process performed in the first treatment tank 100 will be described.

우선, 드레인(140) 밸브가 오픈된 상태로 각 분사노즐(110)에서 계면활성제가 3~5% 믹싱된 세정액을 분사하여 1차 세정을 실시한다. 그리고, 제1 드레인 밸브(140)가 닫힌 상태로 각 분사노즐(110)에서 세정액을 분사하여 2차 세정을 실시하며, 이때 제1 처리조(100) 내부에 세정액이 채워지게 된다. 이어서, 2차 세정에 쓰인 세정액으로 초음파 세정 공정을 실시한다. 그리고, 드레인(140) 밸브를 오픈하여 세정액을 배출시키고, 각 노즐(110)에서 세정액을 분사하여 3차 세정을 실시한다. First, in the state in which the drain 140 valve is opened, the cleaning liquid mixed with the surfactant in a mixing ratio of 3 to 5% is sprayed from each injection nozzle 110 to perform the primary cleaning. Then, the first drain valve 140 is closed and the cleaning liquid is injected from each injection nozzle 110 to perform secondary cleaning. At this time, the cleaning liquid is filled in the first treatment tank 100. Subsequently, an ultrasonic cleaning process is performed with the cleaning liquid used for the secondary cleaning. Then, the drain 140 valve is opened to discharge the cleaning liquid, and the cleaning liquid is sprayed from each nozzle 110 to perform tertiary cleaning.

상기와 같이 본발명은 제1 처리조(100)에서 세정액에 의한 세정 공정과 초음파 공정을 실시할 수 있으며, 2차 세정에 쓰인 세정액을 초음파 세정에 재활용함으로써 웨이퍼 세정 공정에 드는 원부자재를 절감할 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, it is possible to perform a cleaning process using a cleaning liquid and an ultrasonic process in the first treatment tank 100, and recycle the cleaning liquid used for the secondary cleaning to ultrasonic cleaning, thereby reducing the raw materials to be used in the wafer cleaning process There is an effect that can be.

제2 처리조(200) 내부에는 웨이퍼면을 기준으로 30도, 60도, 120도 및 150도에 해당하는 위치에서 세정액을 분사하기 위한 분사노즐(210)이 마련된다. 메인 공급부(10)로부터 제공되는 초순수가 상기 분사노즐(210)에 의해 분사된다. 그리고, 제2 처리조(200) 하부에는 상기 제2 처리조(100)에서 사용된 세정액의 배출을 제어하는 제2 드레인 밸브(240)가 구비된다. 상기 제2 드레인 밸브(240)와 연결되는 드레인 라인에는 배출된 세정액을 저장하기 위한 제1 버퍼탱크(260) 및 상기 제1 버퍼탱크(260)에 저장된 세정액을 제2 처리조(200)로 재공급하기 위한 제1 펌프(250)가 구비된다. Inside the second treatment tank 200, an injection nozzle 210 for spraying the cleaning liquid at a position corresponding to 30 degrees, 60 degrees, 120 degrees, and 150 degrees with respect to the wafer surface is provided. Ultrapure water supplied from the main supply part 10 is injected by the injection nozzle 210. A second drain valve 240 is provided under the second treatment tank 200 to control the discharge of the cleaning solution used in the second treatment tank 100. A drain line connected to the second drain valve 240 is connected to the first buffer tank 260 for storing the discharged cleaning liquid and the cleaning liquid stored in the first buffer tank 260 to the second processing tank 200 A first pump 250 for supplying the first pump 250 is provided.

