KR100632044B1 - Apparatus for cleaning a semiconductor wafer and method using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 세정장치 및 방법에 관한 것으로서, 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되도록 공급되는 복수의 세정조(120,....,160)에 웨이퍼 이송로봇(113)이 웨이퍼(W)를 순차적으로 투입하여 세정하는 장치에 있어서, 세정조(120,....,160) 상단마다 각각 설치되며, 세정조(120,....,160) 상단으로 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하여 감지신호를 출력하는 복수의 오버플로우 감지부(181,....,185)와, 복수의 오버플로우 감지부(181,....,185)로부터 출력되는 감지신호를 수신받아 세정조(120,....,160)로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 인식하면 웨이퍼(W)를 정해진 위치로 이동시키도록 웨이퍼 이송로봇(113)을 제어하는 제어부(190)를 포함하여 세정조로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우됨을 감지하여 세정조로부터 케미컬 등이 오버플로우되지 않을 경우 웨이퍼를 안전한 위치로 이송시켜서 후속조치를 취할 수 있도록 함으로써 세정조로부터 케미컬 등이 오버플로우되지 않게 됨으로써 웨이퍼의 세정이 제대로 되지 않거나 웨이퍼 상단이 공기에 노출되어 물반점이 생기는 것을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 효과를 가지고 있다.The present invention relates to an apparatus and a method for cleaning a wafer, wherein the wafer transfer robot 113 sequentially transfers the wafer (W) to a plurality of cleaning tanks (120,..., 160) supplied so that chemical or ultrapure water overflows. In the apparatus to be injected into the washing, each of the cleaning tank (120, ..., 160) is installed for each upper end, and detects whether the chemical or ultrapure water overflows to the top of the cleaning tank (120, ..., 160) Receiving a detection signal output from the plurality of overflow detection units 181,..., 185 and the overflow detection units 181,... Recognizing that the chemical or ultrapure water does not overflow from (120, ...., 160) includes a control unit 190 for controlling the wafer transfer robot 113 to move the wafer (W) to a predetermined position Detects the overflow of chemical or ultrapure water from the bath, and If not overflowed, the wafer can be transported to a safe position for follow-up to prevent the chemicals from overflowing from the cleaning bath, preventing the wafer from being cleaned properly or water spots due to exposure to the top of the wafer. Thereby improving the yield of the wafer.

Description

웨이퍼의 세정장치 및 방법{APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD USING THE SAME}Wafer cleaning apparatus and method {APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD USING THE SAME}

도 1은 종래의 웨이퍼 세정장치를 도시한 구성도이고,1 is a block diagram showing a conventional wafer cleaning apparatus,

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치를 도시한 구성도이고,2 is a block diagram showing a wafer cleaning apparatus according to the present invention,

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치를 도시한 블록도이고,3 is a block diagram showing a wafer cleaning apparatus according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a wafer cleaning method according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

111 : 본체 112 : 카세트 승강기111 body 112 cassette lift

113 : 웨이퍼 이송로봇 120,.....,160 : 세정조113: wafer transfer robot 120, ....., 160: cleaning tank

170 : 초순수공급부 181,.....,185 : 오버플로우 감지부170: ultrapure water supply unit 181, ....., 185: overflow detection unit

190 : 제어부 210 : 경보발생부190 control unit 210 alarm generation unit

본 발명은 웨이퍼의 세정장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 세정조로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우됨을 감지하여 세정조로부터 케미컬 등이 오버플로우되지 않을 경우 웨이퍼를 안전한 위치로 이송시켜서 후속조치를 취 할 수 있도록 하는 웨이퍼의 세정장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning apparatus and a method, and more particularly, to detect a chemical or ultrapure water overflow from a cleaning tank, and to transfer the wafer to a safe position when the chemical or the like does not overflow from the cleaning tank. An apparatus and method for cleaning a wafer to be taken.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위하여 확산공정, 식각공정, 화학기상증착공정, 세정공정 등 다양한 단위공정을 실시하며, 이러한 단위공정 중에서 가장 기본적인 공정중의 하나는 세정공정이다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, various unit processes, such as a diffusion process, an etching process, a chemical vapor deposition process, and a cleaning process, are performed. One of the most basic processes among these unit processes is a cleaning process.

세정공정은 반도체 소자를 제조하기 위해서 수행되어지는 여러 단계의 공정에서 웨이퍼에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위한 공정이다.The cleaning process is a process for removing various contaminants adhering to the wafer in various steps performed to manufacture the semiconductor device.

종래의 웨이퍼 세정에 사용되는 장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.The apparatus used for the conventional wafer cleaning will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 웨이퍼 세정장치를 도시한 구성도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 웨이퍼 세정장치(1)는 본체(11) 내측에 카세트 승강기(12), 웨이퍼 이송로봇(13), 그리고 복수의 세정조(20,...,60)가 설치된다.1 is a block diagram showing a conventional wafer cleaning apparatus. As shown, the conventional wafer cleaning apparatus 1 is provided with a cassette lift 12, a wafer transfer robot 13, and a plurality of cleaning tanks 20, ..., 60 inside the main body 11. .

카세트 승강기(12)는 복수의 웨이퍼(W)가 장착된 웨이퍼카세트(C)를 본체(11) 내측으로 로딩/언로딩되는 위치로부터 웨이퍼 이송로봇(13)이 웨이퍼(W)를 지지하는 위치까지 상하로 이동시킨다.The cassette lift 12 is a position where the wafer cassette C on which the plurality of wafers W are mounted is loaded / unloaded into the main body 11 from the position where the wafer transfer robot 13 supports the wafer W. Move up and down.

웨이퍼 이송로봇(13)은 카세트 승강기(12)에 의해 상승된 웨이퍼 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 분리하여 각각의 세정조(20,...,60)로 투입하거나 세정을 마친 웨이퍼(W)를 웨이퍼 카세트(C)에 장착시킨다.The wafer transfer robot 13 separates the wafers W from the wafer cassette C lifted by the cassette lift 12 and feeds them into the respective cleaning tanks 20,. W) is mounted on the wafer cassette (C).

