JP2005086615A - High frequency module equipped with surface acoustic wave filter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、弾性表面波フィルタを備えた高周波モジュールに係り、特に携帯電話機の高周波モジュール（フロントエンドモジュール／ＦＥＭ）に搭載する弾性表面波フィルタの気密封止構造に関する。 The present invention relates to a high-frequency module including a surface acoustic wave filter, and more particularly to an airtight sealing structure of a surface acoustic wave filter mounted on a high-frequency module (front end module / FEM) of a mobile phone.
携帯電話機などの移動体通信機器では、小型かつ高機能化に適するという観点から、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタという）を用いた高周波モジュールを送受信部に使用することが少なくない。かかるＳＡＷフィルタは、素子表面に形成したフィルタ電極が振動することによって電波伝播を行う基本構造を有し、このため比重の小さいアルミニウム材料によって電極が形成されるのが通常である。 In mobile communication devices such as cellular phones, a high-frequency module using a surface acoustic wave filter (hereinafter referred to as a SAW filter) is often used for a transmission / reception unit from the viewpoint of being small and suitable for high functionality. Such a SAW filter has a basic structure that propagates radio waves when a filter electrode formed on the surface of the element vibrates. Therefore, the electrode is usually formed of an aluminum material having a low specific gravity.
一方、電極を構成するアルミニウムは、湿度により腐食されやすい側面を有する。また、電極に塵埃が付着すれば、伝播特性が低下し、素子の性能が劣化する。このためＳＡＷフィルタ素子は、外気を遮断した気密封止構造をとる必要がある。 On the other hand, aluminum constituting the electrode has a side surface that is easily corroded by humidity. Further, if dust adheres to the electrode, the propagation characteristics are lowered, and the performance of the element is deteriorated. For this reason, the SAW filter element needs to have an airtight sealing structure in which outside air is blocked.
かかる封止構造は従来、大別して２つの形式がある。 Conventionally, there are two types of such sealing structures.
第一は、パッケージタイプで、図１０から図１２に示すように基板２の上に実装したＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂを覆うようにキャップあるいは蓋３を被せて気密パッケージ５を形成し、これを高周波モジュール基板７（ＦＥＭ基板）に実装する。また、このタイプの封止構造を開示する文献として下記特許文献１から３がある。 The first is a package type. As shown in FIGS. 10 to 12, an airtight package 5 is formed by covering a cap or lid 3 so as to cover the SAW filter elements 1a and 1b mounted on the substrate 2. Mounted on the high-frequency module substrate 7 (FEM substrate). Further, Patent Documents 1 to 3 listed below are documents that disclose this type of sealing structure.
第二は、樹脂封止タイプで、図１３に示すように高周波モジュール基板７の上にＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂを直接実装し、これを樹脂モールド成形等によって樹脂６で封止する。このタイプの封止構造を開示するものとしては、下記特許文献４から７がある。 The second is a resin-encapsulated type, in which SAW filter elements 1a and 1b are directly mounted on a high-frequency module substrate 7 as shown in FIG. 13, and this is sealed with resin 6 by resin molding or the like. Patent Documents 4 to 7 listed below disclose this type of sealing structure.
ところで、従来の封止構造は、それぞれ次のような問題があり、未だ改良の余地を残している。 By the way, the conventional sealing structure has the following problems, respectively, and still has room for improvement.
まず、パッケージタイプでは、薄型・低背化が難しい点である。近年、携帯電話機の薄型化の要請は強く、また多機能化に伴う部品点数の増大から、電話機筐体内に収容するＦＥＭにはより一層薄型化（厚さ１．５ｍｍ以下）が求められており、パッケージタイプでは最早このような要請に応えることが不可能になりつつある。 First, the package type is difficult to reduce the thickness and height. In recent years, there has been a strong demand for thinner mobile phones, and due to the increase in the number of parts associated with the increase in functionality, there has been a demand for thinner FEMs (thickness of 1.5 mm or less) contained in the phone housing. The package type is no longer able to meet such a demand.
一方、樹脂封止タイプでは、封止工程において樹脂が素子側に流入し、電極に樹脂が付着して素子の性能を劣化させたりモジュールの製造歩留りを低下させるなど、ＳＡＷ素子を使用するモジュールに特有の問題が生じる。 On the other hand, in the resin-sealed type, the resin flows into the element side in the sealing process, and the resin adheres to the electrode, thereby degrading the performance of the element and reducing the module manufacturing yield. Unique problems arise.
他方、前記特許文献７に記載の構造では、このような樹脂の流入に伴う問題を解決するため、素子電極面を取り囲むように絶縁層（所謂ダム）を形成している。 On the other hand, in the structure described in Patent Document 7, an insulating layer (so-called dam) is formed so as to surround the element electrode surface in order to solve the problem associated with the inflow of the resin.
ところが、この文献記載の構造では、ＳＡＷチップ自体にダムを形成することから、製造の容易性あるいは生産性（量産性）の点でさらなる改良が望まれる。微細なＳＡＷ素子各々に対しそれらの周縁にダムを形成することは容易ではなく、かかるダム形成工程で素子電極面に樹脂が付着すればＳＡＷ素子の性能を劣化させ、ダムを持たない前記樹脂封止タイプと同様の問題が生じるからである。 However, in the structure described in this document, since a dam is formed in the SAW chip itself, further improvement is desired in terms of ease of manufacture or productivity (mass productivity). It is not easy to form dams on the periphery of each fine SAW element. If resin adheres to the element electrode surface in such a dam formation process, the performance of the SAW element is deteriorated, and the resin sealing without dams is provided. This is because a problem similar to the stop type occurs.
したがって本発明が解決しようとする問題点は、ＳＡＷ素子を含む高周波モジュールの薄型・低背化が困難である点、封止樹脂の流入がＳＡＷ素子の性能劣化を招くおそれがある点、並びに生産性が十分でない点である。 Therefore, the problems to be solved by the present invention are that it is difficult to reduce the thickness and height of the high-frequency module including the SAW element, the inflow of the sealing resin may cause the performance deterioration of the SAW element, and the production. It is a point that the sex is not enough.
このような課題を解決するため、本発明（請求項１）に係る高周波モジュールは、基板上にベアチップ実装されかつ樹脂により封止された弾性表面波フィルタ素子を備える高周波モジュールであって、前記弾性表面波フィルタ素子を取り囲むように前記基板の表面に、前記封止のための樹脂の流入を阻止する堰堤手段を形成したことを特徴とする。 In order to solve such a problem, a high-frequency module according to the present invention (Claim 1) is a high-frequency module including a surface acoustic wave filter element that is bare-chip mounted on a substrate and sealed with a resin. A dam means for blocking inflow of the resin for sealing is formed on the surface of the substrate so as to surround the surface wave filter element.
本発明では、基板上にＳＡＷフィルタ素子（弾性表面波フィルタ素子）を直接ベアチップ実装し、かつ該素子を樹脂封止する。したがって、キャップやケースなどを被せて気密封止を行っていた従来のパッケージ構造に較べ、モジュールの薄型・低背化が可能となる。また、ＳＡＷフィルタ素子を取り囲むように基板表面に堰堤手段を形成するから、封止樹脂がＳＡＷフィルタ素子側に流入することを防ぐことができ、樹脂の付着に起因する素子の特性劣化・性能低下を防止することが可能となる。 In the present invention, a SAW filter element (surface acoustic wave filter element) is directly bare-chip mounted on a substrate, and the element is sealed with resin. Therefore, the module can be made thinner and lower than the conventional package structure in which the cap and case are covered and hermetically sealed. Further, since the dam means is formed on the substrate surface so as to surround the SAW filter element, the sealing resin can be prevented from flowing into the SAW filter element side, and the characteristic deterioration and performance deterioration of the element due to the adhesion of the resin can be prevented. Can be prevented.
堰堤手段は、例えばレジスト材料により形成することができ（請求項２）、印刷法によって基板表面に形成することが可能である（請求項３）。このような構成によれば、堰堤手段をより簡便に形成して工程を複雑化することなく、当該高周波モジュールを低廉なコストで量産性良く製造することが出来る。 The dam means can be formed of, for example, a resist material (Claim 2), and can be formed on the substrate surface by a printing method (Claim 3). According to such a configuration, the high-frequency module can be manufactured at low cost and with high productivity without complicating the process by forming the dam means more simply.
