KR20080011905A - Wet cleaning apparatus and method - Google Patents
Wet cleaning apparatus and method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080011905A KR20080011905A KR1020060072636A KR20060072636A KR20080011905A KR 20080011905 A KR20080011905 A KR 20080011905A KR 1020060072636 A KR1020060072636 A KR 1020060072636A KR 20060072636 A KR20060072636 A KR 20060072636A KR 20080011905 A KR20080011905 A KR 20080011905A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- cleaning
- treatment tank
- treatment
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 습식 세정 장치의 구성도이다.1 is a block diagram of a wet cleaning apparatus according to the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 습식 세정 장치의 공정 과정을 보여주는 순서도이다.FIG. 2 is a flowchart illustrating a process of the wet cleaning apparatus shown in FIG. 1.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 습식 세정 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.3A to 3D are views for explaining a process of the wet cleaning apparatus according to the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 보호 설명** Protection statement for the main part of the drawing *
100 : 습식 세정 장치100: wet cleaning device
110 : 처리조110: treatment tank
120 : 처리액 공급부재120: treatment liquid supply member
130 : 순환 부재130: circulation member
본 발명은 습식 세정 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수의 처리액들을 혼합하여 세정액을 생성한 후 생성된 세정액에 반도체 기판을 침지시켜 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wet cleaning apparatus and a method, and more particularly, to a device and method for cleaning a semiconductor substrate by immersing the semiconductor substrate in the generated cleaning liquid after mixing a plurality of processing liquids to produce a cleaning liquid.
일반적으로 반도체 제조 공정에서는 웨이퍼 상의 미립자 금속 불순물, 유기 오염물, 표면 피막 등의 다양한 이물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다. 이 중 습식 세정 장치는 웨이퍼를 세정액이 수용된 처리조(Bath)에 침지시켜 웨이퍼를 세정한다.In general, in the semiconductor manufacturing process, a cleaning process for removing various foreign matters such as particulate metal impurities, organic contaminants, and surface coating on the wafer is performed. Among these, the wet cleaning apparatus cleans the wafer by dipping the wafer into a bath containing a cleaning liquid.
일반적인 습식 세정 장치는 처리조, 처리액 공급부재, 그리고 순환 부재를 가진다. 처리조는 세정액이 채워지는 공간을 가진다. 또한, 처리조는 공정시 반도체 기판이 침지되어 세정 공정이 수행되는 공간을 가진다. 처리액 공급부재는 상기 처리조로 복수의 처리액들을 공급한다. 여기서, 처리액들은 기판을 세정하기 위한 세정액을 생성하기 위한 액체들이다. 예컨대, 반도체 기판에 잔류하는 유기 오염물질을 제거를 위해 일반적으로 사용하는 세정액인 에스피엠(SPM:Sulfuric Peroxide Mixture, 또는 Piranha)을 사용하여 기판을 세정하는 경우에는, 상기 처리액 공급부재는 상기 처리조로 황산(H2SO4) 및 과산화수소(H2O2), 그리고 초순수 각각을 기설정된 혼합 비율만큼 처리조로 공급한다. 순환 부재는 상기 처리조로 공급된 처리액들을 순환시켜 혼합시킨다. 순환 부재는 펌프 및 농도계 등이 설치되는 순환 라인을 가지며, 순환 라인은 처리조 내 처리액들을 순환시켜 상술한 처리액들을 혼합시킨다.A general wet cleaning apparatus has a treatment tank, a treatment liquid supply member, and a circulation member. The treatment tank has a space in which the cleaning liquid is filled. In addition, the treatment tank has a space in which the semiconductor substrate is immersed in the process to perform the cleaning process. The treatment liquid supply member supplies a plurality of treatment liquids to the treatment tank. Here, the processing liquids are liquids for generating a cleaning liquid for cleaning the substrate. For example, in the case of cleaning the substrate using SPM (Sulfuric Peroxide Mixture, or Piranha), which is a cleaning solution generally used to remove organic contaminants remaining on the semiconductor substrate, the treatment liquid supply member may include the treatment. Sulfuric acid (H 2 SO 4), hydrogen peroxide (H 2 O 2), and ultrapure water, respectively, are fed to the treatment tank in a predetermined mixing ratio. The circulation member circulates and mixes the treatment liquids supplied to the treatment tank. The circulation member has a circulation line in which a pump, a densitometer, and the like are installed, and the circulation line circulates the treatment liquids in the treatment tank to mix the treatment liquids described above.
