KR100924932B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치를 개시한 것으로서, 브러시 샤프트와 공정 챔버 벽 사이의 유격 공간을 통해 세정 유체가 유출되는 것을 차단하도록 기체를 분사하는 것을 구성상의 특징으로 가진다.
이러한 특징에 의하면, 세정액이 브러시 샤프트를 타고 흘러 챔버 외부로 누출되는 것을 방지할 수 있으며, 챔버 외부로 누출된 세정액에 의해 챔버 외부 설비가 오염되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
기판 세정, 브러시, 브러시 샤프트, 기체 분사 부재
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention discloses a substrate processing apparatus, which is characterized by injecting a gas to prevent the cleaning fluid from flowing out through the clearance space between the brush shaft and the process chamber wall.
According to this feature, it is possible to prevent the cleaning liquid from flowing out through the brush shaft and leaking out of the chamber, and to provide a substrate processing apparatus capable of preventing contamination of equipment outside the chamber by the cleaning liquid leaking out of the chamber. .
Substrate Cleaning, Brush, Brush Shaft, Gas Blower
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 평판 표시 소자의 제조에 사용되는 기판을 세정하는 기판 세정 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate used in the manufacture of a flat panel display element.
최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하는 표시 패널(Panel)을 가진다. 지금까지 표시 패널로는 주로 브라운관(Cathode Ray Tube) 모니터가 사용되었으나, 최근에는 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 액정 디스플레이(LCD)와 같은 평판 표시 패널의 사용이 급격히 증대하고 있다. Recently, information processing devices have been rapidly developed to have various types of functions and faster information processing speeds. This information processing apparatus has a display panel for displaying the operated information. Until now, a cathode ray tube (CRT) monitor has been mainly used as a display panel, but recently, with the rapid development of technology, the use of flat panel display panels such as liquid crystal displays (LCDs), which are light and occupy small space, is rapidly increasing.
평판 표시 패널의 제조를 위해 다양한 공정들이 요구된다. 이들 공정들 중 세정 공정은 기판상에 부착된 파티클 등과 같은 오염 물질을 제거하는 공정으로서 박막 트랜지스터 등의 소자 손실을 최소화하여 수율을 향상시키기 위해 수행된다. 일반적으로 세정 공정은 기판으로 물을 공급하여 기판으로부터 오염 물질을 제거하거나 브러시를 사용하여 물리적으로 기판으로부터 오염 물질을 제거한다.Various processes are required for manufacturing a flat panel display panel. Among these processes, a cleaning process is a process of removing contaminants such as particles deposited on a substrate and is performed to improve device yield by minimizing device losses such as thin film transistors. Generally, cleaning processes supply water to the substrate to remove contaminants from the substrate or use a brush to physically remove contaminants from the substrate.
브러시를 이용하여 기판을 세정하는 브러시 세정 장치에 있어서, 기판은 기 판 이송 유닛에 의해 공정 챔버 내에서 일 방향으로 이동되는 동안 회전하는 브러시 세정 유닛에 의해 세정 처리된다. 브러시 세정 유닛은 브러시와, 브러시에 회전력을 제공하는 브러시 샤프트 및 구동 부재를 가지며, 브러시 샤프트의 양단부는 공정 챔버의 외 측에 설치된 지지 부재에 의해 지지된다.In a brush cleaning apparatus for cleaning a substrate using a brush, the substrate is cleaned by a rotating brush cleaning unit while moving in one direction in the process chamber by the substrate transfer unit. The brush cleaning unit has a brush, a brush shaft and a driving member for providing rotational force to the brush, and both ends of the brush shaft are supported by support members provided on the outer side of the process chamber.
