KR101369511B1 - Substrate treatment apparatus and method using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마처리 등의 소정의 공정을 거친 기판을 캐리어에 수납하기 전에 세정함으로써 캐리어 내에서 잔류가스가 방출되거나 잔류가스가 기판에 대하여 이상반응을 일으키는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 기판처리장치는 반송로봇이 구비되는 반송챔버; 상기 반송챔버에 이웃하여 설치되며, 상기 반송로봇에 의해 공급된 기판에 대하여 소정의 처리를 하는 적어도 1 이상의 공정챔버; 상기 공정챔버에서 소정의 처리가 수행된 기판을 세정하는 세정모듈; 및 상기 세정모듈에서 세정된 기판을 캐리어로 전달하는 이송모듈;을 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to clean a substrate that has been subjected to a predetermined process such as plasma treatment before storing it in a carrier so that residual gas is released from the carrier or the residual gas reacts abnormally with the substrate. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method capable of preventing the occurrence of a defect.
The substrate processing apparatus according to the present invention comprises a conveying chamber having a conveying robot; At least one process chamber disposed adjacent to the transfer chamber and configured to perform a predetermined process on the substrate supplied by the transfer robot; A cleaning module for cleaning a substrate on which a predetermined process is performed in the process chamber; And a transfer module configured to transfer the substrate cleaned by the cleaning module to a carrier.

Description

기판처리장치 및 방법{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND METHOD USING THE SAME}Substrate Processing Apparatus and Method {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND METHOD USING THE SAME}

본 발명은 기판처리장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마처리 등의 소정의 공정을 거친 기판을 캐리어에 수납하기 전에 세정함으로써 캐리어 내에서 잔류가스가 방출되거나 잔류가스가 기판에 대하여 이상반응을 일으키는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to clean a substrate that has been subjected to a predetermined process such as plasma treatment before storing it in a carrier so that residual gas is released from the carrier or the residual gas reacts abnormally with the substrate. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method capable of preventing the occurrence of a defect.

일반적으로 반도체소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 선택적으로 반복 수행함으로써 적어도 하나 이상의 도전층, 반도체층, 부도체층 등을 적층하여 조합되게 하는 것으로 제조된다. In general, a semiconductor device is formed by laminating at least one conductive layer, semiconductor layer, non-conductor layer, etc. by selectively repeating a process such as photolithography, etching, ashing, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, and metal deposition on a wafer. To be combined.

예를 들어, 이온주입공정은 반도체 소자를 제조하는데 필요한 웨이퍼의 전기적 특성을 변화시키기 위해 웨이퍼 등(이하, '기판'이라고 함)에 소정의 불순물을 강제적으로 주입하는 공정을 일컫는다. For example, the ion implantation process refers to a process of forcibly injecting a predetermined impurity into a wafer or the like (hereinafter, referred to as a substrate) in order to change electrical characteristics of a wafer required for manufacturing a semiconductor device.

도 1은 종래의 이온주입장치(200)를 나타낸 것이다. 도시된 바와 같이, 기판을 수납한 캐리어가 로딩되는 로드포트(250)와, 상기 캐리어로부터 기판을 반입/반출하기 위하여 핸들러(241)가 구비되는 이송모듈(240)과, 반송로봇(211)이 구비되는 반송챔버(210)와, 기판에 이온주입공정을 실시하는 공정챔버(220)를 포함한다. 또한 경우에 따라서 이송모듈(240)과 반송챔버(210) 사이에 진공과 대기분위기가 반복 조성되는 로드락챔버(230)가 구비된다. 1 shows a conventional ion implantation apparatus 200. As shown in the drawing, a load port 250 into which a carrier containing a substrate is loaded, a transfer module 240 equipped with a handler 241 for loading / exporting a substrate from the carrier, and a transfer robot 211 are provided. The conveying chamber 210 is provided, and the process chamber 220 which performs an ion implantation process to a board | substrate. In addition, in some cases, a load lock chamber 230 is provided between the transfer module 240 and the transfer chamber 210 in which a vacuum and an atmosphere are repeatedly formed.

