KR100933441B1 - 음이온 계면 활성제를 이용한 수분산 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 제조 방법 및 그 용액 - Google Patents

음이온 계면 활성제를 이용한 수분산 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 제조 방법 및 그 용액 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수분산형 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜 단량체와 음이온 계면활성제, 산화제를 이용하여 수분산 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액을 제조하는 것에 관한 것이다.
폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액, 음이온 계면활성제, 수분산

Description

음이온 계면 활성제를 이용한 수분산 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 제조 방법 및 그 용액{PROCESS FOR PRODUCING WATER-BASED POLY(3, 4-ETHYLENEDIOXYTHIOPHENE) SOLUTIONS USING ANIONIC SURFACTANTS AND THE SOLUTIONS}
본 발명은 다양한 음이온 계면활성제를 도펀트로 사용하여 수분산 또는 후처리 공정을 통하여 유기 용제에 분산될 수 있는 전도성 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 수용액 중에서 음이온 계면활성제를 이용하여 화학적 중합반응에 의한 수용성 p-공액 중합체의 제조 방법에 관한 것이다. p-공액 중합체 유형의 화합물은 최근 십 년간 많은 문헌의 주제였다. 이들은 또한 전도성 중합체 또는 합성 금속으로 공지되어 있다.
주 사슬을 따라 p-전자의 현저한 비편재화 때문에 이들 중합체는 비선형의 광학 특성을 나타내고, 산화 또는 환원 후에는 우수한 전자 전도체이다. 예를 들면 섬유, 플라스틱, 필름, 코팅, 접착제, 페인트, 포장재, 대전방지 재료와 같은 많은 실제적인 응용 분야에서 인류의 생활 소재로서 중요한 위치를 차지하고 있다.
공지된 p-공액 중합체의 예는 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌 및 폴리(p-페닐렌비닐렌)이다. 이들은 다양한 화학적 및 전기화학적 중합 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 이들 p-공액 중합체의 공업적 제조의 경우, 단량체 화합물의 화학적 중합방법이 가장 선호되는 방법이다. 일반적으로 전도성 고분자는 도핑 과정을 거쳐 절연체로부터 전기전도성을 나타내는 전도체로 조절할 수 있지만 비편재화된 이중결합에 의한 강한 상호작용으로 인하여 용매에 대한 용해도가 매우 낮은 특성이 있다. 그러나 도펀트를 사용하여 전도도 향상과 용매에 대한 용해도를 증가시킬 수 있으며 이러한 과정은 정전기 방지 제품 및 전자파 차폐 재료의 상업적 이용을 위해서 사용되는 코팅액과의 혼합을 위해서 반드시 용해되는 특성이 있어야 한다.
이러한 목적을 위해 전도성 고분자의 도펀트로써 인산, 카르복실산, 그리고 술폰산 작용기가 치환된 도펀트를 많이 사용하고 있으며 특히 높은 전도도와 우수한 도핑성을 위해서 술폰산 작용기를 가진 화합물을 가장 많이 사용하고 있다.
그러나 술폰산 치환기가 포함된 단량체형 도펀트 경우에는 도핑이 잘 되는 특성이 있지만 장시간 사용하거나 고온 조건에서 도펀트가 전도성 고분자 주쇄에서 탈락 되는 탈도핑 현상이 나타나는 단점이 있었으며, 또한 술폰산 치환체가 포함된 고분자형 도펀트는 분자량이 큰 술폰화스티렌 고분자 주쇄에 전도성 고분자가 연결 되어 도핑된 형태로 존재한다. 이때 100% 술폰화된 고분자는 극성이 높아져 물에만 용해되는 특성을 나타내며, 전도성 고분자 합성 시 수용액상에만 분산되는 물성을 나타낸다.
