KR100896432B1 - 에스오아이 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
에스오아이 이미지 센서 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100896432B1 KR100896432B1 KR1020050129813A KR20050129813A KR100896432B1 KR 100896432 B1 KR100896432 B1 KR 100896432B1 KR 1020050129813 A KR1020050129813 A KR 1020050129813A KR 20050129813 A KR20050129813 A KR 20050129813A KR 100896432 B1 KR100896432 B1 KR 100896432B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- image sensor
- silicon
- light receiving
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 37
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 에스오아이 기판을 이용한 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에스오아이 이미지 센서는 에스오아이 기판상에 형성되어 빛을 전기신호로 변환하기 위한 게이트 바디 연결형 MOSFET 구조의 수광소자로 이루어진 수광 픽셀부 및 상기 수광 픽셀부와 인접하고, 상기 에스오아이 기판의 매몰 산화층을 제거한 영역에 형성되어 상기 수광 픽셀부로부터 받은 전기신호를 디지털 신호로 변화하여 처리하는 신호처리부; 및 상기 수광 픽셀부와 상기 신호처리부에 형성된 소자분리막을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 에스오아이 이미지 센서의 제조 방법은 신호처리부가 형성될 영역에 에스오아이 기판의 실리콘 기판 및 매몰 산화층을 선택적으로 식각하여 하부 실리콘을 노출하는 단계; 상부 실리콘 및 하부 실리콘에 소자분리막을 형성하는 단계; 상기 상부 실리콘 및 하부 실리콘 상에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 증착하는 단계; 상기 증착된 게이트 산화막 및 게이트 전극을 패턴닝 하는 단계; 및 소스/드레인 영역을 형성하는 단계 를 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따라 제조된 이미지 센서는 에스오아이 수광소자의 고반응성, 고속, 저전력 특성을 살려 빛을 전기적 신호로 바꿀수 있고 나머지 부분은 실리콘 소자의 우수한 신뢰성을 바탕으로 동작특성 및 신뢰성이 우수한 이미지 센서를 제조할 수 있다는 효과가 있다.
에스오아이, 이미지 센서
Description
도 1은 종래의 에스오아이 이미지 센서의 단면도,
도 2는 본 발명의 따른 에스오아이 이미지 센서의 단면도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이차원 에스오아이 이미지 센서의 회로도,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이차원 에스오아이 이미지 센서의 회로도,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이차원 에스오아이 이미지 센서의 회로도.
*도면의 주요 부분에 대한 설명*
200: 신호처리부 210: 수광 픽셀부
220: 하부 실리콘 230: 매몰 산화층
240: 상부 실리콘 250: 소자 분리막
260: 게이트 산화막 270: 폴리 실리콘
280: 소스/드레인
본 발명은 에스오아이(Silicon On Insulator) 기판을 사용한 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 에스오아이 기판상에 최소 단위의 수광 픽셀부와 기적 신호를 처리하는 신호처리부를 동시에 구현할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 광 검출기(Photo detector)의 개략적인 단면도로서, 하부 실리콘층(10), 매몰 산화막(Buried oxide)(20)과 상부 실리콘층(30)으로 이루어진 에스오아이(실리콘licon-On-Insulator) 기판을 이용하여 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tran실리콘stor)구조의 광검출기를 형성하였다.
상부 실리콘층(30)에 형성된 N+형 소스(31), P형 바디(Body)(32)와 N+형 드레인(33)은 매몰 산화막(20) 상부에 일렬로 접합되어 있고, P형 바디(32) 상부에 게이트 산화막(40)이 형성되어 있고, 게이트 산화막(40) 상부에 게이트(50)가 형성되어 있다. 그리고, 게이트(50)와 바디(32)는 도전성 라인에 의해 전기적으로 연결되어 있다.
