KR100863836B1 - Electronic parts package - Google Patents

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KR100863836B1
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마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
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Abstract

전자 부품 패키지의 외압에 대한 강도를 향상시킨다. 이를 위해 본 발명은, 실장 기판 상에 배치된 외부 전극을 통해 실장 기판 상에 실장된 전자 부품을 몰드 수지로 덮은 전자 부품 패키지에 있어서, 전자 부품은, 부품 기판의 하면에 배치되어 있는 소자를 덮어 캐비티를 형성하는 부품 커버를 가지고, 부품 커버의 하면에 있어서의 외부 전극과의 접합 부분을 제외한 캐비티에 대향하는 부분에, 몰드 수지보다 탄성율이 작은 보호체를 설치했다.Improve the strength against external pressure of the electronic component package. To this end, the present invention provides an electronic component package in which an electronic component mounted on a mounting substrate is covered with a mold resin through an external electrode disposed on the mounting substrate, wherein the electronic component covers an element disposed on the lower surface of the component substrate. The protective body which has a component cover which forms a cavity, and has a elasticity modulus smaller than a mold resin was provided in the part which opposes a cavity except the junction part with the external electrode in the lower surface of a component cover.

Description

전자 부품 패키지{ELECTRONIC PARTS PACKAGE}Electronic component package {ELECTRONIC PARTS PACKAGE}

본 발명은 전자 부품 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic component package.

종래의 전자 부품 패키지의 일예인, 표면 탄성파(이하, 「SAW」라고 한다) 장치의 패키지는, 그 단면도를 도 19에 도시한 바와 같이, 부품 기판(101)과, 이 부품 기판(101)의 하면(도 19에 있어서의 하측방으로서, 후술하는 실장 기판(105)과 대향하는 측의 면을 말한다)에 형성한 소자로서의 IDT(Interdigital Transducer) 전극(102)과, 이 IDT 전극(102)과 대향하는 부분에 오목부(103)를 갖는 부품 커버(104)와, 이 부품 커버(104)와 실장 기판(105)을 접합하는 외부 전극(106)을 가진다. 또한, 이러한 종래의 전자 부품 패키지에 관련되는 선행 기술 문헌 정보로는, 예를 들면 일본국 특허공개 2000-261284호 공보, 일본 특허공개 2001-244785호 공보, 일본 특허공개 2003-110391호 공보, 일본 특허공개 2005-318157호 공보 등이 알려져 있다. A package of a surface acoustic wave (hereinafter referred to as "SAW") device, which is one example of a conventional electronic component package, has a component board 101 and a component board 101 as shown in FIG. An IDT (Interdigital Transducer) electrode 102 as an element formed on the lower surface (the lower side in FIG. 19 is referred to the surface on the side opposite to the mounting substrate 105 described later), and the IDT electrode 102 The component cover 104 which has the recessed part 103 in the part which opposes and the external electrode 106 which join this component cover 104 and the mounting board | substrate 105 are provided. Moreover, as prior art document information related to such a conventional electronic component package, Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-261284, Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-244785, Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-110391, Japan Patent Publication No. 2005-318157 and the like are known.

그러나, 종래의 전자 부품 패키지에서는, 몰드 수지 가공 시의 압력 충격에 견디지 못하는 경우가 있었다. However, in the conventional electronic component package, there may be a case where it cannot endure the pressure shock at the time of mold resin processing.

즉, 부품 커버(104)에는, 이 부품 커버(104)와 복수의 IDT 전극(102)이 접촉하지 않도록, 오목부(103)가 형성되고, 이 오목부(103)가 있는 부분은 부품 커버 (104)가 매우 얇게 되어 있다. 이 때문에, 이 SAW 장치를 실장 기판(105) 상에 실장하여 몰드 수지로 피복하는 경우, 부품 커버(104)와 실장 기판(105)과의 사이에 들어간 몰드 수지의 압력이 매우 큰 것에 기인하여, 부품 커버(104)가 손상되었다. That is, the recessed part 103 is formed in the component cover 104 so that this component cover 104 and the some IDT electrode 102 may not contact, and the part with this recessed part 103 is a part cover ( 104 is very thin. For this reason, when this SAW apparatus is mounted on the mounting board 105 and coat | covered with mold resin, it is because the pressure of the mold resin which entered between the component cover 104 and the mounting board 105 is very large, Component cover 104 is damaged.

그래서 본 발명은, 전자 부품 패키지의 외압에 대한 강도를 높이고, 손상을 방지하는 것이다. Therefore, this invention raises the strength with respect to the external pressure of an electronic component package, and prevents damage.

이를 위해, 본 발명은, 실장 기판 상에 배치된 외부 전극을 통해 실장 기판 상에 실장된 전자 부품을 몰드 수지로 덮은 전자 부품 패키지에 있어서, 전자 부품은 부품 기판의 하면(실장 기판과 대향하는 측의 면)에 배치되어 있는 소자를 덮는 캐비티를 형성하는 부품 커버를 가지고, 부품 커버의 하면(실장 기판과 대향하는 측의 면)에 있어서의 외부 전극의 접합 부분을 제외한 캐비티에 대향하는 부분에, 몰드 수지보다 탄성율이 작은 보호체를 설치한 것이다.To this end, the present invention provides an electronic component package in which an electronic component mounted on a mounting substrate is covered with a mold resin through an external electrode disposed on the mounting substrate, wherein the electronic component is a lower surface of the component substrate (a side facing the mounting substrate). A part cover which forms a cavity covering the element disposed on the surface of the part), and a part of the part cover opposite to the cavity except for the joint part of the external electrode on the bottom surface (a surface on the side opposite to the mounting substrate), A protective body having a lower elastic modulus than that of the molded resin is provided.

즉, 본 발명의 전자 부품 패키지는, 실장 기판과, 실장 기판 상에 배치된 외부 전극과, 외부 전극을 통해 실장 기판 상에 실장된 전자 부품과, 전자 부품을 실장 기판 상에 있어서 피복한 몰드 수지를 구비하고, 전자 부품은, 부품 기판과, 부품 기판의 실장 기판에 대향하는 면에 배치되어 있는 소자와, 부품 기판의 실장 기판에 대향하는 면측을 덮는 부품 커버를 가지고, 부품 커버는 소자와 마주보는 부분에 캐비티가 있고, 외부 전극의 접합 부분을 제외한 캐비티에 대향하는 부품 커버의 실장 기판에 대향하는 면에는 몰드 수지보다 탄성율이 작은 보호체를 설치한 것이다.That is, the electronic component package of this invention is a mounting resin, the external electrode arrange | positioned on the mounting substrate, the electronic component mounted on the mounting board via the external electrode, and the mold resin which coat | covered the electronic component on the mounting board | substrate. The electronic component includes a component substrate, an element disposed on a surface of the component substrate that faces the mounting substrate, and a component cover covering a surface side of the component substrate that faces the mounting substrate. There is a cavity in the viewing part, and a protective member having a modulus of elasticity smaller than that of the mold resin is provided on the surface of the component cover opposite to the cavity except for the joint portion of the external electrode.

상기 구성에 의하면, 부품 커버에 오목부가 형성되어 두께가 얇아져도, 부품 커버의 하면에는 몰드 수지보다 탄성율이 작은 보호체가 설치되어 있으므로, 이 보호체가 몰드 수지 충전시에 하측방으로부터 인가되는 압력을 받아 탄성 변형되고, 이 압력을 가로 방향으로 분산시킬 수 있다. 따라서, 외부로부터 전자 부품에 주어지는 응력을 완충시킬 수 있다. According to the above structure, even if the recess is formed in the component cover and the thickness is thin, a protective member having a lower elastic modulus than the mold resin is provided on the lower surface of the component cover, so that the protective member receives the pressure applied from the lower side during the filling of the mold resin. It is elastically deformed and this pressure can be disperse | distributed to a horizontal direction. Therefore, the stress given to the electronic component from the outside can be buffered.

상기의 결과로서, 본 발명은, 전자 부품 패키지의 압력에 대한 강도를 높이고, 손상을 방지할 수 있다. As a result of the above, this invention can raise the intensity | strength with respect to the pressure of an electronic component package, and can prevent damage.

도 1은 실시 형태 1에 있어서의 전자 부품 패키지의 사시도이다. 1 is a perspective view of an electronic component package according to the first embodiment.

도 2는 실시 형태 1에 있어서의 전자 부품 패키지의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of the electronic component package according to the first embodiment.

도 3은 실시 형태 1에 있어서의 전자 부품 패키지를 구성하는 부품 기판의 하면도이다. 3 is a bottom view of the component substrate constituting the electronic component package according to the first embodiment.

도 4는 실시 형태 1에 있어서의 전자 부품 패키지를 구성하는 SAW 듀플렉서의 회로도이다. 4 is a circuit diagram of a SAW duplexer constituting the electronic component package according to the first embodiment.

도 5는 실시 형태 1에 있어서의 전자 부품 패키지를 구성하는 부품 커버의 하면도이다. 5 is a bottom view of a component cover constituting the electronic component package according to the first embodiment.

도 6은 실시 형태 1의 SAW 듀플렉서의 단면도이다. 6 is a cross-sectional view of the SAW duplexer of the first embodiment.

도 7은 실시 형태 1에 있어서의 부품 커버를 형성하는 마스크의 상면도이다. FIG. 7 is a top view of a mask for forming the component cover according to the first embodiment. FIG.

도 8은 실시 형태 1에 있어서의 부품 커버의 하면도이다.8 is a bottom view of the component cover according to the first embodiment.

도 9는 실시 형태 2에 있어서의 전자 부품 패키지의 단면도이다. 9 is a cross-sectional view of the electronic component package according to the second embodiment.

도 10은 실시 형태 2에 있어서의 전자 부품 패키지를 구성하는 부품 기판의 하면도이다. 10 is a bottom view of a component substrate constituting the electronic component package according to the second embodiment.

도 11a는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제1의 도면이다. FIG. 11: A is a 1st figure which shows the manufacturing process of SAW duplexer in Embodiment 2. FIG.

도 11b는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제2의 도면이다. FIG. 11B is a second view showing the manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 2. FIG.

도 11c는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제3의 도면이다. FIG. 11C is a third diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 2. FIG.

도 11d는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제4의 도면이다. FIG. 11D is a fourth view showing the manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 2. FIG.

도 11e는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제5의 도면이다. FIG. 11E is a fifth view showing the manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 2. FIG.

도 11f는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제6의 도면이다. FIG. 11F is a sixth view showing the manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 2. FIG.

도 12a는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제7의 도면이다. 12A is a seventh diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the second embodiment.

도 12b는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제8의 도면이다. FIG. 12B is an eighth view showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the second embodiment. FIG.

도 12c는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제9의 도면이다. FIG. 12C is a ninth diagram illustrating a manufacturing step of the SAW duplexer in the second embodiment. FIG.

도 12d는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제10의 도면이다. 12D is a tenth diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the second embodiment.

도 12e는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제11의 도면이다. 12E is an eleventh diagram showing a manufacturing process of the SAW duplexer in the second embodiment.

도 12f는 실시 형태 2에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제12의 도면이다. FIG. 12F is a twelfth diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the second embodiment. FIG.

도 13은 실시 형태 3에 있어서의 전자 부품 패키지의 단면도이다. 13 is a cross-sectional view of the electronic component package according to the third embodiment.

도 14는 실시 형태 3에 있어서의 전자 부품 패키지를 구성하는 부품 기판의 하면도이다. 14 is a bottom view of a component substrate constituting the electronic component package according to the third embodiment.

도 15a는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제1의 도면이다. FIG. 15A is a first diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 3. FIG.

도 15b는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제2의 도면이다. FIG. 15B is a second diagram illustrating the manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 3. FIG.

도 15c는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제3의 도면이다. FIG. 15C is a third view showing the manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 3. FIG.

도 15d는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제4의 도면이다. FIG. 15D is a fourth diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 3. FIG.

도 15e는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제5의 도면이다. 15E is a fifth view showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the third embodiment.

도 15f는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제6의 도면이다. 15F is a sixth diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the third embodiment.

도 16a는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제7의 도면이다. 16A is a seventh diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the third embodiment.

도 16b는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제8의 도면이다. FIG. 16B is an eighth view showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the third embodiment. FIG.

도 16c는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제9의 도면이다. FIG. 16C is a ninth diagram illustrating a manufacturing step of the SAW duplexer in Embodiment 3. FIG.

도 16d는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제10의 도면이다. FIG. 16D is a tenth diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the third embodiment. FIG.

도 16e는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제11의 도면이다. 16E is an eleventh diagram showing the manufacturing steps of the SAW duplexer in the third embodiment.

도 16f는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제12의 도면이다. FIG. 16F is a twelfth diagram showing the manufacturing process of the SAW duplexer in the third embodiment. FIG.

도 16g는 실시 형태 3에 있어서의 SAW 듀플렉서의 제조 공정을 도시한 제13의 도면이다. FIG. 16G is a thirteenth diagram showing a manufacturing process of the SAW duplexer in Embodiment 3. FIG.

도 17은 실시 형태 3에 있어서의 부품 커버의 하면도이다. FIG. 17 is a bottom view of a component cover in Embodiment 3. FIG.

도 18은 실시 형태 3의 SAW 듀플렉서의 단면도이다. 18 is a cross-sectional view of the SAW duplexer of Embodiment 3. FIG.

도 19는 종래의 전자 부품 패키지의 단면도이다.19 is a cross-sectional view of a conventional electronic component package.

<부호의 설명><Description of the code>

1 : SAW 듀플렉서(전자 부품) 3 : 실장 기판1: SAW duplexer (electronic component) 3: Board

4 : 몰드 수지 5 : 외부 전극4: mold resin 5: external electrode

6 : 부품 기판 7 : IDT 전극(소자)6 component board 7 IDT electrode (element)

8 : 오목부 9 : 부품 커버8: recessed part 9: part cover

10 : 보호체 16 : 캐비티10: protector 16: cavity

20 : 소자 커버 30 : 접착부20: element cover 30: adhesive portion

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention

(실시 형태 1) (Embodiment 1)

본 발명의 실시 형태 1의 전자 부품 패키지에 대하여, 전자 부품으로서 안테나 공용기용 탄성파 장치(1)(이하, 「SAW 듀플렉서(1)」라고 한다)를 예로 들어 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION The electronic component package of Embodiment 1 of this invention is demonstrated to an example as an example the acoustic wave device 1 for antenna common apparatuses (henceforth "SAW duplexer 1") as an electronic component.

이 전자 부품 패키지를 구성하는 SAW 듀플렉서(1)는, 그 사시도를 도 1에 도시한 바와 같이, 다른 전자 부품(2a∼2c)과 함께 실장 기판(3) 상에 배치되고, 몰드 수지(4)로 피복되어 있다. SAW 듀플렉서(1)는, 그 단면도를 도 2에 도시한 바와 같이, 실장 기판(3) 상에 배치된 외부 전극(5)을 통해 실장 기판(3) 상에 실장되고, 몰드 수지(4)로 피복되어 있다. As shown in FIG. 1, the SAW duplexer 1 constituting the electronic component package is disposed on the mounting substrate 3 together with the other electronic components 2a to 2c, and the mold resin 4 Covered with As shown in FIG. 2, the SAW duplexer 1 is mounted on the mounting substrate 3 via an external electrode 5 disposed on the mounting substrate 3, and is formed of a mold resin 4. It is covered.

또한, SAW 듀플렉서(1)는, 부품 기판(6)과, 이 부품 기판(6)의 하면(도 2에 있어서의 하측방으로서, 실장 기판(3)과 대향하는 측의 면을 말한다, 이하 동일)에 배치되어 있는 복수의 소자로서의 IDT 전극(7)과, 부품 기판(6)의 하면측을 덮고, 또한 IDT 전극(7)과 마주 보는 부분에 오목부(8)를 갖는 부품 커버(9)를 구비하고, 이 부품 커버(9)의 하면에는 수지제의 보호체(10)를 설치한다. 또한, 외부 전극(5)이란, 도 8에 도시한 SAW 듀플렉서(1)의 그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15)와 접합되는, 실장 기판(3)에 설치된 전극을 가리키는데, 상세한 것은 후술한다. In addition, SAW duplexer 1 says the component board | substrate 6 and the surface of the component board | substrate 6 on the lower surface (as a lower side in FIG. 2, facing the mounting board | substrate 3). The part cover 9 which has the recessed part 8 in the part which covers the lower surface side of the IDT electrode 7 as a some element arrange | positioned at the ()), and the component board | substrate 6, and faces the IDT electrode 7; And a protective body 10 made of resin is provided on the lower surface of the component cover 9. In addition, the external electrode 5 is a mounting board bonded to the ground terminal 12, the reception terminal 13, the antenna terminal 14, and the transmission terminal 15 of the SAW duplexer 1 shown in FIG. 8 ( An electrode provided at 3) is shown, which will be described later.

이하에, 이 전자 부품 패키지의 제조 방법을 설명한다. The manufacturing method of this electronic component package is demonstrated below.

처음에, 도 3에 도시한 바와 같이, 부품 기판(6)의 하면에, IDT 전극(7)과 홈(11)을 형성하고, 도 4에 도시한 SAW 듀플렉서(1)의 회로를 형성한다. 또한, IDT 전극(7)의 양단부에는, 단락 전극을 평행하게 배치한 반사기를 배치하는 것이 일반적인데, 간략화했다. 또한, 홈(11)은 드라이 에칭 가공에 의해 형성한다. 부품 기판(6)의 재료로는 LiTaO3 혹은 LiNbO3, IDT 전극(7)의 재료로는 알루미늄 등의 금속 재료를 이용한다. 또한, 도 4에 도시한 SAW 듀플렉서(1)의 회로에 있어서의 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15), 그라운드 단자(12)는 각각 도 3에 도시한 부품 기판(6)의 하면에 있어서의 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15), 그라운드 단자(12)에 대응한다. First, as shown in FIG. 3, the IDT electrode 7 and the groove | channel 11 are formed in the lower surface of the component board | substrate 6, and the circuit of the SAW duplexer 1 shown in FIG. 4 is formed. In addition, although the reflector which arrange | positioned the short circuit electrode in parallel is common at both ends of IDT electrode 7, it simplifies. In addition, the groove 11 is formed by a dry etching process. As a material of the component substrate 6, a metal material such as aluminum is used as the material of the LiTaO 3 or LiNbO 3 and the IDT electrode 7. In addition, in the circuit of the SAW duplexer 1 shown in FIG. 4, the receiving terminal 13, the antenna terminal 14, the transmitting terminal 15, and the ground terminal 12 are each a component board (shown in FIG. It corresponds to the receiving terminal 13, the antenna terminal 14, the transmitting terminal 15, and the ground terminal 12 in the lower surface of 6).

한편, IDT 전극(7)을 산화나 습기에 의한 부식으로부터 보호하기 위하여, 도 2에 도시한 바와 같이, 부품 기판(6)의 하면측에는 실리콘 제의 부품 커버(9)를 구비한다. 또한, 도 2는 도 3에 있어서의 A-A 단면을 도시한 것이다. On the other hand, in order to protect the IDT electrode 7 from corrosion by oxidation or moisture, as shown in FIG. 2, the component cover 9 made of silicon is provided on the lower surface side of the component substrate 6. 2 shows the A-A cross section in FIG.

부품 커버(9)에는 도 5에 도시한 바와 같이, 앞서 기술한 IDT 전극(7)과 마주 보는 부분에 드라이 에칭 가공으로 오목부(8)를 형성한다. 이에 따라, 도 2에 도시한 바와 같이, 부품 커버(9)와 IDT 전극(7)과의 사이에, IDT 전극(7)이 부품 커버(9)와 접촉하는 것을 회피하는 캐비티(16)를 형성할 수 있고, IDT 전극(7)의 진동 공간을 확보할 수 있다. 또한, 도 2 및 도 5와 같이, 1개 혹은 인접한 2개의 IDT 전극(7)마다 캐비티(16)를 설치함으로써, 부품 커버(9)가 얇게 되는 부분의 면적을 작게 할 수 있고, 결과적으로 외압에 대한 강도를 높일 수 있다. In the component cover 9, as shown in FIG. 5, the recessed part 8 is formed in the part facing the IDT electrode 7 mentioned above by a dry etching process. Accordingly, as shown in FIG. 2, a cavity 16 is formed between the component cover 9 and the IDT electrode 7 to avoid the IDT electrode 7 from contacting the component cover 9. It is possible to secure the vibration space of the IDT electrode 7. In addition, as shown in Figs. 2 and 5, by providing the cavity 16 for each one or two adjacent IDT electrodes 7, the area of the part where the component cover 9 becomes thin can be made small, and as a result, the external pressure Can increase the strength.

다음에, 부품 기판(6)에 부품 커버(9)를 접착하는 공정을 도시한다. Next, the process of adhering the component cover 9 to the component substrate 6 is shown.

우선, 도 3에 도시한 부품 기판(6)의 하면(IDT 전극(7)이 설치되는 면이기도 하다)측에 감광성 수지를 도포하고, 다음에 도 7에 도시한 것과 같은 마스크(18)를 얹는다. 도 7의 마스크(18)에서 해칭을 한 부분은, 도 3의 IDT 전극(7)과 도 6의 관통공(17)에 상당하는 부분으로, 이 부분에 구멍이 뚫려 있으므로, 마스크(18) 상에서 노광하여 세정하면, 마스크(18) 상의 해칭을 한 부분만 감광성 수지가 경화하여 남고, 해칭을 하지 않은 부분에는 남지 않는다. First, the photosensitive resin is apply | coated to the lower surface (it is also the surface in which IDT electrode 7 is provided) of the component board | substrate 6 shown in FIG. 3, and then the mask 18 as shown in FIG. 7 is mounted. . The hatched portion of the mask 18 of FIG. 7 corresponds to the IDT electrode 7 of FIG. 3 and the through hole 17 of FIG. 6, and since the hole is drilled in this portion, the mask 18 is disposed on the mask 18. When exposed and washed, the photosensitive resin remains hardened only on the portion hatched on the mask 18, and does not remain on the portion not hatched.

다음에, 마스크(18)를 떼어내고, 도 3에 도시한 부품 기판(6)의 하면 전체에 SiO2를 도포하고, 감광성수지를 용해, 제거함으로써, 감광성 수지가 없는 부분, 즉 IDT 전극(7)과 관통공(17) 이외의 부분에만 SiO2 남는다. 이 남은 SiO2를 통해, 부품 기판(6)과 부품 커버(9)를 상온에서 직접 원자간 결합하면, 도 6에 도시한 것과 같은 SAW 듀플렉서(1)를 형성할 수 있다. 또한, 본 실시 형태 1에서 부품 커버(9)를 접착하는 공정은 진공에서 행했는데, 부품 커버(9)와 부품 기판(6)은 접착제를 이용해 접착할 수도 있고, 그 경우는 질소 분위기 혹은 산소 분위기에서 행할 수 있다. 또한, 산소 분위기로 행하는 경우라도, 본 실시 형태 1에 있어서의 도 2의 캐비티(16)는 매우 작은 공간이므로, 캐비티(16) 내의 산소량도 미량이고, 이 정도의 산소량이면 IDT 전극(7)의 표면에 얇은 금속 산화 피막이 형성될 뿐이고, 오히려 산화하기 어렵게 된다. Next, the mask 18 is removed, and SiO 2 is applied to the entire lower surface of the component substrate 6 shown in FIG. 3, and the photosensitive resin is dissolved and removed to thereby remove the photosensitive resin, that is, the IDT electrode 7. ) and the SiO 2 remains only in a portion other than the through-holes 17. Through the remaining SiO 2 , when the component substrate 6 and the component cover 9 are directly interatomicly bonded at room temperature, the SAW duplexer 1 as shown in FIG. 6 can be formed. In addition, although the process of adhering the component cover 9 in this Embodiment 1 was performed in the vacuum, the component cover 9 and the component board | substrate 6 can also adhere | attach using an adhesive agent, In that case, nitrogen atmosphere or oxygen atmosphere. You can do this at In addition, even when performing in an oxygen atmosphere, since the cavity 16 of FIG. 2 in this Embodiment 1 is a very small space, the amount of oxygen in the cavity 16 is also a very small amount. Only a thin metal oxide film is formed on the surface, but rather difficult to oxidize.

다음에, 도 6에 도시한 바와 같이, 이 부품 커버(9)에, 도 2에 도시한 외부 전극(5)과 부품 기판(6)을 접속하기 위한 관통공(17)을 형성한다. 이 관통공(17)은 드라이 에칭 가공으로 형성할 수 있다. 또한, 도 6은 도 3에 있어서의 B-B 단면을 도시한 것이다. 이 관통공(17)을 스퍼터, 땜납 페이스트 인쇄 등에 의해 금속 재료로 메움으로써, IDT 전극과 외부 전극과의 전기적 접속을 취할 수 있게 된다. Next, as shown in FIG. 6, a through hole 17 for connecting the external electrode 5 and the component substrate 6 shown in FIG. 2 is formed in the component cover 9. This through hole 17 can be formed by a dry etching process. 6 shows the B-B cross section in FIG. By filling this through hole 17 with a metal material by sputtering, solder paste printing, or the like, electrical connection between the IDT electrode and the external electrode can be made.

다음에, 도 8의 해칭을 하지 않은 부분, 즉, 부품 커버(9)의 하면에 설치된 외부 전극(5)과 접합하는 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15), 그라운드 단자(12)를 배치하는 장소를 제외한 부분에, 도 2에 도시한 수지제의 보호체(10)를 설치한다. 이 보호체(10)는 에폭시 수지 혹은 폴리이미드 수지에, 실리콘 고무 등의 고무를 첨가한 고무 변성 가요성 수지를, 인쇄 등에 의해 형성한다. Next, the receiving terminal 13, the antenna terminal 14, the transmitting terminal 15, and the ground which are joined to the external electrode 5 provided on the lower surface of the part cover 9, that is, not hatched in FIG. The resin protective body 10 shown in FIG. 2 is provided in the part except the place where the terminal 12 is arrange | positioned. This protector 10 forms the rubber modified flexible resin which added rubber | gum, such as a silicone rubber, to epoxy resin or polyimide resin by printing etc.

그리고 부품 기판(6)과 부품 커버(9)를 접착한 후, 도 8에 도시한 바와 같이, 부품 커버(9)의 하면에 설치한 그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14) 및 송신 단자(15)를, 도 2에서 도시한 바와 같이, 실장 기판(3)의 외부 전극(5)과 접합시켜, SAW 듀플렉서(1)를 실장 기판(3) 상에 실장한다. After the component substrate 6 and the component cover 9 are adhered together, as shown in FIG. 8, the ground terminal 12, the receiving terminal 13, and the antenna terminal ( As shown in FIG. 2, 14) and the transmission terminal 15 are bonded to the external electrode 5 of the mounting board 3, and the SAW duplexer 1 is mounted on the mounting board 3. As shown in FIG.

마지막으로, 몰드 수지(4)로 SAW 듀플렉서(1)를 피복하는 공정을 설명한다. Finally, the process of covering the SAW duplexer 1 with the mold resin 4 will be described.

우선, 도 1의 SAW 듀플렉서(1)와 복수의 전자 부품(2a∼2c)을 실장한 피복 전의 복합형 전자 부품을 금형에 넣고, 다음에 이 금형에 가열한 몰드 수지(4)를 주입하고, 그 후 냉각하여 성형한다. 본 실시 형태 1에서는, 몰드 수지(4)에 필러를 분산시킨 에폭시 수지를 이용하고, 몰드 수지(4)의 주입 조건은 수지 온도를 175℃, 주입 압력 50∼100atm으로 했다. First, the composite electronic component before coating in which the SAW duplexer 1 and the plurality of electronic components 2a to 2c of FIG. 1 are mounted is placed in a mold, and then the mold resin 4 heated to the mold is injected. After that, it is cooled and molded. In this Embodiment 1, the epoxy resin which disperse | distributed the filler to the mold resin 4 was used, and the injection conditions of the mold resin 4 made resin temperature 175 degreeC, and injection pressure 50-100 atm.

이 몰드 수지(4)가 부품 커버(9)와 실장 기판(3)의 사이에 충전될 때, 부품 커버(9)에는 매우 큰 상향(도 2에 있어서의 상측 방향)의 압력이 인가되는데, 도 2에 도시한 부품 커버(9)의 하면에 설치된 수지제의 보호체(10)는 몰드 수지(4)보다 탄성율이 작으므로, 이 몰드 수지(4)로부터 압력을 받으면 변형하여, 그 압력을 가로 방향으로 분산시킨다. 따라서, 부품 패키지의 하부로부터 SAW 듀플렉서(1)에 주어지는 응력을 완충시킬 수 있다. When the mold resin 4 is filled between the component cover 9 and the mounting board 3, a very large upward pressure (upward direction in FIG. 2) is applied to the component cover 9. Since the protective member 10 made of resin provided on the lower surface of the component cover 9 shown in FIG. 2 has a modulus of elasticity smaller than that of the mold resin 4, when the pressure is received from the mold resin 4, the resin deforms and crosses the pressure. Disperse in the direction. Therefore, the stress given to the SAW duplexer 1 from the lower part of the component package can be buffered.

또한, 보호체(10)를 설치함으로써, SAW 듀플렉서(1)와 실장 기판(3)과의 사이의 공간이 작아지고, 그 공간에 들어가는 몰드 수지(4)의 양을 줄일 수 있다. 따라서, 몰드 수지(4)로부터의 응력을 억제할 수 있다. In addition, by providing the protector 10, the space between the SAW duplexer 1 and the mounting substrate 3 is reduced, and the amount of the mold resin 4 entering the space can be reduced. Therefore, the stress from the mold resin 4 can be suppressed.

상기 결과로서, 본 실시 형태 1에서는, SAW 듀플렉서(1)의 패키지의 압력에 대한 강도를 높이고, 손상을 방지할 수 있다. As a result of this, in Embodiment 1, the strength with respect to the pressure of the package of the SAW duplexer 1 can be raised, and damage can be prevented.