상술한 습식 세정 장치는 공정이 진행될수록 처리조 내 세정액은 점차 오염된다. 따라서, 일정 주기 동안 웨이퍼의 세정 공정이 진행되면, 처리조 내 오염된 세정액을 새로운 세정액으로 교체하는 과정이 수행된다. 세정액의 교체는 처리조에 잔류하는 오염된 세정액을 모두 배수하고, 처리액 공급부재가 상기 처리조로 처리 액들을 공급한 후 순환 부재는 처리조 내 처리액들을 순환시켜 세정액을 생성한다. 이때, 생성된 세정액이 기설정된 농도 및 온도 조건을 만족하면, 기판을 상기 처리조에 침지시켜 습식 세정 공정을 재개한다.In the above-described wet cleaning apparatus, as the process proceeds, the cleaning liquid in the treatment tank is gradually contaminated. Therefore, when the wafer cleaning process is performed for a predetermined period, a process of replacing the contaminated cleaning liquid with a new cleaning liquid is performed. The replacement of the cleaning liquid drains all the contaminated cleaning liquid remaining in the treatment tank, and after the treatment liquid supply member supplies the treatment liquids to the treatment tank, the circulation member circulates the treatment liquids in the treatment tank to generate the cleaning liquid. At this time, if the generated cleaning liquid satisfies the predetermined concentration and temperature conditions, the substrate is immersed in the treatment tank to resume the wet cleaning process.
그러나, 상술한 습식 세정 장치는 처리액들의 혼합시 처리액들의 화학 반응으로인한 다량의 버블(bubble)들이 발생된다. 즉, 황산과 과산화수소, 그리고 초순수가 혼합되면, 처리액들의 혼합에 따른 화학 반응으로 인해 발열 현상과 더불어 다량의 버블(bubble)들이 발생된다. 이러한 버블들이 처리조에 다량으로 발생되면, 세정 공정시 처리조에 위치하는 웨이퍼의 위치가 틀어져 웨이퍼에 손상을 줄 수 있으며, 다량의 버블들이 잔류하는 세정액은 웨이퍼를 세정하는 효율이 떨어진다.However, the above-described wet cleaning apparatus generates a large amount of bubbles due to the chemical reaction of the processing liquids when the processing liquids are mixed. That is, when sulfuric acid, hydrogen peroxide, and ultrapure water are mixed, a large amount of bubbles are generated in addition to the exothermic phenomenon due to the chemical reaction of the treatment liquids. If such bubbles are generated in a large amount in the treatment tank, the wafers placed in the treatment tank may be displaced during the cleaning process to damage the wafer, and the cleaning liquid in which a large amount of bubbles remain is inefficient for cleaning the wafer.
또한, 다량의 버블들이 발생되면, 처리조 내 세정액의 수위가 불안정하게 되어, 공정시 처리조 외부로 세정액이 처리조 외부로 비산되어 설비의 작업 환경에 안정성을 저하시킨다.In addition, when a large amount of bubbles are generated, the level of the cleaning liquid in the treatment tank becomes unstable, and the cleaning liquid is scattered to the outside of the treatment tank during the process, thereby degrading stability to the working environment of the facility.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 기판의 세정 효율을 향상시키는 습식 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a wet cleaning apparatus and method for improving the cleaning efficiency of a substrate.
또한, 본 발명은 처리조 내부에서 처리액들의 혼합으로 인해 발생되는 버블들을 감소시키는 습식 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a wet cleaning apparatus and method for reducing bubbles generated due to mixing of processing liquids inside a treatment tank.
