JPH08148465A - Substrate processing device - Google Patents

Substrate processing device

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JPH08148465A
JPH08148465A JP28227494A JP28227494A JPH08148465A JP H08148465 A JPH08148465 A JP H08148465A JP 28227494 A JP28227494 A JP 28227494A JP 28227494 A JP28227494 A JP 28227494A JP H08148465 A JPH08148465 A JP H08148465A
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JP
Japan
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chamber
lid
substrate
main
substrate processing
Prior art date
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Application number
JP28227494A
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Japanese (ja)
Inventor
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To provide a substrate processing device which is low in running cost, wherein the device is equipped with a chamber where a substrate is subjected to chemical processing, cleaning, and drying, and disused gas such as vapor or mist of liquid chemicals generated in a chemical treatment process is capable of being completely removed from the chamber. CONSTITUTION: A vacuum chamber 20 is equipped with a lid 22 provided with an open-close mechanism. When the open-close mechanism is kept open, or an upper slit plate 222 is lifted above a lower slit plate 221, outside air is introduced into the chamber 20 uniformly through the lid 22 through the intermediary of an air inlet 224 and slits 222a and 221a. On the other hand, the vacuum chamber 20 is forcibly and uniformly exhausted by an outer exhauster through an exhaust vent 24 provided to the base of a main body 21. Therefore, disused gas is evenly discharged out of the vacuum chamber and prevented from staying inside it.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置に関し、
より特定的には、半導体デバイス製造プロセス、液晶デ
ィスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセス等
において、シリコンウエハ、ガラス基板、電子部品等の
各種基板に対して各種の処理(薬液処理、洗浄処理およ
び乾燥処理等)を施す装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus,
More specifically, in semiconductor device manufacturing processes, liquid crystal display manufacturing processes, electronic component-related manufacturing processes, etc., various treatments (chemical solution treatment, cleaning treatment, and drying) are performed on various substrates such as silicon wafers, glass substrates, and electronic components. Processing device).

【0002】[0002]

【従来の技術】図9は、従来の基板処理装置の構成を示
す断面図である。図9において、この基板処理装置は、
複数枚の基板1をチャンバ2内の洗浄槽3に収納し、温
純水を洗浄槽内へその底部から供給してその上部から溢
れさせるとともに、洗浄槽内部に温純水の上昇水流を形
成し、その温純水の上昇水流中に基板1を浸漬させて洗
浄するように構成されている。また、洗浄後に基板1を
温純水中から引き上げて洗浄槽内から温純水を排出し、
その後チャンバ2内を真空排気して、基板1を減圧乾燥
させるように構成されている。なお、温純水から基板1
を引き上げるとき、水と相溶性のあるイソプロピルアル
コール(IPA)等の乾燥蒸気を、IPA供給管4を介
してチャンバ2内へ供給し、基板表面上の水を乾燥蒸気
で置換するようにしている。これによって、基板表面か
ら水滴が素早く除去され、乾燥が短時間で行える。
2. Description of the Related Art FIG. 9 is a sectional view showing the structure of a conventional substrate processing apparatus. In FIG. 9, this substrate processing apparatus is
A plurality of substrates 1 are housed in a cleaning tank 3 in a chamber 2, hot pure water is supplied into the cleaning tank from the bottom thereof and overflows from the top thereof, and a rising water flow of the warm pure water is formed inside the cleaning tank. The substrate 1 is immersed in the ascending water flow of 1 to be washed. Also, after cleaning, the substrate 1 is pulled out from the warm pure water and the warm pure water is discharged from the cleaning tank.
After that, the inside of the chamber 2 is evacuated to dry the substrate 1 under reduced pressure. In addition, from warm pure water to substrate 1
At the time of pulling up, the dry steam such as isopropyl alcohol (IPA) compatible with water is supplied into the chamber 2 through the IPA supply pipe 4 to replace the water on the substrate surface with the dry steam. . As a result, water droplets are quickly removed from the substrate surface, and drying can be performed in a short time.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、図9に
示す基板処理装置では、基板の洗浄および乾燥処理のみ
を行っており、エッチングやレジスト膜剥離等のための
薬液処理(基板を各種の薬液(硫酸、過酸化水素、塩
酸、フッ酸、バッファードフッ酸、リン酸等)に浸すこ
とにより行われる)は、他の装置で行っていた。しかし
ながら、このような薬液処理も同一チャンバ内で行える
ようになると、基板の搬送工程を省略でき、また装置コ
ストも低減できるため、製造工程上非常に有利である。
しかしながら、同一チャンバ内で薬液処理も行うことと
すると、以下のような問題点が発生する。
As described above, in the substrate processing apparatus shown in FIG. 9, only the cleaning and drying of the substrate are performed, and the chemical treatment for etching, resist film peeling, etc. Was performed by immersing it in a chemical solution (sulfuric acid, hydrogen peroxide, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid, phosphoric acid, etc.) in another device. However, if such chemical treatment can be performed in the same chamber, the substrate transfer step can be omitted and the apparatus cost can be reduced, which is very advantageous in the manufacturing process.
However, if the chemical solution is also processed in the same chamber, the following problems occur.

【0004】すなわち、チャンバ内で薬液処理を行う場
合、薬液の蒸気やミストがチャンバ内から漏れ出して周
辺の他装置に悪影響を与えることのないように、チャン
バ2の蓋を閉じてその内部を閉空間にする必要がある。
しかしながら、チャンバ内を密閉状態に保つと、チャン
バ内で薬液の蒸気やミストが滞留し、チャンバ2の内壁
面に付着する。そのため、減圧乾燥時に内壁面の付着物
が蒸発して基板1へ再付着したり、反応生成物を生じ
て、汚染、パーティクルを発生することがある。また、
次の薬液の蒸気またはミスト等と反応して、副生物を生
じ、汚染、パーティクルを発生することもある。
That is, when the chemical solution is processed in the chamber, the lid of the chamber 2 is closed and the inside of the chamber 2 is closed so that vapor and mist of the chemical solution do not leak from the chamber and adversely affect other peripheral devices. It needs to be a closed space.
However, if the chamber is kept in a hermetically sealed state, the chemical vapor or mist stays in the chamber and adheres to the inner wall surface of the chamber 2. Therefore, the deposits on the inner wall surface may evaporate and re-attach to the substrate 1 during drying under reduced pressure, or reaction products may be generated to generate contamination and particles. Also,
It may react with the next vapor or mist of the chemical liquid to generate a by-product, resulting in pollution and particles.

【0005】上記のような問題を解消するため、IPA
導入管4から窒素ガスを導入すると共に、排気管5から
チャンバ内の不要気体を排気することが考えられる。し
かしながら、このような方法では、図9に示すように、
チャンバ内に非常に大きな滞留ゾーンαが生じ、この部
分では、薬液の蒸気やミストが十分に排気されない。ま
た、窒素ガスは高価なため、ランニングコストが高くな
るという問題点もある。
In order to solve the above problems, IPA
It is conceivable to introduce nitrogen gas from the introduction pipe 4 and to exhaust unnecessary gas in the chamber from the exhaust pipe 5. However, in such a method, as shown in FIG.
A very large retention zone α occurs in the chamber, and the vapor or mist of the chemical liquid is not sufficiently exhausted in this portion. In addition, since nitrogen gas is expensive, there is a problem that running cost becomes high.

【0006】それゆえに、本発明の目的は、同一チャン
バ内で基板の薬液処理、洗浄処理および乾燥処理を行う
基板処理装置において、薬液処理工程で生じる薬液の蒸
気やミスト等の不要気体をチャンバ内から十分に除去す
ることができ、しかもランニングコストの安い基板処理
装置を提供することである。
Therefore, it is an object of the present invention to remove unnecessary gas such as vapor and mist of a chemical solution in a chamber in a substrate processing apparatus for performing chemical solution processing, cleaning processing and drying processing of substrates in the same chamber. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can be sufficiently removed from the substrate and has a low running cost.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
同一チャンバ内において、基板の薬液処理と洗浄処理と
乾燥処理とを行う基板処理装置であって、チャンバは、
その内部に配列された基板を薬液または純水に浸すため
の処理槽を収納する本体と、本体の上部に着脱自在に取
り付けられる蓋と、本体の底部に形成され、かつ当該底
部の外周から均一にチャンバ内を排気可能な排気口とを
含み、蓋には、その全面から均一に外部の空気を取り入
れる開状態と、外部との間の空気流入路を遮断してチャ
ンバ内への空気の取り入れを停止する閉状態とを切り換
えるための開閉機構が設けられており、排気口に接続さ
れ、チャンバ内を強制的に排気するための強制排気手段
をさらに備えている。
The invention according to claim 1 is
A substrate processing apparatus for performing a chemical solution treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment on a substrate in the same chamber, the chamber comprising:
A main body that houses a processing tank for immersing the substrates arranged inside it in a chemical solution or pure water, a lid that is detachably attached to the upper part of the main body, and a lid that is formed on the bottom of the main body and that is uniform from the outer periphery of the bottom. The chamber includes an exhaust port capable of exhausting the inside of the chamber, and the lid has an open state in which the outside air is uniformly taken in from the entire surface, and an air inflow path between the outside and the outside is shut off to take the air into the chamber. An opening / closing mechanism for switching between a closed state in which the chamber is stopped and a closed state are provided, and a forced evacuation unit for forcibly exhausting the inside of the chamber is further provided, which is connected to the exhaust port.

【0008】請求項2に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、開閉機構は、それぞれにスリットまたは透孔が
形成された2枚の板を相対的に移動させることにより開
閉を行うことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the opening / closing mechanism opens and closes by relatively moving two plates each having a slit or a through hole formed therein. And

【0009】請求項3に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、開閉機構は、複数の回動板によって構成され、
各回動板を回動させることにより開閉を行うことを特徴
とする。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the opening / closing mechanism is composed of a plurality of rotating plates.
It is characterized in that opening / closing is performed by rotating each rotating plate.

【0010】請求項4に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、蓋には、外部から取り入れる空気を清浄化する
ためのフィルタがさらに設けられている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the lid is further provided with a filter for cleaning the air taken in from the outside.

【0011】請求項5に係る発明は、同一チャンバ内に
おいて、基板の薬液処理と洗浄処理と乾燥処理とを行う
基板処理装置であって、チャンバは、その内部に配列さ
れた基板を薬液または純水に浸すための処理槽を収納す
る本体と、本体の上部に着脱自在に取り付けられ、かつ
その内部に外部からの流体が強制的に導入される蓋と、
本体の底部に形成され、かつ当該底部の外周から均一に
チャンバ内を排気可能な排気口とを含み、蓋には、複数
のスリットまたは透孔が形成され、かつ導入された流体
を分散させてチャンバ内に導入するための分散板が設け
られ、排気口に接続され、チャンバ内を強制的に排気す
るための強制排気手段をさらに備えている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a chemical treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment on a substrate in the same chamber, wherein the chamber has the substrates arranged therein in a chemical liquid or a pure liquid. A main body for accommodating a treatment tank for immersing in water, a lid detachably attached to the upper part of the main body, and a fluid forcibly introduced from the outside into the inside thereof,
It includes an exhaust port formed in the bottom of the main body and capable of uniformly exhausting the inside of the chamber from the outer periphery of the bottom, the lid is formed with a plurality of slits or through holes, and the introduced fluid is dispersed. A dispersion plate for introducing into the chamber is provided, and the dispersion plate is further provided with a forced exhaust means connected to an exhaust port and forcibly exhausting the inside of the chamber.