제2 처리조(200)에서 수행되는 웨이퍼 세정 공정은, 우선 제2 드레인 밸브(240)가 오픈된 상태로 각 노즐(210)에서 초순수를 분사하여 1차 세정을 실시한다. 그리고, 제2 드레인 밸브(240)가 닫힌 상태로 각 분사노즐(210)에서 초순수를 분사하여 웨이퍼에 대한 제2 세정을 실시한다. 이 때, 제2 처리조(200) 내부에 세정에 쓰인 초순수가 채워진다. 이어서, 상기 초순수가 채워진 상태로 초음파 세정을 실시하며, 다시 드레인 밸브(240)을 오픈하여 초순수를 배출시키고, 상기 배출된 초순수를 제1 버퍼탱크(260)에 저장한다. 이어서, 제1 버퍼탱크(260)에 저장된 초순수를 제1 펌프(250)를 이용하여 제2 처리조로 재공급하며, 재공급된 초순수를 다시 각 분사노즐(210)에서 분사하여 3차 세정을 실시한다.  In the wafer cleaning process performed in the second treatment tank 200, first, ultra-pure water is sprayed from each nozzle 210 in a state where the second drain valve 240 is open, thereby performing primary cleaning. Then, the second drain valve 240 is closed and the ultra-pure water is sprayed from each injection nozzle 210 to perform the second cleaning on the wafer. At this time, the inside of the second treatment tank 200 is filled with the ultra pure water used for cleaning. Subsequently, ultrasonic cleaning is performed in a state where the ultrapure water is filled, the drain valve 240 is opened again to discharge ultrapure water, and the discharged ultrapure water is stored in the first buffer tank 260. Next, the ultrapure water stored in the first buffer tank 260 is supplied again to the second treatment tank by using the first pump 250, and the re-supplied ultrapure water is again injected from the respective injection nozzles 210 to perform tertiary cleaning do.

제2 처리조(200)에서 수행되는 공정 역시 마찬가지로, 제2 처리조(200)에서 세정 공정과 초음파 공정을 실시할 수 있으며, 2차 세정에 쓰인 초순수를 초음파 세정에 재활용하는 것이 가능하다. 또한, 초음파 세정에 쓰인 세정액(초순수) 역시 제1 버퍼탱크(260)에 저장되었다가 재사용할 수 있어 웨이퍼 세정공정에 사용되는 원부자재를 절감할 수 있다. Similarly to the process performed in the second treatment tank 200, the cleaning process and the ultrasonic process can be performed in the second treatment tank 200, and it is possible to recycle ultra pure water used in the second cleaning process for ultrasonic cleaning. Also, the cleaning liquid (ultrapure water) used for ultrasonic cleaning can be stored in the first buffer tank 260 and reused, thereby reducing the raw materials used in the wafer cleaning process.

제3 처리조(300) 내부에는 웨이퍼 상부에서 세정액을 미세분사하기 위한 분사노즐(310)이 마련된다. 메인 공급부(10)로부터 제공되는 초순수를 가열하기 위한 히터부(50)가 마련되며, 상기 히터부(50)에 의해 가열된 초순수를 저장하는 초순수 저장탱크(60)를 구비한다. 제3 처리조(300) 하부에는 상기 제3 처리조(300)에서 사용된 세정액의 배출을 제어하는 제3 드레인 밸브(340)가 구비된다. 상기 제3 드레인 밸브(340)와 연결되는 드레인 라인에는 배출된 세정액을 저장하기 위한 제2 버퍼탱크(360) 및 상기 제2 버퍼탱크(360)에 저장된 세정액을 제3 처리조(300)로 재공급하기 위한 제2 펌프(350)가 구비된다. Inside the third treatment tank 300, a spray nozzle 310 for finely spraying a cleaning liquid from above the wafer is provided. There is provided a heater unit 50 for heating ultrapure water provided from the main supply unit 10 and an ultrapure water storage tank 60 for storing ultrapure water heated by the heater unit 50. A third drain valve (340) for controlling the discharge of the cleaning liquid used in the third treatment tank (300) is provided under the third treatment tank (300). The drain line connected to the third drain valve 340 is connected to the second buffer tank 360 for storing the discharged cleaning liquid and the cleaning liquid stored in the second buffer tank 360 to the third processing tank 300 A second pump 350 for supplying the second pump 350 is provided.

