KR100930502B1 - 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법 - Google Patents

금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법 Download PDF

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Abstract

열 방출 성능을 크게 향상시킨은 패키지가 가능하도록, 판형상으로 형성되며 일부가 제거되어 반사면을 포함한 방열 효율을 높이기 위한 실장홈을 형성하는 금속 기판과, 금속 기판 상의 실장홈이 형성되지 않는 부분에 형성되는 금속산화물층과, 금속 기판의 실장홈 내에 실장되는 광소자와, 금속산화물층 위에 형성되고 광소자와 전기적으로 연결되는 전극라인을 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼을 제공한다.
광소자, 엘이디, 패키지, 모듈, 산화물, 산화막, 실장, 열방출, 금속, 기판, 반사면

Description

금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법 {Process of Photonic Device Package Platform Using Metal Board}
본 발명은 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 엘이디의 발생열을 효과적으로 방출하고 슬림화가 가능하며 다양한 형상으로 제조하는 것이 가능한 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 엘이디(LED) 등을 비롯한 광소자는 차세대 조명원으로 점차 응용분야가 넓어지고 있다. 그러나 엘이디 등의 광소자에서 발생하는 열로 인하여 효율이 감소되고, 수명이 단축되며, 온도 증가에 따른 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 사이의 다른 파장 변화가 문제로 대두되고 있다. 나아가 엘이디 등의 광소자가 점차 고출력(high power)화 되면서, 발생 열로 인한 문제는 더욱 심각해지고 있다.
따라서 엘이디 등의 광소자에서 발생되는 열을 잘 방출시켜주는 구조가 패키징(packaging) 공정의 핵심적인 부분이지만, 아직까지 효율적인 열방출 구조의 패키지 방식이 제공되고 있지 못한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 점에 착안하여 이루어진 것으로서, 금속 기판을 사용하는 것에 의하여 열 방출 성능을 크게 향상시키고 얇은 패키지가 가능하며 금속산화물층을 형성하므로 바닥 전극 사이의 단락 위험성을 실질적으로 감소시키는 것이 가능한 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 및 그 제조방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
본 발명이 제안하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼은 판형상으로 형성되며 일부가 제거되어 반사면을 포함하는 방열효율을 높이기 위한 실장홈을 형성하는 금속 기판과, 상기 금속 기판 상의 실장홈이 형성되지 않는 부분에 형성되는 금속산화물층과, 상기 금속 기판의 실장홈 내에 실장되는 광소자와, 상기 금속산화물층 위에 형성되고 상기 광소자와 전기적으로 연결되는 전극라인을 포함하여 이루어진다.
상기에서 광소자와 전극라인의 연결은 통전 와이어를 이용하는 것이 가능하다.
상기 금속 기판의 광소자가 설치되는 반대쪽 면에는 열방출효율을 증대시키기 위하여 표면적이 넓어지도록 다수의 방열홈을 형성하는 것도 가능하다.
본 발명의 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법은 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와, 상기 금속 기판을 소정 깊이까지 양극 산화하여 금 속산화물층을 형성하는 단계와, 상기 금속산화물층에 전극라인을 형성하는 단계와, 실장홈을 형성하려는 부분을 제외하고 전극라인과 금속산화물층의 일부에 마스킹을 행하는 단계와, 마스킹을 하지 않은 금속산화물층과 금속 기판을 화학적 식각하여 실장홈을 형성하는 단계와, 상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와, 상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하여 이루어진다.
그리고 본 발명의 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법은 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와, 상기 금속 기판의 실장홈을 형성하지 않을 부분에 선택적 양극 산화를 위한 마스킹을 행하는 단계와, 마스킹을 하지 않은 부분에 선택적 양극 산화를 행하여 금속산화물층을 형성하는 단계와, 마스킹 물질을 제거하는 단계와, 금속산화물층 위에 전극라인을 형성하는 단계와, 전극라인과 금속산화물층을 마스킹하는 단계와, 마스킹되지 않은 부분의 금속 기판을 등방성 화학 식각을 행하여 실장홈을 형성하는 단계와, 마스킹 물질을 제거하는 단계와, 상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와, 상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하여 이루어지는 것도 가능하다.
나아가 본 발명의 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법은 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와, 상기 금속 기판의 한쪽면에 도전성 금속 시트를 이용하여 전극층을 형성하는 단계와, 상기 전극층의 전극라인을 형성하고자 하는 부분에 마스킹을 행하는 단계와, 마스킹을 하지 않은 부분을 식각하여 전극라인을 형성하는 단계와, 전극라인 위에 남아있는 마스킹을 제거하는 단계와, 드릴링을 행하여 실장홈을 형성하는 단계와, 상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와, 상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하여 이루어지는 것도 가능하다.
상기에서 드릴링을 통한 실장홈을 형성하는 단계는 마스킹을 행하는 단계 이전에 실시하는 것도 가능하다.
