KR20110121465A - 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법 - Google Patents

웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110121465A
KR20110121465A KR1020100041065A KR20100041065A KR20110121465A KR 20110121465 A KR20110121465 A KR 20110121465A KR 1020100041065 A KR1020100041065 A KR 1020100041065A KR 20100041065 A KR20100041065 A KR 20100041065A KR 20110121465 A KR20110121465 A KR 20110121465A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
ipa
chamber
upper chamber
lower chamber
Prior art date
Application number
KR1020100041065A
Other languages
English (en)
Inventor
박지용
윤효근
이선진
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020100041065A priority Critical patent/KR20110121465A/ko
Publication of KR20110121465A publication Critical patent/KR20110121465A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

웨이퍼를 건조하는 과정에서 웨이퍼가 받는 표면 장력에 의해 웨이퍼에 형성되어 있던 미세 패턴이 휘거나 쓰러지는 리닝(leaning) 현상을 방지하여 웨이퍼를 효과적으로 건조시킬 수 있는 웨이퍼 건조장치는, 웨이퍼의 세정 및 건조가 이루어지는 공간을 제공하는 챔버, 챔버의 일부에 설치되어, 응축된 이소프로필알콜(IPA)을 회수하여 증기 상태로 웨이퍼에 공급하기 위한 IPA 회수 모듈을 포함한다.

Description

웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법{Wafer dry apparatus and wafer dry method}
본 발명은 반도체 제조장비 및 제조방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 건조 장치 및 웨이퍼 건조 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 제조공정의 각 제조 공정마다 파티클(particle), 금속성 불순물(metallic impurity), 자연 산화물(native oxide)과 같은 오염물들이 발생하는데, 이러한 오염물들은 최종 생산된 제품의 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 물론, 웨이퍼 공정 중 모든 오염물들을 완벽하게 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이지만 현실적으로는 거의 불가능하기에, 웨이퍼 세정 공정을 각각의 제조 공정 전후에 실시하여 기하급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 비율로 감소시키는 것을 목표로 하고 있다. 따라서, 웨이퍼 세정 공정은 모든 제조 공정 전후에 반드시 행해져야 하는 중요한 부분이라 할 수 있다.
웨이퍼에 행해지는 일반적인 세정 공정은 습식 세정으로, 웨이퍼 표면에 존재하는 오염물들을 제거하기 위해 각각의 목적에 맞는 화학 약액을 세정조에 채운 후, 약액에 웨이퍼를 담가 이들 오염물을 먼저 제거한 다음, 초순수(DIW) 등을 이용하여 린스(rinse)하는 공정 순으로 진행된다. 이러한 세정 공정을 거친 후에는 웨이퍼 표면에 존재하는 수분을 제거하기 위한 건조 공정을 수행하게 되는데, 이 건조 공정 과정에서 웨이퍼 표면에 물 반점이나 파티클이 잔류할 수 있다. 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 웨이퍼 건조시 웨이퍼 외측면에 물 반점 또는 파티클이 발생하지 않도록 하는 것은 더욱 중요하게 인식되고 있다. 뿐만 아니라, 최근 세정 공정에서 더욱 미세한 오염원들의 제어가 요구됨에 따라 세정 공정에서의 마지막 단계인 건조 공정의 중요성이 크게 대두되고 있다.
습식 세정에서 수행하는 건조 방법으로 종래에는, 웨이퍼를 일정 회전수(rpm)으로 회전시켜 웨이퍼 표면의 초순수를 물리적인 힘으로 제거하는 스핀 건조기(spin dryer)가 사용되었다. 하지만, 스핀 건조기는 고속 회전에 의한 정전기 발생 및 진동에 의해 파티클이 발생되는 문제가 있다. 또한 스핀 건조기는 물 반점 발생 등의 문제가 있다.
웨이퍼 표면의 초순수에 증기(vapor) 상태의 이소프로필알코올(IPA)을 치환시켜 웨이퍼로부터 초순수를 제거하는 건조 방법도 있다. 이 방법은 스핀 건조 방법 대비 건조 효율성은 높으나 IPA 내 수분 함량 증가시 물 반점 발생 가능성이 있어 관리 포인트의 설정이 중요하다. 특히 증기 영역의 관리가 중요하며, 건조 챔버 내 증기화 균일도를 위한 장치의 정밀도 유지가 필요하다.