【0012】[0012]

【作用】請求項1〜4に係る発明においては、チャンバ
は、開閉機構の開状態時に、蓋の全面から均一に外部の
空気を取り入れる。一方、本体の底部に形成された排気
口は、強制排気手段と協働して、本体底部の外周から均
一にチャンバ内を強制排気する。したがって、チャンバ
内の不要気体は、まんべんなく排気され、チャンバ内に
滞留ゾーンを生じない。また、空気を供給することによ
って薬液の蒸気やミストを排気するようにしているの
で、窒素ガス等を用いる場合に比べて、ランニングコス
トが安くなる。
In the invention according to claims 1 to 4, the chamber uniformly takes in outside air from the entire surface of the lid when the opening / closing mechanism is open. On the other hand, the exhaust port formed at the bottom of the main body cooperates with the forced exhaust means to forcibly exhaust the inside of the chamber evenly from the outer periphery of the bottom of the main body. Therefore, the unnecessary gas in the chamber is exhausted evenly and does not create a retention zone in the chamber. Further, since the chemical vapor or mist is exhausted by supplying air, the running cost is lower than that when nitrogen gas or the like is used.

【0013】さらに、請求項4に係る発明においては、
蓋に設けられたフィルタが、外部から取り入れる空気を
清浄化するため、チャンバ内には常に清浄な空気が供給
され、パーティクルの発生が最小限に抑えられる。
Further, in the invention according to claim 4,
Since the filter provided on the lid cleans the air taken in from the outside, clean air is always supplied into the chamber, and the generation of particles is minimized.

【0014】請求項5に係る発明においては、チャンバ
の蓋の内部に強制的に導入された外部からの流体は、分
散板によって分散されてチャンバ内に導入される。一
方、本体の底部に形成された排気口は、強制排気手段と
協働して、本体底部の外周から均一にチャンバ内を強制
排気する。したがって、チャンバ内の不要気体は、まん
べんなく排気され、チャンバ内に滞留ゾーンを生じな
い。
According to the fifth aspect of the invention, the fluid from the outside which is forcibly introduced into the chamber lid is dispersed by the dispersion plate and introduced into the chamber. On the other hand, the exhaust port formed at the bottom of the main body cooperates with the forced exhaust means to forcibly exhaust the inside of the chamber evenly from the outer periphery of the bottom of the main body. Therefore, the unnecessary gas in the chamber is exhausted evenly and does not create a retention zone in the chamber.

【0015】[0015]

【実施例】図1は、本発明の一実施例に係る基板処理装
置の構成を示す断面図である。なお、本実施例の基板処
理装置は、従来の基板処理装置と同様、1つの減圧チャ
ンバ内で、各種基板(半導体集積回路のためのシリコン
ウエハ、液晶表示装置のためのガラス基板、他の電子部
品のための基板等)の洗浄処理および乾燥処理を行う
が、さらに、同一の減圧チャンバ内でエッチングやレジ
スト膜剥離等のための薬液処理も行える構成となってい
る。以下、図1を参照して、本実施例の基板処理装置の
構成について説明する。
1 is a sectional view showing the structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus of the present embodiment is similar to the conventional substrate processing apparatus in one decompression chamber, and various substrates (silicon wafers for semiconductor integrated circuits, glass substrates for liquid crystal display devices, other electronic devices). The cleaning process and the drying process are performed on the substrate (for parts, etc.), and the chemical solution treatment for etching, resist film peeling, etc. can be further performed in the same decompression chamber. The configuration of the substrate processing apparatus of this embodiment will be described below with reference to FIG.

【0016】図1において、減圧チャンバ20内には、
処理槽30が取り外し可能にまたは固定的に収納されて
いる。この処理槽30の内部には、複数枚(例えば、5
0枚)の基板1がそれぞれ所定の間隔を開けてかつ平行
に配列されている。また、処理槽30の底部には、注入
管31が設けられる。この注入管31には、減圧チャン
バ20外部の薬液/純水供給源から薬液または純水が供
給される。
In FIG. 1, inside the decompression chamber 20,
The processing tank 30 is detachably or fixedly stored. A plurality of sheets (for example, 5
The (zero) substrates 1 are arranged in parallel at predetermined intervals. An injection pipe 31 is provided at the bottom of the processing tank 30. A chemical liquid or pure water is supplied to the injection pipe 31 from a chemical liquid / pure water supply source outside the decompression chamber 20.

【0017】減圧チャンバ20は、処理槽30を収納す
る本体21と、この本体21の上部に取り付けられる蓋
22とから構成されている。蓋22を本体21に取り付
けると、Oリング23の作用により、蓋22と本体21
とが密着され、減圧チャンバ20の内部は密閉状態とな
る。また、蓋22の裏面には、IPA(イソプロピルア
ルコール)導入管40が取り付けられている。このIP
A導入管40は、処理槽30の内部に収納される基板1
の配列方向(すなわち、図1の紙面に対して垂直方向)
に沿って延びており、その両端部は、蓋22の側面を貫
通して、図示しない外部のIPA供給源と接続されてい
る。
The decompression chamber 20 is composed of a main body 21 for accommodating the processing bath 30 and a lid 22 attached to the upper part of the main body 21. When the lid 22 is attached to the main body 21, the action of the O-ring 23 causes the lid 22 and the main body 21 to move.
And are brought into close contact with each other, and the inside of the decompression chamber 20 is in a sealed state. Further, an IPA (isopropyl alcohol) introducing pipe 40 is attached to the back surface of the lid 22. This IP
The A introduction pipe 40 is a substrate 1 that is housed inside the processing tank 30.
Array direction (that is, the direction perpendicular to the plane of FIG. 1)
And both ends thereof penetrate the side surface of the lid 22 and are connected to an external IPA supply source (not shown).