도 2를 참조하면, 공정챔버(220)는 이온주입공정이 수행되는 챔버로써, 공정챔버의 내부에는 복수의 기판이 안착되는 디스크(221)와, 상기 디스크(221)를 회전시키는 회전유닛(미도시)이 구비된다. Referring to FIG. 2, the process chamber 220 is a chamber in which an ion implantation process is performed, and a disk 221 on which a plurality of substrates are seated in the process chamber, and a rotating unit for rotating the disk 221 (not shown). H) is provided.

또한 상기 공정챔버(220)에는 이온소스부(261)와 이온가속부(266)가 연결되는데, 상기 이온소스부(261)는 이온을 발생시키는 이온발생기(262)와, 이온발생기로부터 이온을 추출하는 이온추출기(263)와, 이온추출기로부터 제공되는 이온의 극성을 변환시키는 극성변환기(264)와, 이온으로부터 특정 이온을 선별하는 질량분석기(265)를 포함한다. 이온발생기는 아크방전형, 고주파(radio frequency)형, 이중플라즈마트론(duoplasmatron)형, 냉음극(cold cathode)형, 스퍼터(sputter)형, 페닝(penning ionization)형 등의 이온발생기가 사용될 수 있다. In addition, an ion source unit 261 and an ion accelerator 266 are connected to the process chamber 220. The ion source unit 261 extracts ions from the ion generator 262 and ion generators for generating ions. An ion extractor 263, a polarity converter 264 for converting the polarity of ions provided from the ion extractor, and a mass spectrometer 265 for selecting specific ions from the ions. The ion generator may be an ion generator such as an arc discharge type, a radio frequency type, a duoplasmatron type, a cold cathode type, a sputter type, a penning ionization type, or the like. .

그리고 이온가속부(266)는 이온을 가속시키며 극성을 변환시키기 위한 가속기(267)와, 이온의 초점을 조절하기 위한 포커싱 마그네트와 이온의 진행방향을 조절하기 위한 이온편향계(268) 등을 포함한다. The ion accelerator 266 includes an accelerator 267 for accelerating ions and converting polarity, a focusing magnet for adjusting the focus of the ions, and an ion deflector 268 for adjusting the traveling direction of the ions. do.

종래의 이온주입장치(200)의 작동상태를 설명하면, 기판이 수납된 캐리어가 로드포트(250)에 로딩되면, 이송모듈(240)의 핸들러(241)를 이용하여 캐리어로부터 기판을 반출한다. 반출된 기판은 로드락챔버(230)를 통해 반송챔버(210)로 전달되고, 반송로봇(211)을 이용해 공정챔버(220)로 공급하여 이온주입공정이 수행된다. 이와 같이 기판에 대하여 이온주입공정이 완료되면, 다시 기판을 반송챔버(210)와 로드락챔버(230), 이송모듈(240)을 통해 캐리어에 수납한다. 이와 같이 이온주입공정이 완료된 기판이 캐리어에 수납되면, 후속공정을 위해 캐리어를 이송한다. 후속공정 수행전에 세정모듈로 이송하여 세정을 하기도 한다. Referring to the operation state of the conventional ion implantation device 200, when the carrier containing the substrate is loaded in the load port 250, the substrate is carried out from the carrier using the handler 241 of the transfer module 240. The transported substrate is transferred to the transfer chamber 210 through the load lock chamber 230 and supplied to the process chamber 220 using the transfer robot 211 to perform the ion implantation process. As such, when the ion implantation process is completed for the substrate, the substrate is stored in the carrier through the transfer chamber 210, the load lock chamber 230, and the transfer module 240. When the substrate in which the ion implantation process is completed is accommodated in the carrier as described above, the carrier is transferred for the subsequent process. The cleaning may be performed by transferring to the cleaning module before performing the subsequent process.

