KR100935761B1 - 이미지 센서의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 포토다이오드, 게이트 및 콘택을 포함하는 제1절연막을 포함하는 소자가 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 콘택을 포함하는 상기 제1절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 식각공정을 진행하여 상기 제1절연막 상에 금속막 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 및 금속막 패턴이 형성된 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 제1공정 및 제2공정을 진행하여, 상기 식각공정시 발생된 불순물 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 제1 및 제2공정이 진행된 상기 금속막 패턴을 포함하는 상기 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
콘택
Description
실시예는 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
실시예는 이미지 센서에서 콘택 형성시 공정을 단순화 할 수 있는 이미지 센서의 제조 방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 포토다이오드, 게이트 및 콘택을 포함하는 제1절연막을 포함하는 소자가 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 콘택을 포함하는 상기 제1절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 식각공정을 진행하여 상기 제1절연막 상에 금속막 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 및 금속막 패턴이 형성된 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 제1공정 및 제2공정을 진행하여, 상기 식각공정시 발생된 불순물 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 제1 및 제2공정이 진행된 상기 금속막 패턴을 포함하는 상기 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 금속배선 형성을 위해 식각공정을 진행하여 금속막 패턴을 형성한 후, 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 제1공정 및 제2공정을 진행하여 상기 금속막 패턴에 남겨진 Cl 이온 및 포토레지스트 패턴을 모두 제거할 수 있어, 금속배선의 부식(corrosion)을 방지할 수 있다.
반도체 기판의 전면 및 후면에 제1공정 및 제2공정을 진행하여, 금속배선의부식을 방지함으로써, 소자의 불량을 최소화할 수 있어, 수율을 증가시킬 있어, 이 미지 센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 포토다이오드, 게이트 및 콘택을 포함하는 제1절연막을 포함하는 소자가 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 콘택을 포함하는 상기 제1절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 식각공정을 진행하여 상기 제1절연막 상에 금속막 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 및 금속막 패턴이 형성된 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 제1공정 및 제2공정을 진행하여, 상기 식각공정시 발생된 불순물 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 제1 및 제2공정이 진행된 상기 금속막 패턴을 포함하는 상기 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
실시예의 설명에 있어서 씨모스 이미지 센서(CIS)에 대한 구조의 도면을 이용하여 설명하나, 본 발명은 씨모스 이미지 센서에 한정되는 것이 아니며, CCD 이미지센서 등 모든 이미지센서에 적용이 가능하다.
도 1 내지 도 4는 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 따른 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 포토다이오드(30) 및 플로팅 확산(floating diffusion) 영역(40)을 포함하는 반도체 기판(10) 상에 게이트(45) 및 콘택(95)이 형성된 제1절연막(60) 및 보호막(70)이 형성된다.
반도체 기판(10)은 고농도의 p++형 실리콘 기판 상에 저농도의 p형 에피층(미도시)이 형성될 수 있다.
이는, 저농도의 p에피층이 존재하므로 포토다이오드의 공핍영역(Depletion region)을 크고, 깊게 증가시킬 수 있어 광전하를 모으기 위한 포토다이오드의 능력(ability)을 증가시킬 수 있다.
또한, p형 에피층의 하부에 고농도의 p++형 기판을 갖게 되면, 이웃하는 단위화소(pixel)로 전하가 확산되기 전에 상기 전하가 재결합(Recombination)되기 때문에 광전하의 불규칙 확산(Random Diffusion)을 감소시켜 광전하의 전달 기능 변화를 감소시킬 수 있기 때문이다.
상기 반도체 기판(10)에는 소자분리막(5)이 형성되며, 상기 소자 분리막(5)은 상기 반도체 기판(10)에 트렌치를 형성한 후, 절연물질을 매립하여 형성할 수 있다.
상기 게이트(45)는 상기 반도체 기판(10)에 산화막 및 폴리실리콘을 형성하고, 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 게이트(45)는 트랜스퍼게이트(transfer gate)가 될 수 있다.
본 실시예에서 상기 게이트(45)는 폴리실리콘으로 형성되지만, 이에 한정하지 않고, 상기 게이트(45)는 금속실리사이드막을 포함하여 형성될 수 있다.
그리고, 상기 포토다이오드(30)는 제1불순물 영역(15) 및 제2불순물 영 역(20)을 포함하며, 상기 제1불순물 영역(15)은 n형 불순물로 형성되며, 상기 제2불순물 영역(20)은 p형 불순물로 형성된다.
상기 제3불순물 영역(40)은 플로팅 확산(Floating Diffusion) 영역이 될 수 있다.
그리고 상기 게이트(45)를 포함하는 상기 반도체 기판(10) 상에는 질화막(50)이 형성되어, 상기 게이트(45) 및 상기 반도체 기판(10)에 형성된 상기 포토다이오드(30) 및 제3불순물 영역(40)을 보호할 수 있다.
그리고, 상기 제1절연막(60)은 산화막으로 형성되며, 상기 보호막(70)은 실란(SiH4) 가스를 이용한 산화막으로 형성된다.
