KR100877110B1 - 웨이퍼 건조장비 - Google Patents

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KR100877110B1
KR100877110B1 KR1020070080818A KR20070080818A KR100877110B1 KR 100877110 B1 KR100877110 B1 KR 100877110B1 KR 1020070080818 A KR1020070080818 A KR 1020070080818A KR 20070080818 A KR20070080818 A KR 20070080818A KR 100877110 B1 KR100877110 B1 KR 100877110B1
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박지용
윤효근
조한우
김동주
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

웨이퍼가 린스(rinse)되는 린스 액조(bath), 린스 액조로부터 웨이퍼가 이송되는 건조 챔버(dry chamber), 건조 챔버에 공급될 이소프로필알콜(IPA)을 저장하는 저장부, 저장부로부터 이소프로필알콜(IPA)이 이송되는 제1공급라인(supplying line), 제1공급라인으로부터 다수 개로 나뉘어져 건조 챔버에 각각 연결되는 제2공급라인들, 및 제2공급라인들 각각에 설치되어 이송되는 이소프로필알콜(IPA)을 증기 상태로 기화시키는 가열부들을 포함하는 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
Figure R1020070080818
IPA, 실린더, 건조, 스토리지 노드, 사이클론

Description

웨이퍼 건조장비{Apparatus for drying wafers}
본 발명은 반도체 장비에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼(wafer) 건조장비에 관한 것이다.
반도체 소자의 회로를 웨이퍼 상에 구현하는 제조 과정에 습식 식각(wet etch) 과정이 수행되고 있다. 이러한 습식 식각 후 웨이퍼의 표면을 세정 및 린스(rinse)하고 건조하는 과정이 수반되고 있다. 예컨대, 디램(DRAM) 반도체 소자의 커패시터(capacitor)를 형성하는 과정에서, 실린더(cylinder) 형상의 스토리지 노드(storage node)를 제조할 때, 몰드(mold)로 사용된 희생 절연층을 제거하는 과정에 습식 식각이 도입되고 있다. 이러한 습식 식각은 습식 화학액에 웨이퍼를 담그는 방식(dipping)으로 수행되고 있다. 습식 식각 후 화학액의 제거를 위한 탈이온수(DI water)를 포함하는 린스액으로 웨이퍼 표면을 린스하고, 이소프로필알콜(IPA: IsoPropyl Alcohol)을 이용한 건조 과정이 수행되고 있다.
이소프로필알콜(IPA)을 이용한 건조 과정은 웨이퍼 상에 잔존하는 탈이온수의 수분을 IPA 증기(vapor)와 치환시켜 웨이퍼 표면으로부터 수분을 제거하는 과정이다. 이러한 IPA 증기를 이용한 건조 과정은 웨이퍼 표면의 복잡한 3차원 구조로 부터 수분을 제거하는 데 상당히 유리한 것으로 평가되고 있다. 이에 따라, 습식 식각 후 웨이퍼 건조 과정뿐만 아니라 다른 화학액을 이용한 세정 이후의 웨이퍼 건조 과정에서도 이러한 IPA 건조 과정은 적용될 수 있다.
이소프로필알콜을 이용한 건조 과정을 실린더 형태의 스토리지 노드를 형성하는 과정에 적용할 때, 스토리지 노드들이 기울어져 이웃하는 두 실린더형 노드들끼리 붙어 브리지(bridge)되는 현상, 예컨대, 실린더형 스토리지 노드 기울어짐(storage node leaning)이 유발될 수 있다. 이러한 스토리지 노드 기울어짐 현상은 스토리지 노드와 노드 사이에 유발되는 모세관 현상에 의한 기인될 수 있다.
이러한 스토리지 노드 기울어짐 현상에 영향을 주는 공정 요소로 스토리지 노드의 종횡비(aspect raio)나 노드 지지체의 두께 및 물리적 강도들을 고려할 수 있지만, 건조 과정만을 고려할 경우 이소프로필알콜(IPA) 증기의 양이 건조 과정 초기에 충분히 공급되지 못할 경우, 이러한 노드 기울어짐 현상이 심화되는 것으로 관측되고 있다. 예컨대, 마란고니 효과(Marangoni effect)를 이용한 건조 장비의 경우, 웨이퍼가 수면상으로 올라올 때의 마란고니 힘(force)과 상대적으로 떨어지는 IPA 증기 형성 능력에 의해, 스토리지 노드 기울어짐 현상이 심화되는 것으로 관측되고 있다.
