KR100923446B1 - 엘티씨씨 모듈 - Google Patents

엘티씨씨 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR100923446B1
KR100923446B1 KR1020080007772A KR20080007772A KR100923446B1 KR 100923446 B1 KR100923446 B1 KR 100923446B1 KR 1020080007772 A KR1020080007772 A KR 1020080007772A KR 20080007772 A KR20080007772 A KR 20080007772A KR 100923446 B1 KR100923446 B1 KR 100923446B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ground
microstrip line
slit
module
line
Prior art date
Application number
KR1020080007772A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090081731A (ko
Inventor
홍성철
김철영
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020080007772A priority Critical patent/KR100923446B1/ko
Publication of KR20090081731A publication Critical patent/KR20090081731A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100923446B1 publication Critical patent/KR100923446B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

본 발명은 엘티씨씨 모듈에 관한 것으로서, 양극슬릿이 형성된 파워플랜; 상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드; 상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드; 상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아; 상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인; 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인; 상기 상측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 상측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인; 상기 하측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 하측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인; 및 적어도 상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인과 선택적으로 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하여 구성된다.
엘티씨씨, 모듈, 비아, 신호, 손실

Description

엘티씨씨 모듈{LTCC module}
본 발명은 엘티씨씨 모듈에 관한 것으로서, 특히 엘티씨씨 모듈의 신호 및 방사 손실을 줄임에 따라 집적도가 높은 모듈을 보다 용이하게 구현할 수 있고, 모듈의 크기를 소형화할 수 있는 엘티씨씨 모듈에 관한 것이다.
엘티씨씨(LTCC, Low Temperature Cofired Ceramics) 기술은 처음에 군사용으로 일부 응용되어 왔으나 고주파 통신용 수동소자에 주로 적용되기 시작하면서 의료, 가전기기, 무선통신부품 등과 위성 디지털 멀티미디어 방송용 튜너에도 응용되면서 응용범위를 급속히 확대해 가고 있다.
엘티씨씨란 주로 유리와 세라믹을 혼합한 재료를 그린시트라고 하는 종이보다 얇은 형태로 만들어 이를 여러 개로 잘라서 각각의 시트 위에 단순 전극이나 소자의 역할에 맞도록 금이나 은, 구리 등과 같은 금속을 입힌다. 그리고 이것들을 여러 층으로 쌓아 동시에 소성(세라믹과 금속을 동시에 구워야 하기 때문에 소성 온도를 녹는점이 낮은 금속에 맞춰 세라믹만을 소성하는 온도보다 낮은 온도인 1,000℃ 이하에서 소결)하여 하나의 모듈을 만드는 기술을 말한다.
엘티씨씨의 제조 공정은 슬리팅(Slitting), 프리컨디셔닝(Preconditioning), 블랭크(Blank), 펀치(Punch), 필(Fill), 프린트(Print), 인스펙트(Inspect), 라미네이트(Laminate), 코파이어링(Cofiring), 포스트 파이어 프로세싱(Post fire processing), 일렉트릭컬 테스팅(Electrical Testing), 시그너레이션(Singulation), 파이널 인스펙션(Final inspection) 단계로 이루어진다.
도 1 내지 도 3은 종래의 엘티씨씨 모듈의 구성을 나타내는 도면으로서, 종래의 엘티씨씨 모듈은, 양극슬릿(10h)이 형성된 파워플랜(10), 상기 파워플랜(10)의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿(20h)이 형성된 상측그라운드(20), 상기 파워플랜(10)의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿(30h)이 형성된 하측그라운드(30), 상단이 상측슬릿(20h)을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿(30h)을 통과하여 연장된 시그널비아(40), 상기 시그널비아(40)의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인(50), 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인(60)으로 구성된다.
상술한 바와 같이 도 1 내지 도 3에 개시된 종래의 엘티씨씨 모듈은, 시그널비아(40) 주위에 접지를 위한 부분이 없어 방사 손실이 많아 질 수 있다는 단점이 있다.
도 4 내지 도 6은 상술한 문제점을 해결하기 위한 종래의 다른 엘티씨씨 모듈의 구성을 나타내는 도면으로서, 종래의 다른 엘티씨씨 모듈은, 도 1 내지 도 3에 개시된 종래의 엘티씨씨 모듈과 비교할 때 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)를 연결하는 그라운드 비아(V)가 추가되어 구성된다.
상술한 바와 같이 도 4 내지 도 6에 개시된 종래의 다른 엘티씨씨 모듈은, 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)를 연결하는 그라운드 비아(V)만으로 시그널비아(40) 주위에 접지를 충분하게 제공해 주지 못하기 때문에 그만큼의 신호 손실이 발생하는 문제점이 있다.
또한, 상측 마이크로스트립 라인(50)과 상측그라운드(20)의 사이, 하측 마이크로스트립 라인(60)과 하측그라운드(30)의 사이의 두께가 다르거나 너무 두껍게 구성될 경우 신호 손실을 줄이는데 한계가 있고 외부로 방사가 일어나거나 표면파가 발생하여 신호 간섭 문제 등이 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 엘티씨씨 모듈의 신호 및 방사 손실을 줄임에 따라 집적도가 높은 모듈을 보다 용이하게 구현할 수 있고, 모듈의 크기를 소형화할 수 있는 엘티씨씨 모듈을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 엘티씨씨 모듈은, 양극슬릿이 형성된 파워플랜; 상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드; 상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드; 상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아; 상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인; 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인; 상기 상측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 상측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인; 상기 하측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 하측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인; 및 적어도 상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인과 선택적으로 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 다수의 그라운드 비아는, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 다수의 그라운드 비아 중 상측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 하측그라운드 비아 연결 라인과 연결되고, 상기 다수의 그라운드 비아 중 하측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 상측그라운드 비아 연결 라인과 연결되는 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게, 상기 다수의 그라운드 비아 중 상측 마이크로스트립 라인 또는 하측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아를 제외한 나머지 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 상측그라운드 비아 연결 라인, 하측그라운드 비아 연결 라인과 연결되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 상측슬릿의 직경이 상기 하측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 하측슬릿의 직경이 상기 상측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인은, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상인 것을 특징으로 한다.
다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 엘티씨씨 모듈은, 양극슬릿이 형성된 파워플랜; 상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드; 상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드; 상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아; 상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인; 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인; 및 상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 다수의 그라운드 비아는, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 상측슬릿의 직경이 상기 하측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 하측슬릿의 직경이 상기 상측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인은, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 엘티씨씨 모듈의 신호 및 방사 손실을 줄일 수 있다.
또한, 신호의 손실을 줄임에 따라 집적도가 높은 모듈을 보다 용이하게 구현할 수 있고, 모듈의 크기를 소형화할 수 있다.
[제1실시예]
제1실시예의 엘티씨씨 모듈은, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 파워플랜(10), 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 시그널비아(40), 상측 마이크로스트립 라인(50), 하측 마이크로스트립 라인(60), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80), 그라운드 비아(90)를 포함하여 구성된다.
파워플랜(10)의 중앙부분에는 양극슬릿(10h)이 형성되며, 상세하게는, 하나의 그린시트(s1) 윗면에 파워플랜(10)을 형성한 후 다른 하나의 그린시트(s2)를 파워플랜(10)의 윗면에 덮어서 파워플랜(10)의 중앙부분에 양극슬릿(10h)을 형성하게 된다.
상측그라운드(20)는 상기 파워플랜(10)의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되고, 이때, 상측그라운드(20)의 중앙부분에는 상기 양극슬릿(10h)과 대응되는 상측슬릿(20h)이 형성된다. 상세하게는, 파워플랜(10)의 상측면에 덮인 그린시트(s2)의 상면에 상측그라운드(20)를 형성한 후 다른 하나의 그린시트(s3)를 상측그라운드(20)의 윗면에 덮어서 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)을 형성하게 된다.
하측그라운드(30)는 상기 파워플랜(10)의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되고, 이때, 하측그라운드(30)의 중앙부분에는 상기 양극슬릿(10h)과 대응되는 하측슬릿(30h)이 형성된다. 상세하게는, 파워플랜(10)의 하측면에 위치한 그린시트(s1)의 하면에 하측그라운드(30)를 형성한 후 다른 하나의 그린시트(s4)를 하측그라운드(30)의 하면에 덮어서 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)을 형성하게 된다.
시그널비아(40)는 그 상단이 상측슬릿(20h)을 통과하여 연장되고, 그 하단이 하측슬릿(30h)을 통과하여 연장된다.
상세하게, 상기 시그널비아(40)는 그린시트(s1~s4)를 전체적으로 관통하되, 시그널비아(40)의 상단은 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면까지 관통하도록 형성되고, 상기 시그널비아(40)의 하단은 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면까지 관통하도록 형성된다.
상측 마이크로스트립 라인(50)은 상기 시그널비아(40)의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장되되, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 수평하게 연장형성되고, 하측 마이크로스트립 라인(60)은 상기 시그널비아(40)의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장되되, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 수평하게 연장형성된다.
상측그라운드 비아 연결 라인(70)은 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)이 형성된 평면, 즉, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)과 이격되어 형성되고, 하측그라운드 비아 연결 라인(80)은 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)이 형성된 평면, 즉, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)과 이격되어 형성된다.