또한, 이 실시 형태 1에서는, 보호체를 상술한 바와 같이, 도 8의 해칭하지 않은 부분, 즉, 부품 커버(9)의 하면에 있어서의 외부 전극(5)과의 접합 부분(그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15)를 배치한 장소)을 제외한 모든 부분에 설치했는데, 적어도 외부 전극(5)과의 접합 부분을 제외한 캐 비티(16)에 대향하는 일부 부분에 설치함으로써, 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. In addition, in this Embodiment 1, as above-mentioned, the guard is joined to the part which is not hatched in FIG. 8, ie, the external electrode 5 in the lower surface of the component cover 9 (ground terminal 12). ), The receiving terminal 13, the antenna terminal 14, and the place where the transmitting terminal 15 is disposed) in all parts, but at least in the cavity 16 except for the junction with the external electrode 5 By providing it in the part which opposes, the same effect can be acquired.

또한, 본 실시 형태 1에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 부품 기판(6) 상에 복수의 IDT 전극(7)을 형성하고, 도 5에 도시한 바와 같이, 하나 혹은 두개의 IDT 전극(7)마다 오목부를 형성하고 있는데, 이와 같이 오목부(8)를 복수 형성함으로써, 모든 IDT 전극(7)을 덮도록 하나의 오목부(8)를 형성하는 경우와 비교해, SAW 듀플렉서(1)의 손상을 효율적으로 억제할 수 있다. In the first embodiment, as illustrated in FIG. 3, a plurality of IDT electrodes 7 are formed on the component substrate 6, and as shown in FIG. 5, one or two IDT electrodes 7 are provided. Each of the recesses 8 is formed, but by forming a plurality of recesses 8 in this manner, the SAW duplexer 1 is damaged in comparison with the case where one recess 8 is formed to cover all of the IDT electrodes 7. Can be suppressed efficiently.

즉, 복수의 오목부(8)를 설치함으로써, 캐비티(16)는 분할되고, 복수의 캐비티(16) 사이에는 도 2에 도시한 칸막이 벽(19)이 형성된다. 그리고 이 칸막이 벽(19)이 지주로 되어, 외부 응력을 분산시킬 수 있다. 따라서, 부품 기판(6) 혹은 부품 커버(9)의 갈라짐을 억제할 수 있다. 또한, 이 칸막이 벽(19)은 캐비티(16) 내에, 별도 수지 등에 의해 임의로 형성해도 된다. That is, by providing the plurality of recesses 8, the cavity 16 is divided, and the partition wall 19 shown in FIG. 2 is formed between the plurality of cavities 16. And this partition wall 19 becomes a support | pillar, and can distribute external stress. Therefore, cracking of the component board | substrate 6 or the component cover 9 can be suppressed. In addition, this partition wall 19 may be arbitrarily formed in the cavity 16 by resin etc. separately.

또한, 이 복수의 캐비티(16)는 완전히 분할하여 형성해도 되지만, 인접한 캐비티(16) 사이를 터널상의 연통로(특별히 도시하지 않음)에 의해 일부 연결해도 된다. 이와 같이 연통로를 형성함으로써, 캐비티(16)의 일부에 지나친 외압이 인가된 경우, 그 외압을, 연통로를 통해 다른 캐비티(16)로 분산시킬 수 있다. 그 결과, 전자 부품 패키지의 외압에 대한 강도를 향상시킬 수 있다. The plurality of cavities 16 may be formed by completely dividing the plurality of cavities 16, but may be partially connected between adjacent cavities 16 by a tunnel-shaped communication path (not particularly shown). By forming the communication path in this manner, when an excessive external pressure is applied to a part of the cavity 16, the external pressure can be distributed to the other cavity 16 through the communication path. As a result, the strength with respect to the external pressure of the electronic component package can be improved.

또한, 이 연통로는, 부품 기판(6) 상에 설치해도 되고, 부품 커버(9) 상에 설치해도 된다. 그리고, 연통로를 부품 기판(6) 상에 설치하는 경우는, 도 4에 도시한 부품 기판(6) 하면의 홈(11)을 연통로로서 이용해도 된다. In addition, this communication path may be provided on the component substrate 6 or may be provided on the component cover 9. In addition, when providing the communication path on the component board | substrate 6, you may use the groove 11 of the lower surface of the component board | substrate 6 shown in FIG.

(실시 형태 2) (Embodiment 2)

이하, 본 발명에 관한 실시 형태 2에 대하여 도면을 이용해 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Embodiment 2 which concerns on this invention is described using drawing.

또한, 이 실시 형태 2와 전술한 실시 형태 1의 주요 차이는 캐비티(16)를 형성하기 위하여, 소자로서의 IDT 전극(7)의 하측방(도 9에 있어서의 하측방으로서, 실장 기판(3)과 대향하는 측, 이하 동일)을 덮는 소자 커버(20)를 이용한 점이고, 다른 유사한 구성에 대하여는 동일한 부호를 이용해 설명하기로 하고, 그 설명을 간략화한다. The main difference between the second embodiment and the first embodiment described above is that in order to form the cavity 16, the lower side of the IDT electrode 7 as an element (as the lower side in FIG. 9, the mounting substrate 3). The element cover 20 which covers the side facing the same, hereinafter same) is used, and other similar configurations will be described with the same reference numerals, and the description thereof will be simplified.

이 실시 형태 2의 전자 부품 패키지에 있어서도 도 1에 도시한 바와 같이, 실장 기판(3) 상에 다른 전자 부품(2a∼2c)과 함께 SAW 듀플렉서(1)가 실장되고, 몰드 수지(4)로 피복된 구조로 되어 있다. Also in the electronic component package of the second embodiment, as shown in FIG. 1, the SAW duplexer 1 is mounted on the mounting substrate 3 together with the other electronic components 2a to 2c, and the mold resin 4 is used. It is a coated structure.

또한, 전자 부품 패키지를 구성하는 SAW 듀플렉서(1)는, 그 단면도를 도 9에 도시한 바와 같이, 부품 기판(6)과, 이 부품 기판(6)의 하면에 배치되어 있는 복수의 소자로서의 IDT 전극(7)과, IDT 전극(7)의 하면측을 덮는 소자 커버(20)와, 소자 커버(20)를 포함하는 부품 기판(6)의 하면 전체를 덮는 부품 커버(9)와, 이 부품 커버(9)의 하면에 설치된 수지제의 보호체(10)를 구비한 구조로 되어 있다. 또한, 외부 전극(5)이란 상술한 실시 형태 1과 동일하게, 도 8에 도시한 SAW 듀플렉서(1)의 그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15)가 접합되는, 실장 기판(3)에 설치된 전극을 가리킨다. In addition, the SAW duplexer 1 constituting the electronic component package, as shown in FIG. 9, has a component substrate 6 and IDT as a plurality of elements disposed on the lower surface of the component substrate 6. An element cover 20 covering the lower surface side of the electrode 7, the IDT electrode 7, a component cover 9 covering the entire lower surface of the component substrate 6 including the element cover 20, and the component. It has a structure provided with the protective body 10 made of resin provided in the lower surface of the cover 9. As shown in FIG. In addition, the external electrode 5 is the ground terminal 12, the receiving terminal 13, the antenna terminal 14, and the transmission terminal 15 of the SAW duplexer 1 shown in FIG. 8 similarly to Embodiment 1 mentioned above. ) Refers to an electrode provided on the mounting substrate 3 to be bonded.

또한, IDT 전극(7)과 소자 커버(20)와의 사이에 캐비티(16)를 형성함으로써, 탄성파의 진동 공간을 확보하는 동시에, 이 진동 공간을 기밀 상태로 유지한다. 또한, 본 실시 형태 2에서는 소자 커버(20)를 1 또는 2개의 IDT 전극(7)마다 설치한다. Further, by forming the cavity 16 between the IDT electrode 7 and the element cover 20, the vibration space of the elastic waves is secured and the vibration space is kept in an airtight state. In addition, in Embodiment 2, the element cover 20 is provided for every one or two IDT electrodes 7.

그리고, 부품 기판(6)의 재료로서 LiTaO3, 또한 IDT 전극의 재료로서 알루미늄, 부품 커버(9)의 재료로는 필러를 함유한 에폭시 수지를 이용했다. 이 필러로는 산화실리콘을 이용하고, 그 함유율은 약 80wt%로 했다. 또한, 소자 커버(20)의 테두리부(20a)에는 감광성 폴리이미드, 소자 커버(20)의 덮개부(20b)에는 감광층을 폴리에스테르와 폴리에틸렌으로 끼운 3층 구조의 감광성 드라이 필름을 이용했다. 그 외, 부품 기판(6)의 재료로는 LiNbO3, IDT 전극(7)의 재료로는 알루미늄 이외의 금속도 이용할 수 있다. In addition, LiTaO 3 was used as the material of the component substrate 6, aluminum was used as the material of the IDT electrode, and epoxy resin containing filler was used as the material of the component cover 9. Silicon oxide was used as this filler, and the content rate was about 80 wt%. In addition, the photosensitive polyimide was used for the edge part 20a of the element cover 20, and the photosensitive dry film of the three-layered structure which sandwiched the photosensitive layer with polyester and polyethylene was used for the cover part 20b of the element cover 20. As shown in FIG. In addition, as the material of the component substrate 6, a metal other than aluminum may be used as the material of the LiNbO 3 and the IDT electrode 7.

이하에, 본 실시 형태 2의 SAW 듀플렉서(1)의 제조 방법을 설명한다. The manufacturing method of the SAW duplexer 1 of this Embodiment 2 is demonstrated below.

처음에, 도 10에 도시한 바와 같이, 부품 기판(6)의 하면 전체에 알루미늄을 증착 스퍼터하고, 그 후, 도 11a에 도시한 바와 같이, 드라이 에칭 가공으로 IDT 전극(7) 등의 전극 패턴을 형성한다. First, as shown in FIG. 10, aluminum is deposited and sputtered on the whole lower surface of the component substrate 6, and then, as shown in FIG. 11A, electrode patterns, such as IDT electrode 7, by dry etching process. To form.

또한, 이 도 11a∼f와 다음 도 12a∼f는, SAW 듀플렉서(1)의 제조 과정을 도시한 도면이므로, SAW 듀플렉서(1)의 실장 상태를 도시한 도 1, 도 2 및 그 밖의 도면에 도시한 SAW 듀플렉서(1)를, 상하 방향으로 반전시킨 상태를 나타낸다. 따라서, 도 11a∼f와 도 12a∼f를 사용한 설명에 있어서만, 그 이외의 설명과 상하의 방향이 반대로 되어 있다. 11A to 12F and FIG. 12A to FIG. 12 are views illustrating a manufacturing process of the SAW duplexer 1, and therefore, FIG. 1, FIG. 2 and other drawings showing the mounting state of the SAW duplexer 1 are shown. The SAW duplexer 1 shown in the figure is inverted in the up-down direction. Therefore, only in the description using FIGS. 11A-F and FIG. 12A-F, the description of that other than that and the up-down direction are reversed.