堰堤手段は、実装状態における弾性表面波フィルタ素子の下面以上でかつ該弾性表面波フィルタ素子の上面未満の高さを有するものとすることが望ましい（請求項４）。堰堤手段を素子下面以上の高さを有するものとすることで、樹脂の流入を阻止し、素子電極面への樹脂の付着をより確実に防ぐためである。また、堰堤手段の高さを素子上面未満とすることで、マウンタによる当該弾性表面波フィルタ素子の実装を堰堤手段が妨げることを防ぐことが出来る。 It is desirable that the dam means has a height equal to or higher than the lower surface of the surface acoustic wave filter element in a mounted state and less than the upper surface of the surface acoustic wave filter element. This is because the dam means has a height equal to or higher than the lower surface of the element, thereby preventing the inflow of the resin and more reliably preventing the resin from adhering to the element electrode surface. Further, by setting the height of the dam means below the upper surface of the element, it is possible to prevent the dam means from hindering the mounting of the surface acoustic wave filter element by the mounter.
堰堤手段の具体的な高さ寸法は、弾性表面波フィルタ素子の厚さやバンプの高さ等によって変わり、一概には規定することは出来ないが、例えば４０μｍ以上１００μｍ未満の範囲に設定することが出来る（請求項５）。 The specific height dimension of the dam means varies depending on the thickness of the surface acoustic wave filter element, the height of the bumps, etc., and cannot be generally defined, but may be set in a range of 40 μm or more and less than 100 μm, for example. (Claim 5).
さらに、前記堰堤手段は、前記弾性表面波フィルタ素子を取り囲むように延在して該弾性表面波フィルタ素子の下面側隅角縁部に当接する傾斜面を内側に備えることがある（請求項６）。 Further, the dam means may include an inclined surface on the inner side that extends so as to surround the surface acoustic wave filter element and abuts against a lower surface side corner edge of the surface acoustic wave filter element. ).
このような堰堤手段の構造によれば、該傾斜面に弾性表面波フィルタ素子の下面側隅角縁部が当接し、これにより素子下面への樹脂の流入を阻止することが可能となる。さらに、このような傾斜面を有する堰堤構造によれば、弾性表面波フィルタ素子のサイズ（外周寸法）に対して堰堤手段の上縁部の内周寸法を比較的大きくしても（あるいは両者の間にばらつきがあっても）、当該傾斜面と弾性表面波フィルタ素子の下面側隅角縁部とで樹脂を遮断することが出来るから、弾性表面波フィルタ素子の実装が容易となる利点がある。 According to such a structure of the dam means, the lower surface side corner edge portion of the surface acoustic wave filter element abuts on the inclined surface, thereby preventing the resin from flowing into the element lower surface. Furthermore, according to the dam structure having such an inclined surface, even if the inner peripheral dimension of the upper edge portion of the dam means is relatively large with respect to the size (outer peripheral dimension) of the surface acoustic wave filter element (or both of them) Since the resin can be cut off at the inclined surface and the lower surface side corner edge of the surface acoustic wave filter element, there is an advantage that the surface acoustic wave filter element can be easily mounted. .
さらに、かかる高周波モジュールでは、弾性表面波フィルタ素子を複数個備え、該複数の弾性表面波フィルタ素子のうちの少なくとも一部がデュプレクサを構成する場合がある（請求項７）。 Further, the high-frequency module may include a plurality of surface acoustic wave filter elements, and at least a part of the plurality of surface acoustic wave filter elements may constitute a duplexer.
本発明によれば、弾性表面波フィルタ素子を備えた高周波モジュールの薄型・低背化が可能となる。また、ＳＡＷフィルタ素子を取り囲むように基板表面に形成した堰堤手段によって封止樹脂の流入を防ぎ、樹脂の付着による素子の性能劣化を防止することが出来る。しかも、かかる高周波モジュールを簡便な工程と低廉なコストで量産性良く製造することが出来る。 According to the present invention, it is possible to reduce the thickness and height of a high-frequency module including a surface acoustic wave filter element. Moreover, the inflow of the sealing resin can be prevented by the dam means formed on the substrate surface so as to surround the SAW filter element, and the performance deterioration of the element due to the adhesion of the resin can be prevented. In addition, such a high-frequency module can be manufactured with high productivity by a simple process and low cost.