본 발명은 브러시 샤프트를 타고 흘러 챔버 외부로 누출되는 세정액의 양을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing the amount of cleaning liquid flowing through the brush shaft and leaking out of the chamber.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 진행되는 챔버와; 상기 챔버의 벽에 관통 설치되는 축 부재와; 상기 축 부재와 상기 챔버 벽 사이의 유격 공간을 통해 처리 유체가 유출되는 것을 차단하도록 기체를 분사하는 기체 분사 부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber in which a substrate processing process is performed; A shaft member installed through the wall of the chamber; And a gas injection member for injecting a gas to block the flow of the processing fluid through the clearance space between the shaft member and the chamber wall.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기체 분사 부재는 상기 축 부재를 감싸도록 제공되며, 그리고 상기 축 부재가 삽입되도록 상기 챔버 벽에 형성된 삽입 홀에 설치될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above, the gas injection member is provided to surround the shaft member, and may be installed in an insertion hole formed in the chamber wall to insert the shaft member. .
상기 기체 분사 부재는 토러스(Torus) 형상의 하부 벽과; 상기 하부 벽의 가장자리로부터 수직하게 연장 형성되고, 상기 삽입 홀에 삽입 설치되는 원통 형상의 측벽과; 상기 측벽의 상단으로부터 내향 경사지게 연장 형성된 절두 원추형의 경사벽;을 포함하되, 상기 하부 벽, 상기 측벽, 그리고 상기 경사 벽의 벽체 내부에는 상기 기체가 흐르는 유로가 서로 연결되도록 형성되고, 상기 경사 벽의 유로 끝단에는 상기 축 부재로 상기 기체를 분사하는 토출구가 형성될 수 있다.The gas injection member may include a torus-shaped lower wall; A cylindrical side wall extending vertically from an edge of the lower wall and inserted into the insertion hole; A truncated cone-shaped inclined wall extending inclined inwardly from an upper end of the side wall, wherein the lower wall, the side wall, and a wall of the inclined wall are formed such that flow paths of the gas are connected to each other. A discharge port for injecting the gas to the shaft member may be formed at the end of the flow path.
상기 기체 분사 부재는 상기 하부 벽 내부의 유로로 상기 기체를 공급하도록 상기 하부 벽에 설치되는 기체 유입구;를 더 포함할 수 있다.The gas injection member may further include a gas inlet installed in the lower wall to supply the gas to a flow path inside the lower wall.
상기 기체 분사 부재는 상기 측벽으로부터 연장 형성된 플랜지를 더 포함하되, 상기 플랜지의 외주 면에는 상기 챔버 벽의 상기 삽입 홀에 형성된 암나사와 결합하는 수나사가 형성될 수 있다.The gas injection member further includes a flange extending from the side wall, the outer peripheral surface of the flange may be formed with a male screw coupled to the female screw formed in the insertion hole of the chamber wall.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판을 세정하는 장치에 있어서, 세정 공정이 진행되는 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 기판을 이동시키는 기판 이송 유닛과; 상기 기판 이송 유닛에 의해 이동되는 상기 기판을 세정하는 브러시와, 상기 브러시가 장착되고 상기 공정 챔버의 벽에 관통 설치되는 브러시 샤프트를 가지는 브러시 세정 유닛과; 상기 브러시 샤프트와 상기 공정 챔버 벽 사이의 유격 공간을 통해 세정 유체가 유출되는 것을 차단하도록 기체를 분사하는 기체 분사 부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention, the apparatus for cleaning the substrate, comprising: a process chamber for providing a space in which the cleaning process proceeds; A substrate transfer unit installed in the process chamber to move a substrate; A brush cleaning unit having a brush for cleaning the substrate moved by the substrate transfer unit, and a brush shaft on which the brush is mounted and penetrated through a wall of the process chamber; And a gas injection member for injecting gas to prevent the cleaning fluid from flowing out through the clearance space between the brush shaft and the process chamber wall.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기체 분사 부재는 상기 브러시 샤프트를 감싸도록 제공되며, 그리고 상기 브러시 샤프트가 삽입되도록 상기 공정 챔버 벽에 형성된 삽입 홀에 설치될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above, the gas ejection member is provided to surround the brush shaft, and may be installed in an insertion hole formed in the process chamber wall to insert the brush shaft. have.
상기 기체 분사 부재는 토러스(Torus) 형상의 하부 벽과; 상기 하부 벽의 가장자리로부터 수직하게 연장 형성되고, 상기 삽입 홀에 삽입 설치되는 원통 형상의 측벽과; 상기 측벽의 상단으로부터 내향 경사지게 연장 형성된 절두 원추형의 경사벽;을 포함하되, 상기 하부 벽, 상기 측벽, 그리고 상기 경사 벽의 벽체 내부에는 상기 기체가 흐르는 유로가 서로 연결되도록 형성되고, 상기 경사 벽의 유로 끝단에는 상기 축 부재로 상기 기체를 분사하는 토출구가 형성될 수 있다.The gas injection member may include a torus-shaped lower wall; A cylindrical side wall extending vertically from an edge of the lower wall and inserted into the insertion hole; A truncated cone-shaped inclined wall extending inclined inwardly from an upper end of the side wall, wherein the lower wall, the side wall, and a wall of the inclined wall are formed such that flow paths of the gas are connected to each other. A discharge port for injecting the gas to the shaft member may be formed at the end of the flow path.
상기 기체 분사 부재는 상기 하부 벽 내부의 유로로 상기 기체를 공급하도록 상기 하부 벽에 설치되는 기체 유입구;를 더 포함할 수 있다.The gas injection member may further include a gas inlet installed in the lower wall to supply the gas to a flow path inside the lower wall.
상기 기체 분사 부재는 상기 측벽으로부터 연장 형성된 플랜지를 더 포함하되, 상기 플랜지의 외주 면에는 상기 공정 챔버 벽의 상기 삽입 홀에 형성된 암나사와 결합하는 수나사가 형성될 수 있다.The gas injection member may further include a flange extending from the sidewall, and an outer thread of the flange may be formed with a male screw coupled to a female screw formed in the insertion hole of the wall of the process chamber.
본 발명에 의하면, 세정액이 브러시 샤프트를 타고 흘러 챔버 외부로 누출되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent the cleaning liquid from flowing through the brush shaft and leaking out of the chamber.
또한, 본 발명에 의하면, 챔버 외부로 누출된 세정액에 의해 챔버 외부 설비가 오염되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to prevent contamination of the equipment outside the chamber by the cleaning liquid leaked out of the chamber.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible, even if shown on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
( 실시 예 )(Example)
본 실시 예에서 기판(S)은 평판 표시 패널의 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다.In the present embodiment, the substrate S will be described taking as an example a substrate S used for manufacturing a flat panel display panel. Alternatively, the substrate S may be a wafer used for manufacturing a semiconductor chip.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 실시 예의 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100,100',100")와, 기판 이송 유닛(200,200',200")을 포함한다.Referring to FIG. 1, the
공정 챔버(100,100',100")는 기판(S) 처리 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(100,100',100") 내에는 기판 이송 유닛(200,200',200")이 각각 설치되며, 기판 이송 유닛(200,200',200")은 공정 챔버(100,100',100") 간, 또는 공정 챔버(100,100',100") 내에서 기판(S)을 일 방향으로 이동시킨다.The
공정 챔버(100,100',100")는 대체로 직육면체 형상을 가지며, 서로 인접하게 배치된다. 공정 챔버(100,100',100")의 일 측벽에는 공정 챔버(100,100',100")로 기판(S)이 유입되는 유입구(110a,110a")가 제공되고, 이와 마주보는 타 측벽에는 공정 챔버(100,100',100")로부터 기판(S)이 유출되는 유출구(110b,110b')가 제공된다.The
각 공정 챔버(100,100',100") 내에서는 기판(S)에 대해 소정 공정이 진행된다. 공정 챔버(100,100',100") 중 공정 챔버(100)에서는 세정 공정이 진행된다. 세정 공정이 진행되는 공정 챔버(100)의 전방에 위치하는 공정 챔버(100')에서는 식각 공정이 수행되고, 세정 공정이 진행되는 공정 챔버(100)의 후방에 위치하는 공 정 챔버(100")에서는 건조 공정이 진행될 수 있다.In each
세정 공정이 진행되는 공정 챔버(100) 내에는 세정 부재(300,400)가 설치되며, 세정 부재(300,400)는 기판 이송 유닛(200)에 의해 이동 중인 기판(S)을 세정한다.The
도 2는 도 1의 세정 공정이 진행되는 공정 챔버의 평면도이고, 도 3은 도 2의 기판 이송 유닛의 측면도이며, 도 4는 도 2의 브러시 세정 유닛의 측면도이다.2 is a plan view of a process chamber in which the cleaning process of FIG. 1 is performed, FIG. 3 is a side view of the substrate transfer unit of FIG. 2, and FIG. 4 is a side view of the brush cleaning unit of FIG. 2.