따라서, 커패시터의 실린더형 스토리지 노드를 제조하는 과정에서 노드 기울어짐을 억제하기 위해서, 우선적으로 이소프로필알콜(IPA) 증기를 보다 효과적으로 발생시켜, 웨이퍼 상에 보다 많은 양의 이소프로필알콜(IPA) 증기를 건조 과정 초기에부터 제공할 수 있는 웨이퍼 건조장비가 요구되고 있다.
본 발명의 일 관점은, 웨이퍼가 린스(rinse)되는 린스 액조(bath), 상기 린스 액조로부터 상기 웨이퍼가 이송되는 건조 챔버(dry chamber), 상기 건조 챔버에 공급될 이소프로필알콜(IPA)을 저장하는 저장부, 상기 저장부로부터 상기 이소프로필알콜(IPA)이 이송되는 제1공급라인(supplying line), 상기 제1공급라인으로부터 다수 개로 나뉘어져 상기 건조 챔버에 각각 연결되는 제2공급라인들, 및 상기 제2공급라인들 각각에 설치되어 상기 이송되는 이소프로필알콜(IPA)을 증기 상태로 기화시키는 가열부들을 포함하는 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
상기 가열부와 상기 건조 챔버 사이의 상기 제2공급라인들 각각에 설치되어 상기 이소프로필알콜(IPA) 증기에 함유된 미스트(mist)를 분리하는 사이클론(cyclone)부들, 및 상기 사이클론부에서 분리된 상기 이소프로필알콜 미스트를 회수하게 상기 사이클론부로부터 상기 저장부에 연결된 회수라인(recycle line)을 더 포함하는 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
상기 회수라인으로 회수되는 상기 이소프로필알콜(IPA) 미스트로부터 회수된 폐열을 이용하여 상기 제1공급라인으로 공급되는 상기 이소프로필알콜(IPA)을 예열하는 열교환부를 더 포함하는 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
상기 열교환부는 상기 예열이 유도되게 상기 회수라인이 상기 제1공급라인을 다수 번 감게 연장된 부분을 포함하는 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
상기 사이클론부에 설치되어 상기 사이클론부를 가열하는 보조 가열부를 더 포함하는 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
상기 회수라인의 상기 저장부 앞단 부분에 설치되어 상기 회수라인을 지나는 상기 이소프로필알콜(IPA) 미스트를 냉각시키는 냉각부, 및 상기 린스 액조에 연결된 배출라인(drain line)을 더 포함하는 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
상기 냉각부는 상기 회수라인으로부터 상기 배출라인으로의 열 전달이 유도되게 상기 배출라인이 상기 회수라인의 상기 저장부 앞단 부분을 감게 연장된 부분을 포함하는 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
본 발명의 다른 일 관점은, 웨이퍼가 린스(rinse)되는 린스 액조(bath), 상기 린스 액조로부터 상기 웨이퍼가 이송되는 건조 챔버(dry chamber), 상기 건조 챔버에 공급될 이소프로필알콜(IPA)을 저장하는 저장부, 상기 공급부로부터 상기 이소프로필알콜(IPA)이 이송되는 공급라인(supplying line), 상기 공급라인에 설치되어 상기 이송되는 이소프로필알콜(IPA)을 증기 상태로 기화시키는 가열부, 및 상기 가열부와 상기 건조 챔버 사이의 상기 공급라인에 설치되어 상기 이소프로필알콜(IPA) 증기에 함유된 미스트(mist)를 분리하는 사이클론(cyclone)부를 포함하는 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
상기 공급라인은 상기 건조 챔버 앞단에서 다수의 라인들로 나뉘어져 상기 건조 챔버에 상기 다수 라인이 연결되게 도입되고, 상기 가열부 및 상기 사이클론부는 각각 상기 분리된 공급라인들 각각에 설치된 웨이퍼 건조장비를 제시한다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 표면 상에 보다 많은 양의 이소프로필알콜(IPA) 증기를 건조 과정 초기에 실질적으로 제공할 수 있는 웨이퍼 건조장비를 제시할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 세정 린스된 웨이퍼의 건조가 이루어지는 공정 챔버(process chamber)에 이소프로필알콜(IPA)을 공급하는 다수의 공급라인(line)을 연결하고, 각각의 공급 라인에 IPA 증기 발생을 위한 주된 가열부(main heater)를 설치한 웨이퍼 건조장비를 제시한다. 또한, 발생된 IPA 증기 내에 존재할 수 있는 미스트(mist)를 제거하기 위해, IPA 증기를 공정 챔버 내에 분사하는 공급단, 예컨대, 스프레이(spray)부의 앞단에 사이클론(cyclone)부를 장착한다.
