KR100917619B1 - 반도체 소자와 그의 구동 방법 - Google Patents
반도체 소자와 그의 구동 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100917619B1 KR100917619B1 KR1020070114253A KR20070114253A KR100917619B1 KR 100917619 B1 KR100917619 B1 KR 100917619B1 KR 1020070114253 A KR1020070114253 A KR 1020070114253A KR 20070114253 A KR20070114253 A KR 20070114253A KR 100917619 B1 KR100917619 B1 KR 100917619B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal
- clock signal
- driving control
- clock
- control signal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
- H03K5/135—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals by the use of time reference signals, e.g. clock signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/156—Arrangements in which a continuous pulse train is transformed into a train having a desired pattern
- H03K5/1565—Arrangements in which a continuous pulse train is transformed into a train having a desired pattern the output pulses having a constant duty cycle
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- 외부 클럭신호를 입력받아 그 라이징 에지에 대응하는 제1 클럭신호와 그 폴링 에지에 대응하는 제2 클럭신호를 생성하기 위한 클럭 생성수단;상기 제2 클럭신호의 비활성화 구간으로 상기 제1 클럭신호의 활성화 구간을 제한한 제1 구동제어신호와, 상기 제1 클럭신호의 비활성화 구간으로 상기 제2 클럭신호의 활성화 구간을 제한한 제2 구동제어신호를 생성하기 위한 구동제어신호 생성수단; 및상기 제1 및 제2 구동제어신호에 응답하여 출력 데이터로 출력단을 구동하기 위한 출력 구동수단을 구비하는 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,활성화신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 구동제어신호 중 어느 하나를 예정된 시간만큼 지연시키는 신호 지연수단을 더 구비하는 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 구동제어신호 생성수단은,상기 제1 및 제2 클럭신호에 응답하여 제1 구동제어신호를 생성하는 제1 구동제어신호 생성부와,상기 제1 및 제2 클럭신호에 응답하여 제2 구동제어신호를 생성하는 제2 구동제어신호 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 구동제어신호와 상기 제2 구동제어신호는 서로 다른 활성화 구간을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제3항에 있어서,상기 제1 구동제어신호 생성부는,상기 제1 클럭신호를 반전하는 제1 신호 반전부와,상기 제2 클럭신호와 상기 제1 신호 반전부의 출력신호를 입력받아 상기 제1 구동제어신호로서 출력하는 제1 신호 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제5항에 있어서,상기 제1 구동제어신호는 상기 제2 클럭신호와 상기 제1 신호 반전부의 출력신호 중 위상이 뒤서는 신호에 응답하여 활성화되고, 상기 제2 클럭신호와 상기 제1 신호 반전부의 출력신호 중 위상이 앞서는 신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제3항에 있어서,상기 제2 구동제어신호 생성부는,상기 제2 클럭신호를 반전하는 제2 신호 반전부와,상기 제1 클럭신호와 상기 제2 신호 반전부의 출력신호를 입력받아 상기 제2 구동제어신호로서 출력하는 제2 신호 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제7항에 있어서,상기 제2구동제어신호는 상기 제1 클럭신호와 상기 제2 신호 반전부의 출력신호 중 위상이 뒤서는 신호에 응답하여 활성화되고, 상기 제1 클럭신호와 상기 제2 신호 반전부의 출력신호 중 위상이 앞서는 신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제2항에 있어서,상기 활성화신호는 상기 제1 구동제어신호를 상기 예정된 시간만큼 지연시키는 제1 활성화신호와 상기 제2 구동제어신호를 상기 예정된 시간만큼 지연시키는 제2 활성화신호를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제9항에 있어서,상기 신호 지연수단은,상기 제1 활성화신호에 응답하여 상기 제1 구동제어신호를 상기 예정된 시간만큼 지연시키는 제1 신호 지연부와,상기 제2 활성화신호에 응답하여 상기 제2 구동제어신호를 상기 예정된 시간만큼 지연시키는 제2 신호 지연부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제2항에 있어서,퓨즈 프로그래밍 상태 또는 테스트 모드에 대응하여 상기 활성화신호를 생성하는 활성화신호 생성수단을 더 구비하는 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 클럭 생성수단은,상기 외부 클럭신호에 동기되는 소오스 클럭신호를 생성하는 클럭 동기화부와,상기 소오스 클럭신호를 입력받아 펄스 신호로서 상기 제1 및 제2 클럭신호를 생성하는 펄스 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 