또한, 본 발명은 본 발명은 작업 환경의 안정성을 향상시키는 습식 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a wet cleaning apparatus and method for improving the stability of the working environment.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 습식 세정 장치는 내부에 세정액이 채워지는 공간을 가지는, 그리고 공정시 기판이 침지되어 기판의 세정이 이루어지는 공간을 제공하는 처리조, 처리액 공급라인들로부터 처리액들을 공급받아, 공급받은 처리액들을 혼합시켜 세정액을 생성하는 혼합 용기, 그리고 상기 혼합 용기 내 세정액을 상기 처리조로 공급하는 세정액 공급라인을 포함한다.The wet cleaning apparatus according to the present invention for achieving the above object has a space filled with the cleaning liquid therein, and the processing tank, processing liquid supply lines for providing a space in which the substrate is immersed in the process to clean the substrate A mixing vessel receiving the treatment liquids, mixing the supplied treatment liquids to generate a cleaning liquid, and a cleaning liquid supply line for supplying the cleaning liquid in the mixing container to the treatment tank.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 습식 세정 장치는 상기 처리조 내 세정액을 순환시키는 순환 라인 및 상기 순환라인 상에 설치되어, 상기 순환라인을 따라 순환되는 세정액 내 버블들을 제거하는 버블제거부재를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the wet cleaning device further includes a circulation line for circulating the cleaning liquid in the treatment tank and a bubble removing member installed on the circulation line to remove bubbles in the cleaning liquid circulated along the circulation line. Include.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 습식 세정 장치는 상기 순환 라인에 설치되어, 상기 순환 라인 내 세정액이 순환되도록 펌핑하는 가압 부재 및 상기 순환 라인에 설치되어, 상기 가압 부재의 펌핑으로 인한 상기 순환 라인 내 세정액의 공급압력 변화를 일정하게 유지시키는 댐퍼를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the wet cleaning device is installed in the circulation line, the pressure member for pumping the cleaning liquid in the circulation line and the circulation line is installed in the circulation line, the circulation line due to the pumping of the pressure member It further includes a damper for maintaining a constant supply pressure change of the internal cleaning liquid.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 습식 세정 방법은 세정액이 채워지는 처리조에 기판을 침지시켜 기판을 세정하되, 상기 처리조로의 세정액 공급은 복수의 처리액들을 혼합하여 상기 세정액을 생성한 후 일정시간 대기시킨 후에, 생성된 상기 세정액을 상기 처리조로 공급한다.In the wet cleaning method according to the present invention for achieving the above object, the substrate is immersed in a treatment tank filled with a cleaning liquid to clean the substrate, and the cleaning liquid is supplied to the treatment tank by mixing a plurality of treatment liquids to generate the cleaning liquid. After waiting for a predetermined time, the generated washing liquid is supplied to the treatment tank.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 일정시간은 수의 처리액들을 혼합할 때 발생되는 버블들이 허용치 이하로 감소되기까지의 시간이고, 상기 습식 세정 방법은 기 처리조로 공급된 새로운 세정액을 순환시키면서 상기 세정액 내 잔류하는 버블들을 이차적으로 제거한다.According to an embodiment of the present invention, the predetermined time is a time until bubbles generated when mixing a number of treatment liquids are reduced to an allowable value or less, and the wet cleaning method circulates the new cleaning liquid supplied to the pretreatment tank. Secondary bubbles remaining in the cleaning liquid are removed.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 습식 세정 방법은 기판을 세정액이 채워지는 처리조 내 세정액이 기설정된 횟수 이상으로 사용되면, 상기 처리조 내 세정액을 배수하는 단계, 복수의 처리액들을 혼합시켜 새로운 세정액을 생성하고, 생성된 새로운 세정액에 잔류하는 버블들이 감소하도록 일정시간 동안 대기한 후 상기 처리조로 공급하는 단계, 상기 처리조로 공급된 새로운 세정액을 순환시켜, 상기 새로운 세정액 내 잔류하는 버블들을 제거하는 단계, 상기 처리조 내 세정액에 기판을 침지시켜 기판을 제어하는 단계를 포함한다.In the wet cleaning method according to the present invention for achieving the above object, if the cleaning liquid in the processing tank filled with the cleaning liquid is used more than a predetermined number of times, draining the cleaning liquid in the processing tank, mixing a plurality of processing liquids Generating a new cleaning liquid, waiting for a predetermined time to reduce bubbles remaining in the new cleaning liquid, and then supplying the cleaning liquid to the treatment tank, and circulating the new cleaning liquid supplied to the treatment tank to remove bubbles remaining in the new cleaning liquid. Removing the substrate by immersing the substrate in the cleaning liquid in the treatment tank.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 웨이퍼를 세정액에 침지시켜 세정하는 반도체 제조 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 소정의 처리액으로 반도체 집적회로 칩의 제조를 위한 기판(wafer) 및 평판 디스플레이 제조를 위한 유리기판 등을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.In addition, although the embodiment according to the present invention has been described with an example of a semiconductor manufacturing apparatus for cleaning a wafer by immersing it in a cleaning liquid, the present invention provides a substrate and a flat panel display for manufacturing a semiconductor integrated circuit chip with a predetermined processing liquid. It is applicable to all substrate processing apparatuses for processing glass substrates and the like.
(실시예)(Example)
도 1은 본 발명에 따른 습식 세정 장치의 구성도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 습식 세정 장치(100)는 처리조(110), 순환부재(120), 배수부재(130), 처리액 공급부재(140), 혼합부재(150), 그리고 제어부(160)를 포함한다. 처리조(110)는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 여기서, 상기 기판 처리 공정은 기판 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다. 처리조(110)는 내조(112) 및 외조(114)를 가진다. 내조(112)는 내부에 공정시 세정액이 채워지는 공간을 가진다. 상기 공간은 공정시 복수의 기판(W)들이 충분히 침지될 수 있는 용적을 가진다. 외조(114)는 내조(112) 외부에서 내조(112)를 감싸도록 설치된다. 외조(114)는 내부에 세정액이 채워지는 공간을 가진다. 외조(114)는 공정시 내조(112)로부터 넘쳐흐르는 세정액을 수용한다. 외조(114)는 상부가 개방되며, 개방된 상부는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구로 사용된다. 외조(114)의 개방된 상부는 개폐 부재(미도시됨)에 의해 개폐가 이루어질 수 있다.1 is a block diagram of a wet cleaning apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 1, the
순환 부재(120)는 처리조(110) 내 세정액을 순환시킨다. 순환 부재(120)는 순환라인(recycle line)(121), 가압부재(123), 댐퍼(damper)(124), 가열기(125), 필터 부재(127), 그리고 버블제거부재(bubble removing member)(129)를 포함한다. 순환라인(121)은 처리조(110) 내 세정액을 순환시킨다. 순환라인(121)은 외조(114)로부터 내조(112)로, 또는 내조(112) 및 외조(114)로부터 내조(112)로 세정액을 순환시킨다.The
가압 부재(123)는 순환라인(121) 상에 설치된다. 가압 부재(125)는 세정액이 순환라인(121)을 따라 순환되도록 순환라인(121) 내 세정액에 유동압을 제공한다. 가압 부재(123)로는 펌프(pump)가 사용된다. 댐퍼(124)는 순환라인(121) 상에서 가압 부재(123)의 후단에 설치된다. 댐퍼(124)는 공정시 가압 부재(123)의 펌 핑(pumping)에 의한 세정액의 압력 변동을 일정하게 유지시킨다. 따라서, 댐퍼(124)는 순환라인(121)을 따라 순환되는 세정액이 가압 부재(123)를 통과할 때, 가압 부재(123)의 펌핑에 의해 버블들이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The pressing
가열기(125)는 순환라인(121)을 따라 순환되는 세정액을 기설정된 공정 온도로 가열한다. 상기 공정 온도는 대략 90℃ 내지 120℃이다. 가열기(125)로는 적어도 하나의 히터(heater)가 사용된다. 필터부재(127)는 순환라인(121)을 따라 흐르는 세정액 내 잔류하는 파티클(particle)과 같은 오염물질들을 필터링(filtering)한다. 필터부재(127)로는 적어도 하나의 필터(filter)가 사용된다. 그리고, 버블제거부재(129)는 순환라인(121)을 따라 순환되는 세정액 내 잔류하는 버블(bubble)들을 제거한다. 버블제거부재(129)는 순환라인(121) 상에 적어도 하나가 설치된다.The
배수부재(130)는 처리조(110) 내 세정액을 배수(drain)한다. 배수부재(130)는 제1 배수라인(132) 및 제2 배수라인(134)을 가진다. 제1 배수라인(132)은 내조(112) 내 세정액을 배수하고, 제2 배수라인(134)은 외조(114) 내 세정액을 배수한다. 배수부재(130)는 처리조(110) 내 세정액을 새로운 세정액으로 교환할 때, 기존의 처리조(110) 내 사용되던 세정액을 배수하기 위해 제공된다.The