다음에, 도 11b와 같이, 부품 기판(6) 상에 감광성 폴리이미드층(21)을 스핀 코트로 도포하고, 또한 그 윗쪽에, 소자 커버(20)의 테두리부(20a)에 상당하는 부분을 광이 통과하도록 한 마스크(22)를 싣고, 노광하여 현상한다. 이에 따라, 도 11c와 같이 소자 커버(20)의 테두리부(20a)를 형성할 수 있다. 그 후, 도 11d와 같이, 테두리부(20a)를 통해, 부품 기판(6)의 윗쪽에 감광성 드라이 필름(23)을 얹고, 또한 이 감광성 드라이 필름(23)의 윗쪽에, 소자 커버(20)의 덮개부(20b)에 상당하는 부분을 광이 통과하도록 한 마스크(24)를 싣고, 노광하여 현상한다. 이에 따라, 도 11e와 같이, 테두리부(20a)와 덮개부(20b)로 이루어진 소자 커버(20)가 형성된다.Next, as shown in FIG. 11B, the photosensitive polyimide layer 21 is coated on the component substrate 6 with a spin coat, and a portion corresponding to the edge portion 20a of the element cover 20 is disposed on the upper portion thereof. The mask 22 which let light pass is mounted, it exposes, and develops. Accordingly, the edge portion 20a of the element cover 20 may be formed as shown in FIG. 11C. Thereafter, as shown in FIG. 11D, the photosensitive dry film 23 is placed on the component substrate 6 through the edge portion 20a, and the element cover 20 is placed above the photosensitive dry film 23. The mask 24 which let light pass through the part corresponded to the cover part 20b of this is mounted, and it exposes and develops. Accordingly, as shown in FIG. 11E, the element cover 20 including the edge portion 20a and the cover portion 20b is formed.

다음으로, 도 11f와 같이, 부품 기판(6)상에 있어서, 소자 커버(20)를 덮도록 감광성 레지스트(네거티브형)(25)를 도포하고, 이 감광성 레지스트(25)의 윗쪽을, 후술하는 외부 단자 접속부(26)(도 12b에 도시한다)에 상당하는 부분이 노광하지 않도록 마스크(28)로 마스킹한다. 그리고, 노광하여 현상하면, 도 12a와 같이, 감광성 레지스트(25)의 외부 단자 접속부(26)에 상당하는 부분에, 구멍(29)을 형성할 수 있다. Next, as shown in FIG. 11F, on the component substrate 6, a photosensitive resist (negative type) 25 is applied to cover the element cover 20, and the upper portion of the photosensitive resist 25 is described later. The part corresponding to the external terminal connection part 26 (shown in FIG. 12B) is masked with the mask 28 so that it may not expose. And when it exposes and develops, the hole 29 can be formed in the part corresponded to the external terminal connection part 26 of the photosensitive resist 25 like FIG. 12A.

다음으로, 도 12b와 같이, 구멍(29)의 부분에 Cu를 무전해 도금으로 충전하고, 외부 단자 접속부(26)를 형성한다. 그 후, 도 12c와 같이, 감광성 레지스트(25)를 용해하고, 부품 기판(6)을 금형에 넣는다. 그리고 도 12d와 같이, 부품 기판(6) 상에 있어서, 소자 커버(20)와 외부 단자 접속부(26)를 덮도록 액체의 에폭시 수지(후에 부품 커버(9)가 된다)를 흘려넣어, 열경화시킨다. Next, as shown in FIG. 12B, the portion of the hole 29 is filled with Cu by electroless plating to form an external terminal connection portion 26. Then, as shown in FIG. 12C, the photosensitive resist 25 is melt | dissolved and the component board | substrate 6 is put in a metal mold | die. And as shown in FIG. 12D, on the component board | substrate 6, the liquid epoxy resin (it becomes the component cover 9 later) is flown so that the element cover 20 and the external terminal connection part 26 may be covered, and thermosetting Let's do it.

다음으로, 도 12e와 같이, 이 부품 커버(9)를 형성하는 에폭시 수지를, 외부 단자 접속부(26)가 드러날 때까지 연마하여, 부품 커버(9)를 형성한다. 그리고, 도 12f와 같이, 외부 단자 접속부(26) 상에 외부 전극(5)과 접합하는 전극(그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15), 단, 그라운드 단자(12)와 수신 단자(13)만을 도시하고, 안테나 단자(14)와 송신 단자(15)는 도시를 생략한다)을 배치하면, SAW 듀플렉서(1)가 완성된다. Next, as shown in FIG. 12E, the epoxy resin forming the component cover 9 is polished until the external terminal connecting portion 26 is exposed to form the component cover 9. 12F, electrodes (ground terminal 12, receiving terminal 13, antenna terminal 14, transmitting terminal 15, and ends) that are joined to the external electrode 5 on the external terminal connecting portion 26. When only the ground terminal 12 and the receiving terminal 13 are shown, and the antenna terminal 14 and the transmitting terminal 15 are not shown), the SAW duplexer 1 is completed.

다음으로, 도 9에 도시한 바와 같이(상기와 같이, 도 9와 도 11a∼f 및 도 12a∼f는, 상하가 반대로 되어 있다), 부품 커버(9) 하면의 외부 전극(5)과 접합하는 전극(그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15))을 배치하는 장소를 제외한 면에, 수지제의 보호체(10)를 설치한다. 이 보호체(10)는, 특히 캐비티(16)에 대향하도록 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 이 보호체(10)는, 에폭시 수지 혹은 폴리이미드 수지에 실리콘 고무 등의 고무를 첨가한 고무 변성 가요성 수지를, 인쇄 등에 의해 형성한 것이다. Next, as shown in FIG. 9 (as above, FIGS. 9A, 11A-F, and 12A-F are reversed up and down), they are joined to the external electrode 5 on the bottom surface of the component cover 9. The protective body 10 made of resin is provided on the surface except the place where the electrodes (ground terminal 12, receiving terminal 13, antenna terminal 14, transmitting terminal 15) are placed. It is preferable to provide this protection body 10 so that especially the cavity 16 may oppose. In addition, this protective member 10 forms rubber modified flexible resin which added rubber | gum, such as a silicone rubber, to an epoxy resin or a polyimide resin, by printing etc.

마지막으로, 실장 기판(3)에 실장한 SAW 듀플렉서(1)를 몰드 수지(4)로 피복하고, 패키징하는 공정을 설명한다. Finally, the process of covering and packaging the SAW duplexer 1 mounted on the mounting board 3 with the mold resin 4 is demonstrated.

우선, 도 1에 도시된 것과 같은 SAW 듀플렉서(1)와 그 밖의 전자 부품(2a∼2c)을 실장한 복합형 전자 부품을 금형에 넣고, 다음에 이 금형에 가열·가압한 몰드 수지(4)를 주입하고, 그 후 냉각하여 형성한다. 본 실시 형태 2에서, 몰드 수지(4)에는 필러를 분산시킨 에폭시 수지를 이용하고, 몰드 수지(4)의 주입 조건은 수지 온도를 175℃, 주입 압력을 50∼100atm으로 했다. 또한, 이 몰드 수지(4)의 필러에는 산화 실리콘을 이용하고, 그 혼합율은 80wt%∼90wt%로 했다. First, a mold resin 4 having a SAW duplexer 1 as shown in FIG. 1 and a composite electronic component mounted with other electronic components 2a to 2c mounted in a mold, and then heated and pressed on the mold. Is injected, and then cooled to form. In this Embodiment 2, the epoxy resin which disperse | distributed the filler was used for the mold resin 4, The injection conditions of the mold resin 4 made resin temperature 175 degreeC, and injection pressure 50-100 atm. In addition, silicon oxide was used for the filler of this mold resin 4, and the mixing rate was 80 to 90 wt%.

상기의 구성으로 함으로써, 전자 부품 패키지는, 몰드 수지(4)로 가공 시의 외압에 대한 강도가 향상되고, 전자 부품의 손상을 방지할 수 있다. 그 이유를 이하에 설명한다. By setting it as said structure, the strength with respect to the external pressure at the time of processing with the mold resin 4 can improve the electronic component package, and it can prevent damage to an electronic component. The reason is explained below.

도 9에 도시한 바와 같이, 몰드 수지(4)가 부품 커버(9)와 실장 기판(3)과의 사이에 충전될 때, 부품 커버(9)에는 매우 큰 상향의 압력이 인가된다. 그러나, 수지제의 보호체(10)는 몰드 수지(4)보다 탄성율이 작은, 즉 부드럽기 때문에, 이 몰드 수지(4)로부터 압력을 받으면 변형되고, 그 압력을 다방향으로 분산시킬 수 있다. 따라서, 보호체(10)에 의하여, 부품 커버(9) 및 소자 커버(20)의 아래쪽에서 SAW 듀플렉서(1)에 인가되는 응력을 완충시킬 수 있다. As shown in FIG. 9, when the mold resin 4 is filled between the component cover 9 and the mounting substrate 3, a very large upward pressure is applied to the component cover 9. However, since the protective body 10 made of resin has a smaller elastic modulus than that of the mold resin 4, that is, it is soft, it is deformed when the pressure is received from the mold resin 4, and the pressure can be dispersed in multiple directions. Therefore, the protection body 10 can buffer the stress applied to the SAW duplexer 1 below the component cover 9 and the element cover 20.

또한, 보호체(10)를 설치하면, SAW 듀플렉서(1)와 실장 기판(3)과의 사이의 공간이 작아지고, 그 공간에 들어가는 몰드 수지(4)의 양을 줄일 수 있다. 따라서, 몰드 수지(4)로부터의 응력을 억제할 수 있다. In addition, when the protective body 10 is provided, the space between the SAW duplexer 1 and the mounting substrate 3 becomes small, and the amount of the mold resin 4 entering the space can be reduced. Therefore, the stress from the mold resin 4 can be suppressed.