출력 구동수단은,상기 제1 및 제2 구동제어신호에 응답하여 상기 출력 데이터를 래칭하고 출력하는 프리 드라이빙부와,상기 출력 데이터에 응답하여 상기 출력단을 구동하는 메인 드라이빙부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 외부 클럭신호를 입력받아 그 라이징 에지에 대응하는 제1 클럭신호와 그 폴링 에지에 대응하는 제2 클럭신호를 생성하는 단계;상기 제2 클럭신호의 비활성화 구간으로 상기 제1 클럭신호의 활성화 구간을 제한하여 제1 구동제어신호를 생성하는 단계;상기 제1 클럭신호의 비활성화 구간으로 상기 제2 클럭신호의 활성화 구간을 제한하여 제2 구동제어신호를 생성하는 단계; 및상기 제1 및 제2 구동제어신호에 응답하여 출력 데이터로 출력단을 구동하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제14항에 있어서,활성화신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 구동제어신호 중 어느 하나를 예정된 시간만큼 지연시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 제1 구동제어신호와 상기 제2 구동제어신호는 서로 다른 활성화 구간을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 제1 구동제어신호를 생성하는 단계는,상기 제1 클럭신호를 반전하는 단계와,상기 제2 클럭신호와 상기 반전된 제1 클럭신호를 입력받아 상기 제1 구동제어신호로서 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제17항에 있어서,상기 제1 구동제어신호는 상기 제2 클럭신호와 상기 반전된 제1 클럭신호 중 위상이 뒤서는 신호에 응답하여 활성화되고, 상기 제2 클럭신호와 상기 반전된 제1 클럭신호 중 위상이 앞서는 신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 제2 구동제어신호를 생성하는 단계는,상기 제2 클럭신호를 반전하는 단계와,상기 제1 클럭신호와 상기 반전된 제2 클럭신호를 입력받아 상기 제2 구동제어신호로서 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제19항에 있어서,상기 제2구동제어신호는 상기 제1 클럭신호와 상기 반전된 제2 클럭신호 중 위상이 뒤서는 신호에 응답하여 활성화되고, 상기 제1 클럭신호와 상기 반전된 제2 클럭신호 중 위상이 앞서는 신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제15항에 있어서,상기 활성화신호는 상기 제1 구동제어신호를 상기 예정된 시간만큼 지연시키는 제1 활성화신호와 상기 제2 구동제어신호를 상기 예정된 시간만큼 지연시키는 제2 활성화신호를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제21항에 있어서,상기 제1 및 제2 구동제어신호 중 어느 하나를 예정된 시간만큼 지연시키는 단계는,상기 제1 활성화신호에 응답하여 상기 제1 구동제어신호를 상기 예정된 시간만큼 지연시키는 단계와,상기 제2 활성화신호에 응답하여 상기 제2 구동제어신호를 상기 예정된 시간 만큼 지연시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제15항에 있어서,퓨즈 프로그래밍 상태 또는 테스트 모드에 대응하여 상기 활성화신호를 생성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 제1 및 제2 클럭신호를 생성하는 단계는,상기 외부 클럭신호에 동기되는 소오스 클럭신호를 생성하는 단계와,상기 소오스 클럭신호를 입력받아 펄스 신호로서 상기 제1 및 제2 클럭신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 출력 데이터로 출력단을 구동하는 단계는,상기 제1 및 제2 구동제어신호에 응답하여 상기 출력 데이터를 래칭하는 단계와,래칭된 상기 출력 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 구동 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070114253A KR100917619B1 (ko) | 2007-11-09 | 2007-11-09 | 반도체 소자와 그의 구동 방법 |
US12/157,240 US7616030B2 (en) | 2007-11-09 | 2008-06-09 | Semiconductor device and operation method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070114253A KR100917619B1 (ko) | 2007-11-09 | 2007-11-09 | 반도체 소자와 그의 구동 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090048053A KR20090048053A (ko) | 2009-05-13 |
KR100917619B1 true KR100917619B1 (ko) | 2009-09-17 |
Family
ID=40623129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070114253A KR100917619B1 (ko) | 2007-11-09 | 2007-11-09 | 반도체 소자와 그의 구동 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7616030B2 (ko) |
KR (1) | KR100917619B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100772716B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2007-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법 |
KR101046730B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2011-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