사이클론에 포집된 IPA 미스트는 다시 IPA 저장부로 되돌려지게 회수라인(recycle line)을 설치하고, 회수라인을 통해 회수되는 IPA 미스트의 폐열을 이용하여 공정 챔버로 공급되는 IPA를 예열(preheating)하도록 열교환부를 구성한다. 또한, 공정 챔버 하단에 구성된 린스 액조(rinse bath)로부터 배출(drain)되는 린스액, 예컨대, 탈이온수(DI water)의 배출라인을 이용하여, 오버플로(overflow)되는 탈이온수의 배출에 의해 IPA 회수라인을 냉각시키는 냉각부를 구성한다. 이에 따라, 고온의 IPA 미스트가 직접적으로 IPA 저장부로 유입되는 것을 억제하여, IPA 저장부 및 전체 건조장비의 시스템 안정성을 확보할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 건조장비는, 건조 과정 초기에 보다 많은 양의 IPA 증기를 웨이퍼가 대기 중인 공정 챔버에 제공할 수 있다. 각각의 IPA 공급라인에 IPA 증기 발생을 위한 주된 가열부들이 설치되고 있어, 보다 많은 양의 IPA를 동시에 기화시켜 공정 챔버에 제공할 수 있다. 단일 가열부에 의해 기화된 IPA 증기가 공정 챔버 좌우 양쪽에 연결되게 나뉘어진 공급 라인들을 따라 분산되어 공정 챔버 에 제공되는 경우에 비해, 보다 많은 양의 IPA를 기화시키는 것이 가능하고 이에 따라 보다 많은 양의 IPA 증기를 공정 챔버에 제공한다. 가열부가 개개의 공급 라인에 각각 도입되므로, 단일 가열부를 도입한 경우에 비해 IPA 증기 생산 정도가 적어도 2배 정도 증가하게 된다. 더욱이, 사이클론을 도입하여 IPA 증기 내에 포함된 IPA 미스트를 제거한 후, IPA 증기를 공정 챔버로 제공함으로써, 공정 챔버 내에 실질적으로 공급되는 유효 IPA 증기의 양은 보다 증가하게 된다.
이와 같이 보다 짧은 시간에 보다 많은 양의 IPA 증기를 웨이퍼 상에 제공할 수 있어, 웨이퍼 표면에 형성된 실린더형 스토리지 노드들 사이에 잔류하는 수분을 보다 효과적으로 치환하여 제거할 수 있다. 이에 따라, 잔류 수분이 IPA 증기와 보다 빠른 시간에 효과적으로 치환되므로, 수분 제거에 따른 모세관 효과에 의해 스토리지 노드가 기울어지거나 쓰러지는 현상이 억제될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 건조장비를 설명하기 위해 제시한 도면이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 실린더(cylinder)형 스토리지 노드(storage node)들이 형성된 웨이퍼(wafer)를 건조하는 과정을 설명하기 위해 제시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 건조장비는 웨이퍼(100) 표면의 세정 및 린스 후 웨이퍼(100)의 표면의 수분을 이소프로필알콜(IPA) 증기를 이용하여 제거하는 건조 과정을 수행하게 구성된다. 예컨대, 웨이퍼(100)의 표면에는, 도 2에 제시된 바와 같이, 트랜지스터(transistor)와 같은 하부 구조가 형성된 웨이퍼(101) 상에 절연층(110)을 형성하고, 절연층(110)을 관통하여 연결콘 택(contact: 120)을 형성한 후, 연결콘택(120)에 전기적으로 연결되는 스토리지 노드(140)들을 실린더 형태를 가지게 형성한다.
이때, 스토리지 노드(140)를 지지하는 지지층(130)이 도입될 수 있다. 이러한 스토리지 노드(140)는 지지층(130)을 형성한 후, 지지층(130) 상에 희생층으로 몰드(mold)를 형성하고, 몰드의 형상을 따르는 도전층을 형성한 후, 노드 분리함으로써 형성될 수 있다. 이와 같이 스토리지 노드(140)를 형성한 후, 몰드로 형성된 희생층을 습식 식각액을 이용하여 습식 스테이션(wet station) 장비에서 제거한다. 이러한 습식 식각 후, 스토리지 노드(140)의 표면을 세정하고 린스한 후 건조하게 된다.
