KR100919798B1

KR100919798B1 - 건조 열 인터페이스 재료

Info

Publication number: KR100919798B1
Application number: KR1020047003746A
Authority: KR
Inventors: 프카슈 카트리
Original assignee: 에이오에스 써멀 컴파운즈 엘엘씨
Priority date: 2001-09-14
Filing date: 2002-09-13
Publication date: 2009-10-01
Also published as: KR20040062538A; US20020086801A1; ATE517962T1; AU2002335746A1; CN1697870A; WO2003024724A2; WO2003024724A3; WO2003024724B1; ES2370482T3; JP2005502776A; JP4546086B2; US6610635B2; US20040018945A1; EP1425364B1; US6900163B2; CN100345931C; EP1425364A2

Abstract

본 발명에 의한 높은 열 전도성을 가진 배합물을 포함하는 열 인터페이스 재료는 지촉 건조 상태이며, 그 자체가 점성이 있으며, 시트와 블록 등의 각종 모양으로 형성하여 전자 부품용 열 전달 재료로서 기능할 수 있다. 상기 배합물은 폴리에스테르와 산화방지제의 전배합물, 필러(류), 고점도 오일, 및 용제, 계면활성제, 및 폴리스티렌계 중합체나, 규산 알루미늄을 함유한다. 상기 배합물의 사용 방법은 제1 표면을 가진 열 발생 전자 부품을 준비하는 공정; 상기 제1 표면에 접속될 제2 표면을 가진 열 분산 부품을 준비하는 공정; 및 상기 각 표면 사이에서 효과적으로 열 전달시키는 상기 배합물을, 상기 각 표면 사이에 배치하는 공정을 포함한다. 또한, 상기 배합물은 단독으로, 예를 들면, 적층하거나 도포하거나 스크린 인쇄하여 도포할 수 있고, 열 전도성 포일 지지체, 또는 열 전도성 및 전기 절연성 지지체에 도포할 수 있고, 또한 블록이나 시트 등의 모양으로 형성할 수 있다. 또한, 제거가능한 라이너는 상기 배합물의 핸들링, 선적 및 저장을 수월하게 하기 위해 상기 배합물의 노출된 표면에 도포할 수 있으나, 상기 배합물을 전자 부품과 히트 싱크 사이에 도포하기 전에 제거된다.

Description

건조 열 인터페이스 재료{DRY THERMAL INTERFACE MATERIAL}

본 발명은 열 전달 재료, 더 구체적으로, 건조 열 인터페이스 재료(dry thermal interface material)에 관한 것이며, 또한 상기 재료를 제조하는 방법 및 상기 재료를 전자 부품과 히트싱크(heat sink) 사이에 도포하는 방법에 관한 것이다.

전자 어셈블리는 통상 프린터 회로 기판 등의 기판에 부착된 복수의 전자 부품으로 제조된다. 이들 어셈블리를 장시간 동안 적합하게 확실히 작동시키기 위해서는, 그 부품에 의해 발생되는 열을 부품으로부터 히트 싱크로서 역할하는 기판에 효율적으로 확실히 전달해야 한다.

이러한 전자 어셈블리는 더 작게 구성되고 더 빨리 작동하도록 만들어짐에 따라 점점 더 높은 온도에서 작동하게 된다. 또한, 전자 부품이 더 작을 수록, 그 밀도가 더 증가할 수 있어, 열을 효율적으로 확실히 제거할 필요도 더 증가한다.

궁극적인 이론상의 열 전달은 부품과 히트싱크가 연속적인 접촉에 의해 접속되어있는 부위에서 일어난다. 그러나, 실제로, 상기 부품과 히트싱크의 개개의 표면은 미세한 보이드 또는 세공 등의 불규칙한 곳을 가지고 있어, 공기를 가두고 있다. 공기는 좋은 열전도체가 아니므로, 이들 불규칙한곳/보이드를 열 전도성 재료로 채워서 더 효과적인 열 전달을 할 수 있어야 한다. 이하의 재료와 기술은 이러한 열 전달을 촉진하기 위해서 사용되고 있다.

실리콘계 열 그리스(thermal grease)는 일찍이 전자 어셈블리용 열 인터페이스 재료로서 사용되었다. 이 그리스는 실리콘 중에 열 전도성 세라믹 필러를 분산시킴에 의해 형성되어 점착성 페이스트(paste)를 형성한다.

상기 그리스를 전자 부품 표면과 히트 싱크 표면 사이에 도포하는 경우, 상기 그리스는 보이드를 채워 틈새에 있는 공기를 제거한다. 약간 과잉의 그리스가 부품의 가장자리에서 흘러 넘친다. 이 그리스의 사용에 의해 양쪽 교합면이 그들의 가장 높은 지점에서 접촉함으로써 가장 얇은 조인트가 가능해져, 그 결과 매우 낮은 열 저항성을 나타낸다.

상기 그리스는 매우 양호한 열 전도체임이 판명되었지만, 그 사용에 관련하여 문제가 있다. 그의 지촉시 습기(moist-to-the-touch)로 인해, 지저분하고, 점성이 있는 상태로, 도포하는데 시간이 많이 걸린다(예, 통상 정확한 양의 그리스를 도포해야만 함). 또한, 핸들링, 선적(shipping) 등을 수월하게 하기 위해, 상기 그리스를 보호 시트 라이너에 도포하는 경우, 상기 그리스를 전자 부품 표면에 도포하기 전에 상기 라이너를 떼어낼 때, 그리스의 50%까지 라이너에 남아 있을 수 있어, 낭비가 심하고, 비용이 증가하여, 결과적으로 원하는 것보다 덜 효과적인 열 인터페이스(thermal interface)로 된다. 또한, 그 전자 기기를 작동시키는 동안, 열이 발생하는 경우, 상기 열 그리스는 도포부위로부터 이동한다. 또한, 실리콘계 그리스는 웨이브 땜납욕(wave solder bath)의 실리콘 오염을 일으키는 단점이 있다. 실리콘 오일이, 인쇄 회로 기판으로 이동하는 경우, 재가공 시 어떠한 땜납도 기판상에 접착되지 않는다. 이러한 이동은 기판 상의 회로 단락(short circuit)을 일으킨다.

따라서 비실리콘계 열 그리스가 실리콘계 제품에 관련한 상기한 많은 문제점을 개선하기 위해 개발되었다. 비실리콘계 그리스는 탄화수소 오일에 열 전도성 세라믹 필러를 분산시켜 형성한다.

상기 비실리콘계 그리스는 실리콘계 제품의 이동/오염 특성은 개선하였지만, 여전히 습기/점착 특성을 나타냄으로 인한, 지저분한 문제가 있어, 여전히 도포하기 어렵고 시간이 많이 걸렸다.

열 그리스의 허용가능한 대체물을 제공하기 위한 또 다른 노력의 결과, 비교적 더 걸쭉하고 더 건조한 엘라스토머 열 패드가 개발되었다. 그 조성은 산화아연, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 및 질화붕소 등의, 열 전도성 입자 함유 실리콘 고무를 기본으로 한다. 이들 패드 사용의 이점은 그들이 덜 지저분하고(더 건조하기 때문에), 설치가 더 용이하고 시간이 적게 걸리고, 또한 각 도포 시에 정확한 양의 그리스를 도포해야만하는 필요성을 제거할 수 있다는 사실을 포함한다.

그러나, 상기한 바와 같이, 상기 궁극적인 열 인터페이스는 두 부품이 가능한 한 많은 지점에서 접촉하는 곳이며, 미세 보이드가 나타나는 부위에서만 그것들이 채워진다. 상술한 그리스는 이들 보이드내로 쉽게 흘러들어 가서, 쉽게 옮겨져서 전자 부품과 히트싱크 사이에 가능한 한 많은 직접 접촉이 되게 하는 반면, 이들 패드는 전자 부품 표면과 히트싱크 표면 사이의 어떠한 직접적인 접촉도 허용하지 않는다. 즉, 이들 실리콘 엘라스토머는 전자 부품을 손상시킬 수 있을 정도의 큰 압축 하중이 걸렸을 때만 표면이 불규칙하게 변형된다. 저압에서는 상기 패드는, 상기 표면들 사이의 공기 보이드를 도저히 채울 수 없으므로, 비교적 매우 높은 열저항을 일으킨다.

또한, 왁스 또는 파라핀계 상전이(phase-change) 재료가 개발되어 있으며, 이들은 그리스와 같은 열 성능을 나타내고, 그들이 비교적 건조하기 때문에, 엘라스토머 패드와 같이 더 용이한 핸들링 및 설치가 가능하다. 이러한 상전이 재료는 독립형(stand-alone form)으로 사용되거나, 섬유 유리로 보강되어 있거나, 또는 포일(foil) 또는 캅톤(Kapton(상표명))상에 코팅되어 있다. 캅톤은 열 전도성 이외에 전기 절연성을 가진 폴리이미드 필름으로 듀퐁사 제품이다. 이들 상전이 재료는 실온에서 고체이지만, 이들이 상전이 또는 용융 조작 온도(예, 통상 40∼70℃)에 도달했을 때 열 페이스트 또는 그리스와 상당히 유사하게 거동한다.

이들 상전이 재료는 실온에서 고체이고 건조하기 때문에, 도포 시 지저분해지지 않는다. 이들은 가열하면 액상으로 되어 세공내로 흘러들어 간다. 그러나, 그 전자 부품의 수직 배향에서는, 상기 재료들이 인터페이스 밖으로 흘러나오기 때문에 다시 보이드를 남긴다. 이들 재료는 어셈블리하는 동안 이들을 부품에 접착하기 위해 감압 접착제를 필요로 하며, 그 접착제들은 열 저항을 바람직하지 않게 증가시킨다. 상기 상전이 재료에 대한 조작 고온 범위(operational high temperature range)는 단지 150℃이지만, 열 그리스는 200℃이다. 또한 "콜드 플레이트" 도포 시, 즉, 전자 어셈블리를 냉각시키기 위해서 물 및/또는 열-전기 모듈을 사용할 때에는, 그 온도가 상기 용융 조작 온도에 도달하지 않으므로, 상전이 재료는 보이드에 녹아들어갈(표면을 습윤시킬) 만큼의 충분한 열을 받지 않아서, 이용할 수 없는 반면, 그리스는 상기 온도에서 작용한다. 또한, 각 열 사이클 및 뒤이은 상전이는 재충전되지 않을 수 있는 새로운 공기 보이드를 유도할 수 있다.

상기한 바와 같이, 열 패드는 사용하기 쉽지만, 비교적 높은 열 저항을 나타낸다. 또한, 상전이 재료는 열 전달 효율의 관점에서 패드보다 성능이 뛰어날 수 있지만, 여전히 용도와 성능에서 한계를 가지고 있다. 열 그리스는 이들 그리스 대체물에, 특히 가장 낮은 열 저항을 포함하여, 더 뛰어난 성능을 부여하지만, 매우 지저분하여 도포하는 동안 노동력이 많이 든다.

상술한 종래 기술이 열 전달 기술 고유의 몇몇 문제점을 제거하더라도, 이 종래 기술에는 여전히 가장 효과적인 배합물 및 그 생산 방법 및 용도를 개시하거나 나타내지는 않는다.