본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 및 그 제조방법에 의하면, 두께가 얇은 판형상의 금속 기판을 사용하고 방열홈과 반사면을 포함하는 방열효율을 높이기 위한 실장홈을 형성하므로 광소자의 발생열을 효과적으로 방출하는 것이 가능하고, 전체적으로 얇은 패키지를 구현하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼에 의하면, 금속 기판으로 알루미늄 웨이퍼 등을 사용하는 것이 가능하므로, 유연성(flexible)이 있어 패키지 이후에 필요에 따라 임의의 모양으로 변형하거나 휘어서 사용하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 및 금속베이스 표시장치에 의하면, 웨이퍼 레벨의 패키지가 가능하므로 매우 얇게 패키지하는 것이 가능하고, 고집적이 가능하며, 엘이디(LED) 등의 광소자에 대한 어레이 패키지가 용이하여 면광원을 쉽게 구현하는 것이 가능하다.
또 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 및 그 제조방법, 금속베이스 표시장치에 의하면, 드라이버 칩 및 회로도 함께 패키지하는 것이 가능하고, 추후 공정을 다층(multi-layer)으로 진행하는 것도 가능하다.
그리고 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼에 의하면, 금속산화물층을 형성하므로 바닥 전극들 사이의 단락 위험성을 실질적으로 감소시키는 것이 가능하다.
다음으로 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도면에서 동일한 구성은 동일한 부호로 표시하며, 반복적인 상세한 설명은 생략한다.
그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 발명의 실시예들은 해당 기술분야에서 보통의 지식을 가진 자가 본 발명을 이해할 수 있도록 설명하기 위해서 제공되는 것이고, 도면에서 나타내는 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 예시적으로 나타내는 것이다.
본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼의 일실시예는 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 금속 기판(10) 상에 금속산화물층(12)이 선택적 양극 산화를 통하여 형성된다.
상기에서 금속 기판(10)은 열전도율이 합성수지나 세라믹에 비하여 매우 우수한 재료를 이용하여 판형상으로 형성한다. 예를 들면 상기 금속 기판(10)은 0.1∼5mm 정도 두께의 판형상으로 형성하며, 바람직하게는 0.15∼1.0mm 정도로 얇은 두께의 판형상으로 형성하는 것이 좋다.
상기 금속 기판(10)을 형성하기 위한 재료로는 알루미늄, 타이타늄 등이 사용 가능하다.
상기 금속 기판(10)으로 알루미늄을 사용하게 되면, 상기 금속산화물층(12)으로는 알루미늄산화물층이 양극 산화를 통하여 형성된다.
상기 금속산화물층(12)은 금속 기판(10)에 대하여 양극 산화를 행하는 것에 의하여 형성한다.
상기 금속 기판(10)에는 화학적 식각 공정을 통하여 실장홈(14)이 형성된다.
예를 들면, 실장홈(14)을 형성할 부위를 제외한 금속 기판(10) 및 금속산화물층(12)에 마스킹 패턴을 형성하고, 금속 기판(10)에 대하여 화학적 식각(예를 들면 등방성 식각)을 행하면, 금속 기판(10)의 일부가 식각되어 제거되면서 실장홈(14)이 형성된다.
상기 실장홈(14)은 화학적 식각 공정 이외에도 드릴링 등의 기계적(물리적) 방법을 이용하여 형성하는 것도 가능하다.
상기와 같이 형성되는 실장홈(14)의 표면은 반사면으로 기능하게 되며, 상기 광소자(16)가 금속 기판(10)에 둘러 싸인 구조에 의해 광소자(16)에서 발생되는 열을 효율적으로 방출시키는 것이 가능하므로, 방열효율을 크게 향상시키는 것이 가능하다. 또한 상기 실장홈(14)의 표면은 광소자(16)에서 발광된 빛 중에서 측면으로 방출되는 빛을 다시 반사시켜 전방으로 방출시키는 반사면으로도 기능하므로, 발광효율을 향상시키는 것도 가능하다.
상기 실장홈(14)의 측면에 대하여 전해연마(Electro Polishing) 등을 행하게 되면 반사면이 경면과 같이 형성되어, 발광효율 및 방열효율을 극대화하는 것이 가능하다.
상기 실장홈(14)에는 광소자(16)가 실장된다. 상기 광소자(16)로는 발광소자로 엘이디(LED) 등이 사용 가능하다.
상기 실장홈(14)은 실장되는 광소자(16)의 높이에 대응하는 높이로 형성하며, 대략 광소자(16) 높이의 0.25∼5배 정도의 높이로 형성하는 것이 광소자(16)가 실장된 경우에 전체적인 패키지의 두께를 최소화하는 것이 가능하며, 실장홈(14)의 측면에 형성되는 반사면의 높이가 높아져 광효율이 향상되므로 바람직하다.
상기 광소자(16)의 실장은 접착물질 등을 이용하여 금속 기판(10)에 접착하여 설치하는 것도 가능하다.
상기 광소자(16)에는 구리(Cu) 또는 금(Au) 등의 도전성 금속으로 이루어진 전극 단자(18)가 상면에 설치된다.
상기 금속산화물층(12)에는 전극라인(30)이 형성된다.
상기 광소자(16)의 전극 단자(18)와 상기 금속산화물층(12) 위에 형성되는 전극라인(30)은 통전 와이어(28) 등을 사용하여 전기적으로 서로 연결된다.