제3 처리조(300)에서 수행되는 웨이퍼 세정 공정은, 웨이퍼를 상기 제3 처리조(300)에 투입한 후, 측면에 구비된 로테이터(320)를 이용하여 180도 회전시켜, 웨이퍼가 상부의 플레이트와 부착되어 있는 부착면만을 초순수에 디핑(dipping)한다.이 때, 웨이퍼가 초순수에 디핑되지 않는 부분이 건조되는 것을 방지하고자, 제3 처리조(300) 상부에서 미스트 노즐(310)을 이용하여 초순수를 웨이퍼에 분사한다. 제3 처리조(300)의 공정은 웨이퍼의 본딩면을 제거하는 공정이기에 미온으로 가열된 초순수를 이용하는 것이 바람직하다. In the wafer cleaning process performed in the third treatment tank 300, after the wafer is put into the third treatment tank 300, the wafer is rotated 180 degrees by using the rotator 320 provided on the side surface, The mist nozzle 310 is used at the upper part of the third treatment tank 300 to prevent the wafer from being dipped in the ultrapure water to dry it, So that ultrapure water is sprayed onto the wafer. Since the process of the third treatment tank 300 is a process of removing the bonding surface of the wafer, it is preferable to use ultrapure water heated to a low temperature.

그리고, 제3 드레인 밸브(340)을 개방하여 세정에 사용된 초순수를 배출하여 제2 버퍼탱크(360)에 저장한다. 상기 제2 버퍼탱크(360)에 저장된 초순수를 제2 펌프(350)를 이용하여 제3 처리조(300)로 재공급하여, 재공급된 초순수를 분사노즐(310)을 통해 미세분사하는 세정 공정을 실시할 수 있다. Then, the third drain valve 340 is opened to discharge the ultra pure water used for cleaning, and the ultrapure water is stored in the second buffer tank 360. A cleaning process for re-supplying ultrapure water stored in the second buffer tank 360 to the third treatment tank 300 using the second pump 350 and finely injecting the re-supplied ultrapure water through the injection nozzle 310 Can be performed.

도 2는 본발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치 중, 제1 처리조와 제2 처리조에 구비된 웨이퍼 지지대를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a wafer support table provided in the first treatment tank and the second treatment tank, among the wafer cleaning apparatuses according to the embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 웨이퍼(w)를 측면에서 바라본 도면이며, 웨이퍼 지지대(130)간의 공간에 상기 웨이퍼가 한장씩 이격됨으로 인해, 상기 웨이퍼 간의 흡착 현상이 일어나지 않게 된다. 또한, 상기 웨이퍼 지지대(130)의 상단면에는 일자로 형성된 분사 노즐(135)이 구비된다. Referring to FIG. 2, the wafer w is viewed from the side, and the wafer is spaced apart by one wafer in the space between the wafer supports 130, so that the attraction between the wafers does not occur. In addition, a spray nozzle 135 formed in a straight line is provided on the upper surface of the wafer support table 130.

도 3은 본발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치 중, 제1 처리조(100)와 제2 처리조(200)에 구비된 웨이퍼 지지대의 세정방법을 나타낸 도면이다. 3 is a view showing a cleaning method of the wafer support table provided in the first treatment tank 100 and the second treatment tank 200 among the wafer cleaning apparatuses according to the embodiment of the present invention.

웨이퍼 지지대(130)는 180도씩 좌우로 회전을 실시하게 된다. 상기 회전에 의해서, 웨이퍼(130) 지지대 상단면에 형성된 분사 노즐(135)은 일정한 방향으로 세정액을 분사하는 구조이기 때문에 웨이퍼에 대해 좌측 및 우측으로 이동하며 상기 웨이퍼를 세정한다. The wafer support table 130 is rotated 180 degrees leftward and rightward. By the rotation, the injection nozzle 135 formed on the upper surface of the supporter of the wafer 130 moves to the left and right sides of the wafer and cleans the wafer because the structure ejects the cleaning liquid in a certain direction.

따라서, 본발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치의 각 세정조에 구비된 분사 노즐을 통해, 웨이퍼의 전면에 세정액을 침투시켜 웨이퍼의 세정 효율을 극대화할 수 있다. Therefore, it is possible to maximize the cleaning efficiency of the wafer by penetrating the entire surface of the wafer through the injection nozzle provided in each cleaning tank of the wafer cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention.

