JP7457417B2 - Module containing elastic wave device - Google Patents

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Description

本発明は、中空構造を要する弾性波デバイスを含むモジュールに関する。 The present invention relates to a module including an acoustic wave device that requires a hollow structure.

携帯電話端末や携帯情報端末等の通信機器端末において、フィルタやデュプレクサ等のRFデバイスは、小型化のためにそれらをフロントエンドモジュールやパワーアンプ等と集積化することにより、マルチチップモジュールとして構成される傾向にある。これらのマルチチップモジュールにおいては、1つの共通基板上に複数のチップ部品が実装され、モールド樹脂により封止される。 In communication equipment terminals such as mobile phones and personal digital assistants, RF devices such as filters and duplexers tend to be configured as multi-chip modules by integrating them with front-end modules and power amplifiers to reduce size. In these multi-chip modules, multiple chip components are mounted on a common substrate and sealed with molded resin.

この基板上に実装されるチップ部品が、SAWフィルタやBAWフィルタを構成するもののように、中空構造を要する弾性波デバイスにおいては、従来は個々の弾性波デバイスチップごとに中空部を形成していた(例えば特許文献1参照)。すなわち、図5(a)に示すように、従来の弾性波デバイス50は、弾性波デバイスの専用基板51と、ベアチップ52と、中空部56とを備える。専用の基板51と弾性波デバイスのベアチップ52との間には、中空部56形成のためのダム54が設けられ、かつ専用の基板51とベアチップ52との間は、接続部53により電気的、機械的に接続される。このダム54は、弾性波デバイス50毎に設けられる封止樹脂55が、中空部56に浸入して、ベアチップ52の電極配置部分(電極52aが配置されている周辺)に入り込むことを防止する。これらの弾性波デバイス50は、他の弾性波デバイス50あるいは中空構造を要しない他の能動素子や受動素子と共に、共通基板57に接続部58を介して接続して実装する場合、不図示の封止樹脂により覆われる。 For acoustic wave devices that require a hollow structure, such as those that constitute SAW filters and BAW filters, where the chip components mounted on this substrate are made, conventionally, a hollow portion was formed for each individual acoustic wave device chip. (For example, see Patent Document 1). That is, as shown in FIG. 5A, a conventional acoustic wave device 50 includes a substrate 51 dedicated to the acoustic wave device, a bare chip 52, and a hollow portion 56. A dam 54 for forming a hollow portion 56 is provided between the dedicated substrate 51 and the bare chip 52 of the acoustic wave device, and a connecting portion 53 connects the dedicated substrate 51 and the bare chip 52 electrically. Mechanically connected. This dam 54 prevents the sealing resin 55 provided for each acoustic wave device 50 from entering the hollow portion 56 and entering the electrode arrangement portion of the bare chip 52 (around where the electrodes 52a are arranged). When these acoustic wave devices 50 are connected to the common substrate 57 via the connecting portion 58 and mounted together with other acoustic wave devices 50 or other active elements or passive elements that do not require a hollow structure, an unillustrated seal is used. Covered with a stopper resin.

この従来の弾性波デバイスの構造、すなわち個々の弾性波デバイス50ごとに中空部56を有するチップを構成し、他の部品と共に共通基板57に実装してモジュール化すれば、以下のようなメリットがある。第一に、製造工程の都合上、先に弾性波デバイス等の部品をチップとして製造しておきさえすれば、その後は、そのチップを共通基板57へ実装するための製造装置又は製造ラインを用いることが可能であって、多種類多機能の実装装置のない環境でも製造が容易である。第二に、弾性波デバイス50の部品単体としての特性把握や保証がしやすいため、モジュールの設計がしやすい。第三に、モジュールに不良が発生した場合に、どこに不具合が発生してるのかが解析しやすく、その不具合がどの製造者又は製造部署が管理していた工程に起因しているかの分析が比較的明確である。 The structure of this conventional acoustic wave device, that is, if each acoustic wave device 50 is configured with a chip having a hollow part 56 and is mounted together with other components on a common substrate 57 to form a module, the following advantages can be obtained. be. First, due to the manufacturing process, if a component such as an acoustic wave device is manufactured as a chip first, then a manufacturing device or a manufacturing line is used to mount the chip on the common substrate 57. This makes it easy to manufacture even in an environment where there is no multi-type, multi-functional mounting equipment. Second, since it is easy to understand and guarantee the characteristics of the acoustic wave device 50 as a single component, it is easy to design the module. Third, when a defect occurs in a module, it is easy to analyze where the defect is occurring, and it is relatively easy to analyze which manufacturer or manufacturing department caused the defect in the process. It is clear.

特表2002-510929号公報Special Publication No. 2002-510929

一方、上述した従来の弾性波デバイス50には、以下のような問題点がある。第一に、弾性波デバイス50のベアチップ52と共通基板57との間に、弾性波デバイス専用の基板51が介在するため、ベアチップ52から共通基板57に至る導通経路が長くなり、その分だけ寄生抵抗、容量、インダクタンス、すなわち寄生インピーダンスが増え、性能の劣化を招く。第二に、マルチチップモジュール全体として見た場合、基板は弾性波デバイス専用の基板51と共通基板57の2重となっており、封止樹脂も弾性波デバイス用の封止樹脂55と不図示のモジュール用のものとの2重になっているため、工程費及び材料費のコストアップを招く。第三に、弾性波デバイス50は専用の基板51とベアチップ52とを組み合わせた構造であるため、高さH1及び広さW1が大となり、モジュールの小型化、薄型化の障害となり、高密度実装を阻害しやすい。 On the other hand, the conventional acoustic wave device 50 described above has the following problems. First, since the board 51 dedicated to the acoustic wave device is interposed between the bare chip 52 of the acoustic wave device 50 and the common board 57, the conduction path from the bare chip 52 to the common board 57 becomes long, and the parasitic Resistance, capacitance, and inductance, or parasitic impedance, increase, leading to performance degradation. Second, when looking at the multi-chip module as a whole, the board has two layers: a board 51 dedicated to acoustic wave devices and a common board 57, and the sealing resin is also a sealing resin 55 for acoustic wave devices (not shown). Since it is duplicated with the one for the module, it increases the process cost and material cost. Thirdly, since the acoustic wave device 50 has a structure that combines a dedicated substrate 51 and a bare chip 52, the height H1 and width W1 are large, which becomes an obstacle to making the module smaller and thinner, and requires high-density mounting. easy to inhibit.

