KR100923271B1 - 샘플의 엘립소메트릭 2차원 디스플레이용 장치,디스플레이 방법, 및 공간 분해능을 갖는 엘립소메트릭측정 방법 - Google Patents

샘플의 엘립소메트릭 2차원 디스플레이용 장치,디스플레이 방법, 및 공간 분해능을 갖는 엘립소메트릭측정 방법 Download PDF

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썽뜨르 나쇼날르 드 라 르쉐르쉐 씨엉띠삐끄
유니베르시떼 삐에르 에 마리 퀴리
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Abstract

본 발명은 물체를 포함하고, 입사 매체에 위치되며, 수렴 광 교차 반사 검광기와 편광판 사이에서 관측되며, 상기 물체과, 상기 물체가 위치되는 기판으로 이루어진 엘립소메트릭 파라미터 세트가 처리되는 샘플의 엘립소메트릭 2차원 디스플레이용 장치에 관한 것이다.
상기 기판은 베이스와 스택 층을 포함하고, 상기 기판의 엘립소메트릭 특성이 알려져 있으며,
상기 기판의 엘립소메트릭 특성은 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터의 변이가 상기 기판의 부재로 만들어진 콘트라스트보다도 큰 콘트라스트로 디스플레이되도록 한다.
또한, 본 발명은 디스플레이 방법과 공간 분해능을 갖는 엘립소메트릭 측정 방법에 관한 것이다.
현미경, 공간 분해능, 엘립소메트릭

Description

샘플의 엘립소메트릭 2차원 디스플레이용 장치, 디스플레이 방법, 및 공간 분해능을 갖는 엘립소메트릭 측정 방법{DEVICE FOR ELLIPSOMETRIC TWO-DIMENSIONAL DISPLAY OF A SAMPLE, DISPLAY METHOD AND ELLIPSOMETRIC MEASUREMENT METHOD WITH SPATIAL RESOLUTION}
본 발명은 샘플의 엘립소메트릭 2차원 디스플레용 장치, 디스플레이 방법 및 공간 분해능을 갖는 엘립소메트릭 측정 방법에 관한 것이다. 본 발명은 엘립소메트릭 콘트라스트 또는 간섭 콘트라스트를 갖는 디스플레이에 특히 적합하다.
빛을 받아 반사하는 샘플은 일반적으로 그의 편광을 변이시킨다.
일반적으로 ψ와 Δ로서 표시되는 샘플의 엘립소메트릭 파라미터를 측정하여, 샘플을 시각화하거나 또는 상기 샘플을 특정화시키기 위해, 이 특성을 사용할 수 있다.
이러한 관점에서, 예를 들어 하나는 1979년에 아잠(Azzam)과 바하라(Bashara)에 의해 출판된 도서를 참고할 수 있다.
처음에는, 파라미터(ψ와 Δ)(엘립소메트리)의 정확한 엘립소메트릭 측정을 제공하거나, 극박막의 고감도 디스플레이를 제공하기 위해 브루스터(Brewster) 각도에서, 특히 수면(브루스터 각도 마이크로스코피)에서 프레넬(Fresnel) 계수(rp) 의 감쇠를 처리하는 것을 연구하여 왔다.
더욱이, 샘플 영역에 해당되는 파라미터(ψ와 Δ)를 측정하기 위해, 단일 입사와 단일 방위각하에서 샘플 영역을 조사하는 것을 연구하여 왔다.
본 발명의 주요한 목적은 각각 좌표(x와 y)에 의해 정의된, 샘플의 다수의 점에 대한 파라미터(ψ와 Δ)의 동시 처리를 제공하는 것이다. 이것은 샘플의 엘립소메트릭 2차원 디스플레이 또는 측정이라고 칭해진다.
더욱이, 본 발명은 광 반사 현미경하에서 관측, 디스플레이 또는 측정될 수 있는 작은 샘플에 관한 것이다. 광 반사 현미경은 종래의 현미경, 상이한 간섭 콘트라스트를 갖는 현미경 또는 형광 현미경일 수 있다.
이러한 형태의 미시적 관측은, 한편으로 현미경 렌즈가 엘립소메트릭 측정의 일반적인 조건과 상당히 다른 관측 조건을 만드는 광 디지털 구경을 갖기 때문에, 특별한 제약을 받으며, 여기서 빔, 조명 빔 및 측정 빔(또는 반사 빔)은 일반적으로 작은 구경에 의해 평행하게 된 평행 빔이며, 또 한편으로 조명 빔은 일반적인 입사각 둘레에, 즉 입사각의 범위내에 종종 균일하게 분산되어, 거의 엘립소메트리로 되지 않는다.
더욱이, 차광성 기판(antiglare substrate)의 사용에 근거한 디스플레이 방법들이 종래에 제안되었지만, 이 방법들은 기판의 "비간섭성의 반사율"에 의지한다. 따라서, 종래에 제안된 기판은 편광되지 않은 광 또는 입사 평면에 대해 일정한 편광 방향을 갖는 편광 광에 대한 차광성이고, 이 기판은 현미경을 사용할 수 없다. 이 원리는 수학식(E4)의 제 2변의 최소화에 근거된다.
Figure 112003021795641-pct00001
여기서, rp와 rs는 x와 y에 절대적으로 의존하여 작용되는 기판 상에서의 각 편광의 복소 반사 계수이고, ΦN(θ,NP)는 편광되지 않은 광에서 입사각(
Figure 112003021795641-pct00002
)에 대해 반사된 정규화 플럭스(flux)이다.
양 프레넬 계수의 값이 설정되기 때문에, 완전 감쇠는 매우 제한된 조건인 |rp|=|rs|=0에서만 가능한 것이 명백하다. 완전 감쇠의 조건인 |rp+rs |=0는 양 프레넬 계수 사이의 관계로 천천히 전이되기 때문에, 보다 유연하다.
rp= -rs
또한, 편광에 대한 차광성 기판은 엘립소미터의 성능을 향상시키기 위해 제안되었지만, 엘립소메트리와 광학 현미경은 지금까지는 호환될 수 없는 것으로 간주되어 왔었다.
따라서, 본 발명의 목적은 상업적으로 이용 가능한 광학 현미경의 사용과 호환될 수 있는 것으로 알려진 관측 조건하에서 광학 현미경으로 볼 수 없는, 매우 작은 두께를 갖는 물체의 엘립소메트릭 2차원 디스플레이를 제공하는 것이다.
이것에 불구하고 본 발명에 의하면, 물체를 시각화하고, 동시에 현미경하에 서 물체의 두께와 지수를 측정할 수 있다.
이 때문에, 관측 물체가 특정 기판에 배치되고, 관측 물체과 기판의 결합이 정밀 검사하에서 "샘플"로 칭하는 세트를 형성한다. 관측 물체가 매우 얇기는 하지만, 이 물체가 존재함으로써 기판 단면을 변경하여 물체의 디스플레이로 유도되도록 이 기판이 설계된다.
이러한 관점에서, 기판은 한편으로 마지막 층의 두께(e)가 조건(d2/de2[Ln|rp+rs|]=0)을 만족시킨다는 것을 확인하고, 또 한편으로 e 값의 세트상에서의 |rp+rs| 양의 최소값이 가능한 한 작게 되도록, 스택 층으로 덮혀진 베이스로 구성된다.
유사하게, 물체의 존재는 광학 현미경으로 측정 가능한 방법으로 변경할 이들 조건하에서 기판의 파라미터(ψ와 Δ)를 만족시켜, 물체의 광 특성이 샘플의 측정된 파라미터(ψ와 Δ)로부터 추출될 수 있다.
따라서, 이 기판은 기판의 구성 파라미터의 작은 교란에 대한 샘플의 파라미터(ψ와 Δ)의 감도가 작은 입사각에 대해 매우 크고, 따라서 브루스터 각도와 매우 다르게 되도록 설계되고, 반면에 제안된 디스플레이 및 측정 방법들이 설계할 때, 현미경의 방사 형상이 이 엘립소메트릭 특성의 처리와 호환되도록 설계된다.
바람직한 실시예에서, (렌즈의 후방 초점면의 주변에 삽입된 장치, 예를 들어 노말스키(Nomarski) 장치 또는 스미스 장치 덕분에) 미분 간섭 현미경(DIC)을 실행하면, 방위각(
Figure 112008038646874-pct00003
=0)에 따라 선형으로 편광된 조명 빔은 DIC 장치에 의해 방향들
Figure 112008038646874-pct00004
=45°와
Figure 112008038646874-pct00005
=-45°에 따라 2개의 선형으로 편광된 빔으로 분할되고, 작은 양(Δd)만큼 서로에 관해, 측면장으로 오프셋되며, 양 이들 편광과 연관된 양 파면(wave planes)은 샘플상에서 반사시, 물체의 동종의 존재 또는 부존재로 인해 상 변이를 일으키며 이 상 변이가, 반사된 빔의 복귀시에, DIC 장치로 전달되고 나서 편광판와 교차 결합된 검광기로 전달한 후에 칼라 또는 세기 변이로 전환된다. 이러한 모드의 관측에서, 물체의 콘트라스트는 DIC 장치에 포함된 보상기의 조정에 의해 최적화된다. 이 조정은 간섭을 만드는 장치에서, 즉 검광기에서 양자(兩者)의 빔의 위상 시프트를 조정할 때 샘플의 관심없는 구역에 의해 반사된 양자의 빔간의 간섭을 제거하도록 구성되기 때문에, 이 감쇠의 양이 디스플레이 양을 결정한다. 이 감쇠의 수학적 조건은 종래와 동일, rp+rs=0이다. 이러한 모드의 관측에서 스택의 마지막 층의 두께(e)의 최대 감도 조건은 d2/de2[Ln|rp+rs|]=0이다.
따라서, 제안된 디스플레이 방법은 DIC 장치가 현미경에 포함될 때 조차도, 교차 결합된 편광판와 검광기 사이에 있는 현미경에 의한 모든 관측에 대해 전체적으로 최적화된다.
따라서, 본 발명은 입사 매체내에 위치되고, 교차된 편광판과 검광기 사이에서 수렴 광의 반사에 의해 관측되는 물체를 포함하는 샘플의 엘립소메트릭 2차원 디스플레이용 장치로서, 상기 물체와 상기 물체가 위치되는 기판으로 이루어진 세트의 엘립소메트릭 파라미터가 처리된다.
본 발명에 의하면,
- 상기 기판은 베이스와 스택 층을 포함하고, 상기 기판의 엘립소메트릭 특성이 알려져 있으며,
- 상기 기판의 엘립소메트릭 특성은 상기 물체로 인한 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터의 변이가 상기 기판이 없을 때 발생된 콘트라스트보다도 큰 콘트라스트로 디스플레이되도록 되어 있다.
또한, 본 발명은 다음 설명에서 명백히 나타나고, 개별적으로 또는 모든 기술적으로 가능한 조합에 의해 고려될 특징에 관한 것이다:
- 상기 샘플은 현미경 렌즈와 같은 광구경 렌즈를 통해 조사되고,
- 상기 현미경은 미분 간섭 콘트라스트를 갖는 현미경이며,
- 상기 현미경은 형광 현미경이다.
본 실시예는 나노메트릭 치수(nanometric dimension)를 갖는 물체를 디스플레이 또는 검출하는데 가장 효과적이다. 따라서, 그 목적은 분해하지 않고 디스플레이하는 것이다. 본 발명은 특히, 모든 개개의 와이어 형상 물체, 즉 길이가 미크론(폴리머, 미세소관, 콜라겐, 박테리아, DNA, RNA, 탄소 나노튜브, 나노와이어 등)보다 긴 현미경의 가로 분해능보다 큰 양만큼 떨어진 도든 개개의 와이어 형상의 물체를 시각화할 수 있다.
- 상기 물체과 접촉하는 상기 스택 층의 두께(e)는 상기 기판의 복소 반사계수(rp와 rs)가 조건(d2/de2[Ln|rp + rs|]=0)을 만족하도록 하고,
- 상기 기판의 광 특성은 (e) 값들의 세트에 대한 양(|rp + rs|)의 최소값이 가능한 한 작도록 하고,
- 상기 장치는 다색 광원을 포함하고,
- 상기 장치는 단색 광원을 포함하며,
- 상기 베이스는 실리콘내에 있다.
보다 일반적으로 말하면, 상기 베이스는 흡수 매체, 금속, 또는 광 지수가 3.3보다 큰 반도체가 유리하다.
- 상기 스택은 단일층으로 이루어진다.
이 층은 적합한 특성의 혼합물(SiO/SiO2)로 이루어진 광물이 유리하다.
- 상기 층은 실리카 층이고,
- 상기 실리카 층의 두께는 1025Å의 오더(order)이고, 입사 매체는 단순히 공기가고,
- 상기 층은 마그네슘 플루오라이드 층이고,
- 상기 MgF2 층의 두께는 1055Å의 오더이고, 입사 매체는 단순히 공기가고,
- 상기 층은 폴리머 층이고,
- 상기 층은 1.343과 실질적으로 동일한 광 지수를 갖는 폴리머 층이고, 상기 입사 매체는 단순히 공기이고,
- 상기 층은 1.74와 실질적으로 동등한 광 지수를 갖는 광물 층이고, 상기 입사 매체는 단순히 물이고,
- 상기 층은 1.945와 실질적으로 동등한 광 지수를 갖는 광물 층이고, 상기 입사 매체는 1.5의 광 지수를 갖는, 단순히 오일이고,
- 상기 층은 불연속적이고 실리카 블록으로 이루어지며, 상기 층의 두께를 묘사하는 동일 높이의 1.343의 지수를 갖고, 마이크로미터보다 상당히 작은 단면 치수를 가지며, 상기 입사 매체는 단순히 공기이고,
- 상기 층은 1.343과 실질적으로 동등한 지수를 갖는 메조포러스 (mesoporous) 혹은 나노 크기의 다공성(nanoporous) 광물 또는 유기물 층이고, 상기 입사 매체는 단순히 공기이고,
- 상기 층은 1.343과 실질적으로 동등한 지수를 갖는 광물 에어로젤이고, 상기 입사 매체는 단순히 공기이고,
- 상기 장치는 현미경을 포함하고, 상기 현미경은 상기 조명 콘(illuminating cone)을 선택된 방향에서의 단일 입사면으로 제한할 수 있는 상기 현미경 축 둘레에서 조정할 수 있는 세로 슬롯 형태의 구경 조리개를 포함하고,
- 상기 장치는 입사각 둘레에서 상기 샘플의 조명 콘을 제한하는 링 형상의 구경 조리개를 포함하는 현미경을 포함하고,
- 상기 물체는 박막이고, 상기 스택은 상기 두께가 상기 기판에 따라 방향(X)으로 단조형상으로 변이되는 사면 층(bevelled layer)을 포함한다.
본 방법과 본 디스플레이 장치는 호환될 수 있고, 모든 광 스캐닝 현미경 관측, 모든 가시광 광학 기술(UV 또는 IR), 모든 분광 기술, 모든 비선형 광학 기술, 모든 확산 또는 회절 기술, 및 모든 이들 조합에 유리하게 추가될 수 있다. 본 방법과 본 디스플레이 장치는 특히 형광 기술, 마이크로-라만(micro-Raman) 기술, 공초점 현미경 검사(confocal microscopy) 기술, 2-광자 현미경 검사 기술, 및 모든 이들의 조합과 호환될 수 있다.
본 발명을 현광 현미경 검사으로 실시하는 것이 특히 유리하다. 더욱이, 형광 샘플에 의해 방사된 빛의 편광은 입사 빔의 편광과 때때로 다르다. 따라서, 형광 마커(marker)는 본 발명의 장치가 특히 고감도인 빛의 편광 해소(depolarization)를 야기시킨다. 더욱이, 본 발명의 장치의 자신의 입사광의 감쇠 인자(extinction factor)는 형광 신호에 동반되는 잡음을 상당히 감소시킨다.
마지막으로, 본 발명을 형광 현미경 검사으로 실시하는 것은 동일한 형광 물체중에서, 분자의 매우 특이한 환경에 해당되는, 빛의 편광을 소멸시키는 형광 물체를 인지할 수 있다.
본 실시는 형광 매체에 침지된 표면의 관측에 특히 유효하다. 또한, 본 실시는 혼성 반응과정의 관측을 포함하는 바이오칩의 형광 신호를 판독하는데 매우 유리하다.
또한, 본 발명은
- 상기 디스플레이 장치가 상기 방향(X)과 평행하게 2개의 요소로 절단되고,
- 상기 박막이 상기 요소중 하나에 배치되고,
- 상기 요소가 다색 광에 의해 조명된 편광 현미경 아래에 있는, 교차된 편광판과 검광기 사이에 배치되어, 칼라 간섭 프린지를 상기 요소에 형성하며,
- 상기 각 요소에 각각 형성된 상기 프린지의 오프셋이 상기 요소중 하나에 배치된 상기 층의 특성을 연역하기 위해 측정된다.
더욱이, 본 발명은 상기 기판이 페트리 박스(Petri box)의 기부인 것을 특징으로 하는, 상기에서 설명된 바와 같은 샘플의 디스플레이 장치에 관한 것이다.
더욱이, 본 발명은 상기 샘플이 매트릭스 멀티센서이기 때문에, 상기 매트릭스의 각 블록 또는 웨이퍼가 상기 스택의 마지막 층을 구성하는 것을 특징으로 하는, 상기에서 설명된 바와 같은 샘플의 디스플레이용 장치에 관한 것이다. 이 멀티센서는 박테리아, 바이러스, 항원, 항체, 단백질, DNA, RNA, 염색체 칩일 수 있고, 따라서 상기 장치는 평행 판독 장치를 구성한다.
또한, 본 발명은
- 상기 샘플이 구경 조리개를 통해 선형으로 편광된 조명 빔에 의해 조사되고,
- 상기 샘플에 의해 반사된 광이 편광판/검광기에 의해 분석되고, 상기 편광판의 상대 방향정위에 대해 상기 샘플의 편광 방향의 상대 방향정위(φ)에 의해 특징되고,
- 상기 반사 세기는 상기 조명 빔과 상기 편광판-검광기의 편광의 상대 회전에 의해 변조되는 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법에 관한 것이다.
본 방법에 의하면
- 상기 조명 빔의 구경 조리개는 단일 입사각을 묘사하는 빔의 축을 중심으로 하는 링이고,
- 상기 평균 반사 플럭스(φM(x,y))와 상기 평균 반사 플럭스의 변조 진폭(φm(x,y))은 상기 획득된 샘플 화상의 각 점에서 동시에 측정되고,
- 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))은 하기 수학식:
Figure 112003021795641-pct00006
에 근거하여 상기 샘플의 각 점에서 엘립소메트릭 파라미터(ψ(x,y)와 Δ(x,y))와 반사 계수(|rs|2(x,y))의 2개의 조합값을 연역하도록 처리되며,
- 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))은 하기 수학식:
Figure 112003021795641-pct00007
에 근거하여 단일 엘립소메트릭 파라미터(ψ(x,y)와 Δ(x,y))의 조합값(sin(2ψ)cosΔ)을 연역하도록 처리된다.
더욱이, 측정 단계에서:
측정 단계에서,
- 상기 편광판에 대한 상기 검광기의 방향정위는 π/2 모듈로 π와 상이한 값으로 설정되고,
- 상기 조명 빔의 구경 조리개는 단일 입사각을 묘사하는 링에 첨가된 현미경의 광축 둘레에서 조정될 수 있는 슬롯이고,
- 상기 반사된 빔의 세기는 상기 슬롯의 적어도 2개의 상이하고 예측 불가능 한 방향정위(
Figure 112003021795641-pct00008
)에 대해 측정되고,
- 상기 세기 측정값은 하기 수학식:
Figure 112003021795641-pct00009
에 근거하여 처리되며,
- 양 엘립소메트릭 각도(ψ(x,y)와 Δ(x,y))의 값과 반사 계수 모듈(|rp|와 |rs|)의 값은 상기 샘플의 각 점에서 동시에 연역된다.
더욱이, 보충 단계에서:
- 상기 검광기는 상기 편광판와 수직하지 않는 방향정위, 예를 들어 φ=0로 고정되고,
- 상기 조명 빔의 구경 조리개는 단일 입사각을 묘사하는 링에 첨가된 현미경의 광축 둘레에서 조정될 수 있는 슬롯이고,
- 상기 슬롯의 양 방향정위(
Figure 112003021795641-pct00010
=0과
Figure 112003021795641-pct00011
=π/2)에 대한 상기 반사 세기가 측정되며,
- 상기 세기 측정은 하기 수학식:
Figure 112003021795641-pct00012
에 따라 상기 세기 측정 비율의 제곱근을 취하여 tanψ를 얻도록 처리된다.
더욱이, 측정 단계에서:
- 상기 편광판에 대한 상기 검광기의 방향정위는 π/2 모듈로 π와 상이한 값으로 설정되고,
- 상기 반사 세기는 상기 광축 둘레에서 상기 조리개(D)의 상기 회전에 의해 변조되고,
- 평균 반사 플럭스(φM(x,y))와 상기 플럭스의 변조 진폭(φm(x,y))은 상기 샘플의 각 점에서 동시에 측정되며,
- 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))은 하기 수학식:
Figure 112003021795641-pct00013
에 근거하여 양 엘립소메트릭 각도(ψ(x,y)와 Δ(x,y))와 반사 계수 모듈(|rp|와 |rs|)을 연역하도록 처리한다.
더욱이, 보충 단계에서:
- 상기 편광판에 대한 상기 검광기의 방향정위는 φ=0으로 설정되고,
- 상기 반사 세기는 상기 광축 둘레에서 상기 조리개(D)의 상기 회전에 의해 변조되고,
- 평균 반사 플럭스(φM(x,y))와 상기 플럭스의 변조 진폭(φm(x,y))은 상기 샘플의 각 점에서 동시에 측정되며,
- 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))은 하기 수학식:
Figure 112003021795641-pct00014
에 근거하여 양 엘립소메트릭 각도(ψ(x,y)와 Δ(x,y))와 반사 계수 모듈(|rp|와 |rs|)을 연역하도록 처리된다.
또한, 본 발명은:
- 상기 샘플이 구경 조리개를 통해 선형으로 편광된 조명 빔에 의해 조사되는 단계;
- 상기 샘플에 의해 반사된 광이 편광판/검광기에 의해 분석되고, 상기 편광판의 상대 방향정위에 대해 상기 샘플의 편광 방향의 상대 방향정위(φ)에 의해 특징되는 단계; 및
- 상기 반사 세기가 상기 조명 빔과 상기 편광판-검광기의 편광의 상대 회전에 의해 변조되는 단계를 포함하고,
- 상기 조명 빔의 구경 조리개는 상기 빔의 축을 중심으로 하는 디스크이고,
- 상기 평균 반사 플럭스(φM(x,y))와 상기 평균 반사 플럭스의 변조 진폭(φm(x,y))은 상기 획득된 샘플 화상의 각 점에서 동시에 측정되고,
- 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))은 하기 수학식:
Figure 112003021795641-pct00015
에 근거하여 상기 샘플의 각 점에서 유효 엘립소메트릭 파라미터(ψeff(x,y)와 Δeff(x,y))와 유효 반사 계수(|rs eff|2(x,y))의 2개의 조합값을 연역하도록 처리되며,
- 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))은 하기 수학식:
Figure 112003021795641-pct00016
에 근거하여 단일 유효 엘립소메트릭 파라미터(ψeff(x,y)와 Δeff(x,y))의 조합값(sin(2ψ)cosΔ)을 연역하도록 처리는 것을 특징으로 하는, 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 가로 공간 분해능을 갖는 현미경하에서의 엘립소메트릭 측 정용 장치에 관한 것이다.
상기 장치에 의하면:
- 상기 장치는 상기 렌즈의 일측상에 상기 조명 미러와 상기 샘플 사이에 단일 편광판만을 포함하고,
- 상기 장치는 슬롯을 포함하고, 상기 슬롯은 적어도 3가지 측정에서, 상기 슬롯과 상기 3가지 측정에 적용되는 하기 수학식:
Figure 112003021795641-pct00017
의 3개의 상이한 방향정위에 사용되는 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터를 추출할 수 있는 링 조리개에 더 첨가된, 상기 장치의 구경 조리개의 평면에서 회전하며, 상기 파라미터(rs, ψ 및 Δ)는 하기 수학식:
Figure 112006086004974-pct00089
이 나타내는 모든 입사각의 평균으로부터 유도되는 유효 파라미터일 수 있다.
상기 장치에 의하면:
- 상기 편광판 및 검광기는 설정된 상대 방향정위를 갖고,
- 상기 구경 조리개는 홀 또는 링이고,
- 상기 렌즈의 후방 초점면의 화상은 버트렌드 렌즈에 의해 접안 렌즈의 초점면 물체에 형성되고,
- CCD 카메라는 상기 초점면에 위치되고,
- 상기 CCD 카메라의 각 점에서 얻어진 세기 측정은 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터 세트를 직접 얻기 위해, 일반 수학식
Figure 112003021795641-pct00019
에 의해 처리된다.
상기 장치에 의하면:
- 상기 반사 세기의 변조는 상기 검광기와 편광판의 상대 회전에 의해 얻어지고,
- 상기 구경 조리개는 홀 또는 링이고,
- 상기 렌즈의 후방 초점면의 화상은 버트렌드 렌즈에 의해 접안 렌즈의 초점면 물체에 형성되고,
- CCD 카메라 또는 바람직하게는 트리-CCD는 상기 초점면에 위치되고,
- 상기 CCD 카메라의 각 점에서, 또는 바람직하게는 상기 트리-CCD 카메라의 각 점에서, 그리고 상기 트리-CCD 카메라의 각 칼라 성분에 대해 얻어진 상기 세기 측정은 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터 세트를 직접 얻기 위해, 일반 수학식:
Figure 112003021795641-pct00020
에 의해 처리된다.
상기 장치에 의하면:
- 상기 렌즈의 후방 초점면의 화상은 버트렌드 렌즈에 의해 접안 렌즈의 초점면 물체에 형성되고,
- CCD 카메라는 상기 초점면에 위치되고,
- 상기 CCD 카메라의 각 점에서 얻어진 세기 측정은 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터 세트를 직접 얻기 위해, 일반 수학식:
Figure 112003021795641-pct00021
에 의해 처리된다.
상기 카메라는 트리-CCD 칼라 카메라이고, 각 점에서의 상기 세기 측정은 상기 칼라 각각에 대해 행해지고 처리된다.
유리하게는, 관측 물체는 물체를 포함하는 기판위에 위치된다. 상기 물체과 접촉되는 상기 스택 층의 두께(e)가, 상기 기판의 복소 반사 계수(rp와 rs)가 조건(d2/de2[Ln|rp+rs|]=0)을 만족하도록 한다.
바람직하게는, 상기 물체는 상기 광학 특성이, (e) 값들의 세트에 대한 양(|rp+ rs|)의 최소값이 가능한 한 작게 되도록 하는 기판에 위치되는 것을 특징으로 하는, 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
본 발명의 실시예는 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이다.
도 1 및 도 2는 광학 시스템에서의 복사선의 전파 벡터(k)에 대한 빛(p와 s)의 편광 파라미터와, 방향정위 파라미터인 입사각 및 방위각(θ와
Figure 112003021795641-pct00022
)을 정의하는 도면.
도 3는 현미경의 렌즈에 대한 샘플을 보여주는 도면.
도 4는 본 발명에 따라 실시된 편광 현미경을 보여주는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 두께 직접 측정 장치를 개략적으로 보여주는 도면.
도 6a 및 6b는 본 발명의 일실시예에서 실시된 멀티센서의 디스플레이 장치의 도식적 표현을 보여주는 도면.
본 발명은 도 1 및 도 2의 기호를 사용하여 설명될 것이고, 여기서
Figure 112003021795641-pct00023
는 샘플상에서 입사각(θ)의 복사선에 의해 전달되는 빛의 편광 벡터이다.
더욱이, 샘플(1)은 측정에 작용하는 조립체를 의미한다. 이 샘플은 입사 매체(3)에 의해 렌즈(2)로부터 분리되고, 이 샘플은 입사 매체로부터 시작하여, 관측 물체(4)(디스플레이되어야 할 것), 가장 외측의 층(6)이 샘플과 접촉하는 층인 스택(5) 층, 및 베이스(7)를 포함한다. 스택층과 베이스는 기판(8)을 형성한다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 의해 사용될 수 있는 장치를 나타내고, 유사한 요소는 동일한 도면 부호로 나타낸다.
평면과 등방성으로 가정하여, 샘플(1)은 반사 동작(reflection-operating) 광 현미경 아래에 위치된다. 현미경은 렌즈(10)와 쾰러형 조명 시스템을 포함하고, 여기서 쾰러형 조명 시스템은 적어도 2개의 렌즈(12와 13)와, 도 4a에서 점섬으로 나타낸, 렌즈(10)의 후방 초점면의 렌즈로 결합된 구경 조리개 또는 동공(11)을 포함한다.
편광판(P)은 반반사판(15)에 의해 샘플을 향하여 지향된 빛을 편광시킨다. 편광판(P)의 방향은 기준으로서 사용된다. 물체에 의해 전달된 빛은 검광자(A)로 조사된다.
도 4b는 미분 간섭 콘트라스트(differential interferential contrst(DIC)) 현미경의 실시에 해당되고, 미분 간섭 콘트라스트 현미경은 울러스턴(Wollaston) 이중 프리즘(biprism) 또는 노마키스(Nomarksi) 프리즘중 어느 하나의 편광 요소(16)와 보상기를 포함한다.
더욱이 공지된 바와 같이, 선형 편광을 환상 편광으로 대체하는 것이 가능하다.
그리고, 교차 결합된 편광판 및 검광기 대신에, 반투과 미러, 제 1 편광판, 4분의 1 파장판(λ/4), 렌즈, 샘플, 그리고 피드백으로, 렌즈, 4분의 1 파장판, 상기에서 설명된 편광판, 및 반투과 미러가 존재할 것이다.
그리고, 미분 간섭 콘트라스트(DIC) 현미경의 경우에, 반투과 미러, 편광판, 편광 요소, 4분의 1 파장판, 렌즈, 샘플, 그리고 피드백으로, 렌즈,4분의 1 파장 판, 편광 요소, 상기에서 설명된 편광판, 및 반반사 미러가 존재할 것이다.
복사선의 입사각은 θ이다. 현미경은 샘플의 일측에 광 경로 상에 놓인 선형 편광판과 검광기로 고정된다. 조명은 반사투영(episcopic)이고 단색이다. 검광기는 회전하면서 편광판과 각(φ)을 형성한다. 정규화 반사 플러스(ΦN)는 반사 플럭스 대 기준 플럭스의 비율로 측정된다. 기준 플럭스는 편광판과 검광기가 없을 때에 가상 완전 반사 샘플로 유사하게 조정된 동일한 기구에서 획득되는 것이다. 이 완전 반사 샘플은 평행(p)와 수직(s) 편광에 대한 완전 반사 샘플의 프레넬(Fresnel) 복소 계수에 의해 rp=rs=1로 정의된다. 임의의 각도(φ)에 대해 다음과 같다.
Figure 112003021795641-pct00024
편광판와 검광기가 교차 결합된 특정 경우(φ=π/2)에, 이 수학식(1)은 다음과 같이 감소된다.
Figure 112003021795641-pct00025
수학식(1)의 제 2변이 바로 해석될 수 있다. 제 2변은 다음 2개의 항으로 구성된다:
우선, cos2φ(|rp|2+|rs|2)는 반사율로서 나타낼, 감쇠 계수와 세기 반사 계수의 곱이다. 이러한 반사율은 rp와 rs 사이, 즉 평행 및 수직 반사 성분 사이의 간섭을 무시함으로써, 그리고 모든 가능한 방위각(
Figure 112003021795641-pct00026
), 즉 편광판의 방향에 대해 입사면의 모든 가능한 방향정위(orientation)에 걸쳐 평균함으로써 얻어지기 때문에, "비간섭성의 평균 반사율"로서 간주될 수 있다. 제 1항을 감소시키면, 여기서 표면은 단지 흡수 요소 부분으로 작용하기 때문에, 수학식(1)은 샘플과, 광 경로상에 있는 검광기의 순서를 전환함으로써 얻어진 반사를 제공한다. 이 제 1항은 φ=π/2: 교차 결합된 편광판와 검광기 사이에서, 그리고 (비)편광 요소가 없으며, 어느 것도 통과하지 않을 때, 모두 소멸된다.
수학식(1)의 제 2항은 rp와 rs 사이의 간섭을 나타낸다. 제 2항은 "간섭성의 반사율"로 칭해질 것이다. 제 2항은 선형 입사 편광을 타원 편광으로 변환시키는 표면에 의한 입사 빔의 편광 해소(depolarization)를 나타낸다. 이 타원율은 각 방위각, 즉 편광판의 방향을 갖는 각도(φ)에 의해 정의된 각 입사면에 대해 다르고, 이 제 2항은 원추형 지오메트리(conical geometry) 조사로 기인되는 평균 반사율을 나타낸다. 제 2항은 모든 방위각의 기여가 서로 무효로 되는 φ=π/4에서, 또한 rp = -rs 에서 소멸된다. 제 2항은 평행한 편광판와 검광기 사이의 전체 반사율을 감소시키고, 편광판와 검광기가 교차 결합되었을 때 전체 반사율을 증가시킨다.
본 발명의 목적인 디스플레이 기술은 이 제 2항을 직접 처리한다. φ=π/2를 선택하여, 수학식(1)의 제 2항만이 존재하게 된다. 감쇠 또는, 보다 상세하게 설명하면, 비간섭성의 반사율의 준감쇠는 본 발명의 기초중의 하나이다. 또한, "간섭성의 반사율"으로 칭한 것은 반사된 편광의 타원율(방위(φ)의 함수)에 기인하기 때문에, "엘립소메트릭 반사율((ellipsometric reflectivity)"으로 칭해질 수 있다.
수학식(1)과 동등한 수학식은 다음과 같다.
이 수학식은 편광 요소가 존재할 때에 얻어진 신호와, 편광 요소가 없을 때, 즉 제 1항에 의해서만 제공되는 비편광된 빛으로 얻어진 신호를 비교할 수 있다. 이것은 다음과 같이 된다.
Figure 112003021795641-pct00028
편광판이 존재할 때에는 수학식(3)에 나타낸 바와 같이, φ=π/4를 부과함으 로써 이러한 양을 실험적으로 접근하는 것이 여전히 가능하게 된다.
표면에 위치된 박막 형태의 관측 물체(4)의 에지를 디스플레이하기 위해, 수집된 세기가 박막과 IF와 IS로 표시된 나면(bare surface)을 관측함으로써 처리된다. 이 세기는 해당 정규화 플럭스에 비례한다.
박막의 에지의 콘트라스트는 다음과 같다.
Figure 112003021795641-pct00029
박막을 정확하게 디스플레이하기 위해, C는 최적화되어야 하고, 따라서 IF/IS 비율은 최대값(IS->0, 1의 콘트라스트에 도달하기 위해) 또는 최소값(IF->0, -1의 콘트라스트에 도달하기 위해)으로 되어야 한다. 그리고, 표면 또는 박막중 어느 하나를 소멸시킬 필요가 있다. 따라서, 고감도의 처리는 한편으로 정확한 감쇠에 기초를 두고, 다른 한편으로 선택적인 감쇠에 기초를 둔다.
본 기술은 2가지의 감쇠 인자를 결합시킨다:
i) 교차 결합된, 또는 대부분 교차 결합된 편광판 및 검광기.
ⅱ) 이 모드의 관측에 대한 반사방지 기판.
수학식(3)은 본 감쇠의 이중 특성을 강조하며: 교차 결합된 편광판와 검광기는 제 2변의 제 1항을 소멸시키고, 반사방지 기판은 제 2변을 소멸시킨다. 따라서, 이것은 간섭성의 반사율에 대한 반사방지 기판으로 정의될 수 있다. 이것이 디스플 레이 기술의 제 2 기초이다.
그러나, 양호한 감쇠는 고감도의 디스플레이에 충분하지 않다. IF 또는 IS가 소멸되어야 하지만, 양자가 동시에 소멸되는 것은 아니다. 디스플레이된 박막이 매우 얇은 만큼, 모든 박막의 물리적 파라미터가 나면의 물리적 파라미터를 거의 방해하지 않고, 이것은 감쇠가 절대적인 것을 의미한다. 바꿔 말하면, 감쇠는 표면의 매우 작은 변형에 대해 상실되어야 한다. 본 기판의 반사방지 품질의 절대 요소가 본 디스플레이 기술의 제 3 기초이다.
디스플레이 처리의 성능은 얻어진 박막이 매우 얇게 될 때 얻어진 콘트라스트에 의해 양이 정해질 수 있다. 이러한 경우에, IF와 IS는 인접하게 되고, dl=IF - IS는 미분 요소에 근접하게 된다.
따라서, C는 다음과 같이 기입될 수 있다.
Figure 112003021795641-pct00030
여기서, Δe는 광학 지수(optical index)가 상위층의 광학 지수와 동일할 때, 그리고 dl/de가 스택의 마지막 층의 두께에 대한 베어 기판(bare substrate)에 의해 반사된 세기의 파생인 곳에서 가정될 수 있는 박막의 두께이다. 기판이 단일 유전체 층으로 덮혀진 고체 베이스로 이루어진 경우에, e는 이 층의 두께이다. 필름과 마지막 유전체 층에 대해 동일한 지수를 취하는 것이 필수적이지 않지만, 이것은 설명을 간단하게 하고, 본 처리가 박막과 기판 사이의 반사 이점을 취하지 않는 것을 나타낸다. 따라서, 박막은 본 명세서에서 최외부 층의 단순한 두께 변동으로서 고려된다.
본 기술의 감도는 C 대 Δe의 비율로서 옹스트롬-1로 표현된다.
Figure 112003021795641-pct00031
단일 층으로 덮혀진 고체에 대한 rp와 rs의 표현은 일반적이다(예를 들면, ref. AZZAM)
Figure 112003021795641-pct00032
여기서, 고려된 편광에 의하면, k= s 또는 p이고,
Figure 112003021795641-pct00033
, 지수(1)은 층에 관한 것이고, 지수(2)는 베이스에 관한 것이며, 지수(0)은 입사 매체에 관한 것이다.
이 수학식(8)은 다음과 같이 기입할 수 있다.
Figure 112003021795641-pct00034
여기서, σij와 Πij는 rij(p)와 rij(s)의 합과 곱을 각각 표시한다.
합(σ)은 주기(λ/2)의 광 두께(N1e)의 주기 함수이다. 그 모듈(|σ|)은 일반적으로 주기당 2개의 최소값과 2개의 최대값을 나타낸다. 동일한 것이 Ln|σ|에도 해당된다. 더욱이, 함수(|σ|)는 서술된 함수이며, 매우 정규적이고, e에 대한 함수(|σ|)의 파생은 그다지 중요하지 않다. 반대로, 함수(Ln|σ|)는 |σ|가 0으로 향하고, 감쇠가 전체적일 때 수학식(7)에 의해 주어진 감도가 일측의 최소값의 절대값에서 매우 중요하게 될 때 발산한다. 콘트라스트는 항상 좌수측의 최소값에서 음, 우수측의 최소값에서 양으로 된다. 결국, 최소값을 얻기 위한 조건은 "콘트라스트 반전의 조건"으로서 나타낼 것이다.
요약하면, 빠른 콘트라스트 전도 반전은 e에 대한 |rp + rs|의 최소값에 해당되고, 매우 빠른 콘트라스트 반전은 이 |rp + rs|의 최소값이 0으로 향할 때 얻어진다.
수학식(3)은 형광 현미경의 사용의 중요성을 강조하고: 형광 신호가 존재할 때에, 이 형광의 편광 해소된 성분이 양쪽의 다른 항의 감쇠를 변경하지 않고, 수학식(3)의 우수측 변에 추가된다. 따라서, 신호/잡음 비율이 증가된다. 또한, 이것은 라만 신호로 전환될 수 있다.
또한, 본 발명은 특정 기판에 의존할 필요없이 동작할 수 있는 엘립소메트릭 측정 방법에 관한 것이다.
엘립소메트릭 각도(ψ과 Δ)는 다음과 같이 정의된다.
Figure 112003021795641-pct00035
다음 4개의 수학식중에서 임의로 선택된 2개의 식은 반사율 및 엘립소메트릭 파라미터간에 이용될 수 있는 매치를 확립하는데 충분하다.
Figure 112003021795641-pct00036
Figure 112003021795641-pct00037
Figure 112003021795641-pct00038
Figure 112003021795641-pct00039
이들 수학식중에서 첫번째 수학식은 엘립소메트릭 파라미터(ψ)가 비간섭성의 반사율의 측정에 의해 접근될 수 있는 것을 나타낸다. 나머지 3개의 각 수학식은 제 2 엘립소메트릭(Δ)의 결정이 간섭성의 반사율(또는 양 반사율의 조합)을 측정하도록 요구되는 것을 나타낸다. 간섭성의 반사율 신호에 접근시키는 것은 ψ와 Δ를 결정할 수 있다.
측정은 다음 2 단계로 이루어진다.
ⅰ) 제 1 단계는 검광기의 회전에 근거된다. 샘플의 화상은 CCD 카메라 또는 어떠한 다른 2차원 검출기에 의해 분석된다. 수학식(3)은 반사된 신호가 진폭(|rp - rs|2)과 각도(φ)상의 주기(π)를 갖는 비간섭성의 반사율에 입각하여 사인파 형상으로 발진하는 것을 나타낸다. 적어도 2가지 측정에 요구되는 다양한 절차는 3개의 파라미터(|rs|2, tanψ 및 cosΔ)의 2개의 조합, 예를 들어 |rs|2 (1+tan2ψ)와 2|rs|2tanψcosΔ을 얻을 수 있다. 이것은 신호 엘립소메트릭 파라미터의 조합(sin2ψcosΔ)을 즉시 결정할 수 있지만, 별도로 Δ와 ψ를 결정하는데 충분하지 않다.
ⅱ) 제 2 단계는 조명의 방사 대칭의 굴절을 필요로 하고, 이는 다음 2가지 방법:
슬롯, 또는 2개의 수직 슬롯으로 이루어진 교차(cross)로 되어야 하는 구경 조리개의 형상, 또는 반사점(apex)이 광축, 또는 2개 혹은 4개의 동일한 각도 섹터의 결합으로 혼란시키고, 현미경 광축 둘레에서 정규적으로 이격되며, 검광기로서 현미경경의 광축 둘레에서 회전할 수 있는 π/4보다 엄격히 작은 작은 구경을 갖는 각도 섹터(
Figure 112003021795641-pct00040
(모듈로 π))을 물리적으로 변경함으로써,
또는, 반사된 광 경로에 위치된 구경 조리개의 결합 평면에 존재하는 세기의 분산을 분석함으로써, 수행될 수 있고, 현미경은 쾰러 조명내에 있다. 현미경은 샘플 화상을 받기 위해 현미경에 CCD 카메라를 설치하고, 이 분석은 렌즈와 카메라의 동공 사이에 버트렌드(Bertrand) 렌즈를 삽입함으로서 간단하게 이루어질 수 있다. 따라서, 이것은 간섭 측정이다. 쉽게 실시되는 이 분해의 관심은 입사각(θ)과 방위각(
Figure 112003021795641-pct00041
)이 결합 평면에서 지리적으로 이격될 수 있고, 발광 빔의 파장을 나타내는 전체 함수(ΦN(θ,φ,λ), λ)를 접근하는 것이 가능한 2개의 파라미터이다. 고정된 구경 각도의 범위가 조정되거나, 조사된 방위각 조정되거나, 또는 디지털 수단에 의해 필터링된 조명이 조정될 수 있다. 또한, 이 분해는 버트렌드 렌즈가 존재하지 않을 때에 이종 샘플의 일부 범위에서 유사하게 분석하는 제 1 단계를 실행할 수 있고, 따라서 평행 측정에 의해 양(sin2ψcosΔ)(x,y)을 결정할 수 있다. 버트렌드 렌즈로 완전히 분석하기 위해서는 필드 조리개 또는 공초점 형상(confocal geometry)을 사용함으로써 샘플의 동차 범위를 선택할 필요가 있다. 따라서, 이 분해는 샘플의 상이한 점을 완전히 평행 분석할 수 없다. 반대로(굴절된 방사 대칭을 갖는 조리개), 제 1 분해는 샘플 화상이 CCD 카메라에 항상 고정되기 때문에 전체적으로 평행 분석을 할 수 있다.
매우 작은 각도 섹터(
Figure 112003021795641-pct00042
)가 조명 콘(illuminating cone)에서 특정 방위각(
Figure 112003021795641-pct00043
)를 선택할 때, 수학식(1 내지 4)와 동등하게 제공된 반사된 세기(I)는 이제 다음과 같다.
Figure 112003021795641-pct00044
대체로, 이 세기는 주기(π)의 주기 함수(φ)이고, 주기(π/2)의 항을 포함한다.
검광기와 편광판의 상대 방향정위가 설정되면,
- 슬롯이 주파수(ω)에서 광축 둘레에서 균일한 회전 운동에 의해 구동되면, 샘플의 각 점에 의해 반사된 세기가 변조되고, 이 변조는 필요로 되는 양(|rs|, ψ 및 Δ)의 상이한 조합을 추출할 수 있다. 그렇기 위해서, 일부 기술, 특히 시간 관련 세기 평균과 극도의 진폭을 처리하는 포토메트릭형 기술, 또는 2ω와 4ω에서 반사된 세기 성분의 진폭과 위상을 비교할 수 있는 동시 검출 기술이 실시될 수 있다;
- 슬롯의 방향정위가 수동으로 조정될 수 있으면, 수집된 세기는 상기 일반 수학식으로부터 파라미터(|rs|,ψ 및 Δ)의 값을 완전히 결정할 수 있는 파라미터(|rs|,ψ 및 Δ)의 적어도 2개의 상이한 조합의 값을 연역하기 위해, 슬롯의 몇개의 방향정위, 즉 적어도 2개 이상의 방향정위에 대해 측정될 수 있다;
- 검광기가 광축 둘레에서 균일한 회전 운동에 의해 구동되면, 신호(I)는 (φ에 걸쳐) 주기(π)로 변조되고,
Figure 112003021795641-pct00045
의 상이한 값에 대한 I의 측정이 보다 정확하게 된다.
- 마지막으로, 검광기와 슬롯이 모두 균일한 회전에 의해 구동되면, 다른 주파수에서 함수(I(
Figure 112003021795641-pct00046
,φ))가 완전히 인지되고, 파라미터(|rs|,ψ 및 Δ)는 종래의 3 개의 파라미터 수치 조정 절차에 의해 매우 큰 정확도로 결정될 수 있다;
각도(φ)가 설정되고, I의 측정이 슬롯의 양 방향정위(
Figure 112003021795641-pct00047
=0(모듈 π)와
Figure 112003021795641-pct00048
=π/2(모듈 π))에 대해 행해지는 가장 단순한 특정 경우에, 다음 수학식이 각각 얻어질 수 있다.
Figure 112003021795641-pct00049
따라서, 양(tanψ)을 획득하기 위해, 양 세기의 비율의 루트를 취하는 것이 충분하다. 따라서, 이전 것들의 양자에 결합된 이 측정은 완전히 |rs|2 ψ 및 Δ를 결정할 수 있고, 따라서 |rs|2 을 또한 결정할 수 있다.
단일 파라미터(ψ와 Δ)의 결정은 배타적 비율을 측정된 세기로 사용함으로써 얻어질 수 있고, 결국 어떠한 기준 기판을 사용할 필요가 없다.
관심있는 특정 경우는 평행한 편광판와 검광기에 해당되고, 따라서 조명 미러와 렌즈 사이, 또는 렌즈와 샘플 사이에도 배열된 단일 편광판의 것으로부터 연역될 수 있는 Φ=0일 때이다. 이러한 경우에 반사 세기는 다음과 같이 기입된다.
Figure 112003021795641-pct00050
이것은 슬롯, 2개의 수직 슬롯의 축상에 서로 교차하는 2개의 수직 슬롯으로 구성된 교차, 반사점이 현미경과 45도보다 방위각 진폭의 광축에 위치된 각도 섹터, 또는 광축 둘레에서 규칙적으로 배열된 동일 형태의 2 또는 4개의 각도 섹터의 조합으로 이루어진 회전 조리개를 갖는 것이고, 여기서 조리개는 단일 입사각을 묘사하기 위해 가능한 한 링에 첨가되며, 샘플의 엘립소메트릭 파라미터 세트를 연역하기 위해 조리개의 3개의 상이하고 예측 불가능한 방향정위로 반사된 세기의 3가지 측정을 실행하는데 충분하다. 예를 들면, 조리개가 슬롯 또는 조리개의 방향정위(
Figure 112003021795641-pct00051
)에 의해 마크된 매우 작은 각도 섹터의 경우에, 샘플 화상의 각 점에서 반사된 세기는 다음과 같이 된다.
Figure 112006086004974-pct00090
따라서, tanψ를 연역하기 위해 비율
Figure 112003021795641-pct00053
를 계산하고 나서 cosΔ를 연혁하기 위해 비율
Figure 112003021795641-pct00054
를 계산하는 것이 충분하다.
이 예는:
- 슬롯의 3개의 상이한 방향정위를 갖는 3개의 세기의 측정이 세기 비율을 배타적으로 사용함으로써, 그리고 추가된 계산없이 엘립소메트릭 파라미터 세트를 결정할 수 있는 방법;
- 이 3가지 측정, 그러나 또한 그밖의 것들을 포함하는 반사 세기의 변조가 증가된 정확도로 동일한 정보를 얻을 수 있는 방법;
- 광학 현미경 또는 쌍안 확대경하에서의 엘립소미터가 단일 편광판와 회전 슬롯을 사용함으로써 실현될 수 있는 방법을 설명한다.
측정 처리에 접하게 되는 경우, 단일 입사각(θ)에 유효한 수학식이 사용되었다. |rs|2 ψ 및 Δ는 θ에 의존하기 때문에, 다음 옵션이 고려된다; 환상 구경 조리개를 사용함으로써 단일 각도(θ)에 대한 이들 양을 접근시키거나, 대부분 입사각([θmin, θmax])의 범위에 걸쳐 θmin = 0으로 평균화된 양을 접근시킨다.
동일한 수학식이 θ에 대한 평균에 근거하여 정의된, 하기에 지수 "eff"로 할당된 유효 양에 적용된다. 따라서, 수학식은 다음과 같이 제시하고,
Figure 112003021795641-pct00055
다음과 같이 반사 세기가 기입될 필요가 있다.
Figure 112003021795641-pct00056
따라서, I의 측정은 유효 양, 특히 측정이 종래 단일 입사 엘립소메트릭 각도로 행해진 바와 같이, 물체 또는 샘플의 특성을 연역하기 위해 계산된 값과 비교될 수 있는 엘립소메트릭 각도(ψeff와 Δeff)을 결정할 수 있다.
실제로, 본 발명의 관심은 특히 엘립소메트릭 측정과 이미징(imaging)을 결합합하기 위해 현미경하에서 엘립소메트릭 측정을 실행하는데 있다. 더욱이, 엘립소메트릭 파라미터는 작은 입사에 대해 거의 변이되지 않는다. 이것은 엘리소메트릭이 높은 입사각에서만 고감도의 기술인 이유를 설명한다. 본 방법에서의 대조물은 조명 콘에서 행해진 평균이 이용할 수 있는 신호만을 조금 왜곡하는 것이다. 최적의 기판이 존재하지 않을 때에, 현미경하에서의 엘립소메트릭 측정의 결점은 그 감도가 부족한 것이다. 그러나, 제안된 바와 같은 최적의 기판이 존재할 때에, 추출된 신호가 입사각에 거의 민감하지 않게 되기 때문에, 샘플의 물리적인 파라미터에 대한 측정의 감도는 브루스터 각도에 입각한 종래 측정의 감도와 비교하여 다시 우수하게 된다. 이것은 교차 결합된 편광판와 검광기 사이에서, 0이 아닌 입사가 추출된 신호의 보강에 기여된다는 점에서 간섭성의 반사율의 감쇠가 정규 입사에서 여전히 완전하게 된다. 0이 아닌 입사에 대한 양호한 감쇠 조건과 더불어, 감쇠가 조명 콘의 입사 세트에 걸쳐 양호하게 된다.
어떤 물질에 대한 마지막 층의 두께를 최적화하는 것이 가능하다.
실제로, 함수(|σ(e)|=|rp + rs|)는 콘트라스트 반전 조건에 해당되는, 다소 마크된 최소값을 갖는 것을 나타낸다. 따라서, 콘트라스트는 e의 특정 값에 대해 존재하지 않는다.또한, 주기적이고 연속적이면, 콘트라스트는 이들 값의 좌수측의 최소값과, 우수측의 최대값에 도달한다. 따라서, 이들 극값중 하나가 도달되도록 두께(e)를 선택하는 것이 여전히 가능하게 된다. 기판 특성에 관계없이, 유전체 층의 두께는 |σ(e)|를 계산함으로써 최적화될 수 있다. 이것은 절대 조건에 근접하게 될 때 특히 관심있게 된다.
기판의 절대 구성은 식(|σ(e)|=0)에 대한 분해의 존재에 의해 정의된다. 절대 기판은 이 식의 분해에 근접한 층 두께를 소유한다. 식(|σ(e)|=0)에 대한 분해는 반드시 |σ(e)|의 최소값에 해당된다. 따라서, 이것은 콘트라스트 반전 두께이다. 이들 값중 가장 작은 값인 ec는 물론 특정 부분을 이용한다. 그리고, 나머지 콘트라스트 반전 두께는 ec에 의해 k= ec + KN1λ/2로 주어진다.
수학식(9)에 의하면, 이 수학식은 다음과 같이 고려된다.
Figure 112003021795641-pct00057
단층 층으로 감소된 스택의 경우에, e의 값(ec)은 수학식(9)로부터 파생된 수학식(15)의 분해이다.
Figure 112003021795641-pct00058
이것은 입사 매체, 층, 기판의 복소 지수, 입사각(θ0))(또는 동등한 형상으로, 층에서 굴절된 각도(θ1))의 지수 함수인 2개의 복소 분해(z1과 z2)를 소유한다. 절대 조건은 이 양자의 분해중 하나의 모듈이 1과 동일할 때 도달된다. 이 문제는 수치적으로 조사하는 것이 보다 간단하다. 분석적으로, 각 항들이 정규에 근접한 각에 거의 의존하지 않기 때문에, 각 항들을 θ1에서 순서(order) 4까지 전개하는 것이 가능하다. 따라서, "테일러-메이드(Taylor-made)" 분해가 발견될 수 있다. 특히, 양 극단의 매체가 때때로 부과되고, 이것은 결정되어야 하는 층의 지수와 두께이다. 따라서, 콘트라스트는 소수의 랜덤 지수에 대한 두께에 관하여 구분되어, 콘트라스트에서의 단조 변이가 관측될 수 있다. 따라서, 물체의 품질이 떨어지기 시작할 때까지 물체가 개선되는 방향으로 진행하는 것이 충분하게 된다. 그리고 나서, 지수 변이를 미세 조정할 때 최상의 값에 입각하여 조사가 다시 시작된다. 또한, 문헌으로 출판된 다수의 결과가 ψ와 Δ의 항의 단일 층에 사용될 수 있다. 요구되는 상황은 동시에 다음 수학식에 해당된다.
Figure 112003021795641-pct00059
수치적으로 발견된 분해는 실험식에 의해 보다 근사화된다.
Figure 112003021795641-pct00060
특히, 관심있는 결과는 N0는 주위 매체의 지수, N3는 기판 베이스의 지수, N2는 층의 지수, e는 층의 두께일 때, 다음 파라미터를 만족시키는 단일 층으로 덮혀진 실리콘 기판을 실현함으로써 얻어지고, 조사는 바람직하게는 단색과 λ=540nm의 파장이고, 조명 콘의 구경 각도는 30도로 추정된다.
N0 N3 N2 e
1.00(공기) 3.88-0.02i 1.343 1060±5Å
1.34(물) 3.88-0.02i 1.749 814±5Å
1.50(오일) 3.88-0.02i 1.945 750±10Å
최적의 두께(e)는 λ의 선형 함수이지만, λ에 비례하게 될 수 없다. 공기에서 관측하면,
Figure 112003021795641-pct00061
.
지수(1.74와 1.945)를 갖는 층은 PECVD 용착(PECVD deposits)과 같은 다수의 방법에 의해 제조될 수 있다. 1.345의 지수를 갖는 층을 실현하는 것이 보다 어렵다. 이 층은 수화겔, 에어로젤, 폴리머로 형성되거나, 이종일 수 있고, 예를 들어 일정 두께와 매우 작은 크기를 갖는 블록으로 형성될 수 있다. 또한, 이것은 물, 설탕, 소금, 폴리머...의 분해일 수 있다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 매우 박막의 광학 두께(N1×e1)를 시각화하기 위한 특히 관심있는 방법은 다음과 같이 본 발명에서 실시된 기판으로 실현될 수 있다.
모따기(도 5a, 도 5b)의 형태의 가변 두께의 층(21)의 용착은 베이스(20)상에서 실현된다.
그리고, 이 기판(20)은 2개의 동일한 요소(22, 23)(표시되지 않은 도면부호 23은 도면부호 22와 동일)(도 5c)를 얻기 위해 절단된다.
그리고, 관측될 박막(24)의 요소중 하나가 피복된다(도 5c).
디스크 형상 동공을 사용하여 백광으로 조사된 현미경하에서의 양 요소는 서로에 대해 양 요소를 위치시킨 후에, 마스크, 노치 또는 쐐기(wedge; 25)를 사용하여 그들의 상대 초기 위치에서 관측된다.
그리고, 백광 프린지(white light fringe; 26, 27)가 이 요소들 각각에서 관측되고, 이 요소들의 상대 오프셋(Δλ)은 이 요소들중 하나에 배치된 층의 특성을 측정할 수 있다.
본 발명은 멀티센서에 포함된 요소를 디스플레이하는데 특히 적합하다.
화학적 또는 생물학적(바이오칩) 멀티센서는 베이스(30)로 구성되고, 베이스(30) 위에는 액체 혼합물(바이오칩) 또는 기체 혼합물(인공 코(artificial nose))내에서 인지될 이종(different specie)를 선택적으로 고정하고, 웨이퍼들 사이에 표면을 따라 배열된 요소의 매트릭스를 형성할 수 있는 상이한 층으로 구성된 각 웨이퍼(31)(=스폿)이 배치된다. 각 웨이퍼는 소수의 평방 미크론의 표면 영역과 때때로 분자 순서 크기의 두께를 갖는다.
멀티센서는 다음과 같이 사용된다; 멀티센서는 분석되어야 하는 혼합물과 접촉하게 놓인다. 각 웨이퍼(31, 32, ..)는 이종이 혼합물에 존재할 때 인지할 수 있는 이종을 갭쳐한다. 세척하기 전 또는 후에, 블록(32)이 로드되고, 블록(31)이 혼합물의 조성을 알기 위해 여전히 비어있는 것을 발견하는 것이 목적이다. 고정된 이종이 블록에서 시각화될 수 있는 과도한 두께를 만들고, 매트릭스에서의 블록(31, 32)의 위치는 인지된 이종 특성에 관해 나타낸다. 이 단계는 멀티센서의 판독 단계이다.
본 현미경 사용법은 다수의 형태의 멀티센서에서 로드될 때 빈 블록과 동일한 블록 사이의 차이점을 나타낼만큼 충분히 고감도이다. 따라서, 샘플 판독 방법에 제공된 본 현미경 사용법은 모든 멀티센서에 대해 지향하고 평행하게 된다.
바람직한 예에서, 그 실시는 특정한 형태의 멀티센서인 바이오칩으로 기술된다. 이 특정 형태의 멀티센서는, 예를 들어 DNA 칩, 항체 칩, 박테리아 칩, 바이러스 칩, 염색체 칩, 단백질 칩 등을 포함한다.
DNA 칩의 예에서, 각 블록은 혼성이 가능한 동일한 올리고뉴클레오티드를 갖고, DNA 칩의 상보성 요소만을 갖는 분자 층으로 구성된다. 분석된 DNA는 적합한 길이의 요소로 절단되어, PCR 기술에 의해 확대되며, 이것은 각 요소가 다수배로 복제되는 것을 의미하며, 그 후 DNA 칩과 접촉하여 분해로 전환된다. 인지된 요소는 해당 웨이퍼에 의해 고정된다.
본 방법은 로드된 웨이퍼를 인지할 수 있다. 이러한 관점에서, 두께가 규칙적이고 알려진 웨이퍼는 다층 구성물의 요소로서 취해져, 베이스 + 다층 + 웨이퍼 또는 블록으로 이루어진 조립체는 기판에 최적의 매우 높은 감도로 구성한다. 이러한 조건하에서, 혼성후의 추가 성분의 존재는 본 디스플레이 방법에 의해 웨이퍼의 관측에 수반된 세기 또는 칼라 로딩에 의해 쉽게 검출된다. 또한, 웨이퍼상에 존재하는 물질의 양이 본 측정 방법에 의해 정량적으로 평가될 수 있다.