처리액 공급부재(140)는 제1 약액 공급부재(142), 제2 약액 공급부재(144), 그리고 초순수 공급부재(146)를 포함한다. 제1 약액 공급부재(142)는 제1 약액 공급원(142a) 및 제1 약액 공급라인(142b)을 가진다. 제1 약액 공급원(142a)은 제1 약액을 수용하고, 제1 약액 공급라인(142b)은 제1 약액 공급원(142a)으로부터 혼합부재(150)로 제1 약액을 공급한다. 제2 약액 공급부재(144)는 제2 약액 공급 원(144a) 및 제2 약액 공급라인(144b)을 가진다. 제2 약액 공급원(144a)은 제2 약액을 수용하고, 제2 약액 공급라인(144b)은 제2 약액 공급원(144a)으로부터 혼합부재(150)로 제2 약액을 공급한다. 그리고, 초순수 공급부재(146)는 초순수 공급원(146a) 및 초순수 공급라인(146b)을 가진다. 초순수 공급원(146a)은 초순수(DIW:Deionized Water)를 수용하고, 초순수 공급라인(146b)은 초순수 공급원(146a)으로부터 혼합부재(150)로 초순수를 공급한다.The treatment
여기서, 제1 약액 공급부재(142), 제2 약액 공급부재(144), 그리고 초순수 공급부재(146) 각각은 공정시 기설정된 농도를 가지는 세정액의 제조를 위한 제 1 약액, 제 2 약액, 그리고 초순수의 혼합 비율만큼 제 1 및 제 2 약액, 그리고 초순수를 혼합부재(150)로 공급한다. 예컨대, 세정액으로 에스피엠(SPM:Sulfuric Peroxide Mixture, 또는 Piranha) 용액을 제조하는 경우에는 제1 약액은 황산(H2SO4) 용액이고, 제2 약액은 과산화수소(H2O2)가 사용된다. 이때, 에스피엠은 보통 황산 용액과 과산화수소 용액의 혼합 비율이 4:1이다. 따라서, 공정시 제1약액 공급부재(142) 및 제2약액 공급부재(144) 각각은 제1 약액 및 제2 약액을 4:1의 공급비율로 공급한다. 그리고 초순수 공급부재(146)는 초순수를 공정상 요구되는 에스피엠 용액의 농도에 따라 공급량이 조절된다.Here, each of the first chemical
혼합부재(150)는 처리액 공급부재(140)로부터 제1 약액 및 제2 약액, 그리고 초순수를 공급받아 혼합시킨다. 혼합부재(150)는 혼합용기(152) 및 세정액 공급라인(154)을 포함한다. 혼합용기(152)는 내부에 제1 약액 및 제2 약액, 그리고 초순수를 일차적으로 혼합하여 세정액을 생성하는 공간을 가진다. 즉, 혼합용기(152)는 처리액 공급부재(140)로부터 기설정된 공급량만큼 제1 및 제2 약액, 그리고 초순수를 공급받아 이를 혼합시킨다. 혼합용기(152)로 공급된 처리액들은 서로 혼합되어 세정액으로 생성된 후 대기한다. 이때, 혼합용기(152)에는 처리액들의 화학반응으로인한 다량의 버블(bubble)들이 발생될 수 있다. 혼합용기(152)는 세정액이 생성된 후 일정시간 동안 대기하여 버블(bubble)들이 감소되도록 한다.The mixing
여기서, 혼합용기(152)에는 혼합용기(152) 내 처리액들을 강제로 혼합시키는 수단이 부가될 수 있다. 예컨대, 혼합용기(152)에는 순환배관(미도시됨) 및 상기 순환배관에 설치되는 펌프(미도시됨)을 구비하여, 혼합용기(152) 내 처리액ㄷ르을 순환배관을 따라 순환시키면서 처리액들을 혼합시킬 수 있다. 또는, 혼합용기(152)에는 교반기(agitator)가 제공되어 혼합용기(152) 내 처리액들을 혼합시킬 수 있다. 혼합용기(152)가 공급받은 처리액들을 혼합하는 수단은 다양한 방식이 적용될 수 있으며, 상술한 혼합 수단으로 한정되는 것은 아니다.Here, means for forcibly mixing the processing liquids in the mixing
세정액 공급라인(154)은 혼합용기(152)로부터 처리조(110)로 세정액을 공급한다. 세정액 공급라인(154)은 혼합용기(152) 내부에서 생성된 세정액을 처리조(110)의 내조(112)로 공급한다. 또는, 세정액 공급라인(154)은 혼합용기(152)로부터 외조(114)로 세정액을 공급하거나, 내조(112) 및 외조(114)에 동시에 세정액을 공급할 수도 있다.The cleaning
제어부(160)는 습식 세정 장치(100)를 제어한다. 즉, 제어부(160)는 밸브(V1, V2)의 개폐하고 가압부재(123)의 구동시켜, 처리조(110) 세정액을 순환시킨다. 제어부(160)는 밸브(V3, V4)의 개폐를 제어하여 처리조(110) 내 세정액의 배수 를 제어한다. 제어부(160)는 밸브(V5, V6, V7)의 개폐를 제어하여, 혼합부재(150)의 제1 및 제2 약액, 그리고 초순수의 공급을 제어한다. 그리고, 제어부(160)는 밸브(V8)의 개폐를 제어하여, 혼합부재(150)로부터 처리조(110)로 세정액의 공급을 제어한다. 또한, 제어부(160)는 공정시 기판(W)의 이송 및 반송을 제어한다.The