도 1과, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 이송 유닛(200)은 이송 샤프트(210)들, 동력 전달 부재(220), 구동 부재(230), 그리고 가이드 부재(240)를 포함한다.1 and 2 to 4, the
이송 샤프트(210)들은 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 유입구(110a) 및 유출구(110b)에 대응하는 높이에 나란하게 배치된다. 이송 샤프트(210)들은, 도 3에 도시된 바와 같이, 일단이 타단에 비해 높게 위치되도록 θ의 경사각으로 경사지게 배치될 수 있다. 이때 낮은 위치에 배치된 이송 샤프트(210)들의 타단 일 측에는 후술할 가이드 부재(240)가 배치되어 경사진 상태에서 이동하는 기판의 측면을 지지한다. 약액이나 탈이온수 등을 분사하여 기판을 처리하는 공정은 통상 기판을 이송하면서 수행되며, 이때 기판을 처리한 처리액이 기판으로부터 용이하게 제거되도록 하기 위해 기판을 일정 각도로 경사지게 한 상태에서 이송한다. The
이송 샤프트(210)들의 양단은 베어링 등의 회전 지지 부재(미도시)에 의해 지지된다. 이송 샤프트(210)들의 길이 방향으로 복수의 지점에 이송 롤러(212)들이 설치된다. 이송 롤러(212)들은 이송 샤프트(210)를 삽입하며 이송 샤프트(210)와 함께 회전되도록 설치된다. Both ends of the
이송 샤프트(210)들에는 동력 전달 부재(220)가 연결된다. 동력 전달 부재(220)는 구동 부재(230)의 회전력을 이송 샤프트(210)에 전달한다. 동력 전달 부재(220)는 풀리(222)들 및 벨트(224)들을 포함한다. 풀리(222)는 이송 샤프트(210)들의 양단에 각각 설치될 수 있으며, 이송 샤프트(210)들의 양단 중 어느 일단에 설치될 수도 있다. 풀리(222)들은 벨트(224)에 의해 연결된다. 인접한 이송 샤프트(210)들에 설치되어 있는 풀리(222)들은 벨트(224)에 의해 쌍을 이루며 연결된다. The
이와 달리, 동력 전달 부재(220)로는 기어가 사용될 수 있다. 이송 샤프트(210)들의 양단 또는 어느 일단에 기어가 연결되고, 기어들이 서로 맞물리도록 이송 샤프트(210)들이 배치될 수 있다. 또한, 선택적으로 기계적 마찰에 의한 파티클 발생을 방지하기 위해, 동력 전달 부재(220)로는 자력을 이용하여 회전력을 전달하는 자석 부재(미도시)가 사용될 수도 있다.Alternatively, a gear may be used as the
구동 부재(230)는 동력 전달 부재(220)들 중 적어도 하나에 회전력을 제공하도록 풀리(222)들 중 어느 하나에 연결된다. 구동 부재(230)로는 모터가 사용될 수 있다. 구동 부재(230)의 회전력이 동력 전달 부재(220)에 의해 이송 샤프트(210)들에 전달되면, 이송 샤프트(210)들의 이송 롤러(212)들 상측에 놓인 기판(S)이 이송 롤러(212)들의 회전에 의해 일 방향으로 이동된다.The
가이드 부재(240)는 가이드 축(242)과, 베어링 부재(244)와, 그리고 가이드 롤러(246)를 포함한다. 가이드 축(242)은 이송 샤프트(210)들의 배열 방향을 따라 이송 샤프트(210)들의 일단 부근에 일렬로 배치된다. 가이드 축(242)에는 베어링 부재(244)가 설치되고, 베어링 부재(244)에는 베어링 부재(244)를 감싸는 가이드 롤러(246)가 설치된다. 구체적으로, 가이드 롤러(246)는 중공형의 원통 부재로 마련될 수 있으며, 베어링 부재(244)는 가이드 롤러(246)의 내측에 삽입 설치된다. 가이드 롤러(246)는 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등의 합성 수지 재질 등으로 마련될 수 있다.The
다시 도 1을 참조하면, 기판(S)은 공정 챔버(100) 내에서 기판 이송 유닛(200)에 의해 이동되는 동안 세정 부재(300,400)에 의해 세정된다. 세정 부재(300,400)는 스팀 세정 유닛(300)과 브러시 세정 유닛(400)을 포함한다.Referring back to FIG. 1, the substrate S is cleaned by the cleaning
스팀 세정 유닛(300)은 기판(S)으로 고온 및 고압의 스팀을 분사하여 기판(S)을 일차적으로 세정한다. 스팀에 의해 기판(S)에 부착된 파티클 등과 같은 오염 물질은 기판(S)으로부터 제거되거나 기판(S)에 대해 부착력이 저하된다. The
브러시 세정 유닛(400)은 스팀 세정 유닛(300)에 의해 세정이 이루어진 기판(S)을 브러시의 물리적 접촉력을 사용하여 이차적으로 세정한다. 브러시(410)에 의해 기판(S)에 잔류하는 오염 물질이 기판(S)으로부터 제거된다. 수 마이크로미터 이하 크기의 파티클은 스팀에 의한 세정에 의해 기판(S)에 대해 부착력이 저하되고 이후 브러시(410)에 의한 세정에 의해 기판(S)으로부터 제거된다. The
다시, 도 2 및 도 4를 참조하면, 브러시 세정 유닛(400)은 제 1 브러시 세정 유닛(420)과 제 2 브러시 세정 유닛(440)을 포함한다. 제 1 및 제 2 브러시 세정 유닛(420,440)은 공정 챔버(100) 내에 나란하게 배치된다. 제 1 및 제 2 브러시 세정 유닛(420,440)은 동일한 구성을 가지므로, 이하에서는 제 1 브러시 세정 유닛(420)을 예로 들어 설명하고 제 2 브러시 세정 유닛(440)에 대한 상세한 설명을 생략한다.Referring again to FIGS. 2 and 4, the
제 1 브러시 세정 유닛(420)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(S)의 상면을 세정하는 상부 브러시 세정 유닛(420a)과 기판(S)의 하면을 세정하는 하부 브러시 세정 유닛(420b)을 포함한다. 상부 및 하부 브러시 세정 유닛(420a,420b)은 각각 브러시(422,422'), 브러시 샤프트들(424a,424b,424'a,424'b), 그리고 모터(426,426')를 가진다. 브러시(422,422')는 기판(S)과 접촉하여 물리적으로 기판(S)으로부터 오염 물질을 제거한다. 브러시(422,422')는 기판(S)의 너비에 상응하는 길이를 가지며, 공정 챔버(100) 내 기판(S)의 상부 및 하부에 각각 배치된다. 브러시 샤프트들(424a,424b,424'a,424'b)의 일단은 브러시(422,422')의 양단에 결합되고, 브러시 샤프트들(424a,424b,424'a,424'b) 중 브러시 샤프트들(424b,424'b)의 타단은 공정 챔버(100)의 외부에 설치된 모터(426,426')에 연결된다. 브러시 샤프트들(424a,424b,424'a,424'b)은 베어링 부재들(425a,425b,425'a,425'b)에 의해 회전 가능하게 지지된다.As illustrated in FIG. 4, the first
이송 샤프트(210)들이, 도 3에 도시된 바와 같이, 일단이 타단에 비해 높게 위치되도록 θ의 경사각으로 경사지게 배치되므로, 이송 샤프트들(210)에 의해 이 동되는 기판(S) 또한 θ의 경사각만큼 기울어진 상태로 이동된다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 브러시 세정 유닛(420a)의 브러시(422) 및 브러시 샤프트들(424a,424b)과, 하부 브러시 세정 유닛(420b)의 브러시(422') 및 브러시 샤프트들(424'a,424'b) 또한 θ의 경사각으로 경사지게 배치된다. 그리고, 브러시(422,422')와 기판(S) 사이의 접촉 면적을 균일하게 유지시키기 위해, 브러시(422,422')는 이동 기판(S)과의 거리가 길이 방향을 따라 동일하도록 설치되는 것이 바람직하다.Since the
앞서 설명한 바와 같이, 기판(S)은 지면에 대해 θ의 경사각으로 기울어진 상태에서 이동된다. 이 때문에, 세정 공정 진행시 경사진 기판(S)상으로 공급되는 세정액(예를 들어, 탈이온수(DIW) 등.)은 지면에 대해 하향 경사진 방향으로 흐른다. 이때, 세정액은 기판과 접촉하는 브러시(422,422')와 브러시 샤프트들(424b,424'b)을 타고 흘러 공정 챔버(도 1의 도면 참조 번호 100)의 외부로 누출될 수 있다. 이를 방지하기 위해 브러시 샤프트들(424b,424'b)에는 액 막이 부재(427,427')가 설치된다. 액 막이 부재(427,427')는 플랜지의 형상을 가진다.As described above, the substrate S is moved in a state inclined at an inclination angle of θ with respect to the ground. For this reason, the washing | cleaning liquid (for example, deionized water DIW etc.) supplied to the inclined board | substrate S at the time of a washing | cleaning process progresses flows in the direction inclined downward with respect to the surface. At this time, the cleaning liquid may flow through the
그런데, 액 막이 부재(427,427')는 브러시 샤프트들(424b,424'b)을 타고 흐르는 세정액의 일부만을 차단할 수 있으며, 차단되지 않은 세정액은 브러시 샤프트들(424b,424'b)을 타고 흘러 공정 챔버(100)의 외부로 누출될 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에는 기체 분사 부재(430,450)가 구비된다. 기체 분사 부재(430,450)는 공정 챔버(100)의 측벽(110)과 브러시 샤프트들(424b,424'b) 사이의 유격 공간을 통해 세정액이 유출되는 것을 차단하도록 기체를 분사한다.However, the
도 5는 도 4의 " A "부분의 확대도이고, 도 6은 도 5의 기체 분사 부재의 사시도이며, 도 7은 도 6의 기체 분사 부재의 단면도이다.5 is an enlarged view of a portion “A” of FIG. 4, FIG. 6 is a perspective view of the gas injection member of FIG. 5, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the gas injection member of FIG. 6.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 기체 분사 부재(430,450)는 브러시 샤프트(424b,424'b)를 감싸도록 제공되며, 그리고 공정 챔버(100)의 측벽(110)에 형성된 삽입 홀(112)에 설치된다. 기체 분사 부재(430,450)는 동일한 구성을 가지며, 이하에서는 기체 분사 부재(430)에 대해 설명한다.5 through 7,
기체 분사 부재(430)는 토러스(Torus) 형상의 하부 벽(431)을 가진다. 하부 벽(431)의 가장자리로부터 측벽(432)이 수직하게 연장 형성되고, 측벽(432)의 상단으로부터 내향 경사지게 경사벽(433)이 연장 형성된다. 측벽(432)은 상부와 하부가 개방된 원통 형상을 가지고, 경사벽(433)은 상부와 하부가 개방된 절두 원추 형상을 가진다. The
하부 벽(431), 측벽(432), 그리고 경사 벽(433)의 벽체 내부에는 기체가 흐르는 유로(P)가 형성되고, 유로(P)는 서로 통하도록 연결된다. 경사 벽(433)의 유로 끝단에는 기체를 분사하는 토출구(433a)가 형성된다. 하부 벽(431)에는 기체가 유입되는 기체 유입구(434)가 제공된다. 기체 유입구(434)에는 기체 공급 라인(435)이 연결되고, 기체 공급 라인(435)은 기체 공급원(436)에 연결된다. 기체 공급원(436)으로부터 공급된 기체는 기체 공급 라인(435)과 기체 유입구(434)를 통해 하부 벽(431)의 유로로 유입된다. 기체는 하부 벽(431), 측벽(432), 그리고 경 사 벽(433)의 유로를 따라 흐르고, 경사 벽(433)의 토출구(433a)를 통해 분사된다. Inside the wall of the
측벽(432)의 외 측에는 측벽(432)으로부터 반경 방향으로 연장 형성된 플랜지(437)가 제공되며, 플랜지(437)의 외주 면에는 수나사(437a)가 형성된다. 플랜지(437)의 수나사(437a)가 공정 챔버(100) 측벽(110)의 삽입 홀(112)에 형성된 암나사와 나사 결합함으로써, 기체 분사 부재(430)는 공정 챔버(100)의 측벽(110)에 설치된다. The outer side of the
도 8은 기체 분사 부재(430)를 이용하여 세정액의 누출을 차단하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining a process of blocking the leakage of the cleaning liquid by using the