세정조(20,.....,60)는 내측으로 케미컬이 공급되어 약액 세정을 실시하는 케미컬배스(20,50)와, 초순수가 공급되어 린스 세정을 실시하는 린스배스(30,40), 그리고, 케미컬이나 초순수가 공급되어 세정을 실시함과 아울러 드라이시키는 드라 이배스(60)로 이루어진다.The cleaning tanks 20,..., 60 are chemical baths 20 and 50 that are supplied with chemicals to clean the inside, and rinse baths 30 and 40 that are supplied with ultrapure water to perform rinse cleaning. And it consists of the dry bath 60 which supplies a chemical | cleaning and ultrapure water, and washes and dry.

세정조(20,....,60)는 내측으로 공급되는 케미컬 또는 초순수를 웨이퍼(W)의 세정시 오버플로우(over flow)시킴으로써 내측으로 투입된 웨이퍼(W)의 세정효과를 높인다.The cleaning tanks 20,..., 60 increase the cleaning effect of the wafer W injected into the inside by overflowing the chemical or ultrapure water supplied inside.

케미컬배스(20,50)와 드라이배스(60)는 오버플로우(over flow)시 배출되는 케미컬의 이동경로를 다른 배스(30,40)들로부터 배출되는 초순수의 이동경로와 다르도록 외측에 외부배스(21,51,61)가 각각 구비된다. 따라서, 케미컬배스(20,50)와 드라이배스(60)로부터 오버플로우되는 케미컬이 린스배스(30,40)로부터 오버플로우되는 초순수와 섞이지 않도록 함으로써 오버플로우된 초순수를 정제하여 재활용할 수 있도록 한다.The chemical baths 20 and 50 and the dry bath 60 have external baths on the outside so that the movement paths of the chemicals discharged during overflow differ from the movement paths of ultrapure water discharged from the other baths 30 and 40. (21, 51, 61) are provided, respectively. Therefore, the chemicals overflowed from the chemical baths 20 and 50 and the dry bath 60 do not mix with the ultrapure water overflowed from the rinse baths 30 and 40 so as to purify and recycle the overflowed ultrapure water.

캐미컬배스(20,50)와 드라이배스(60)도 내측으로 공급되는 케미컬의 농도를 공정조건에 맞추기 위하여 린스배스(30,40)와 마찬가지로 초순수가 공급된다. The chemical baths 20 and 50 and the dry bath 60 are also supplied with ultrapure water in the same manner as the rinse baths 30 and 40 in order to adjust the concentration of the chemicals supplied inward to the process conditions.

세정조(20,...60) 각각은 초순수공급부(70)로부터 초순수가 공급되도록 초순수공급라인(71)이 연결된다.Each of the cleaning tanks 20,... 60 is connected to an ultrapure water supply line 71 so that ultrapure water is supplied from the ultrapure water supply unit 70.

초순수공급라인(71)상에는 세정조(20,...,60) 각각으로 초순수의 공급을 개폐하도록 공급밸브(72)와 초순수의 공급량을 파악하기 위한 유량계(73)가 각각 설치된다.On the ultrapure water supply line 71, a supply valve 72 and a flow meter 73 for grasping the supply amount of ultrapure water are respectively installed to open and close the supply of ultrapure water to the cleaning tanks 20, ..., 60, respectively.

케미컬배스(20,50)중 어느 하나의 배스(50)는 오버플로우된 케미컬을 순환시켜 재사용할 수 있도록 하단과 외부배스(51)간에 순환라인(74)이 설치되며, 순환라인(74)상에는 케미컬을 순환시키기 위한 펌프(75)와 케미컬을 순환시 일정 온도로 가열하는 히터(76)와 순환되는 케미컬에 포함된 이물질을 필터링하는 필터(filter; 77)가 각각 설치된다.The bath 50 of any one of the chemical baths 20 and 50 is provided with a circulation line 74 between the lower end and the external bath 51 so as to circulate and reuse the overflowed chemical, and on the circulation line 74. A pump 75 for circulating the chemical, a heater 76 for heating the chemical to a predetermined temperature during circulation, and a filter 77 for filtering foreign substances included in the circulated chemical are provided.

드라이배스(60)는 상측에 덮개(62a)가 개폐가능하게 설치됨과 아울러 하측에 배출구(62b)가 각각 형성되는 케이스(62) 내측에 설치되며, 케이스(62) 내측에 웨이퍼(W)의 건조를 위해 이소프로필알코올(IPA)을 분사하는 복수의 분사노즐(63)이 설치된다.The dry bath 60 is installed inside the case 62 in which the lid 62a is opened and closed at the upper side and the outlet 62b is formed at the lower side, and the wafer W is dried inside the case 62. A plurality of injection nozzles 63 for injecting isopropyl alcohol (IPA) are installed.

이와 같은 종래의 웨이퍼 세정장치(1)는 카세트 승강기(112)에 의해 상승된 웨이퍼카세트(C)에 장착된 복수의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 이송로봇(113)에 의해 각각의 세정조(20,....,50)로 순차적으로 이동시켜서 약액 또는 린스 세정 후 마지막에 위치한 세정조(60)인 드라이배스(60)에서 최종적으로 린스 및 건조시킨다.The conventional wafer cleaning apparatus 1 includes a plurality of wafers W mounted on the wafer cassette C lifted by the cassette lifter 112 by the wafer transfer robot 113, respectively. 50, and then sequentially rinsed and dried in a dry bath 60, which is the cleaning tank 60 located last after cleaning the chemical or rinse.

웨이퍼(W)를 각각의 세정조(20,...,60)에서 세정시 케미컬 또는 초순수를 오버플로우시킴으로써 세정효과를 상승시킨다.The cleaning effect is enhanced by overflowing the chemical or ultrapure water when cleaning the wafer W in each of the cleaning baths 20,.