또한, 이 실시 형태 2에서는 보호체(10)를 전술한 바와 같이, 도 8의 해칭을 하지 않은 부분, 즉, 부품 커버(9)의 하면에 있어서의 외부 전극(5)과의 접합 부분(즉, 그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15)를 배치하는 장소)을 제외한 모든 부분에 설치했는데, 적어도 외부 전극(5)과의 접합 부분을 제외한 캐비티(16)에 대향하는 일부 부분에 설치함으로써, 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. In addition, in the second embodiment, as described above, the protective member 10 is not hatched in FIG. 8, that is, a junction portion with the external electrode 5 on the lower surface of the component cover 9 (that is, , Except for the ground terminal 12, the receiving terminal 13, the antenna terminal 14, and the place where the transmitting terminal 15 is disposed, but at least in the cavity except for the junction with the external electrode 5. By providing in a part which opposes (16), the same effect can be acquired.

또한, 부품 커버(9)를, 필러를 함유하는 에폭시 수지로 함으로써, 전자 부품의 손상을 억제하고, 외압에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다. Moreover, by making the component cover 9 into the epoxy resin containing a filler, the damage of an electronic component can be suppressed and the reliability with respect to external pressure can be improved.

이는, 전자 부품에 외압이 인가되었을 때, 부품 커버(9)는, 한편으로는 그 수지 부분에 의하여 어느정도의 탄성 변형이 가능해지고, 외압을 다방향으로 분산할 수 있다. 다른 한편으로는 필러의 부분에 의하여 부품 커버(9)의 외형을 유지하는 것이 가능해져, 지나친 탄성 변형을 억제할 수 있다. 그 결과로서, 전자 부품 패키지의 외압에 대한 강도가 증가하고, IDT 전극(7)의 손상을 저감시킬 수 있다. This is because, when an external pressure is applied to the electronic component, the component cover 9, on the one hand, can be elastically deformed to some extent by the resin portion, and the external pressure can be dispersed in multiple directions. On the other hand, it becomes possible to maintain the external shape of the part cover 9 by the part of a filler, and can suppress excessive elastic deformation. As a result, the strength with respect to the external pressure of the electronic component package increases, and damage to the IDT electrode 7 can be reduced.

또한, 부품 커버(9)에 필러를 함유시킴으로써, 부품 커버(9)는 수지만으로 형성하는 경우보다 소수성을 나타내고, IDT 전극(7)이 습기에 의해 부식하는 것을 억제할 수 있다. In addition, by including the filler in the component cover 9, the component cover 9 exhibits hydrophobicity as compared with the case where the component cover 9 is formed only by resin, and the corrosion of the IDT electrode 7 by moisture can be suppressed.

또한, 본 실시 형태 2에서는, 부품 기판(6) 상에 복수의 IDT 전극(7)을 형성하고, 1개 혹은 2개의 IDT 전극(7)마다 소자 커버(20)가 형성되어 있다. 이와 같이, 소자 커버(20)를 복수 형성함으로써, 모든 IDT 전극(7)을 덮도록 하나의 소자 커버(20)를 설치하는 경우와 비교해, SAW 듀플렉서(1)의 손상을 효율적으로 억제할 수 있다. In the second embodiment, a plurality of IDT electrodes 7 are formed on the component substrate 6, and the element cover 20 is formed for each one or two IDT electrodes 7. Thus, by forming a plurality of element covers 20, damage to the SAW duplexer 1 can be effectively suppressed as compared with the case where one element cover 20 is provided to cover all IDT electrodes 7. .

즉, 복수의 소자 커버(20)를 설치함으로써 캐비티(16)는 분할되고, 복수의 캐비티(16) 사이에는 도 9에 도시한 칸막이 벽(19)이 형성된다. 그리고 이 칸막이 벽(19)이 지주가 되어, 외부 응력을 분산할 수 있다. 따라서, 부품 기판(6) 혹은 부품 커버(9) 및 소자 커버(20)의 갈라짐을 억제할 수 있다. 또한, 이 칸막이 벽(19)은 캐비티(16) 내에, 별도 수지 등에 의해 임의로 형성해도 된다. That is, by providing the plurality of element covers 20, the cavity 16 is divided, and the partition wall 19 shown in FIG. 9 is formed between the plurality of cavities 16. And this partition wall 19 becomes a support | pillar, and can distribute external stress. Therefore, the division of the component board | substrate 6 or the component cover 9 and the element cover 20 can be suppressed. In addition, this partition wall 19 may be arbitrarily formed in the cavity 16 by resin etc. separately.

또한, 이 복수의 캐비티(16)는 완전히 분할하여 형성해도 되지만, 인접한 캐 비티(16) 사이를 터널상의 연통로(특별히 도시하지 않음)에 의해 일부 연결해도 된다. 이와 같이 연통로를 설치함으로써, 캐비티(16)의 일부에 지나친 외압이 인가된 경우, 그 외압을, 연통로를 통해 다른 캐비티(16)로 분산시킬 수 있다. 결과적으로, 전자 부품 패키지의 외압에 대한 강도를 향상시킬 수 있다. The plurality of cavities 16 may be formed by completely dividing the plurality of cavities 16, but may be partially connected between adjacent cavities 16 by a tunnel-shaped communication path (not particularly shown). By providing a communication path in this way, when excessive external pressure is applied to a part of the cavity 16, the external pressure can be distributed to another cavity 16 through the communication path. As a result, the strength against external pressure of the electronic component package can be improved.

또한, 본 실시 형태 2에서는, 전자 부품의 저배화(低背化)를 위해, 부품 커버(9)는 부품 기판(6)보다 얇은 것으로 한다. 따라서, 부품 커버(9)는 특히 갈라지기 쉽고, 이 부품 커버(9)의 손상에 따라, 소자 커버(20)도 손상되기 쉬워진다. 따라서, 이 부품 커버(9)의 강도를 향상시킬 필요가 있으므로, 상술과 같은 구성이 요구된다. In addition, in the second embodiment, the component cover 9 is thinner than the component substrate 6 in order to reduce the magnification of the electronic component. Therefore, the component cover 9 is particularly easy to crack, and according to the damage of the component cover 9, the element cover 20 also tends to be damaged. Therefore, since the strength of this component cover 9 needs to be improved, the above-described configuration is required.

(실시 형태 3) (Embodiment 3)

이하, 본 발명에 관한 실시 형태 3에 대하여 도면을 이용해 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Embodiment 3 which concerns on this invention is described using drawing.

또한, 이 실시 형태 3과 전술한 실시 형태 1의 주요 차이는, 도 13에 도시한 바와 같이, 캐비티(16)를 형성하기 위하여, 소자로서의 IDT 전극(7)의 외주에 접착부(30)를 설치하고, 이 접착부(30)를 통해 부품 기판(6)과 부품 커버(9)를 접합하고, 이 접착부(30)로 둘러싸인 부분을 캐비티(16)로서 이용한 점이다. 다른 유사한 구성에 대하여는 동일한 부호를 이용해 설명하기로 하고, 그 설명을 간략화한다. In addition, the main difference between the third embodiment and the first embodiment described above is that, as shown in FIG. 13, in order to form the cavity 16, the bonding portion 30 is provided on the outer circumference of the IDT electrode 7 as an element. The component substrate 6 and the component cover 9 are bonded to each other through the adhesive portion 30, and the portion surrounded by the adhesive portion 30 is used as the cavity 16. Other similar configurations will be described with the same reference numerals and the description will be simplified.

이 실시 형태 3의 전자 부품 패키지에 있어서도 도 1에서 도시한 바와 같이, 실장 기판(3) 상에 다른 전자 부품(2a∼2c)과 동시에 SAW 듀플렉서(1)가 설치되고, 이들이 몰드 수지(4)로 피복된 구조로 되어 있다. Also in the electronic component package of this Embodiment 3, as shown in FIG. 1, SAW duplexer 1 is provided on the mounting board 3 simultaneously with other electronic components 2a-2c, and these are molded resin 4 It has a structure covered with.

그리고, 전자 부품 패키지를 구성하는 SAW 듀플렉서(1)는 그 단면을 도 13에 도시한 바와 같이, 부품 기판(6)과, 이 부품 기판(6)의 하면(도 13, 도 15 a∼f, 도 16 a∼g에 도시한 하방이고, 실시 형태 3의 설명에 대해 동일)에 배치되어 있는 복수의 소자로서의 IDT 전극(7)과, 부품 기판(6)의 하면측을 덮는 부품 커버(9)를 구비하고, 이 부품 커버(9)의 하면에는 수지제의 보호체(10)가 설치되어 있다. 또한, 외부 전극(5)이란, 상술한 실시 형태 1의 도 8과 동일한, 도 17에 도시한 SAW 듀플렉서(1)의 그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15)가 접합되는, 실장 기판(3)에 설치된 전극을 가리킨다. As shown in FIG. 13, the SAW duplexer 1 constituting the electronic component package has a component substrate 6 and a lower surface of the component substrate 6 (FIGS. 13, 15A to 15F). 16T to IDT electrode 7 as a some element arrange | positioned below and same as the description of Embodiment 3, and the component cover 9 which covers the lower surface side of the component board | substrate 6 shown to FIG. 16A-G. And a protective member 10 made of resin is provided on the lower surface of the component cover 9. In addition, the external electrode 5 is the ground terminal 12, the receiving terminal 13, the antenna terminal 14, and the transmission of the SAW duplexer 1 shown in FIG. 17 similar to FIG. 8 of Embodiment 1 mentioned above. The electrode provided in the mounting board 3 to which the terminal 15 is bonded is pointed.