본 발명은 하기 화학식 1의 3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜 단량체와 도펀트로 사용하는 하기 화학식 2 내지 9의 음이온 계면활성제 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상으로 조성된 산화제를 중합시킨 후 PEDT/PSS와 비교하여 유사 또는 개선된 전기적 또는 광학적 특성이 있고, PSS를 사용하지 않는 새로운 수용성 및 후처리 공정을 통하여 유기 용제에 분산되는 p-공액 중합체를 제조하는 음이온 계면 활성제를 이용한 수분산 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 제조 방법 및 그 용액의 제공을 발명의 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 하기 화학식 1의 3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜 단량체와,
도펀트로 하기 화학식 2 내지 9의 음이온 계면활성제 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상으로 조성되는 것을 산화제와 함께 25℃에서 교반속도 300 ~ 1000rpm에서 중합시켜,
화학식 10인 수용액상의 수분산 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액을 제조하는 방법을 발명의 주요 기술적 구성으로 한다.
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상기 화학식 2 내지 9의 알킬 치환체 R은 탄소 4개 ~ 18개의 알킬, 이소알킬, 알콕시, 알콕시알킬, 알킬설퍼닐, 알콕시설퍼닐, 알킬실란, 알콕시실란 중 선택되는 어느 1종이며, 상기 화학식 2 내지 9의 금속이온 M은 Li, Na, Mg, K, Ca 중 선택되는 어느 1종 또는 아민류로 중화된 화합물이다.
그리고, 화학식 2 내지 9의 설포네이트와 설페이트는 카르복실레이트, 포스페이트, 시아네이트, 시릴케이트 중 선택되는 어느 1종으로 대체가능한 것을 특징으로 한다.
이하, 상기 기술적 구성을 더욱 상세히 살펴보도록 한다.
본 발명의 수분산 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 제조는 상기 화학식 1의 3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜 단량체를 상기 화학식 2 내지 9의 도펀트와 함께, 반응 온도 -10 ~ 150℃, 바람직하게는 0 ~ 100℃, 더욱 바람직하게는 20 ~ 60℃에서 수행한다.
또한 상기 반응은 아르곤 또는 질소와 같은 불활성 기체의 버블링(bubbling)상태에서, 즉 산소가 제거된 조건에서 제조되고, 산화제를 사용하여 1시간 내지 48시간 동안 교반시켜 중합 후 수용액상에 분산하여 제조한다. 분산은 고전단 미크로플루이다이저를 사용하여 10 ~ 100MPa 조건으로 제조한다. 제조한 용액은 화학식 10의 수용액상에 용해된 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/음이온 계면활성제의 청색 분산액으로 제조되게 된다.
상기 교반은 50 ~ 1500rpm, 바람직하게는 100 ~ 1000rpm, 더욱 바람직하게는 200 ~ 700rpm의 속도에서 수행한다.
상기 도펀트는 전도성 고분자 중합에 사용되는 단량체 100 중량부에 대하여 1 내지 600 중량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 60 내지 200 중량부를 사용한다. 그리고 상기 산화제는 단량체 100 중량부에 대하여 0.5 내지 500 중량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 100 내지 300 중량부를 사용한다. 또한 음이온 계면활성제를 도펀트로 사용하여 전도성 고분자를 합성한다. 합성 후 분산은 10 ~ 100MPa 조건으로 고전단 미크로플루이다이저를 사용하여 분산한다.
상기 음이온 계면활성제 도펀트의 산가를 증가시키면 반응속도가 빨라지고 수율이 증가하게 되지만 주된 도펀트는 설포네이트와 설페이트외에 카르복실레이트, 포스페이트, 시아네이트인 음이온이므로 도펀트의 몰농도는 상기 화학식 10인 수용액상의 폴리 용액 전체에 대해 5 ~ 95% 범위이며 산도는 6.5 ~ 5.0 사이로 조절하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 도펀트의 몰농도가 5%미만 이거나 산도가 5 미만인 경우에는 도펀트로써 역할을 할 수 있는 설포네이트와 설페이트외에 카르복실레이트, 포스페이트, 시아네이트인 음이온의 농도가 충분하지 않으므로 고분자와의 도핑이 효과적으로 이루어지지 않고, 반면에 상기 몰농도가 95%를 초과하거나 산도가 6.5를 초과하는 경우에는 원하는 고분자의 물성을 얻을 수 없다.
