KR100915064B1 - 오버레이 버니어 및 그 형성 방법 - Google Patents

오버레이 버니어 및 그 형성 방법

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Abstract

본 발명은 오버레이 버니어 및 그 형성 방법에 관한 것으로, SPT(Spacer Patterning Technology) 방법을 이용한 패턴 형성 시 각 마스크 간의 정렬을 위한 오버레이 버니어를 SPT 공정을 적용하여 형성함으로써, 패턴의 정밀도를 향상시키고 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키며, 소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술을 개시한다.

Description

오버레이 버니어 및 그 형성 방법{OVERLAY VERNIER AND METHOD FOR FORMING THE SAME}
본 발명은 오버레이 버니어 및 그 형성 방법에 관한 것으로, SPT(Spacer Patterning Technology) 방법을 이용한 패턴 형성 시 각 마스크 간의 정렬을 위한 오버레이 버니어를 SPT 공정을 적용하여 형성함으로써, 패턴의 정밀도를 향상시키고 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키며, 소자의 고집적화를 가게 하는 기술을 개시한다.
반도체 소자의 고집적화에 따라 마스크에서 패턴 간의 피치가 감소하게 된다.
그러나, 해상력의 한계로 인해 최소한으로 구현할 수 있는 피치의 한계가 있으며, 이와 같은 해상력의 한계를 극복하기 위해 DEET(Double Exposure Etch Technology) 또는 SPT(Spacer Patterning Technology)등의 다중 노광 방식이 연구되고 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 오버레이 버니어용 노광 마스크를 도시한 평면도로서, 박스 인 박스(Box In Box) 형태의 오버레이 버니어 형성을 위한 노광 마스크를 도시한 것이다.
도 1a을 참조하면, 모 버니어용 노광 마스크(100)를 도시한 평면도로서, 모 버니어용 노광 마스크(100)는 일정 두께의 선폭을 가지는 사각 형태의 제 1 차광 패턴(110)을 포함하도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 1b를 참조하면, 자 버니어용 노광 마스크(150)를 도시한 평면도로서, 자 버니어용 노광 마스크(150)는 모 버니어용 노광 마스크(100)에 구비된 제 1 차광 패턴(110) 내측에 박스 형태의 제 2 차광 패턴(160)을 포함하도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 노광 마스크를 이용한 반도체 소자의 오버레이 버니어 형성 방법을 도시한 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 반도체 기판(200) 상부에 피식각층(210) 및 제 1 마스크층(미도시)을 형성하고, 상기 '도 1a'에 도시된 모 버니어용 노광 마스크(도 1a의 100)를 사용한 사진 식각 공정으로 상기 제 1 마스크층(미도시)을 패터닝하여 제 1 마스크층 패턴(미도시)을 형성한다.
다음에, 상기 제 1 마스크층 패턴(미도시)을 마스크로 피식각층(210)을 식각하여 모 버니어를 정의하는 트렌치(215)를 형성한다.
그 다음, 트렌치(215)를 포함하는 반도체 기판(200) 전체 상부에 중간층(220)을 형성한다.
도 2b를 참조하면, 중간층(220) 상부에 감광막(미도시)을 형성하고, 상기 '도 1b'에 도시된 자 버니어용 노광 마스크(도 1b의 150)를 이용한 노광 및 현상 공정을 수행하여 자 버니어를 정의하는 제 2 마스크층 패턴(230)을 형성한다.
여기서, 제 2 마스크층 패턴(230)은 감광막으로 형성한다.
상술한 종래 기술에 따른 오버레이 버니어 및 그 형성 방법에서, SPT(Spacer Patterning Technology) 방법을 이용한 패턴 형성 시 상기한 박스 인 박스(Box In Box) 형태의 오버레이 버니어를 사용하는 경우, 각 노광 마스크 공정 간의 정밀한 정렬이 어려워 소자의 특성 및 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, SPT(Spacer Patterning Technology) 방법을 이용한 패턴 형성 시 각 마스크 간의 정렬을 위한 오버레이 버니어를 SPT 공정을 적용하여 형성함으로써, 패턴의 정밀도를 향상시키고 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키며, 소자의 고집적화를 가능하게 하는 오버레이 버니어 및 그 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 오버레이 버니어는
SPT 공정으로 형성된 복수 개의 바 형 모 버니어와,
박스형 자 버니어를 포함하는 것과,
상기 자 버니어는 최외곽에 형성된 상기 모 버니어 내측에 형성되는 것을 특징으로 하고,
상기 모 버니어와 상기 자 버니어 사이에 중간층이 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 오버레이 버니어 형성 방법은
반도체 기판 상부에 피식각층 및 제 1 마스크층을 형성하는 단계와,
상기 제 1 마스크층을 식각하여 제 1 마스크층 패턴을 형성하는 단계와,
상기 제 1 마스크층 패턴 측벽에 매립형 스페이서를 형성하는 단계와,
상기 제 1 마스크층 패턴을 제거한 후 상기 매립형 스페이서를 마스크로 상기 피식각층을 식각하여 모 버니어 패턴을 형성하는 단계와,
상기 모 버니어 패턴 상부에 중간층을 형성하는 단계와,
상기 중간층 상부에 제 2 마스크층을 형성하는 단계와,
상기 제 2 마스크층을 패터닝하여 자 버니어를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,
상기 모 버니어 패턴은 SPT 공정이 적용되는 소자 형성 공정에서 형성되는 것과,
상기 피식각층은 비정질 탄소층, 실리콘 산화질화막 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나인 것과,
상기 제 1 마스크층 하드마스크인 것과,
상기 제 2 마스크층은 감광막인 것과,
상기 매립형 스페이서는 SPT(Spacer Patterning Technology) 방법으로 형성하는 것과,
상기 제 1 마스크층 패턴 사이의 거리는 상기 매립형 스페이서 CD의 두배인 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 오버레이 버니어용 노광 마스크를 도시한 평면도이다.
