KR100870119B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 클러스터 타입의 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 개시한 것으로서, 트랜스퍼 챔버의 둘레에 배치된 제 1 처리실들 중 적어도 하나의 제 1 처리실과 설비 전방 단부 모듈의 사이에 제 2 처리실이 배치되고, 제 1 및 제 2 처리실에서 순차적으로 처리된 기판이 제 2 처리실로부터 설비 전방 단부 모듈로 직접 이송되는 것을 특징으로 한다.

이러한 특징에 의하면, 본 발명은 기판 처리 장치 내에서 일련의 공정을 연속적으로 진행함으로써, 설비 간에 기판의 이동에 따른 오염을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공할 수 있다.

Figure R1020070022885

클러스터, 증착, 식각, 세정

The present invention relates to a cluster type substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same, wherein a second processing chamber is provided between at least one first processing chamber and a facility front end module among the first processing chambers disposed around the transfer chamber And the substrate sequentially processed in the first and second processing chambers is transferred directly from the second processing chamber to the apparatus front end module.

According to this aspect, the present invention can provide a substrate processing apparatus and method capable of minimizing contamination due to movement of a substrate between facilities by continuously performing a series of processes in the substrate processing apparatus.

Figure R1020070022885

Clusters, deposition, etching, cleaning

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면,FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 이용한 공정의 흐름을 개략적으로 보여주는 도면이다.2 is a view schematically showing the flow of a process using the substrate processing apparatus of FIG.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art

100 : 설비 전방 단부 모듈100: Equipment front end module

200 : 공정 설비200: Process equipment

230 : 처리실230: Treatment chamber

232 : 공정 챔버232: process chamber

235 : 건식 세정 챔버235: Dry cleaning chamber

236 : 습식 세정 챔버236: Wet cleaning chamber

238 : 이송 챔버238: Transfer chamber

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도 체 디바이스 제조 공정을 일괄 처리할 수 있는 클러스터 타입의 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a cluster type substrate processing apparatus capable of collectively processing a semiconductor device manufacturing process.

반도체 디바이스의 미세화 및 고집적화에 따라 공정의 고정밀도화, 복잡화, 웨이퍼의 대구경화 등이 요구되고 있으며, 복합 공정의 증가나 매엽식화에 수반되는 스루풋의 향상이라는 관점에서 반도체 디바이스 제조 공정을 일괄 처리할 수 있는 클러스터(Cluster) 타입의 반도체 제조 설비가 널리 사용되고 있다As semiconductor devices become finer and more highly integrated, there is a demand for high precision and complexity of the process, large-scale wafer curing, and the like. In order to increase the complex process and improve the throughput accompanying the sintering process, A cluster type semiconductor manufacturing facility having a cluster type is widely used

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정이 요구된다.Generally, a semiconductor device is manufactured by depositing various materials on a wafer in a thin film form and patterning the same. For this purpose, different processes such as a deposition process, an etching process, a cleaning process, and a drying process are required.

그런데, 일반적으로 사용되고 있는 클러스터 타입의 반도체 제조 설비는 하나의 설비 내에서 일련의 단위 공정을 연속적으로 처리하지 못한다. 예를 들어, 하나의 설비에서 웨이퍼에 대한 증착 공정 또는 식각 공정이 완료되면, 이어지는 세정 공정과 건조 공정의 진행을 위해서 웨이퍼는 다른 설비로 이동되어야 한다. 이로 인하여, 개별 공정 설비 간에 웨이퍼를 이동시킬 때 웨이퍼가 오염될 가능성이 있다.However, a cluster type semiconductor manufacturing facility generally used does not continuously process a series of unit processes in one facility. For example, once the deposition or etching process for a wafer is completed in one facility, the wafer must be transferred to another facility for subsequent cleaning and drying processes. This has the potential to contaminate the wafer when moving the wafer between individual process equipment.

따라서, 본 발명의 목적은 하나의 설비 내에서 웨이퍼에 대한 일련의 공정을 연속적으로 진행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of continuously carrying out a series of processes for a wafer in one facility.

또한, 본 발명의 목적은 설비 간에 기판의 이동에 따른 웨이퍼의 오염을 최소화할 수 있다.It is also an object of the present invention to minimize contamination of wafers due to movement of substrates between equipments.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판 처리 공정이 진행되는 처리실들과; 상기 처리실들로 이송될 기판을 전달받는 로드락 챔버와; 상기 로드락 챔버와 상기 처리실들의 사이에 배치되며, 상기 처리실들 간 또는 상기 처리실들과 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버와; 상기 로드락 챔버의 전방에 배치되어 기판이 수용된 용기와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 설비 전방 단부 모듈;을 포함하되, 상기 처리실들은 기판상에 패턴을 형성하기 위한 공정이 진행되는 공정 챔버들과; 상기 공정 챔버들에서 공정이 진행된 기판을 세정 처리하는 세정 챔버들;을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a processing chamber in which a substrate processing process is performed; A load lock chamber for receiving a substrate to be transferred to the process chambers; A transfer chamber disposed between the load lock chamber and the process chambers and transferring the substrate between the process chambers or between the process chambers and the load lock chamber; And a facility front end module disposed in front of the load lock chamber and transferring the substrate between the container accommodating the substrate and the load lock chamber, wherein the processing chambers are disposed in the process chambers and; And cleaning chambers for cleaning the processed substrates in the process chambers.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 세정 챔버들은 기판을 건식 세정 처리하는 건식 세정 챔버와; 상기 건식 세정 챔버에서 세정 처리된 기판을 습식 세정 처리하는 습식 세정 챔버;를 포함하는 것이 바람직하다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the above-described structure, the cleaning chambers include a dry cleaning chamber for dry-cleaning the substrate; And a wet cleaning chamber for performing a wet cleaning process on the cleaned substrate in the dry cleaning chamber.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 건식 세정 챔버는 상기 트랜스퍼 챔버의 측부에 배치되고, 상기 습식 세정 챔버는 일 측이 상기 건식 세정 챔버와 인접하고, 타 측이 상기 설비 전방 단부 모듈과 인접하도록 배치되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the present invention, the dry cleaning chamber is disposed on the side of the transfer chamber, and the wet cleaning chamber is disposed such that one side is adjacent to the dry cleaning chamber and the other side is adjacent to the facility front end module .

본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 건식 세정 챔버 및 상기 습식 세정 챔버에 인접하게 배치되며, 상기 건식 세정 챔버로부터 상기 습식 세정 챔버로 기판을 이송하는 이송 챔버;를 더 포함하는 것이 바람직하다.According to another aspect of the present invention, it is preferable to further include a transfer chamber for transferring the substrate from the dry cleaning chamber to the dry cleaning chamber and the wet cleaning chamber, the transfer chamber being disposed adjacent to the dry cleaning chamber and the wet cleaning chamber.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판 처 리 공정이 진행되는 처리실들과; 상기 처리실들로 이송될 기판을 전달받는 로드락 챔버와; 상기 로드락 챔버와 상기 처리실들의 사이에 배치되며, 상기 처리실들 간 또는 상기 처리실들과 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버와; 상기 로드락 챔버의 전방에 배치되어 기판이 수용된 용기와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 설비 전방 단부 모듈;을 포함하되, 상기 처리실들은 상기 트랜스퍼 챔버의 둘레에 배치되는 제 1 처리실들과; 상기 제 1 처리실들 중 적어도 하나의 제 1 처리실과 상기 설비 전방 단부 모듈의 사이에 배치되는 제 2 처리실;을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a processing chamber in which a substrate processing process is performed; A load lock chamber for receiving a substrate to be transferred to the process chambers; A transfer chamber disposed between the load lock chamber and the process chambers and transferring the substrate between the process chambers or between the process chambers and the load lock chamber; And a facility front end module disposed in front of the load lock chamber and transferring the substrate between the container accommodating the substrate and the load lock chamber, wherein the processing chambers are disposed around the transfer chamber; And a second processing chamber disposed between the first processing chamber and the facility front end module of at least one of the first processing chambers.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제 2 처리실과 상기 제 2 처리실에 인접 배치된 상기 제 1 처리실의 사이에 배치되며, 상기 제 1 처리실로부터 상기 제 2 처리실로 기판을 이송하는 이송 챔버;를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the above-described configuration, the substrate processing apparatus is disposed between the second processing chamber and the first processing chamber disposed adjacent to the second processing chamber, And a transfer chamber for transferring the substrate.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 방법은, 기판을 처리하는 방법에 있어서, 설비 전방 단부 모듈로부터 로드락 챔버로 기판을 이송하고, 상기 로드락 챔버로부터 트랜스퍼 챔버의 둘레에 배치된 공정 챔버로 기판을 이송하여 기판상에 패턴을 형성하기 위한 공정을 진행하고, 상기 공정 챔버에서 공정이 진행된 기판을 상기 트랜스퍼 챔버의 둘레에 배치된 세정 챔버로 이송하여 기판을 세정 처리하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, the method comprising: transferring a substrate from a facility front end module to a load lock chamber; The substrate is transferred to the process chamber to form a pattern on the substrate and the substrate having been processed in the process chamber is transferred to a cleaning chamber disposed around the transfer chamber to clean the substrate. do.