本発明は、上記問題点に鑑み、中空構造を要する弾性波デバイスを含んでモジュールを構成する場合に、構造の簡略化と高密度実装と低コスト化が可能となり、寄生インピーダンスの低減も可能となる弾性波デバイスを含むモジュールを提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention makes it possible to simplify the structure, achieve high-density packaging, reduce costs, and reduce parasitic impedance when configuring a module that includes an acoustic wave device that requires a hollow structure. The purpose of the present invention is to provide a module including an acoustic wave device.

本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの一態様は、中空構造を要する弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、部品実装面に複数の導電性パッドが形成された基板と、前記基板の前記部品実装面に対面する面に電極配置部分があり、かつ前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する少なくとも1つの弾性波デバイスと、前記基板の前記部品実装面の前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する、弾性波デバイス以外の少なくとも1つのフリップチップ実装デバイスと、前記基板の前記部品実装面と、前記弾性波デバイスの周辺部との間に設けられ、各弾性波デバイスと前記基板との間に前記電極配置部分を囲む中空部を形成すると共に、前記中空部に外部から封止樹脂が浸入することを阻止するダムと、を備え、前記基板との間に中空部が形成される弾性波デバイスと、弾性波デバイス以外のフリップチップ実装デバイスとが隣接して配置され、前記フリップチップ実装デバイスと前記基板との間にアンダーフィル材が充填され、前記ダムは、前記弾性波デバイスに隣接する前記フリップチップ実装デバイス側の縁部の平面形状が凹凸形状をなし、前記ダムの前記凹凸形状をなす前記縁部は、少なくともその一部が、前記アンダーフィル充填の際に空気の通路を確保するための、前記隣接するフリップチップ実装デバイスのチップ端よりも外側に位置する凹部を備え、前記ダムは、前記弾性波デバイスの基板対向面側の少なくとも一部が、前記弾性波デバイスの基板対向面の表面と接着され、前記ダムの基板側及び中空部側以外の部分であって、前記弾性波デバイスと接着されていない部分に封止樹脂が接するものである。 One aspect of a module including an acoustic wave device according to the present invention is a module including an acoustic wave device requiring a hollow structure, the module comprising: a substrate having a plurality of conductive pads formed on a component mounting surface; at least one acoustic wave device having an electrode arrangement portion on a surface facing the component mounting surface of the substrate and having a conductive pad electrically connected to the conductive pad; at least one flip-chip mounted device other than an acoustic wave device, the flip-chip mounted device having a conductive pad electrically connected to the conductive pad on the component mounting surface of the substrate; and a dam provided between the component mounting surface of the substrate and a periphery of the acoustic wave device, forming a hollow portion between each acoustic wave device and the substrate that surrounds the electrode arrangement portion and preventing the infiltration of sealing resin from the outside into the hollow portion, the hollow portion being formed between the substrate and the substrate. The formed acoustic wave device and a flip-chip mounted device other than the acoustic wave device are arranged adjacent to each other, and an underfill material is filled between the flip-chip mounted device and the substrate, the dam has an uneven planar shape on the edge of the flip-chip mounted device side adjacent to the acoustic wave device, and at least a portion of the uneven edge of the dam has a recess located outside the chip end of the adjacent flip-chip mounted device to ensure an air passage when the underfill is filled, and at least a portion of the substrate-facing surface side of the acoustic wave device of the dam is bonded to the surface of the substrate-facing surface of the acoustic wave device, and a sealing resin is in contact with the portion of the dam other than the substrate side and the hollow portion side that is not bonded to the acoustic wave device.

この態様によれば、前記基板との間に中空部が形成される弾性波デバイスと、弾性波デバイス以外のフリップチップ実装デバイスとが隣接して配置され、前記フリップチップ実装デバイスと前記基板との間にアンダーフィル材が充填され、前記弾性波デバイスのダムに、前記アンダーフィル材が接触することにより、アンダーフィル材の中空部への浸入がダムにより阻止されるので、弾性波デバイスにフリップチップ実装デバイスが近接して配置できる。また、フリップチップ実装デバイスと基板との間は、ダムの縁部の凹凸形状をなすことにより、ダムによって閉塞されないため、アンダーフィル材を浸透現象によりフリップチップ実装デバイスと基板との間に浸入する際に、弾性波デバイス側にボイドが生じることが防止される。このため、フリップチップ実装デバイスと基板との間において、アンダーフィル材の良好な充填状態が得られる。 According to this aspect, an acoustic wave device in which a hollow portion is formed between the substrate and a flip-chip mounting device other than the acoustic wave device are arranged adjacent to each other, and the flip-chip mounting device and the substrate are arranged adjacent to each other. An underfill material is filled in between, and the underfill material comes into contact with the dam of the acoustic wave device, so that the dam prevents the underfill material from entering the hollow part. Mounted devices can be placed close together. In addition, since the dam does not block the space between the flip-chip mounting device and the substrate due to the uneven shape of the edge of the dam, the underfill material can penetrate between the flip-chip mounting device and the substrate by penetration phenomenon. At the same time, voids are prevented from forming on the acoustic wave device side. Therefore, a good filling state of the underfill material can be obtained between the flip-chip mounting device and the substrate.

本発明によれば、弾性波デバイスを含む弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、パッケージの小型化、低背化及び高密度実装と、寄生インピーダンスの低減による性能の向上と、工程費及び材料費のコスト低減が可能となる。 The present invention makes it possible to miniaturize packages, reduce their height, and achieve high-density mounting in modules that include acoustic wave devices, improve performance by reducing parasitic impedance, and reduce process and material costs.

