KR100933433B1 - 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법 - Google Patents
플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100933433B1 KR100933433B1 KR1020080110465A KR20080110465A KR100933433B1 KR 100933433 B1 KR100933433 B1 KR 100933433B1 KR 1020080110465 A KR1020080110465 A KR 1020080110465A KR 20080110465 A KR20080110465 A KR 20080110465A KR 100933433 B1 KR100933433 B1 KR 100933433B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- base material
- roughness
- baffle plate
- processing apparatus
- plasma processing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32633—Baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
- 복수의 개구부들을 갖는 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법에 있어서,링 형상의 플레이트 구조를 갖는 모재의 일면에 표면 처리를 수행하여 상기 일면이 중심선 평균 거칠기(Ra)를 기준으로 2㎛ 내지 7㎛의 거칠기를 갖도록 형성시키는 거칠기 형성 단계;상기 모재에 상기 링 형상의 원주 방향을 따라서 공정 가스나 반응 부산물의 배출을 위한 복수의 개구부들을 드릴 또는 밀링 또는 연삭에 의해 형성하는 개구부 형성 단계;상기 개구부들이 형성된 모재를 대상으로 양극 산화 처리를 수행하여 상기 모재의 표면에 산화 피막층을 형성하는 산화 피막층 형성 단계; 및상기 산화 피막층이 형성된 모재의 일면에 용사 피막층을 형성하는 용사 피막층 형성단계를 포함하며,상기 개구부들의 변형 억제를 위하여 상기 개구부 형성 단계는 상기 거칠기 형성 단계 이후에 수행되고, 상기 개구부들은 원형, 타원형, 다각형 또는 슬롯 형상을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 모재의 일면에 형성된 용사 피막층은 그 표면 거칠기가 중심선 평균 거칠기(Ra)를 기준으로 3㎛ 내지 7㎛를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 산화 피막층의 형성이 이루어진 상기 모재의 일면은 그 거칠기가 중심선 평균 거칠기(Ra)를 기준으로 1㎛ 내지 6㎛를 갖도록 상기 산화 피막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 용사 피막층은 산화 알루미늄(알루미나), 산화 이트륨 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 모재의 일면에 대한 표면 처리는 블라스트 처리인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080110465A KR100933433B1 (ko) | 2008-11-07 | 2008-11-07 | 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080110465A KR100933433B1 (ko) | 2008-11-07 | 2008-11-07 | 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080012093A Division KR100872328B1 (ko) | 2008-02-11 | 2008-02-11 | 플라즈마 처리 장치 내부재 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090086896A KR20090086896A (ko) | 2009-08-14 |
KR100933433B1 true KR100933433B1 (ko) | 2009-12-23 |
Family
ID=41206107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080110465A KR100933433B1 (ko) | 2008-11-07 | 2008-11-07 | 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100933433B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101108692B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2012-01-25 | 한국기계연구원 | 다공성 세라믹 표면을 밀봉하는 치밀한 희토류 금속 산화물 코팅막 및 이의 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030063415A (ko) * | 2000-12-12 | 2003-07-28 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 용기의 재생 방법, 플라즈마 처리 용기내부 부재, 플라즈마 처리 용기 내부 부재의 제조 방법,및 플라즈마 처리 장치 |
KR20060111201A (ko) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | 주식회사 코미코 | 플라즈마 처리 용기 내부재 및 그 제조 방법 |
-
2008
- 2008-11-07 KR KR1020080110465A patent/KR100933433B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030063415A (ko) * | 2000-12-12 | 2003-07-28 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 용기의 재생 방법, 플라즈마 처리 용기내부 부재, 플라즈마 처리 용기 내부 부재의 제조 방법,및 플라즈마 처리 장치 |
KR20060111201A (ko) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | 주식회사 코미코 | 플라즈마 처리 용기 내부재 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090086896A (ko) | 2009-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102455673B1 (ko) | 포커스 링 및 기판 처리 장치 | |
US6447853B1 (en) | Method and apparatus for processing semiconductor substrates | |
JP4354243B2 (ja) | 被処理体の昇降機構及び処理装置 | |
KR100921836B1 (ko) | 정전 흡착 전극, 기판 처리 장치 및 정전 흡착 전극의 제조방법 | |
JP5782293B2 (ja) | プラズマ生成用電極およびプラズマ処理装置 | |
KR101261706B1 (ko) | 기판 탑재대, 그 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP5091906B2 (ja) | 被処理体の昇降機構及び処理装置 | |
JP2008103403A (ja) | 基板載置台及びプラズマ処理装置 | |
US20160079040A1 (en) | Plasma Processing Devices Having a Surface Protection Layer | |
US20060207507A1 (en) | Substrate supporting member and substrate processing apparatus | |
JP2006351949A (ja) | 基板載置台、基板処理装置および基板載置台の製造方法 | |
JP6552346B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005064460A (ja) | プラズマ処理装置、フォーカスリング及び被処理体の載置装置 | |
US20070227663A1 (en) | Substrate processing apparatus and side wall component | |
US8869376B2 (en) | Substrate mounting table and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and fluid supply mechanism | |
WO2002058125A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement au plasma | |
US9741540B2 (en) | Method for surface treatment of upper electrode, plasma processing apparatus and upper electrode | |
JP6273188B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
KR100933433B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치용 배플 플레이트의 제조 방법 | |
KR100872328B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 내부재 및 그 제조 방법 | |
JP2006253200A (ja) | 耐エッチング性に優れたエッチャー用リング | |
JP2006339678A (ja) | プラズマ処理装置及び電極部材 | |
JP2007184611A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
KR20180003827A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20060014801A (ko) | 기판 가장자리 식각 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130904 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140917 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150909 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170907 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190909 Year of fee payment: 11 |