그리고, 제1 및 제2 처리조에서 사용된 세정액을 초음파 세정공정에 사용할 수 있으며, 제2 및 제3 처리조에 구비된 제1 및 제2 버퍼탱크는 세정에 사용된 세정액을 저장 및 각 처리조에 재공급함으로써, 웨이퍼 세정장치에 구비되는 원부자재를 절감할 수 있는 효과가 있다. The cleaning liquid used in the first and second treatment tanks can be used in the ultrasonic cleaning process, and the first and second buffer tanks provided in the second and third treatment tanks can store the cleaning liquid used for cleaning, The raw material to be provided in the wafer cleaning apparatus can be saved.

이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications other than those described above are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments of the present invention can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (13)

웨이퍼에 대한 세정을 실시하는 웨이퍼 세정 방법으로서,
제1 처리조에 계면활성제가 혼합된 세정액을 공급하여 상기 웨이퍼를 향하는 분사노즐을 통해 제1 세정공정을 실시하는 단계;
제2 처리조에 초순수를 공급하여 상기 웨이퍼를 향하는 분사노즐을 통해 제2 세정공정을 실시하는 단계; 및
제3 처리조에 가열된 초순수를 공급하여, 웨이퍼의 본딩면을 제거하기 위한 제3 세정공정을 실시하는 단계;
를 포함하고,
상기 제1 세정공정을 실시하는 단계는,
상기 제1 처리조 하부에 구비된 드레인 밸브를 개방하여 웨이퍼에 대한 1차 세정을 실시하는 단계,
상기 드레인 밸브를 폐쇄하여 2차 세정을 실시하는 단계,
상기 2차 세정에 사용된 세정액으로 초음파 세정을 실시하는 단계 및
상기 드레인 밸브를 개방하여, 세정액을 배출시키면서 3차 세정을 실시하는 단계를 포함하는 웨이퍼 세정 방법. 1. A wafer cleaning method for cleaning a wafer, comprising:
Supplying a cleaning liquid mixed with a surfactant to the first treatment tank and performing a first cleaning process through an injection nozzle directed to the wafer;
Supplying ultrapure water to a second treatment tank and performing a second cleaning process through an injection nozzle directed to the wafer; And
Supplying a heated ultrapure water to the third treatment tank to perform a third cleaning step for removing the bonding surface of the wafer;
Lt; / RTI >
The step of performing the first cleaning step may include:
Opening the drain valve provided under the first treatment tank to perform primary cleaning on the wafer,
Closing the drain valve to perform secondary cleaning,
Performing ultrasonic cleaning with the cleaning liquid used for the secondary cleaning; and
And opening the drain valve to perform a third cleaning while discharging the cleaning liquid. 제 1항에 있어서,
상기 제2 세정공정을 실시하는 단계는,
상기 제2 처리조 하부에 구비된 드레인 밸브를 개방하여 웨이퍼에 대한 1차 세정을 실시하는 단계,
상기 드레인 밸브를 폐쇄하여 2차 세정을 실시하는 단계,
상기 2차 세정에 사용된 세정액으로 초음파 세정을 실시하는 단계,
상기 드레인 밸브를 개방하여 세정액을 배출시키고, 배출된 세정액을 제1 버퍼 탱크에 저장하는 단계 및
상기 제1 버퍼탱크에 저장된 세정액을 제1 펌프를 이용하여 제2 처리조로 재공급하여 분사노즐을 통해 분사하면서 3차 세정을 실시하는 단계를 포함하는 웨이퍼 세정 방법. The method according to claim 1,
The step of performing the second cleaning step may include:
Opening a drain valve provided under the second treatment tank to perform a primary cleaning on the wafer,
Closing the drain valve to perform secondary cleaning,
Performing ultrasonic cleaning with the cleaning liquid used for the secondary cleaning,
Opening the drain valve to discharge the cleaning liquid, storing the discharged cleaning liquid in the first buffer tank, and
Supplying the cleaning liquid stored in the first buffer tank to the second treatment tank by using a first pump, and performing third cleaning while spraying the cleaning liquid through the injection nozzle. 제 1항에 있어서,