상술한 바와 같은 특징을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 세정 챔버는 건식 세정 챔버와 습식 세정 챔버를 포함하며, 상기 공정 챔버에 서 공정이 진행된 기판을 상기 건식 세정 챔버에서 건식 세정 처리하고, 상기 건식 세정 챔버에서 처리된 기판을 상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정 처리하는 것이 바람직하다.In the method of processing a substrate according to the present invention having the features as described above, the cleaning chamber includes a dry cleaning chamber and a wet cleaning chamber, and the substrate processed in the processing chamber is subjected to a dry cleaning treatment in the dry cleaning chamber And the substrate treated in the dry cleaning chamber is subjected to a wet cleaning treatment in the wet cleaning chamber.

본 발명의 일 특징에 따르면, 상기 건식 세정 챔버는 상기 트랜스퍼 챔버의 측부에 배치되고, 상기 습식 세정 챔버는 일 측이 상기 건식 세정 챔버와 인접하고, 타 측이 상기 설비 전방 단부 모듈과 인접하도록 배치되며, 상기 습식 세정 챔버에서 처리된 기판은 상기 습식 세정 챔버로부터 상기 설비 전방 단부 모듈로 이송되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the present invention, the dry cleaning chamber is disposed on the side of the transfer chamber, and the wet cleaning chamber is disposed so that one side is adjacent to the dry cleaning chamber and the other side is adjacent to the facility front end module And a substrate processed in the wet cleaning chamber is preferably transferred from the wet cleaning chamber to the apparatus front end module.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, an apparatus and a method for processing a substrate according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

( 실시 예 )(Example)