IPA를 이용한 다른 건조 방법 중의 하나로 최근에는 IPA의 낮은 표면장력을 이용하여 웨이퍼를 건조하는 마란고니(Marangoni) 건조 방법이 있다. 이 방법에서는 건조 챔버에 있는 초순수가 담긴 액조에 웨이퍼를 담그고, 초순수 표면과 주변에 IPA 증기를 공급하게 된다. IPA 증기를 계속 공급하면서 초순수에 잠겨있는 웨이퍼를 천천히 끌어올려 초순수 밖으로 드러나게 하면 IPA 증기는 초순수 표면에 응축되거나 용해되어 하나의 액층을 형성한다. 이 액층과 초순수는 표면장력이 서로 다른 영역이어서, 마란고니 효과에 의해 상대적으로 표면장력이 작은 영역(IPA가 응축된 액층)으로부터 표면장력이 큰 영역(초순수)으로 액체가 흐르게 된다. 따라서, 웨이퍼 표면에 남아있는 수분을 제거하여 웨이퍼를 건조할 수 있다.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 마란고니 효과를 이용한 웨이퍼 건조방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
웨이퍼 건조 방법을 설명하기 전에 먼저 건조장치에 대해 간략히 설명하면, 웨이퍼 건조장치(100)는 웨이퍼의 건조 작업이 진행되는 챔버(110)와, 건조용 유체가 공급되는 공급관(120)을 포함한다. 챔버(110)는 상부 챔버(114)와 하부 챔버(112)로 이루어진다.
도 1a를 참조하면, 웨이퍼(10)를 건조장치(100)의 챔버 내부로 로딩하여 세정공정을 진행한다. 즉, 웨이퍼(10)는 챔버(112)에 웨이퍼가 잠길 수 있도록 채워진 초순수(130)에 투입된다. 이때, 공급관(120)을 통해 질소가스(N2)를 주입하여 챔버(110) 내부를 질소가스(N2) 분위기로 치환한다.
도 1b를 참조하면, 초순수(130)에 잠겨있던 웨이퍼(10)를 올리기 전에 공급관(120)을 통해 이소프로필알콜(IPA)를 분사하여 초순수 상부의 챔버(110) 공간에 마란고니층(140)을 형성한다. 마란고니층(140)이 충분히 형성되면 웨이퍼(10)를 일정 속도로 상승시키면서 IPA를 분사하여 IPA와 초순수의 표면 장력의 차이로 인한 마란고니 효과에 의해 웨이퍼(10)를 건조시킨다.
도 1c를 참조하면, 웨이퍼(10)가 초순수 위로 올라간 후 일정 시간동안 초순수와 질소가스(N2)를 분사하면서 웨이퍼 표면에 남아있는 초순수를 제거하면서 챔버(110)의 초순수를 외부로 배출한다.
도 1d 및 도 1e를 참조하면, 웨이퍼(10) 표면의 초순수가 마란고니 효과에 의해 제거되면, 질소가스(N2)를 웨이퍼(10)에 분사하여 웨이퍼 표면에 잔류하는 IPA를 제거한다.
이러한 종래의 웨이퍼 건조방법에 따르면, 초순수의 상부에 마란고니층(140)을 형성한 후 웨이퍼(10)를 일정 속도로 상승시키면서 IPA를 분사함으로써 IPA와 초순수의 표면 장력의 차이로 인한 마란고니 효과로 웨이퍼(10)를 건조시킨다. 이때, 웨이퍼가 받는 표면 장력이 매우 크기 때문에 웨이퍼에 형성되어 있던 미세 패턴이 휘거나 쓰러지는 리닝(leaning) 현상이 발생하게 된다. 이로 인해 30nm급 이하의 반도체 소자의 제조공정에는 마란고니 건조장치를 적용하기 어려운 경우가 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는 웨이퍼를 건조하는 과정에서 웨이퍼가 받는 표면 장력에 의해 웨이퍼에 형성되어 있던 미세 패턴이 휘거나 쓰러지는 리닝(leaning) 현상을 방지하여 웨이퍼를 효과적으로 건조시킬 수 있는 웨이퍼 건조장치 및 건조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 건조장치는, 웨이퍼의 세정 및 건조가 이루어지는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 일부에 설치되어, 증기 상태에서 응축된 이소프로필알콜(IPA)을 회수하여 증기 상태로 웨이퍼에 공급하기 위한 IPA 회수 모듈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버는 웨이퍼의 세정 및 건조가 이루어지는 하부 챔버와, 커버에 의해 상기 하부 챔버와 분리되는 상부 챔버를 포함할 수 있다.
상기 IPA 회수 모듈은, 상기 상부 챔버 내에 IPA를 공급하기 위한 공급관과,
상기 공급관으로부터 공급된 IPA를 가열하여 기화시키도록 상기 상부 챔버 내에 설치된 핫 플레이트, 및 응축된 IPA를 상기 상부 챔버로부터 회수하여 상기 상부 챔버로 공급하는 회수탱크를 포함할 수 있다.
상기 상부 챔버내에 설치되며, 질소가스(N2)를 생성하기 위한 버블러(bubbler)를 더 포함할 수 있다.
상기 핫 플레이트는 복수 개가 경사를 이루며 지그재그로 배치될 수 있다.
상기 커버의 하부에 설치된 다공성 재질의 플레이트를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 건조방법은, 커버에 의해 상, 하부 챔버로 분리되는 웨이퍼 건조장치의 세정액이 채워진 하부 챔버로 웨이퍼를 로딩하여 세정하면서 상부 챔버에 이소프로필알콜(IPA) 증기를 형성하는 단계; 상기 하부 챔버로부터 세정액을 배출시키는 단계; 상기 커버를 개방하여 상기 상부 챔버에 형성된 이소프로필알콜(IPA) 증기를 하부 챔버로 유입시켜 상기 웨이퍼 표면의 세정액을 건조시키는 단계; 및 상기 하부 챔버로 질소가스(N2)를 유입시켜 상기 웨이퍼 표면에 잔류하는 이소프로필알콜(IPA)을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 하부 챔버로부터 세정액을 배출시키는 단계에서, 세정액이 배출된 하부 챔버의 빈공간에 진공을 가할 수 있다.
상기 하부 챔버로부터 세정액을 배출시키는 단계는, 2 ∼ 5초 동안 진행할 수 있다.
상기 상부 챔버에 이소프로필알콜(IPA) 증기를 형성하는 단계에서, 버블러(bubbler)를 이용하여 상기 상부 챔버에 질소가스(N2)를 생성할 수 있다.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 마란고니 효과를 이용한 웨이퍼 건조방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 건조장치를 간략하게 도시한 도면이다.
도 3, 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 웨이퍼 건조장치의 IPA 회수 과정을 상세히 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치를 이용하여 웨이퍼를 건조시키는 과정을 설명하기 위하여 간략하게 나타낸 도면들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.
본 발명은 종래의 마란고니 효과를 이용한 웨이퍼 건조장치가 갖는 표면장력 문제를 해결하기 위하여, 웨이퍼 건조에 마란고니 힘(Marangoni force)을 사용하지 않고 고농도의 IPA를 빠른 시간에 웨이퍼에 공급하여 웨이퍼 표면에서의 건조효율을 높이는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치 및 이를 이용한 웨이퍼 건조방법을 제시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 건조장치를 간략하게 도시한 도면이고, 도 3, 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 웨이퍼 건조장치의 IPA 회수 과정을 상세히 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 웨이퍼 건조 장치는 웨이퍼의 세정 및 건조가 이루어지는 챔버(200)를 포함하여 구성된다. 챔버(200)는 웨이퍼의 세정 및 건조가 이루어지는 하부 챔버(220)와 IPA의 공급 및 회수가 이루어지는 상부 챔버(210)로 이루어진다.
하부 챔버(220)는 웨이퍼의 세정을 위한 세정조(rinse bath)와 건조를 위한 건조조(dry bath)가 통합된 것으로, 초순수(DIW)를 이용한 세정이 이루어진 다음 마란고니 효과를 사용하지 않고 초순수(DIW)가 배출된 빈 공간에서 IPA 증기를 이용한 건조 공정이 이루어진다. 즉, 초순수(DIW)를 이용하여 웨이퍼 세정을 진행한 다음 초순수(DIW)를 배출하고 여기에 고농도의 IPA 증기를 빠른 시간에 공급하여 웨이퍼 건조가 이루어지도록 한다. 이를 위하여 하부 챔버(220)에는 질소가스(N2)가 공급되는 공급관(221)과, 초순수(DIW) 또는 질소가스(N2)를 배출하기 위한 배출라인(222), 그리고 하부 챔버(220)에 진공을 공급하기 위한 진공펌프(223)가 연결되어 있다.
상부 챔버(210)는 웨이퍼 건조를 위한 IPA 증기를 하부 챔버(220)로 빠르게 공급하는 역할을 하며 커버(214)에 의해 하부 챔버(220)와 분리된다. 상부 챔버(210)에는 IPA를 공급하는 공급구(211)와, IPA를 가열하여 증기 상태로 기화시키기 위하여 다단으로 설치된 핫 플레이트(212)와, 질소가스(N2)를 발생시켜 IPA 증기가 하부 챔버(220)로 용이하게 유입되도록 하는 버블러(bubbler)(213)와, 커버(214)의 하부에 배치된 다공성 플레이트(215)와, 다시 상부 챔버로 IPA를 공급하기 위하여 응축된 IPA를 모으는 회수탱크(216) 및 질소가스(N2) 또는 IPA의 유량을 조절하기 위한 복수 개의 밸브(217)를 포함한다.
일반적인 마란고니 효과를 이용하는 웨이퍼 건조장치에서 IPA 증기는 IPA 증기 발생 모듈에서 건조 챔버의 노즐로 이송되는 동안에 열손실이 발생하여 IPA 미스트(mist) 상태로 응축되어버린다. 또한, IPA 노즐을 통해 이송되는 IPA 증기의 양이 1분 이내에 웨이퍼를 건조시킬 수 있는 충분한 양이 되지 못한다는 단점이 있다. 본 발명은 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 고농도의 IPA 증기를 빠른 시간 내에 웨이퍼 표면에 반응시키기 위하여 IPA 챔버에 IPA 회수 모듈을 장착하고 있다. 또한, 30nm 이하의 피치 사이즈를 갖는 미세 패턴에서 발생하는 리닝 현상을 방지하기 위하여 마란고니 힘을 사용하지 않고 세정에 사용된 초순수(DIW)를 배출한 후 IPA를 웨이퍼에 분사하는 방식을 사용한다.
도 3을 참조하면, 공급구(211)를 통해 상부 챔버(210)로 공급된 IPA는 상부 챔버(210) 내부에 다단으로 설치된 핫 플레이트(212)를 거치게 된다. 핫 플레이트(212)는 도시된 바와 같이 경사를 이루며 지그재그(zig zag)로 설치되어 있으며 50 ∼ 80℃ 정도로 가열되어 있다. 상부 챔버(210)로 공급된 IPA는 경사진 다단의 핫 플레이트(212)를 타고 내려가면서 기화되어 IPA 증기가 된다.
상부 챔버(210) 내에 형성된 IPA 증기는, 하부 챔버(220)에서의 웨이퍼의 세정이 완료되면 커버(214)의 개방과 함께 하부 챔버(220) 내부로 유입된다. 커버(214)의 하부에는 다공성 재질의 플레이트(215)가 설치되어 있기 때문에 IPA가 하부 챔버(220)로 균일하게 유입될 수 있게 한다. 이 과정에서 온도가 내려가 미스트 상태로 된 IPA들은 원형의 커버(214)에 모이게 되어 IPA 회수용 탱크(216)으로 유입되었다가 다시 상부 챔버(210)으로 공급된다. 커버(214)의 구조로 인해 하부 챔버로 IPA 증기를 공급하기 위하여 커버(214)가 개방되더라도 미스트 상태의 IPA는 하부 챔버로 유입되지 않고 회수 라인으로 빠져나가 회수탱크로 모이게 된다.
도 4a는 하부 챔버로 IPA를 분사하기 전 커버(214)가 닫혀있는 상태를 나타내고, 도 4b는 커버(214)를 개방하여 하부 챔버로 IPA를 분사하는 상태의 도면으로, 커버(214) 하부에 설치된 다공성의 플레이트(215)를 통해 IPA 증기가 균일하게 하부 챔버로 공급될 수 있다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치를 이용하여 웨이퍼를 건조시키는 과정을 설명하기 위하여 간략하게 나타낸 도면들이다.
도 5a를 참조하면, 웨이퍼(20)가 건조 챔버(200)의 내부로 로딩되면 세정공정이 진행된다. 웨이퍼(20)는 하부 챔버(220)에 웨이퍼가 잠길 수 있도록 채워진 초순수(230)에 투입되어 세정이 이루어진다. 이때, 하부 챔버(220)의 나머지 공간을 질소가스(N2) 분위기로 치환하여 산소가스(O2)를 제거하고 진공을 걸어둔다. 상부 챔버(210)에서는 공급구로 공급된 IPA가 핫 플레이트(도 3의 212)를 타고 내려가면서 기화되어 IPA 증기(240)가 형성된다.
도 5b를 참조하면, 초순수(230)에 의한 웨이퍼(20) 세정이 끝나면, 웨이퍼를 하부 챔버(220)에 그대로 둔 채 배출라인(도 3의 222)을 통해 초순수(230)를 빠르게 배출시킨다. 이때 초순수가 빠져나간 하부 챔버(220)의 빈 공간에는 진공이 걸리게 된다. 초순수(230)를 배출하는 시간은 2 ∼ 5초 정도로 빠르게 진행한다.
도 5c를 참조하면, 하부 챔버(220)의 초순수가 모두 배출되면 상부 챔버(210)와의 사이에 설치되어 있는 커버(도 3의 214)를 개방하여 상부 챔버(210)에서 형성된 IPA 증기(240)가 하부 챔버(220) 내부로 20 ∼ 100초간 유입되도록 한다. 커버의 하부에는 다공성 플레이트(도 3의 215)가 설치되어 있기 때문에 IPA 증기가 균일하게 하부 챔버로 분사될 수 있다. 이때 상부 챔버(210)에 설치된 버블러(213)에서 발생하는 질소가스(N2)의 압력과 하부 챔버(220)에 걸린 진공으로 인해 상부 챔버(210)로부터의 IPA 분사가 더욱 빠르게 이루어져, 하부 챔버(220) 내부에 고농도의 IPA 증기 분위기를 보다 빠르게 형성할 수 있다. 하부 챔버(220)로 유입된 IPA 증기(240)로 인해 웨이퍼(20)의 표면에 잔류하던 초순수(DIW)가 제거된다. 종래의 장치와는 달리 IPA 증기가 상부 챔버(210)에서 생성되어 하부 챔버(220)로 바로 공급되기 때문에 증기 상태에서 웨이퍼(20)에 도달하기까지의 시간을 최대한 단축할 수 있다.
도 5d 및 도 5e를 참조하면, IPA 증기에 의한 웨이퍼의 건조가 완료되면 하부 챔버(220)로 질소가스(N2)를 분사하여 웨이퍼(20)의 표면에 잔류하는 IPA를 제거한다. 이때에도 하부 챔버(220)에 계속적으로 진공을 걸어주어 웨이퍼 표면의 IPA 잔류물이 빠르게 제거되도록 한다.
본 발명에 따르면, IPA 증기가 상부 챔버(210)에서 생성되어 하부 챔버(220)로 공급되기 때문에 증기 상태에서 웨이퍼(20)에 도달하기까지의 시간을 최대한 단축할 수 있다. 따라서, IPA 증기의 열손실을 최소화할 수 있으므로 IPA 증기가 응축되는 현상을 방지할 수 있고, 고농도의 IPA 증기를 순간적으로 웨이퍼에 공급할 수 있어 초순수와 웨이퍼가 분리되는 초기에 웨이퍼가 받는 표면장력을 최소화할 수 있고, 결과적으로 패턴의 리닝을 방지할 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.

Claims (10)

  1. 웨이퍼의 세정 및 건조가 이루어지는 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 일부에 설치되어, 증기 상태에서 응축된 이소프로필알콜(IPA)을 회수하여 증기 상태로 웨이퍼에 공급하기 위한 IPA 회수 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 챔버는 웨이퍼의 세정 및 건조가 이루어지는 하부 챔버와,
    커버에 의해 상기 하부 챔버와 분리되는 상부 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 IPA 회수 모듈은,
    상기 상부 챔버 내에 IPA를 공급하기 위한 공급관과,
    상기 공급관으로부터 공급된 IPA를 가열하여 기화시키도록 상기 상부 챔버 내에 설치된 핫 플레이트, 및
    응축된 IPA를 상기 상부 챔버로부터 회수하여 상기 상부 챔버로 공급하는 회수탱크를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 상부 챔버내에 설치되며, 질소가스(N2)를 생성하기 위한 버블러(bubbler)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 핫 플레이트는 복수 개가 경사를 이루며 지그재그로 배치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 커버의 하부에 설치된 다공성 재질의 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치.
  7. 커버에 의해 상, 하부 챔버로 분리되는 웨이퍼 건조장치의 세정액이 채워진 하부 챔버로 웨이퍼를 로딩하여 세정하면서 상부 챔버에 이소프로필알콜(IPA) 증기를 형성하는 단계;
    상기 하부 챔버로부터 세정액을 배출시키는 단계;
    상기 커버를 개방하여 상기 상부 챔버에 형성된 이소프로필알콜(IPA) 증기를 하부 챔버로 유입시켜 상기 웨이퍼 표면의 세정액을 건조시키는 단계; 및
    상기 하부 챔버로 질소가스(N2)를 유입시켜 상기 웨이퍼 표면에 잔류하는 이소프로필알콜(IPA)을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 하부 챔버로부터 세정액을 배출시키는 단계에서,
    세정액이 배출된 하부 챔버의 빈 공간에 진공을 가하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 하부 챔버로부터 세정액을 배출시키는 단계는,
    2 ∼ 5초 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 상부 챔버에 이소프로필알콜(IPA) 증기를 형성하는 단계에서,
    버블러(bubbler)를 이용하여 상기 상부 챔버에 질소가스(N2)를 생성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.

KR1020100041065A 2010-04-30 2010-04-30 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법 KR20110121465A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100041065A KR20110121465A (ko) 2010-04-30 2010-04-30 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100041065A KR20110121465A (ko) 2010-04-30 2010-04-30 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110121465A true KR20110121465A (ko) 2011-11-07

Family

ID=45392353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100041065A KR20110121465A (ko) 2010-04-30 2010-04-30 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110121465A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5422497B2 (ja) 基板乾燥方法
JP4994990B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置、プログラム、記録媒体および置換剤
JP2003297795A (ja) 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法
US6757989B2 (en) Wafer drying apparatus
US6784106B2 (en) Wafer drying method
KR20140017315A (ko) 기판 건조 장치
JP6826890B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR100636035B1 (ko) 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
JP2002050600A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2004056129A (ja) 共沸混合物層を利用して半導体基板を乾燥させる装置及び上記の装置を使用する乾燥方法
KR100564582B1 (ko) 전자 소자 기판의 표면 처리 장치 및 이를 이용한 표면처리 방법
JP6228800B2 (ja) 基板処理装置
KR100463746B1 (ko) 반도체장치 제조용 웨이퍼 건조장치
CN109791886B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
CN101145503A (zh) 处理基材的设备和方法
KR20110121465A (ko) 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법
JP4541422B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2913564B2 (ja) 蒸気洗浄乾燥装置
KR100431186B1 (ko) 웨이퍼의 세정 및 건조 방법
KR100897581B1 (ko) 웨이퍼 건조 방법
US20050193587A1 (en) Drying process for wafers
KR100877110B1 (ko) 웨이퍼 건조장비
KR100510762B1 (ko) 웨이퍼 건조기
JP3009006B2 (ja) 半導体基板の乾燥装置
JP2004119591A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination