KR100888754B1 - 중결정(重結晶)을 제조하기 위한결정인상장치(結晶引上裝置) 및 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 쵸크랄스키-방식에 따라 결정(結晶)이 그의 경부(頸部/neck)에 매달려 용탕으로부터 당겨 올려져 인상되는 결정인상 및 결정회전 장치를 가지고 있으며, 이때 경부(네크) 부분은 위쪽 부위(部位) 및 아래쪽 부위와, 이들 사이에 형성된 융기부(隆起部)로 이루어져 있고, 결정인상 및 결정회전 장치와는 독립적으로 하강이 가능하며, 결정인상 및 결정회전 장치와 협동하여 상승시킬 수 있는 기초부를 가지고 있는 결정인상 및 결정회전 장치를 보완하여주는 결정지지장치를 가지고 있으며, 이때 기초부에는 2개의 걸쇠(잠금쇠)를 가지고 있고, 이 걸쇠들은 융기부를 방해하지 않고 통과시킬 수 있는 정지위치로부터, 이 걸쇠들이 융기부를 밑에서 받쳐 지지하는 작업위치로 전환할 수 있도록 장치되는 결정인상장치에 있어서,각 걸쇠(7)들은 기초부(1)에 장착되어 선회축(8)을 중심으로 선회할 수 있도록 되어있으며, 기초부(1)에는 각 걸쇠(7)들을 위한 정지위치와 작업위치를 결정할 스토퍼(stopper)들을 형성하고 있고, 이때 이 스토퍼들은 정지위치에서는 걸쇠(7)의 중심(重心)이 경부(4)에서 보아 선회축(8)의 반대편에 놓이고, 작업위치에서는 선회축(8) 쪽으로 놓이도록 장치되는 것을 특징으로 하는 결정인상장치.
- 제1항에 있어서,기초부(1)는 결정의 경부(4)를 둘러싸는 환상체 모양으로 형성되어 있으며, 그 환상체 주위에 걸쇠(7)들이 동일한 간격을 두고 배치되는 것을 특징으로 하는 결정인상장치.
- 제1항에 있어서,걸쇠(7)들은 장치 케이스에 착설된 조작 멤버를 이용하여 정지위치로부터 작업위치로 기계적으로 전환시키는 것을 특징으로 하는 결정인상장치.
- 제3항에 있어서,걸쇠(7)의 일부분은 막대(9)로서 형성되어, 정지위치에서는 결정(5)의 가장자리를 넘어 반경방향 바깥쪽으로 돌출하고, 이때 막대(9)는 조작멤버들 중 하나와 협동작용을 하며, 조작멤버들은 결정(5)의 기계획(旣計劃)된 직경 바깥쪽에 위치하는 장치부위에 장치되어 있는 것을 특징으로 하는 결정인상장치.
- 제3 또는 4항에 있어서,조작멤버는 장대(11)로서 형성되어, 결정(5) 쪽으로 접선방향으로 뻗어있고, 대응(對應)하는 켤레 막대(9)의 운동진로(運動進路) 안에 위치하는 것을 특징으로 하는 결정인상장치.
- 제5항에 있어서,장대(11)는 결정인상장치 케이스에 고정되어 접절(摺折)할 수 있도록 되어있고, 걸쇠(7)를 조작하기 위하여 수평위치로 놓을 수 있게 되어있는 것을 특징으로 하는 결정인상장치.
- 제1항에 있어서,지지장치는 적어도 1개 이상의 또 다른 상승 및 회전 장치와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 결정인상장치.
- 제7항에 있어서,결정인상장치는 양쪽의 상승 및 회전장치의 상승 및 회전 운동을 조절 또는 동기화할 수 있는 수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 결정인상장치.
- 제8항에 있어서,또 하나의 상승 및 회전 장치는 부하 감지기 또는 회전모멘트 감지기를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 결정인상장치.
- 결정인상장치에 사용하기 위한 지지장치에 있어서,지지장치는 하나의 환상체 모양으로 형성된 기초부(1)로 이루어져 있으며, 그 기초부(1)의 윗면에는 2개의 걸쇠(7)들이 장치되어 있으며, 이때 기초부(1)는 각 걸쇠(7)를 위하여 하나의 정지위치와 하나의 작업위치를 결정하는 스토퍼를 가지고 있으며, 이 스토퍼들은 정지위치에서 중심이 환상체의 축으로부터 보아 선회축(8) 반대쪽에 놓이고, 작업위치에서는 선회축(8) 쪽에 놓이도록 장치되어 있고, 걸쇠(7)의 일부분이 막대(9)로서 형성되어 정지위치에서 반경방향으로 바깥쪽으로 뻗어있는 것을 특징으로 하는 지지장치.
- 쵸크랄스키 방식에 따라, 경부(4) 부위의 부하를 경감시키기 위하여 결정인상장치 내에서 결정의 경부부위의 융기부가 지지장치의 걸쇠들에 의하여 밑에서 지지하여 파지되며, 이때 걸쇠들의 파지동작은 기계적으로 촉발하도록 되어있는 결정 제조방법에 있어서,걸쇠들이 융기부를 파지하는 동작은 결정인상장치 케이스에 장착된 조작멤버들과 걸쇠들 사이에 기계적으로 접촉함으로써 촉발되는 것을 특징으로 하는 결정 제조방법.
- 제11항에 있어서,지지장치는 나중에 촉발동작을 일으킬 수 있는 회전위치로 놓인 다음, 걸쇠들이 조작멤버들에 의하여 작업위치로 전환되어 결정 융기부를 파지할 때까지 회전하지 않고 하강하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제11 또는 12항에 있어서,지지장치는 상승 및 회전 장치를 이용하여 지지장치의 회전속도가 결정의 회전속도와 일치하도록 회전되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제11항에 있어서,결정의 경부부위의 부하경감 단계는 부하 감지기 또는 회전모멘트 감지기로부터의 출력치와, 미리 주어진 설정치를 기초로하여 조절되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서,결정의 인상 및 회전 속도는 결정의 인상 및 회전 장치의 조절에 의하여 주어지며, 지지장치의 상승 및 회전장치는 감지기에 의하여 결정되는 상승 및 회전속도의 실제치(實際値)를 따르는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제11항에 있어서,걸쇠들은 정지위치로부터 작업위치로 전환되며, 이때 걸쇠들의 운동을 촉발시키기 위하여 결정이 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서,결정이 완성된 다음에는 경부 부위의 융기부 아래쪽과 지지장치의 아래쪽을 절단하여 떼어내며, 이때 걸쇠들은 여전히 작업위치에 계속 놓여있도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006034433.2A DE102006034433B4 (de) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | Kristallziehanlage, Unterstützungsvorrichtung und Verfahren zur Her-stellung von schweren Kristallen |
DE102006034433.2 | 2006-07-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080010291A KR20080010291A (ko) | 2008-01-30 |
KR100888754B1 true KR100888754B1 (ko) | 2009-03-17 |
Family
ID=38859264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070073305A KR100888754B1 (ko) | 2006-07-26 | 2007-07-23 | 중결정(重結晶)을 제조하기 위한결정인상장치(結晶引上裝置) 및 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7828897B2 (ko) |
JP (1) | JP4944698B2 (ko) |
KR (1) | KR100888754B1 (ko) |
CN (1) | CN101144178B (ko) |
DE (1) | DE102006034433B4 (ko) |
SG (1) | SG139687A1 (ko) |
TW (1) | TWI362435B (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008047599B4 (de) * | 2008-09-17 | 2012-12-20 | Siltronic Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls |
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DE102020100331A1 (de) | 2020-01-09 | 2021-07-15 | Pva Tepla Ag | Kristallunterstützung und Kristallziehanlage mit einer solchen Kristallunterstützung |
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Family Cites Families (8)
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TW541365B (en) * | 1996-08-30 | 2003-07-11 | Sumitomo Sitix Corp | Single crystal pulling method and single crystal pulling device |
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JPH11199373A (ja) | 1998-01-05 | 1999-07-27 | Komatsu Ltd | 単結晶の引き上げ装置および落下防止装置 |
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JP4689027B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2011-05-25 | 株式会社Sumco | 半導体単結晶引上装置 |
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-
2006
- 2006-07-26 DE DE102006034433.2A patent/DE102006034433B4/de active Active
-
2007
- 2007-07-23 SG SG200705412-5A patent/SG139687A1/en unknown
- 2007-07-23 KR KR1020070073305A patent/KR100888754B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-23 TW TW096126733A patent/TWI362435B/zh active
- 2007-07-23 JP JP2007190824A patent/JP4944698B2/ja active Active
- 2007-07-25 US US11/881,023 patent/US7828897B2/en active Active
- 2007-07-26 CN CN2007101369992A patent/CN101144178B/zh active Active
-
2009
- 2009-04-09 US US12/420,857 patent/US8691009B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20000068395A (ko) * | 1996-09-03 | 2000-11-25 | 고지마 마타오 | 단결정 인상장치 |
JPH10273381A (ja) | 1997-03-27 | 1998-10-13 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 結晶体の引上げ装置 |
JP2000007489A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-11 | Komatsu Ltd | 単結晶引き上げ装置の保持装置 |
JP2001097798A (ja) | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 結晶保持装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4944698B2 (ja) | 2012-06-06 |
DE102006034433B4 (de) | 2018-03-22 |
CN101144178B (zh) | 2011-10-05 |
TWI362435B (en) | 2012-04-21 |
US20080022922A1 (en) | 2008-01-31 |
TW200806825A (en) | 2008-02-01 |
US20090188425A1 (en) | 2009-07-30 |
CN101144178A (zh) | 2008-03-19 |
JP2008031036A (ja) | 2008-02-14 |
SG139687A1 (en) | 2008-02-29 |
US7828897B2 (en) | 2010-11-09 |
DE102006034433A1 (de) | 2008-01-31 |
US8691009B2 (en) | 2014-04-08 |
KR20080010291A (ko) | 2008-01-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 5 |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160225 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170224 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200227 Year of fee payment: 12 |