이하, 상술한 구성을 가지는 습식 세정 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the process of the
도 2는 도 1에 도시된 습식 세정 장치의 공정 과정을 보여주는 순서도이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 습식 세정 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.2 is a flowchart illustrating a process of the wet cleaning apparatus illustrated in FIG. 1, and FIGS. 3A to 3D are diagrams for describing a process of the wet cleaning apparatus according to the present invention.
도 2를 참조하면, 습식 세정 장치(100)의 공정이 개시되면, 혼합부재(150)는 처리액 공급부재(140)로부터 제1 약액 및 제2 약액, 그리고 초순수를 공급받아 혼합시킨 후 처리조(110)에 공급한다. 처리조(110)에 기설정된 수위만큼 세정액이 공급되면, 순환부재(120)는 처리조(110) 내 세정액을 순환시켜 처리조(110) 내 세정액을 기설정된 공정 조건을 만족하도록 한다. 그리고, 처리조(110) 내 세정액이 공정 조건을 만족하면 습식 세정 장치(100)는 기판(W)을 처리조(110)에 침지시켜 기판 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정을 수행한다(S110).Referring to FIG. 2, when the process of the
상술한 기판 처리 공정을 반복적으로 수행되면, 처리조(110) 내 세정액은 점차오염되므로, 처리조(110) 내 세정액을 교체해야한다. 즉, 제어부(160)는 기판 처리 공정시 상술한 기판 처리 공정이 기설정된 횟수 이상으로 진행되었는지를 판단 한다(120). 본 실시예에서는 제어부(160)가 기판 처리 공정이 기설정된 횟수 이상으로When the above-described substrate treatment process is repeatedly performed, the cleaning liquid in the
만약, 기판 처리 공정이 기설정된 횟수 이상으로 진행되면, 습식 세정 장치(100)는 처리조(110) 내 세정액을 교체하는 공정을 수행한다(S130). 처리조(110) 내 세정액을 교체하는 과정은 다음과 같다.If the substrate treatment process proceeds more than a predetermined number of times, the
공정이 기설정된 시간 이상으로 진행되면, 기판의 세정 공정이 중지되고, 처리조(110) 내 세정액은 배수된다(S132). 즉, 도 3a를 참조하면, 제어부(160)는 밸브(V3, V4)를 오픈시키고, 배수부재(130)의 제1 및 제2 배수라인(132, 134)은 처리조(110) 내 사용된 세정액을 처리조(110) 외부로 모두 배수한다(S132). If the process proceeds for more than a predetermined time, the cleaning process of the substrate is stopped, and the cleaning liquid in the
처리조(110) 내 세정액이 배수되는 과정에서, 혼합 부재(150)는 처리액 공급부재(140)로부터 공급받은 처리액들을 혼합시켜 세정액을 생성한 후, 생성된 세정액을 처리조(110)로 공급한다(S134). 즉, 제어부(160)는 밸브(V5, V6, V7)를 오픈시키고, 제1 약액 공급라인(142), 제2 약액 공급라인(144), 그리고 초순수 공급라인(146) 각각은 혼합 용기(152)로 제1 약액, 제2 약액, 그리고 초순수를 기설정된 공급량만큼 공급한다. 혼합 용기(152)로 공급된 제1 약액, 제2 약액, 그리고 초순수는 일차적으로 혼합되어 세정액을 생성한다. 여기서, 처리액들의 혼합으로 인해 혼합 용기(152)에는 다량의 버블(bubble)들이 발생된다. 혼합 용기(152)는 발생된 버블들이 감소되도록 일정 시간 동안 혼합액을 대기한다. 상기 일정시간은 처리액들의 혼합으로 인해 발생되는 버블들이 허용치 이하로 감소되기까지의 시간이다. 따라서, 혼합 부재(150)는 처리액들의 혼합시 발생되는 버블들을 감소시킨 후 처리 조(110)에 공급한다.In the process of draining the cleaning liquid in the
이때, 처리조(110) 내 세정액이 모두 배수되면, 혼합부재(150)는 처리조(110)로 세정액을 공급한다. 즉, 도 3b를 참조하면, 제어부(160)는 밸브(V3, V4, V5, V6, V7)를 클로우즈하고, 밸브(V8)를 오픈한다. 따라서, 세정액 공급라인(154)은 혼합 용기(152)로부터 처리조(110)로 세정액을 공급한다.At this time, when all the cleaning liquid in the
처리조(110) 내 세정액이 기설정된 수위 이상으로 채워지면, 순환 부재(120)는 처리조(110) 내 세정액을 순환시킨다. 즉, 도 3c를 참조하면, 제어부(160)는 밸브(V8)를 클로우즈하고, 밸브(V1, V2)를 오픈시키며, 가압부재(123)를 가동시킨다. 따라서, 순환라인(121)은 외조(114)로부터 내조(112)로 세정을 순환시킨다. 이때, 댐퍼(124)는 가압부재(123)의 펌핑에 의한 순환라인(121) 내 압력 변화를 일정하도록 한다. 가열기(125)는 순환라인(121)을 따라 순환되는 세정액을 기설정된 공정 온도로 가열하고, 필터부재(127)는 순환라인(121)을 따라 순환되는 세정액 내 오염물질을 필터링한다. 그리고, 버블제거부재(129)는 순환라인(121)을 따라 순환되는 세정액 내 잔류하는 버블(bubble)을 제거한다. 일정시간 동안 순환부재(120)가 처리조(110) 내 세정액을 순환시키면, 복수의 기판(W)들을 처리조(110)에 침지시켜 기판 표면에 잔류하는 이물질을 세정한다. 그리고, 도 3d를 참조하면, 기설정된 공정 시간 동안 기판의 세정 공정이 수행되면, 세정 공정이 완료된 기판(W)들을 처리조(110)로부터 반출시킨 후 후속 공정이 수행되는 설비로 이송한다.When the cleaning liquid in the
상술한 습식 세정 장치(100) 및 방법은 처리조(110) 내 세정액의 교체시, 복수의 처리액들을 일차적으로 혼합하고, 이때 발생된 버블들을 감소시킨 후에 처리 조(110)로 공급한다. 또한, 처리조(110)로 공급된 세정액은 순환 부재(120)에 의해 순환되면서 버블들의 제거가 이루어진다. 따라서, 본 발명에 따른 습식 세정 장치(110) 및 방법은 처리조(110) 내 세정액에 버블들이 잔류하는 것을 방지하여, 기판 처리 공정시 세정 효율이 저하되는 것을 방지한다.In the above-described
또한, 본 발명에 따른 습식 세정 장치(100) 및 방법은 기판 처리 공정시 세정액 내 버블들이 잔류하는 것을 방지할 수 있어, 종래의 처리조(110) 내에 위치된 웨이퍼(W)들로 세정액이 분사될 때, 분사되는 세정액 내 버블들로 인해 웨이퍼(W)의 위치가 틀어져서 웨이퍼(W)가 손상되는 것을 방지한다.In addition, the
또한, 본 발명에 따른 습식 세정 장치(100) 및 방법은 기판 처리 공정시 세정액 내 버블들이 잔류하는 것을 방지할 수 있어, 처리조(110) 내 세정액의 수위가 불안정하게 되는 것을 방지한다. 따라서, 기판 처리 공정시 세정액이 처리조(110) 외부로 비산되는 것을 방지하므로 설비 작업 환경의 안정성을 향상시킨다.In addition, the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 습식 세정 장치 및 방법은 기판의 세정 효율을 향상시킨다. 특히, 본 발명에 따른 습식 세정 장치 및 방법은 세정액 내 잔류하는 버블들로 인해 세정 효율이 저하되는 것을 방지한다.As mentioned above, the wet cleaning apparatus and method according to the present invention improve the cleaning efficiency of the substrate. In particular, the wet cleaning apparatus and method according to the present invention prevents the cleaning efficiency from being lowered due to bubbles remaining in the cleaning liquid.