그러나, 세정조(20,...,60)로 케미컬을 공급하는 미도시된 케미컬공급라인 또는 초순수를 공급하는 초순수공급라인(71)의 연결부위가 손상됨으로써 케미컬 또는 초순수가 누출되어 세정조(20,...,60)로부터 오버플로우가 정상적으로 이루어지지 않을 경우 세정조(20,...,60) 내측에 투입된 웨이퍼(W)의 세정이 제대로 이루어지지 않을 뿐만 아니라 웨이퍼(W) 상단이 공기중에 노출되어 물반점(water mark) 발생으로 인해 후속공정 등에서 결함이 발생하여 리젝트(reject)되는 문제점을 가지고 있었다.However, the connection part of the chemical supply line (not shown) for supplying the chemicals to the cleaning tanks (20, ..., 60) or the ultrapure water supply line (71) for supplying ultrapure water is damaged so that chemical or ultrapure water leaks to the cleaning tank ( If the overflow from the 20, ..., 60 is not normal, the cleaning of the wafer W introduced into the cleaning tank 20, ..., 60 may not be performed properly, and the top of the wafer W may be There was a problem that the reject (reject) is caused by a defect occurs in the subsequent process due to exposure to the air (water mark) occurs.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 세정조로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우됨을 감지하여 세정조로부터 케미컬 등이 오버플로우되지 않을 경우 웨이퍼를 안전한 위치로 이송시켜서 후속조치를 취할 수 있도록 함으로써 세정조로부터 케미컬 등이 오버플로우되지 않게 됨으로써 웨이퍼의 세정이 제대로 되지 않거나 웨이퍼 상단이 공기에 노출되어 물반점이 생기는 것을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 웨이퍼의 세정장치 및 방법을 제공하는데 있다. The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to detect the overflow of the chemical or ultrapure water from the cleaning tank to transfer the wafer to a safe position when the chemical does not overflow from the cleaning tank to follow Wafer cleaning apparatus and method that prevents overflow of chemicals from the cleaning tank and prevents water wafers from being exposed due to the air being exposed to air by allowing the action to be taken, thereby improving the yield of the wafer. To provide.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되도록 공급되는 복수의 세정조에 웨이퍼 이송로봇이 웨이퍼를 순차적으로 투입하여 세정하는 장치에 있어서, 세정조 상단마다 각각 설치되며, 세정조 상단으로 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하여 감지신호를 출력하는 복수의 오버플로우 감지부와, 복수의 오버플로우 감지부로부터 출력되는 감지신호를 수신받아 세정조로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 인식하면 웨이퍼를 복수의 세정조중에서 초순수가 제대로 오버플로우되는 세정조로 이동시키도록 웨이퍼 이송로봇을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for realizing the above object is a device for cleaning wafers by sequentially feeding the wafers into a plurality of cleaning tanks supplied so that chemical or ultrapure water overflows, each of which is installed at each upper end of the cleaning tank. A plurality of overflow detectors for detecting whether the chemical or ultrapure water overflows and outputting a detection signal, and receiving a detection signal output from the plurality of overflow detectors, the chemical or ultrapure water does not overflow from the cleaning tank Recognizing, it characterized in that it comprises a control unit for controlling the wafer transfer robot to move the wafer to the cleaning tank that the ultrapure water is properly overflowed in the plurality of cleaning tanks.

또한 본 발명은, 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되도록 공급되는 복수의 세정조에 웨이퍼를 순차적으로 투입하여 세정하는 방법에 있어서, 웨이퍼카세트로부터 웨이퍼를 분리시키는 단계와, 웨이퍼를 세정하기 위해 투입할 세정조에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계와, 세정조에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되면 웨이퍼를 오버플로우되는 세정조에 투입하는 단계와, 세정조에 웨이퍼를 투입 후 세정에 필요한 시간이 경과되었는지를 확인하는 단계와, 세정조에 상기 웨이퍼 투입 후 세정에 필요한 시간이 경과하면 세정조로부터 웨이퍼를 꺼내서 투입해야 하는 다른 세정조가 존재하는지 판단하여 다른 세정조가 존재하면 오버플로우 감지단계, 세정조 투입단계 및 시간 경과 확인단계를 실시하는 단계와, 세정조로부터 웨이퍼를 꺼내서 투입해야 하는 다른 세정조가 없으면 웨이퍼를 웨이퍼카세트에 장착하여 언로딩시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is a method for sequentially cleaning the wafer in a plurality of cleaning tanks supplied so that the chemical or ultrapure water is overflowed, separating the wafer from the wafer cassette, and in the cleaning tank to be injected to clean the wafer Detecting whether the chemical or ultrapure water overflows; if the chemical or ultrapure water overflows, injecting the wafer into the overflowing cleaning tank; And when the time required for cleaning after the wafer is added to the cleaning tank has elapsed, it is determined whether there is another cleaning tank to remove and insert the wafer from the cleaning tank. Performing the checking step and the cleaning tank If other cleaning Joe to be input from the taken out wafer it is characterized in that it comprises the step of unloading the wafer mounted on the wafer cassette.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치를 도시한 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치를 도시한 블록도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치(100)는 본체(111)의 내측에 카세트 승강기(112), 웨이퍼 이송로봇(113), 복수의 세정조(120,....,160), 세정조(120,....,160) 상단마다 각각 설치는 복수의 오버플로우 감지부(181,....,185), 그리고, 오버플로우 감지부(181,...,185)로부터 감지신호를 수신받음과 아울러 웨이퍼 이송로봇(113)을 제어하는 제어부(190)를 포함한다.2 is a block diagram showing a wafer cleaning apparatus according to the present invention, Figure 3 is a block diagram showing a wafer cleaning apparatus according to the present invention. As shown, the wafer cleaning apparatus 100 according to the present invention has a cassette lift 112, a wafer transfer robot 113, a plurality of cleaning tanks 120,... 160 inside the main body 111. Each of the tops of the cleaning tanks 120,..., 160 is installed with a plurality of overflow detection units 181,..., 185, and overflow detection units. Receiving a detection signal from the control unit 190 to control the wafer transfer robot 113.

카세트 승강기(112)는 제어부(190)에 의해 제어됨으로써 복수의 웨이퍼(W)가 장착된 웨이퍼카세트(C)를 본체(111) 내의 로딩/언로딩위치로부터 웨이퍼 이송로봇(113)이 웨이퍼(W)를 지지하는 위치까지 승강시킨다.The cassette lifter 112 is controlled by the controller 190 so that the wafer transfer robot 113 is loaded from the loading / unloading position in the main body 111 to the wafer cassette C on which the plurality of wafers W are mounted. ) To the position where it supports.

웨이퍼 이송로봇(113)은 제어부(190)에 의해 제어되어 카세트 승강기(112)에 의해 상승된 웨이퍼카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 분리하여 각각의 세정조(120,...,160)로 투입하거나 세정을 마친 웨이퍼(W)를 웨이퍼카세트(C)에 장착시킨다.The wafer transfer robot 113 is controlled by the control unit 190 to separate the wafers W from the wafer cassette C lifted by the cassette lift 112, and the respective cleaning tanks 120, ..., 160 are separated. The wafer W, which has been charged or cleaned, is mounted on the wafer cassette C.

세정조(120,.....,160)는 내측으로 케미컬이 공급되어 약액 세정을 실시하는 케미컬배스(120,150)와, 초순수가 공급되어 린스 세정을 실시하는 린스배스(130,140), 그리고, 케미컬이나 초순수가 공급되어 세정을 실시함과 아울러 드라이시키는 드라이배스(160)로 이루어지고, 이외에도 이들의 여러 가지 조합으로 이루어질 수 있으며, 내측으로 투입된 웨이퍼(W)의 세정효과를 높이기 위하여 내측으로 공급되는 케미컬 또는 초순수가 오버플로우(over flow)된다.The cleaning tanks 120,..., 160 are chemical baths 120, 150 for supplying chemicals to the inside, and rinse baths 130, 140 for rinsing the supply of ultrapure water, and chemical cleaning. In addition, ultra-pure water is supplied to perform the cleaning and drying as well as the dry bath 160, in addition to these may be made of various combinations, it is supplied to the inside to increase the cleaning effect of the wafer (W) injected into the inside Chemical or ultrapure water overflows.

세정조(120,....,160)중에서 케미컬이 공급되는 케미컬배스(120,150)와 드라이배스(160)는 초순수의 재활용을 위해 오버플로우되는 케미컬과 린스배스(130,140)로부터 오버플로우되는 초순수의 배출경로를 서로 달리하기 위하여 외측에 외부배스(121,151,161)가 각각 구비된다.Chemical baths (120,150) and dry baths (160, 150, 150) supplied with chemicals in the cleaning tank (120, ...., 160) of the ultra pure water overflowed from the chemical and rinse bath (130, 140) overflowed for the recycling of ultrapure water External baths 121, 151, and 161 are provided on the outside to different the discharge paths.

세정조(120,...,160)는 종래와 마찬가지로 초순수공급부(170)로부터 공급되는 초순수의 공급을 위해 초순수공급라인(171), 공급밸브(172), 그리고 유량계(173)가 각각 설치되고, 어느 하나의 케미컬배스(150)에 순환라인(174), 펌프(175), 히터(176), 그리고 필터(filter; 177)가 각각 설치되며, 드라이배스(160)는 웨이퍼(W) 건조를 위해 이소프로필알코올(IPA)을 분사하는 복수의 분사노즐(163)과 함께 덮개(162a)와 배출구(162b)가 형성되는 케이스(162) 내측에 각각 설치된다.The cleaning tanks 120,..., 160 are provided with an ultrapure water supply line 171, a supply valve 172, and a flow meter 173, respectively, for supplying ultrapure water supplied from the ultrapure water supply unit 170 as in the prior art. In one chemical bath 150, a circulation line 174, a pump 175, a heater 176, and a filter 177 are installed, respectively, and the dry bath 160 may dry the wafer (W). In order to provide a plurality of injection nozzles 163 for injecting isopropyl alcohol (IPA), the cover 162a and the outlet 162b are respectively provided inside the case 162.

오버플로우 감지부(181,...,185)는 복수로 이루어짐과 아울러 세정조(120,...,160)로부터 오버플로우되는 케미컬 또는 초순수를 감지하여 감지신호를 제어부(190)로 출력하는 액면감지센서로서, 세정조(120,....,160) 상단마다 각각 설치된다.The overflow detectors 181,..., 185 detect a chemical or ultrapure water overflowed from the washing tanks 120,..., 160, and output a detection signal to the controller 190. As the liquid level sensor, it is provided for each upper end of the cleaning tank (120,..., 160).

오버플로우 감지부(181,....,185)는 세정조(120,....,160)로부터 오버플로우되는 케미컬 또는 초순수를 정확하게 감지하기 위하여 세정조(120,....,160)로부터 케미컬 또는 초순수가 그 상단을 통과함으로써 오버플로우되어 하강하는 지점인 세정조(120,....,160)의 외측면 상단에 설치됨이 바람직하다.The overflow detectors 181,..., 185 are used to accurately detect chemical or ultrapure water that overflows from the washing tanks 120,..., 160. ) Is preferably installed at the upper end of the outer surface of the cleaning tank (120, ..., 160) that is the point where the chemical or ultrapure water overflows and descends by passing through the upper end.

제어부(190)는 복수의 오버플로우 감지부(181,....,185)로부터 출력되는 감지신호를 수신받아 세정조(120,....,160)로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 인식하면 웨이퍼(W)를 정해진 위치에 대기시키도록 웨이퍼 이송로봇(113)을 제어한다.The controller 190 receives the detection signals output from the plurality of overflow detectors 181,..., 185 and does not overflow the chemical or ultrapure water from the washing tanks 120,..., 160. Recognizing that the wafer transfer robot 113 is controlled to wait the wafer (W) at a predetermined position.

제어부(190)는 오버플로우 감지부(181,...,185)로부터 수신받는 감지신호에 의해 세정조(120,....,160)로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 인식하면 웨이퍼(W)를 초순수가 채워진 세정조(130,140)중에서 오버플로우가 이루어지는 세정조내로 이동시킨다.If the controller 190 recognizes that the chemical or ultrapure water does not overflow from the cleaning tanks 120,..., 160 by the detection signal received from the overflow detectors 181,. (W) is moved into the cleaning tank overflowing from the cleaning tanks 130 and 140 filled with ultrapure water.

한편, 세정조(120,....,160)로부터 오버플로우가 제대로 되지 않을 경우 경보를 발생시키는 경보발생부(210)가 구비됨이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the alarm generating unit 210 for generating an alarm when the overflow from the cleaning tank (120, .... 160) is not properly provided.

경보발생부(210)는 제어부(190)가 오버플로우 감지부(181,...,185)로부터 수신받는 감지신호에 의해 세정조(120,....,160)로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 인식할 때 발생하는 제어신호를 수신받아 경보음의 발생 또는 경보등의 점멸로 외부에 경보를 발생시킴으로써 작업자가 후속조치를 취할 수 있도록 한다.The alarm generating unit 210 has a chemical or ultrapure water from the cleaning tank 120,..., 160 due to the detection signal received from the overflow detection unit 181,..., 185. Receives a control signal generated when the flow is not recognized and generates an alarm to the outside by the generation of an alarm sound or the blinking of the alarm light so that the operator can take further action.

이와 같은 구조로 이루어진 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치(100)는 웨이퍼 이송로봇(113)이 카세트 승강기(112)에 의해 상승된 웨이퍼카세트(C)로부터 분리시킨 복수의 웨이퍼(W)를 세정조(120,...,160)마다 투입하여 약액, 린스, 건조 등의 세정공정을 실시시 세정조(120,....,160)로부터 케미컬 또는 초순수가 제대로 오버플로우되는지를 오버플로우 감지부(181,...,185)를 통해 감지하여 세정조(120,....,160)로부터 케미컬 또는 초순수의 오버플로우가 제대로 되지 않을 경우 제어부(190)는 웨이퍼(W)를 정해진 위치, 즉 세정조(120,....,160)중에서 초순수가 채워짐과 아울러 초순수가 제대로 오버플로우되는 세정조로 이동시켜서 대기시키게 된다. 따라서, 오버플로우되지 않는 세정조(120,....,160)에 의해 웨이퍼(W)가 제대로 세정이 되지 않거나 공기중에 노출된 부위에 물반점(water mark)이 발생하는 것을 방지한다.In the wafer cleaning apparatus 100 according to the present invention having such a structure, the wafer transport robot 113 separates the plurality of wafers W separated from the wafer cassette C lifted by the cassette lift 112. When the cleaning process such as chemical liquid, rinse, drying, etc. is added to each of the 120, ..., 160, the overflow detection unit checks whether the chemical or ultrapure water is properly overflowed from the cleaning tank (120, ..., 160). If the chemical or ultrapure water does not flow properly from the cleaning tanks 120,..., And 160 through 181,..., 185, the controller 190 moves the wafer W to a predetermined position, that is, Ultrapure water is filled in the cleaning tanks 120,..., 160 and the ultrapure water is moved to the cleaning tank where the ultrapure water overflows. Therefore, the cleaning tank 120,..., 160 that does not overflow prevents the water W from being properly cleaned or the generation of water marks on the portions exposed to the air.

본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법은 도 4에서 나타낸 바와 같이, 웨이퍼카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 분리시키는 단계(S10)와, 웨이퍼(W)를 투입할 세정조(120,...,160)에서 오버플로우를 감지하는 단계(S20)와, 웨이퍼(W)를 오버플로우되는 세정조(120,...,160)에 투입하는 단계(S30)와, 웨이퍼(W) 투입 후 세정에 필요한 시간이 경과되었는지 확인하는 단계(S40)와, 웨이퍼(W)를 투입해야 하는 다른 세정조(120,...,160)가 존재하는지 판단하는 단계(S50)와, 웨이퍼(W)를 웨이퍼카세트(C)에 장착하여 언로딩시키는 단계(S60)를 포함한다.In the wafer cleaning method according to the present invention, as shown in FIG. 4, a step (S10) of separating the wafer (W) from the wafer cassette (C) and a cleaning tank (120,... Detecting the overflow in step S20 (S20), injecting the wafer (W) into the overflowing cleaning tank (120, ..., 160) (S30), and after the wafer (W) to clean The step S40 of checking whether the required time has elapsed, the step S50 of determining whether there are other cleaning tanks 120,..., 160 to which the wafer W is to be introduced, and the wafer W are processed. Attaching to the cassette (C) and the step of unloading (S60).

웨이퍼카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 분리시키는 단계(S10)는 세정하고자 하는 복수의 웨이퍼(W)를 장착한 웨이퍼카세트(C)가 본체(111)내로 로딩되면(S11), 카세트 승강기(112)에 의해 로딩된 웨이퍼카세트(C)를 웨이퍼 이송로봇(113)의 작업위치까지 상승시켜서 웨이퍼카세트(C)로부터 웨이퍼 이송로봇(113)에 의해 복수의 웨이퍼(W)를 분리시킨다(S12).The step S10 of separating the wafer W from the wafer cassette C is performed when the wafer cassette C on which the plurality of wafers W are to be cleaned is loaded into the main body 111 (S11). The wafer cassette C loaded by 112 is raised to the working position of the wafer transfer robot 113 to separate the plurality of wafers W from the wafer cassette C by the wafer transfer robot 113 (S12). .

웨이퍼(W)를 투입할 세정조(120,...,160)에서 오버플로우를 감지하는 단계(S20)는 웨이퍼카세트(C)로부터 웨이퍼 이송로봇(113)에 의해 분리된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 이송로봇(113)에 의해 복수의 세정조(120,....,160)마다 순차적으로 투입시 웨이퍼(W)를 투입할 세정조(120,....,160)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 오버플로우 감지부(181,...,185)를 통해 감지한다.Detecting an overflow in the cleaning tanks 120,... 160 to which the wafers W are to be introduced (S20) may detect the wafers W separated by the wafer transfer robot 113 from the wafer cassette C. The chemical or ultrapure water in the cleaning tanks 120,... 160 to which the wafers W are to be introduced when the wafers are sequentially added to the plurality of cleaning tanks 120,... 160 by the wafer transfer robot 113. The overflow detection unit (181, ..., 185) detects whether the overflow.