한편, 반도체 작업 현장에서는 기판을 각 공정으로 이송할 때 이물질이 부착되는 것을 방지하고 진동 및 충격으로 인한 손상을 방지하기 위해서 밀폐형 캐리어를 사용한다. On the other hand, in a semiconductor work site, a sealed carrier is used to prevent foreign matter from adhering to the substrate and to prevent damage due to vibration and shock.

도 3은 종래의 밀폐형 캐리어를 도시한 것이다. 밀폐형 캐리어(100)는 전면이 개방되는 형태의 FOUP(Front Opening Unified Pod)로서, 전면이 개방된 상태의 하우징(101)과, 상기 하우징(101)의 개구 부분을 개폐하기 위한 도어(102)와, 상기 하우징(101)의 내부에 상하방향으로 일정한 간격을 두고 복수개가 배열되는 기판 지지용 선반(103)을 포함하여 이루어진다.3 shows a conventional hermetic carrier. The hermetic carrier 100 is a front opening Unified Pod (FOUP) having a front surface, a housing 101 having a front surface open, a door 102 for opening and closing an opening of the housing 101, and The substrate supporting shelf 103 includes a plurality of substrates arranged at regular intervals in a vertical direction in the housing 101.

상술한 이온주입공정이 완료된 후, 밀폐형 캐리어에 수납한 상태로 후속공정을 위해 기판을 이송하는데, 이송 중 밀폐형 캐리어 내에서는 기판의 표면에 잔류되어 있던 반응가스(이하, '잔류가스'라고 함) 등이 밀폐형 캐리어의 내부로 방출, 확산되게 되는데, 잔류가스가 외부로 방출되지 못하기 때문에 밀폐형 캐리어의 내부에는 고농도의 잔류가스가 존재하게 되는 것이다. 통상, 이러한 잔류가스는 인체에 매우 유해하다. 이 상태에서 후속공정을 위해 밀폐형 캐리어의 도어를 개방하게 되면, 고농도의 잔류가스가 순간적으로 방출되게 된다. 따라서 작업공간내에 잔류가스에 포함되어 있는 환경오염물질이 다량 방출되어 환경오염 문제를 야기한다. 이러한 이유로 반도체 공정에 참여한 작업자가 심각한 병에 걸려 사회적 문제가 되고 있다. After the ion implantation process is completed, the substrate is transferred for the subsequent process while being stored in the sealed carrier, and the reaction gas remaining on the surface of the substrate in the sealed carrier during the transfer (hereinafter referred to as 'residual gas'). The back is discharged to the inside of the hermetic carrier, and the diffusion gas, because the residual gas is not discharged to the outside will have a high concentration of residual gas inside the hermetic carrier. Usually, such residual gas is very harmful to human body. In this state, when the door of the sealed carrier is opened for the subsequent process, a high concentration of residual gas is instantaneously released. Therefore, a large amount of environmental pollutants contained in the residual gas in the work space is released, causing environmental pollution problems. For this reason, workers who participate in the semiconductor process are seriously ill and become a social problem.

더욱이, 잔류가스가 밀폐형 캐리어 내에서 이상반응을 일으켜 밀폐형 캐리어 내에 존재하는 기판에 대하여도 악영향을 미치게 된다. 예를 들어 밀폐형 캐리어 내에 수납된 기판이 직전에 이온주입공정을 거친 경우 잔류가스가 기판표면에 증착되는 문제가 있다. 더 나아가 밀폐형 캐리어 내에서 잔류가스에 포함된 이물질과 공기가 접촉하여 기판표면에 산화막이 형성되는 문제점도 있다. Moreover, residual gas adversely reacts in the hermetic carrier and adversely affects the substrate present in the hermetic carrier. For example, when the substrate accommodated in the hermetic carrier undergoes an ion implantation process immediately before, a residual gas is deposited on the surface of the substrate. Furthermore, there is a problem in that an oxide film is formed on the surface of the substrate by contacting air and foreign matter included in the residual gas in the sealed carrier.

경우에 따라서는 밀폐형 캐리어에 수납된 기판은 후속공정을 수행하기 전에 세정모듈로 이송되어 기판을 세정하기도 하지만, 이 경우에도 세정모듈까지 이송하는 시간 동안 위와 같은 문제는 발생된다. In some cases, the substrate accommodated in the hermetic carrier may be transferred to the cleaning module to clean the substrate before performing the subsequent process, but even in this case, the above problem occurs during the transfer time to the cleaning module.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 플라즈마처리 등의 소정의 공정을 거친 기판을 캐리어에 수납하기 전에 세정함으로써 캐리어 내에서 잔류가스가 방출되거나 잔류가스가 기판에 대하여 이상반응을 일으키는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 방법을 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to clean a substrate which has been subjected to a predetermined process, such as plasma treatment, before being stored in the carrier, thereby releasing residual gas or leaving residual gas in the carrier. An object of the present invention is to provide a substrate treating apparatus and method which can prevent an adverse reaction from occurring.

위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 기판처리장치는 반송로봇이 구비되는 반송챔버; 상기 반송챔버에 이웃하여 설치되며, 상기 반송로봇에 의해 공급된 기판에 대하여 소정의 처리를 하는 적어도 1 이상의 공정챔버; 상기 공정챔버에서 소정의 처리가 수행된 기판을 세정하는 세정모듈; 및 상기 세정모듈에서 세정된 기판을 캐리어로 전달하는 이송모듈;을 포함한다.In order to solve the above technical problem, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a conveying chamber having a conveying robot; At least one process chamber disposed adjacent to the transfer chamber and configured to perform a predetermined process on the substrate supplied by the transfer robot; A cleaning module for cleaning a substrate on which a predetermined process is performed in the process chamber; And a transfer module configured to transfer the substrate cleaned by the cleaning module to a carrier.

또한 상기 세정모듈은 상기 이송모듈 또는 반송챔버 내에 구비되는 것이 바람직하다. In addition, the cleaning module is preferably provided in the transfer module or the transfer chamber.

또한 상기 세정모듈은 상기 이송모듈 또는 반송챔버에 이웃하여 설치되는 것이 바람직하다. In addition, the cleaning module is preferably installed adjacent to the transfer module or the transfer chamber.

또한 상기 세정모듈은 상기 기판에 세정액을 분사하거나 또는 상기 기판을 세정액에 디핑하여 세정하는 것이 바람직하다. In addition, the cleaning module may be cleaned by spraying the cleaning liquid on the substrate or by dipping the substrate into the cleaning liquid.

또한 상기 공정챔버는 플라즈마와 반응가스를 사용하여 상기 기판에 소정의 처리를 하는 것이 바람직하다. In addition, the process chamber is preferably subjected to a predetermined process on the substrate using a plasma and a reaction gas.

또한 상기 캐리어는 밀폐형 캐리어인 것이 바람직하다. In addition, the carrier is preferably a closed carrier.

본 발명에 의한 기판처리방법은 1) 기판에 대하여 소정의 공정을 수행하는 단계; 2) 상기 기판을 세정하는 단계; 및 3) 세정한 기판을 밀폐형 캐리어에 적재하는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다. Substrate processing method according to the present invention comprises the steps of 1) performing a predetermined process on the substrate; 2) cleaning the substrate; And 3) loading the cleaned substrate into a sealed carrier.

또한 상기 1)단계는, 상기 공정은 플라즈마처리 공정인 것이 바람직하다. In addition, in the step 1), the process is preferably a plasma treatment process.

또한 상기 2)단계는, 상기 기판에 세정액을 분사하거나 상기 기판을 세정액에 디핑하여 수행되는 것이 바람직하다. In addition, step 2) is preferably performed by spraying a cleaning liquid on the substrate or dipping the substrate in the cleaning liquid.

본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 등의 소정 공정을 거친 기판을 캐리어에 수납하기 전에 세정을 하기 때문에 캐리어 내에서 잔류가스가 방출되는 것을 방지할 수 있다. According to the present invention, since the substrate having been subjected to the predetermined process such as plasma treatment is cleaned before being stored in the carrier, residual gas can be prevented from being released in the carrier.

따라서 공정 후 기판을 캐리어에 수납한 상태로 이송한 다음, 후속공정에서 캐리어를 개방하더라도 작업환경이 오염되는 것을 방지할 수 있다. Therefore, even after the substrate is transported in a state in which it is stored in the carrier, the contamination of the working environment can be prevented even if the carrier is opened in a subsequent process.

특히, 기판이 캐리어에 수납되어 후속공정을 위해 이송되는 동안 잔류가스가 기판에 작용하여 이상반응을 일으키는 것을 원천적으로 방지할 수 있다.
In particular, it is possible to fundamentally prevent residual gas from acting on the substrate and causing an abnormal reaction while the substrate is received in the carrier and transported for subsequent processing.

도 1 및 도 2는 종래 이온주입장치를 도시한 것이다.
도 3은 종래 밀폐형 캐리어를 도시한 것이다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치의 다른 실시예를 나타낸 것이다. 1 and 2 show a conventional ion implantation apparatus.
3 shows a conventional hermetic carrier.
4 and 5 show another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판처리장치의 구조 및 작용을 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the structure and operation of the substrate processing apparatus according to the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 제1실시예(300)는 기판을 수납한 밀폐형 캐리어(미도시)가 로딩되는 로드포트(350)와, 상기 밀폐형 캐리어로부터 기판을 반입/반출하기 위하여 핸들러(341)가 구비되는 이송모듈(340)과, 반송로봇(311)이 구비되는 반송챔버(310)와, 기판에 소정의 처리를 실시하는 공정챔버(320)를 포함한다. 또한 이송모듈(340)과 반송챔버(310) 사이에 진공과 대기분위기가 반복 조성되는 로드락챔버(330)가 구비된다. 상기 공정챔버(320)는 이온주입챔버, 증착챔버 및 식각챔버 중 어느 하나일 수 있다. Referring to FIG. 4, a first embodiment 300 according to the present invention includes a load port 350 loaded with a sealed carrier (not shown) containing a substrate, and a handler for carrying in / out of a substrate from the sealed carrier. A transfer module 340 provided with a 341, a transfer chamber 310 provided with a transfer robot 311, and a process chamber 320 for performing a predetermined process on the substrate. In addition, a load lock chamber 330 is provided between the transfer module 340 and the transfer chamber 310 in which a vacuum and an atmosphere are repeatedly formed. The process chamber 320 may be any one of an ion implantation chamber, a deposition chamber, and an etching chamber.

특히, 본 실시예(300)는 상기 이송모듈(340) 내에 소정의 처리가 실시된 기판을 세정하는 세정모듈(360)이 더 구비되어 있음을 알 수 있다. 상기 세정모듈(360)은 소정의 처리가 실시된 기판을 밀폐형 캐리어에 수납하기 전에 플라즈마나 공정가스 등 잔류가스를 제거하기 위한 것이다. 상기 세정모듈(360)은 습식으로 세정하는 것이 바람직하다. 즉, 기판에 초순수나 케미컬(이하, '세정액'이라고 한다) 등을 직접 분사하는 분사노즐(미도시)을 구비한다. 또는 세정액이 수용된 수조에 기판을 디핑하는 것도 가능하다. 물론, 세정모듈(360)에는 세정액에 의한 세정 후 기판을 건조하는 건조수단(미도시)이 구비되는 것은 당연하다. In particular, this embodiment 300 can be seen that the cleaning module 360 is further provided in the transfer module 340 to clean the substrate subjected to a predetermined process. The cleaning module 360 is for removing residual gas such as plasma or process gas before accommodating a substrate subjected to a predetermined process into a sealed carrier. The cleaning module 360 is preferably wet. That is, the injection nozzle (not shown) which injects ultrapure water, a chemical (henceforth a "cleaning liquid"), etc. directly to a board | substrate is provided. Alternatively, the substrate may be dipped into a bath containing a cleaning liquid. Of course, the cleaning module 360 is naturally provided with a drying means (not shown) for drying the substrate after cleaning with the cleaning liquid.

이하, 본 실시예의 작동상태 및 이를 이용한 기판처리방법을 설명하면, 먼저, 밀폐형 캐리어에 기판이 수납된 채, 로드포트(350)에 로딩된다. 다음으로, 기판을 이송모듈(340)의 핸들러(341)를 이용하여 로드락챔버(330)를 통해 반송챔버(310)로 반입하고, 반입된 기판을 반송로봇(311)에 의해 다시 공정챔버(320)로 반입되어 이온주입이나 에칭, 증착 등의 공정이 수행된다. Hereinafter, the operating state of the present embodiment and the substrate processing method using the same will be described. First, the substrate is loaded in the sealed carrier and loaded in the load port 350. Next, the substrate is loaded into the conveying chamber 310 through the load lock chamber 330 using the handler 341 of the conveying module 340, and the conveyed substrate is processed again by the conveying robot 311. 320, the process such as ion implantation, etching, deposition is performed.

다음으로, 소정의 처리가 실시된 기판은 반송챔버(310)와 로드락챔버(330)를 통해 이송모듈(340)로 전달되고, 세정모듈(360)에서 습식으로 세정되어 잔류가스를 제거한다. 이 상태에서 밀폐형 캐리어에 수납되고, 밀폐형 캐리어에 수납된 상태로 후속공정을 위해 기판을 이송한다. 상술한 바와 같이, 잔류가스가 제거된 상태로 밀폐형 캐리어에 수납되기 때문에 밀폐형 캐리어의 내부에 잔류가스가 존재하지 않게 되는 것이다. 따라서 잔류가스에 의한 작업환경 오염이나 잔류가스가 기판에 영향을 미치는 것이 배제되는 것이다. Next, the substrate subjected to a predetermined process is transferred to the transfer module 340 through the transfer chamber 310 and the load lock chamber 330, and is wet-cleaned in the cleaning module 360 to remove residual gas. In this state, the substrate is housed in the hermetic carrier, and the substrate is transported for the subsequent process while being housed in the hermetic carrier. As described above, since the residual gas is stored in the hermetic carrier while the residual gas is removed, no residual gas is present in the hermetic carrier. Therefore, contamination of the working environment due to residual gas or influence of the residual gas on the substrate is excluded.

도 5는 본 발명에 의한 제2실시예(400)를 나타낸 것이다. 세정모듈(360)이 이송모듈(340) 내에 설치된 제1실시예(300)와 달리 세정모듈(460)이 공정챔버(420)와 마찬가지로 반송챔버(410)에 이웃하여 설치된다는 차이점이 있다. 기타 구성은 동일하므로 반복설명은 피하기로 한다. 5 shows a second embodiment 400 according to the present invention. Unlike the first embodiment 300 in which the cleaning module 360 is installed in the transfer module 340, the cleaning module 460 is installed adjacent to the transfer chamber 410 similarly to the process chamber 420. Since other configurations are the same, repeated descriptions will be omitted.

도 4와 도 5에 도시된 실시예와 달리, 세정모듈은 반송챔버의 내부에 설치되는 것도 가능하다. 다시 말하면, 기판에 소정의 처리가 실시된 후, 캐리어에 수납되기 전에 세정할 수 있는 조건을 만족하는 한, 세정모듈의 설치위치는 자유롭게 설계변경 가능한 것이다. 즉, 세정모듈은 이송모듈 또는 반송챔버의 내부에 설치되는 것도 가능하고, 이송모듈 또는 반송챔버에 이웃하여 설치되는 것도 가능하다. Unlike the embodiment shown in Figures 4 and 5, the cleaning module may be installed inside the conveying chamber. In other words, the mounting position of the cleaning module can be freely changed in design as long as the condition that can be cleaned after the predetermined processing is performed on the substrate and before being stored in the carrier is satisfied. That is, the cleaning module may be installed inside the transfer module or the transfer chamber, or may be installed adjacent to the transfer module or the transfer chamber.

본 실시예는 기판을 수납하는 캐리어에 대해 밀폐형 캐리어를 예시하고 있으나 비밀폐형 캐리어도 적용 가능하다. 다만, 밀폐형 캐리어의 경우에 잔류가스의 영향이 크므로 밀폐형 캐리어가 적용되는 경우에 본 발명은 더욱 실익이 있을 것이다. This embodiment exemplifies the hermetic carrier for the carrier for storing the substrate, but the hermetic carrier is also applicable. However, since the influence of the residual gas is large in the case of the hermetic carrier, the present invention will be more advantageous when the hermetic carrier is applied.

또한 도 4 및 도 5에 도시된 실시예는 로드락챔버를 포함하고 있으나, 경우에 따라서는 로드락챔버를 생략하는 것도 가능하며, 이송모듈에 핸들러를 생략하고 반송챔버의 반송로봇만으로 핸들러의 기능을 담당하게 할 수도 있다.
In addition, although the embodiment shown in Figures 4 and 5 includes a load lock chamber, it is also possible to omit the load lock chamber in some cases, the function of the handler by omitting the handler in the transfer module and only the transfer robot of the transfer chamber You can also take charge of.

300: 제1실시예
310: 반송챔버 320: 공정챔버
330: 로드락챔버 340: 이송모듈
350: 로드포트 360: 세정모듈
400: 제1실시예
410: 반송챔버 420: 공정챔버
430: 로드락챔버 440: 이송모듈
450: 로드포트 460: 세정모듈300: First embodiment
310: return chamber 320: process chamber
330: load lock chamber 340: transfer module
350: load port 360: cleaning module
400: first embodiment
410: return chamber 420: process chamber
430: load lock chamber 440: transfer module
450: load port 460: cleaning module

Claims (9)

기판에 대하여 플라즈마 처리를 한 후에 상기 기판을 밀폐형 캐리어에 수납할 수 있도록 전달하는 기판처리장치에 있어서,
반송로봇이 구비되는 반송챔버;
상기 반송챔버에 이웃하여 설치되며, 상기 반송로봇에 의해 공급된 상기 기판에 대하여 플라즈마와 반응가스를 사용하여 소정의 처리를 하는 적어도 1 이상의 공정챔버;
상기 밀폐형 캐리어 내에서 잔류가스가 방출되거나 잔류가스가 상기 기판에 대하여 이상반응을 일으키는 것을 방지하기 위하여 상기 공정챔버에서 소정의 플라즈마 처리가 수행된 기판을 밀폐형 캐리어에 수납하기 전에 상기 기판에 세정액을 분사하거나 또는 상기 기판을 세정액에 디핑하여 세정하는 세정모듈; 및
상기 세정모듈에서 세정된 기판을 밀폐형 캐리어로 전달하는 이송모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
In the substrate processing apparatus for delivering the substrate so that it can be stored in the hermetic carrier after the plasma treatment to the substrate,
A conveying chamber having a conveying robot;
At least one process chamber disposed adjacent to the transfer chamber and configured to perform a predetermined process using plasma and a reaction gas on the substrate supplied by the transfer robot;
In order to prevent residual gas from being released in the hermetic carrier or abnormal gas reaction to the substrate, the cleaning liquid is sprayed onto the substrate before storing the substrate having a predetermined plasma treatment in the process chamber in the hermetic carrier. Or a cleaning module for cleaning the substrate by dipping the substrate in a cleaning solution; And
And a transfer module configured to transfer the substrate cleaned by the cleaning module to the hermetic carrier.
제1항에 있어서,
상기 세정모듈은 상기 이송모듈 또는 반송챔버 내에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 1,
The cleaning module is a substrate processing apparatus, characterized in that provided in the transfer module or the transfer chamber.
제1항에 있어서,
상기 세정모듈은 상기 이송모듈 또는 반송챔버에 이웃하여 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.



The method of claim 1,
And the cleaning module is installed adjacent to the transfer module or the transfer chamber.



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