도 8을 참조하면, 기판 세정 공정의 진행시 기판으로 공급된 세정액은 브러시(422)와 접촉하고, 브러시(422)와 브러시 샤프트(424b)를 타고 경사지게 흐른다. 이는 브러시(422)와 브러시 샤프트(424b)가 경사지게 설치되어 있기 때문이다. 브러시(422)와 브러시 샤프트(424b)를 타고 흐르는 세정액은 액 막이 부재(427)에 의해 1 차적으로 차단되고, 차단된 세정액은 아래 방향으로 떨어진다. 그러나 액 막이 부재(427)에 의해 흐름이 차단되는 세정액은 일부에 지나지 않는다. 브러시 샤프트(424b)가 공정 진행 중 회전하기 때문에, 세정액은 브러시 샤프트(424b)의 회전력에 의해 액 막이 부재(427)를 타고 넘는다. 이와 같이 액 막이 부재(427)에 의해 차단되지 않은 세정액은 계속하여 브러시 샤프트(424b)를 타고 흐른다. 이때, 기체 분사 부재(430)를 통해 브러시 샤프트(424b)로 기체를 분사하면, 브러시 샤프트(424b)를 타고 흐르던 세정액은 기체의 분사 압력에 의해 흐름이 차단되고, 브러 시 샤프트(424b)로부터 이탈하여 아래로 떨어진다. 이와 같은 기체 분사 부재(430)의 작용에 의해 세정액이 공정 챔버(100)의 측벽(110)을 통해 누출되는 것이 차단될 수 있다. 또한, 세정액의 누출이 차단되면, 공정 챔버(100)의 외부 설비들이 누출된 세정액에 의해 오염되는 종래의 문제점을 해결할 수 있다.Referring to FIG. 8, the cleaning liquid supplied to the substrate is in contact with the
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
도 1은 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 일 예를 보여주는 단면도,1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate cleaning apparatus according to the present invention;
도 2는 도 1의 세정 공정이 진행되는 공정 챔버의 평면도,2 is a plan view of a process chamber in which the cleaning process of FIG. 1 is performed;
도 3은 도 2의 기판 이송 유닛의 측면도,3 is a side view of the substrate transfer unit of FIG. 2;
도 4는 도 2의 브러시 세정 유닛의 측면도,4 is a side view of the brush cleaning unit of FIG. 2, FIG.
도 5는 도 4의 " A "부분의 확대도,5 is an enlarged view of a portion “A” of FIG. 4;
도 6은 도 5의 기체 분사 부재의 사시도,6 is a perspective view of the gas injection member of FIG. 5, FIG.
도 7은 도 6의 기체 분사 부재의 단면도,7 is a cross-sectional view of the gas injection member of FIG.
도 8은 기체 분사 부재를 이용하여 세정액의 누출을 차단하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining a process of blocking the leakage of the cleaning liquid by using a gas injection member.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
100 : 공정 챔버 200 : 기판 이송 유닛100: process chamber 200: substrate transfer unit
400 : 브러시 세정 유닛 422 : 브러시400: brush cleaning unit 422: brush
424b : 브러시 샤프트 430 : 기체 분사 부재424b: brush shaft 430: gas injection member
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2007
- 2007-12-27 KR KR1020070138755A patent/KR100924932B1/en not_active IP Right Cessation
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