탈이온수를 이용한 린스는, 도 1에 제시된 바와 같이, 건조 장비의 공정 챔버(200)의 건조 챔버(201) 하측에 마련된 린스 액조(bath: 203)에 웨이퍼(100)를 다수 개 세워지게 장착한 후, 린스 액조(203)에 탈이온수를 공급하고 오버플로(overflow)하여 수행될 수 있다. 린스된 웨이퍼(100)는 상측의 건조 챔버(201)로 이송되고, 이송된 웨이퍼(100)에 이소프로필알콜(IPA) 증기의 흐름(351)이 공급된다.
IPA 증기의 제공을 위해 IPA 공급부가 구성된다. IPA 공급부는 액상의 IPA(301)이 저장된 탱크(tank)를 포함하는 저장부(300)를 포함하여 구성된다. 저장부(300)와 건조 챔버(201)와 사이에, IPA의 이송을 위한 제1공급라인(supplying line: 410) 및 이로부터 나뉘어져 가지쳐진 제2공급라인(411) 및 제3공급라인(413)이 도입된다. 제2공급라인(411) 및 제3공급라인(413)은 각각 건조 챔버(201)의 양 측으로 나뉘어 연결되며, 건조 챔버(201)에 설치된 공급단(450)들에 각각 연결된다. 공급단(351)은 스프레이 노즐(spray nozzle) 형태로 구성될 수 있으며, 이송된 IPA 증기를 건조 챔버(201) 내에 제공 또는 분사하는 역할을 한다. 이러한 공급단(351)은 건조 챔버(201)의 양측에 도입될 수 있으며, 경우에 따라 2개 보다 많은 다수 개가 도입될 수 있다. 제2 및 제3공급라인(411, 413)은 제1공급라인(410)으로부터 나뉘어져 가지쳐진 형태로 도입되며, 공급단(351)으로의 IPA 증기의 이송을 위해 공급단(351)의 수만큼 도입된다.
도 1을 참조하면, 저장부(300) 아래의 단속 밸브(valve: 415)가 열려, 제1공급라인(410)으로 IPA(301)가 액상 상태로 흘러들고, 제1공급라인(410)에 설치된 이송 구동 펌프(pump: 417)에 의해 제1공급라인(410)을 따라 제2 및 제3공급라인(411, 413)으로 IPA가 이송된다. 제2 및 제3공급라인(411, 413) 각각에는 이송되는 이소프로필알콜(IPA)을 증기 상태로 기화시키는 제1가열부(501) 및 제2가열부(503)가 각각 도입된다. 각각의 제2 및 제3공급라인(411, 413)에 전용으로 사용될 제1 및 제2가열부(501, 503)이 설치됨에 따라, 기화되는 IPA 증기의 양은 상대적으로 많아지게 된다. 즉, 보다 짧은 시간 내에 보다 많은 IPA 증기를 생산하여 건조 챔버(201)로 공급할 수 있다.
제1가열부(501)와 건조 챔버(201) 사이의 제2공급라인(411) 부분에 제2사이클론(cyclone)부(601)가 설치되고, 마찬가지로 제2가열부(503)와 건조 챔버(201) 사이의 제3공급라인(411) 부분에 제2사이클론부(603)가 설치된다. 또한, 각각의 제1 및 제2사이클론부(601, 603)에는 각각 제1보조 가열부(611) 및 제2보조 가열 부(613)가 설치되어, IPA 증기의 응축을 억제하도록 한다. 사이클론부(601, 603)는 IPA 증기 내에 함유되어 있는 IPA 미스트(mist)를 분리하여 IPA 회수라인(recycle line: 430)으로 배출시키는 작용을 한다. IPA 미스트가 분리되어 제거된 IPA 증기는 제2 및 제3공급라인(411, 413)을 따라 이송되어 건조 챔버(201) 내로 제공된다. 따라서, 미스트가 제거된 보다 순수한 기상 상태의 IPA 증기가 건조 챔버(201) 내로 제공될 수 있다. 이와 같이 미스트의 제거에 의해서, 실질적으로 웨이퍼(100) 상에 제공되는 IPA 증기의 양을 보다 증가시킬 수 있다.
회수라인(460)은 사이클론부(601, 603)에 의해 분리된 IPA 미스트를 저장부(300)로 이송하여 회수하도록 설치된다. 이때, 회수라인(430)으로 회수되는 IPA 미스트로부터 회수된 폐열을 이용하여, 제1공급라인(410)으로 공급되는 액상의 이소프로필알콜(IPA)을 예열하도록 열교환부(710)를 제1공급라인(410) 및 회수라인(430)이 교차하는 지점에 설치한다. 열교환부(710)는 회수라인 부분(431)이 제1공급라인 부분(419)을 다수 번 코일(coil) 형태로 감게 연장시킨 형태를 포함하게 구성될 수 있다. 회수라인 부분(431)의 열, 즉, 상대적으로 고온인 IPA 미스트의 열이 제1공급라인 부분(419)으로 전달되어 결국 액상의 IPA를 예열(pre-heating)하게 냉각부(710)가 구성된다.
이와 같은 열교환부(710)를 도입함에 따라, 회수되는 IPA 미스트의 폐열을 이용하여 기화 전의 액상 IPA의 온도를 보다 높은 온도로 예열시킬 수 있다. 예열된 IPA가 제1 및 제2가열부(501, 503)로 이송되므로, 제1 및 제2가열부(501, 503)는 보다 작은 열량으로 IPA를 기화시킬 수 있다. 즉, 예열 시스템(system)에 의해 IPA 기화를 위한 가열부(501, 503)의 가열 용량의 증가 효과를 구현할 수 있다. 따라서, 보다 많은 양의 IPA 증기를 제공할 수 있게 된다.
한편, 회수라인(430)은 IPA 저장부(300)에 연결되는 데, IPA 미스트가 직접적으로 저장부(300)로 유입되는 것은 안정성 측면에서 바람직하지 않다. 따라서, IPA 저장부(300)의 앞단 위치의 회수라인(430)에 이소프로필알콜(IPA) 미스트를 냉각시켜 바람직하게 응축시키는 냉각부(cooler: 730)를 설치한다. 이러한 냉각부(730)는 린스 액조(203)에서의 탈이온수와 같은 린스액 또는 폐기 IPA 용액 등의 배출을 위한 배출라인(drain line: 460)을 이용하여 구성될 수 있다. 예컨대, 배출라인 부분(461)이 회수라인 부분(433)을 코일 형태로 감게 연장되도록 하여 냉각부(730)를 구성할 수 있다.
이러한 경우, 배출라인 부분(461)을 통해 배출되는 린스액, 예컨대, 린스 액조(203)에서 오버플로(overflow)된 탈이온수가 냉각 매질로 이용되어, 회수라인 부분(433)을 지나는 IPA 미스트를 냉각시키게 된다. 이러한 냉각부(730)에 의해 IPA 미스트는 실질적으로 액상으로 응축되어 저장부(300)로 유입된다. 이와 같이 냉각부(730)에 의해서 회수되는 IPA 미스트가 직접적으로 저장부(300)로 유입되는 것을 억제할 수 있어, IPA 미스트 등에 의한 위험성을 억제하여 저장부(300)의 안정성을 유지할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 IPA 건조 장비는 웨이퍼(100) 상에 보다 많은 양의 IPA 증기 흐름(351)을 건조 초기 단계에서부터 제공할 수 있다. IPA 증기가 보다 짧은 시간 내에 실질적으로 많은 양이 웨이퍼(100) 상에 제공되므로, 스 토리지 노드(도 2의 140)들 사이에 잔존하는 수분 또한 IPA 증기와 보다 효과적으로 치환될 수 있다. 따라서, 스토리지 노드(140)들 사이의 수분 등에 의한 모세관 힘이 작용하여 스토리지 노드(140)가 쓰러지는 것을 보다 효과적으로 억제시킬 수 있다. 따라서, 실린더형 스토리지 노드(140)를 형성하는 과정에서 결함 발생을 억제할 수 있어, 디램(DRAM) 반도체 소자의 생산성 증대를 구현할 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것으로 해석되어지는 것은 바람직하지 않다. 본 발명은 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능한 것으로 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 건조장비를 설명하기 위해 제시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 실린더(cylinder)형 스토리지 노드(storage node)들이 형성된 웨이퍼(wafer)를 건조하는 과정을 설명하기 위해 제시한 도면이다.

Claims (15)

  1. 삭제
  2. 웨이퍼가 린스(rinse)되는 린스 액조(bath);
    상기 린스 액조로부터 상기 웨이퍼가 이송되는 건조 챔버(dry chamber);
    상기 건조 챔버에 공급될 이소프로필알콜(IPA)을 저장하는 저장부;
    상기 저장부로부터 상기 이소프로필알콜(IPA)이 이송되는 제1공급라인(supplying line);
    상기 제1공급라인으로부터 다수 개로 나뉘어져 상기 건조 챔버에 각각 연결되는 제2공급라인들;
    상기 제2공급라인들 각각에 설치되어 상기 이송되는 이소프로필알콜(IPA)을 증기 상태로 기화시키는 가열부들;
    상기 가열부와 상기 건조 챔버 사이의 상기 제2공급라인들 각각에 설치되어 상기 이소프로필알콜(IPA) 증기에 함유된 미스트(mist)를 분리하는 사이클론(cyclone)부들; 및
    상기 사이클론부에서 분리된 상기 이소프로필알콜 미스트를 회수하게 상기 사이클론부로부터 상기 저장부에 연결된 회수라인(recycle line)을 더 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 회수라인으로 회수되는 상기 이소프로필알콜(IPA) 미스트로부터 회수된 폐열을 이용하여 상기 제1공급라인으로 공급되는 상기 이소프로필알콜(IPA)을 예열하는 열교환부를 더 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 열교환부는
    상기 예열이 유도되게 상기 회수라인이 상기 제1공급라인을 다수 번 감게 연장된 부분을 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 사이클론부에 설치되어 상기 사이클론부를 가열하는 보조 가열부를 더 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 회수라인의 상기 저장부 앞단 부분에 설치되어 상기 회수라인을 지나는 상기 이소프로필알콜(IPA) 미스트를 냉각시키는 냉각부; 및
    상기 린스 액조에 연결된 배출라인(drain line)을 더 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 냉각부는
    상기 회수라인으로부터 상기 배출라인으로의 열 전달이 유도되게 상기 배출라인이 상기 회수라인의 상기 저장부 앞단 부분을 감게 연장된 부분을 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  8. 웨이퍼가 린스(rinse)되는 린스 액조(bath);
    상기 린스 액조로부터 상기 웨이퍼가 이송되는 건조 챔버(dry chamber);
    상기 건조 챔버에 공급될 이소프로필알콜(IPA)을 저장하는 저장부;
    상기 저장부로부터 상기 이소프로필알콜(IPA)이 이송되는 공급라인(supplying line);
    상기 공급라인에 설치되어 상기 이송되는 이소프로필알콜(IPA)을 증기 상태로 기화시키는 가열부; 및
    상기 가열부와 상기 건조 챔버 사이의 상기 공급라인에 설치되어 상기 이소프로필알콜(IPA) 증기에 함유된 미스트(mist)를 분리하는 사이클론(cyclone)부를 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 사이클론부에서 분리된 상기 이소프로필알콜 미스트를 회수하게 상기 사이클론부로부터 상기 저장부에 연결된 회수라인(recycle line)을 더 포함하는 웨 이퍼 건조장비.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 회수라인으로 회수되는 상기 이소프로필알콜(IPA) 미스트로부터 회수된 폐열을 이용하여 상기 공급라인으로 공급되는 상기 이소프로필알콜(IPA)을 예열하는 열교환부를 더 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 열교환부는
    상기 예열이 유도되게 상기 회수라인이 상기 공급라인을 다수 번 감게 연장된 부분을 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 회수라인의 상기 저장부 앞단 부분에 설치되어 상기 회수라인을 지나는 상기 이소프로필알콜(IPA) 미스트를 냉각시키는 냉각부; 및
    상기 린스 액조에 연결된 배출라인(drain line)을 더 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 냉각부는
    상기 회수라인으로부터 상기 배출라인으로의 열 전달이 유도되게 상기 배출라인이 상기 회수라인의 상기 저장부 앞단 부분을 감게 연장된 부분을 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 사이클론부에 설치되어 상기 사이클론부를 가열하는 보조 가열부를 더 포함하는 웨이퍼 건조장비.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 공급라인은 상기 건조 챔버 앞단에서 다수의 라인들로 나뉘어져 상기 건조 챔버에 상기 다수 라인이 연결되게 도입되고,
    상기 가열부 및 상기 사이클론부는 각각 상기 나뉘어진 다수의 라인들 각각에 설치된 웨이퍼 건조장비.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367952A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367952A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101568450B1 (ko) 2010-07-12 2015-11-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체

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