또한, 본 발명에 따른 습식 세정 장치 및 방법은 공정시 세정액 내 버블들이 잔류하는 것을 방지하므로, 기판 처리 공정시 기판으로 분사되는 세정액 내 버블들로 인해 기판의 위치가 틀어져 기판이 손상되는 것을 방지한다.In addition, the wet cleaning apparatus and method according to the present invention prevents bubbles in the cleaning liquid from remaining during the process, thereby preventing the substrate from being damaged due to bubbles in the cleaning liquid injected into the substrate during the substrate processing process. .
또한, 본 발명에 따른 습식 세정 장치 및 방법은 공정시 세정액 내 버블들이 잔류하는 것을 방지할 수 있어, 공정시 처리조 내 세정액의 수위가 불안정하여 세정액이 처리조로부터 비산되는 것을 방지한다. 따라서, 장치의 작업 환경의 안정성을 향상시킨다.In addition, the wet cleaning apparatus and method according to the present invention can prevent bubbles in the cleaning liquid from remaining during the process, thereby preventing the cleaning liquid from being scattered from the processing tank due to unstable water level in the processing tank during the process. Thus, the stability of the working environment of the device is improved.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060072636A KR20080011905A (en) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | Wet cleaning apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060072636A KR20080011905A (en) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | Wet cleaning apparatus and method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080011905A true KR20080011905A (en) | 2008-02-11 |
Family
ID=39340298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060072636A KR20080011905A (en) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | Wet cleaning apparatus and method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20080011905A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115024667A (en) * | 2022-07-06 | 2022-09-09 | 北京顺造科技有限公司 | Base station, and control method and control device of base station |
-
2006
- 2006-08-01 KR KR1020060072636A patent/KR20080011905A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115024667A (en) * | 2022-07-06 | 2022-09-09 | 北京顺造科技有限公司 | Base station, and control method and control device of base station |
CN115024667B (en) * | 2022-07-06 | 2024-05-28 | 北京顺造科技有限公司 | Base station, control method and control device of base station |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102382902B1 (en) | Substrate processing apparatus, cleaning method of substrate processing apparatus | |
KR20080011905A (en) | Wet cleaning apparatus and method | |
KR100794585B1 (en) | Apparatus and method for wet cleaning | |
KR20110082730A (en) | Apparatus and method for cleaning wafer | |
KR100949096B1 (en) | Method for cleaning substrate | |
KR101987810B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR100683273B1 (en) | Apparatus for supplying chemical liquor | |
KR100567128B1 (en) | Equipment for cleaning wafers and method of removing metallic residue | |
JP3473662B2 (en) | Wet cleaning equipment | |
KR20080014246A (en) | Heater and substrate cleaning apparatus with the heater, and method for heating treating-liquid of the heater | |
KR20090036017A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR20080011913A (en) | Apparatus and method for wet cleaning | |
JP2005166847A (en) | Method and device for treating substrate | |
KR100897549B1 (en) | Treating liquid supply unit, and apparatus and method for treating substrate with the same | |
US6488039B1 (en) | State of the art constant flow device | |
TWI830345B (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
KR100918035B1 (en) | Apparatus and method for cleaning substrate | |
CN219943856U (en) | System for cleaning silicon wafer cleaning equipment and silicon wafer cleaning equipment | |
US10504755B2 (en) | Semiconductor-substrate processing apparatus, method of stripping a photoresist, and method of manufacturing a semiconductor device | |
JP4227694B2 (en) | Wafer surface treatment equipment | |
KR20050082835A (en) | A method and apparatus for cleaning substrates | |
KR20070030542A (en) | Apparatus bubble removing for treatment bath | |
KR100885240B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
JPH11283947A (en) | Substrate processing device and method | |
KR100825964B1 (en) | Semiconductor cleanning equipment and method for processing thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |