KR100885375B1 - 정전기 방지 회로를 포함하는 반도체 소자 - Google Patents
정전기 방지 회로를 포함하는 반도체 소자 Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
Claims (8)
- 외부에서 신호를 인가받는 입출력 패드;전원패드를 통해 인가된 전원전압을 전달하기 위한 제1 파워라인;접지패드를 통해 인가된 접지전압을 전달하기 위한 제2 파워라인;상기 입출력 패드와 상기 제1 파워라인 사이에 접속된 복수의 다이오드를 포함하여 정전기를 방전하기 위한 제1 로컬 클램핑수단;상기 입출력 패드와 상기 제2 파워라인 사이에 접속된 복수의 다이오드를 포함하여 정전기를 방전하기 위한 제2 로컬 클램핑수단;상기 제1 로컬 클램핑수단의 복수의 다이오드 사이의 연결 노드 중 어느 하나와 상기 제2 파워라인 사이에 접속되어 정전기를 방전하기 위한 제1 보조 로컬 클램핑수단;상기 제2 로컬 클램핑수단의 복수의 다이오드 사이의 연결 노드 하나와 상기 제1 파워라인 사이에 접속되어 정전기를 방전하기 위한 제2 보조 로컬 클램핑수단;상기 제1 및 제2 파워라인 사이에 위치하여 정전기를 방전시키기 위한 파워 클램핑수단; 및상기 제1 및 제2 파워라인을 통해 구동전원을 인가받아, 상기 입출력 패드를 통해 인가되는 신호를 처리하기 위한 코어블럭을 구비하는 반도체소자.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 보조 로컬 클램핑 수단은,직렬 연결된 하나 이상의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제2항에 있어서,상기 제1 로컬 클램핑 수단 내 복수의 다이오드는,상기 입출력 패드와 상기 전원패드 사이의 허용 전압보다 작은 턴온 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제3항에 있어서,상기 제2 로컬 클램핑 수단 내 복수의 다이오드는,상기 입출력 패드와 상기 접지패드 사이의 허용 전압보다 작은 턴온 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제4항에 있어서,상기 제1 로컬 클램핑 수단은,상기 입출력 패드에 애노드 단자가 접속되고 제1 노드에 캐소드단자가 접속된 제1 다이오드와,상기 제1 노드에 애노드단자가 접속되고, 캐소드 단자가 상기 제1 파워라인에 접속된 제2 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제5항에 있어서,상기 제1 보조 로컬 클램핑수단은,상기 제1 노드에 자신의 애노드 단자가 접속되고 상기 제2 파워라인에 자신의 캐소드 단자가 접속된 제3 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제6항에 있어서,상기 제2 로컬 클램핑 수단은,상기 입출력 패드에 애노드 단자가 접속되고 제2 노드에 캐소드 단자가 접속된 제4 다이오드와,상기 제2 노드에 애노드 단자가 접속되고, 캐소드 단자가 상기 제2 파워라인에 접속된 제5 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제7항에 있어서,상기 제2 보조 로컬 클램핑수단은,상기 제2 노드에 자신의 애노드 단자가 접속되고 상기 제1 파워라인에 자신의 캐소드 단자가 접속된 제6 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070016542A KR100885375B1 (ko) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 정전기 방지 회로를 포함하는 반도체 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070016542A KR100885375B1 (ko) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 정전기 방지 회로를 포함하는 반도체 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080076517A KR20080076517A (ko) | 2008-08-20 |
KR100885375B1 true KR100885375B1 (ko) | 2009-02-25 |
Family
ID=39879755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070016542A KR100885375B1 (ko) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 정전기 방지 회로를 포함하는 반도체 소자 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100885375B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101204924B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2012-11-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 내부 전압 생성 회로 |
KR20160110821A (ko) | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 레벨 쉬프트 회로 보호용 정전기 방전 보호 회로 및 소자 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101031878B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2011-05-02 | 박영진 | 정전기 방전 보호 소자 |
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US6385116B2 (en) | 2000-03-01 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Semiconductor integrated device |
JP2003023084A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Esd保護回路 |
JP2004022950A (ja) | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の静電気破壊防止回路 |
KR20040079823A (ko) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 정전기로부터 내부 회로를 보호하는 보호 회로를 갖는반도체 장치 |
KR20060099464A (ko) * | 2005-03-11 | 2006-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치용 정전기 보호장치 |
-
2007
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20160110821A (ko) | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 레벨 쉬프트 회로 보호용 정전기 방전 보호 회로 및 소자 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080076517A (ko) | 2008-08-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
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|
S901 | Examination by remand of revocation | ||
GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130122 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140116 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170117 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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