따라서, 본 발명은 종래의 열 그리스의 긍정적인 속성을 나타내지만, 도포하기에는 더 용이한 열 인터페이스 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 또 다른 목적은 전체 습윤 작용(total wetting action)에 의해 전자 부품과 히트싱크 사이의 어떠한 보이드라도 채울 수 있는 건조 열 인터페이스 재료를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 습윤 작용을 개선하는 플러스의 열 팽창성 계수와 요변성(thixotropic property)을 가짐으로써, 전자 부품과 히트싱크 사이의 전체 열 인터페이스 접촉이 용이한 열 인터페이스 재료를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 상전이할 필요 없이, 어떠한 조작 온도에서도 즉각적인 열 전달이 가능하고, 콜드 플레이트 도포용으로 특히 적합한 열 전달 재료를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 열 패드와 상전이 재료의 이점과 편의를 제공하지만, 열 그리스의 뛰어난 성능도 갖는 열 전달 재료를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 핸들링이 쉽고 이동이 방지된 열 그리스를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 그자체에 점성이 있는 비실리콘계 및 비왁스계 열 그리스 또는 페이스트를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 시트, 블록 및 기타 형태로 성형한 다음, 잘라서 전자 부품과 히트싱크 사이에 쉽게 배치 할 수 있는 열 전달 배합물을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은 많은 제조 환경에서 사용 및 핸들링하기 쉬운 드롭-인-플레이스(drop-in-place) 열 전달 배합물을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은 최소 압력으로 도포할 수 있는 열 전달 배합물을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 열 전달 효율을 감소시킬 수 있는 어떠한 접착제 또는 다른 첨가제가 필요하지 않은, 건조하지만 그자체에 점성이 있는 열 전달 재료를 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은 전자 부품을 조작하는 동안 전자 부품과 히트싱크 사이에서 유출되지 않는 요변성의 열 전달 배합물을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 비교적 건조하지만, 약간 점성을 가진 열 전달 배합물을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은 뛰어난 열 전달성과 전기 절연성을 둘다 나타내는 열 전달 재료를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 전자 부품과 히트 싱크 사이에 열 전달 재료를 보다 효과적으로 도포하는 방법을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은 전자 부품과 히트 싱크 사이의 전체 인터페이스 접촉이 가능한 최소한의 힘만을 사용하여 열 전달 재료를 도포하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 상기한 목적들을 성취하기 위해서, 높은 열 전도성을 갖고, 비교적 지촉 건조 상태(dry-to-the-touch)이며, 그자체에 점성이 있고, 블록, 시트 등의 각종 모양으로 성형할 수 있는 배합물을 포함한, 전자 부품과 히트싱크 사이에 수월하게 적용할 수 있는 열 전달 재료가 제공된다. 상기 배합물은 폴리올 에스테르 및 산화방지제로 이루어지는 전배합물(pre-blend) 외에, 필러, 고점도 오일, 및 폴리스티렌계 중합체, 용제, 및 계면활성제나, 규산 알루미늄을 함유한다.

또한, 본 발명은 약 99중량%의 폴리올 에스테르와 약 1중량%의 산화방지제를 혼합하여 전배합물을 형성하는 공정(전배합물은 상기 배합물의 약 8∼12중량%를 구성함); 약 18∼80중량%의 산화아연 필러 및 약 55∼67중량%의 산화마그네슘 필러중 적어도 하나를 상기 전배합물에 첨가하는 공정; 및 약 2.25∼5.5중량%의 고점도 오일을 첨가하는 공정을 포함하는 상기 배합물의 제조 방법을 제공한다. 또한, 하나의 태양에서는 약 0.2중량%의 계면활성제, 약 3중량%의 폴리스티렌계 중합체, 및 약 1중량%의 용제를 첨가한다. 또 다른 태양에서는, 중합체, 용제 및 계면활성제 대신에, 상기 배합물의 약 5.2중량%의 규산 알루미늄을 첨가한다.

이러한 지촉 건조 상태의 열 전달 재료는, 종래의 열 그리스와 같이, 보다 낮은 폐압에서 매우 낮은 열 저항을 나타내지만, 상기한 종래의 그리스 대체물의 핸들링 용이성을 제공하므로, 편의를 위해 열 성능을 희생할 필요가 없어진다. 상기 재료의 블록, 시트 등의 형태는 다이 커팅(die-cut)될 수 있으며 열 성능을 감소시키는 부가적인 접착제를 사용하지 않고 전자 부품이나 히트 싱크에 부착되도록 그자체에 점착성을 가지고 있다. 또한 상기 재료는 습윤 표면이 가능하게 하는 플러스의 열 팽창 계수와 요변성을 나타내어, 인터페이스 접촉을 더 개선시킨다. 또한, 열 전달은 즉시 개시되고 어떠한 온도에서도 일어날 수 있기 때문에, 콜드 플레이트 도포용으로 탁월하다. 또한 상기 재료는 실리콘 오염 문제를 피하기 위해 실리콘이 첨가되지 않으며, 필요에 따라, 전기적으로 절연성을 띠게 할 수 있다.

또한 본 발명은 하기 공정:

제1 탑재 표면을 가진 열 발생 전자 부품을 준비하는 공정;

열 발생 전자 부품의 제1 탑재 표면상에 탑재될 히트 싱크(heat sink)에 제2 탑재 표면을 준비하는 공정; 및

상기 전자 부품에서 히트싱크로 열 전달을 일으키는, 상기 건조 열 전달 재료를, 상기 제1 탑재 표면과 제2 탑재 표면 사이에 배치하는 공정

을 포함하는, 전자 부품 어셈블리용 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법을 설명한다.

또한, 상기 재료는 열 전도성 포일 지지체(foil backing), 또는 열 전도성 및 전기 절연성 지지체를 포함할 수 있으며, 필요에 따라서, 다이 커팅할 수 있다. 또한, 핸들링, 선적 및 저장을 수월하게 위해 제거가능한 라이너를 상기 배합물의 노출된 표면에 붙일 수 있지만, 이 라이너는 상기 재료를 전자 부품과 히트 싱크 사이에 적용하기 전에 제거된다.

본 발명의 다른 특징 및 이점은 하기 설명으로부터 명백해질 것이다.

[바람직한 태양의 상세한 설명]

본 발명은 전자 부품과 히트 싱크 사이 등의 매우 효과적인 열 전달 재료로서 사용할 수 있는, 점착성의 비실리콘계, 비왁스계, 건조한 감촉의 열 그리스 또는 페이스트 배합물에 관한 것이다.

이 배합물은 HATCOL 2373 등의 폴리올 에스테르 약 98.8중량%, ETHANOX 330 등의 산화방지제 약 1.2 중량%로 이루어진 전배합물을 기제로 한다. 이 전배합물에는, 그 조성물의 의도된 용도에 따라서, 하기와 같이, 적어도 1종의 필러, 오일, 중합체, 계면활성제 및 용제, 또는 적어도 1종의 필러, 오일, 및 규산 알루미늄이 첨가된다.

제1 태양에 따른, 예시 성분 및 중량%는 하기의 표1에 나타낸다.

[표 1]

성 분	배합물의 중량%
전배합물	8.1∼9.9
산화아연	65.52∼80.08
고점도 오일	4.5∼5.5
중합체	2.7∼3.3
용제	0.9∼1.1
계면활성제	0.198∼0.202

상기 산화아연은 필러 재료로서 기능하는 분말이다. 필러로는, 다른 금속 산화물, 은, 질화알루미늄 및 질화붕소를 포함한 종래 공지의 어떠한 열 전도성 필러라도 적합하다. 산화 마그네슘은 통상 그 입자 크기가 비교적 크기 때문에 이 태양에서는 필러로서 사용되지 않는다.