本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの一実施の形態を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a module including an acoustic wave device according to the present invention. 図1の弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、封止樹脂を施す前の状態を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the module including the acoustic wave device of FIG. 1 in a state before sealing resin is applied. 図1の弾性波デバイスを含むモジュールにおけるダムのパターンを示す平面図である。2 is a plan view showing a pattern of dams in a module including the acoustic wave device of FIG. 1 . 図1の弾性波デバイスを含むモジュールの部分拡大断面図である。2 is a partially enlarged sectional view of a module including the acoustic wave device of FIG. 1. FIG. (a)は従来の弾性波デバイスを含むモジュールの例であり、(b)は、図1の弾性波デバイスを含むモジュールの断面図である。(a) is an example of a module including a conventional acoustic wave device, and (b) is a cross-sectional view of the module including the acoustic wave device of FIG. 1. 本発明の弾性波デバイスを含むモジュールにおけるダムのパターンの他の例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing another example of a dam pattern in a module including an acoustic wave device of the present invention. 本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの他の実施の形態を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing another embodiment of a module including an acoustic wave device according to the present invention. 図7の弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、封止樹脂を施す前の状態を示す平面図である。8 is a plan view showing the module including the acoustic wave device of FIG. 7 in a state before sealing resin is applied. FIG. 図7の弾性波デバイスを含むモジュールの部分拡大断面図である。8 is a partially enlarged sectional view of a module including the acoustic wave device of FIG. 7. FIG. 図7の弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、ダムのパターンの他の例を、封止樹脂を施す前の状態で示す平面図である。8 is a plan view showing another example of a dam pattern in the module including the acoustic wave device of FIG. 7 before a sealing resin is applied. FIG. 図10のパターンを有するダムの作用を説明する断面図である。11 is a cross-sectional view illustrating the operation of a dam having the pattern of FIG. 10. 図7の弾性波デバイスを含むモジュールの変形例を示す断面図である。8 is a sectional view showing a modification of a module including the acoustic wave device of FIG. 7. FIG. 図7の弾性波デバイスを含むモジュールの他の変形例を示す断面図である。8 is a sectional view showing another modification of the module including the acoustic wave device of FIG. 7. FIG.

図1及び図2は本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの一実施の形態を示す。この実施の形態の弾性波デバイスを含むモジュール1は、基板2上に2個の弾性波デバイス3を実装した例を示す。この実施の形態の弾性波デバイス3は表面弾性波デバイス(SAWデバイス)について示しており、圧電材料により形成された圧電体5の片面にIDT電極6を形成したものある。圧電体5には例えばタンタル酸リチウム(LT)又はニオブ酸リチウム(LN)等が用いられ、IDT電極6には例えばAl、Cu、Ni、Au、W、Mo等が用いられる。図面上、IDT電極6は簡略化して示してあるが、実際には多数の櫛歯状の入力側、出力側電極及び反射電極が形成されたものである。 1 and 2 show one embodiment of a module including an acoustic wave device according to the present invention. A module 1 including acoustic wave devices of this embodiment shows an example in which two acoustic wave devices 3 are mounted on a substrate 2. The acoustic wave device 3 of this embodiment is a surface acoustic wave device (SAW device), in which an IDT electrode 6 is formed on one side of a piezoelectric body 5 made of a piezoelectric material. The piezoelectric body 5 is made of, for example, lithium tantalate (LT) or lithium niobate (LN), and the IDT electrode 6 is made of, for example, Al, Cu, Ni, Au, W, Mo, or the like. Although the IDT electrode 6 is shown in a simplified manner in the drawing, it actually includes a large number of comb-shaped input side electrodes, output side electrodes, and reflective electrodes.

基板2はセラミック基板あるいは積層基板により構成されるもので、この例では内部に平面状の導体8を有する積層基板により構成した例を示す。基板2の内部に、コンデンサやインダクタ等の受動素子を形成してもよい。図4に示すように、基板2の部品実装面2aには、複数の導電性パッド9を有する。基板2の部品実装面2aの反対側の面は、不図示のマザー基板への取付面2bであり、この取付面2bには、マザー基板に電気的、機械的に接続される導電性パッド10を有する。部品実装面2aの導電性パッド9と取付面2bの導電性パッド10とは、対応するものどうしが、内部導体8や不図示のビアホール導体を介して接続される。 The substrate 2 is composed of a ceramic substrate or a laminated substrate, and in this example, a laminated substrate having a planar conductor 8 therein is shown. Passive elements such as capacitors and inductors may be formed inside the substrate 2. As shown in FIG. 4, the component mounting surface 2a of the board 2 has a plurality of conductive pads 9. The surface opposite to the component mounting surface 2a of the board 2 is a mounting surface 2b to be attached to a motherboard (not shown), and a conductive pad 10 electrically and mechanically connected to the motherboard is mounted on this mounting surface 2b. has. Corresponding conductive pads 9 on the component mounting surface 2a and conductive pads 10 on the mounting surface 2b are connected via internal conductors 8 and via hole conductors (not shown).

弾性波デバイス3と基板2とは、複数の接続部12を介して電気的、機械的に接続される。これらの接続部12は、図4に示すように、弾性波デバイス3における接続用電極6a上に設けられた導電性パッド13と、基板2上の導電性パッド9とを接合するバンプ14とによって構成される。バンプ14には例えばAu又は半田を用いることができる。 The acoustic wave device 3 and the substrate 2 are electrically and mechanically connected via a plurality of connection parts 12. As shown in FIG. 4, these connection parts 12 are formed by conductive pads 13 provided on the connection electrodes 6a of the acoustic wave device 3 and bumps 14 that connect the conductive pads 9 on the substrate 2. configured. For example, Au or solder can be used for the bumps 14.

基板2には、実装される弾性波デバイス3及び基板2を覆う封止樹脂16が形成される。封止樹脂16は、弾性波デバイス3及び基板2上の面を覆うことにより、弾性波デバイス3を基板2に固定すると共に、弾性波デバイス3が塵埃や水分の影響を受けることを防止してモジュールの信頼性を高める役目を果たす。この封止樹脂16にはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。 A sealing resin 16 is formed on the substrate 2 to cover the acoustic wave device 3 to be mounted and the substrate 2 . The sealing resin 16 fixes the acoustic wave device 3 to the substrate 2 by covering the surfaces of the acoustic wave device 3 and the substrate 2, and also prevents the acoustic wave device 3 from being affected by dust or moisture. It serves to increase the reliability of the module. This sealing resin 16 is made of thermosetting resin such as epoxy resin.

基板2上には、弾性波デバイス3を接続部12により接続して実装する前に、ダム18が形成される。ダム18は、封止樹脂16が弾性波デバイス3の電極配置部分3aに浸入することを防止するものである。電極配置部分3aには、弾性波デバイス表面における電極とその周辺の弾性波が伝搬する面が含まれる。また、本実施の形態のように、IDT電極6を備えた弾性表面波デバイスの場合、電極配置部分3aには、弾性波デバイス表面のIDT電極6周辺の弾性波が伝搬する面が含まれる。なお、電極に反射器を備えた弾性表面波デバイスの場合は、電極配置部分3aには、その反射器の周辺も含まれる。このため、図3及び図4に示すように、ダム18は、弾性波デバイス3の周辺部3bのみが対向するように、弾性波デバイス3の電極配置部分3aに対応する領域に、平面視においてIDT電極6及び接続部12を囲うように、ダム18の欠除部18a、18bを形成した平面形状に形成される。図1及び図2に示すように、弾性波デバイス3と基板2とダム18とにより、電極配置部分3aを囲む中空部19が形成される。 A dam 18 is formed on the substrate 2 before the acoustic wave device 3 is connected and mounted by the connecting portion 12. The dam 18 prevents the sealing resin 16 from entering the electrode arrangement portion 3a of the acoustic wave device 3. The electrode arrangement portion 3a includes an electrode on the surface of the acoustic wave device and a surface around which the elastic wave propagates. Further, in the case of a surface acoustic wave device including an IDT electrode 6 as in this embodiment, the electrode arrangement portion 3a includes a surface on the surface of the acoustic wave device around which an acoustic wave propagates around the IDT electrode 6. In the case of a surface acoustic wave device having a reflector on the electrode, the electrode arrangement portion 3a includes the area around the reflector. Therefore, as shown in FIGS. 3 and 4, the dam 18 is placed in a region corresponding to the electrode arrangement portion 3a of the acoustic wave device 3 in a plan view so that only the peripheral portion 3b of the acoustic wave device 3 faces. The dam 18 is formed in a planar shape with cutout parts 18a and 18b formed so as to surround the IDT electrode 6 and the connection part 12. As shown in FIGS. 1 and 2, the acoustic wave device 3, the substrate 2, and the dam 18 form a hollow portion 19 surrounding the electrode placement portion 3a.

ダム18としては好ましくはパターニングの容易化のために感光性樹脂が用いられる。ダム18の形成は、基板2の原材として例えばシート(不図示)の上に感光性樹脂を塗布し、図3に示したダム18の欠除部18a、18bが形成されるように、塗布した感光性樹脂層上において、欠除部18a、18bとなる領域以外の部分をマスクで覆い、露光を行なう。そして感光性樹脂層に対して現像及び熱処理を行なうことにより、基板2の原材(シート)上に、欠除部18a、18bを有するダム18が形成される。このダム18となる感光性樹脂として、中空部19への封止樹脂浸入を防止するダム機能を向上させる観点から、パターニング後に接着性を持つものを用いることが好ましい。パターニング後に接着性を持つ感光性樹脂としては、エポキシアクリレート系樹脂又はポリイミド系樹脂を採用することができる。 As the dam 18, photosensitive resin is preferably used to facilitate patterning. The dam 18 is formed by coating a photosensitive resin on, for example, a sheet (not shown) as the raw material for the substrate 2, and applying the resin so that the cutout parts 18a and 18b of the dam 18 shown in FIG. 3 are formed. On the photosensitive resin layer thus prepared, the portions other than the regions to be the cutout portions 18a and 18b are covered with a mask, and exposure is performed. By performing development and heat treatment on the photosensitive resin layer, a dam 18 having cutout portions 18a and 18b is formed on the raw material (sheet) of the substrate 2. As the photosensitive resin that becomes the dam 18, from the viewpoint of improving the dam function of preventing the sealing resin from entering the hollow portion 19, it is preferable to use a photosensitive resin that has adhesive properties after patterning. As the photosensitive resin that has adhesive properties after patterning, epoxy acrylate resin or polyimide resin can be used.

ダム18を形成した後、弾性波デバイス3を基板2の原材(シート)上に取り付けることにより、図1、図2に示すように、基板2と弾性波デバイス3との間に、弾性波デバイス3の電極配置部分3aがダム18により囲まれる中空部19を形成する。この中空部19の形成のため、弾性波デバイスの周辺部3bが、欠除部18a、18bの縁部に対面するように、弾性波デバイス3が不図示のフリップチップボンダーにより実装される。この実装は、弾性波デバイス3に予め設けられているバンプ14を、基板2となるウエハ上に予め設けられている導電性パッド9に接合することにより行なう。 After forming the dam 18, by attaching the elastic wave device 3 onto the raw material (sheet) of the substrate 2, as shown in FIG. 1 and FIG. The electrode arrangement portion 3 a of the device 3 forms a hollow portion 19 surrounded by a dam 18 . To form the hollow portion 19, the acoustic wave device 3 is mounted using a flip-chip bonder (not shown) so that the peripheral portion 3b of the acoustic wave device faces the edges of the cutout portions 18a, 18b. This mounting is performed by bonding bumps 14 provided in advance on the acoustic wave device 3 to conductive pads 9 provided in advance on a wafer serving as the substrate 2.

この導電性パッド9とバンプ14との接合と同時に、ダム18となる感光性樹脂に弾性波デバイス3の周辺部3bを接着する。すなわち、ダム18として、パターニング後に接着性をもつ感光性樹脂を用いることにより、弾性波デバイス3の基板2への取り付けと同時にダム18に弾性波デバイス3を接着することができる。 At the same time as bonding the conductive pads 9 and the bumps 14, the peripheral portion 3b of the acoustic wave device 3 is bonded to the photosensitive resin that becomes the dam 18. In other words, by using a photosensitive resin that has adhesive properties after patterning as the dam 18, the acoustic wave device 3 can be bonded to the dam 18 at the same time as attaching the acoustic wave device 3 to the substrate 2.

上述したモジュール1は、図5(b)に示すように、図5(a)に示す従来のモジュールに比較して、小型化、薄形化が可能となる。すなわち、従来の弾性波デバイス50においては、弾性波デバイス50ごとに専用の基板51を要したため、これらの弾性波デバイス50自体の幅も広幅になる上、弾性波デバイス50のベアチップ52と52との間のスペースS1を大きくとる必要がある。一方、本実施の形態においては、弾性波デバイス3はベアチップの状態で共通の基板2に実装されるため、弾性波デバイス3自体の幅も縮小されると共に、弾性波デバイス3と3との間のスペースS2が狭くてすむ。このため、本実施の形態のモジュールの場合、幅W2が従来のモジュールの幅W1に比較して小さくなり、小型化及び高密度実装が可能となる。 As shown in FIG. 5(b), the module 1 described above can be made smaller and thinner than the conventional module shown in FIG. 5(a). That is, in the conventional acoustic wave device 50, since a dedicated board 51 is required for each acoustic wave device 50, the width of the acoustic wave device 50 itself is wide, and the bare chips 52 and 52 of the acoustic wave device 50 are It is necessary to provide a large space S1 between the two. On the other hand, in the present embodiment, since the acoustic wave devices 3 are mounted as bare chips on the common substrate 2, the width of the acoustic wave devices 3 themselves is reduced, and the distance between the acoustic wave devices 3 is reduced. The space S2 can be small. Therefore, in the case of the module of this embodiment, the width W2 is smaller than the width W1 of the conventional module, making it possible to downsize and implement high-density packaging.

また、本実施の形態のように、隣接する弾性波デバイス3と3の間のダム18の共用部18cが、隣接する弾性波デバイス3と3どうしで共用されることにより、スペースS2をさらに狭くすることが可能となる。 Further, as in the present embodiment, the shared portion 18c of the dam 18 between the adjacent elastic wave devices 3 is shared by the adjacent elastic wave devices 3, thereby further narrowing the space S2. It becomes possible to do so.

また、従来例の場合、弾性波デバイス50毎に専用の基板51が必要となるが、本実施の形態による場合、専用の基板51が不要となるので、モジュール全体の高さH2は、従来例の高さH1に比較し、薄形化することが可能となる。 In addition, in the conventional example, a dedicated substrate 51 is required for each acoustic wave device 50, but in the present embodiment, a dedicated substrate 51 is not required, so the height H2 of the entire module can be made thinner compared to the height H1 of the conventional example.

また、従来例の場合、弾性波デバイス50内における接続部53から基板57に至る導体経路において、専用の基板51に配置される導体経路と、専用の基板51から共通の基板57に至るための接続部58の導体経路が必要となるが、本実施の形態の場合、これらの導体経路が不要となる。このため、寄生抵抗、インダクタンス、容量、すなわち寄生インピーダンスが低減され、モジュールの特性の向上が可能となる。 In addition, in the conventional example, the conductor path from the connection part 53 in the acoustic wave device 50 to the substrate 57 requires a conductor path arranged on the dedicated substrate 51 and a conductor path of the connection part 58 from the dedicated substrate 51 to the common substrate 57, but in the present embodiment, these conductor paths are not required. This reduces the parasitic resistance, inductance, and capacitance, i.e., the parasitic impedance, making it possible to improve the characteristics of the module.

さらに、従来例の場合、専用の基板51と、専用の基板51を共通の基板57に接続する接続部58が必要となるが、本発明による場合にはこれらが不要となるので、工程費及び材料費のコスト低減が可能となる。 Furthermore, in the case of the conventional example, a dedicated board 51 and a connection part 58 for connecting the dedicated board 51 to the common board 57 are required, but in the case of the present invention, these are not necessary, so process costs and It is possible to reduce material costs.

さらにまた、本実施の形態のモジュール1の場合、モジュール設計が容易化される。なぜならば、モジュール1に含まれるチップ数が増えたり、チップの種類の組み合わせが増えた場合であっても、ベアチップでの基板2への直接実装が可能となるので、封止樹脂16によるモールド封止条件があまり変わらないため、工程の条件だしに要する開発工数が減るからである。また、モジュール設計の容易化により、製品展開のリードタイムの短縮が可能となる。 Furthermore, in the case of the module 1 of this embodiment, module design is facilitated. This is because even if the number of chips included in the module 1 increases or the number of combinations of chip types increases, bare chips can be directly mounted on the substrate 2. This is because the stopping conditions do not change much, reducing the number of development steps required to determine process conditions. Furthermore, by making module design easier, it is possible to shorten the lead time for product deployment.

本実施の形態において、ダム18の弾性波デバイス3に対する接着は、図1及び図4に示すように、弾性波デバイス3の圧電体5の表面の非金属である領域に対してのみ行ない、接続用電極6a等の金属層には接着されていないことが、ダム18と弾性波デバイス3とを強く接着させる上で好ましい。 In this embodiment, the dam 18 is bonded to the acoustic wave device 3 only to the non-metallic areas on the surface of the piezoelectric body 5 of the acoustic wave device 3, as shown in Figures 1 and 4, and is not bonded to metal layers such as the connection electrode 6a, which is preferable for strong bonding between the dam 18 and the acoustic wave device 3.

また、前述のように、ダム18は感光性樹脂により形成されると共に、その感光性樹脂は、パターニング後に接着性を有することが好ましい。このように、感光性樹脂をダム18に用いることにより、中空部19を形成するためのダム18の欠除部18a、18bのパターニングが容易となる。また、感光性樹脂が接着性を持つことにより、弾性波デバイス3の基板への実装と同時に弾性波デバイス3のダム18に対する接着が可能となり、弾性波デバイス3の基板2への取り付けが容易となる。 Further, as described above, the dam 18 is preferably formed of a photosensitive resin, and the photosensitive resin preferably has adhesive properties after patterning. By using photosensitive resin for the dam 18 in this way, patterning of the cutout parts 18a and 18b of the dam 18 for forming the hollow part 19 becomes easy. In addition, since the photosensitive resin has adhesive properties, it is possible to attach the acoustic wave device 3 to the dam 18 at the same time as mounting the acoustic wave device 3 on the substrate, making it easy to attach the acoustic wave device 3 to the substrate 2. Become.

図2及び図3に示したように、本実施の形態においては、複数の弾性波デバイス3、3に対してそれぞれ対応して形成される中空部19の平面形状を同一の形状としている。図6は上記例と異なり、弾性波デバイス3X及び3Yの形状に応じて、互いに異なる平面形状の中空部19X及び19Yを採用した例である。このように、中空部の平面形状は、弾性波デバイス3、3A及び3Bの平面形状に応じて、同一の形状、又は異なる形状に形成される。 As shown in FIGS. 2 and 3, in this embodiment, the hollow portions 19 formed corresponding to the plurality of acoustic wave devices 3, 3 have the same planar shape. Unlike the above example, FIG. 6 is an example in which hollow portions 19X and 19Y with mutually different planar shapes are employed depending on the shapes of the acoustic wave devices 3X and 3Y. In this way, the planar shapes of the hollow portions are formed into the same shape or different shapes depending on the planar shapes of the acoustic wave devices 3, 3A, and 3B.

本実施の形態のように、複数の弾性波デバイス3と3どうしが隣接して実装される場合、隣接する弾性波デバイス3と3どうしのスペースS2(図5(b)参照)は100μm以下に設定することが可能となる。すなわち、ダム18は、隣接する弾性波デバイス3と3の間は、共用部18cとして形成されることにより、この共用部18cの幅W3の部分を、弾性波デバイス3と3について個々の領域として形成した場合に比較して、容易に形成できる。このため、弾性波デバイス3と3とを、フリップチップマウンターの近接実装限界に近いスペースS2に近接させて実装することが可能となる。 When a plurality of acoustic wave devices 3 are mounted adjacent to each other as in this embodiment, the space S2 between adjacent acoustic wave devices 3 (see FIG. 5(b)) is 100 μm or less. It becomes possible to set. That is, the dam 18 is formed as a common part 18c between the adjacent acoustic wave devices 3, so that the width W3 of the common part 18c is used as an individual area for the acoustic wave devices 3 and 3. It can be formed easily compared to the case where it is formed. Therefore, it is possible to mount the acoustic wave devices 3 and 3 in close proximity to the space S2, which is close to the close mounting limit of the flip chip mounter.

また、本実施の形態において、ダム18と接する弾性波デバイス3の周辺部3bの領域の幅t(図2及び図4参照)、すなわち弾性波デバイスのチップ端部3cからダムの内側の端18dまでの距離は、20μm以上とすることが好ましい。この幅tの上限は、チップ端部3cから接続用電極6a等の金属層の形成領域までの距離となる。図4のとおり、複数の弾性波デバイス3と3どうしが隣接して各々の対向する端部3cと3cがあり、端部3cの基板対向面側3d(弾性波デバイス3の基板対向面のうち、その各々の対向する端部3cと3cの近傍の領域)に共用部18cが接している。 In addition, in this embodiment, the width t of the region of the peripheral part 3b of the acoustic wave device 3 in contact with the dam 18 (see FIGS. 2 and 4), that is, from the chip end 3c of the acoustic wave device to the inner end 18d of the dam. It is preferable that the distance to 20 μm or more is set to 20 μm or more. The upper limit of this width t is the distance from the chip end 3c to the formation region of the metal layer such as the connection electrode 6a. As shown in FIG. 4, the plurality of acoustic wave devices 3 and 3 are adjacent to each other and have opposite end portions 3c and 3c, and the substrate facing surface side 3d of the end portion 3c (of the substrate facing surface of the acoustic wave device 3). , a region near the opposing ends 3c and 3c) is in contact with the common portion 18c.

また、ダム18の弾性波デバイス3との対向面には凹凸が生じることがあるが、この場合のダム18と弾性波デバイス3との間に隙間が形成されたとしても、その隙間は、封止樹脂16のフィラー粒子の半径の10分の1以下であることが好ましい。このような隙間とフィラー粒子との寸法関係に設定すれば、ダム18により、中空部19への封止樹脂16の浸入がよりよく阻止される。 In addition, unevenness may occur on the surface of the dam 18 facing the acoustic wave device 3, but even if a gap is formed between the dam 18 and the acoustic wave device 3 in this case, it is preferable that the gap be less than one-tenth the radius of the filler particles in the sealing resin 16. By setting the dimensional relationship between the gap and the filler particles in this way, the dam 18 can more effectively prevent the sealing resin 16 from penetrating into the hollow portion 19.

図7は本発明のモジュールの他の実施の形態を示す断面図、図8はその平面図、図9は図7の部分拡大断面図である。このモジュールは、弾性波デバイス3と弾性波デバイス以外のフリップチップ実装デバイス22とが同一基板2上に形成されて構成されたものを示す。この例のフリップチップ実装デバイス22は、移動体通信機器におけるデュプレクサを構成するアクテイブデバイスとしての増幅器である場合について示す。 7 is a sectional view showing another embodiment of the module of the present invention, FIG. 8 is a plan view thereof, and FIG. 9 is a partially enlarged sectional view of FIG. 7. This module shows a structure in which an acoustic wave device 3 and a flip-chip mounting device 22 other than the acoustic wave device are formed on the same substrate 2. In this example, the flip-chip mounting device 22 is an amplifier as an active device constituting a duplexer in a mobile communication device.

フリップチップ実装デバイス22は、基板2に対し、接続部23を介して電気的、機械的に接続される。接続部23は、図9に示すように、基板2の部品実装面2aに設けられた導電性パッド24と、フリップチップ実装デバイス22の基板対向面に設けられた接続用電極25に設けられた導電性パッド26とを、バンプ27により接合するものである。バンプ27には、Auあるいは半田が用いられる。 The flip-chip mounting device 22 is electrically and mechanically connected to the substrate 2 via a connecting portion 23 . As shown in FIG. 9, the connection portion 23 is provided between a conductive pad 24 provided on the component mounting surface 2a of the substrate 2 and a connection electrode 25 provided on the substrate facing surface of the flip chip mounting device 22. The conductive pad 26 is bonded to the conductive pad 26 by a bump 27. The bumps 27 are made of Au or solder.

ダム18は、感光性樹脂のパターニングにより形成され、パターニング後に接着性を有するものである。図7に示すように、弾性波デバイス3の電極配置部分3aを囲むように、ダム18により、弾性波デバイス3と基板2との間に中空部19を形成する。図8に示すように、この例では2つの弾性波デバイス3が隣接して設けられ、隣接して設けられた2つの弾性波デバイス3と3との間に、ダム18の共用部18cが形成された例を示す。 The dam 18 is formed by patterning a photosensitive resin, and has adhesive properties after patterning. As shown in FIG. 7, a hollow portion 19 is formed between the acoustic wave device 3 and the substrate 2 by the dam 18 so as to surround the electrode arrangement portion 3a of the acoustic wave device 3. As shown in FIG. 8, in this example, two elastic wave devices 3 are provided adjacent to each other, and a common portion 18c of the dam 18 is formed between the two adjacent elastic wave devices 3. Here is an example.

このモジュールは、まず、基板2がウエハである状態において、中空部19の形成のため、弾性波デバイス3と3に対応して、それぞれダム18の欠除部となる領域18e、18fを、感光性樹脂のパターニングにより形成する。感光性樹脂にはパターニング後に接着性を有する材質のものが用いられる。次に、フリップチップボンダーを用いて、弾性波デバイス3を接続部12により基板2に接合することにより、基板2に固定される。この時、弾性波デバイス3もダム18に接着される。このとき、図8に示すように、ダム18は、弾性波デバイス3とフリップチップ実装デバイス22との間に設けられた縁部18gが、弾性波デバイス3からフリップチップ実装デバイス22側にg1に示す幅だけ突出した状態となる。 In this module, first, in a state where the substrate 2 is a wafer, in order to form the hollow part 19, regions 18e and 18f, which will be the cutout parts of the dam 18, are exposed to light, corresponding to the acoustic wave devices 3 and 3, respectively. It is formed by patterning a synthetic resin. The photosensitive resin used is a material that has adhesive properties after patterning. Next, the acoustic wave device 3 is fixed to the substrate 2 by bonding it to the substrate 2 through the connecting portion 12 using a flip chip bonder. At this time, the elastic wave device 3 is also bonded to the dam 18. At this time, as shown in FIG. 8, the edge 18g of the dam 18 provided between the acoustic wave device 3 and the flip-chip mounting device 22 extends from the elastic wave device 3 to the flip-chip mounting device 22 side g1. It will be in a state where it protrudes by the width shown.

このように、弾性波デバイス3を基板2に実装した状態において、フリップチップ実装デバイス22を、接続部23によって基板2に接合することにより固定する。この時、図8に示すように、ダム18の縁部18gとフリップチップ実装デバイス22との間に隙間g2が形成されるように、フリップチップ実装デバイス22が取り付けられる。この隙間g2は、フリップチップ実装デバイス22と基板2との間にボイドを形成しないために設けられる。すなわち、フリップチップ実装デバイス22を接続部23を介して基板2に接続した後、流動性を有するアンダーフィル材21を、その表面張力を利用してフリップチップ実装デバイス22と基板2との間の隙間に浸透させて充填する際に、隙間g2が弾性波デバイス3側における空気の逃げ道を造り、その結果、ボイドの形成が防止される。 In this manner, with the acoustic wave device 3 mounted on the substrate 2, the flip-chip mounting device 22 is fixed by being bonded to the substrate 2 via the connecting portion 23. At this time, as shown in FIG. 8, the flip chip mounting device 22 is attached so that a gap g2 is formed between the edge 18g of the dam 18 and the flip chip mounting device 22. This gap g2 is provided to prevent voids from forming between the flip-chip mounting device 22 and the substrate 2. That is, after connecting the flip-chip mounting device 22 to the substrate 2 via the connecting portion 23, the fluid underfill material 21 is used to connect the flip-chip mounting device 22 and the substrate 2 using its surface tension. When the gap is infiltrated and filled, the gap g2 creates an escape route for air on the acoustic wave device 3 side, and as a result, the formation of voids is prevented.

このように、弾性波デバイス3及びフリップチップ実装デバイス22を基板2に取り付けた後、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂でなる封止樹脂16を施し、これらの封止樹脂16でモールドする。 After the acoustic wave device 3 and the flip-chip mounting device 22 are attached to the substrate 2 in this manner, a sealing resin 16 made of a thermosetting resin such as an epoxy resin is applied and molded with the sealing resin 16.

このように、弾性波デバイス3とフリップチップ実装デバイス22とが隣接して配置され、フリップチップ実装デバイス22と基板2との間にアンダーフィル材21が充填された実装状態において、弾性波デバイス3のダム18の縁部18gに、アンダーフィル材21が接触する。そして、アンダーフィル材21が、中空部19内に浸入することが、ダム18により阻止されるので、弾性波デバイス3にフリップチップ実装デバイス22を近接させて配置することができる。 In this way, in the mounted state in which the acoustic wave device 3 and the flip-chip mounting device 22 are arranged adjacent to each other and the underfill material 21 is filled between the flip-chip mounting device 22 and the substrate 2, the acoustic wave device 3 The underfill material 21 contacts the edge 18g of the dam 18. Since the dam 18 prevents the underfill material 21 from penetrating into the hollow portion 19, the flip chip mounting device 22 can be placed close to the acoustic wave device 3.

図10は図7に示した実施の形態において、弾性波デバイス3と基板2との間に設けるダム18における縁部18hの好ましい平面形状を示す。この縁部18hは、弾性波デバイス3側に凹んだ凹部30と、フリップチップ実装デバイス22側に突出した凸部31とを有する凹凸形状を有する。 FIG. 10 shows a preferred planar shape of the edge 18h of the dam 18 provided between the acoustic wave device 3 and the substrate 2 in the embodiment shown in FIG. This edge 18h has an uneven shape having a concave portion 30 concave toward the acoustic wave device 3 side and a convex portion 31 protruding toward the flip chip mounting device 22 side.

このように、ダム18の縁部18hの平面形状を凹凸形状に形成すれば、基板2とフリップチップ実装デバイス22との間に液状のアンダーフィル材21を浸透現象により充填する際に、図11に示すように、縁部18hの凹部30とフリップチップ実装デバイス22との間に、矢印32に示すような空気の通路が確保しやすくなり、ボイドの形成が確実に防止される。すなわち、弾性波デバイス3とフリップチップ実装デバイス22との間の間隔に多少のずれが生じ、フリップチップ実装デバイス22が弾性波デバイス3に近く取り付けられた場合であっても、凹部30の存在により、アンダーフィル材21を充填する際に空気通路が確実に形成される。なお、縁部18hの波形形状としては、図示のようになめらかな曲線状に形成されるものではなく、角形に凹凸が形成されたものであってもよい。 In this way, by forming the planar shape of the edge 18h of the dam 18 into an uneven shape, when filling the gap between the substrate 2 and the flip-chip mounted device 22 with the liquid underfill material 21 by the penetration phenomenon, as shown in FIG. 11, an air passage as indicated by the arrow 32 is easily secured between the recess 30 of the edge 18h and the flip-chip mounted device 22, and the formation of voids is reliably prevented. That is, even if there is some deviation in the gap between the acoustic wave device 3 and the flip-chip mounted device 22 and the flip-chip mounted device 22 is attached close to the acoustic wave device 3, the presence of the recess 30 reliably forms an air passage when filling the underfill material 21. Note that the corrugated shape of the edge 18h does not have to be formed in a smooth curved shape as shown in the figure, but may be formed with angular unevenness.