상기 화학식 2 내지 화학식 9로 나타낸 화합물은 음이온 계면활성제 도펀트로써 알킬 치환체 R을 구체적으로 예를 들면 탄소수가 4 ~ 18개의 알킬, 이소알킬, 알콕시, 알콕시알킬, 알킬설퍼닐, 알콕시설퍼닐, 알킬실란, 알콕시실란 중 선택되는 어느 1종이며, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 음이온 특성을 나타내는 작용 관능기는 설포네이트, 설페이트외에 카르복실레이트, 포스페이트, 시아네이트 중 선택되는 어느 1종이고, 금속이온 M은 Li, Na, Mg, K, Ca 중 선택되는 어느 1종 또는 아민류로 중화된 화합물이다.
상기 산화제는 파라톨루엔황산철(III), 벤젠황산철(III), 메타톨루엔황산철(III), 트리플로로황산철(III), 황산철(III) 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이 상인 것을 사용하며 이들 산화제는 반응 속도가 빠른 장점이 있으나 부분적으로 고분자의 도핑 역할을 방해하기 때문에 전체 반응물에 대하여 50 중량부 미만을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 중합반응시 물을 용매로 하여 진행하고, 이상의 제조된 수분산 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액은 그 자체로도 대전방지 조성물을 이룰 수 있는 것으로, 프리즘 필름, 확산 필름, 반사 시트, 도광판 또는 광학 필름의 필름 소재, 터치패널, 유기EL, LCD, PDP, EL 키패드 및 Flexible display용 PET, PC, Acryl 필름 또는 Shield room용 투명 전극 소재, 파티션, 바닥재, 벽재, Spacer 테이프, 전공 성형 트레이, IC chip용 케리어 테이프, LCD 모듈 트레이를 포함하는 반도체, LCD 및 PDP의 크린룸 소재 또는 전자제품 포장재에 적용할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 전도성 고분자의 합성은 산도가 적절히 조절된 음이온 계면활성제를 도펀트로 사용함으로써 단량체 도펀트를 사용할 때 나타나는 탈도핑 현상을 방지하고, 기존의 전도성 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜)에 비하여 전도성이 우수한 수용액상의 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 제조 방법을 제공한다.
그리고, 상기 음이온 계면활성제를 도펀트로 사용한 전도성 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액은 전도성뿐 아니라 가공성 측면에서 장점이 있으며, 정 전기방지 재료, EMI shielding (전자기 방해차폐, 정전기제어, 전파차폐), 화학센서, 엑츄에이터, 2차전지, 전기도료, 기능성촉매, PDP(Plasma Display Panel) 광학필터, OLED(Organic Light Emitting Diode) 및 LCD(Liquid Crystal Display), 터치스크린, 휴대폰용 EL, TFT(Thin Film Transistor)용 단자전극 및 RFID(Radio Frequency Identification)용 안테나, 대전방지막, 대전방지 필름, 투명전도성 전극, 무기 EL용 재료, 캐패시터용 전해질 재료 등의 응용분야에 적용이 가능하다.
이하 상기의 기술적 구성에 대해 비교 및 실시 예를 통해 구체적인 내용을 설명하고자 한다. 그러나 이들이 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다.
실시 예 1
25℃에서 교반기와 질소 충진 장치가 부착된 5L 반응기에 2.5L의 증류수와 31%의 SLS(Sodium Lauryl Sulfate) 145g을 넣고 300rpm으로 교반한다. 30분 동안 질소 버블링 후, 28.1g (0.2mol)의 3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜과 66g (0.27mol)의 소듐퍼설페이트와 황산철 0.5g (125mmol)을 적가하여 고분자 반응을 진행한다. 혼합물을 25℃에서 24시간 동안 교반한 후, 이온 교환수지(300mL LewatitTM S100MB + 500mL LewatitTM M600MB)를 2회 통과시킴으로써 잔류하는 개시제 및 산화제 이온을 제거한다. 추가로 90℃에서 1시간 교반한 후 고전단 마크로플루이다이저를 사용하여 15MPa 조건에서 분산 처리하여 제조하였다.
상기 실시 예 1의 분산액을 이용하여 제조되는 타입 1의 전기전도층
ZONYL® FSO100을 상기 실시 예 1의 분산액에 첨가하여 코팅 분산액을 제조하여 20.6㎛의 폴리(에틸렌 테레프탈레이트) 지지체에 bar 코팅하고 90℃에서 3분 동안 건조시켜서 하기의 조성을 갖는 타입 1의 층을 제조하였다.
PEDOT / SLS 99%
ZONYL FSO100 1%
상기 실시 예 1의 분산액을 이용하여 제조된 전기전도층의 특성
25℃의 온도 및 37%의 상대습도인 실내 조건에서 층의 표면저항을 측정하였다. 표면비저항(Ω/□)은 Probe(SRM-110)과 FLUKE(8846A)를 사용하여 측정하였으며 결과를 표 1에 나타내었다.
실시 예 2
25℃에서 교반기와 질소 충진 장치가 부착된 5L 반응기에 2.0L의 증류수와 70%의 SLES (Sodium Lauryl Ether Sulfate) 56g을 넣고 교반한다. 30분 동안 질소 버블링 후, 22.48g (0.16mol)의 3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜과 52.8g (0.22mol)의 소듐퍼설페이트와 황산철 0.4g (1.00mol)을 적가하여 고분자 반응을 진행한다. 혼합물을 25℃에서 24시간 동안 교반한 후, 이온 교환수지(300mL LewatitTM S100MB + 500mL LewatitTM M600MB)를 2회 통과시킴으로써 잔류하는 개시제 및 산화제 이온을 제거한다. 추가로 90℃에서 1시간 교반한 후 고전단 미크로플루이다이저를 사용하여 15MPa 조건에서 분산 처리하여 제조하였다.
상기 실시 예 2의 분산액을 이용하여 제조된 타입 2의 전기전도층
ZONYL® FSO100을 상기 실시 예 2의 분산액에 첨가하여 코팅 분산액을 제조하여 20.6㎛의 폴리(에틸렌 테레프탈레이트) 지지체에 bar 코팅하고 90℃에서 3분 동안 건조시켜서 하기의 조성을 갖는 타입 2의 층을 제조하였다.
PEDOT / SLES 99%
ZONYL FSO100 1%
상기 실시 예 2의 분산액을 이용하여 제조된 전기전도층의 특성
25℃의 온도 및 37%의 상대습도인 실내 조건에서 층의 표면저항을 측정하였다. 표면비저항(Ω/□)은 Probe(SRM-110)과 FLUKE(8846A)를 사용하여 측정하였으며 결과를 표 1에 나타내었다.
실시 예 3
25℃에서 교반기와 질소 충진 장치가 부착된 5L 반응기에 2.5L의 증류수와 40%의 SOS (Sodium Octyl Sulfate) 240g을 넣고 교반한다. 30분 동안 질소 버블링 후, 56.2g (0.39mol)의 3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜과 132g (0.55mol)의 소듐퍼설페이트와 황산철 1.0g (2.5mmol)을 적가하여 고분자 반응을 진행한다. 혼합물을 25 ℃에서 12시간 동안 교반한 후, 이온 교환수지(300mL LewatitTM S100MB + 500mL LewatitTM M600MB)를 2회 통과시킴으로써 잔류하는 개시제 및 산화제 이온을 제거한다. 추가로 90℃에서 1시간 교반한 후 고전단 미크로플루이다이저를 사용하여 15MPa 조건에서 분산 처리하여 제조하였다.