상기와 같이 통전 와이어(28) 등의 연결작업을 행한 다음, 상기 광소자(16)의 윗부분을 광투과성의 몰딩(molding)재료로 몰딩처리하는 것도 가능하다.
예를 들면 도 4에 나타낸 바와 같이, 몰딩재료로 상기 실장홈(14)을 완전히 매립하여 몰딩층(90)을 형성하는 것에 의하여 상기 광소자(16)를 견고하게 고정 설치하는 것도 가능하다. 여기에서 몰딩층(90)은 상기 광소자(16)와 통전 와이어(28), 전극라인(30)의 통전 와이어(28)와 연결되는 부분 전체를 감싸도록 형성한다.
상기 몰딩층(90)을 형광체가 함유된 몰딩재료를 사용하여 형성하게 되면, 백색광을 만드는 것도 가능하다.
상기와 같이 몰딩층(90)을 형성하게 되면, 통전 와이어(28) 및 광소자(16) 등을 효과적으로 보호하는 것이 가능하며, 몰딩층(90)에 의한 렌즈효과도 얻는 것이 가능하다.
상기 몰딩층(90)을 형성하는 과정에 대하여 설명하면, 도 5에 나타낸 바와 같이, 금속 기판(10)에 2단으로 실장홈(14)을 형성하고 실장홈(14)에 광소자(16)를 실장한 다음, 금속 기판(10) 상에 전극라인(30)을 형성하고, 몰딩재료를 실장홈(14)에 주입하여 몰딩층(90)을 형성하는 단계로 이루어진다.
상기에서 광소자(16)를 실장하는 과정은 금속 기판(10) 상에 전극라인(30)을 형성한 다음에 행하는 것도 가능하다.
상기 2단의 실장홈(14) 형성은 화학적 식각이나 드릴링 등의 방법이 모두 가능하다.
상기에서는 상세하게 나타내지 않았지만, 전극라인(30)과 금속 기판(10) 사이에는 금속산화물층(12)이나 절연층(도면에 나타내지 않음)을 형성한다.
그리고 도 6에 나타낸 바와 같이, 실장홈(14)을 2단으로 형성하지 않은 경우에는 몰딩형성홈(99)이 형성된 몰딩틀(98)을 사용하여 몰딩층(90)을 형성한다.
예를 들면, 금속 기판(10)의 실장홈(14)에 몰딩재료를 주입하여 1차로 몰딩층(90)을 형성하고, 몰딩틀(98)의 몰딩형성홈(99)에 몰딩재료를 채운 상태에서 몰딩틀(98) 위에 1차로 몰딩층(90)이 형성된 부분을 몰딩형성홈(99)에 일치시켜 금속 기판(10)을 뒤집어 조립한 다음 금속 기판(10)과 몰딩틀(98) 양쪽에서 가압하여 밀착시킨 상태로 열경화시키고, 몰딩틀(98)을 제거하는 과정으로 몰딩층(90)을 형성하는 것도 가능하다.
상기와 같이 몰딩틀(98)을 이용하게 되면, 점도가 낮은 몰딩재료를 이용하는 경우에도 효과적으로 렌즈형상으로 몰딩층(90)을 형성하는 것이 가능하다.
도 3에는 열의 방출성능을 더 향상시킬 수 있도록, 전극라인(30) 등이 설치되는 부분에만 금속산화물층(12)을 선택적 양극 산화 방식으로 형성한 실시예를 나타낸다.
즉 금속 기판(10)의 표면쪽에서도 열의 방출이 발생하도록 금속 기판(10)의 표면을 덮는 금속산화물층(12)을 최소한의 면적으로 형성하는 것도 가능하다.
도 3에서 참조부호 70으로 나타낸 부분이 열의 방출이 추가적으로 이루어지도록 금속산화물층(12)을 형성하지 않아 금속 기판(10)의 표면이 노출된 부분이다.
상기에서 금속산화물층(12)의 막질(막표면의 조도 등의 품질)을 향상시키기 위하여 금속산화물층(12)에 실링(sealing)하거나, 유기 물질 등을 이용하여 다공성 산화막의 미세한 기공(pore)을 채우는 것도 가능하다.
다음으로 상기와 같이 구성되는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼을 제조하기 위한 제조방법을 설명한다.
먼저 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제1실시예는 도 7에 나타낸 바와 같이, 판형상의 금속 기판(10)을 준비하는 단계(P10)와, 상기 금속 기판(10)에 금속산화물층(12)을 형성하는 단계(P20)와, 상기 금속산화물층(12)의 위에 전극라인(30)을 형성하는 단계(P30)와, 상기 전극라인(30)과 금속산화물층(12)에서 실장홈(14)이 형성되지 않는 부분에 식각방지 마스 킹 패턴(44)을 형성하는 단계(P40)와, 식각방지 마스킹 패턴(44)을 형성하지 않은 부분의 금속산화물층(12) 및 금속 기판(12)을 화학적 식각하여 실장홈(14)을 형성하는 단계(P50)와, 상기 실장홈(14)에 광소자(16)를 실장하는 단계(P60)를 포함하여 이루어진다.
도면에 나타내지 않았지만, 상기에서 실장홈(14)을 형성한 다음에는 식각방지 마스킹 패턴(44)을 제거하는 과정을 수행한다.
상기 금속산화물층(12)을 형성하는 단계(P20)에서는 금속 기판(10)의 한쪽 면에 대하여 전체 면에 양극 산화 방식 등을 이용하여 산화막(금속산화물층)을 형성한다.
상기 전극라인(30)을 형성하는 단계(P30))에서는 반도체 공정, 실크스크린, 박막필름공정 등을 이용하는 것이 가능하다.
상기 마스킹을 행하는 단계(P40)에서는 화학적 식각이 행해지지 않아야 하는 구역에 식각방지 마스킹 패턴(44)을 형성한다.
상기 식각방지 마스킹 패턴(44)은 상기 금속 기판(10)의 실장홈(14)이 형성되어야 하는 부위(광소자(16)가 실장되는 부위)에 형성한다.
상기 식각방지 마스킹 패턴(44)의 형성은 일반적으로 널리 알려진 리소그래피(lithography) 공정이나 패턴형성 공정 등을 이용하여 행하는 것이 가능하므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기에서 식각방지 마스킹 패턴(44)을 형성하는 물질로는 화학적 식각 공정에서 훼손이 적게 되는 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 예를 들면 포토레지스 트(photoresist) 등을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 실장홈(14)을 형성하는 단계(P50)에서는 실장홈(14)을 형성한 다음, 반사효율을 향상시키기 위하여 전해연마(electropolishing) 공정을 추가로 더 실시하는 것도 가능하다.
상기 식각방지 마스킹 패턴(44)의 제거는 습식 식각 또는 건식 식각 등의 방법을 이용하여 행한다.
상기 광소자(16)의 실장은 접착물질을 이용하여 행하는 것도 가능하고, 상기 실장홈(14)에 광소자(16)를 배치한 다음 광소자(16)의 윗부분 공간을 광투과성의 물질로 몰딩처리하여 행하는 것도 가능하다.
상기 광소자(16)의 전극 단자(18)와 상기 금속산화물층(12)의 윗면에 형성되는 전극라인(30)과의 연결은 통전 와이어(28) 등을 이용하여 행한다.
상기 금속 기판(10)의 하면에는 표면적을 증대시켜 열방출 효율을 크게 향상시키기 위한 방열홈(11)을 형성하는 것도 가능하다. 상기 방열홈(11)은 식각 등의 방법을 이용하여 형성하는 것이 가능하다.
상기에서 실장홈(14)을 화학적 식각을 이용하지 않고 드릴링 등의 기계적 방식을 이용하는 경우에는 상기 전극라인(30)을 형성하는 단계(P30) 이후에 곧바로 실장홈(14)을 형성하고 상기 실장홈(14)에 광소자(16)를 실장하는 단계(P60)로 진행하는 것도 가능하다.
상기와 같이 실장홈(14)을 드릴링 등의 기계적 방식으로 형성하는 경우에는 마스킹 패턴(44)을 형성하고 제거하는 과정이 생략된다.
나아가 상기한 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제1실시예에 있어서, 상기 전극라인(30)을 형성하는 단계(P30)를 실장홈(14)을 형성하는 단계(P50) 이후에 행하는 것도 가능하다.
상기에서 실장홈(14)을 드릴링 등의 기계적 방식으로 형성하는 경우에도 전극라인(30)을 실장홈(14)을 형성한 이후에 행하는 것도 가능함은 물론이다.
그리고 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제2실시예는 도 8에 나타낸 바와 같이, 판형상의 금속 기판(10)을 준비하는 단계(P10)와, 상기 금속 기판(10)의 실장홈(14)을 형성할 부분을 제외하고 산화방지 마스킹 패턴(42)을 형성하는 단계(P15)와, 상기 금속 기판(10)의 산화방지 마스킹 패턴(42)이 형성되지 않은 부분에 금속산화물층(12)을 형성하는 단계(P20)와, 상기 산화방지 마스킹 패턴(42)을 제거하는 단계(P25)와, 상기 금속산화물층(12)에 전극라인(30)을 형성하는 단계(P30)와, 실장홈을 형성할 부분을 제외하고 상기 전극라인(30)과 금속산화물층(12) 및 금속 기판(10)에 식각방지 마스킹 패턴(44)을 형성하는 단계(P40)와, 상기 금속 기판(10)을 화학적 식각하여 실장홈(14)을 형성하는 단계(P50)와, 상기 실장홈(14)에 광소자(16)를 실장하는 단계(P40)를 포함하여 이루어진다.
도면에 나타내지 않았지만, 상기에서 실장홈(14)을 형성한 다음에는 식각방지 마스킹 패턴(44)을 제거하는 과정을 수행한다.
상기한 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제2실시예에 있어서도 상기한 구성 이외에는 상기한 제1실시예와 마찬가지의 구 성 및 과정으로 실시하는 것이 가능하므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기한 제2실시예에 있어서도, 드릴링 등의 기계적 방식을 이용한 실장홈(14)의 형성, 실장홈(14)을 형성한 이후에 전극라인(30)을 형성하는 방식 등을 적용하는 것이 가능하다.
상기한 제1실시예 및 제2실시예에 있어서, 금속산화물층(12)의 막질(막표면의 조도 등의 품질)을 향상시키기 위하여 금속산화물층(12)에 실링(sealing) 공정을 행하거나, 유기 물질 등을 이용하여 다공성 산화막으로 이루어지는 금속산화물층(12)의 미세한 기공(pore)을 채우는 공정을 추가로 행하는 것도 가능하다.
그리고 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제3실시예는 도 9에 나타낸 바와 같이, 상면에 전극라인(30)을 형성하기 위한 금속 시트로 이루어지는 전극층(32)이 비전도성의 접착층(34)을 통하여 일체로 설치된 상태로 금속 기판(10)을 준비하는 단계(P10)와, 상기 전극층(32)의 전극라인(30)이 형성될 부분에 식각방지 마스킹 패턴(44)을 형성하는 단계(P32)와, 상기 식각방지 마스킹 패턴(44)이 형성되지 않은 부분의 전극층(32)을 화학적 식각하여 전극라인(30)을 형성하는 단계(P34)와, 상기 식각방지 마스킹 패턴(44)을 제거하는 단계(P36)와, 드릴링(drilling)을 통하여 실장홈(14)을 형성하는 단계(P50)와, 상기 실장홈(14)에 광소자(16)를 실장하는 단계(P60)와, 상기 광소자(16)와 드라이버 칩(60) 등을 연결하여 회로를 구성하는 단계(P70)를 포함하여 이루어진다.
상기에서 전극층(32)이 일체로 설치된 금속 기판(10)에 실장홈(14)을 형성한 다음, 식각방지 마스킹 패턴(44)을 형성하는 단계(P32), 전극층(32)을 화학적 식각 하여 전극라인(30)을 형성하는 단계(P34), 광소자(16)를 실장하는 단계(P60)을 순차적으로 실시하는 것도 가능하다.
상기에서 금속 기판(10)에 드라이버 IC칩(60) 등을 실장하여 회로를 구현하는 것도 가능하다.
본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법에 있어서, 대한민국 특허 제10-0656300호의 기술을 적용하면, 광소자(16)를 구동하는 회로를 동시에 패키지 하는 것도 가능하고, 추후 공정도 다층(multi-layer)로 진행하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제4실시예는 도 10에 나타낸 바와 같이, 판형상의 금속 기판(10)을 준비하는 단계(P10)와, 상기 금속 기판(10)을 1차 식각하여 스크라이빙홈(74)을 형성하는 단계(P52)와, 상기 금속 기판(10)의 스크라이빙홈(74)을 형성하지 않은 부분을 2차 식각하여 실장홈(14)을 형성하는 단계(P53)와, 금속산화물층(14)을 형성하지 않을 부분에 산화방지 마스킹 패턴(42)을 형성하는 단계(P54)와, 상기 산화방지 마스킹 패턴(42)이 형성되지 않은 부분을 양극 산화하여 금속산화물층(12)을 형성하는 단계(P55)와, 상기 금속 기판(10)의 저면에 식각방지 마스킹 패턴(44)을 형성하는 단계(P56)와, 상기 금속 기판(10)의 저면의 일부를 식각하여 전기적 단절홈(82)을 형성하는 단계(P57)와, 상기 전기적 단절홈(82)에 유기물질(절연물질)(84)을 충전시키는 단계(P58)와, 상기 산화방지 마스킹 패턴(42) 및 식각방지 마스킹 패턴(44)을 제거하는 단계(P59)와, 상기 스크라이빙홈(74)의 산화방지 마스킹 패턴(42)을 제거한 부 분 및 금속 기판(10)의 저면에 각각 전극라인(32), (34)을 형성하는 단계(P62)와, 상기 실장홈(14)에 광소자(16)를 실장하고 상기 전극라인(32)과 전기적으로 연결하는 단계(P64)를 포함하여 이루어진다.
상기 산화방지 마스킹 패턴(42)은 포토레지스트 또는 SiNx 등을 이용하여 형성한다.
상기 금속산화물층(12)은 수십㎛ 정도로 형성한다.
상기 식각방지 마스킹 패턴(44)은 포토레지스트 또는 DFR(dry film resist) 등을 이용하여 형성한다.
상기 전극라인(32), (34)은 도금이나 실크스크린 등의 방법을 이용하여 형성한다.
상기에서 광소자(16)와 전극라인(32)을 전기적으로 연결한 다음 또는 전극라인(32), (34)을 형성하고 광소자(16)를 실장한 다음, 각각의 개별 광소자(16)에 해당하는 부분으로 절단(스크라이빙홈(74)이 형성된 부분의 대략 중앙부분을 절단)하여 분리하면, 개별적인 광소자 패키지를 구현하는 것이 가능하다.
상기와 같이 개별적인 광소자 패키지를 구현하는 경우에는 단절홈(82)을 통하여 분리된 금속 기판(10) 저면의 전극라인(34)을 이용하여 광소자(16)를 구동회로(도면에 나타내지 않음)와 서로 전기적으로 연결하는 것이 가능하다.
그리고 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제5실시예는 도 11에 나타낸 바와 같이, 상기한 제4실시예에 있어서 스크라이빙홈(74) 및 실장홈(14)을 금형(2)을 이용하여 프레스 공정으로 동시에 형성한다.