Claims (42)

  1. 입사 매체에 위치되고, 교차된 편광판와 검광기 사이에서 수렴 광의 반사에 의해 관측되는 물체를 포함하는 샘플의 엘립소메트릭 2차원 디스플레이용 장치로서, 상기 물체와, 상기 물체가 위치되는 기판으로 이루어진 세트의 엘립소메트릭 파라미터가 처리되는 샘플의 엘립소메트릭 2차원 디스플레이용 장치에 있어서,
    상기 기판은 베이스와 스택 층을 포함하고, 상기 기판의 엘립소메트릭 특성이 알려져 있으며,
    - 상기 기판의 엘립소메트릭 특성은 상기 물체로 인한 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터의 변이가 상기 기판이 없을 때 발생된 콘트라스트보다도 큰 콘트라스트로 디스플레이되도록 하는 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 샘플은 광구경 렌즈를 통해 조사되는 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 광구경 렌즈는 미분 간섭 콘트라스트를 갖는 현미경의 대물 렌즈인 것을 특징으로 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 광구경 렌즈는 형광 현미경의 대물 렌즈인 것을 특징으로 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  5. 제 1 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 물체과 접촉하는 상기 스택 층의 두께(e)는 상기 기판의 복소 반사계수(rp와 rs)가 조건(d2/de2[Ln|rp + rs|]=0)을 만족하도록 하는 것을 특징으로 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 기판의 광 특성은 상기 스택 층의 상기 두께(e) 값들의 세트에 대한 양(|rp + rs|)의 최소값이 가능한 한 작도록 하는 것을 특징으로 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  7. 제 1 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 다색 광원을 포함하는 것을 특징으로 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  8. 제 1 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 단색 광원을 포함하는 것을 특징으로 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  9. 제 1 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 베이스는 실리콘내에 있는 것을 특징으로 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  10. 제 1 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 스택은 단일층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 단일층은 실리카 층인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 실리카 층의 두께는 1025Å의 오더이고, 입사 매체는 단순히 공기인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  13. 제 10항에 있어서, 상기 단일층은 마그네슘 플루오라이드 층인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  14. 제 10항에 있어서, 상기 단일층은 폴리머 층인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  15. 제 10항에 있어서, 상기 단일층은 1.343과 실질적으로 동일한 광 지수를 갖는 폴리머 층이고, 상기 입사 매체는 단순히 공기인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  16. 제 10항에 있어서, 상기 단일층은 1.74와 실질적으로 동등한 광 지수를 갖는 광물 층이고, 상기 입사 매체는 단순히 물인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  17. 제 10항에 있어서, 상기 단일층은 1.945와 실질적으로 동등한 광 지수를 갖는 광물 층이고, 상기 입사 매체는 1.5의 광 지수를 갖는, 단순히 오일인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  18. 제 10항에 있어서, 상기 단일층은 불연속적이고 실리카 블록으로 이루어지며, 상기 층의 두께를 묘사하는 동일 높이의 1.343의 지수를 갖고, 마이크로미터 보다 작은 단면 치수를 가지며, 상기 입사 매체는 단순히 공기인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  19. 제 10항에 있어서, 상기 단일층은 1.343과 실질적으로 동등한 지수를 갖는 메조포러스 혹은 나노포러스 광물 또는 유기물 층이고, 상기 입사 매체는 단순히 공기인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  20. 제 10항에 있어서, 상기 단일층은 1.343과 실질적으로 동등한 지수를 갖는 광물 에어로젤이고, 상기 입사 매체는 단순히 공기인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  21. 제 2항에 있어서, 상기 장치는 조명 콘(illuminating cone)을 선택된 방향에서의 단일 입사면으로 제한할 수 있는 현미경 축 둘레에서 조정할 수 있는 세로 슬롯 형태의 구경 조리개를 포함하는 현미경을 포함하는 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  22. 제 1항에 있어서, 상기 장치는 입사각 둘레에서 상기 샘플의 조명 콘을 제한하는 링 형상의 구경 조리개를 포함하는 현미경을 포함하는 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  23. 제 1항에 있어서, 상기 물체는 박막이고, 상기 스택은 두께가 표면을 따라 방향(X)으로 단조형상으로 변이되는 사면 층(bevelled layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  24. 제 23항의 상기 장치를 사용하는 측정 방법으로서:
    상기 디스플레이 장치가 상기 방향(X)과 평행하게 2개의 요소로 절단되고,
    상기 박막이 상기 요소중 하나에 배치되고,
    상기 요소가 다색 광에 의해 조명된 편광 현미경 아래에 있는, 교차된 편광판과 검광기 사이에 배치되어, 칼라 간섭 프린지를 상기 요소에 형성하며,
    상기 각 요소에 각각 형성된 상기 프린지의 오프셋이 상기 요소중 하나에 배치된 상기 층의 특성을 연역하기 위해 측정되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  25. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 페트리 박스의 기부인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  26. 제 1항에 있어서, 상기 샘플은 매트릭스 멀티센서인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  27. 제 26항에 있어서, 상기 매트릭스의 각 블록 또는 웨이퍼는 상기 스택의 마지막 층을 이루는 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  28. 제 26항에 있어서, 상기 매트릭스 멀티센서는 박테리아 칩, 바이러스 칩, 항원 칩, 항체 칩, 단백질 칩, DNA 칩, RNA 칩 또는 염색체 칩인 것을 특징으로 하는 샘플의 2차원 디스플레이용 장치.
  29. 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법으로서:
    - 상기 샘플이 구경 조리개를 통해 편광판에 의해 선형으로 편광된 조명 빔에 의해 조사되는 단계;
    - 상기 샘플에 의해 반사된 광이 검광기에 의해 분석되고, 상기 편광판의 편광 방향에 대해 상기 검광기의 편광 방향의 상대 방향정위(φ)에 의해 특징되는 단계; 및
    - 상기 반사 세기가 상기 조명 빔과 상기 편광판 또는 상기 검광기의 편광의 상대 회전에 의해 변조되는 단계를 포함하고,
    - 상기 조명 빔의 구경 조리개는 단일 입사각을 묘사하는 빔의 축을 중심으로 하는 링이고,
    - 평균 반사 플럭스(φM(x,y))와 상기 평균 반사 플럭스의 변조 진폭(φm(x,y))은 획득된 샘플 화상의 각 점에서 동시에 측정되고,
    - 상기 샘플의 각 점에서 동시에 하기 수학식:
    Figure 112009022052385-pct00062
    에 근거하여 엘립소메트릭 파라미터(ψ(x,y)와 Δ(x,y))와 반사 계수(|rs|2(x,y))의 2개의 조합값을 연역하도록 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))이 처리되며,
    - 하기 수학식:
    Figure 112009022052385-pct00063
    에 근거하여 단일 엘립소메트릭 파라미터(ψ(x,y)와 Δ(x,y))의 조합값(sin(2ψ)cosΔ)을 연역하도록 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))이 처리되는 것을 특징으로 하는, 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
  30. 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법으로서,
    - 상기 샘플이 구경 조리개를 통해 편광판에 의해 선형으로 편광된 조명 빔에 의해 조명되고, 상기 샘플에 의해 반사된 광이 검광기에 의해 분석되고, 상기 편광판의 편광 방향에 대해 상기 검광기의 편광 방향의 상대 방향정위(φ)에 의해 특징되는 단계; 및
    - 반사 세기가 조명 빔과 상기 편광판 또는 상기 검광기의 편광의 상대 회전에 의해 변조되는 단계를 포함하며,
    측정 단계에서,
    - 상기 편광판에 대한 상기 검광기의 방향정위는 π/2 모듈로 π와 상이한 값으로 설정되고,
    - 상기 조명 빔의 구경 조리개는 단일 입사각을 묘사하는 링에 첨가된 현미경의 광축 둘레에서 조정될 수 있는 슬롯이고,
    - 상기 반사된 광의 세기는 상기 슬롯의 적어도 2개의 상이하고 예측 불가능한 방향정위(
    Figure 112008038646874-pct00064
    )에 대해 측정되고,
    - 하기 수학식:
    Figure 112008038646874-pct00065
    에 근거하여 상기 세기의 측정값이 처리되며,
    -상기 처리로부터 상기 샘플의 각 점에서 동시에, 양 엘립소메트릭 각도(ψ(x,y)와 Δ(x,y))의 값과 반사 계수 모듈(|rp|와 |rs|)의 값이 연역되는 것을 특징으로 하는, 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
  31. 제 30항에 있어서,
    - 상기 검광기는 상기 편광판와 수직하지 않는 방향정위, φ=0로 고정되고,
    - 상기 조명 빔의 구경 조리개는 단일 입사각을 묘사하는 링에 첨가된 현미경의 광축 둘레에서 조정될 수 있는 슬롯이고,
    - 상기 슬롯의 양 방향정위(
    Figure 112008038646874-pct00066
    =0과
    Figure 112008038646874-pct00067
    =π/2)에 대한 상기 반사 세기가 측정되며,
    - 하기 수학식:
    Figure 112008038646874-pct00068
    에 따라 상기 세기의 측정값의 비율의 제곱근을 취하여 tanψ를 얻도록 상기 세기의 측정값이 처리되는 것을 특징으로 하는, 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
  32. 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법으로서,
    - 상기 샘플이 구경 조리개를 통해 편광판에 의해 선형으로 편광된 조명 빔에 의해 조명되는 단계;
    - 상기 샘플에 의해 반사된 광이 검광기에 의해 분석되고, 상기 편광판의 편광 방향에 대해 상기 검광기의 편광 방향의 상대 방향정위(φ)에 의해 특징되는 단계; 및
    - 반사 세기가 조명 빔과 상기 편광판 또는 상기 검광기의 편광의 상대 회전에 의해 변조되는 단계를 포함하며,
    측정 단계에서,
    - 상기 편광판에 대한 상기 검광기의 방향정위는 π/2 모듈로 π와 상이한 값으로 설정되고,
    - 상기 반사 세기는 광축 둘레에서 상기 구경 조리개의 상기 회전에 의해 변조되고,
    - 평균 반사 플럭스(φM(x,y))와 상기 평균 반사 플럭스의 변조 진폭(φm(x,y))은 상기 샘플의 각 점에서 동시에 측정되며,
    - 하기 수학식:
    Figure 112009022052385-pct00069
    에 근거하여 양 엘립소메트릭 각도(ψ(x,y)와 Δ(x,y))와 반사 계수 모듈(|rp|와 |rs|)을 연역하도록 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))이 처리되는 것을 특징으로 하는, 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
  33. 제 31항에 있어서,
    - 상기 편광판에 대한 상기 검광기의 방향정위는 φ=0으로 설정되고,
    - 상기 반사 세기는 상기 광축 둘레에서 상기 구경 조리개의 상기 회전에 의해 변조되고,
    - 평균 반사 플럭스(φM(x,y))와 상기 플럭스의 변조 진폭(φm(x,y))은 상기 샘플의 각 점에서 동시에 측정되며,
    - 하기 수학식:
    Figure 112008038646874-pct00070
    에 근거하여 양 엘립소메트릭 각도(ψ(x,y)와 Δ(x,y))와 반사 계수 모듈(|rp|와 |rs|)을 연역하도록 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))이 처리되는 것을 특징으로 하는, 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
  34. 제 30 내지 32항중 어느 한 항에 있어서,
    - 상기 샘플이, 단일 입사각을 묘사하는 빔의 축을 중심으로 하는 링인 상기 구경 조리개를 통해 편광판에 의해 선형으로 편광된 조명 빔에 의해 조사되는 단계;
    - 평균 반사 플럭스(φM(x,y))와 상기 평균 반사 플럭스의 변조 진폭(φm(x,y))은 획득된 샘플 화상의 각 점에서 동시에 측정되고,
    -하기 수학식:
    Figure 112009022052385-pct00091
    에 근거하여 상기 샘플의 각 점에서 엘립소메트릭 파라미터(ψ(x,y)와 Δ(x,y))와 반사 계수(|rs|2(x,y))의 2개의 조합값을 연역하도록 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))은 처리되며,
    - 하기 수학식:
    Figure 112009022052385-pct00092
    에 근거하여 단일 엘립소메트릭 파라미터(ψ(x,y)와 Δ(x,y))의 조합값(sin(2ψ)cosΔ)을 연역하도록 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))이 처리되는 것을 특징으로 하는, 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
  35. 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법으로서:
    - 상기 샘플이 구경 조리개를 통해 편광판에 의해 선형으로 편광된 조명 빔에 의해 조사되는 단계;
    - 상기 샘플에 의해 반사된 광이 편광판 및 검광기에 의해 분석되고, 상기 편광판의 편광 방향에 대해 상기 검광기의 편광 방향의 상대 방향정위(φ)에 의해 특징되는 단계; 및
    - 반사 세기가 상기 조명 빔과 상기 편광판 또는 상기 검광기의 편광의 상대 회전에 의해 변조되는 단계를 포함하고,
    - 상기 조명 빔의 구경 조리개는 상기 빔의 축을 중심으로 하는 디스크이고,
    - 평균 반사 플럭스(φM(x,y))와 상기 평균 반사 플럭스의 변조 진폭(φm(x,y))은 획득된 샘플 화상의 각 점에서 동시에 측정되고,
    - 하기 수학식:
    Figure 112008038646874-pct00071
    에 근거하여 상기 샘플의 각 점에서 유효 엘립소메트릭 파라미터(ψeff(x,y)와 Δeff(x,y))와 유효 반사 계수(|rs eff|2(x,y))의 2개의 조합값을 연역하도록 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))이 처리되며,
    - 하기 수학식:
    Figure 112008038646874-pct00072
    여기서:
    Figure 112008038646874-pct00093
    에 근거하여 단일 유효 엘립소메트릭 파라미터(ψeff(x,y)와 Δeff(x,y))의 조합값 (sin(2ψeff)cosΔeff)을 연역하도록 상기 측정값(φM(x,y)와 φm(x,y))이 처리되는 것을 특징으로 하는, 샘플 화상을 형성하는 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 상기 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
  36. 가로 공간 분해능을 갖는 현미경하에서의 엘립소메트릭 측정용 장치로서:
    - 상기 장치는 대물 렌즈의 일측상에 조명 미러와 샘플 사이에 단일 편광판 만을 포함하고,
    - 상기 장치는 슬롯을 포함하고, 상기 슬롯은 적어도 3가지 측정에서, 상기 슬롯과 상기 3가지 측정에 적용되는 하기 수학식:
    Figure 112008038646874-pct00073
    의 3개의 상이한 방향정위에 사용되는 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터를 추출할 수 있는 링 조리개에 더 첨가된, 상기 장치의 구경 조리개의 평면에서 회전하며, 상기 파라미터(rs, ψ 및 Δ)는 하기 수학식:
    Figure 112008038646874-pct00074
    이 나타내는 모든 입사각의 평균으로부터 유도되는 유효 파라미터인 것을 특징으로 하는, 가로 공간 분해능을 갖는 현미경하에서의 엘립소메트릭 측정용 장치.
  37. 현미경하에서의 엘립소메트릭 측정용 장치로서:
    - 편광판 및 검광기는 설정된 상대 방향정위를 갖고,
    - 구경 조리개는 홀 또는 링이고,
    - 렌즈의 후방 초점면의 화상은 버트렌드 렌즈에 의해 접안 렌즈의 초점면 물체내에 형성되고,
    - CCD 카메라는 상기 초점면에 위치되고,
    - 상기 CCD 카메라의 각 점에서 얻어진 세기의 측정값은 샘플의 엘립소메트릭 파라미터 세트를 직접 얻기 위해, 일반 수학식:
    Figure 112009022052385-pct00075
    에 의해 처리되는 것을 특징으로 하는, 현미경하에서의 엘립소메트릭 측정용 장치.
  38. 제 37항에 있어서,
    - 반사 세기의 변조는 상기 검광기와 편광판의 상대 회전에 의해 얻어지고,
    - 상기 구경 조리개는 홀 또는 링이고,
    - 상기 렌즈의 후방 초점면의 화상은 버트렌드 렌즈에 의해 접안 렌즈의 초점면 물체내에 형성되고,
    - CCD 카메라 또는 트리-CCD는 상기 초점면에 위치되고,
    - 상기 CCD 카메라의 각 점에서, 또는 상기 트리-CCD 카메라의 각 점에서, 그리고 상기 트리-CCD 카메라의 각 칼라 성분에 대해 얻어진 상기 세기의 측정값은 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터 세트를 직접 얻기 위해, 일반 수학식:
    Figure 112008038646874-pct00076
    에 의해 처리되는 것을 특징으로 하는, 현미경하에서의 엘립소메트릭 측정용 장치.
  39. 제 36항에 있어서,
    - 상기 렌즈의 후방 초점면의 화상은 버트렌드 렌즈에 의해 접안 렌즈의 초점면 물체내에 형성되고,
    - CCD 카메라는 상기 초점면에 위치되고,
    - 상기 CCD 카메라의 각 점에서 얻어진 세기의 측정값은 상기 샘플의 엘립소메트릭 파라미터 세트를 직접 얻기 위해, 일반 수학식:
    Figure 112008038646874-pct00077
    에 의해 처리되는 것을 특징으로 하는, 현미경하에서의 엘립소메트릭 측정용 장치.
  40. 제 37 내지 39항중 어느 한 항에 있어서, 상기 카메라는 트리-CCD 칼라 카메라이고, 각 점에서의 상기 세기의 측정은 칼라 각각에 대해 행해지고 처리되는 것을 특징으로 하는 장치.
  41. 제 29, 30, 31, 32, 33 및 35항 중 어느 한 항에 있어서, 관측 물체는 물체를 포함하는 기판위에 위치되고, 상기 물체과 접촉되는 스택 층의 두께(e)가, 상기 기판의 복소 반사 계수(rp와 rs)가 조건(d2/de2[Ln|rp+rs|]=0)을 만족하도록 하는 것을 특징으로 하는, 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
  42. 제 29, 30, 31, 32, 33 및 35항중 어느 한 항에 있어서, 물체는 기판 상에 놓여지며, 상기 기판의 광학 특성은, 스택 층의 두께(e) 값들의 세트에 대한 양(|rp + rs|)의 최소값이 가능한 한 작도록 하는 것을 특징으로 하는, 편광 현미경하에서의 공간 분해능을 갖는 샘플의 엘립소메트릭 측정 방법.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2841339B1 (fr) * 2002-06-19 2004-09-10 Centre Nat Rech Scient Supports anti-reflechissants et supports amplificateurs de contraste pour la lumiere polarisee en reflexion
KR20040047343A (ko) * 2002-11-29 2004-06-05 학교법인 서강대학교 복소 반사 계수비의 국지적인 차이를 이용한 고체표면에서의 단백질 결합 검출방법
DE102004012125B3 (de) * 2004-03-12 2005-09-01 Nanofilm Technologie Gmbh Ellipsometrisches Messverfahren mit ROI-gestützter Bildkorrektur
EP1584914A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-12 Sony Deutschland GmbH A method of detecting a hybrid, formed of at least two species, on a substrate using ellipsometry
FR2872910B1 (fr) * 2004-07-07 2006-10-13 Nanoraptor Sa Composant optique pour l'observation d'un echantillon nanometrique, systeme comprenant un tel composant, procede d'analyse mettant en oeuvre ce composant, et leurs applications
US7453577B2 (en) * 2004-12-14 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample
ATE475862T1 (de) * 2005-02-25 2010-08-15 Nanometrics Inc Vorrichtung und verfahren zur verbesserten critical-dimension-scatterometrie
WO2009030889A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-12 Aberystwyth University Imaging ellipsometer
CN102124299B (zh) * 2008-08-20 2014-02-26 国立大学法人东北大学 形状、倾斜度检测和/或计测光学装置和方法及其关联装置
JP5895305B2 (ja) 2011-12-06 2016-03-30 シーシーエス株式会社 検査用照明装置及び検査用照明方法
WO2013101252A1 (en) * 2011-12-31 2013-07-04 J.A. Woollam Co., Inc. Terahertz ellipsometer system, and method of use
FR2993987B1 (fr) * 2012-07-26 2016-12-09 Centre Nat Rech Scient Procedes optiques pour l'observation d'echantillons et pour la detection ou le dosage d'especes chimiques ou biologiques.
GB201308434D0 (en) * 2013-05-10 2013-06-19 Innovia Films Sarl Authentication apparatus and method
US9546943B1 (en) * 2015-03-21 2017-01-17 J.A. Woollam Co., Inc System and method for investigating change in optical properties of a porous effective substrate surface as a function of a sequence of solvent partial pressures at atmospheric pressure
CN109141224B (zh) * 2018-10-08 2020-05-22 电子科技大学 一种基于结构光的干涉反射式光学薄膜显微测量方法
CN114674193B (zh) * 2022-03-04 2024-05-07 海克斯康制造智能技术(青岛)有限公司 自定心测量装置及测量机
CN114994058A (zh) * 2022-06-09 2022-09-02 杭州利珀科技有限公司 硅片堆叠检测系统及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261092A (ja) * 1994-03-22 1995-10-13 Hamamatsu Photonics Kk 偏光顕微鏡システム
WO1997044633A1 (en) * 1996-05-18 1997-11-27 Btg International Limited Optical measurement

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL96483A (en) * 1990-11-27 1995-07-31 Orbotech Ltd Optical inspection method and apparatus
JP2787678B2 (ja) * 1992-04-24 1998-08-20 聡 河田 偏光顕微鏡
IL104708A (en) * 1993-02-12 1995-12-31 Orbotech Ltd Device and method for optical inspection of items
DE4311726C2 (de) * 1993-04-08 1996-02-08 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtun zur Erweiterung des Meßbereichs bei Nomarski-Mikroskopen
JP3106790B2 (ja) * 1993-09-01 2000-11-06 株式会社日立製作所 薄膜特性値測定方法及び装置
DE19708036C2 (de) * 1997-02-27 2000-06-29 Gunther Elender Ellipsometrisches Mikroskop
JP4231902B2 (ja) * 1997-07-11 2009-03-04 ケイエルエイ−テンコー コーポレーション 半導体上の多層薄膜積層を解析する装置
FR2779825B1 (fr) * 1998-06-16 2000-09-01 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositif de commande de la fabrication d'un composant en couche mince a partir d'une dissociation de gaz

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261092A (ja) * 1994-03-22 1995-10-13 Hamamatsu Photonics Kk 偏光顕微鏡システム
WO1997044633A1 (en) * 1996-05-18 1997-11-27 Btg International Limited Optical measurement

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