US8891681B2 (en) * | 2012-03-20 | 2014-11-18 | Intel Mobile Communications GmbH | Transmitters and methods |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100286099B1 (ko) | 1998-05-29 | 2001-04-16 | 윤종용 | 클럭모니터회로및이를이용한동기식반도체메모리장치 |
KR100668499B1 (ko) | 2006-02-09 | 2007-01-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로 및 방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4011465A (en) * | 1975-09-02 | 1977-03-08 | Teletype Corporation | MOSFET detecting and synchronizing circuit for asynchronous digital data |
JPH0198313A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Nec Corp | 同期化回路 |
-
2007
- 2007-11-09 KR KR1020070114253A patent/KR100917619B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-06-09 US US12/157,240 patent/US7616030B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100286099B1 (ko) | 1998-05-29 | 2001-04-16 | 윤종용 | 클럭모니터회로및이를이용한동기식반도체메모리장치 |
KR100668499B1 (ko) | 2006-02-09 | 2007-01-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로 및 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090048053A (ko) | 2009-05-13 |
US7616030B2 (en) | 2009-11-10 |
US20090121768A1 (en) | 2009-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7372311B2 (en) | Delay locked loop for controlling duty rate of clock | |
KR100837822B1 (ko) | Dll 회로 및 그 제어 방법 | |
US7737745B2 (en) | DLL clock signal generating circuit capable of correcting a distorted duty ratio | |
US6815985B2 (en) | Clock divider and method for dividing a clock signal in a DLL circuit | |
KR100295056B1 (ko) | 지연동기루프 및 방법 | |
JP2012060660A (ja) | Dramの動作周波数を高める遅延固定ループ | |
JP2007095265A (ja) | 遅延固定ループ回路 | |
US6242960B1 (en) | Internal clock signal generating circuit employing pulse generator | |
KR101123073B1 (ko) | 지연고정루프회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 | |
KR101848758B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법 | |
US20040212406A1 (en) | Clock divider and clock dividing method for a DLL circuit | |
KR100917619B1 (ko) | 반도체 소자와 그의 구동 방법 | |
KR100902047B1 (ko) | 클럭 조절 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 | |
KR100911190B1 (ko) | 내부 클럭 드라이버 회로 | |
KR100955675B1 (ko) | 클럭 펄스 발생 회로 | |
KR100929655B1 (ko) | 듀티 사이클 보정회로 및 이를 구비한 지연고정루프회로 | |
KR100550633B1 (ko) | 반도체 기억 소자의 지연 고정 루프 및 그의 제어 방법 | |
US7952405B2 (en) | Semiconductor device | |
KR100522428B1 (ko) | Dll 제어 장치 | |
TWI407437B (zh) | 半導體記憶體裝置與驅動半導體記憶體裝置之方法 | |
KR100933799B1 (ko) | 듀티 사이클 보정 회로와 그의 구동 방법 | |
KR100668516B1 (ko) | 지연고정루프를 구비하는 반도체메모리소자 | |
US7349290B2 (en) | Semiconductor memory device | |
KR20070115056A (ko) | 반도체 장치 | |
KR20090041006A (ko) | 지연고정루프 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120824 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130822 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140822 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150824 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160822 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170824 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180822 Year of fee payment: 10 |