웨이퍼(W)를 오버플로우되는 세정조(120,...,160)에 투입하는 단계(S30)는 세정을 위해 웨이퍼(W)를 투입할 세정조(120,...,160)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우됨을 각각의 세정조(120,...,160) 상단에 설치된 액면감지센서인 오버플로우 감지부(181,...,185)를 통해 감지하여 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는 세정조(120,...,160)에 웨이퍼(W)를 투입한다.The step (S30) of injecting the wafer (W) into the overflow cleaning tank (120, ..., 160) is chemical in the cleaning tank (120, ..., 160) to inject the wafer (W) for cleaning Alternatively, the overflow of the ultrapure water through the overflow detectors 181, ..., 185, which are liquid level sensors installed at the top of each of the cleaning tanks 120, ..., 160, may cause the chemical or ultrapure water to overflow. The wafers W are introduced into the cleaning tanks 120,... 160.

웨이퍼(W) 투입 후 세정에 필요한 시간이 경과되었는지 확인하는 단계(S40)는 웨이퍼(W)를 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는 세정조(120,....,160)에 투 입 후 투입된 세정조(120,....,160)에서 세정에 필요한 시간을 경과하였는지를 확인한다.The step S40 of checking whether the time required for cleaning after the wafer W is passed (S40) is performed after the wafer W is put into the cleaning tanks 120,..., 160 where the chemical or ultrapure water overflows. Check whether the time required for cleaning has elapsed in the bath 120... 160.

웨이퍼(W)를 투입해야 하는 다른 세정조(120,...,160)가 존재하는지 판단하는 단계(S50)는 세정조(120,....,160)에 웨이퍼(W) 투입 후 세정에 필요한 시간이 경과하면 세정조(120,...,160)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내서 투입해야 하는 다른 세정조가 존재하는지 판단하며(S50), 다른 세정조가 존재하면 웨이퍼(W)를 투입할 세정조(120,....,160)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S20)이하를 실시하여 웨이퍼(W)를 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는 세정조(120,....,160)에 투입할 수 있도록 한다.Determining whether there are other cleaning tanks 120,..., 160 to which the wafers W are to be inserted (S50) may be cleaned after the wafers W are inserted into the cleaning tanks 120,... When the time required for elapses, the wafer W is removed from the cleaning tanks 120, ..., 160, and it is determined whether there is another cleaning tank to be injected (S50). Detecting whether the chemical or ultrapure water overflows in the cleaning tank (120, ..., 160) (S20) or less to perform the cleaning tank 120, .. .., 160).

웨이퍼(W)를 웨이퍼카세트(C)에 장착하여 언로딩시키는 단계(S60)는 웨이퍼(W)를 투입해야 하는 다른 세정조(120,...,160)가 존재하는지 판단하는 단계(S50)에서 세정조(120,...,160)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내서 투입해야 하는 다른 세정조가 없으면 웨이퍼 이송로봇(113)에 의해 웨이퍼카세트(C)에 웨이퍼(W)를 장착한 다음(S61) 웨이퍼카세트(C)를 후속공정을 위해 본체(111)로부터 언로딩시킨다(S62).The step S60 of mounting and unloading the wafer W on the wafer cassette C determines whether there is another cleaning tank 120,..., 160 to which the wafer W is to be injected (S50). If there is no other cleaning tank to remove and insert the wafer W from the cleaning tanks 120, ..., 160, the wafer transfer robot 113 mounts the wafer W to the wafer cassette C (S61). ) The wafer cassette C is unloaded from the main body 111 for the subsequent process (S62).

세정조(120,....,160)에 웨이퍼(W)를 투입 후 세정에 필요한 시간이 경과되었는지 확인하는 단계(S40)에서 세정조(120,...,160)에 웨이퍼(W) 투입후 세정에 필요한 시간이 미경과시 웨이퍼(W)가 투입되어 있는 세정조(120,....,160)에서 케미컬 또는 초순수가 제대로 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S41)를 실시함이 바람직하다. 따라서, 세정조(120,...,160)에 웨이퍼(W)가 투입된 동안 케미컬 또는 초순수가 제대로 오버플로우되어 세정이 제대로 실시되는지를 감지할 수 있다.After the wafer W is put into the cleaning tanks 120,... 160, the wafer W is placed in the cleaning tanks 120,... 160 in step S40. When the time required for cleaning after the input has not elapsed, a step (S41) of detecting whether the chemical or ultrapure water overflows properly in the cleaning tank (120,... desirable. Accordingly, while the wafers W are introduced into the cleaning tanks 120,... 160, the chemicals or ultrapure water may overflow properly to detect whether the cleaning is properly performed.

웨이퍼(W)를 세정하기 위해 투입할 세정조(120,...,160)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S20) 또는 웨이퍼(W)가 투입되어 있는 세정조(120,....,160)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S41)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 감지하면 외부로 경보음 또는 경보등의 점멸 등을 발생시키는 경보 발생 단계(S70)가 구비됨이 바람직하다. Detecting whether the chemical or ultrapure water overflows in the cleaning tanks 120, ..., 160 to be injected to clean the wafer W (S20) or the cleaning tank 120, in which the wafer W is inserted In step (S41) of detecting whether the chemical or ultrapure water does not overflow in step (.41), an alarm generating step of generating an alarm sound or flashing of an external light when the chemical or ultrapure water does not overflow ( S70) is preferably provided.

