KR100915911B1 - 증폭형 고체 촬상 장치 및 전자 정보 기기 - Google Patents
증폭형 고체 촬상 장치 및 전자 정보 기기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100915911B1 KR100915911B1 KR1020080005058A KR20080005058A KR100915911B1 KR 100915911 B1 KR100915911 B1 KR 100915911B1 KR 1020080005058 A KR1020080005058 A KR 1020080005058A KR 20080005058 A KR20080005058 A KR 20080005058A KR 100915911 B1 KR100915911 B1 KR 100915911B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel
- charge detection
- circuit
- pixel portions
- shutter
- Prior art date
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 330
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 121
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/533—Control of the integration time by using differing integration times for different sensor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/587—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired sequentially, e.g. using the combination of odd and even image fields
- H04N25/589—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired sequentially, e.g. using the combination of odd and even image fields with different integration times, e.g. short and long exposures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
Claims (18)
- 피사체의 광을 수광하여 상기 피사체의 광에 광전 변환을 행하고, 광전하 축적 기간에 걸쳐 상기 피사체의 광으로부터 변환된 광전하를 축적하는 광전 변환 소자; 및 상기 광전 변환 소자로부터의 신호 전하를 전하 검출부로 전송할 수 있는 전송부를 각각 포함하는 복수의 화소부를 가지며; 상기 복수의 화소부가 각 전하 검출부에 접속되고; 각 화소부의 신호 데이터로서 전하 검출부의 전위를 증폭하여 판독하는 증폭형 고체 촬상 장치에 있어서:상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 1개의 화소부가 상기 복수의 화소부 중 1개의 화소부로부터 상기 전하 검출부로의 상기 신호전하를 판독하기 위해 본래의 셔터 동작을 행할 때, 상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 본래의 셔터 동작을 아직 행하지 않은 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하는 셔터 제어부를 포함하고, 상기 추가의 셔터 동작은 상기 잔여의 화소부로부터 상기 전하 검출부로의 신호전하의 오버플로를 억제하기 위해 행해지는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 1개의 화소부가 판독 동작을 행할 때 상기 셔터 제어부는 상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 판독 동작을 미리 행한 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 피사체의 광을 수광하여 상기 피사체의 광에 광전 변환을 행하는 광전 변환 소자; 및 상기 광전 변환 소자로부터의 신호 전하를 전하 검출부로 전송할 수 있는 전송부를 각각 포함하는 복수의 화소부를 가지며; 상기 복수의 화소부가 각 전하 검출부에 접속되고; 각 화소부의 신호 데이터로서 전하 검출부의 전위를 증폭하여 판독하는 증폭형 고체 촬상 장치에 있어서:상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 1개의 화소부가 판독 동작을 행할 때 상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 판독 동작을 미리 행한 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하는 셔터 제어부를 포함하고;상기 추가의 셔터 동작은 광전 변환 소자의 광전하 축적 기간의 개시를 지시하는 본래의 셔터 동작과 다른 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,각 화소부의 광전하 축적 기간의 개시는 상기 본래의 셔터 동작에 의해 설정되고, 각 화소부의 광전하 축적 기간의 종료는 상기 판독 동작에 의해 설정되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부의 수는 N(N은 2이상의 정수)이고, 상기 광전하 축적 기간은 수평 주사 기간의 (N-1)배 이하인 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 신호 데이터가 판독될 때 상기 전하 검출부의 전위를 리셋하는 리셋부, 및 상기 전하 검출부의 전위를 증폭하는 증폭부는 각 전하 검출부에 제공되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 리셋부는 디프레션형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 전송부 및 상기 증폭부는 각 인핸스먼트형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 광전 변환 소자는 매립형 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 증폭부로부터의 출력을 상기 신호 데이터로서 판독 신호선에 대해 선택적으로 판독하는 선택부는 상기 증폭부와 판독 신호선 사이에 제공되거나 상기 증폭부와 전원 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 전하 검출부는 수직 방향으로 서로 인접하여 배열된 2 내지 4개의 화소부에 공통 접속되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부의 수는 M(M은 2이상의 정수)이고, 상기 셔터 제어부는,(M-1)개의 OR 회로[상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 2개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, 2개의 화소부 각각의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(A); 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 3개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, 3개의 화소부의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 2 OR 회로(A); … 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 (M-1)개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, (M-1)개의 화소부 각각의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 (M-2) OR 회로(A); 및 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되는 제 (M-1) OR 회로(A)임]를 포함하며,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 1개의 화소부가 본래의 셔터 동작을 행할 때,상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 본래의 셔터 동작을 아직 행하지 않은 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하기 위해서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 본래의 셔터 동작을 가장 빠른 시기에 행하는 화소부에는 상기 화소부의 셔터 기간을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 본래의 셔터 동작을 2번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 1 OR 회로(A)로부터의 출력 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 본래의 셔터 동작을 3번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 2 OR 회로(A)로부터의 출력 신호가 공급되며, … 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 본래의 셔터 동작을 (M-1)번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 (M-2) OR 회로(A)로부터의 출력 신호가 공급되고, 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 본래의 셔터 동작을 가장 늦은 시기에 행하는 화소부에는 제 (M-1) OR 회로(A)로부터의 출력 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부의 수는 M(M은 2이상의 정수)이고, 상기 셔터 제어부는,(M-1)개의 OR 회로(A)[상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 2개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, 2개의 화소부 각각의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(A); 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 3개의 화소부 각각의 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, 3개의 화소부 각각의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 2 OR 회로(A); … 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 (M-1) 