도 3a를 참조하면, 섬형 차광 패턴(310)이 복수개 구비된 모 버니어용 노광 마스크(300)이다.
여기서, 차광 패턴(310)은 인접한 차광 패턴(310)과 이격되어 구비되며, 후속 모 버니어 형성 시 상기 이격된 부분에 매립형 스페이서를 형성하여 이를 바 형 모 버니어로 사용하는 것이 바람직하다.
도 3b를 참조하면, 모 버니어 예정 영역 내측에 박스 형태의 차광 패턴(360)이 구비된 자 버니어용 노광 마스크(350)를 도시한 것이다.
여기서, 모 버니어 노광 마스크(300) 및 자 버니어 노광 마스크(350)는 BIM(Binary Intensity Mask), Attenuated PSM(Phase Shift Mask) 또는 Alternating PSM에 적용할 수 있다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 오버레이 버니어 및 그 형성 방법을 도시한 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 반도체 기판(400) 상부에 피식각층(410), 제 1 마스크층 (420)및 제 1 감광막(미도시)을 형성한다.
다음에, 상기 '도 3a'에 도시된 모 버니어용 노광 마스크(도3a의 300)를 사용한 노광 및 현상 공정을 수행하여 제 1 감광막 패턴(미도시)을 형성한다.
이때, 상기 노광 공정 시 노광 광원은 I-Line, KrF, ArF, ArFi 또는 EUV 중 선택된 어느 하나를 사용하여 수행하는 것이 바람직하다.
또한, 노광 조명계는 컨벤셔널(Conventional), 애뉼러(Annular), 쿼드로폴(Quadrupole), 다이폴(Dipole) 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나를 사용하여 진행할 수 도 있다.
그 다음, 상기 제 1 감광막 패턴(미도시)을 마스크로 제 1 마스크층(420)을 식각하여 제 1 마스크층(420) 패턴을 형성한다.
그 다음, 상기 제 1 감광막 패턴(미도시)을 제거한다.
이때, 제 1 마스크층(420) 패턴은 상기 '도 3a'에 도시된 노광 마스크와 동일한 형태로 형성되며, 제 1 마스크층(420) 패턴과 인접한 제 1 마스크층(420) 패턴 사이의 거리(D)는 후속 공정으로 형성되는 매립형 스페이서 CD의 2배가 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 4b를 참조하면, 제 1 마스크층(420) 패턴 측벽에 매립형 스페이서(430)를 형성한다.
이때, 매립형 스페이서(430)는 제 1 마스크층(420) 패턴과 인접한 제 1 마스크층(420) 패턴 사이의 하부는 매립되고 상부는 스페이서 형성으로 분리된 형태로 형성되는 것이 바람직하다.
따라서, 제 1 마스크층(420) 패턴 형성 공정 시 제 1 마스크층(420) 패턴과 인접한 제 1 마스크층(420) 패턴 간의 간격이 매립형 스페이서(430) CD(Critical Dimension)의 2배가 되도록 하는 것이 바람직하다.
도 4c를 참조하면, 상기 도 4c (ⅰ)은 상기 도 4c (ⅱ)의 X - X'에 따른 단면도를 도시한 것으로, 제 1 마스크층(420) 패턴을 제거하여 매립형 스페이서(430)만 남겨지도록 한다.
도 4d를 참조하면, 매립형 스페이서(430)를 마스크로 피식각층(410)을 식각하여 모 버니어를 정의하는 피식각층 패턴(410a)을 형성한다.
도 4e를 참조하면, 상기 도 4e (ⅰ)은 상기 도 4e (ⅱ)의 X - X'에 따른 단면도를 도시한 것으로, 피식각층 패턴(410a)을 포함하는 전체 상부에 평탄화된 중간층(440)을 형성하고, 중간층(440) 상부에 제 2 마스크층(미도시)을 형성한다.
다음에, 상기 '도 3b'에 도시된 자 버니어용 노광 마스크(도 3b의 350)를 사용하여 제 2 마스크층 패턴(450)을 형성한다.
이때, 제 2 마스크층 패턴(450)은 감광막으로 형성한다.
또한, 제 2 마스크층 패턴(450)은 박스 형태로 형성되며, 모 버니어를 정의하는 바형 피식각층 패턴(410a) 내측에 형성되도록 하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 '도 4e (ⅰ) 및 (ⅱ)'를 참조하여 본 발명에 따른 오버레이 버니어를 설명하면, SPT 공정으로 형성되며, 모 버니어를 정의하는 피식각층 패턴(410a)이 구비된다.
그리고, 피식각층 패턴(410a) 상부에 중간층(440)이 구비되고, 중간층(440) 상부에 박스 형태의 자 버니어를 정의하는 제 2 감광막 패턴(450)이 구비된다.
여기서, 상기 자 버니어를 정의하는 제 2 감광막 패턴(450)은 모 버니어를 정의하는 피식각층 패턴(410a) 최외곽에 있는 패턴 내측에 구비되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 설명한 SPT(Spacer Patterning Technology) 방법을 이용하여 오버레이 버니어 이외에도 DFT(Die Fit Target) 및 정렬 마크(Alignment Mark) 등을 형성할 수도 있다.
본 발명에 따른 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법은 SPT(Spacer Patterning Technology) 방법을 이용하여 오버레이 버니어를 형성함으로써, 해상력 이하의 패턴을 구현하는 과정에서의 패턴의 정밀도를 향상시키고 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키며, 소자의 고집적화를 가능하게 하는 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 오버레이 버니어용 노광 마스크를 도시한 평면도.
도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 노광 마스크를 도시한 오버레이 버니어 형성 방법을 도시한 단면도.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 오버레이 버니어용 노광 마스크를 도시한 평면도.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 노광 마스크를 사용한 오버레이 버니어 형성 방법을 도시한 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 >
100, 300 : 모 버니어용 노광 마스크 110 : 제 1 차광 패턴
150, 350 : 자 버니어용 노광 마스크 160 : 제 2 차광 패턴
200, 400 : 반도체 기판 210, 410 : 피식각층
215 : 트렌치 220 : 중간층
230 : 감광막 패턴 310, 360 : 차광 패턴
420 : 제 1 마스크층 430 : 매립형 스페이서
440 : 중간층 450 : 제 2 감광막 패턴

Claims (10)

  1. SPT 공정으로 형성된 복수 개의 바 형 모(母) 버니어; 및
    박스형 자(子) 버니어를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 자(子) 버니어는 최외곽에 형성된 상기 모(母) 버니어 내측에 형성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 모(母) 버니어와 상기 자(子) 버니어 사이에 중간층이 형성된 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어.
  4. 반도체 기판 상부에 피식각층 및 제 1 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 마스크층을 식각하여 제 1 마스크층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제 1 마스크층 패턴 측벽에 매립형 스페이서를 형성하는 단계;
    상기 제 1 마스크층 패턴을 제거한 후 상기 매립형 스페이서를 마스크로 상기 피식각층을 식각하여 모(母) 버니어 패턴을 형성하는 단계;
    상기 모(母) 버니어 패턴 상부에 중간층을 형성하는 단계;
    상기 중간층 상부에 제 2 마스크층을 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 마스크층을 패터닝하여 자(子) 버니어를 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 모(母) 버니어 패턴은 SPT 공정이 적용되는 소자 형성 공정에서 형성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 피식각층은 비정질 탄소층, 실리콘 산화질화막 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 마스크층은 하드마스크인 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 마스크층은 감광막인 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 매립형 스페이서는 SPT(Spacer Patterning Technology) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 마스크층 패턴 사이의 거리는 상기 매립형 스페이서 CD의 두배인 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
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