상기 보호막(70)은 하부에 형성된 제1절연막(60)에 불순물들이 침투하는 것을 방지하여 소자에 결함(defect)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 콘택(95)은 상기 보호막(70), 제1절연막(60) 및 절연막(50)에 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀을 금속물질로 매립하여 형성된다.
상기 금속물질은 텅스텐(W)이 될 수 있다.
이어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 콘택(95)을 포함하는 상기 절연막(60) 및 보호막(70) 상에 금속막(80) 상에 포토레지스트 패턴(100)을 형성한다.
상기 포토레지스트 패턴(100)은 금속배선이 형성될 영역에 형성될 수 있다.
상기 금속막(80)은 알루미늄(Al)이 될 수 있다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트 패턴(100)을 마스크로 식각공정을 진행하여 상기 제1절연막(60) 상에 금속막 패턴(85)을 형성한다.
이때, 상기 금속막 패턴(85)을 형성하기 위한 식각공정시 사용하는 가스에 의해, 상기 금속막 패턴(85)에는 Cl 이온이 남겨진다.
상기 금속막 패턴(85)을 형성하기 위한 식각공정시 발생된 Cl 이온은 상기 금속막 패턴(85)에 남겨져, 상기 금속막 패턴(85)의 부식(corrosion)을 유발시킨다.
상기 금속막 패턴(85)에 발생한 부식은 이미지 센서의 성능에 치명적인 결함(defect)을 발생시켜, 소자의 불량을 초래하게 된다.
특히, 상기 Cl 이온이 대기중의 H2O와 만나게 되면, 부식속도가 더욱 빨라지며, 이러한 현상은 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 영역에서 주로 발생한다.
따라서, 본 실시예에서는 제1공정 및 제2공정을 실시하여, 상기 반도체 기판(10)의 전면 및 후면에 발생된 상기 Cl 이온을 제거하고, 상기 포토레지스트 패턴(100) 및 포토레지스트 잔류물을 모두 제거하고자 한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(10)을 공정 챔버(7)에 장착한 후, 상기 반도체 기판(10)의 전면에 제1공정을 진행한다.
상기 제1공정은 상기 공정 챔버(7)에 배치된 척(chuck, 3)과 상기 반도체 기판(10)이 접하도록, 상기 척(3) 상에 상기 반도체 기판(10)을 장착한다.
상기 제1공정은 상기 반도체 기판(10)의 전면에 남겨진 Cl 이온(90)을 제거하는 제1세정공정 및 상기 금속막 패턴(85) 상에 형성된 상기 포토레지스트 패턴(100)을 제거하는 제1애싱공정으로 진행된다.
이때, 상기 제1세정공정은 175~358 ℃에서 525~975 sccm의 기체상태의 H2O를 14~39 초 동안 주입하여 진행되며, 제1애싱공정은 700~3900 sccm의 O2 가스 및 350~1300 sccm의 N2가스를 주입하고, 700~2600 W의 파워(power)로 42~156 초 동안 플라즈마 공정으로 진행된다.
상기 제1세정공정은 DC 파워로 진행될 수 있다.
상기 제1세정공정에서 상기 척(3)의 온도가 175~358 ℃이며, 상기 척(3)의 온도에 의해 유입된 H2O 기체와 Cl 이온(90)이 반응하여 HCl이 되고, 상기 HCl은 공정 챔버 외부로 배출될 수 있다.
그리고, 상기 제1애싱공정에서 O2 가스를 이용한 플라즈마 공정을 진행하여, 상기 포토레지스트 패턴(100)과 O2 가스의 반응으로 인해 상기 포토레지스트 패턴(100)이 제거된다.
그러나, 상기 제1공정으로 상기 반도체 기판(10)에 형성된 상기 Cl 이온(90)이나, 상기 포토레지스트 패턴(100)의 잔류물들이 모두 제거되지는 않는다.
즉, 상기 반도체 기판(10)의 후면에도 상기 Cl 이온(90)이나, 상기 포토레지스트 패턴(100)의 잔류물들이 존재하기 때문에, 이후 공정진행시 상기 반도체 기판(10)의 후면에 남겨진 불순물에 의해 이미지 센서의 결함이 발생된다.
따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(10)의 후면에 제2공정을 진행한다.
상기 제2공정은 상기 공정 챔버(7)에 배치된 척(3)과 상기 반도체 기판(10) 사이에 간격을 두고, 상기 척(3) 상에 상기 반도체 기판(10)을 장착한다.
이때, 상기 척(3) 상에는 상기 반도체 기판(10)과 간격을 유지시켜주는 핀(4)이 형성될 수 있다.
상기 제2공정은 상기 반도체 기판(10)의 후면에 남겨진 상기 Cl 이온(90)을 제거하는 제2세정공정 및 상기 포토레지스트 패턴(100)의 잔류물을 제거하는 제2애싱공정으로 진행된다.