【0018】上記蓋22は、下部スリット板221と、
上部スリット板222と、上部カバー223とにより構
成されている。下部スリット板221および上部スリッ
ト板222には、それぞれ、減圧チャンバ内に空気を取
り入れるためのスリット221aおよび222aが複数
本ずつ形成されている。ただし、下部スリット板221
に形成されたスリット221aと、上部スリット板22
2に形成されたスリット222aとは、垂直方向上方か
ら見て、相互に重ならない位置に配置されている。ま
た、上部スリット板222は、下部スリット板221に
対して昇降可能に構成されている。さらに、上部スリッ
ト板222の上には、上部カバー223が取り付けられ
る。この上部カバー223と上部スリット板222との
間には、隙間が開けられており、空気取り入れ口224
を形成している。なお、上記のような下部スリット板2
21および上部スリット板222に代えて、透孔が形成
された板を設けるようにしても良い。
The lid 22 includes a lower slit plate 221 and
It is composed of an upper slit plate 222 and an upper cover 223. Each of the lower slit plate 221 and the upper slit plate 222 is formed with a plurality of slits 221a and 222a for introducing air into the decompression chamber. However, the lower slit plate 221
221a formed in the upper slit plate 22 and the upper slit plate 22
The slit 222a formed in 2 is arranged at a position where they do not overlap each other when viewed from above in the vertical direction. The upper slit plate 222 is configured to be able to move up and down with respect to the lower slit plate 221. Further, an upper cover 223 is attached on the upper slit plate 222. A gap is formed between the upper cover 223 and the upper slit plate 222, and the air intake port 224 is formed.
Is formed. The lower slit plate 2 as described above
Instead of 21 and the upper slit plate 222, a plate having a through hole may be provided.

【0019】減圧チャンバの本体21の底部には、1つ
または複数の排気口24が形成される。排気口24を1
つだけ設ける場合、そのような排気口は、本体21の底
部の外周全体にわたって形成されるのが好ましい。ま
た、排気口24を複数個設ける場合、そのような排気口
は、本体21の底部の外周に沿って等間隔に配置される
のが好ましい。
At the bottom of the body 21 of the decompression chamber, one or more exhaust ports 24 are formed. 1 exhaust port 24
If only one is provided, such an exhaust port is preferably formed over the entire outer circumference of the bottom of the body 21. When a plurality of exhaust ports 24 are provided, such exhaust ports are preferably arranged at equal intervals along the outer circumference of the bottom of the main body 21.

【0020】次に、図2を参照して、下部スリット板2
21と上部スリット板222との関係についてより詳細
に説明する。図2において、(a)は上部スリット板2
22が上死点まで上昇した状態を示し、(b)は上部ス
リット板222が下死点まで下降した状態を示してい
る。図2(a)の状態では、下部スリット板221の各
スリット221aの上部が塞がれていないため、排気動
作によって減圧チャンバ内の気圧が外気圧よりも低くな
ると、空気取り入れ口224に流入した空気が、スリッ
ト222aおよび221aを介して、減圧チャンバ内に
流入する。したがって、このとき蓋22は開いた状態と
なっている。これに対して、図2(b)の状態では、下
部スリット板221の各スリット221aの上部が上部
スリット板222の実体部分(スリット222aが形成
されていない部分)によって塞がれているため、排気動
作によって減圧チャンバ内の気圧が外気圧よりも低くな
っても、空気取り入れ口224に流入した空気は減圧チ
ャンバ内に流入しない。したがって、このとき蓋22は
閉じた状態となっている。なお、下部スリット板221
の上面には、上部スリット板222との密着性を高める
ため、軟質塩化ビニール、シリコンゴム、フッ素ゴム等
から成るガスケット225が貼着されている。当然、こ
のガスケット225にも、スリット221aと同じ位置
に同じ大きさのスリットが形成されている。
Next, referring to FIG. 2, the lower slit plate 2
The relationship between 21 and the upper slit plate 222 will be described in more detail. In FIG. 2, (a) shows the upper slit plate 2
22 shows a state where the upper slit plate 222 has risen to the top dead center, and (b) shows a state where the upper slit plate 222 has descended to the bottom dead center. In the state of FIG. 2A, since the upper part of each slit 221a of the lower slit plate 221 is not closed, when the atmospheric pressure in the decompression chamber becomes lower than the external pressure due to the exhaust operation, the air flows into the air intake port 224. Air flows into the decompression chamber via slits 222a and 221a. Therefore, at this time, the lid 22 is in an open state. On the other hand, in the state of FIG. 2B, since the upper part of each slit 221a of the lower slit plate 221 is closed by the substantial part of the upper slit plate 222 (the part where the slit 222a is not formed), Even if the air pressure inside the decompression chamber becomes lower than the outside air pressure by the exhaust operation, the air that has flown into the air intake port 224 does not flow into the decompression chamber. Therefore, at this time, the lid 22 is in a closed state. The lower slit plate 221
A gasket 225 made of soft vinyl chloride, silicone rubber, fluororubber, or the like is attached to the upper surface of the above in order to enhance the adhesion with the upper slit plate 222. Naturally, the gasket 225 also has slits of the same size formed at the same positions as the slits 221a.