이렇게 구성된 종래의 광검출기는 N+형 소스(31) 및 N+형 드레인(33)과 접하고 있는 바디에는 홀(Hole)이 배열된 공핍영역(Depletion Region)이 형성된다. 그리고, 소스(31)에 그라운드를 연결하고, 드레인(33)에 + 전압을 인가하는데, 이 때 , 소스(31)와 드레인(33)간 전류가 흐르지 않을 정도(즉, 바디(32)에 채널이 형성되지 않을 정도)로 문턱전압(VT) 미만의 전압을 걸어준다. 그런 후, 광이 바디(32)에 조사되면, 광에 의해 바디(32)에는 전자-정공 쌍(Electron-hole pairs, EHP)이 생성되고, 전자는 바디(32)에 채널 형성을 촉진시켜, 소스(31)와 드레인(33)간에 전류가 흐르게 되고, 이 때, 드레인(33) 전류를 측정하면, 광이 조사된 것을 감지할 수 있게 된다.
이 때, 이동도(Mobility)가 전자에 비해 느린 홀들이 바디에 축적되고, 이 바디에 축적된 홀들로, 마치 게이트에 +전압을 인가한 것과 같은 작용을 하여, 바디에 N채널의 폭을 크게 하여, 소스와 드레인 사이에 전류가 흐르게 된다. 그러므로, 종래 기술의 광검출기는 작은 광량을 갖는 광의 조사에도 증폭 효과에 의해 광검출기를 구동시켜, 전류로 변환시킬 수 있게 된다.
그런데, 위와 같은 고감도 에스오아이 수광소자로 영상을 구현하기 위해서는 주변 신호처리를 위한 전기적 소자들이 반드시 동반되어야 한다. 여기서, 기존 회로의 실리콘 소자들은 P형 기판이 하부에 연결되어 있으므로 쉽게 접지를 형성할 수 있으나, 현재까지 개발된 에스오아이 전자소자들은 에스오아이의 특성상 바디의 접지가 어려워 들뜬 전자들의 발생을 제어하기 어렵고, 이런 들뜬 전자들에 의해 이상 신호들이 발생하여 동작특성이 저하된다는 단점을 해결하지 못하고 있다. 강제적인 바디접지는 기존 전자소자에서 불필요한 접지면적의 증가가 수반되어 전체적인 칩사이즈의 증가를 가져오는 약점을 지니며 소형화로 인한 좁은 접지면적은 제품의 신뢰성을 떨어뜨리는 약점을 지니고 있다.
따라서, 에스오아이 수광소자가 우수함에도 불구하고 수광소자를 포함한 전자소자 모두를 에스오아이 기판 위에서만 구현한다는 것은 동작의 신뢰성을 떨어뜨리고 이미지센서 칩 사이즈의 대형화를 가져오는 약점을 지니고 있어 고감도, 소형화된 이미지 센서로서의 장점을 살리지 못하는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 서로 다른 실리콘 층에 각각 수광 픽셀부 및 신호처리부를 형성함으로써, 고감도 및 고속으로 신호처리를 할 수 있는 소형의 이미지 센서를 제공함을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에스오아이 이미지 센서는 에스오아이 기판의 상부 실리콘 상에 형성되어 빛을 전기신호로 변환하기 위한 게이트 바디 연결형 MOSFET 구조의 수광소자를 포함하는 수광 픽셀부, 상기 수광 픽셀부로부터 이격된 영역에 상기 에스오아이 기판의 상부 실리콘과 매몰 산화층을 제거하여 노출된 하부 실리콘 상에 영역에 형성되어 상기 수광 픽셀부로부터 받은 전기신호를 디지털 신호로 변화하여 처리하기 위한 트랜지스터를 포함하는 신호처리부; 및 상기 수광 픽셀부와 상기 신호처리부에 형성된 소자분리막을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 에스오아이 이미지 센서 제조방법은 신호처리부가 형성될 영역에 에스오아이 기판의 실리콘 기판 및 매몰 산화층을 선택적으로 식각하여 하부 실리콘을 노출하는 단계; 상부 실리콘 및 하부 실리콘에 소자분리막을 형성하는 단계; 상기 상부 실리콘 및 하부 실리콘 상에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 증 착하는 단계; 상기 증착된 게이트 산화막 및 게이트 전극을 패턴닝 하는 단계; 및 소스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2는 본 발명에 따른 에스오아이 이미지 센서의 구조의 단면을 도시한 것으로, 1개의 수광소자로 이루어진 수동형 픽셀을 보여주고 있다.
수광 픽셀부(210)는 에스오아이 기판의 상부 실리콘(240)에 형성되어 있으며, 1개의 트랜지스터로 구성된 신호처리부(200)는 에스오아이 기판의 하부 실리콘(220) 위에 형성되어 있다.
1개의 수광소자로 센서를 제작할 경우 가장 작은 면적을 갖는 소자를 제작할 수 있다는 장점이 있다.
에스오아이 기판은 하부 실리콘(220), 매몰 산화막(230) 및 상부 실리콘 (240)으로 구성되어 있으며, 상부/하부 실리콘(220,240)은 선택에 따라 p형 또는 n형을 사용할 수 있다. 준비된 에스오아이 기판에 수광 픽셀부(210) 및 신호처리부(200)가 형성될 영역을 설정하고 사진식각 공정을 통하여 신호처리부(200)가 형성될 영역에 매몰 산화막(230)을 제거한다. 매몰 산화막(230)을 제거함에 있어 그 상부에 있는 상부 실리콘(240)도 함께 제거됨은 자명하다.
신호처리부(200) 및 수광 픽셀부(210)의 영역이 정의되면 소자 분리막(250)을 형성한다. 소자 분리막(250)은 하부 실리콘(220) 및 상부 실리콘(240)에 트렌치를 동시에 형성하고 절연물질을 매립시켜 형성한다. 절연물질은 산화막 또는 질화막일 수 있다. 이어서, 게이트 산화막(260) 및 게이트 전극으로 폴리 실리콘(270)을 증착하고 패터닝을 한다. 다음으로 소스/드레인을 형성하여 센서를 완성한다. 여기에 LDD 영역을 형성하거나, 소스/드레인 및 게이트 전극 상부에 실리사이드를 형성하여 제조된 트랜지스터의 구동을 향상시킬 수 있다.
실시예1
도 3은 본 발명에 따른 4개의 트랜지스터를 사용한 에스오아이 이차원 이미지 센서의 회로도이다.
점선부(310-1,310-2,310-3,310-4)가 하나의 빛을 전기로 바꾸는 역할을 하며 반복적인 최소 단위인 픽셀을 나타내며 에스오아이 기판의 2번째 실리콘위에 형성되는 부분들로서 i×j개의 어레이 형태로 능동형 수광 픽셀부를 형성한다. 1개의 게이트-바디 연결형 MOSFET 수광소자와 3개의 트랜지스터로 이루어져 수광 픽셀부의 x,y 위치인식이 가능한 정보를 신호처리부에 전달한다. Mph(Photodetective MOSFET:311)은 빛을 받아 전기신호로 바꾸는 역할을 하는 수광소자이며, Mrst(Reset MOSFET:313)은 노이즈를 줄이기 위하여 초기화하는 역할을 한다. 이 외에 신호증폭역할을 하는 Moa(Output Amplifier MOSFET:312) 및 행을 선택하여 스위칭 역할을 하는 Mrow(Row address select MOSFET:314)이 회로를 구성하고 있다. 동작과정을 보면 빛이 게이트-바디 연결형 에스오아이 MOSFET형태의 수광소자에 입사될 경우 전류로 변환된다. 이 전류는 Mrst(313)에 의해 빛이 들어오지 않았을 때의 초기값과 비교되어 그 변화량을 Moa(312)에 전달하면 Moa(312)가 신호를 증폭해 주고, 최종적으로 Mrow(314)에 의해 필요한 행에 위치정보를 가진 픽셀들의 광신호들이 열 위치정보별로 다음단계의 신호처리부로 흘러들어가 행-열별로 이미지화되는 과정을 거친다. 수광 픽셀부의 신호는 에스오아이기판의 첫 번째 실리콘위에 형성된 커런트 미러(current mirror)등을 포함하는 다양한 주변부의 신호처리부(320,321,322)에 의해 이미지로 구현된다.