이때, 상기 제2세정공정은 175~358 ℃에서 525~975 sccm의 기체상태의 H2O를 14~39 초 동안 주입하여 진행되며, 제2애싱공정은 700~3900 sccm의 O2 가스 및 350~1300 sccm의 N2가스를 주입하고, 700~2600 W의 파워(power)로 42~156 초 동안 플라즈마 공정으로 진행된다.
상기 제2세정공정은 DC 파워로 진행될 수 있다.
상기 제2세정공정에서 상기 척(3)의 온도가 175~358 ℃이며, 상기 척(3)의 온도에 의해 유입된 H2O 기체와 상기 반도체 기판(10)의 후면에 남겨진 상기 Cl 이온(90)이 반응하여 HCl이 되고, 상기 HCl은 공정 챔버 외부로 배출될 수 있다.
그리고, 상기 제2애싱공정에서 O2 가스를 이용한 플라즈마 공정을 진행하여, 포토레지스트의 잔류물과 O2 가스의 반응으로 인해 포토레지스트 잔류물이 제거된다.
상기의 제1 및 제2공정을 진행하여, 상기 반도체 기판(10)의 전면 및 후면에 형성된 Cl 이온(90)을 모두 제거하고, 상기 포토레지스트 패턴(100) 및 상기 반도체 기판의 후면에 남겨진 포토레지스트의 잔류물도 모두 제거될 수 있다.
그리고, 상기 제1공정 및 제2공정은 복수회 반복하여 진행될 수 있다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 금속막 패턴(85)을 포함하는 상기 제1절연막(60) 및 보호막(70) 상에 제2절연막(87)을 형성하여 금속배선을 형성한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 금속배선 형성을 위해 식각공정을 진행하여 금속막 패턴을 형성한 후, 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 제1공정 및 제2공정을 진행하여 상기 금속막 패턴에 남겨진 Cl 이온 및 포토레지스트 패턴을 모두 제거할 수 있어, 금속배선의 부식(corrosion)을 방지할 수 있다.
반도체 기판의 전면 및 후면에 제1공정 및 제2공정을 진행하여, 금속배선의부식을 방지함으로써, 소자의 불량을 최소화할 수 있어, 수율을 증가시킬 있어, 이미지 센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응 용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 4는 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 따른 도면이다.
Claims (6)
- 반도체 기판 내부에 형성된 포토다이오드, 상기 반도체 기판 상부에 형성된 게이트, 상기 게이트를 덮도록 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1절연막 및 상기 제1절연막을 관통하는 콘택을 포함하는 소자가 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 콘택을 포함하는 상기 제1절연막 상에 금속막을 형성하는 단계;상기 콘택과 대응되는 상기 금속막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 금속막에 식각공정을 진행하여 상기 콘택을 포함하는 제1절연막 상에 금속막 패턴을 형성하는 단계;적층된 상기 포토레지스트 패턴 및 금속막 패턴이 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 제1공정을 진행하여, 상기 식각공정시 발생된 상기 반도체 기판 전면의 불순물 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고,상기 반도체 기판의 후면에 제2공정을 진행하여, 상기 식각공정시 발생된 불순물 및 남겨진 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및상기 제1 및 제2공정이 진행된 상기 금속막 패턴을 포함하는 상기 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1공정과 제2공정은 모두 플라즈마 공정과 애싱공정을 포함하여 진행되는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1공정은 공정 챔버에 배치된 척(chuck)과 상기 반도체 기판의 소자가 형성되지 않은 기판의 이면이 접하도록 상기 척에 상기 반도체 기판을 장착하여 진행하고,상기 제2공정은 상기 공정 챔버에 배치된 상기 척과 상기 반도체 기판 사이에 간격을 두고, 상기 척 상에 상기 반도체 기판의 소자가 형성된 면을 장착하여 진행하는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1공정은 상기 반도체 기판의 전면에 상기 금속막 패턴 형성을 위한 식각공정시 발생된 Cl 이온을 제거하는 제1세정공정 및 상기 금속막 패턴 상에 형성된 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 제1애싱공정으로 진행되는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제2공정은 상기 반도체 기판의 후면에 상기 금속막 패턴 형성을 위한 식각공정시 발생된 Cl 이온을 제거하는 제2세정공정 및 상기 반도체 기판의 후면에 남겨진 상기 포토레지스트 패턴의 잔여물을 제거하는 제2애싱공정으로 진행되는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 3항 또는 제 4항에 있어서,제1 및 제2세정공정은 175~358 ℃에서 525~975 sccm의 기체상태의 H2O를 14~39 초 동안 주입하여 진행하며, 제1 및 제2애싱공정은 700~3900 sccm의 O2 가스 및 350~1300 sccm의 N2가스를 주입하고, 700~2600 W의 파워(power)로 42~156 초 동안 진행하는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 및 제2공정을 복수회 진행하는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
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| JP2006041101A (ja) | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100702796B1 (ko) | 2005-10-28 | 2007-04-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 금속 배선 상의 결함 제거 방법 |
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- 2007-12-27 KR KR1020070139368A patent/KR100935761B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
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| KR100702796B1 (ko) | 2005-10-28 | 2007-04-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 금속 배선 상의 결함 제거 방법 |
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