【0021】次に、図3のフローチャートを参照して、
上記実施例の動作を説明する。最初、蓋22は、本体2
1から外されているものとする。また、減圧チャンバ内
で基板を支持する基板支持ガイド6は、リフタ(図示せ
ず)によって本体21の上方の基板受け渡し位置まで持
ち上げられているものとする。次に、前工程の終了した
基板1が、図示しない搬送ロボットによって基板支持ガ
イド6の上部に搬送される。そして、搬送ロボットは、
基板1を把持するチャックを回動させ、基板1を離す。
これによって、基板1は、搬送ロボットから基板支持ガ
イド6に受け渡される(ステップS1)。次に、上記リ
フタは、基板支持ガイド6を、洗浄位置へと下降させる
(ステップS2)。これによって、基板1は、処理槽3
0の内部に収納される。次に、本体21に蓋22が被せ
られる(ステップS3)。
Next, referring to the flowchart of FIG.
The operation of the above embodiment will be described. Initially, the lid 22 is the main body 2
It is assumed to be removed from 1. Further, it is assumed that the substrate support guide 6 that supports the substrate in the decompression chamber is lifted to a substrate transfer position above the main body 21 by a lifter (not shown). Next, the substrate 1 that has undergone the previous process is transported to the upper portion of the substrate support guide 6 by a transport robot (not shown). And the transfer robot
The chuck that holds the substrate 1 is rotated, and the substrate 1 is released.
As a result, the substrate 1 is transferred from the transfer robot to the substrate support guide 6 (step S1). Next, the lifter lowers the substrate support guide 6 to the cleaning position (step S2). As a result, the substrate 1 becomes the processing tank 3
It is stored inside 0. Next, the main body 21 is covered with the lid 22 (step S3).

【0022】次に、上部スリット板222が上死点まで
上昇される。これによって、下部スリット板221の各
スリット221aが開口し、蓋22は図2(a)の開い
た状態になる(ステップS4)。次に、排気口24に接
続された外部の排気装置(図示せず)が駆動を開始し、
減圧チャンバ2の排気が行われる(ステップS5)。
Next, the upper slit plate 222 is raised to the top dead center. As a result, each slit 221a of the lower slit plate 221 is opened, and the lid 22 is in the open state shown in FIG. 2A (step S4). Next, an external exhaust device (not shown) connected to the exhaust port 24 starts driving,
The decompression chamber 2 is evacuated (step S5).

【0023】次に、基板1の薬液処理が行われる(ステ
ップS6)。この薬液処理は、処理槽30の底部に設け
られた注入管31から処理槽内部に各種の薬液(硫酸、
過酸化水素、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸、リン
酸等)を注入することによって行われる。かかる薬液処
理は、薬液の種類を変えながら複数回繰り返される。そ
して、薬液処理が終了すると(ステップS7)、今度は
最終洗浄処理が行われる(ステップS8)。この最終洗
浄処理は、注入管31から処理槽内部に純水を供給する
ことによって行われる。純水の供給は継続的に行われ、
やがて処理槽30の上部から溢れ出す。溢れ出した純水
は、処理槽30の外周上縁部に設けられたオーバフロー
溝によって受けられ、減圧チャンバ外部へと排出され
る。最終洗浄処理が終了すると、上部スリット板222
が下死点まで下降される。これによって、下部スリット
板221の各スリット221aが塞がれ、蓋22は図2
(b)の開いた状態になる(ステップS9)。
Next, the chemical treatment of the substrate 1 is performed (step S6). This chemical treatment is carried out by injecting various chemicals (sulfuric acid, sulfuric acid, etc.) into the treatment tank from an injection pipe 31 provided at the bottom of the treatment tank 30.
Hydrogen peroxide, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid, phosphoric acid, etc.). This chemical solution treatment is repeated a plurality of times while changing the type of chemical solution. Then, when the chemical liquid processing is completed (step S7), the final cleaning processing is performed this time (step S8). This final cleaning process is performed by supplying pure water from the injection pipe 31 to the inside of the processing tank. Pure water is continuously supplied,
Eventually, it overflows from the upper part of the processing tank 30. The overflowed pure water is received by the overflow groove provided on the outer peripheral upper edge of the processing tank 30, and is discharged to the outside of the decompression chamber. When the final cleaning process is completed, the upper slit plate 222
Is lowered to the bottom dead center. As a result, each slit 221a of the lower slit plate 221 is closed, and the lid 22 is closed as shown in FIG.
The state of (b) is opened (step S9).

【0024】次に、基板1の乾燥処理が行われる(ステ
ップS10)。この乾燥処理では、基板支持ガイド6に
よって、基板1が処理槽上方の乾燥位置まで持ち上げら
れる。このとき、基板1は、その上面から純水が溢れ出
している処理槽30から引き上げられるため、純水の表
面に浮遊するパーティクルは、オーバフロー水と共に排
出され、基板3の表面にパーティクルが再付着するのを
防止できる。また、図示しない外部のIPA供給源から
IPA導入管40にIPA蒸気が供給される。IPA導
入管40は、供給されたIPA蒸気をまんべんなく各基
板1に向けて噴出する。各基板1の表面では、水滴がI
PA蒸気と置換される。すなわち、IPAは、基板表面
に付いた水滴の表面張力を低下させるため、当該水滴
は、自重によって基板表面から流れ落ちる。さらに、図
示しない外部の排気装置は、排気口24を介して、減圧
チャンバ内を真空引きする。これによって、処理槽内が
減圧される。その結果、IPA蒸気の沸点が低下し、基
板表面で純水と置換したIPAは、速やかに蒸発し、基
板表面は短時間で乾燥する。なお、水溶性でかつ基板上
に残る水滴の表面張力を低下させる性質を有しておれ
ば、IPA蒸気に代えて他の有機溶剤の蒸気を用いても
良い。また、このような有機溶剤の蒸気に代えて、加熱
された水蒸気を吹き付けて基板表面を乾燥させるように
しても良い。
Next, the substrate 1 is dried (step S10). In this drying process, the substrate 1 is lifted by the substrate support guide 6 to the drying position above the processing bath. At this time, since the substrate 1 is pulled up from the processing tank 30 in which pure water overflows from the upper surface thereof, the particles floating on the surface of the pure water are discharged together with the overflow water, and the particles reattach to the surface of the substrate 3. Can be prevented. Further, IPA vapor is supplied to the IPA introducing pipe 40 from an external IPA supply source (not shown). The IPA introducing pipe 40 spouts the supplied IPA vapor toward the respective substrates 1 evenly. On the surface of each substrate 1, water droplets I
Replaced with PA vapor. That is, IPA lowers the surface tension of water droplets attached to the substrate surface, and therefore the water droplets flow down from the substrate surface due to its own weight. Further, an external exhaust device (not shown) evacuates the inside of the decompression chamber via the exhaust port 24. As a result, the pressure inside the processing tank is reduced. As a result, the boiling point of the IPA vapor is lowered, IPA replaced with pure water on the substrate surface is quickly evaporated, and the substrate surface is dried in a short time. Note that other organic solvent vapors may be used instead of the IPA vapor as long as it is water-soluble and has a property of lowering the surface tension of water droplets remaining on the substrate. Instead of such organic solvent vapor, heated water vapor may be sprayed to dry the substrate surface.