상기한 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제3실시예 내지 제5실시예에 있어서도 상기한 구성 이외에는 상기한 제1실시예 및 제2실시예와 마찬가지의 구성 및 과정으로 실시하는 것이 가능하므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제1실시예 내지 제5실시예에 있어서, 광소자(16)의 실장과 전극라인(34)과의 연결 등을 행한 다음, 도 5 또는 도 6에 나타낸 바와 같은 공정을 추가적으로 수행하여 몰딩처리를 행하는 것도 가능하다.
예를 들면, 도 5에 나타낸 바와 같이, 실장홈(14)을 형성하는 단계(P50), (P53)에서 금속 기판(10)에 2단으로 실장홈(14)을 형성하고, 실장홈(14)에 실장한 광소자(16)와 금속 기판(10) 상에 형성한 전극라인(30)을 전기적으로 연결하는 단계(P64), (P70)를 진행한 다음, 몰딩재료를 실장홈(14)부분에 주입하여 상기 전극라인(34)과 전기적으로 연결되는 부분 및 광소자(16) 전체를 감싸도록 몰딩층(90)을 형성하는 공정을 수행한다.
또 도 6에 나타낸 바와 같이, 실장홈(14)을 2단으로 형성하지 않은 경우에는, 실장홈(14)에 실장한 광소자(16)와 금속 기판(10) 상에 형성한 전극라인(30)을 전기적으로 연결하는 단계(P64), (P70)를 진행한 다음, 금속 기판(10)의 실장홈(14)에 몰딩재료를 주입하여 상기 광소자(16)를 감싸도록 1차로 몰딩층(90)을 형성하고, 몰딩틀(98)의 몰딩형성홈(99)에 몰딩재료를 채운 상태에서 몰딩틀(98) 위에 1차로 몰딩층(90)이 형성된 부분을 몰딩형성홈(99)에 일치시켜 금속 기판(10)을 뒤집어 조립한 다음 금속 기판(10)과 몰딩틀(98) 양쪽에서 가압하여 밀착시킨 상태로 열경화시키고, 몰딩틀(98)을 제거하는 공정을 수행하는 것도 가능하다. 이와 같은 공정을 수행하여 몰딩층(90)을 형성하게 되면, 상기 전극라인(34)과 전기적으로 연결되는 부분 및 광소자(16) 전체를 감싸도록 몰딩층(90)을 형성하는 것이 가능하다.
그리고 도 12에 나타낸 바와 같이, 금속 기판(10)에 실장홈(14)과 금속산화물층(12) 및 전극라인(30)을 형성한 다음, 유기 박막필름(예를 들면 감광성 필름) 등을 이용하여 몰딩용 패턴(96)을 형성하고, 실장홈(14)에 광소자(16)를 실장하고 전극라인(30)과의 전기적 연결을 행한 뒤, 몰딩재료(예를 들면 형광체를 혼합한 용액)을 주입하여 경화시키는 것에 의하여 몰딩층(90)을 형성하는 것도 가능하다.
도 13에 나타낸 바와 같이, 몰딩재료의 주입을 2단계로 나누어 1차로는 형광체가 혼합된 용액을 주입하여 몰딩층(90)을 형성하고, 2차로는 형광체가 혼합되지 않은 용액을 주입하여 2단의 몰딩층(92)을 형성하는 것도 가능하다. 이와 같이 2단으로 몰딩층(90), (92)을 형성하게 되면, 형광체의 사용량을 줄이는 것이 가능하고, 재료비의 절감이 가능하다.
그리고 도 14에 나타낸 바와 같이, 필요에 따라 유기 박막필름으로 형성된 몰딩용 패턴(96)을 제거하는 것도 가능하다.
상기에서 몰딩용 패턴(96)은 보호막으로 기능하게 되므로, 제거하지 않는 것도 가능하지만, 필요에 따라서는 제거하는 것도 가능하다.
나아가 도 15 및 도 16에 나타낸 바와 같이, 금속 기판(10) 상에 광소자(16)와 전극라인(30)의 외곽으로 단락(short)이 발생하지 않도록 금속틀(78)을 설치하고, 상기 금속틀(78)의 내부에 몰딩재료를 주입하여 전체면에 몰딩층(90)을 형성하는 것도 가능하다.
상기에서 금속틀(78)은 에폭시 또는 실버에폭시(silver epoxy) 등의 접착 제(79)를 이용하여 금속 기판(10)에 일체로 부착 설치하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 금속틀(78)을 설치하게 되면, 방열효과를 더욱 증대시키는 것이 가능하다.
상기와 같은 방법으로 제조되는 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼을 이용하게 되면, 면광원을 효과적으로 구현하는 것이 가능하다.
상기에서 구현 가능한 면광원으로는 조명, 신호등, 보안용 기기의 광원 등으로 다양하게 적용하는 것이 가능하다.
상기에서는 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 및 그 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
도 1은 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼의 일실시예를 나타내는 부분확대 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼의 일실시예를 나타내는 부분확대 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼의 다른 실시예를 나타내는 부분확대 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼의 또 다른 실시예를 나타내는 부분확대 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼의 또 다른 실시예에 있어서 몰딩층을 형성하는 방법의 일실시예를 나타내는 공정도이다.
도 6은 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼의 또 다른 실시예에 있어서 몰딩층을 형성하는 방법의 다른 실시예를 나타내는 공정도이다.
도 7은 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제1실시예를 나타내는 공정도이다.
도 8은 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제2실시예를 나타내는 공정도이다.
도 9는 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제3실시예를 나타내는 공정도이다.
도 10은 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법 의 제4실시예를 나타내는 공정도이다.
도 11은 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법의 제5실시예를 나타내는 공정도이다.
도 12는 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법에 있어서 몰딩층을 형성하는 공정의 일실시예를 나타내는 공정도이다.
도 13은 도 12에 나타낸 몰딩층을 형성하는 공정에 있어서 몰딩층을 2단으로 형성한 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 12에 나타낸 몰딩층을 형성하는 공정에 있어서 몰딩용 패턴을 제거한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 15는 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법에 있어서 금속틀을 설치하고 몰딩층을 형성한 상태를 나타내는 평면도이다.
도 16은 본 발명에 따른 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법에 있어서 금속틀을 설치한 상태를 나타내는 단면도이다.

Claims (28)

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  8. 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판을 소정 깊이까지 양극 산화하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    상기 금속산화물층에 전극라인을 형성하는 단계와,
    실장홈을 형성하려는 부분을 제외하고 전극라인과 금속산화물층의 일부에 식각방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    식각방지 마스킹 패턴을 형성하지 않은 금속산화물층과 금속 기판을 화학적 식각하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    식각방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와,
    상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  9. 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판의 실장홈을 형성할 부분에 선택적 양극 산화를 위한 산화방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    산화방지 마스킹 패턴을 형성하지 않은 부분에 선택적 양극 산화를 행하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    산화방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 금속산화물층 위에 전극라인을 형성하는 단계와,
    실장홈을 형성할 부분을 제외하고 상기 전극라인과 금속산화물층 및 금속 기판에 식각방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    식각방지 마스킹 패턴이 형성되지 않은 부분의 금속 기판을 등방성 화학 식 각을 행하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    식각방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와,
    상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  10. 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판을 소정 깊이까지 양극 산화하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    실장홈을 형성하려는 부분을 제외하고 금속산화물층에 식각방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    식각방지 마스킹 패턴을 형성하지 않은 금속산화물층과 금속 기판을 화학적 식각하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    식각방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 금속산화물층에 전극라인을 형성하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와,
    상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  11. 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판의 실장홈을 형성할 부분에 선택적 양극 산화를 위한 산화방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    산화방지 마스킹 패턴을 형성하지 않은 부분에 선택적 양극 산화를 행하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    산화방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    실장홈을 형성할 부분을 제외하고 상기 금속산화물층 및 금속 기판에 식각방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    식각방지 마스킹 패턴이 형성되지 않은 부분의 금속 기판을 등방성 화학 식각을 행하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    식각방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 금속산화물층 위에 전극라인을 형성하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와,
    상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  12. 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판을 소정 깊이까지 양극 산화하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    상기 금속산화물층에 전극라인을 형성하는 단계와,
    금속산화물층과 금속 기판을 드릴링하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와,
    상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  13. 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판의 실장홈을 형성할 부분에 선택적 양극 산화를 위한 산화방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    산화방지 마스킹 패턴을 형성하지 않은 부분에 선택적 양극 산화를 행하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    산화방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 금속산화물층 위에 전극라인을 형성하는 단계와,
    금속 기판을 드릴링하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와,
    상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  14. 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판을 소정 깊이까지 양극 산화하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    금속산화물층과 금속 기판을 드릴링하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    상기 금속산화물층에 전극라인을 형성하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와,