상기 오일은 통상 점도 지수 개량제로 알려져 있는 폴리이소부텐이 바람직하다. 상업적으로 이용 가능한 오일의 하나로는 인도폴(Indopol)이라 불리는 것이 있다.

이 태양의 배합물은 적합한 중합체를 도입함에 의해 요변성의 비교적 지촉 건조 상태로 한다. 상기 중합체로는 폴리스티렌계가 바람직하다. 상기 요변성은 상기 인터페이스를 가로질러 완전한 습윤을 제공하여, 수직 배향 적용의 경우 조차도, 상기 재료가 인터페이스 밖으로 흘러 넘치는 것을 막는다. 상기 건조성(dryness)은 핸들링 및 사용을 용이하게 한다.

용제의 예로는 나프타, 헥산, 헵탄, 및 기타 급속 산일 석유 증류물(quick-dissipating petroleum distillates)이 있다.

계면활성제의 예로는 제네폴(Genepol)로서 시판되는 폴리글리콜에테르가 있다. 이 계면활성제는 상기 그리스 배합물의 박막 형성을 촉진한다. 그러나, 상기 계면활성제는 더 농후한 하기의 제2 "블록" 태양의 조성물에는 필요 없다.

이 배합물은, 종래의 열 그리스와 본 발명의 상기 건조한 감촉의 배합물의 기본 특성을 비교하면, 하기 표2에 나타낸 바와 같이, 종래의 열 그리스와 비슷하거나, 더 나은 성능을 갖는다.

[표 2]

기본 특성	표준 그리스	발명 배합물	시험 방법
주도(consistency)/침투력	320	190	ASTM-D217
증발 손실 200℃,%/wt	0.5	0.1	FTM-321
열 전도도, W/m^oK	0.70	1.0	ASTM D-5470 변형
열 저항, ℃ in²/W	0.05	0.03	ASTM D-5470 변형
부피 저항성, ohm-cm	1.65×1014	2.0×101"	ASTM D-257

본 발명에 의한 배합물은, 상전이 및 엘라스토머 패드 재료와 마찬가지로, 지촉 건조 상태이지만, 이 재료들의 상술한 결점이 문제가 되지 않는다. 다른 한편, 본 발명에 의한 배합물은 종래의 열 그리스의 지저분함을 나타내지는 않지만, 매우 낮은 열 저항성을 나타낸다.

상기 배합물은 플러스의 팽창 계수를 나타내며, 그 결과 상기 배합물의 팽창으로 그 표면을 습윤하여, 종래의 그리스보다 더욱더 양호하게 보이드를 채울 수 있게 된다. 상기 플러스의 팽창 계수는 미세 레벨로 발생하므로, 상기 배합물에서 물리적인 변화는 일어나지 않는다.

상기 배합물은, 기판에 전자부품을 부착하기 전에, 전자 부품이나 기판에 직접 도포할 수 있다.

또한 이 배합물은 예를 들면, 추진제(propellant)와 조합하여 원하는 두께로 전자 부품이나 기판에 직접 분사(spray)하여 도포할 수도 있다. 이 제1 태양의 배합물은 전자 부품 또는 기판 상에 직접 스크린 인쇄할 수도 있다. 어느 경우에도, 상기 배합물은 도포 수초내에 용제의 증발에 의하여 지촉 건조 상태로 된다.

필요에 따라서, 상기 배합물은 제1 보호 라이너 상에 적층할 수 있다. 그 다음, 제2 보호 라이너를 상기 배합물 중 여전히 노출된 표면상에 배치시킬 수 있다. 이들 라이너는 상기 배합물 막을 손상하지 않는 높은 이형값(release value)을 갖는 재료로 이루어져야 한다. 바람직한 재료는 폴리프로필렌이다. 상기 라이너는 단순히 상기 막을 도포할 때까지 막을 보호하는 기능을 한다. 상기 적층체는 전자 부품의 기부(base)의 크기에 따라서 자를 수 있다.

상기 배합물을 도포하기 위해서, 상기 제1 라이너는 상기 적층체로부터 제거된다. 그 결과 노출된 상기 배합물의 표면은 "손가락으로 누르는 압력(rolling finger pressure)"으로 전자 부품의 기부 면에 맞닿아 배치된다. 그 다음 전자 부품의 기부에 부착되어 남아 있는 배합물로부터 제2 라이너를 제거한다. 즉, 상기 배합물은, 열 성능을 감소시키는 접착제나 어떠한 다른 "비열 전도성(non-thermally conductive)" 물질 없이, 그자체의 점성에 의해, 상기 부품 또는 히트싱크에 부착된다. 그 다음, 상기 전자 부품은 약 5PSI 이상의 압력으로 기판상에 배치되어 전체 인터페이스 접촉을 달성한다.

상기한 바와 같이, 본 발명의 열 전달 배합물의 부착은 단지 최소한의 압력으로 가능하다. 이 점에서, 상기 민감한 전자 부품에 대한 손상 가능성이 적다.

필요에 따라서, 상기 제1 라이너를 제거한 후에, 상기 배합물은 상기 전자 부품이나 히트싱크에 접착되고, 제2의, 노출된 라이너는 상기 재료를 보호하기 위해서 잔류시킬 수 있으며, 즉, 상기 부품을 용이하게 보호하여 수송하고, 저장 및 후속 어셈블리하기 위해 예비코팅할 수 있다.

상기 재료는 저온 도포할 수 있으며 그 후 가열이나 경화시킬 필요가 없다. 상기 재료는, 쉽게 엑세스하고 재처리하기 위한 특별한 도구 없이, 필요에 따라서, 깔끔하고 쉽게 제거할 수 있다.

필요에 따라서, 상기 배합물을 열 전도성 시트 지지체상에 박층으로 도포하여, 상기 전자 부품의 다양한 다른 모양에 맞게 자를 수 있는 열 전달 재료를 제조할 수 있다.

예를 들어, 본 발명의 상기 제1 태양의 배합물은, 하기에 상술한 바와 같이, 여기서 "A"로 기재한 알루미늄 포일 기판 상에 코팅하여 우수한 열 전도성을 제공하거나, "K"로 기재된 캅톤(Kapton(상표명)) 상에 코팅하여 전기 절연성과 열 전도성 둘다를 제공할 수 있다. 상기 이점 중에는 열 그리스의 뛰어난 성능 외에, 사용 용이성(열 패드 및 상전이 재료에 의함)이 있다.

상기의 관점에 대해서는, 상기 건조 배합물은 바람직하게는 1∼4mil의 다양한 두께로 포일 기판 A의 양측에 예비 도포(pre-apply)된다. 예를 들면, 2mil 포일은, 하기 표3에 나타낸 바와 같이, 각각의 반대 면에 도포된 1 또는 2mil의 막을 가질 수 있다. 물론, 상기 배합물의 더얇은/더두꺼운 기판, 및/또는 더얇은/더두꺼운 층을, 원하는 대로, 도포할 수 있다.

[표 3]

물리적 특성	기판 타입
물리적 특성	알루미늄(실시예1)	알루미늄(실시예2)
기판 두께 (in)	0.002	0.002
배합물 두께(면 당) (in)	0.001	0.002
총 두께 (in)	0.004	0.006

열 특성
열 저항(℃ in²/W)	0.018	0.02
(ASTM D-5470 변형)

이 태양은 사용하기 쉽고, 종래 열 그리스의 뛰어난 성능을 가진 비파라핀계 열 인터페이스 막이다. 상전이 재료와 달리, 이 막은 25℃ 이하에서 사용할 수 있으며, 상기 배합물은 콜드 플레이트 도포용으로 매우 적합하다. 또한, 상기 배합물은 전체 표면 습윤, 및 인터페이스 접촉을 성취하기 위해 최소한의 힘만을 필요로 한다. 상기한 바와 같이, 상기 막은 현저히 낮은 열 저항(약 0.02(℃ in²/W)정도로 낮음)을 나타낸다.

상기 배합물을 표면에 도포한 상기 포일 A를, 전자 부품의 인터페이스 면에 맞도록 원하는 크기와 모양으로 잘라서, 그 면에 부착시킬 수 있다. 이러한 잘린 열 인터페이스 재료는 전자 부품 상에 도포하기 전에, 선적/저장용 시트형 롤에 도포할 수도 있다.

마찬가지로, 상기 배합물은, 표 4에 나타낸 바와 같이, 열 전달 능력뿐만 아니라 전기 절연성을 나타내는 기판 K에 도포할 수 있다.

[표 4]

물리적 특성	값	시험 방법
기판 타입	캅톤(Kapton(상표명))
기판 두께 (in)	0.002
배합물 두께/(면 당) (in)	0.002
전체 두께 (in)	0.006
열 & 전기 특성
열 저항 (℃ in²/W)	0.028∼0.03	ASTM D-5470(변형)
유전 강도 (V/mil(VAC)	2000(12000)	ASTM D-149
유전 상수 (@ 1KHz)	3.7	ASTM D-150
부피 저항성 (ohm-cm)	1.01×10¹⁵	ASTM D-257

따라서 이 열 인터페이스 재료는 양측에 건조한 열 인터페이스 배합물로 코팅된, 다이-커팅 폴리이미드의 전기 절연성 기판 K이다. 이 재료는, 본 발명에 의한 상기 열 인터페이스 재료 A 및 K의 기본 특성을 비교하여, 표 5에 나타낸 바와 같이, 높은 열 전달능 및 높은 전기 전열능을 제공하며, 높은 컷-쓰루(cut-through) 저항을 갖는다.

[표 5]

물리적 특성	A	K	시험 방법
기판	알루미늄	캅톤(상표명)
기판 두께 (in)	0.002	0.002
배합물 두께/면 (in)	0.002	0.002
총 두께 (in)	0.006	0.006
열 & 전기적 특성
열 전도성 (W/m^oK)	2.5	0.77	ASTM D-5470 변형
열 저항 (℃ in²/W)	0.02	0.028∼0.03	ASTM D-5470 변형
유전 강도, V/mil VAC	N/A	2000(12,000)	ASTM D-149
부피 저항성 (ohm-cm)	N/A	1.01×10¹⁵	ASRM D-257

하기의 표 6에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 포일형 A나 캅톤형 K는 상기한 종래의 인터페이스 재료와 비교했을 때(ASTM D-5470 변형을 이용), 비교적 저압에서 뛰어난 열 저항을 나타낸다.

[표 6]

열 저항성
	그래파이트 A 패드	K	실리콘 패드	캅톤 보강상전이 패드	유리섬유보강 상전이 패드	알루미늄 포일 보강 그래파이트 패드
10psi	0.023 0.029	0.029	0.094	0.054	0.057	0.03
30psi	0.019 0.02	0.027	0.068	0.047	0.055	0.02
50psi	0.005 0.017	0.026	0.059	0.037	0.054	0.011
70psi	0.002 0.016	0.024	0.052	0.034	0.05	0.007

또한, 상술한 포일 태양 A와 같이, 보호 라이너를 사용할 수 있고, 상기 전체 열 인터페이스 재료의 조합은 약 5PSI 이상의 압력으로 전자 제품과 히트 싱크 사이에 도포할 수 있고, 이 태양 K의 시트는 도포하기 전에, 선적 및 저장용 롤에 배치할 수 있다.

상기 배합물만을 사용하여 상기 부품/히트싱크에 직접 도포한 것에 비해, 상기한 바와 같이, 포일 A나 캅톤 K 태양의 열 전도성은 상기 포일과 캅톤 시트의 부가적인 사용으로 인해, 조금 더 작다.

상기한 포일 또는 캅톤 기판 외에, 유리섬유 메쉬(mesh) 등의 다른 기판 또는 담체를 사용할 수 있다.

본 발명의 또다른 태양에 의하면, 상술한 종래의 엘라스토머 패드와 같이, 블록, 시트, 및 다른 모양으로 성형하여 전자 부품과 히트 싱크 사이의 더 큰 갭을 채울 수 있다. 즉, 전자 부품과 히트싱크의 표면 구조 및/또는 그들간의 거리가 고르지 않을 수 있기 때문에, 이 블록들은 부품과 히트싱크 사이의 어떠한 원하는 갭 또는 모양에 맞춰서 형성할 수 있다. 종래 공지된 바와 같이, 상기 모양은 편평하고, 매끄러운, 직사각형 또는 원형의 시트 등이 바람직하다. 상술한 태양에서와 같이, 이 태양은 지촉 건조 상태이다.

상기 배합물의 이 태양에 대해서(여기서는 블록 태양이라 함), 그 예시 성분 및 중량%는 다음 표 7에 나타낸다.

[표 7]

성분	배합물의 중량%
전배합물	10.08∼12.32
산화아연 분말	18.09∼22.11
산화마그네슘 분말	54.81∼64.90
규산 알루미늄	4.68∼5.72
고점도 오일	2.25∼2.75

상기 전배합물 및 오일은 상기한 바와 같다.

상기 산화아연 및 산화마그네슘은 필러 재료로서 기능하는 분말이다. 또한, 상기한 바와 같이, 다른 공지의 필러도 사용할 수 있다.

상기 규산 알루미늄은 상술한 태양에 관련된 배합물을 증점(thicken)하는데 사용되는 클레이형 물질이므로, 이러한 모양으로서 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제2 태양의 화학적 성질은, 제1 태양에 비해, 더 건조하고 알루미늄 첨가에 기인하여 클레이와 더 유사한 점을 제외하고는, 통상 제1 태양의 화학적 성질과 유사하다.

이 블록 태양에 의하면, 상기 배합물은 상술한 태양 A 및 K와 관련된 두께보다 훨씬 더 두꺼운 두께로 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 블록은 80∼200mil 두께를 갖는다.

이 블록 태양은 매우 안정하며 그자체에 점성이 있어, 100%의 표면 접촉을 성취하기 위해 상당한 압력을 요구하는 덜 안정한 종래의 실리콘 엘라스토머 갭 필러에 대한 뛰어난 대체품을 제공한다. 상기한 바와 같이, 그러한 높은 압력은 전자 부품을 손상시킬 수 있다. 본 발명의 블록 태양은 전자 부품에 훨씬 적은 압력을 가하여 공기를 대체하여 갭을 채운다.

상기 블록 태양의 매우 적합한 성질에 의해 상기 패드가 열 발생 장치와 히트 싱크 사이의 모든 보이드를 채울 수 있게 된다. 그들의 비실리콘계 제형(formula)은 광학 적용 및 높은 압축 하중에 특히 유용하다. 또한, 상기 재료는 개개의 부품으로부터 금속 커버, 프레임 또는 스프레더(spreader) 플레이트로 열을 전도한다. 또한, 이 태양은 마이크로프로세서, 캐쉬 칩, 히트 파이프 인터포저 플레이트(heat pipe interposer plate), 랩탑(laptop) PC, 고밀도 핸드헬드 휴대용 전자기기, 전자 밸러스트(electronic ballast) 및 각종 자동 제품 등의 응용분야에 우수한 이점을 제공한다.

상기 블록 태양의 기본 특성을 하기의 표8에 나타낸다.

[표 8]

물리적 특성	값	시험 방법
조성물	비실리콘계
색상	회색
밀도	2.8	ASTM D-70
두께 (in)(mm)	0.08(2mm)이상
조작 온도 범위	-40℃∼150℃
열 전도도 (W/m^oK)	1.68	ASTM D-5470(변형)
열 저항성 (℃ in²/w/mil)	0.03
열 팽창 계수	31.8×10^-6/℃
유전 강도 (V/mil)	318	ASTM D-149
부피 저항성 (ohm-cm)	2.15×10¹⁵	ASTM D-257

상술한 포일/캅톤 태양과 달리, 상기 블록 태양에는 지지체가 부착되어 있지 않다. 그럼에도 불구하고, 필요에 따라서, 폴리프로필렌 라이너를 사용할 수 있다.

상기 형성된 블록, 시트, 등은 약 0.08"(2mm) 이상에서부터 정확한 설계(specification)로 다이-커팅할 수 있다.

이러한 블록 태양은 열 흐름에 대한 저항을 최소화하고 최상의 열 전도 경로를 얻을 수 있도록 완전한 물리적 접촉을 가능하게 하는 부품의 모양과 사이즈로 맞춰진다.

상전이 재료와 달리, 이 태양은 최소한의 압력을 필요로 할 뿐만 아니라, 25℃에서 열전이를 시작하여, 전체 습윤 작용은, 상전이를 필요로 하지 않는, 플러스의 열 팽창 계수에 의해서 얻을 수 있다.

상술한 비교적 얇은 인터페이스 재료 태양 A 및 K와, 상술한 비교적 두꺼운 블록 또는 시트 태양을 비교하여, 본 발명은, 필요에 따라서, 그 중간 두께로 형성할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 배합물의 더 두꺼운 층들 외에, 유리섬유 메쉬 등의 더 두꺼운 기판 또는 담체를 사용할 수 있다.

또한, 캅톤과 같은 전기 절연성 재료의 사용과 달리, 열 전도성 뿐만 아니라 전기 전도성도 갖는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 구조의 예로는 그 위에 은층을 입힌 구리 포일이 있다.

본 발명의 상술한 태양들에 의한 열 인터페이스 재료의 구체적인 연상되는 응용예로는, 파워 모듈, IGBT, DC-DC 컨버터 모듈, 고체 상태 릴레이, 다이오드, 파워 MOSFET, RF 부품 및 열전기 모듈; 마이크로프로세서, 멀티칩 모듈, ASIC 및 기타 디지털 부품; 파워 증폭기, 대면적 적용 전원 장치(large area application for power supply) 및 기타 주문형 밀폐 열 분산 표면(custom enclosure heat dissipating surface)을 들 수 있다.

상기에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 적어도 종래기술에 비해 하기 이점을 나타낸다: a) 종래 열 그리스의 모든 증명된 가치(proven values)를 가지고 있고; b) 전자 부품과 히트 싱크 사이의 전체 인터페이스 접촉에 최소한의 힘만을 필요로 하고; c) 전체 "습윤 작용(wetting action)"으로 전자 부품 사이의 보이드를 상전이 없이 채울 수 있고; d) 훨씬 더 큰 인터페이스 접촉을 위해 습윤 작용을 증가시킬 수 있는 플러스의 열 팽창 계수와 요변성을 나타내고; e) 즉각적인 열 전달이 가능하므로 어떠한 조작 온도에서도 사용할 수 있으며, 종래의 상전이 재료와 달리, 상기 재료를 콜드 플레이트 도포용으로 선택할 수 있고; f) 어떠한 제조 환경에서 쉽게 사용하고 핸들링할 수 있는 "드롭 인 플레이스(drop-in-place)" 제품을 필수적으로 제공하고; g) 지저분하지 않고, 건조한 감촉을 갖고, 열 저항에 영향을 미칠 수 있는 개개의 접착제 또는 다른 비전도성 재료(예, 유리섬유)를 사용하지 않는 그자체에 점성이 있는 재료를 제공하고; h) 미세하게 변화하여 전자 부품 표면상의 보이드를 채우고; i) 그의 요변성에 기인하여 유출(run-out)을 방지하고; j) 열 전달 특성과 높은 전기 절연 능력을 나타낼 수 있고; 또한 k) 연속적인 가열 또는 압력 하에서, 도포 후에, 또한 수직면으로 도포한 경우에, 그 점도를 잃지 않고 잘 흐르지 않게 된다.

상기 내용은 본 발명의 원리의 실례만을 고려한 것이다. 또한, 다수의 변경과 수정은 당업자가 쉽게 할 수 있으며, 상술한 것과 동일한 구성과 조작에 본 발명을 제한하는 것은 바람직하지 않다. 따라서, 모든 적당한 수정과 그 등가물은 본 발명과 첨부한 청구항의 범위내에 들어간다.

Claims

폴리올 에스테르, 산화방지제, 적어도 1종의 필러, 폴리이소부텐, 계면활성제, 폴리스티렌계 중합체 및 용제를 포함하는 열 전달(thermal transfer) 배합물.
제1항에 있어서,

상기 폴리올 에스테르와 산화방지제가 전배합물을 형성하고, 폴리올 에스테르가 상기 전배합물의 99중량%이고 산화방지제가 상기 전배합물의 1중량%인 열 전달 배합물.
제2항에 있어서,

상기 전배합물의 양이 상기 배합물의 8∼12중량%인 열 전달 배합물.
제1항에 있어서,

상기 적어도 1종의 필러가 상기 배합물의 65∼80중량%의 산화아연을 포함하는 열 전달 배합물.
제1항에 있어서,

상기 용제가 나프타, 헥산 및 헵탄 중의 하나이고, 상기 배합물의 0.9∼1.1중량%인 열 전달 배합물.
제1항에 있어서,

상기 폴리이소부텐이 상기 배합물의 2.25∼5.5중량%인 열 전달 배합물.
제1항에 있어서,

상기 계면활성제가 폴리글리콜에테르이고, 상기 배합물의 0.198∼0.202중량%인 열 전달 배합물.
제1항에 있어서,

상기 폴리스티렌계 중합체가 상기 배합물의 2.7∼3.3중량%인 열 전달 배합물.
폴리올 에스테르, 산화방지제, 적어도 1종의 필러, 폴리이소부텐 및 규산 알루미늄을 포함하는 열 전달 배합물.
제9항에 있어서,

상기 폴리올 에스테르와 산화방지제가 전배합물을 형성하고, 폴리올 에스테르가 상기 전배합물의 99중량%이고 산화방지제가 상기 전배합물의 1중량%인 열 전달 배합물.
제10항에 있어서,

상기 전배합물의 양이 상기 배합물의 10∼12중량%인 열 전달 배합물.
제9항에 있어서,

상기 적어도 1종의 필러가 산화아연 및 산화마그네슘으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 열 전달 배합물.
제12항에 있어서,

상기 산화아연은 상기 배합물의 18∼22중량%이고 상기 산화마그네슘은 상기 배합물의 55∼67중량%인 열 전달 배합물.
제9항에 있어서,

상기 폴리이소부텐이 상기 배합물의 2.25∼2.75중량%인 열 전달 배합물.
제9항에 있어서,

상기 규산 알루미늄이 상기 배합물의 4.68∼5.72중량%인 열 전달 배합물.
열 그리스 배합물로서,

상기 배합물의 8∼10중량%의, 폴리올 에스테르와 산화방지제를 혼합한 전배합물;

상기 배합물의 65∼80중량%의 산화아연;

상기 배합물의 4.5∼5.5중량%의 폴리이소부텐;

상기 배합물의 0.198∼0.202중량%의 계면활성제;

상기 배합물의 2.7∼3.3중량%의 폴리스티렌계 중합체; 및

상기 배합물의 0.9∼1.1중량%의 용제

를 포함하는 열 그리스 배합물(thermal grease compound).
제16항에 있어서,

상기 폴리올 에스테르가 상기 전배합물의 99중량%이고, 상기 산화방지제가 상기 전배합물의 1중량%인, 열 그리스 배합물.
열 그리스 배합물로서,

상기 배합물의 10∼12중량%의, 폴리올 에스테르와 산화방지제의 전배합물;

상기 배합물의 18∼22중량%의 산화아연 및 상기 배합물의 55∼67중량%의 산화마그네슘 중의 적어도 하나;

상기 배합물의 2.25∼2.75중량%의 폴리이소부텐; 및

상기 배합물의 4.68∼5.72중량%의 규산 알루미늄

을 포함하는 열 그리스 배합물.
제18항에 있어서,

상기 폴리올 에스테르가 상기 전배합물의 99중량%이고, 상기 산화방지제가 상기 전배합물의 1중량%인, 열 그리스 배합물.
폴리올 에스테르, 산화방지제, 적어도 1종의 필러, 폴리이소부텐, 계면활성제, 폴리스티렌계 중합체 및 용제로 이루어진 열 전도성(thermally conductive) 배합물; 및

상기 배합물을 적어도 한면에 수용(receiving)한 열 전도성 시트

를 포함하는 열 인터페이스 재료(thermal interface material).
제20항에 있어서,

상기 시트는 알루미늄 필름 및 폴리이미드 필름 중 하나인 열 인터페이스 재료.
제20항에 있어서,

상기 시트가 전기 절연성인 열 인터페이스 재료.
제20항에 있어서,

상기 시트의 적어도 한면 상에 상기 배합물을 덮는 라이너를 더 포함하는 열 인터페이스 재료.
열 전도성 배합물을 형성하는 방법으로서,

99중량%의 폴리올 에스테르와 1중량%의 산화방지제를 혼합하여, 상기 배합물의 8∼10중량%를 이루는 전배합물을 형성하는 공정;

상기 배합물의 65∼80중량%의 산화아연을 첨가하는 공정;

상기 배합물의 4.5∼5.5중량%의 폴리이소부텐을 첨가하는 공정;

상기 배합물의 0.198∼0.202중량%의 계면활성제를 첨가하는 공정;

상기 배합물의 2.7∼3.3중량%의 폴리스티렌계 중합체를 첨가하는 공정; 및

상기 배합물의 0.9∼1.1중량%의 나프타 용제를 첨가하는 공정

을 포함하는 열 전도성 배합물의 형성 방법.
제24항 기재의 방법에 의해 제조된 생성물.
열 전도성 배합물을 형성하는 방법으로서,

폴리올 에스테르와 산화방지제를 혼합하여, 상기 배합물의 10∼12중량%를 이루는 전배합물을 형성하는 공정;

상기 배합물의 18∼22중량%의 산화아연 및 상기 배합물의 55∼67중량%의 산화마그네슘 중 적어도 하나를 상기 전배합물에 첨가하는 공정;

상기 배합물의 2.25∼2.75중량%의 폴리이소부텐을 첨가하는 공정; 및

상기 배합물의 4.68∼5.72중량%의 규산 알루미늄을 첨가하는 공정

을 포함하는 열 전도성 배합물의 형성 방법.
제26항 기재의 방법에 의해 생성된 생성물.
제16항에 있어서,

0.02∼0.04℃ in²/w의 열 저항을 가진 열 그리스 배합물.
a) 제1 표면을 가진 열 발생 전자 부품을 준비하는 공정;

b) 상기 제1 표면에 접속될 제2 표면을 가진 기판을 준비하는 공정; 및

c) 상기 부품과 기판 사이에서 열 전달시키는 제1항의 배합물을 상기 제1 표면과 제2 표면 사이에 배치하는 공정

을 포함하는 전자 부품 어셈블리용 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
제29항에 있어서,

상기 배합물을, 상기 열 그리스를 상기 제1 및 제2 탑재 표면의 적어도 하나 위에 분사함에 의해 배치하는, 전자 부품 어셈블리용 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
제29항에 있어서,

상기 배합물을, 상기 열 그리스를 상기 제1 및 제2 표면의 적어도 하나 위에 스크린 인쇄함에 의해 배치하는, 전자 부품 어셈블리용 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
제29항에 있어서,

상기 배합물을

a) 제1 열 전도성 시트의 반대면들에 상기 배합물의 비교적 얇은 층을 배치하여 적층체를 형성하는 공정;

b) 상기 적층체를 상기 제1 표면에 상응하는 모양으로 자르는 공정; 및

c) 상기 자른 적층체를 상기 제1 표면과 제2 표면의 사이에 배치하는 공정

에 의해 배치하는, 전자 부품 어셈블리용 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
제32항에 있어서,

상기 자르는 공정 전에, 상기 배합물 위에 라이너를 배치하는 공정을 더 포함하는, 전자 부품 어셈블리용 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
a) 제1 표면을 가진 열 발생 전자 부품을 준비하는 공정;

b) 상기 제1 표면과 접속될 제2 표면을 가진 기판을 준비하는 공정; 및

c) 상기 부품과 기판 사이에서 열 전달을 일으킬 제9항의 배합물을 상기 제1 표면과 제2 표면의 사이에 배치하는 공정

을 포함하는, 전자 부품 어셈블리용 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
제34항에 있어서,

상기 열 그리스를

a) 상기 제1 표면과 제2 표면 사이의 갭의 모양에 맞춰 상기 배합물의 블록을 형성하는 공정;

b) 상기 블록을 상기 제1 표면과 제2 표면 사이의 갭에 배치하는 공정; 및

c) 상기 부품 및 기판 중 적어도 하나에 압력을 가하는 공정

에 의해 배치하는, 전자 부품 어셈블리용 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
제18항에 있어서,

0.02∼0.04℃ in²/w의 열 저항을 가진 열 그리스 배합물.
삭제
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삭제
삭제
삭제
삭제
열 인터페이스 재료를 형성하는 방법으로서,

폴리올 에스테르, 산화방지제, 적어도 1종의 필러, 폴리이소부텐, 계면활성제, 폴리스티렌계 중합체 및 용제로 열 전도성 배합물을 형성하는 공정;

상기 배합물을 열 전도성 시트의 적어도 한 면에 코팅하는 공정;

상기 용제의 적어도 일부를 증발시키는 공정; 및

열 발생 장치와 히트 싱크 사이에, 상기 용제를 그 위에 갖는 시트를 배치하는 공정

을 포함하는 열 인터페이스 재료의 형성 방법.
열 인터페이스 재료를 형성하는 방법으로서,

폴리올 에스테르, 산화방지제, 적어도 1종의 필러, 폴리이소부텐, 계면활성제, 폴리스티렌계 중합체 및 용제로 열 전도성 배합물을 형성하는 공정;

상기 배합물을 열 전도성 시트의 적어도 한 면에 코팅하여 막을 형성하는 공정;

상기 용제의 적어도 일부분을 증발시키는 공정; 및

상기 막 위에 제2 시트를 배치하는 공정

을 포함하는 열 인터페이스 재료의 형성 방법.
제45항에 있어서,

상기 제2 시트를 제거하는 공정; 및

열 발생 장치와 히트싱크 사이에 상기 제1 시트를 배치하는 공정

을 더 포함하는 열 인터페이스 재료의 형성 방법.
a) 제1 표면을 가진 열 발생 부품을 준비하는 공정;

b) 상기 열 발생 부품의 제1 표면을 탑재할 열 분산 부품(thermal dissipating component) 상의 제2 표면을 준비하는 공정; 및

c) 상기 열 발생 부품에서 상기 열 분산 부품으로 열 전달을 일으킬, 폴리올 에스테르를 함유하는 열 인터페이스 재료를, 상기 제1 표면과 제2 표면 사이에 배치하는 공정

을 포함하는, 열 발생 부품 상에 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
제47항에 있어서,

상기 재료 배치 공정은 제1 표면 및 제2 표면 중의 적어도 하나 위에 상기 재료를 분사함에 의해 행하는 열 발생 부품 상에 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
제47항에 있어서,

상기 재료 배치 공정을

a) 상기 제1 표면과 제2 표면 사이의 갭의 모양에 맞추어 상기 재료의 블록을 형성(shaping)하는 공정; 및

b) 상기 제1 표면과 제2 표면 사이의 갭에 상기 블록을 배치하는 공정

에 의해 행하는 열 발생 부품 상에 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
제47항에 있어서,

상기 재료 배치 공정을

a) 상기 재료의 비교적 얇은 층을 열 전도성 포일 시트상에 배치하는 공정;

b) 상기 재료와 포일 시트를 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 중 하나의 모양으로 자르는 공정; 및

c) 상기 재료와 포일을 상기 제1 표면과 제2 표면 중 하나에 부착하는 공정

에 의해 행하는 열 발생 부품 상에 열 인터페이스 재료를 제공하는 방법.
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