웨이퍼(W)를 세정하기 위해 투입할 세정조(120,....,160)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S20) 또는 웨이퍼(W)가 투입되어 있는 세정조(120,...,160)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S41)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 감지하면 웨이퍼(W)를 초순수가 채워진 세정조(130,140)중에서 오버플로우됨이 감지되는 세정조로 투입하여 대기시키는 단계(S80)를 구비한다. Detecting whether the chemical or ultrapure water overflows in the cleaning tanks 120,..., 160 to be injected to clean the wafer W (S20) or the cleaning tank 120 into which the wafers W are inserted. In step (S41) of detecting whether the chemical or ultrapure water does not overflow in step (S41), when the chemical or ultrapure water does not overflow, the wafer W overflows in the cleaning tanks 130 and 140 filled with ultrapure water. It is provided with a step (S80) to wait to put into the washing tank is detected.

웨이퍼(W)를 초순수가 채워진 세정조(130,140)중에서 오버플로우됨이 감지되는 세정조로 투입하여 대기시키는 단계(S80)는 웨이퍼(W)를 투입할 세정조(120,....,160) 또는 웨이퍼(W)가 투입된 세정조(120,...,160)로부터 케미컬 또는 초순수의 오버플로우가 되지 않을 경우 초순수로 채워진 세정조(130,140)중에서 오버플로우가 제대로 되는 세정조가 있는지를 감지하여(S81) 초순수가 채워진 세정조(130,140)중에서 오버플로우되는 세정조로 웨이퍼(W)를 투입한다(S82).In step S80, the wafer W is introduced into the cleaning tank in which the ultrapure water is filled in the cleaning tank 130, 140 and detected to be overflowed, and then waits (S80). Alternatively, if there is no overflow of the chemical or ultrapure water from the cleaning tanks 120, ..., 160 into which the wafer W is injected, it is detected whether there is a cleaning tank that overflows properly in the cleaning tanks 130 and 140 filled with ultrapure water ( S81) The wafer W is introduced into the cleaning tank overflowing from the cleaning tanks 130 and 140 filled with ultrapure water (S82).

초순수로 채워진 세정조(130,140)중에서 오버플로우가 제대로 되는 세정조가 있는지를 감지하여(S81) 초순수가 오버플로우되는 세정조가 없다면 초순수가 채워 진 세정조(130,140)중 어느 하나의 세정조로 웨이퍼(W)를 투입하여 웨이퍼(W)의 손상을 최소화한다.Detecting whether there is a cleaning tank overflowing properly in the cleaning tanks 130 and 140 filled with ultrapure water (S81). To minimize damage to the wafer (W).

이와 같은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법은 웨이퍼 이송로봇(113)에 의해 웨이퍼카세트(C)로부터 분리시킨 복수의 웨이퍼(W)를 세정조(120,...,160)마다 투입하여 약액, 린스, 건조 등의 세정공정을 실시시 세정조(120,....,160)로부터 케미컬 또는 초순수가 제대로 오버플로우되는지를 감지하여 웨이퍼(W)를 투입할 또는 투입된 세정조(120,....,160)로부터 케미컬 또는 초순수의 오버플로우가 제대로 되지 않을 경우 외부로 경보를 발생시켜 작업자가 후속조치를 신속하게 취하게 하도록 함과 아울러 웨이퍼(W)가 공기중에 노출되어 물반점(water mark) 등의 결함이 발생하는 것을 방지하기 위하여 세정조(120,....,160)중에서 초순수가 채워짐과 아울러 초순수가 제대로 오버플로우되는 세정조로 이동시킨다.In the wafer cleaning method according to the present invention, a plurality of wafers W separated from the wafer cassette C by the wafer transfer robot 113 are added to each cleaning tank 120,... When the cleaning process such as drying is performed, the cleaning tank 120,..., 160 detects whether the chemical or ultrapure water overflows properly, and the wafer W is introduced or the cleaning tank 120,... .160, if the overflow of the chemical or ultrapure water does not go well, an alarm is triggered to the outside to prompt the operator to take further action, and the wafer W is exposed to air, causing water marks. In order to prevent such defects from occurring, ultrapure water is filled in the cleaning tanks 120,..., 160 and the ultrapure water is moved to a cleaning tank that overflows properly.

이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 세정조로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우됨을 감지하여 세정조로부터 케미컬 등이 오버플로우되지 않을 경우 웨이퍼를 안전한 위치로 이송시켜서 후속조치를 취할 수 있도록 함으로써 세정조로부터 케미컬 등이 오버플로우되지 않게 됨으로써 웨이퍼의 세정이 제대로 되지 않거나 웨이퍼 상단이 공기에 노출되어 물반점이 생기는 것을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시킨다.According to the preferred embodiment of the present invention as described above, by detecting the overflow of the chemical or ultrapure water from the cleaning tank to transfer the wafer to a safe position to take a follow-up action if the chemical or the like does not overflow from the cleaning tank As the chemicals and the like do not overflow from the bath, the wafer is not cleaned properly or the top of the wafer is exposed to air to prevent water spots from occurring, thereby improving the yield of the wafer.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치 및 방법은 세정조로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우됨을 감지하여 세정조로부터 케미컬 등이 오버 플로우되지 않을 경우 웨이퍼를 안전한 위치로 이송시켜서 후속조치를 취할 수 있도록 함으로써 세정조로부터 케미컬 등이 오버플로우되지 않게 됨으로써 웨이퍼의 세정이 제대로 되지 않거나 웨이퍼 상단이 공기에 노출되어 물반점이 생기는 것을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 효과를 가지고 있다.As described above, the apparatus and method for cleaning a wafer according to the present invention detects that the chemical or ultrapure water overflows from the cleaning bath and transfers the wafer to a safe position to take follow-up when the chemical or the like does not overflow from the cleaning bath. In this way, the chemicals and the like do not overflow from the cleaning tank, so that the wafer is not cleaned properly or the top of the wafer is exposed to air to prevent water spots from occurring, thereby improving the yield of the wafer.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치 및 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for carrying out the wafer cleaning apparatus and method according to the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, as claimed in the following claims Without departing from the gist of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains to the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (7)