【0025】以上説明したように、図1の実施例では、
薬液処理時において、減圧チャンバ20の蓋22が開状
態(図2(a)参照)となり、減圧チャンバの上部全体
から空気が取り入れられる。また、減圧チャンバ内の不
要気体は、排気口24によって、減圧チャンバの底面外
周部から均一に排気される。したがって、本実施例の基
板処理装置では、図9に示すような滞留ゾーンαは生じ
ず、薬液の蒸気またはミストが効率よく排気される。し
たがって、薬液が減圧チャンバの内壁に付着することが
ない。また、薬液の蒸気やミストを廃棄するために空気
を用いているため、窒素ガスを用いる場合に比べて、ラ
ンニングコストが安くなる。
As described above, in the embodiment shown in FIG.
During chemical treatment, the lid 22 of the decompression chamber 20 is opened (see FIG. 2A), and air is taken in from the entire upper portion of the decompression chamber. The unnecessary gas in the decompression chamber is uniformly exhausted from the outer peripheral portion of the bottom surface of the decompression chamber by the exhaust port 24. Therefore, in the substrate processing apparatus of this embodiment, the retention zone α as shown in FIG. 9 does not occur, and the chemical vapor or mist is efficiently exhausted. Therefore, the chemical solution does not adhere to the inner wall of the decompression chamber. In addition, since air is used to discard the vapor of the chemical liquid and the mist, the running cost is lower than that when nitrogen gas is used.

【0026】図4は、減圧チャンバの他の実施例を示す
図である。図4の実施例において、減圧チャンバの蓋部
には、図2のガスケット225に代えて、Oリング22
6が設けられている。このOリング226によって、閉
状態時における下部スリット板221と上部スリット板
222との密着性が保たれる。図4の実施例のその他の
構成は、図1の実施例と同様である。
FIG. 4 is a view showing another embodiment of the decompression chamber. In the embodiment of FIG. 4, the O-ring 22 is used instead of the gasket 225 of FIG.
6 is provided. The O-ring 226 maintains the close contact between the lower slit plate 221 and the upper slit plate 222 in the closed state. Other configurations of the embodiment of FIG. 4 are the same as those of the embodiment of FIG.

【0027】図5は、減圧チャンバのさらに他の実施例
を示す図である。図5の実施例において、減圧チャンバ
の蓋部には、図1の昇降可能な上部スリット板222に
代えて、スライド可能な上部スリット板2220が設け
られている。この上部スリット板2220には、複数の
スリット2220aが形成されている。図5(a)に示
す状態では、垂直方向上部から見て、下部スリット板2
21のスリット221aと、上部スリット板2220の
スリット2220aとの位置が一致しており、減圧チャ
ンバの蓋は開状態となっている。図5(a)に示す状態
から、上部スリット板2220を水平方向にスライドさ
せると、図5(b)に示すように、下部スリット板22
1のスリット221aが上部スリット板2220によっ
て塞がれ、減圧チャンバの蓋は閉状態となる。図5の実
施例のその他の構成は、図1の実施例と同様である。
FIG. 5 is a view showing still another embodiment of the decompression chamber. In the embodiment of FIG. 5, the lid of the decompression chamber is provided with a slidable upper slit plate 2220 instead of the vertically movable upper slit plate 222 of FIG. The upper slit plate 2220 has a plurality of slits 2220a formed therein. In the state shown in FIG. 5A, the lower slit plate 2 is viewed from above in the vertical direction.
The slit 221a of 21 and the slit 2220a of the upper slit plate 2220 are aligned with each other, and the lid of the decompression chamber is open. When the upper slit plate 2220 is slid in the horizontal direction from the state shown in FIG. 5A, as shown in FIG.
The first slit 221a is closed by the upper slit plate 2220, and the lid of the decompression chamber is closed. Other configurations of the embodiment of FIG. 5 are similar to those of the embodiment of FIG.

【0028】図6は、減圧チャンバのさらに他の実施例
を示す図である。図6の実施例において、減圧チャンバ
の蓋25には、図1の上部カバー223に代えて、集塵
用のフィルタ227が設けられている。そのため、減圧
チャンバの蓋25は、このフィルタ227を介して空気
を取り入れるので、減圧チャンバ内には常に清浄な空気
が供給されることになる。図6の実施例のその他の構成
は、図1の実施例と同様である。
FIG. 6 is a view showing still another embodiment of the decompression chamber. In the embodiment of FIG. 6, the lid 25 of the decompression chamber is provided with a filter 227 for collecting dust, instead of the upper cover 223 of FIG. Therefore, since the lid 25 of the decompression chamber takes in air through the filter 227, clean air is always supplied into the decompression chamber. Other configurations of the embodiment of FIG. 6 are similar to those of the embodiment of FIG.

【0029】図7は、減圧チャンバのさらに他の実施例
を示す図である。図7の実施例において、減圧チャンバ
の蓋部には、図1の下部スリット板221および上部ス
リット板222に代えて、分割スリット板228が設け
られている。この分割スリット板228は、それぞれが
回動可能な複数の回動板229によって構成されてい
る。図7(a)に示すように、各回動板229が水平に
保たれている場合、各回動板229は互いに隙間無く連
結され、分割スリット板228は閉じた状態になってい
る。一方、図7(b)に示すように、各回動板229が
軸229aを中心にして上方に回動すると、各回動板2
29間に隙間が生じ、その隙間から減圧チャンバ内に空
気が流入する。すなわち、分割スリット板228は、複
数のスリットが形成されたのと同じ状態になる。図7の
実施例のその他の構成は、図1の実施例と同様である。
FIG. 7 is a diagram showing still another embodiment of the decompression chamber. In the embodiment of FIG. 7, a split slit plate 228 is provided in the lid portion of the decompression chamber in place of the lower slit plate 221 and the upper slit plate 222 of FIG. The split slit plate 228 is composed of a plurality of rotatable plates 229, each of which is rotatable. As shown in FIG. 7A, when the rotary plates 229 are kept horizontal, the rotary plates 229 are connected to each other without a gap, and the split slit plate 228 is in a closed state. On the other hand, as shown in FIG. 7B, when each rotating plate 229 rotates upward about the shaft 229a, each rotating plate 2
A gap is created between the air gaps 29, and air flows into the decompression chamber through the gap. That is, the split slit plate 228 is in the same state as that in which a plurality of slits are formed. Other configurations of the embodiment of FIG. 7 are similar to those of the embodiment of FIG.

【0030】図8は、減圧チャンバのさらに他の実施例
を示す図である。図8の実施例において、減圧チャンバ
の蓋26には、図1の蓋22が有するような空気取り入
れ口224は設けられていない。したがって、蓋26が
本体21に取り付けられたとき、蓋26の外壁から空気
は導入されない。この蓋26の内部中央には、複数のス
リット(または透孔)261aが形成された分散板26
1が固定的に設けられている。そして、蓋26の天板裏
面と分散261との間の空間には、複数の空気供給管7
が設けられる。これら空気供給管7は、蓋26の側部を
貫通しており、外部の送風装置(図示せず)から空気を
取り入れる。すなわち、外部の送風装置を駆動したとき
は、減圧チャンバ内に強制的に空気が供給され、その駆
動を停止したときは、減圧チャンバ内への空気の供給が
停止される。ここで、分散板261は、空気供給管7か
ら供給された空気を、蓋26の全面に分散させてチャン
バ内に導入する機能を果たす。図8の実施例のその他の
構成は、図1の実施例と同様である。なお、ランニング
コストは高くなるが、各供給管7から空気に代えて窒素
ガスを供給するようにしても良い。
FIG. 8 is a view showing still another embodiment of the decompression chamber. In the embodiment of FIG. 8, the decompression chamber lid 26 is not provided with the air intake 224 as the lid 22 of FIG. 1 has. Therefore, when the lid 26 is attached to the main body 21, air is not introduced from the outer wall of the lid 26. A dispersion plate 26 having a plurality of slits (or through holes) 261a formed in the center of the inside of the lid 26.
1 is fixedly provided. A plurality of air supply pipes 7 are provided in the space between the back surface of the top plate of the lid 26 and the dispersion 261.
Is provided. These air supply pipes 7 penetrate the side portions of the lid 26 and take in air from an external blower (not shown). That is, when the external blower is driven, the air is forcibly supplied into the decompression chamber, and when the driving is stopped, the supply of air into the decompression chamber is stopped. Here, the dispersion plate 261 has a function of dispersing the air supplied from the air supply pipe 7 into the entire surface of the lid 26 and introducing the air into the chamber. Other configurations of the embodiment of FIG. 8 are similar to those of the embodiment of FIG. Although the running cost is high, nitrogen gas may be supplied from each supply pipe 7 instead of air.

【0031】[0031]

【発明の効果】請求項1〜4の発明によれば、蓋の全面
から均一に外部の空気を取り入れ、かつ本体底部の外周
から均一にチャンバ内を強制排気するようにしているの
で、チャンバ内の不要気体がまんべんなく排気され、チ
ャンバ内に滞留ゾーンを生じない。したがって、薬液の
蒸気やミストがチャンバの内壁に付着するのを防止する
ことができる。また、空気を供給することによって薬液
の蒸気やミストを排気するようにしているので、窒素ガ
ス等を用いる場合に比べて、ランニングコストを安くで
きる。
According to the first to fourth aspects of the present invention, the outside air is uniformly taken in from the entire surface of the lid, and the chamber is forcibly exhausted uniformly from the outer periphery of the bottom of the main body. The unnecessary gas is completely exhausted, and a retention zone does not occur in the chamber. Therefore, it is possible to prevent the vapor or mist of the chemical solution from adhering to the inner wall of the chamber. In addition, since the chemical vapor or mist is exhausted by supplying air, the running cost can be reduced as compared with the case of using nitrogen gas or the like.

【0032】さらに、請求項4の発明によれば、外部か
ら取り入れる空気をフィルタによって清浄化するように
しているので、チャンバ内には常に清浄な空気が供給さ
れ、パーティクルの発生を最小限に抑えることができ
る。
Further, according to the invention of claim 4, since the air taken in from the outside is cleaned by the filter, clean air is always supplied into the chamber, and the generation of particles is minimized. be able to.

【0033】請求項5の発明によれば、蓋の内部に強制
的に導入された外部からの流体を分散板で分散させてチ
ャンバ内に導入すると共に、本体底部の外周から均一に
チャンバ内を強制排気するようにしているので、チャン
バ内の不要気体がまんべんなく排気され、チャンバ内に
滞留ゾーンを生じない。したがって、薬液の蒸気やミス
トがチャンバの内壁に付着するのを防止することができ
る。
According to the fifth aspect of the present invention, the fluid from the outside which is forcibly introduced into the inside of the lid is dispersed by the dispersion plate and introduced into the chamber, and the inside of the chamber is evenly distributed from the outer periphery of the bottom of the main body. Since the forced exhaust is performed, the unnecessary gas in the chamber is exhausted uniformly, and the retention zone does not occur in the chamber. Therefore, it is possible to prevent the vapor or mist of the chemical solution from adhering to the inner wall of the chamber.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る基板処理装置の構成を
示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例において、蓋の開閉機構をより詳
細に示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing the lid opening / closing mechanism in more detail in the embodiment of FIG.

【図3】図1の実施例の動作を示すフローチャートであ
る。
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the embodiment of FIG.

【図4】蓋の他の実施例を示す図である。FIG. 4 is a view showing another embodiment of the lid.

【図5】蓋のさらに他の実施例を示す図である。FIG. 5 is a view showing still another embodiment of the lid.

【図6】蓋のさらに他の実施例を示す図である。FIG. 6 is a view showing still another embodiment of the lid.

【図7】蓋のさらに他の実施例を示す図である。FIG. 7 is a view showing still another embodiment of the lid.

【図8】蓋のさらに他の実施例を示す図である。FIG. 8 is a view showing still another embodiment of the lid.

【図9】従来の基板処理装置の構成の一例を示す断面図
である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a conventional substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板 20…減圧チャンバ 21…本体 22,26…蓋 221…下部スリット板 222,2220…上部スリット板 223…上部カバー 224…空気取り入れ口 225…ガスケット 227…フィルタ 228…分割スリット板 229…回動板 24…排気口 30…処理槽 40…IPA導入管 6…基板支持ガイド 7…空気供給管 1 ... Substrate 20 ... Decompression chamber 21 ... Main body 22, 26 ... Lid 221 ... Lower slit plate 222, 2220 ... Upper slit plate 223 ... Upper cover 224 ... Air intake port 225 ... Gasket 227 ... Filter 228 ... Split slit plate 229 ... Moving plate 24 ... Exhaust port 30 ... Processing tank 40 ... IPA introduction pipe 6 ... Substrate support guide 7 ... Air supply pipe

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/306 21/308 G // B08B 3/04 Z 2119−3B Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 21/306 21/308 G // B08B 3/04 Z 2119-3B

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 同一チャンバ内において、基板の薬液処
理と洗浄処理と乾燥処理とを行う基板処理装置であっ
て、 前記チャンバは、 その内部に配列された前記基板を薬液または純水に浸す
ための処理槽を収納する本体と、 前記本体の上部に着脱自在に取り付けられる蓋と、 前記本体の底部に形成され、かつ当該底部の外周から均
一に前記チャンバ内を排気可能な排気口とを含み、 前記蓋には、その全面から均一に外部の空気を取り入れ
る開状態と、外部との間の空気流入路を遮断して前記チ
ャンバ内への空気の取り入れを停止する閉状態とを切り
換えるための開閉機構が設けられており、 前記排気口に接続され、前記チャンバ内を強制的に排気
するための強制排気手段をさらに備える、基板処理装
置。
1. A substrate processing apparatus for performing a chemical treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment on a substrate in the same chamber, wherein the chamber is for immersing the substrates arranged therein in a chemical liquid or pure water. A main body accommodating the processing tank, a lid detachably attached to the upper part of the main body, and an exhaust port formed in the bottom of the main body and capable of uniformly exhausting the inside of the chamber from the outer periphery of the bottom. The lid is for switching between an open state in which outside air is uniformly taken in from the entire surface and a closed state in which the air inflow path between the outside and the outside is blocked and air intake to the chamber is stopped. A substrate processing apparatus, which is provided with an opening / closing mechanism, and further comprises a forced exhaust unit connected to the exhaust port and forcibly exhausting the inside of the chamber.
【請求項2】 前記開閉機構は、それぞれにスリットま
たは透孔が形成された2枚の板を相対的に移動させるこ
とにより開閉を行うことを特徴とする、請求項1に記載
の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the opening / closing mechanism opens and closes by relatively moving two plates each having a slit or a through hole formed therein. .
【請求項3】 前記開閉機構は、複数の回動板によって
構成され、各回動板を回動させることにより開閉を行う
ことを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the opening / closing mechanism is composed of a plurality of rotating plates and is opened and closed by rotating each rotating plate.
【請求項4】 前記蓋には、外部から取り入れる空気を
清浄化するためのフィルタがさらに設けられている、請
求項1に記載の基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the lid is further provided with a filter for cleaning air taken in from the outside.
【請求項5】 同一チャンバ内において、基板の薬液処
理と洗浄処理と乾燥処理とを行う基板処理装置であっ
て、 前記チャンバは、 その内部に配列された前記基板を薬液または純水に浸す
ための処理槽を収納する本体と、 前記本体の上部に着脱自在に取り付けられ、かつその内
部に外部からの流体が強制的に導入される蓋と、 前記本体の底部に形成され、かつ当該底部の外周から均
一に前記チャンバ内を排気可能な排気口とを含み、 前記蓋には、複数のスリットまたは透孔が形成され、か
つ前記導入された流体を分散させて前記チャンバ内に導
入するための分散板が設けられており、 前記排気口に接続され、前記チャンバ内を強制的に排気
するための強制排気手段をさらに備える、基板処理装
置。
5. A substrate processing apparatus for performing a chemical treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment of substrates in the same chamber, wherein the chamber is for immersing the substrates arranged therein in a chemical liquid or pure water. A main body for accommodating the processing tank, a lid detachably attached to the upper part of the main body, into which a fluid from the outside is forcibly introduced, and a bottom part formed on the bottom part of the main body. An exhaust port capable of uniformly exhausting the inside of the chamber from the outer periphery, and a plurality of slits or through holes are formed in the lid, and the introduced fluid is dispersed and introduced into the chamber. A substrate processing apparatus further comprising: a dispersion plate, further comprising a forced exhaust unit connected to the exhaust port and forcibly exhausting the inside of the chamber.
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