図12は本発明のモジュールのさらに他の実施の形態を示す断面図である。本実施の形態は、フリップチップ実装デバイス22における基板対向面と反対側の面に、放熱手段としてのヒートシンク33が設けられたヒートシンク構造が形成されたものである。ヒートシンク33には、Al,Cu,Ag等のように、熱伝導性の良い金属が用いられ、好ましくは複数のフィン付きの金属板が用いられる。このようなヒートシンク構造を備えることにより、フリップチップ実装デバイス22で発生する熱の放熱効果が得られ、昇温が抑制される。 FIG. 12 is a sectional view showing still another embodiment of the module of the present invention. In this embodiment, a heat sink structure is formed in which a heat sink 33 as a heat dissipation means is provided on the surface of the flip chip mounting device 22 opposite to the substrate facing surface. The heat sink 33 is made of a metal with good thermal conductivity, such as Al, Cu, Ag, etc., and preferably a metal plate with a plurality of fins. By providing such a heat sink structure, a heat dissipation effect of heat generated in the flip-chip mounting device 22 can be obtained, and temperature rise can be suppressed.

図13は、基板2とフリップチップ実装デバイス22との間に、アンダーフィル材21を用いる代わりに、封止樹脂16aを充填したものであり、この場合、弾性波デバイス3に用いるダム18の縁部18gのフリップチップ実装デバイス22側の先端部は、フリップチップ実装デバイス22側の封止樹脂16aに接する。 In FIG. 13, instead of using the underfill material 21, a sealing resin 16a is filled between the substrate 2 and the flip-chip mounting device 22. In this case, the edge of the dam 18 used in the acoustic wave device 3 The tip of the portion 18g on the flip-chip mounting device 22 side contacts the sealing resin 16a on the flip-chip mounting device 22 side.

本発明を実施する場合、フリップチップ実装デバイス22としては、1つのモジュールに複数備えたものでもよく、複数のフリップチップ実装デバイス22に対して1つの弾性波デバイスを備えて構成されるものであってもよい。また、フリップチップ実装デバイス22としては、増幅器のみでなく、例えばスイッチ回路等、他のアクテイブ回路(素子)あるいは受動回路(素子)を備えたものであってもよい。
その他、本発明を実施する場合、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、付加を行なうことができる。
When carrying out the present invention, one module may include a plurality of flip-chip mounting devices 22, or one acoustic wave device may be provided for a plurality of flip-chip mounting devices 22. It's okay. Further, the flip-chip mounting device 22 may include not only an amplifier but also other active circuits (elements) or passive circuits (elements), such as a switch circuit.
In addition, when carrying out the present invention, various changes and additions can be made without departing from the gist of the present invention.

1 モジュール
2 基板
3、3X、3Y 弾性波デバイス
3a 電極配置部分
3b 周辺部
5 圧電体
6 IDT電極
6a 接続用電極
9 導電性パッド
12 接続部
13 導電性パッド
14 バンプ
16 封止樹脂
18 ダム
18a、18b、18e、18f ダムの欠除部
18c 共用部
18g、18h 縁部
19、19X、19Y 中空部
21 アンダーフィル材
22 フリップチップ実装デバイス
23 接続部
24、26 導電性パッド
27 バンプ
30 凹部
31 凸部
33 ヒートシンク


1 Module 2 Substrate 3, 3X, 3Y Acoustic wave device 3a Electrode placement portion 3b Peripheral portion 5 Piezoelectric body 6 IDT electrode 6a Connection electrode 9 Conductive pad 12 Connection portion 13 Conductive pad 14 Bump 16 Sealing resin 18 Dam 18a, 18b, 18e, 18f Dam deletion part 18c Common part 18g, 18h Edge part 19, 19X, 19Y Hollow part 21 Underfill material 22 Flip chip mounting device 23 Connection part 24, 26 Conductive pad 27 Bump 30 Concave part 31 Convex part 33 Heat sink


Claims (1)

中空構造を要する弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、
部品実装面に複数の導電性パッドが形成された基板と、
前記基板の前記部品実装面に対面する面に電極配置部分があり、かつ前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する少なくとも1つの弾性波デバイスと、
前記基板の前記部品実装面の前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する、弾性波デバイス以外の少なくとも1つのフリップチップ実装デバイスと、
前記基板の前記部品実装面と、前記弾性波デバイスの周辺部との間に設けられ、各弾性波デバイスと前記基板との間に前記電極配置部分を囲む中空部を形成すると共に、前記中空部に外部から封止樹脂が浸入することを阻止するダムと、を備え、
前記基板との間に中空部が形成される弾性波デバイスと、弾性波デバイス以外のフリップチップ実装デバイスとが隣接して配置され、
前記フリップチップ実装デバイスと前記基板との間にアンダーフィル材が充填され、
前記ダムは、前記弾性波デバイスに隣接する前記フリップチップ実装デバイス側の縁部の平面形状が凹凸形状をなし、
前記ダムの前記凹凸形状をなす前記縁部は、少なくともその一部が、前記アンダーフィル充填の際に空気の通路を確保するための、前記隣接するフリップチップ実装デバイスのチップ端よりも外側に位置する凹部を備え、
前記ダムは、前記弾性波デバイスの基板対向面側の少なくとも一部が、前記弾性波デバイスの基板対向面の表面と接着され、
前記ダムの基板側及び中空部側以外の部分であって、前記弾性波デバイスと接着されていない部分に封止樹脂が接する
弾性波デバイスを含むモジュール。
In a module including an acoustic wave device that requires a hollow structure,
A board with multiple conductive pads formed on the component mounting surface,
at least one acoustic wave device having an electrode arrangement portion on a surface facing the component mounting surface of the substrate and having a conductive pad electrically connected to the conductive pad;
at least one flip-chip mounting device other than an acoustic wave device, the flip-chip mounting device having a conductive pad electrically connected to the conductive pad on the component mounting surface of the substrate;
A hollow portion is provided between the component mounting surface of the substrate and a peripheral portion of the acoustic wave device, and a hollow portion surrounding the electrode arrangement portion is formed between each acoustic wave device and the substrate; Equipped with a dam that prevents sealing resin from entering from the outside,
An acoustic wave device in which a hollow part is formed between the substrate and a flip-chip mounting device other than the acoustic wave device are arranged adjacent to each other,
An underfill material is filled between the flip-chip mounting device and the substrate,
The dam has an uneven planar shape at an edge on the side of the flip-chip mounting device adjacent to the acoustic wave device,
At least a portion of the uneven edge of the dam is located outside a chip end of the adjacent flip-chip mounting device to ensure an air passage during the underfill filling. Equipped with a recess to
At least a portion of the dam on the substrate-facing surface side of the acoustic wave device is adhered to a surface of the substrate-facing surface of the acoustic wave device,
A module including an acoustic wave device, wherein a sealing resin is in contact with a portion of the dam other than the substrate side and the hollow portion side, which is not bonded to the acoustic wave device.
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