상기 제3 세정을 실시하는 단계는,
상기 웨이퍼를 180도로 회전하여 본딩면을 초순수에 디핑시키는 단계,
상기 웨이퍼의 디핑되지 않은 부분에 대해 초순수를 미세분사하는 단계,
상기 드레인 밸브를 개방하여 세정에 사용된 초순수를 배출하여 제2 버퍼탱크에 저장하는 단계 및
상기 제2 버퍼탱크에 저장된 초순수를 제2 펌프를 이용하여 제3 처리조로 재공급하여 분사노즐을 통해 미세분사하는 단계를 포함하는 웨이퍼 세정 방법.The method according to claim 1,
The step of performing the third cleaning may include:
Rotating the wafer by 180 degrees to dipping the bonding surface into ultrapure water,
Micro-injection of ultra-pure water to a non-dipping portion of the wafer,
Opening the drain valve to discharge ultrapure water used for cleaning and storing it in a second buffer tank, and
Supplying ultrapure water stored in the second buffer tank to the third treatment tank by using a second pump and finely injecting the ultrapure water through the injection nozzle. 제 1항에 있어서,
상기 각 처리조의 하부에는 제1 드레인 밸브, 제2 드레인 밸브 및 제3 드레인 밸브가 구비되고, 상기 각각의 드레인 밸브와 연결되는 드레인 라인을 더 포함하며 상기 드레인 라인을 통해 세정액의 배출이 이루어지는 웨이퍼 세정 방법. The method according to claim 1,
Wherein each of the treatment tanks is provided with a first drain valve, a second drain valve, and a third drain valve, further comprising a drain line connected to each of the drain valves, wherein the drain cleaning liquid is discharged through the drain line Way. 제 1항에 있어서,
상기 제3 처리조 상부에는 히터부가 마련되며, 상기 히터부는 상기 제3 처리조 내로 공급되는 세정액을 소정의 온도로 가열시키는 웨이퍼 세정 방법. The method according to claim 1,
A heater unit is provided on the third treatment tank, and the heater unit heats the cleaning liquid supplied into the third treatment tank to a predetermined temperature. 제 1항에 있어서,
상기 제3 처리조에는 로테이터가 마련되며, 상기 웨이퍼의 상하측을 반전시켜 상기 웨이퍼가 플레이트와 접합된 부분을 세정액 내부로 침지시키는 웨이퍼 세정 방법. The method according to claim 1,
Wherein the third treatment vessel is provided with a rotator and the upper and lower sides of the wafer are reversed to immerse the portion where the wafer is bonded to the plate into the cleaning liquid. 제 1항에 있어서,
상기 제1 처리조 및 제2 처리조에 구비된 상기 분사 노즐은 상기 웨이퍼의 면을 기준으로 30도, 60도, 120도 및 150도의 위치에 배치되는 웨이퍼 세정 방법. The method according to claim 1,
Wherein the spray nozzles provided in the first treatment tank and the second treatment tank are disposed at positions of 30 degrees, 60 degrees, 120 degrees, and 150 degrees with respect to the surface of the wafer. 제 1항에 있어서,
상기 제1 처리조 및 제2 처리조 측벽에는 상기 웨이퍼에 대해 초음파 세정을 수행하기 위한 진동자가 구비되는 웨이퍼 세정 방법. The method according to claim 1,
Wherein the first processing vessel and the second processing vessel side wall are provided with vibrators for performing ultrasonic cleaning on the wafer. 제 1항에 있어서,
상기 제1 처리조 및 제2 처리조 내부에서 상기 웨이퍼를 고정하는 지지부에는 세정액의 혼합을 위해 상하로 움직이는 교반기가 구비되는 웨이퍼 세정 방법. The method according to claim 1,
Wherein the support for fixing the wafer in the first treatment tank and the second treatment tank is provided with a stirrer moving up and down for mixing the cleaning solution. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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