本発明の他の特徴および利点は、以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。 Other features and advantages of the present invention will become apparent from the following description of embodiments of the present invention.
以下、添付図面の図１から図９を参照しつつ本発明の実施の形態（以下、本実施形態という）を説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as this embodiment) will be described with reference to FIGS. 1 to 9 of the accompanying drawings.
まず、図１はデュプレクサの回路構成の一例を示すものである。同図に示すようにこのデュプレクサは、送信用のＢＰＦ（バンドパスフィルタ）１１と受信用のＢＰＦ１２と位相シフト回路１３とを備え、端子１４から入力された送信信号は、送信用ＢＰＦ１１を経てアンテナ端子１６に供給され送信される。一方、受信信号は、アンテナ端子１６から位相シフト回路１３および受信用ＢＰＦ１２を経て受信信号端子１５に伝送される。 First, FIG. 1 shows an example of a circuit configuration of a duplexer. As shown in the figure, this duplexer includes a transmission BPF (bandpass filter) 11, a reception BPF 12, and a phase shift circuit 13, and a transmission signal input from a terminal 14 passes through an antenna BPF 11 for transmission. The signal is supplied to the terminal 16 and transmitted. On the other hand, the reception signal is transmitted from the antenna terminal 16 to the reception signal terminal 15 via the phase shift circuit 13 and the reception BPF 12.
さらに図２は、デュアルバンド方式（ＰＣＳとＮ−ＣＤＭＡ）の携帯電話機に使用するＦＥＭの回路構成の一例を示すもので、同図はＳＡＷデュプレクサからアンテナまでの送受信回路を示している。ＰＣＳおよびＮ−ＣＤＭＡの各送受信回路は、ＳＡＷフィルタ素子を含むデュプレクサ１７ａ，１７ｂをそれぞれ備え、ＰＣＳはダイプレクサ１８のＨＰＦ（ハイパスフィルタ）１８ａを介して、一方、Ｎ−ＣＤＭＡはダイプレクサ１８のＬＰＦ（ローパスフィルタ）１８ｂを介してそれぞれ共通のアンテナ１６に接続されている。 Further, FIG. 2 shows an example of a circuit configuration of an FEM used for a dual-band (PCS and N-CDMA) mobile phone. FIG. 2 shows a transmission / reception circuit from a SAW duplexer to an antenna. Each of the PCS and N-CDMA transmission / reception circuits includes duplexers 17a and 17b each including a SAW filter element. The PCS passes through an HPF (high-pass filter) 18a of the diplexer 18, while N-CDMA uses the LPF (diplexer 18). Each is connected to a common antenna 16 via a low-pass filter) 18b.
図３は、本実施形態に係る高周波モジュールを模式的に示す断面図である。同図に示すように本実施形態のモジュール２１は、ＦＥＭ基板７の表面に、デュプレクサ１７を構成する２つのＳＡＷ（弾性表面波）フィルタ素子１ａ，１ｂとダイプレクサ１８とを実装したものである。尚、同図は基板内の詳細な配線パターン等を省略して示している。 FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the high-frequency module according to this embodiment. As shown in the figure, the module 21 of the present embodiment has two SAW (surface acoustic wave) filter elements 1 a and 1 b constituting the duplexer 17 and a diplexer 18 mounted on the surface of the FEM substrate 7. In the figure, detailed wiring patterns and the like in the substrate are omitted.
ＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂの周囲には、該素子１ａ，１ｂを取り囲むようにダム２２（堰堤手段）を形成する。このダム２２は、レジスト材からなり、図４に示すように基板７の表面に形成したＳＡＷフィルタ素子用の接続パッド８の周囲に印刷法により形成する。 A dam 22 (weir means) is formed around the SAW filter elements 1a and 1b so as to surround the elements 1a and 1b. The dam 22 is made of a resist material, and is formed by a printing method around the connection pad 8 for the SAW filter element formed on the surface of the substrate 7 as shown in FIG.
一方、ＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂは、図５に示すようにＳＡＷフィルタ素子の接続パッド９の上にバンプ１０を形成し、図６に示すようにＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂを裏返して接続パッド８に載せ、フリップチップボンダにより基板７に実装する。そして、これらのＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂを、図７に示すように樹脂６により気密封止する。封止にあたっては、例えばＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂおよびダム２２を金型で覆い、該金型のキャビティ内にゲートから樹脂を注入して樹脂モールドを行えば良い。また、このようなモールド法に代え、図８に示すように樹脂シート６１を被せることによって封止を行うことも可能である。 On the other hand, in the SAW filter elements 1a and 1b, bumps 10 are formed on the connection pads 9 of the SAW filter elements as shown in FIG. 5, and the SAW filter elements 1a and 1b are turned over as shown in FIG. And mounted on the substrate 7 by a flip chip bonder. These SAW filter elements 1a and 1b are hermetically sealed with a resin 6 as shown in FIG. For sealing, for example, the SAW filter elements 1a and 1b and the dam 22 may be covered with a mold, and resin molding may be performed by injecting resin from the gate into the cavity of the mold. Moreover, it can replace with such a molding method and can also seal by covering the resin sheet 61 as shown in FIG.
かかる封止工程においては、ＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂの周囲に設けたダム２２によって樹脂のフィルタ素子下面への浸入が阻止され、ＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂの電極面（実装状態における下面）に封止樹脂が付着することを防ぐことが出来る。 In such a sealing process, the dam 22 provided around the SAW filter elements 1a and 1b prevents the resin from entering the lower surface of the filter element, and seals the electrode surfaces of the SAW filter elements 1a and 1b (the lower surface in the mounted state). It is possible to prevent the stop resin from adhering.
ＦＥＭ基板７の表面からＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂの下面までの高さ（パッド８，９およびバンプ１０の合計の高さ寸法）は一般に２０〜４０μｍ程度であり、したがってダム２２の高さは、これを超える例えば５０〜６０μｍとする。この程度の高さであれば、数回の印刷工程を繰り返すことによってダム２２を容易に形成することが出来る。また、ＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂは様々のものが提供されており、その高さ（厚さ）も区々であるが、一般に数百μｍ（例えば３５０μｍ）程度の高さを有するから、ダム２２の高さを５０〜６０μｍに設定すれば、マウンタによるＳＡＷフィルタ素子実装の邪魔になることもない。尚、これらダムの高さに関する数値は一例として示したものであって、本発明はこれらの値に限定されるものではない。 The height from the surface of the FEM substrate 7 to the lower surfaces of the SAW filter elements 1a and 1b (the total height of the pads 8, 9 and the bumps 10) is generally about 20 to 40 μm, and therefore the height of the dam 22 is It exceeds 50, for example, 50-60 μm. With such a height, the dam 22 can be easily formed by repeating the printing process several times. Various SAW filter elements 1a and 1b are provided, and their heights (thicknesses) vary, but since they generally have a height of about several hundreds μm (for example, 350 μm), the dam 22 If the height is set to 50 to 60 μm, it will not interfere with the mounting of the SAW filter element by the mounter. In addition, the numerical value regarding the height of these dams was shown as an example, and this invention is not limited to these values.
図９は、本実施形態におけるダムの別の構成例を示すものである。この例では、ダム３２の内側（ＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂに面する側）に、ＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂに向かって下り勾配となるテーパー状の傾斜面３２ａを形成してある。この傾斜面３２ａは、同図に示すように実装状態においてＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂの下面隅角部に当接するもので、これにより素子下面への樹脂６の流入が阻止される。 FIG. 9 shows another configuration example of the dam in this embodiment. In this example, a tapered inclined surface 32a having a downward slope toward the SAW filter elements 1a and 1b is formed inside the dam 32 (side facing the SAW filter elements 1a and 1b). As shown in the figure, the inclined surface 32a abuts against the lower corners of the SAW filter elements 1a and 1b in the mounted state, thereby preventing the resin 6 from flowing into the lower surface of the element.
また、かかる傾斜面３２ａを形成しておけば、ＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂのサイズ（外周寸法）に対してダム３２の上縁部の内周寸法を比較的大きくすることが出来るから（該ダム３２の寸法を大きくしても傾斜面３２ａによって樹脂６を堰き止めることが出来る）、当該ダム内にＳＡＷフィルタ素子１ａ，１ｂを容易に収容してその実装を行うことが可能となる。 If the inclined surface 32a is formed, the inner peripheral dimension of the upper edge portion of the dam 32 can be made relatively larger than the size (outer peripheral dimension) of the SAW filter elements 1a and 1b (the dam). Even if the size of 32 is increased, the resin 6 can be dammed by the inclined surface 32a), and the SAW filter elements 1a and 1b can be easily accommodated in the dam and mounted.
以上、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。 The embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims. Is obvious.
例えば、前記実施形態では、２個のＳＡＷフィルタ素子の周囲にダムを設けて気密封止したが、１個あるいは３個以上のＳＡＷフィルタ素子に対しても本発明は同様に適用することが可能である。また、ダムを形成する材料は、印刷法により容易に形成できる点でレジスト材によることが好ましいが、他の材料であっても構わない。さらに、本発明の高周波モジュールは、携帯電話機の送受信部に使用して好適なものであるが、これに限定されるものではなく、ＰＨＳや通信機能を備えたＰＤＡ、無線ＬＡＮカードその他、様々な電子通信機器に適用することが可能である。 For example, in the above embodiment, a dam is provided around two SAW filter elements and hermetically sealed, but the present invention can be similarly applied to one or three or more SAW filter elements. It is. The material for forming the dam is preferably a resist material in that it can be easily formed by a printing method, but other materials may be used. Furthermore, the high-frequency module of the present invention is suitable for use in a transmission / reception unit of a mobile phone, but is not limited to this, and is not limited to this, but includes various types of PDAs, wireless LAN cards, and the like having PHS and communication functions It can be applied to electronic communication equipment.
１ａ，１ｂ ＳＡＷフィルタ素子
６ 気密封止用樹脂
７ ＦＥＭ（フロントエンドモジュール）基板
８ 接続パッド
９ ＳＡＷフィルタ素子の接続パッド
１０ バンプ
１７ ＳＡＷデュプレクサ
１８ ダイプレクサ
２１ 高周波モジュール
２２，３２ ダム（堰堤手段）
３２ａ 傾斜面
６１ 樹脂シート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a, 1b SAW filter element 6 Resin for airtight sealing 7 FEM (front end module) board 8 Connection pad 9 Connection pad of SAW filter element 10 Bump 17 SAW duplexer 18 Diplexer 21 High-frequency module 22, 32 Dam (damming means)
32a inclined surface 61 resin sheet
Claims (7)
前記弾性表面波フィルタ素子を取り囲むように前記基板の表面に、前記封止のための樹脂の流入を阻止する堰堤手段を形成した
ことを特徴とする高周波モジュール。 A high-frequency module comprising a surface acoustic wave filter element that is bare-chip mounted on a substrate and sealed with a resin,
A high-frequency module characterized in that dam means for blocking inflow of the resin for sealing is formed on the surface of the substrate so as to surround the surface acoustic wave filter element.
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1, wherein the dam means is formed of a resist material.
ことを特徴とする請求項１または２に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1 or 2, wherein the dam means is formed by a printing method.
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の高周波モジュール。 The said dam means has the height more than the lower surface of the said surface acoustic wave filter element in a mounting state, and less than the upper surface of this surface acoustic wave filter element. High frequency module.
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。 The high frequency module according to any one of claims 1 to 4, wherein the dam means has a height of 40 µm or more and less than 100 µm.
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。 The said dam means is equipped with the inclined surface which extends so that the said surface acoustic wave filter element may be surrounded, and may contact | abut to the lower surface side corner edge of this surface acoustic wave filter element. The high frequency module according to any one of 5.
該複数の弾性表面波フィルタ素子のうちの少なくとも一部がデュプレクサを構成する
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の高周波モジュール。 A plurality of the surface acoustic wave filter elements are provided,
The high-frequency module according to any one of claims 1 to 6, wherein at least a part of the plurality of surface acoustic wave filter elements constitutes a duplexer.
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