케미컬 또는 초순수가 오버플로우되도록 공급되는 복수의 세정조에 웨이퍼 이송로봇이 웨이퍼를 순차적으로 투입하여 세정하는 장치에 있어서,An apparatus for cleaning wafers by sequentially feeding wafers into a plurality of cleaning tanks supplied so that chemical or ultrapure water overflows, 상기 세정조 상단마다 각각 설치되며, 상기 세정조 상단으로 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하여 감지신호를 출력하는 복수의 오버플로우 감지부와,Installed in each upper end of the washing tank, and a plurality of overflow detecting units detecting whether the chemical or ultrapure water overflows to the upper end of the washing tank and outputting a detection signal; 상기 복수의 오버플로우 감지부로부터 출력되는 감지신호를 수신받아 상기 세정조로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 인식하면 상기 웨이퍼를 상기 복수의 세정조중에서 초순수가 제대로 오버플로우되는 세정조로 이동시키도록 상기 웨이퍼 이송로봇을 제어하는 제어부Receiving the detection signals output from the plurality of overflow detection units and recognizing that the chemical or ultrapure water does not overflow from the cleaning tank, the wafer is moved to the cleaning tank where the ultrapure water overflows properly in the plurality of cleaning tanks. Control unit for controlling the wafer transfer robot 를 포함하는 웨이퍼 세정장치.Wafer cleaning apparatus comprising a. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어부가 상기 오버플로우 감지부로부터 수신받는 감지신호에 의해 상기 세정조로부터 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 인식할 때 발생하는 제어신호를 수신받아 외부로 경보를 발생시키는 경보발생부Alarm generation unit for receiving an alarm to the control signal generated when the controller recognizes that the chemical or ultrapure water does not overflow from the cleaning tank by the detection signal received from the overflow detection unit 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.Wafer cleaning apparatus comprising a further. 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되도록 공급되는 복수의 세정조에 웨이퍼를 순차적으로 투입하여 세정하는 방법에 있어서,In the method of cleaning by sequentially input the wafer into a plurality of cleaning tanks supplied so that the chemical or ultrapure water overflows, 웨이퍼카세트로부터 웨이퍼를 분리시키는 단계(S10)와,Separating the wafer from the wafer cassette (S10); 상기 웨이퍼를 세정하기 위해 투입할 세정조에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S20)와,Detecting whether the chemical or ultrapure water overflows in the cleaning bath to be injected to clean the wafer (S20); 상기 세정조에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되면 상기 웨이퍼를 오버플로우되는 상기 세정조에 투입하는 단계(S30)와,If the chemical or ultrapure water in the cleaning tank overflows, injecting the wafer into the overflowing cleaning tank (S30); 상기 세정조에 상기 웨이퍼를 투입 후 세정에 필요한 시간이 경과되었는지를 확인하는 단계(S40)와,Checking whether the time required for cleaning after the wafer is put into the cleaning tank has been elapsed (S40); 상기 세정조에 상기 웨이퍼 투입 후 세정에 필요한 시간이 경과하면 상기 세정조로부터 상기 웨이퍼를 꺼내서 투입해야 하는 다른 세정조가 존재하는지 판단하여 다른 세정조가 존재하면 상기 오버플로우 감지단계(S20), 상기 세정조 투입단계(S30) 및 상기 시간 경과 확인단계(S40)를 실시하는 단계(S50)와,When the time required for cleaning after the wafer is added to the cleaning tank has passed, it is determined whether there is another cleaning tank to take out the wafer from the cleaning tank, and if there is another cleaning tank, the overflow detection step (S20) and the cleaning tank are inserted. Performing a step S30 and the time elapsed checking step S40; 상기 세정조로부터 상기 웨이퍼를 꺼내서 투입해야 하는 다른 세정조가 없으면 상기 웨이퍼를 웨이퍼카세트에 장착하여 언로딩시키는 단계(S60)If there is no other cleaning tank to remove and insert the wafer from the cleaning tank, mounting and unloading the wafer in the wafer cassette (S60). 를 포함하는 웨이퍼 세정방법.Wafer cleaning method comprising a. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 세정조에 상기 웨이퍼를 투입 후 세정에 필요한 시간이 경과되었는지를 확인하는 단계(S40)에서 상기 세정조에 상기 웨이퍼 투입후 세정에 필요한 시간이 미경과시 상기 웨이퍼가 투입되어 있는 상기 세정조에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S41)In the step S40 of checking whether the time required for cleaning after the wafer is added to the cleaning bath has elapsed, the chemical or the wafer is inserted into the cleaning bath when the time required for cleaning after the wafer is not added to the cleaning bath has elapsed. Detecting whether ultrapure water overflows (S41) 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.Wafer cleaning method comprising a further. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, 웨이퍼를 세정하기 위해 투입할 세정조에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S20) 또는 상기 웨이퍼가 투입되어 있는 상기 세정조에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S41)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 감지하면 경보를 발생시키는 단계(S70)In step S20 of detecting whether the chemical or ultrapure water overflows in the cleaning tank to be injected to clean the wafer, or in step S41 of detecting whether the chemical or ultrapure water overflows in the cleaning tank into which the wafer is introduced. Step (S70) for generating an alarm when detecting that the chemical or ultrapure water does not overflow 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.Wafer cleaning method comprising a further. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 웨이퍼를 세정하기 위해 투입할 세정조에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S20) 또는 상기 웨이퍼가 투입되어 있는 상기 세정조에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되는지를 감지하는 단계(S41)에서 케미컬 또는 초순수가 오버플로우되지 못함을 감지하면 상기 웨이퍼를 초순수가 채워진 세정조중에서 오버플로우됨이 감지되는 세정조로 투입하여 대기시키는 단계(S80)In step S20 of detecting whether the chemical or ultrapure water overflows in the cleaning tank to be injected to clean the wafer, or in step S41 of detecting whether the chemical or ultrapure water overflows in the cleaning tank into which the wafer is introduced. When detecting that the chemical or ultrapure water does not overflow, the wafer is put into the cleaning tank that is detected to overflow in the cleaning tank filled with ultrapure water (S80) 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.Wafer cleaning method comprising a further.
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