실시예2
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 5개의 트랜지스터를 사용한 이차원 에스오아이 이미지 센서(410-1)의 회로도이다. 수광소자와 트랜지터로 구성된 능동형 픽셀이다.
T1(415)은 Mrst(413)와 함께 누설전류를 줄이는 역할을 한다. 1개의 게이트-바디 연결형 에스오아이 MOSFET 수광소자와 4개의 트랜지스터로 구성되며 에스오아이 기판의 두 번째 실리콘위에 형성된다. 수광 픽셀부의 신호는 에스오아이기판의 첫 번째 실리콘위에 형성된 주변부의 1개 또는 다수개의 트랜지스터로 구성된 신호처리부에 의해 이미지로 구현된다.
실시예3
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 4개의 트랜지스터를 사용한 에스오아이 이미지 센서의 회로도이다.
실시예2와 동일하게 능동형 픽셀을 보여주고 있으며, 전체적인 회로의 구조는 실시예1과 동일하지만, RGB를 각각 감지할 수 있도록 게이트의 두께를 변화시킨 수광소자(511-1,511-2,511-3,511-4,511-5)를 포함한 수광 픽셀부가 반복적으로 배열되어 있다. RGB 감지는 게이트의 두께를 달리함으로써, 원하는 파장대의 빛을 흡수할 수 있으며, 칼라필터(도시안됨)를 사용할 수도 있다. 이 경우, RGB를 감지하는 3개의 수광소자와 트랜지스터들이 수광 픽셀부로 정의될 수 있다.
또한 누설전류를 막기 위하여 실시예2와 같이 T1을 더 포함할 수도 있다.
본 발명은 에스오아이 이미지 센서의 제조방법은 고속, 고감도의 게이트-바디 에스오아이 MOSFET수광소자를 사용하여 이차원 이미지로 형상화함에 있어, 최소 수광단위인 에스오아이 수광 픽셀부를 사용하여 고속, 고감도 신호처리를 하면서도 소형, 신뢰성 높은 실리콘 소자를 주변부에 사용함으로써 기존 이미지센서의 신호처리기술들(노이즈 저감기술인 CDS(Correlated Data Sampling)기술, 디지털 신호처리 기술 등등)을 에스오아이 기판 위에 그대로 적용할 수 있다는 장점이 있다.
Claims (10)
- 에스오아이 기판의 상부 실리콘 상에 형성되어 빛을 전기신호로 변환하기 위한 게이트 바디 연결형 MOSFET 구조의 수광소자를 포함하는 수광 픽셀부 및상기 수광 픽셀부로부터 이격된 영역에 상기 에스오아이 기판의 상부 실리콘과 매몰 산화층을 제거하여 노출된 하부 실리콘 상에 영역에 형성되어 상기 수광 픽셀부로부터 받은 전기신호를 디지털 신호로 변화하여 처리하기 위한 트랜지스터를 포함하는 신호처리부; 및상기 수광 픽셀부와 상기 신호처리부에 형성된 소자분리막을 포함하는 에스오아이 이미지 센서.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 수광 픽셀부는,외부로부터 인가되는 리셋신호에 의해 제어되는 상기 이미지 센서를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터;상기 수광 픽셀부로부터 출력된 광전 변환신호를 증폭시키기 위한 증폭 트랜지스터; 및상기 증폭트랜지스터로부터 출력된 증폭신호를 스위칭하는 어드레스 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 에스오아이 이미지 센서.
- 삭제
- 삭제
- 에스오아이 기판상에 수광 픽셀부와 신호처리부를 형성하는데 있어서,신호처리부가 형성될 영역에 에스오아이 기판의 상부 실리콘 및 매몰 산화층을 선택적으로 식각하여 하부 실리콘을 노출하는 단계;상기 상부 실리콘 및 하부 실리콘에 소자분리막을 형성하는 단계; 및상기 소자분리막이 형성된 상기 상부 실리콘 및 하부 실리콘 상에 각각 게이트 바디 연결형 MOSFET 트랜지스터 형태의 수광소자를 포함하는 수광 픽셀부와 트랜지스터를 포함하는 신호처리부를 형성하는 단계를 포함하는 에스오아이 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050129813A KR100896432B1 (ko) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | 에스오아이 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050129813A KR100896432B1 (ko) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | 에스오아이 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070068080A KR20070068080A (ko) | 2007-06-29 |
| KR100896432B1 true KR100896432B1 (ko) | 2009-05-12 |
Family
ID=38366575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050129813A KR100896432B1 (ko) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | 에스오아이 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100896432B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100935764B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2010-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6838301B2 (en) * | 1998-10-07 | 2005-01-04 | California Institute Of Technology | Silicon-on-insulator (SOI) active pixel sensors with the photosite implemented in the substrate |
-
2005
- 2005-12-26 KR KR1020050129813A patent/KR100896432B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6838301B2 (en) * | 1998-10-07 | 2005-01-04 | California Institute Of Technology | Silicon-on-insulator (SOI) active pixel sensors with the photosite implemented in the substrate |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| IEEE Electron Device Letters, V.22, No.5, pp248-250.* |
| IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.47, No.7, pp.1375-1384* |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070068080A (ko) | 2007-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4715203B2 (ja) | 光検出器回路 | |
| US6512547B1 (en) | Solid-state imaging device and method of detecting optical signals using the same | |
| JP4384416B2 (ja) | 性能強化構造を備えるイメージセンサ | |
| US6229165B1 (en) | Semiconductor device | |
| EP1850387B1 (en) | Solid-state image pickup device | |
| EP1973160A2 (en) | Image sensor, single-plate color image sensor, and electronic device | |
| KR101478248B1 (ko) | 두 개의 게이트로 이루어진 센싱 트랜지스터를 구비한 이미지 센서의 구동방법 | |
| KR100778854B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| TWI539615B (zh) | 光感測器及其製造方法 | |
| US6781169B2 (en) | Photodetector with three transistors | |
| JP3512937B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100896432B1 (ko) | 에스오아이 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JP6913840B1 (ja) | 測距イメージセンサ及びその製造方法 | |
| JPH01502634A (ja) | イメージセンサ用出力回路 | |
| KR100790587B1 (ko) | 커플링 캐패시터를 사용하는 핀드 포토다이오드를 포함하는이미지 센서 픽셀 및 그의 신호 감지 방법 | |
| KR100792334B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| KR100738516B1 (ko) | 커플링 캐패시터를 사용하는 핀드 포토다이오드를 포함하는액티브 픽셀 및 그의 신호 감지 방법 | |
| US10063800B2 (en) | Image sensor using nanowire and method of manufacturing the same | |
| US11723223B2 (en) | Low-noise integrated post-processed photodiode | |
| US20020166951A1 (en) | CMOS-type photodetector | |
| WO2001048826A1 (fr) | Capteur d'energie de semiconducteur | |
| CN117203774A (zh) | Soi-jfet像素及其制造方法 | |
| CN115332388A (zh) | 光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法 | |
| KR20020014537A (ko) | 스페이서와 필드산화막의 손상 방지와 플로팅 확산영역의면적을 감소시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법 | |
| KR20060020365A (ko) | 캐패시턴스 측정이 가능한 이미지센서 및 그의 캐패시턴스측정 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
| E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20071122 Effective date: 20080620 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131231 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150109 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170417 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180406 Year of fee payment: 10 |