    상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  15. 판형상의 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판의 실장홈을 형성할 부분에 선택적 양극 산화를 위한 산화방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    산화방지 마스킹 패턴을 형성하지 않은 부분에 선택적 양극 산화를 행하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    산화방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    금속 기판을 드릴링하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    상기 금속산화물층 위에 전극라인을 형성하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계와,
    상기 광소자와 전극라인을 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  16. 상면에 전극라인을 형성하기 위한 금속 시트로 이루어지는 전극층이 비전도성의 접착층을 통하여 일체로 설치된 상태로 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 전극층의 전극라인이 형성될 부분에 식각방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 식각방지 마스킹 패턴이 형성되지 않은 부분의 전극층을 화학적 식각하여 전극라인을 형성하는 단계와,
    상기 식각방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    드릴링을 통하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  17. 상면에 전극라인을 형성하기 위한 금속 시트로 이루어지는 전극층이 비전도성의 접착층을 통하여 일체로 설치된 상태로 금속 기판을 준비하는 단계와,
    드릴링을 통하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    상기 전극층의 전극라인이 형성될 부분에 식각방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 식각방지 마스킹 패턴이 형성되지 않은 부분의 전극층을 화학적 식각하여 전극라인을 형성하는 단계와,
    상기 식각방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  18. 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판을 1차 식각하여 스크라이빙홈을 형성하는 단계와,
    상기 금속 기판의 스크라이빙홈을 형성하지 않은 부분을 2차 식각하여 실장홈을 형성하는 단계와,
    금속산화물층을 형성하지 않을 부분에 산화방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 산화방지 마스킹 패턴이 형성되지 않은 부분을 양극 산화하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    상기 금속 기판의 저면에 식각방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 금속 기판의 저면의 일부를 식각하여 전기적 단절홈을 형성하는 단계와,
    상기 전기적 단절홈에 절연물질을 충전시키는 단계와,
    상기 산화방지 마스킹 패턴 및 식각방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 스크라이빙홈의 산화방지 마스킹 패턴을 제거한 부분 및 금속 기판의 저면에 각각 전극라인을 형성하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하고 상기 전극라인과 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  19. 금속 기판을 준비하는 단계와,
    상기 금속 기판에 금형을 이용한 프레스 공정으로 스크라이빙홈 및 실장홈을 동시에 형성하는 단계와,
    금속산화물층을 형성하지 않을 부분에 산화방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 산화방지 마스킹 패턴이 형성되지 않은 부분을 양극 산화하여 금속산화물층을 형성하는 단계와,
    상기 금속 기판의 저면에 식각방지 마스킹 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 금속 기판의 저면의 일부를 식각하여 전기적 단절홈을 형성하는 단계와,
    상기 전기적 단절홈에 절연물질을 충전시키는 단계와,
    상기 산화방지 마스킹 패턴 및 식각방지 마스킹 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 스크라이빙홈의 산화방지 마스킹 패턴을 제거한 부분 및 금속 기판의 저면에 각각 전극라인을 형성하는 단계와,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하고 상기 전극라인과 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  20. 청구항 18 또는 청구항 19에 있어서,
    상기 광소자와 전극라인을 전기적으로 연결한 다음 스크라이빙홈이 형성된 부분의 중앙부분을 절단 분리하여 개별적인 광소자 패키지를 제조하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  21. 청구항 8 내지 청구항 19 중 어느 한항에 있어서,
    상기 실장홈을 형성한 다음 광소자를 실장하기 전에 실장홈의 측면에 대하여 전해연마를 행하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  22. 청구항 8 내지 청구항 19 중 어느 한항에 있어서,
    상기 실장홈을 형성하는 단계에서 실장홈을 2단으로 형성하고,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하고 광소자와 전극라인을 전기적으로 연결한 상태에서 상기 실장홈부분에 상기 전극라인과 전기적으로 연결되는 부분 및 광소자 전체를 감싸도록 몰딩재료를 주입하여 몰딩층을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  23. 청구항 8 내지 청구항 19 중 어느 한항에 있어서,
    상기 실장홈에 광소자를 실장하고 광소자와 전극라인을 전기적으로 연결한 상태에서 실장홈에 몰딩재료를 주입하여 광소자를 감싸도록 1차로 몰딩층을 형성하고,
    몰딩틀의 몰딩형성홈에 몰딩재료를 채운 상태에서 몰딩틀 위에 1차로 몰딩층이 형성된 부분을 몰딩형성홈에 일치시켜 금속 기판을 뒤집어 조립한 다음 금속 기판과 몰딩틀 양쪽에서 가압하여 밀착시킨 상태로 열경화시키고,
    몰딩틀을 제거하는 과정으로 몰딩층을 상기 전극라인과 전기적으로 연결되는 부분 및 광소자 전체를 감싸도록 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  24. 청구항 8 내지 청구항 19 중 어느 한항에 있어서,
    상기 금속 기판에 실장홈과 금속산화물층 및 전극라인을 형성한 다음, 유기 박막필름을 이용하여 몰딩용 패턴을 형성하고, 실장홈에 광소자를 실장하고 전극라인과의 전기적 연결을 행한 뒤, 몰딩재료를 주입하여 경화시키는 것에 의하여 몰딩층을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  25. 청구항 24에 있어서,
    상기 몰딩재료의 주입을 2단계로 나누어 1차로는 형광체가 혼합된 용액을 주입하여 경화시키고, 2차로는 형광체가 혼합되지 않은 용액을 주입하여 2단의 몰딩층을 형성하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  26. 청구항 24에 있어서,
    상기 몰딩용 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  27. 청구항 8 내지 청구항 19 중 어느 한항에 있어서,
    상기 금속 기판에 실장홈과 금속산화물층 및 전극라인을 형성하고, 상기 실장홈에 광소자를 실장하고 전극라인과의 전기적 연결을 행한 다음, 상기 금속 기판 상에 광소자와 전극라인의 외곽으로 단락이 발생하지 않도록 금속틀을 설치하고, 상기 금속틀의 내부에 몰딩재료를 주입하여 전체면에 몰딩층을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
  28. 청구항 8 내지 청구항 19 중 어느 한항에 있어서,
    상기 금속 기판에 금속산화물층을 형성한 다음, 금속산화물층에 실링공정이나 유기 물질을 이용하여 다공성 산화막으로 이루어지는 금속산화물층의 기공을 채우는 공정을 행하는 금속 기판을 이용한 광소자 패키지 플랫폼 제조방법.
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