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a schematic view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module, EFEM)(100)과 공정 설비(200)를 가진다. 설비 전방 단부 모듈(100)은 공정 설비(200)의 전방에 장착되어, 기판들이 수용된 용기(112)와 공정 설비(200) 간에 기판을 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(100)은 복수의 로드포트들(Loadports)(110)과 프레임(Frame)(120)을 가진다. 프레임(120)은 로드포트(110)와 공정 설비(200) 사이에 위치된다. 기판을 수용하는 용기(112)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)에 의해 로드포트(110) 상에 놓여진다. 용기(112)는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 프레임(120) 내에는 로드포트(110)에 놓여진 용기(112)와 공정 설비(200) 간에 기판을 이송하는 프레임 로봇(122)이 설치된다. 프레임(120) 내에는 용기(112)의 도어를 자동으로 개폐하는 도어 오프너(도시되지 않음)가 설치될 수 있다. 또한, 프레임(120)에는 청정 공기가 프레임(120) 내 상부에서 하부로 흐르도록 청정 공기를 프레임(120) 내로 공급하는 팬 필터 유닛(Fan Filter Unit)(미도시)이 제공될 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 has an equipment front end module (EFEM) 100 and a processing facility 200. The facility front end module 100 is mounted in front of the process facility 200 to transfer substrates between the container 112 containing the substrates and the process facility 200. The facility front end module 100 has a plurality of loadports 110 and a frame 120. The frame 120 is positioned between the load port 110 and the process facility 200. The vessel 112 for receiving the substrate is connected to the load port 110 by means of transfer means (not shown) such as an Overhead Transfer, an Overhead Conveyor, or an Automatic Guided Vehicle. Lt; / RTI &gt; The container 112 may be a hermetically sealed container such as a front open unified pod. A frame robot 122 for transferring a substrate between the container 112 placed in the load port 110 and the process facility 200 is installed in the frame 120. [ In the frame 120, a door opener (not shown) for automatically opening and closing the door of the container 112 may be installed. The frame 120 may be provided with a fan filter unit (not shown) for supplying clean air into the frame 120 so that clean air flows from the upper portion to the lower portion of the frame 120.

공정 설비(200)에서는 기판에 대해 소정의 공정들이 수행된다. 공정 설비(200)는 트랜스퍼 챔버(210), 로드락 챔버(220), 그리고 처리실들(230)을 가진다. 트랜스퍼 챔버(210)는 상부에서 바라볼 때 대체로 다각의 형상을 가진다. 트랜스퍼 챔버(210)의 측면들에는 로드락 챔버(220)와 처리실들(230)이 위치된다. 로드락 챔버(220)는 트랜스퍼 챔버(210)의 측면들 중 설비 전방 단부 모듈(100)과 인접한 측면에 위치되고, 처리실들(230)은 다른 측면들에 위치한다. 트랜스퍼 챔버(210)의 내측에는 처리실들(230) 간 또는 로드락 챔버(220)와 처리실들(230) 간에 기판을 이송하는 제 1 이송 로봇(212)이 설치된다.In the processing facility 200, predetermined processes are performed on the substrate. The process facility 200 has a transfer chamber 210, a load lock chamber 220, and process chambers 230. The transfer chamber 210 has a generally polygonal shape when viewed from above. On the side surfaces of the transfer chamber 210, a load lock chamber 220 and process chambers 230 are located. The load lock chamber 220 is located on the side of the transfer chamber 210 that is adjacent to the facility front end module 100 and the processing chambers 230 are located on the other side. A transfer robot 212 for transferring substrates between the process chambers 230 or between the load lock chamber 220 and the process chambers 230 is installed inside the transfer chamber 210.

로드락 챔버(220)는 공정 진행을 위해 공정 설비(200)로 유입되는 기판들이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 트랜스퍼 챔버(210) 및 처리실들(230) 내부는 진공으로 유지되고, 로드락 챔버(220) 내부는 진공 및 대기압으로 전환된다. 로드락 챔버(220)는 외부 오염 물질이 트랜스퍼 챔버(220) 및 처리실들(230)로 유입되는 것을 방지한다. 로드락 챔버(220)와 트랜스퍼 챔버(210) 사이, 그리고 로드락 챔버(220)와 설비 전방 단부 모듈(100) 사이에는 게이트 밸브(도시되지 않음)가 설치된다. 설비 전방 단부 모듈(100)과 로드락 챔버(220) 간에 기판이 이동되는 경우 로드락 챔버(220)와 트랜스퍼 챔버(210) 사이에 제공되는 게이트 밸브가 닫히고, 로드락 챔버(220)와 트랜스퍼 챔버(210) 간에 기판이 이동되는 경우, 로드락 챔버(220)와 설비 전방 단부 모듈(100) 사이에 제공되는 게이트 밸브가 닫힌다.The load lock chamber 220 provides a space in which the substrates introduced into the process facility 200 temporarily stay for the process progress. The inside of the transfer chamber 210 and the processing chambers 230 are maintained in vacuum, and the inside of the load lock chamber 220 is switched to vacuum and atmospheric pressure. The load lock chamber 220 prevents external contaminants from entering the transfer chamber 220 and process chambers 230. A gate valve (not shown) is installed between the load lock chamber 220 and the transfer chamber 210, and between the load lock chamber 220 and the equipment front end module 100. When the substrate is moved between the apparatus front end module 100 and the load lock chamber 220, the gate valve provided between the load lock chamber 220 and the transfer chamber 210 is closed and the load lock chamber 220 and the transfer chamber The gate valve provided between the load lock chamber 220 and the facility front end module 100 is closed.

처리실들(230)은 다각형 형상을 가지는 트랜스퍼 챔버(210)의 측면들에 위치하는 공정 챔버들(232)과 세정 챔버들(234)을 가진다. 공정 챔버들(232)에서는 기판상에 패턴을 형성하기 위한 공정이 진행된다. 예를 들어, 공정 챔버들(232)에서는 기판상에 박막을 증착하는 공정이나, 기판상에 증착된 박막을 식각 처리하는 공정이 진행될 수 있다. 세정 챔버들(234)에서는 공정 챔버들(232)에서 증착이나 식각 공정이 진행된 기판을 세정 처리하는 공정이 진행될 수 있으며, 기판의 세정 처리는 건식 세정 처리와 습식 세정 처리로 이루어질 수 있다. The process chambers 230 have process chambers 232 and cleaning chambers 234 located at the sides of the transfer chamber 210 having a polygonal shape. In the process chambers 232, a process for forming a pattern on the substrate proceeds. For example, in the process chambers 232, a process of depositing a thin film on a substrate or a process of etching a thin film deposited on a substrate may be performed. In the cleaning chambers 234, a process of cleaning the substrate having undergone the deposition or etching process in the process chambers 232 may be performed, and the cleaning process of the substrate may be performed by the dry cleaning process and the wet cleaning process.

세정 챔버들(234)은 기판을 건식 세정 처리하는 건식 세정 챔버(235)와, 습식 세정 처리하는 습식 세정 챔버(236)를 가진다. 건식 세정 챔버(235)는 트랜스퍼 챔버(210)의 측면에 배치된다. 건식 세정 챔버(235)는 플라즈마를 이용하여 기판을 세정 처리하며, 플라즈마를 이용한 기판의 세정 처리에는 포토레지스트 스트립 공정이 포함될 수 있다. The cleaning chambers 234 have a dry cleaning chamber 235 for dry cleaning the substrate and a wet cleaning chamber 236 for wet cleaning. The dry cleaning chamber 235 is disposed on the side of the transfer chamber 210. The dry cleaning chamber 235 processes the substrate using plasma, and the substrate cleaning process using the plasma may include a photoresist strip process.

습식 세정 챔버(236)는 일 측이 건식 세정 챔버(235)와 인접하고, 타 측이 설비 전방 단부 모듈(100)과 인접하도록 배치된다. 그리고, 건식 세정 챔버(235) 및 습식 세정 챔버(236)의 측면에는 이송 챔버(238)가 배치된다. 이송 챔버(238)의 내측에는 건식 세정 챔버(235)로부터 습식 세정 챔버(236)로 기판을 이송하는 제 2 이송 로봇(239)이 설치된다. 이송 챔버(238)는 건식 세정 챔버(235)와 습식 세정 챔버(236)의 사이에 배치될 수도 있다. 습식 세정 챔버(236)는 건식 세정 챔버(235)에서 처리된 기판을 이송 챔버(238)를 통해 전달받고, 기판을 습식 세정 처리한다. 기판의 습식 세정 처리는 화학 약액을 이용하여 기판을 약액 처리하는 공정을 포함한다. 또한, 기판의 습식 세정 처리는 약액 처리된 기판을 탈이온수를 이용하여 린스 처리하는 공정과, 린스 처리된 기판상에 건조 가스를 공급하여 기판을 건조시키는 공정을 포함할 수 있다.The wet scrubbing chamber 236 is positioned such that one side is adjacent the dry scrubbing chamber 235 and the other side is adjacent to the equipment front end module 100. A transfer chamber 238 is disposed on the sides of the dry cleaning chamber 235 and the wet cleaning chamber 236. A second transfer robot 239 for transferring the substrate from the dry cleaning chamber 235 to the wet cleaning chamber 236 is provided inside the transfer chamber 238. The transfer chamber 238 may be disposed between the dry cleaning chamber 235 and the wet cleaning chamber 236. The wet cleaning chamber 236 receives the processed substrate in the dry cleaning chamber 235 through the transfer chamber 238 and performs the wet cleaning process on the substrate. The wet cleaning treatment of the substrate includes a chemical treatment of the substrate using a chemical liquid. In addition, the wet cleaning treatment of the substrate may include a step of rinsing the chemical-treated substrate with deionized water, and a step of drying the substrate by supplying a dry gas onto the rinsed substrate.

상술한 바와 같은 구성에 의해, 공정 챔버(232), 건식 세정 챔버(235) 및 습식 세정 챔버(236)에서 기판에 대한 증착, 건식 세정 및 습식 세정 공정(또는 식각, 건식 세정 및 습식 세정 공정)이 순차적으로 진행되고, 공정들이 완료된 기판이 습식 세정 챔버(236)로부터 설비 전방 단부 모듈(100)로 직접 이송될 수 있다.Dry cleaning and wet cleaning processes (or etching, dry cleaning and wet cleaning processes) on the substrate in the process chamber 232, dry cleaning chamber 235 and wet cleaning chamber 236, as described above, And the substrates on which the processes have been completed can be transferred directly from the wet cleaning chamber 236 to the equipment front end module 100. [

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 이용한 공정의 흐름을 개략적으로 보여주는 도면이다.2 is a view schematically showing the flow of a process using the substrate processing apparatus of FIG.

도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기 판 처리 공정의 흐름을 설명하면 다음과 같다. Referring to FIG. 2, a substrate processing process using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

먼저, 프레임 로봇(122)이 로드 포트(110)에 놓인 용기(112)로부터 기판을 반출한다. 로드락 챔버(220)는 진공 상태에서 대기압 상태로 전환되고, 프레임 로봇(1122)은 로드락 챔버(220)로 기판을 이송한다. 이후 로드락 챔버(220)는 대기압 상태에서 진공 상태로 전환되고, 트랜스퍼 챔버(210)의 제 1 이송 로봇(212)은 로드락 챔버(220)로부터 공정 챔버(232)로 기판을 이송한다. 공정 챔버(232)는 기판에 대해 증착 또는 식각과 같은 패턴 형성을 위한 공정을 진행한다. 제 1 이송 로봇(212)은 공정 챔버(232)에서 공정이 진행된 기판을 건식 세정 챔버(235)로 이송한다. 건식 세정 챔버(235)는 플라즈마를 이용하여 기판을 건식 세정 처리한다. 이송 챔버(238)의 제 2 이송 로봇(239)이 건식 세정 챔버(235)에서 처리된 기판을 습식 세정 챔버(236)로 이송한다. 습식 세정 챔버(236)는 기판에 대해 약액 처리, 린스 처리 및 건조 처리를 수행한다. 습식 세정 챔버(236)에서 처리된 기판은 설비 전방 단부 모듈(100)의 프레임 로봇(122)에 의해 로드 포트(110)에 놓인 용기(112)로 반입된다.First, the frame robot 122 removes the substrate from the container 112 placed on the load port 110. [ The load lock chamber 220 is switched from the vacuum state to the atmospheric pressure state, and the frame robot 1122 transfers the substrate to the load lock chamber 220. The load lock chamber 220 is then switched from the atmospheric pressure state to the vacuum state and the first transfer robot 212 of the transfer chamber 210 transfers the substrate from the load lock chamber 220 to the process chamber 232. The process chamber 232 performs a process for forming a pattern, such as deposition or etching, on the substrate. The first transfer robot 212 transfers the processed substrate to the dry cleaning chamber 235 in the process chamber 232. The dry cleaning chamber 235 processes the substrate by dry cleaning using plasma. The second transfer robot 239 of the transfer chamber 238 transfers the processed substrate from the dry cleaning chamber 235 to the wet cleaning chamber 236. The wet cleaning chamber 236 performs chemical liquid treatment, rinsing treatment and drying treatment on the substrate. The substrate processed in the wet cleaning chamber 236 is carried into the vessel 112 placed on the load port 110 by the frame robot 122 of the facility front end module 100.

상술한 본 실시 예에서 언급된 공정 챔버(232) 및 건식 세정 챔버(235)는 청구항에 따라서는 제 1 처리실에 해당되며, 습식 세정 챔버(236)는 청구항에 따라서는 제 2 처리실에 해당된다.The process chamber 232 and the dry cleaning chamber 235 referred to in the embodiment described above correspond to the first treatment chamber according to the claims and the wet cleaning chamber 236 corresponds to the second treatment chamber according to the claims.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따 라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 하나의 설비 내에서 기판에 대해 증착 및 세정 또는 식각 및 세정 등과 같은 일련의 공정들을 연속적으로 수행할 수 있다.As described above, according to the present invention, a series of processes such as deposition and cleaning or etching and cleaning can be continuously performed on a substrate in one facility.

또한, 본 발명에 의하면, 설비 간에 기판의 이동에 따른 기판의 오염을 최소화할 수 있다.Further, according to the present invention, contamination of the substrate due to movement of the substrate between the facilities can be minimized.

Claims (10)

기판 처리 공정이 진행되는 처리실들과;A processing chamber in which a substrate processing process is performed; 상기 처리실들로 이송될 기판을 전달받는 로드락 챔버와;A load lock chamber for receiving a substrate to be transferred to the process chambers; 상기 로드락 챔버와 상기 처리실들의 사이에 배치되며, 상기 처리실들 간 또는 상기 처리실들과 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버와;A transfer chamber disposed between the load lock chamber and the process chambers and transferring the substrate between the process chambers or between the process chambers and the load lock chamber; 상기 로드락 챔버의 전방에 배치되어 기판이 수용된 용기와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 설비 전방 단부 모듈;을 포함하되,And a facility front end module disposed in front of the load lock chamber for transferring a substrate between a container containing the substrate and the load lock chamber, 상기 처리실들은,The treatment chambers are, 기판상에 패턴을 형성하기 위한 공정이 진행되는 공정 챔버들과;A process chamber in which a process for forming a pattern is performed on a substrate; 상기 트랜스퍼 챔버의 측부에 배치되며, 상기 공정 챔버들에서 공정이 진행된 기판을 건식 세정 처리하는 건식 세정 챔버와;A dry cleaning chamber disposed at a side of the transfer chamber for performing a dry cleaning process on the substrate processed in the process chambers; 일 측이 상기 건식 세정 챔버와 인접하고, 타 측이 상기 설비 전방 단부 모듈과 인접하도록 배치되며, 상기 건식 세정 챔버에서 세정 처리된 기판을 습식 세정 처리하는 습식 세정 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a wet cleaning chamber for wet cleaning the substrate that has been cleaned in the dry cleaning chamber, the one side being adjacent to the dry cleaning chamber and the other side being disposed adjacent to the facility front end module. Processing device. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 건식 세정 챔버 및 상기 습식 세정 챔버에 인접하게 배치되며, 상기 건식 세정 챔버로부터 상기 습식 세정 챔버로 기판을 이송하는 이송 챔버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a transfer chamber disposed adjacent to the dry cleaning chamber and the wet cleaning chamber for transferring the substrate from the dry cleaning chamber to the wet cleaning chamber. 기판 처리 공정이 진행되는 처리실들과;A processing chamber in which a substrate processing process is performed; 상기 처리실들로 이송될 기판을 전달받는 로드락 챔버와;A load lock chamber for receiving a substrate to be transferred to the process chambers; 상기 로드락 챔버와 상기 처리실들의 사이에 배치되며, 상기 처리실들 간 또는 상기 처리실들과 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버와;A transfer chamber disposed between the load lock chamber and the process chambers and transferring the substrate between the process chambers or between the process chambers and the load lock chamber; 상기 로드락 챔버의 전방에 배치되어 기판이 수용된 용기와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 설비 전방 단부 모듈;을 포함하되,And a facility front end module disposed in front of the load lock chamber for transferring a substrate between a container containing the substrate and the load lock chamber, 상기 처리실들은,The treatment chambers are, 상기 트랜스퍼 챔버의 둘레에 배치되는 제 1 처리실들과;First processing chambers disposed around the transfer chamber; 상기 제 1 처리실들 중 하나의 제 1 처리실과 상기 설비 전방 단부 모듈의 사이에 배치되는 제 2 처리실;을 포함하는 것을 특징으로 하는 하는 기판 처리 장치.And a second processing chamber disposed between the first processing chamber of one of the first processing chambers and the apparatus front end module. 제 5 항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 제 2 처리실과 상기 제 2 처리실에 인접 배치된 상기 제 1 처리실의 사이에 배치되며, 상기 제 1 처리실로부터 상기 제 2 처리실로 기판을 이송하는 이송 챔버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Further comprising a transfer chamber disposed between the second processing chamber and the first processing chamber disposed adjacent to the second processing chamber and configured to transfer the substrate from the first processing chamber to the second processing chamber, Device. 기판을 처리하는 방법에 있어서,A method of processing a substrate, 설비 전방 단부 모듈로부터 로드락 챔버로 기판을 이송하고,Transferring the substrate from the facility front end module to the load lock chamber, 상기 로드락 챔버로부터 트랜스퍼 챔버의 둘레에 배치된 공정 챔버로 기판을 이송하여 기판상에 패턴을 형성하기 위한 공정을 진행하고,Transferring the substrate from the load lock chamber to a process chamber disposed around the transfer chamber to perform a process for forming a pattern on the substrate, 상기 공정 챔버에서 공정이 진행된 기판을 상기 트랜스퍼 챔버의 측부에 배치된 건식 세정 챔버에서 건식 세정 처리하고,Wherein the substrate processed in the process chamber is subjected to a dry cleaning process in a dry cleaning chamber disposed on the side of the transfer chamber, 상기 건식 세정 챔버에서 처리된 기판을 일 측이 상기 건식 세정 챔버와 인접하고 타 측이 상기 설비 전방 단부 모듈과 인접하게 배치된 습식 세정 챔버에서 습식 세정 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Wherein the substrate processed in the dry scrubbing chamber is subjected to a wet scrubbing process in a wet scrubbing chamber having one side adjacent the dry scrubbing chamber and the other side adjacent the facility front end module. 삭제delete 삭제delete 기판을 처리하는 방법에 있어서,A method of processing a substrate, 설비 전방 단부 모듈로부터 로드락 챔버로 기판을 이송하고,Transferring the substrate from the facility front end module to the load lock chamber, 상기 로드락 챔버로부터 트랜스퍼 챔버의 둘레에 배치된 제 1 처리실들로 기판을 이송하여 기판에 대한 제 1 처리 공정을 진행하고,Transferring the substrate from the load lock chamber to the first process chambers disposed around the transfer chamber to proceed with the first process on the substrate, 상기 제 1 처리실에서 처리된 기판을 상기 제 1 처리실들 중 어느 하나의 제 1 처리실과 상기 설비 전방 단부 모듈의 사이에 배치된 제 2 처리실로 이송하여 기판에 대한 제 2 처리 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processed in the first processing chamber is transferred to a second processing chamber disposed between the first processing chamber and the facility front end module of any one of the first processing chambers to perform a second processing process on the substrate .
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