상기 실시 예 3 분산액을 이용하여 제조된 타입 3의 전기전도층
ZONYL® FSO100을 상기 실시 예 3의 분산액에 첨가하여 코팅 분산액을 제조하여 20.6㎛의 폴리(에틸렌 테레프탈레이트) 지지체에 bar 코팅하고 90℃에서 3분 동안 건조시켜서 하기의 조성을 갖는 타입 3의 층을 제조하였다.
PEDOT / SOS 99%
ZONYL FSO100 1%
상기 실시 예 3의 분산액을 이용하여 제조된 전기전도층의 특성
25℃의 온도 및 37%의 상대습도인 실내 조건에서 층의 표면저항을 측정하였다. 표면비저항(Ω/□)은 Probe(SRM-110)과 FLUKE(8846A)를 사용하여 측정하였으며 결과를 표 1에 나타내었다.
표 1)
구분 타입 1 타입 2 타입 3
RPM 300 300 300
표면비저항(Ω/□) 1.4E+06 1.2E+06 2.04E+06
실시 예 4
상기 실시 예 2의 교반속도를 400 ~ 1000rpm으로 변경하고 실시 예 2와 동일한 방법으로 실시하여 타입 4 내지 7의 층을 제조하였으며, 그 결과는 표 2에 나타내었다.
표 2)
구분 타입 4 타입 5 타입 6 타입 7
RPM 400 500 600 800
표면비저항(Ω/□) 2.0E+06 1.8E+06 1.8E+06 1.4E+06
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 교반속도가 높아짐에 따라 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 표면비저항은 감소함을 확인할 수 있었고 이는 용액 상태에서의 입자의 균질도에 의한 차이일 것이라 생각된다.
실시 예 5
상기 실시 예 2의 분산 조건을 고전단 미크로플루이다이저를 사용하여 15 ~ 100MPa로 변경하고 실시 예 2와 동일한 방법으로 실시하여 타입 8 내지 12의 층을 제조하였다. 결과를 표 3에 나타내었다.
표 3)
구분 타입 8 타입 9 타입 10 타입 11 타입 12
분산 압력(MPa) 15 40 60 80 100
표면비저항(Ω/□) 1.2E+06 1.8E+06 2.7E+06 2.75E+06 4.1E+06
상기 표 3에 나타낸 바와 같이, 분산장비의 압력이 높아짐에 따라 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 표면비저항은 증가함을 확인할 수 있었고 이는 용액 상태에서의 입자의 균질도는 높아지지만 도펀트가 전도성 고분자 주쇄에서 탈락 되는 탈도핑 현상이 나타나는 현상이 일어난다고 생각된다.
실시 예 6
상기 실시 예 2의 질소 버블링을 하지 않은 상태로 변경하고 실시 예 2와 동일한 방법으로 실시하여 타입 13의 층을 제조하였다. 결과를 표 5에 나타내었다.
비교 예 1
25℃에서, 교반기와 질소 유입구가 구비된 적절한 반응 용기에 표 2에 개시한 양만큼의 폴리(스티렌 설폰산)[PSS] (Mw= 290,000) 용액과 표 2에서 소정의 PEDOT-타입에 대해 제시한 양만큼의 탈이온수를 넣고 혼합하였다. 이 혼합물을 통해 질소를 30분간 버블링시킨 후, 표 4에 PEDOT-타입에 대하여 제시한 양만큼의 EDOT를 이 용액에 가하였다. 각각 0.13 및 41.6 mM의 농도에 상응하는 양만큼의 Fe2(SO4)3·9H2O 및 Na2S2O8를 가하여 중합 반응을 개시하였다. 이어서, 반응 혼합물을 25℃에서 7시간 동안 교반한 다음, 소정 PEDOT-타입에 대하여 6.95 mM의 농도에 상응하는 양만큼의 Na2S2O8을 가하였다. 16시간 동안 추가로 반응시킨 후, 반응 혼합물을 이온 교환기로 2회 (1000 mL LewatitTM S100MB + 1000 mL LewatitTM M600MB) 처리하였다.
생성되는 혼합물을 95℃에서 2시간 동안 추가로 열처리하고 생성되는 점액성 혼합물을 고전단 마이크로플루다이저를 사용하여 60MPa 조건으로 처리하였다.
상기 비교 예 1 분산액을 이용하여 제조된 타입 13의 전기전도층
ZONYL® FSO100을 비교 예 1의 분산액에 첨가하여 코팅 분산액을 제조하여 20.6㎛의 폴리(에틸렌 테레프탈레이트) 지지체에 bar 코팅하고 90℃에서 3분 동안 건조시켜서 하기의 조성을 갖는 타입 13의 층을 제조하였다.
PEDOT / PSS 99%
ZONYL FSO100 1%
상기 비교 예 1의 분산액을 이용하여 제조된 전기전도층의 특성
25℃의 온도 및 37%의 상대습도인 실내 조건에서 층의 표면저항을 측정하였다. 표면비저항(Ω/□)은 Probe(SRM-110)과 FLUKE(8846A)를 사용하여 측정하였으며 결과를 표 4에 나타내었다.
표 4)
구 분 EDOT 중량(g) PSS Fe2(SO4)3·9H2O Na2S2O8 물 중량(g)
최초첨가량 7시간 후 첨가량
비교 예 1 10.7 532.5 0.188 21.41 3.58 1976
상기 실시 예 1 내지 6과 비교 예 1에서 제조된 결과를 하기 표 5에 나타내었다.
표 5)
구 분 타입 1 타입 2 타입 3 타입 12 타입 13
표면비저항(Ω/□) 1.4E+06 1.2E+06 2.04E+06 3.0E+06 3.20E+06
상기 표 3,4,5에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 도펀트, 그리고 공정조건를 적용한 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 표면비저항은 기존 PSS를 도펀트로 사용한 수분산 PEDOT 대비 약 3배 정도 향상된 것을 확인할 수 있다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1의 3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜 단량체와,
    도펀트로 음이온 계면활성제를 산화제와 함께 25℃에서 교반속도 300 ~ 1000rpm에서 중합시켜 하기 화학식 10인 수용액상의 폴리 용액을 제조하는 것에 있어서,
    상기 음이온 계면활성제는 하기 화학식 10인 수용액상의 폴리 용액 전체에 대한 몰농도가 5 ~ 95% 범위이고, 산도가 6.5 ~ 5.0인 하기 화학식 2 내지 9인 것임을 특징으로 하는 음이온 계면 활성제를 이용한 수분산 폴리(3, 4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 용액의 제조 방법.
    [화학식 1]
    Figure 112009058643357-pat00011
    [화학식 2]
    Figure 112009058643357-pat00012
    [화학식 3]
    Figure 112009058643357-pat00013
    [화학식 4]
    Figure 112009058643357-pat00014
    [화학식 5]
    Figure 112009058643357-pat00015
    [화학식 6]
    Figure 112009058643357-pat00016
    [화학식 7]
    Figure 112009058643357-pat00017
    [화학식 8]
    Figure 112009058643357-pat00018
    [화학식 9]
    Figure 112009058643357-pat00019
    [화학식 10]
    Figure 112009058643357-pat00020
    상기 화학식 2 내지 9의 알킬 치환체 R은 탄소 4개 ~ 18개의 알킬, 이소알킬, 알콕시, 알콕시알킬, 알킬설퍼닐, 알콕시설퍼닐, 알킬실란, 알콕시실란 중 선택되는 어느 1종이며, 금속이온 M은 Li, Na, Mg, K, Ca 중 선택되는 어느 1종 또는 아민류로 중화된 화합물임.
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