또한, 이 부품 커버(9)와 IDT 전극(7)과의 사이에는 접착부(30)가 설치되고, 부품 커버(9)와 부품 기판(6)을 접합하였을 때에 접착부(30)의 두께에 의해 캐비티(16)가 형성된다. 부품 커버(9)의 하면에는, 몰드 수지(4)보다 탄성율이 작은, 즉 부드러운, 보호체(10)가 설치되어 있다. 또한, 접착부(30)는, 부품 기판(6)측에 설치한 제1의 접착부(30a)(도 15d∼f에 도시한다)와, 부품 커버(9)측에 설치한 제2의 접착부(30b)(도 16c∼f에 도시한다)가 접합된 것이다.In addition, an adhesive portion 30 is provided between the component cover 9 and the IDT electrode 7, and when the component cover 9 and the component substrate 6 are bonded together, the cavity 30 is formed by the thickness of the adhesive portion 30. 16 is formed. On the lower surface of the component cover 9, a protective member 10 having a smaller modulus of elasticity than the mold resin 4, that is, a softness is provided. Moreover, the adhesion part 30 is the 1st adhesion part 30a (shown in FIGS. 15D-F) provided in the component board | substrate 6 side, and the 2nd adhesion part 30b provided in the component cover 9 side. ) (Shown in FIGS. 16C to F) is bonded.

이하에, 본 실시 형태 3에 있어서의 전자 부품 패키지의 제조 방법에 대하여, 도 15a∼f와 16a∼g를 이용해 설명한다. 또한, 도 15a∼f와 도 16a∼g는 SAW 듀플렉서(1)의 제조 과정을 도시한 도면인데, 상기 도 11a∼f, 도 12a∼f와는 반대로, SAW 듀플렉서(1)의 실장 상태를 도시한 도 1, 도 2와 동일한 상하 방향을 나타낸다.Hereinafter, the manufacturing method of the electronic component package in Embodiment 3 is demonstrated using FIGS. 15A-F and 16A-G. 15A to 15F and FIGS. 16A to 15G illustrate the manufacturing process of the SAW duplexer 1, and in contrast to FIGS. 11A to 12F and 12A to 12F, the mounting state of the SAW duplexer 1 is shown. The same vertical direction as FIG. 1, FIG. 2 is shown.

서두에 도 15a에 도시한 바와 같이, 부품 기판(6)의 하면 전체에 알루미늄을 증착 스퍼터하고, 그 후, 드라이 에칭 가공에 의해, 도 14에 도시한 바와 같이, IDT 전극(7) 등의 전극 패턴을 형성한다. At first, as shown in FIG. 15A, aluminum is deposited and sputtered on the entire lower surface of the component substrate 6, and thereafter, by dry etching, electrodes such as the IDT electrode 7 and the like are shown in FIG. Form a pattern.

다음으로, 도 15b에 도시한 바와 같이, 부품 기판(6)의 하면 전체에 레지스트(31)를 도포한다. 그리고, 도 15c에 도시한 바와 같이, 도 17의 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15), 그라운드 단자(12)가 접속되는 전극 부분과, 도 14에 있어서의 모든 IDT 전극(7)을 둘러싸는 부품 기판(6)의 외주 영역을, 노출하도록 패터닝한다. 이는, 다음 공정에 있어서, IDT 전극(7)의 가장자리까지 알루미늄이 증착되는 것을 방지하고, 이 IDT 전극(7)의 진동 공간을 충분히 확보하기 위함이다. Next, as shown in FIG. 15B, the resist 31 is applied to the entire lower surface of the component substrate 6. And as shown in FIG. 15C, the electrode part to which the receiving terminal 13, the antenna terminal 14, the transmission terminal 15, and the ground terminal 12 of FIG. 17 are connected, and all the IDTs in FIG. The outer peripheral region of the component substrate 6 surrounding the electrode 7 is patterned so as to be exposed. This is to prevent aluminum from being deposited to the edge of the IDT electrode 7 in the next step, and to sufficiently secure the vibration space of the IDT electrode 7.

그리고, 이 패터닝한 레지스트(31)의 표면 전체에, 도 15d와 같이, 알루미늄을 증착하고, 상기 노출된 부분에 제1의 접착부(30a)를 설치한다. 그 후, 도 15e에 도시한 바와 같이, 밑에서부터 연마하여, 제1의 접착부(30a)의 높이를 맞춘다. 이 때, 증착후의 표면은 요철이 큰 것부터, 제1의 접착부(30a)의 하면도 조금 연마하고, 표면을 매끄럽게 해 두는 것이 바람직하다. 이는, 후술의 부품 커버(9)와의 접착성을 높이기 위함이다. Then, aluminum is deposited on the entire surface of the patterned resist 31 as shown in Fig. 15D, and a first adhesive portion 30a is provided on the exposed portion. Thereafter, as shown in Fig. 15E, polishing is performed from the bottom to adjust the height of the first bonding portion 30a. At this time, since the surface after vapor deposition is large, it is preferable to grind a little also the lower surface of the 1st adhesion part 30a, and to make the surface smooth. This is for enhancing the adhesiveness with the component cover 9 mentioned later.

다음에, 부품 기판(6)을 레지스트(31)의 박리액 등에 침지하고, 레지스트(31)를 용해시키면, 도 15f와 같이, 제1의 접착부(30a)가 IDT 전극(7)보다 조금 높아지도록 형성할 수 있다. Next, when the component substrate 6 is immersed in the release liquid of the resist 31 or the like, and the resist 31 is dissolved, the first adhesive portion 30a is slightly higher than the IDT electrode 7 as shown in FIG. 15F. Can be formed.

한편, 도 13에 도시한 바와 같이, IDT 전극(7)을 산화나 습기에 의한 부식으로부터 지키기 위하여, 부품 기판(6)의 하면측에는 실리콘 제의 부품 커버(9)를 설 치한다. 이 부품 커버(9)의 제조 방법을, 도 16a∼g를 이용해 이하에 설명한다. On the other hand, as shown in Fig. 13, in order to protect the IDT electrode 7 from corrosion due to oxidation or moisture, a component cover 9 made of silicon is provided on the lower surface side of the component substrate 6. The manufacturing method of this component cover 9 is demonstrated below using FIGS. 16A-G.

우선, 도 16a와 같이, 부품 커버(9)의 상면 전체에 레지스트(31)를 도포하고, 도 16b와 같이 제1의 접착부(30a)와 접합하는 부분 이외에 레지스트(31)가 남도록 패터닝한다. 그 후, 도 16c와 같이, 부품 커버(9)의 표면 전체에 제2의 접착부(30b)가 되는 알루미늄을 증착한다. First, as shown in Fig. 16A, the resist 31 is applied to the entire upper surface of the component cover 9, and patterned so that the resist 31 remains in addition to the portion to be joined to the first bonding portion 30a as shown in Fig. 16B. Thereafter, as shown in FIG. 16C, aluminum to be the second bonding portion 30b is deposited on the entire surface of the component cover 9.

다음으로, 도 16d와 같이, 부품 커버(9)의 표면을 연마하고, 제2의 접착부(30b)의 높이에 맞춘다. 이 때, 제1의 접착부(30a)와 마찬가지로, 제2의 접착부(30b)의 상면도 조금 연마하고, 표면을 매끄럽게 해 두는 것이 바람직하다. 그 후, 부품 커버(9)를 레지스트(31)의 박리액 등에 침지하고, 레지스트(31)를 용해시키면, 도 16e와 같은 부품 커버(9)가 완성된다. Next, as shown in FIG. 16D, the surface of the component cover 9 is polished and adjusted to the height of the second bonding portion 30b. At this time, similarly to the first bonding portion 30a, it is preferable that the upper surface of the second bonding portion 30b is also slightly polished to smooth the surface. Thereafter, when the component cover 9 is immersed in the release liquid of the resist 31 or the like and the resist 31 is dissolved, the component cover 9 as shown in Fig. 16E is completed.

다음으로, 이 부품 커버(9)와 부품 기판(6)을 접합하는 방법을 이하에 설명한다. Next, the method of joining the component cover 9 and the component board | substrate 6 is demonstrated below.

우선, 도 16f와 같이, 부품 기판(6)의 하면에 설치한 제1의 접착부(30a)와, 부품 커버(9)의 상면에 설치한 제2의 접착부(30b)가 접합하도록 위치 결정을 행한다. 다음으로, 이 제1의 접착부(30a)와 제2의 접착부(30b)의 각각의 접합면을 플라즈마 처리하여 세정한다. 그 후, 200℃로 가열하면서 가볍게 가압하고, 도 16g와 같이, 제1의 접착부(30a)와 제2의 접착부(30b)를 직접 원자간 결합시켜, 접착부(30)를 형성한다. First, as shown in FIG. 16F, positioning is performed such that the first bonding portion 30a provided on the lower surface of the component substrate 6 and the second bonding portion 30b provided on the upper surface of the component cover 9 are joined. . Next, each joining surface of this 1st adhesion part 30a and the 2nd adhesion part 30b is plasma-processed, and it wash | cleans. Then, it pressurizes lightly, heating at 200 degreeC, and the 1st adhesion part 30a and the 2nd adhesion part 30b are directly bonded between atoms as FIG. 16G, and the adhesion part 30 is formed.

다음으로, 도 18에 도시한 바와 같이, 부품 커버(9)의 하면에 설치되는 전극(도 17 및 도 18의 그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단 자(15), 단, 도 18에서는 그라운드 단자(12)와 안테나 단자(14)만을 도시한다)과 부품 기판(6)에 설치된 각 전극을 접속하기 위한 관통공(17)을 드라이 에칭 가공에 의해 형성한다. 또한, 도 18은 도 17에 있어서의 B-B 단면을 도시한다. 그 후, 이 관통공(17)의 안쪽에 Ti, Ni, Au를 순차 증착하고, 또한 그 증착막의 내부에 땜납을 인쇄하여 충전하고, 외부 단자 접속부(32)를 형성한다. Next, as shown in FIG. 18, the electrode (ground terminal 12, receiving terminal 13, antenna terminal 14, transmission terminal of FIG. 17 and FIG. 18) provided in the lower surface of the component cover 9 is shown. (15) However, in FIG. 18, only the ground terminal 12 and the antenna terminal 14 are shown, and the through-hole 17 for connecting each electrode provided in the component board | substrate 6 is formed by dry etching process. do. 18 shows the B-B cross section in FIG. Thereafter, Ti, Ni, and Au are sequentially deposited inside the through hole 17, and solder is printed and filled into the inside of the vapor deposition film to form an external terminal connection portion 32.

다음으로, 도 13에 도시한 바와 같이, 부품 커버(9)의 하면이고, 외부 전극(5)과 접합하는 전극을 배치하는 장소를 제외한 모든 면에, 수지제의 보호체(10)를 설치한다. 이 보호체(10)는 에폭시 수지 혹은 폴리이미드 수지에, 실리콘 고무 등의 고무를 첨가한 고무 변성 가용성 수지를, 인쇄 등에 의해 형성한 것이다. 그 후, 도 17에 도시한 바와 같이, 부품 커버(9)의 하면에 있어서의 해칭을 한 위치에 외부 전극(5)과 접합하는 전극, 즉 도 7 및 도 18의 그라운드 단자(12), 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15)를 배치하면, SAW 듀플렉서(1)가 완성된다. Next, as shown in FIG. 13, the protective body 10 made of resin is provided in all the surfaces except the place where the electrode which joins with the external electrode 5 is arrange | positioned as the lower surface of the component cover 9 is provided. . This protector 10 forms rubber modified soluble resin which added rubber | gum, such as a silicone rubber, to epoxy resin or polyimide resin by printing etc. Then, as shown in FIG. 17, the electrode which joins the external electrode 5 to the position which hatched in the lower surface of the component cover 9, ie, the ground terminal 12 of FIGS. 7 and 18, reception is received. When the terminal 13, the antenna terminal 14, and the transmission terminal 15 are arranged, the SAW duplexer 1 is completed.

그리고 마지막으로, 도 1에서 도시한 바와 같이, 실장 기판(3)에 실장한 SAW 듀플렉서(1)를 몰드 수지(4)로 피복하고, 패키징하는 공정을 설명한다. And finally, as shown in FIG. 1, the process of covering and packaging the SAW duplexer 1 mounted in the mounting board 3 with the mold resin 4 is demonstrated.

우선, SAW 듀플렉서(1)와 그 밖의 전자 부품(2a∼2c)을 실장한 복합형 전자 부품을 금형에 넣고, 다음에 이 금형에 가열한 몰드 수지(4)를 주입하여, 그 후 냉각하여 성형한다. 본 실시 형태 3에서, 몰드 수지(4)에는 필러를 분산시킨 에폭시 수지를 이용하고, 몰드 수지(4)의 주입 조건은 수지 온도를 175℃, 주입 압력 50∼100atm으로 했다. 또한, 이 몰드 수지(4)의 필러에는 산화 실리콘을 이용하고, 그 혼합율은 80wt%∼90wt%로 했다. First, a composite electronic component in which the SAW duplexer 1 and the other electronic components 2a to 2c are mounted is placed in a mold, and then the mold resin 4 heated therein is injected, and then cooled and molded. do. In this Embodiment 3, the epoxy resin which disperse | distributed the filler was used for the mold resin 4, and the injection conditions of the mold resin 4 made resin temperature 175 degreeC, and injection pressure 50-100 atm. In addition, silicon oxide was used for the filler of this mold resin 4, and the mixing rate was 80 to 90 wt%.

상기의 구성으로 함으로써, 전자 부품 패키지는 몰드 수지(4)로 가공시의 외압에 대한 강도가 향상되고, 전자 부품의 손상을 방지할 수 있다. 그 이유를 이하에 설명한다. By setting it as the said structure, the strength of the electronic component package with respect to the external pressure at the time of processing with the mold resin 4 can be improved, and damage to an electronic component can be prevented. The reason is explained below.

도 13에 도시한 바와 같이, 몰드 수지(4)가 부품 커버(9)와 실장 기판(3)의 사이에 충전될 때, 부품 커버(9)에는 매우 큰 상향의 압력이 인가되는데, 수지제의 보호체(10)는 몰드 수지(4)보다 탄성율이 작은, 즉 부드럽기 때문에, 이 몰드 수지(4)로부터 압력을 받으면 변형되고, 그 압력을 가로 방향으로 분산시킬 수 있다. 따라서, 보호체(10)에 의하여, 부품 커버(9)의 아래쪽에서 SAW 듀플렉서(1)에 인가되는 응력을 완충시킬 수 있다. As shown in FIG. 13, when the mold resin 4 is filled between the component cover 9 and the mounting substrate 3, a very large upward pressure is applied to the component cover 9. Since the protective member 10 has a smaller elastic modulus than the mold resin 4, that is, it is soft, it is deformed when the pressure is received from the mold resin 4, and the pressure can be dispersed in the horizontal direction. Therefore, the protector 10 can buffer the stress applied to the SAW duplexer 1 under the component cover 9.

또한, 보호체(10)를 설치하면, SAW 듀플렉서(1)와 실장 기판(3)과의 사이의 공간이 작아지고, 그 공간에 들어가는 몰드 수지(4)의 양을 줄일 수 있다. 따라서, 몰드 수지(4)로부터의 응력을 억제할 수 있다. In addition, when the protective body 10 is provided, the space between the SAW duplexer 1 and the mounting substrate 3 becomes small, and the amount of the mold resin 4 entering the space can be reduced. Therefore, the stress from the mold resin 4 can be suppressed.

또한, 부품 커버(9)의 하면에서, 외부 전극(5)과 접합되는 수신 단자(13), 안테나 단자(14), 송신 단자(15), 그라운드 단자(12)를 배치하는 장소를 제외한 부분 전체에 보호체를 설치했는데, 적어도 외부 전극(5)의 접합 부분을 제외한 캐비티(16)에 대향하는 일부 부분에 설치함으로써, 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. In addition, the lower part of the component cover 9 has the whole part except the place where the receiving terminal 13, the antenna terminal 14, the transmitting terminal 15, and the ground terminal 12 which are joined to the external electrode 5 are arrange | positioned. Although the protection body was provided in this, the same effect can be acquired by providing in the some part which opposes the cavity 16 except the junction part of the external electrode 5 at least.

또한, 본 실시 형태 3에서, 복수의 IDT 전극(7)의 사이에는 접착부(30)가 있고, 이 접착부(30)는 캐비티(16)를 작게 칸막이하는 칸막이 벽의 역할을 하고 있다. 그리고 SAW 듀플렉서(1)의 상하로부터 몰드 수지(4) 등에서의 외압이 인가되었을 때, 이 칸막이 벽이 지주가 되어 그 응력을 분산할 수 있고, SAW 듀플렉서(1) 의 패키지의 외압에 대한 강도를 향상시킬 수 있다. In addition, in Embodiment 3, there exists an adhesion part 30 between some IDT electrode 7, and this adhesion part 30 functions as the partition wall which partitions the cavity 16 small. When the external pressure in the mold resin 4 or the like is applied from the top and the bottom of the SAW duplexer 1, the partition wall becomes a support, and the stress can be dispersed, and the strength against the external pressure of the package of the SAW duplexer 1 is increased. Can be improved.

또한, 본 실시 형태 3에서는, 전자 부품의 저배화를 위해, 부품 커버(9)는 부품 기판(6)보다 얇게 한다. 따라서, 부품 커버(9)는 특히 갈라지기 쉽고, 이 부품 커버(9)의 강도를 향상시킬 필요가 있다. 이 때문에, 상술과 같은 구성 및 수단이 요구되는 것이다. In addition, in the third embodiment, the component cover 9 is made thinner than the component substrate 6 in order to reduce the magnification of the electronic component. Therefore, the part cover 9 is particularly easy to crack, and it is necessary to improve the strength of this part cover 9. For this reason, the structure and means as mentioned above are calculated | required.

본 발명에 관한 전자 부품 패키지는, 전자 부품 패키지의 외압에 대한 강도를 향상시키고, 전자 부품의 손상을 방지할 수 있으므로, 고압 조건에서의 트랜스퍼 몰드 가공 공정 등에 크게 이용할 수 있다. 따라서, 본 발명의 산업상의 이용 가능성은 매우 크다. Since the electronic component package which concerns on this invention can improve the intensity | strength with respect to the external pressure of an electronic component package, and can prevent the damage of an electronic component, it can be used for a transfer mold process process etc. under high pressure conditions. Therefore, the industrial applicability of the present invention is very large.

Claims (5)

실장 기판과, 상기 실장 기판 상에 배치된 외부 전극과, 상기 외부 전극을 통해 상기 실장 기판상에 실장된 전자 부품과, 상기 전자 부품을 상기 실장 기판상에 있어서 피복한 몰드 수지를 구비하고, A mounting substrate, an external electrode disposed on the mounting substrate, an electronic component mounted on the mounting substrate via the external electrode, and a mold resin covering the electronic component on the mounting substrate, 상기 전자 부품은, 부품 기판과, 상기 부품 기판의 상기 실장 기판에 대향하는 면에 배치되어 있는 소자와, 상기 부품 기판의 상기 실장 기판에 대향하는 면측을 덮는 부품 커버를 가지고, The said electronic component has a component board | substrate, the element arrange | positioned in the surface which opposes the said mounting board | substrate of the said component board | substrate, and the component cover which covers the surface side facing the said mounting board | substrate of the said component board | substrate, 상기 소자와 상기 부품 커버의 사이에 캐비티를 설치하고, 상기 외부 전극의 접합 부분을 제외한 상기 부품 커버의 상기 실장 기판에 대향하는 면에는 상기 몰드 수지보다 탄성율이 작은 보호체를 설치한, 전자 부품 패키지.The electronic component package which provided the cavity between the said element cover and the said component cover, and provided the protection body whose elastic modulus is smaller than the said mold resin in the surface which opposes the said mounting board of the said component cover except the junction part of the said external electrode. . 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 보호체는, 수지, 또는 고무에 의해 형성한, 전자 부품 패키지. The said protective body is an electronic component package formed from resin or rubber. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 부품 커버의 상기 소자와 마주보는 부분에 오목부를 형성하고, 상기 오목부에 의해 상기 캐비티를 형성한, 전자 부품 패키지.An electronic component package in which a recess is formed in a portion of the component cover facing the element, and the cavity is formed by the recess. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 소자를 소자 커버로 덮어 상기 캐비티를 형성한, 전자 부품 패키지. An electronic component package formed by covering the device with an element cover to form the cavity. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소자의 외주에 접착부를 설치하고, 상기 접착부를 통해 상기 부품 기판과 상기 부품 커버를 접합하는 동시에, 상기 접착부로 둘러싸인 부분에 상기 캐비티를 형성한, 전자 부품 패키지.The electronic component package which provided the adhesive part in the outer periphery of the said element, bonds the said component board | substrate and said component cover via the said adhesive part, and forms the said cavity in the part enclosed by the said adhesive part.
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