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, (M-1) 화소부 각각의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 (M-2) OR 회로(A); 및 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되는 제 (M-1) OR 회로(A)임],(M-2)개의 OR 회로(B)[상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 (M-1)개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, (M-1)개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(B); 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 (M-2)개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, (M-2)개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 2 OR 회로(B); … 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 3개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 3개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 (M-3) OR 회로(A); 및 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 2개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 2개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 (M-2) OR 회로(B)임], 및(M-1)개의 OR 회로(C)[상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 1개의 화소부의 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호와 상기 제 1 OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 입력되고, 상기 화소부의 본래의 셔터 동작이 가장 빠른 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(C); 상기 제 1 OR 회로(A)로부터의 출력 신호와 상기 제 2 OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 입력되는 제 2 OR 회로(C); … 상기 제 (M-3) OR 회로(A)로부터의 출력 신호와 상기 제 (M-2) OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 입력되는 제 (M-2) OR 회로(C); 및 상기 제 (M-2) OR 회로(A)로부터의 출력 신호와 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 1개의 화소부의 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 상기 화소부의 판독 동작이 가장 늦은 시기에 행해지는 제 (M-1) OR 회로(C)임]를 포함하며,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 1개의 화소부가 본래의 셔터 동작을 행할 때,상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 본래의 셔터 동작을 아직 행하지 않은 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하기 위해서, 그리고상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 1개의 화소부가 판독 동작을 행할 때,상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 판독 동작을 미리 행한 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하기 위해서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 가장 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 1 OR 회로(C)로부터의 출력 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 2번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 2 OR 회로(C)로부터의 출력 신호가 공급되며, … 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 (M-2)번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 (M-2) OR 회로(C)로부터의 출력 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 (M-1)번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 (M-1) OR 회로(C)로부터의 출력 신호가 공급되고, 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 가장 늦은 시기에 행하는 화소부에는 제 (M-1) OR 회로(A)로부터의 출력 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부의 수는 M(M은 2이상의 정수)이고, 상기 셔터 제어부는,(M-2)개의 OR 회로(B)[상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 (M-1)개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, (M-1)개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(B); 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 (M-2)개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, (M-2)개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 2 OR 회로(B); … 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 3개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 3개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 (M-3) OR 회로(B); 및 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중에서 2개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 2개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 (M-2) OR 회로(B)임]를 포함하며,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 1개의 화소부가 판독 동작을 행할 때,상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 판독 동작을 미리 행한 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하기 위해서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 가장 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 1 OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 2번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 2 OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 공급되며, … 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 (M-3)번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 (M-3) OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 (M-2)번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 (M-2) OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 공급되고, 상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부 중 판독 동작을 (M-1)번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 판독 동작을 가장 늦은 시기에 행하는 화소부를 제어하는 각 판독 제어 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부의 수는 4이고, 상기 셔터 제어부는,3개의 OR 회로(A)[상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중에서 2개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, 2개의 화소부 각각의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(A); 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중에서 3개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, 3개의 화소부 각각의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 2 OR 회로(A); 및 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되는 제 3 OR 회로(A)임]를 포함하며,상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 1개의 화소부가 본래의 셔터 동작을 행할 때,상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 본래의 셔터 동작을 아직 행하지 않은 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하기 위해서,상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 본래의 셔터 동작을 가장 빠른 시기에 행하는 화소부에는 상기 화소부의 셔터 기간을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 본래의 셔터 동작을 2번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 상기 제 1 OR 회로(A)로부터의 출력 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 본래의 셔터 동작을 3번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 상기 제 2 OR 회로(A)로부터의 출력 신호가 공급되고, 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 본래의 셔터 동작을 가장 늦은 시기에 행하는 화소부에는 상기 제 3 OR 회로(A)로부터의 출력 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부의 수는 4이고, 상기 셔터 제어부는,3개의 OR 회로(A)[상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중에서 2개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, 2개의 화소부 각각의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(A); 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중에서 3개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되고, 3개의 화소부 각각의 본래의 셔터 동작이 빠른 시기에 행해지는 제 2 OR 회로(A); 및 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 하나에 대응하는 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호가 입력되는 제 3 OR 회로(A)임],2개의 OR 회로(B)[상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중에서 3개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 3개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(B); 및 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중에서 2개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 2개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 2 OR 회로(B)임], 및3개의 OR 회로(C)[상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 1개의 화소부의 본래의 셔터 동작을 제어하는 각 셔터 제어 신호와 상기 제 1 OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 입력되고, 상기 화소부의 본래의 셔터 동작이 가장 빠른 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(C); 상기 제 1 OR 회로(A)로부터의 출력 신호와 상기 제 2 OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 입력되는 제 2 OR 회로(C); 및 상기 제 2 OR 회로(A)로부터의 출력 신호와 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 1개의 화소부의 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 상기 화소부의 판독 동작이 가장 늦은 시기에 행해지는 제 3 OR 회로(C)임]를 포함하며,상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 1개의 화소부가 본래의 셔터 동작을 행할 때,상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 본래의 셔터 동작을 아직 행하지 않은 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하기 위해서, 그리고상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 1개의 화소부가 판독 동작을 행할 때,상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 판독 동작을 미리 행한 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하기 위해서,상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 판독 동작을 가장 빠른 시기에 행하는 화소부에는 상기 제 1 OR 회로(C)로부터의 출력 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 판독 동작을 2번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 상기 제 2 OR 회로(C)로부터의 출력 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 판독 동작을 3번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 상기 제 3 OR 회로(C)로부터의 출력 신호가 공급되고, 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 판독 동작을 가장 늦은 시기에 행하는 화소부에는 상기 제 3 OR 회로(A)로부터의 출력 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 전하 검출부를 공유하는 복수의 화소부의 수는 4이고, 상기 셔터 제어부는,2개의 OR 회로(B)[상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중에서 3개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 3개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 1 OR 회로(B); 및 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중에서 2개의 화소부 중 하나에 대응하는 판독 동작을 제어하는 각 판독 제어 신호가 입력되고, 2개의 화소부 각각의 판독 동작이 늦은 시기에 행해지는 제 2 OR 회로(B)임]를 포함하고,상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 1개의 화소부가 판독 동작을 행할 때,상기 1개의 화소부와 상기 전하 검출부를 공유하고 판독 동작을 미리 행한 잔여의 화소부에 대하여 추가의 셔터 동작을 행하기 위해서,상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 판독 동작을 가장 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 1 OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 공급되며, 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 판독 동작을 2번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 제 2 OR 회로(B)로부터의 출력 신호가 공급되고, 상기 전하 검출부를 공유하는 4개의 화소부 중 판독 동작을 3번째로 빠른 시기에 행하는 화소부에는 판독 동작을 가장 늦은 시기에 행하는 화소부를 제어하는 각 판독 제어 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 증폭형 고체 촬상 장치를 촬상부에 사용한 것을 특징으로 하는 전자 정보 기기.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2007-00007489 | 2007-01-16 | ||
JP2007007489A JP4215167B2 (ja) | 2007-01-16 | 2007-01-16 | 増幅型固体撮像装置および電子情報機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080067593A KR20080067593A (ko) | 2008-07-21 |
KR100915911B1 true KR100915911B1 (ko) | 2009-09-07 |
Family
ID=39667497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080005058A KR100915911B1 (ko) | 2007-01-16 | 2008-01-16 | 증폭형 고체 촬상 장치 및 전자 정보 기기 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8199232B2 (ko) |
JP (1) | JP4215167B2 (ko) |
KR (1) | KR100915911B1 (ko) |
CN (1) | CN101247467B (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5306906B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2013-10-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
TWI433307B (zh) * | 2008-10-22 | 2014-04-01 | Sony Corp | 固態影像感測器、其驅動方法、成像裝置及電子器件 |
JP5369779B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2013-12-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
JP5537172B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2014-07-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP5763474B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光センサ |
US8742309B2 (en) | 2011-01-28 | 2014-06-03 | Aptina Imaging Corporation | Imagers with depth sensing capabilities |
JP5402993B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2014-01-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
US10015471B2 (en) | 2011-08-12 | 2018-07-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Asymmetric angular response pixels for single sensor stereo |
US9554115B2 (en) * | 2012-02-27 | 2017-01-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging pixels with depth sensing capabilities |
US9019415B2 (en) * | 2012-07-26 | 2015-04-28 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for dual camera shutter |
KR101536323B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2015-07-14 | 클레어픽셀 주식회사 | 플리커 노이즈 방지를 위한 씨모스 이미지 센서 |
KR102356706B1 (ko) | 2015-07-07 | 2022-01-27 | 삼성전자주식회사 | 넓은 다이나믹 레인지를 갖는 이미지 센서, 이미지 센서의 픽셀 회로 및 이미지 센서의 동작방법 |
KR102407036B1 (ko) | 2015-11-03 | 2022-06-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 동작 방법 |
KR20220160543A (ko) * | 2020-03-31 | 2022-12-06 | 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 | 광학 필터 및 그 제조 방법 |
US20230239595A1 (en) * | 2022-01-21 | 2023-07-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and electronic device comprising the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11122540A (ja) | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Hamamatsu Photonics Kk | Ccdカメラ及びccdカメラ制御装置並びにccdカメラの感度調整方法 |
JPH11261902A (ja) | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Samsung Japan Corp | Ccdのシャッタ制御方式 |
JP2003143485A (ja) | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2006050024A (ja) | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sharp Corp | 固体撮像装置および電子情報機器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6084229A (en) * | 1998-03-16 | 2000-07-04 | Photon Vision Systems, Llc | Complimentary metal oxide semiconductor imaging device |
US6888571B1 (en) * | 1999-09-27 | 2005-05-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Photosensor system and drive control method thereof |
US7092021B2 (en) * | 2000-02-22 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Frame shuttering scheme for increased frame rate |
JP3658278B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システム |
EP1293090A1 (en) * | 2000-06-01 | 2003-03-19 | Atmel Corporation | Dual-mode cmos integrated imager |
JP4120453B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2008-07-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその駆動制御方法 |
US7443437B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with a gated storage node linked to transfer gate |
JP2006073885A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Canon Inc | 固体撮像装置、その製造方法、およびデジタルカメラ |
KR100598015B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2006-07-06 | 삼성전자주식회사 | 공유 구조 상보성 금속 산화막 반도체 액티브 픽셀 센서어레이의 레이 아웃 |
-
2007
- 2007-01-16 JP JP2007007489A patent/JP4215167B2/ja active Active
-
2008
- 2008-01-16 KR KR1020080005058A patent/KR100915911B1/ko active IP Right Grant
- 2008-01-16 CN CN2008100040179A patent/CN101247467B/zh active Active
- 2008-01-16 US US12/009,094 patent/US8199232B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11122540A (ja) | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Hamamatsu Photonics Kk | Ccdカメラ及びccdカメラ制御装置並びにccdカメラの感度調整方法 |
JPH11261902A (ja) | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Samsung Japan Corp | Ccdのシャッタ制御方式 |
JP2003143485A (ja) | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2006050024A (ja) | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sharp Corp | 固体撮像装置および電子情報機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4215167B2 (ja) | 2009-01-28 |
JP2008177706A (ja) | 2008-07-31 |
US20080180558A1 (en) | 2008-07-31 |
US8199232B2 (en) | 2012-06-12 |
CN101247467B (zh) | 2010-09-01 |
CN101247467A (zh) | 2008-08-20 |
KR20080067593A (ko) | 2008-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100915911B1 (ko) | 증폭형 고체 촬상 장치 및 전자 정보 기기 | |
US10171760B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus using an amplifier and signal lines for low and high gain | |
US8218042B2 (en) | Solid-state image-sensing device and camera provided therewith | |
US10368019B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
US8222709B2 (en) | Solid-state imaging device, method of driving solid-state imaging device and imaging apparatus | |
CN101164334B (zh) | 光传感器、固体摄像装置和固体摄像装置的动作方法 | |
JP6126666B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
KR102015900B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
US20060208161A1 (en) | Solid state image pickup device and camera | |
US9794497B2 (en) | Solid-state imaging device controlling read-out of signals from pixels in first and second areas | |
US11070761B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus having an amplifier with an inverting input terminal having at least a first inverting input channel and a second inverting input channel | |
KR20120140608A (ko) | 전자 기기 및 전자 기기의 구동 방법 | |
KR20120140609A (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 | |
KR20160127730A (ko) | 촬상 장치 및 전자 기기 | |
JP2007150008A (ja) | 固体撮像装置 | |
US20090237538A1 (en) | Solid-state image pickup device | |
US11849235B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
KR101465667B1 (ko) | Cmos 영상 센서 및 그 동작 방법 | |
JP4263005B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US11671730B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
Takayanagi | CMOS image sensors | |
JP6863355B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP3728113B2 (ja) | 光電変換装置及びそれを用いたオートフォーカスカメラ | |
CN117378213A (zh) | 摄像元件及摄像装置 | |
JP2008228021A (ja) | 固体撮像装置及び撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120821 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130822 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140822 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150821 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160819 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170818 Year of fee payment: 9 |