이때, 상술한 상측그라운드 비아 연결 라인(70) 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인(80)은, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 시그널비아(40)를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상으로 형성된다.
다수의 그라운드 비아(90)는 적어도 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인(70) 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인(80)과 선택적으로 연결된다. 즉, 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 동시에 연결하거나 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70)을 동시에 연결하거나 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 모두 동시에 연결하도록 구성될 수 있다.
이때, 상기 다수의 그라운드 비아(90)는, 상기 시그널비아(40)를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열된다.
한편, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 상측 마이크로스트립 라인(50)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)과 연결되고, 상기 다 수의 그라운드 비아(90) 중 하측 마이크로스트립 라인(60)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70)과 연결되는 것이 바람직하다.
그리고 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 상측 마이크로스트립 라인(50) 또는 하측 마이크로스트립 라인(60)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)를 제외한 나머지 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)과 연결되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 구성된 제1실시예의 엘티씨씨 모듈은, 다수의 그라운드 비아(90)가 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)만을 연결하는 것이 아닌, 상측 마이크로스트립 라인(50)이 형성된 평면상에 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인(70)이나 하측 마이크로스트립 라인(60)이 형성된 평면상에 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인(80)에 선택적으로 연결됨에 따라 접지를 할 수 있는 부분이 늘어나게 되고, 이에 따라 신호의 손실을 줄일 수 있다는 이점이 있다.
[제2실시예]
제2실시예의 엘티씨씨 모듈은, 도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 파워플랜(10), 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 시그널비아(40), 상측 마이크로스트립 라인(50), 하측 마이크로스트립 라인(60), 그라운드 비아(90)를 포함하여 구성된다.
한편, 제2실시예의 엘티씨씨 모듈에 있어서, 제1실시예와 동일한 부분에 대 해서는 상세한 설명을 생략하도록 하고, 동일한 명칭에 대해서는 동일한 도면부호를 적용하도록 한다.
상측 마이크로스트립 라인(50)은 시그널비아(40)의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장되되, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 수평하게 연장형성되고, 하측 마이크로스트립 라인(60)은 시그널비아(40)의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장되되, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 수평하게 연장형성된다.
이때, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)의 넓이(a1)가 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이(a2)보다 넓게 형성되면, 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)의 직경이 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)의 직경보다 크게 형성되도록 하고, 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)의 넓이보다 넓게 형성되면, 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)의 직경이 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)의 직경보다 크게 형성되도록 한다.
다수의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)와 연결된다. 이때, 상기 다수의 그라운드 비아(90)는, 상기 시그널비아(40)를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열된다.
상술한 바와 같이 구성된 제2실시예의 엘티씨씨 모듈은, 다수의 그라운드 비아(90)가 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)를 연결하되, 상측슬릿(20h)의 직경과 하측슬릿(30h)의 직경의 크기 비율에 따라 상측 마이크로스트립 라인(50)과 하 측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이의 비율을 조절함에 따라 신호의 방사와 손실을 줄일 수 있다는 이점이 있다.
일예로, 안테나를 이루는 면의 경우 유전체가 두꺼워야 하고, 기타 RF 회로의 경우 유전체 두께가 얇아야 신호 손실을 줄일 수 있는데, 상측 마이크로스트립 라인(50)은 두껍고 넓게하여 안테나로 구성하고, 하측 마이크로스트립 라인(60)은 상측 마이크로스트립 라인(50)보다 얇고 넓이가 좁게하여 RF 회로를 구성하면, RF 전단 회로를 콤팩트하게 할 수 있고, 비대칭 구조로 구성할 수 있다.
[제3실시예]
제3실시예의 엘티씨씨 모듈은, 도 15 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 파워플랜(10), 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 시그널비아(40), 상측 마이크로스트립 라인(50), 하측 마이크로스트립 라인(60), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80), 그라운드 비아(90)를 포함하여 구성된다.
한편, 제3실시예의 엘티씨씨 모듈에 있어서, 제1실시예와 동일한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하도록 하고, 동일한 명칭에 대해서는 동일한 도면부호를 적용하도록 한다.
상측 마이크로스트립 라인(50)은 시그널비아(40)의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장되되, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 수평하게 연장형성되고, 하측 마이크로스트립 라인(60)은 시그널비아(40)의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장되되, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 수평하게 연장형성된다.
이때, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)의 넓이(a1)가 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이(a2)보다 넓게 형성되면, 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)의 직경이 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)의 직경보다 크게 형성되도록 하고, 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)의 넓이보다 넓게 형성되면, 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)의 직경이 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)의 직경보다 크게 형성되도록 한다.
상측그라운드 비아 연결 라인(70)은 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)이 형성된 평면, 즉, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)과 이격되어 형성되고, 하측그라운드 비아 연결 라인(80)은 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)이 형성된 평면, 즉, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)과 이격되어 형성된다.
이때, 상술한 상측그라운드 비아 연결 라인(70) 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인(80)은 상기 시그널비아(40)를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상으로 형성된다.
다수의 그라운드 비아(90)는 적어도 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인(70) 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인(80)과 선택적으로 연결된다. 즉, 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 동시에 연 결하거나 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70)을 동시에 연결하거나 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 모두 동시에 연결하도록 구성될 수 있다.
이때, 상기 그라운드 비아(90)는 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 상부와 하부가 나누어져 하측그라운드(30)를 통해 전기적으로 연결되는 구조로 구성될 수 있고, 각각의 그라운드 비아(90)는 시그널비아(40)를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열된다.
한편, 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 상측 마이크로스트립 라인(50)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)를 연결하는 그라운드 비아(90)와, 하측그라운드(30)와 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 연결하는 그라운드 비아(90)로 구성되고, 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 하측 마이크로스트립 라인(60)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)를 연결하는 그라운드 비아(90)와, 상측그라운드(20)와 상측그라운드 비아 연결 라인(70)을 연결하는 그라운드 비아(90)로 구성된다.
그리고 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 상측 마이크로스트립 라인(50) 또는 하측 마이크로스트립 라인(60)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)를 제외한 나머지 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70)을 연결하는 그라운드 비아(90)와, 하측그라운드(30)와 하 측그라운드 비아 연결 라인(80)과 연결하는 그라운드 비아(90)로 구성된다.
상술한 바와 같이 구성된 제3실시예의 엘티씨씨 모듈은, 다수의 그라운드 비아(90)가 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)만을 연결하는 것이 아닌, 상측 마이크로스트립 라인(50)이 형성된 평면상에 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인(70)이나 하측 마이크로스트립 라인(60)이 형성된 평면상에 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인(80)에 선택적으로 연결됨에 따라 접지를 할 수 있는 부분이 늘어나게 되고, 이에 따라 신호의 손실을 줄일 수 있다는 이점이 있다.
또한, 다수의 그라운드 비아(90)가 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)를 연결하되, 상측슬릿(20h)의 직경과 하측슬릿(30h)의 직경의 크기 비율에 따라 상측 마이크로스트립 라인(50)과 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이의 비율을 조절함에 따라 신호의 방사와 손실을 줄일 수 있다는 이점이 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 종래의 엘티씨씨 모듈을 나타내는 평면도.
도 2는 종래의 엘티씨씨 모듈을 나타내는 A-A 단면도.
도 3은 종래의 엘티씨씨 모듈을 나타내는 B-B 단면도.
도 4는 종래의 다른 엘티씨씨 모듈을 나타내는 평면도.
도 5는 종래의 다른 엘티씨씨 모듈을 나타내는 A-A 단면도.
도 6은 종래의 다른 엘티씨씨 모듈을 나타내는 B-B 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 제1실시예의 엘티씨씨 모듈의 평면도.
도 8은 본 발명에 따른 제1실시예의 엘티씨씨 모듈의 A-A 단면도.
도 9는 본 발명에 따른 제1실시예의 엘티씨씨 모듈의 B-B 단면도.
도 10은 본 발명에 따른 제1실시예의 엘티씨씨 모듈의 개략적인 사시도.
도 11은 본 발명에 따른 제2실시예의 엘티씨씨 모듈의 평면도.
도 12는 본 발명에 따른 제2실시예의 엘티씨씨 모듈의 A-A 단면도.
도 13은 본 발명에 따른 제2실시예의 엘티씨씨 모듈의 B-B 단면도.
도 14는 본 발명에 따른 제2실시예의 엘티씨씨 모듈의 개략적인 사시도.
도 15는 본 발명에 따른 제3실시예의 엘티씨씨 모듈의 평면도.
도 16은 본 발명에 따른 제3실시예의 엘티씨씨 모듈의 A-A 단면도.
도 17은 본 발명에 따른 제3실시예의 엘티씨씨 모듈의 B-B 단면도.
도 18은 본 발명에 따른 제3실시예의 엘티씨씨 모듈의 개략적인 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10:파워플랜
10h:양극슬릿
20:상측그라운드
20h:상측슬릿
30:하측그라운드
30h:하측슬릿
40:시그널비아
50:상측 마이크로스트립 라인
60:하측 마이크로스트립 라인
70:상측그라운드 비아 연결 라인
80:하측그라운드 비아 연결 라인
90:그라운드 비아

Claims (12)

  1. 양극슬릿이 형성된 파워플랜;
    상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드;
    상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드;
    상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아;
    상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인;
    상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인;
    상기 상측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 상측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인;
    상기 하측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 하측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인; 및
    적어도 상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인과 선택적으로 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 그라운드 비아는, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열되는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 그라운드 비아 중 상측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 하측그라운드 비아 연결 라인과 연결되고, 상기 다수의 그라운드 비아 중 하측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 상측그라운드 비아 연결 라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 다수의 그라운드 비아 중 상측 마이크로스트립 라인 또는 하측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아를 제외한 나머지 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 상측그라운드 비아 연결 라인, 하측그라운드 비아 연결 라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 상측슬릿의 직경이 상기 하측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 하측슬릿의 직경이 상기 상측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 상측그라운드 비아 연결 라인 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인은, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상인 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  8. 양극슬릿이 형성된 파워플랜;
    상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드;
    상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드;
    상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아;
    상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인;
    상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인; 및
    상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 다수의 그라운드 비아는, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열되는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 상측슬릿의 직경이 상기 하측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 하측슬릿의 직경이 상기 상측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 상측그라운드 비아 연결 라인 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인은, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상인 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈.
KR1020080007772A 2008-01-25 2008-01-25 엘티씨씨 모듈 KR100923446B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080007772A KR100923446B1 (ko) 2008-01-25 2008-01-25 엘티씨씨 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080007772A KR100923446B1 (ko) 2008-01-25 2008-01-25 엘티씨씨 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090081731A KR20090081731A (ko) 2009-07-29
KR100923446B1 true KR100923446B1 (ko) 2009-10-27

Family

ID=41292967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080007772A KR100923446B1 (ko) 2008-01-25 2008-01-25 엘티씨씨 모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100923446B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240047846A1 (en) * 2020-12-28 2024-02-08 AMOSENSE Co.,Ltd Antenna module
US20240047853A1 (en) * 2020-12-28 2024-02-08 AMOSENSE Co.,Ltd Antenna module

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010066703A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 송재인 저온 소성 세라믹 다층기판
JP2003273520A (ja) 2002-03-14 2003-09-26 Tdk Corp 積層モジュール
KR20040082853A (ko) * 2003-03-20 2004-09-30 삼성전기주식회사 신호라인의 수직연결구조를 개선한 적층 세라믹 기판
KR20070086304A (ko) * 2004-12-17 2007-08-27 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 고주파수 애플리케이션에 대한 관통 접속부를 포함하는다층 인쇄 회로 기판

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010066703A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 송재인 저온 소성 세라믹 다층기판
JP2003273520A (ja) 2002-03-14 2003-09-26 Tdk Corp 積層モジュール
KR20040082853A (ko) * 2003-03-20 2004-09-30 삼성전기주식회사 신호라인의 수직연결구조를 개선한 적층 세라믹 기판
KR20070086304A (ko) * 2004-12-17 2007-08-27 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 고주파수 애플리케이션에 대한 관통 접속부를 포함하는다층 인쇄 회로 기판

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090081731A (ko) 2009-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6489182B2 (ja) アンテナ一体型無線モジュール
CN103081578B (zh) 模块基板及模块基板的制造方法
JP6094287B2 (ja) アンテナ一体型モジュールの製造方法およびアンテナ一体型モジュール
US20190245275A1 (en) Planar array antenna and quasi-millimeter wave/millimeter wave wireless communication module
JP2008294491A (ja) アンテナ装置
KR101113443B1 (ko) 패치 안테나 및 무선통신 모듈
CN103872437B (zh) 多频微带贴片天线及其制造方法
JP6224484B2 (ja) 方向性結合器および高周波モジュール
KR100923446B1 (ko) 엘티씨씨 모듈
JP6949640B2 (ja) アレイアンテナ基板
CN102623799B (zh) 一种多层陶瓷天线的制备方法
JP6510350B2 (ja) 方向性結合器および高周波モジュール
JP2007088917A (ja) 伝送線路、電子部品及び伝送線路の製造方法
JP2009147907A (ja) フィルタ装置、これを用いた無線通信モジュール及び無線通信機器
CN204375934U (zh) 一种多层陶瓷天线
JP6319801B2 (ja) 無線通信装置
JP2006222797A (ja) 低域通過フィルタ、モジュール部品、及び、低域通過フィルタの製造方法
KR100282025B1 (ko) 무선통신용 다층 세라믹 블록
JP2006222691A (ja) 電子部品
US10524353B2 (en) Circuit board
KR20240067629A (ko) 수직형 부유 기생 스터브를 가지는 결합기
JP2005079657A (ja) 積層フィルタ
CN204333233U (zh) 一种多层陶瓷天线和pcb板结合的双频pifi天线
JP6502826B2 (ja) 配線基板および高周波モジュール
JP2007288418A (ja) アンテナ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121008

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140930

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee