KR100855950B1 - 반도체 제조용 가열로의 개폐장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 반도체 제조용 가열로의 개폐장치는, 반도체 제조용 가열로의 개폐장치로서, 가열로를 개폐하기 위한 개폐부재와, 상기 개폐부재를 가압하기 위한 벨로우즈와, 본 벨로우즈에 기체를 공급 및 배출하기 위한 기체공급배출부재와, 상기 개폐부재의 개방 또는 밀폐 여부를 감지하기 위한 센서를 포함한다.
여기서, 상기 벨로우즈는 내부의 제 1 벨로우즈와 본 제 1 벨로우즈 외부에 배치된 제 2 벨로우즈로 구성되며, 상기 기체공급배출부재에 의해 공급된 기체는 상기 제 1, 제 2 벨로우즈 사이로 공급될 수 있다.
이에 의해, 보다 컴팩트한 구성을 통해 가열로 내부의 온도를 신속 정확히 강하시킬 수 있으며, 가열로의 밀폐시 이로부터 발생되는 열에 의해 밀폐효과를 더욱 높일 수 있다.
반도체, 가열로, 개폐장치, 벨로우즈
Description
도 1 은 본 발명에 따른 반도체 제조용 가열로의 개폐장치가 적용된 가열로의 단면도이며,
도 2 는 본 발명에 따른 반도체 제조용 가열로의 개폐장치의 단면도이다.
본 발명은 반도체 제조용 가열로의 개폐장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 단순한 구성에 의해 가열로의 개폐를 신속히 구현할 수 있으며, 가열로의 밀폐시 이로부터 발생되는 열에 의해 밀폐효과를 더욱 높일 수 있는 개폐장치에 관한 것이다.
최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 소자 역시 비약적으로 발전하고 있다.
이러한 반도체 소자의 고집적화가 급속히 진행되고 있는 오늘날의 실정에 비추어, 그 제조 장치가 담당하는 역할은 한층 더 중요시되고 있다.
일반적으로 반도체 제조용 가열로는 반도체 제조 공정에 있어 확산공정, 화 학기상증착(LPCVD)공정과 같은 열공정에 이용되는 장치로서, 이와 같은 공정들은 가열로에 조성되는 온도 의존도가 매우 높은 공정들이다.
예를 들어, 확산공정에 있어 표면 농도를 저하시키고 접합 깊이(Junction Depth)를 깊게 하기 위해서는, 표면의 불순물을 제거하고 일정 고온에서 가열공정이 진행되어야 하는 바, 상기 확산공정에 있어 온도제어는 매우 중요한 문제이다.
또한, 상기 화학기상증착 공정에 있어서의 온도제어 역시 막의 형성과 그 품질을 결정하는 중요한 요인이 된다.
상기와 같은 열공정을 수행하기 위해서는 가열로가 이용되며, 가열로는 배치 형태에 따라 수직형과 수평형이 있다.
통상적으로 가열로의 구성은 가열로의 외벽을 구성하는 히터블럭과 본 히터블럭의 내부에 배치되는 처리 튜브를 포함하며, 웨이퍼를 적재한 보트가 본 처리튜브 내에 배치된다.
상기 처리튜브에는 공정을 수행하기 위한 반응가스가 공급되는 가스 공급부와 반응 후의 가스가 배출되는 가스 배출부가 설치되며, 상기 히터블럭에는 다수의 온도 감지센서(Spike T/C)가 설치된다.
상기 온도감지센서는 히터의 가열온도를 측정하여 공정 상 요구되는 소정 온도로 가열되고 있는지의 여부를 판단할 수 있도록 한다.
그런데, 이와 같은 가열로의 경우 상기와 같이 소정 온도로 가열하는 과정이 중요하지만, 상기 가열 공정 이후 소정의 온도로 가열로 내부의 온도를 신속히 냉각시키는 과정 역시 중요한 실정이다.
따라서, 본 발명의 목적은 단순한 구성에 의해 가열로의 개폐를 정확히 구현하여 가열로 내부의 온도를 신속히 강하시킬 수 있는 반도체 제조용 가열로의 개폐장치를 제공하는 것이다.
또한, 가열로의 밀폐시 이로부터 발생되는 열에 의해 밀폐효과를 더욱 높일 수 있는 반도체 가열로의 개폐장치를 제공하는 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체 제조용 가열로의 개폐장치는, 반도체 제조용 가열로의 개폐장치로서, 가열로를 개폐하기 위한 개폐부재와, 상기 개폐부재를 가압하기 위한 벨로우즈와, 본 벨로우즈에 기체를 공급 및 배출하기 위한 기체공급배출부재와, 상기 개폐부재의 개방 또는 밀폐 여부를 감지하기 위한 센서를 포함한다.
여기서, 상기 벨로우즈는 내부의 제 1 벨로우즈와 본 제 1 벨로우즈 외부에 배치된 제 2 벨로우즈로 구성되며, 상기 기체공급배출부재에 의해 공급된 기체는 상기 제 1, 제 2 벨로우즈 사이로 공급될 수 있다.
바람직하게는, 상기 제 1 벨로우즈 내부에는 상기 개폐부재에 탄성력을 작용시키기 위한 탄성부재가 설치된다.
여기서, 상기 탄성부재는 두개의 코일 스프링으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 제 2 벨로우즈 외부에는 상기 가열로로부터의 기체 및 본 제 2 벨로우즈를 냉각시키기 위한 냉각수단을 추가적으로 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 냉각수단은 상기 제 2 벨로우즈 및 상기 개폐부재의 외부를 둘러싸며 권취된 형태로 배치된 금속제 튜브로 구성된다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조장치용 가열로의 개폐장치를 상세히 설명하고자 한다.
도 1 은 본 발명에 따른 반도체 제조용 가열로의 개폐장치(30)가 적용된 가열로의 단면도이며, 도 2 는 본 발명에 따른 반도체 제조용 가열로의 개폐장치(30)의 단면도이다.
도 1 및 2 를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조용 가열로의 개폐장치(30)는, 가열로의 개구(24)를 개폐하기 위한 개폐부재(32)와, 본 개폐부재(32)를 가압하기 위한 벨로우즈(35, 37)와, 본 벨로우즈(35, 37)에 기체를 공급 및 배출하기 위한 기체공급배출부재(33)와, 상기 개폐부재(32)의 개방 또는 밀폐 여부를 감지하기 위한 센서(39)를 포함한다.
여기서, 상기 벨로우즈(35, 37)는 내부의 제 1 벨로우즈(37)와 본 제 1 벨로우즈(37) 외부에 배치된 제 2 벨로우즈(35)로 구성되며, 상기 기체공급배출부재(33)에 의해 공급된 기체는 상기 제 1 벨로우즈(37)와 제 2 벨로우즈(35) 사이로 공급된다.
도 1 을 참조하면, 반도체 제조용 가열로는 가열로의 외벽을 구성하는 히터블럭(10)을 포함하며, 히터블럭(10)의 내면에는 가열을 위한 히터(12)가 코일 형태로 배치된다.
또한, 상기 히터블럭(10)의 외면에는 상기 가열로의 내부 온도를 감지하기 위한 다수의 온도감지센서(14) 및 상기 히터(12)에 전원 공급을 위한 전원공급부(16)가 설치된다.
상기 히터블럭(10)의 내부에는 웨이퍼에 대한 열공정 수행을 위한 처리튜브(18)가 배치되며, 본 처리튜브(18) 내에는 웨이퍼(22)를 적재한 보트(20)가 배치된다.
상기 온도감지센서(14)는 가열로 내부의 온도를 측정하여 공정 상 요구되는 소정의 온도로 가열되고 있는지의 여부를 판단하며, 이러한 온도감지센서(14)의 종류는 제한적이지 않다.
또한, 상기 히터블럭(10)의 일측에는 본 히터블럭의 내부로 공기 등의 기체를 신속히 공급하기 위한 블로우어(Blower)(22)가 설치되는데, 본 블로우어(22)의 작동에 의해 상기 히터블럭(10) 내부로 공기 등의 기체를 신속히 공급할 수 있다.
상기 히터블럭(10)의 상부에는 상기 블로우어(22)로부터 공급된 기체를 배출하기 위한 개구(24) 및 본 개구(24)로부터 배출된 기체를 안내하기 위한 배기구(40)가 설치된다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 가열로의 개폐장치(30)는 상기 개구(24)를 개폐하기 위한 장치로서, 상기 개폐장치(30)의 개방에 의해 상기 블로우어(22)로부터 공급된 기체를 신속히 상기 배기구(40)로 배출시키는 역할을 발휘하게 된다.
도 2 를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조용 가열로의 개폐장치(30)는, 가열로의 개구(24)를 개폐하기 위한 개폐부재(32)를 포함한다.
상기 개폐부재(32)는 상기 벨로우즈(35, 37)의 가압에 의해 하방으로 이동되어 상기 개구(24)를 밀폐하게 되며, 또한 상기 벨로우즈(35, 37)로부터의 가압이 해제될 경우 상방으로 이동되어 상기 개구(24)를 개방하도록 구성된다.
여기서, 상기 벨로우즈(35, 37)는 내부의 제 1 벨로우즈(37)와 본 제 1 벨로우즈(37) 외부에 배치된 제 2 벨로우즈(35)로 구성되며, 상기 기체공급배출부재(33)에 의해 공급된 기체는 상기 제 1 벨로우즈(37)와 제 2 벨로우즈(35) 사이로 공급된다.
이와 같이, 상기 제 1 벨로우즈(37)와 제 2 벨로우즈(35) 사이에 기체가 공급됨으로써, 상기 개폐부재(32)로부터 전달된 열에 의해 상기 벨로우즈들(35, 37) 내부의 기체가 팽창하게 되어 상기 개폐부재(32)를 상기 개구(24) 방향으로 더욱 밀착시킴으로써 밀폐 효과를 더욱 높일 수 있다.
또한, 상기와 같이 상기 개폐부재(32)를 구동하기 위한 벨로우즈가 겹 벨로우즈(35, 37)로 구성됨으로써, 본 벨로우즈들(35, 37) 사이에 공급된 기체와 상기 개폐부재(32) 간의 접촉 면적을 감소시켜, 상기 벨로우즈들(35, 37) 사이에 공급된 기체의 온도가 상기 개폐부재(32)로부터 전달되는 열에 의해 과도하게 상승되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 탄력적 소재로 구성된 상기 벨로우즈들(35, 37) 사이에 기체가 공급된 이후 상기 기체공급배출부재(33)를 통해 배출되도록 함으로써, 배출 기체에 상기 벨로우즈들(35, 37)에 의한 탄력을 작용시킬 수 있어 보다 신속한 기체의 배출을 구현할 수 있다.
또한, 상기 제 1 벨로우즈(37) 내부에는 상기 개폐부재(32)에 탄성력을 작용시키기 위한 탄성부재(42)가 설치되는데, 여기서 본 탄성부재(42)는 두개의 코일 스프링으로 구성될 수 있다.
상기 기체공급배출부재(33)로부터 기체가 공급되어 상기 제 1 벨로우즈(37)와 제 2 벨로우즈(35)가 신장됨으로써, 상기 개폐부재(32)를 하방으로 이동시킬 경우, 상기 탄성부재(42)는 신장되며, 상기 기체공급배출부재(33)를 통해 기체가 배출될 경우 상기 탄성부재(42)는 원상태로 회복되도록 구성된다.
상기와 같이 제 1 벨로우즈(37)의 내부에 코일 스프링으로 구성된 탄성부재(42)를 배치함으로써, 상기 기체공급배출부재(33)로부터 기체가 배출될 경우, 상기 탄성부재(42)의 복원력을 상기 개폐부재(32)에 작용시켜 보다 신속한 본 개폐부재(32)의 이동을 구현할 수 있다.
이와 같이, 상기 제 1 벨로우즈(37)와 제 2 벨로우즈(35)를 겹으로 설치하고, 상기 제 1 벨로우즈(37) 내부에 코일 스프링 형태의 탄성부재(42)를 배치함으로써, 보다 컴팩트한 구성을 구현하면서도 상기 벨로우즈들(35, 37) 사이에 공급된 기체의 과도한 온도 상승을 방지할 뿐만 아니라, 상기 개구(24)에 대한 신속한 개방을 구현할 수 있다.
또한, 상기 제 1 벨로우즈(37) 내부의 상기 개폐부재(32) 상부에는 본 개폐부재(32)의 개방 또는 밀폐 여부를 감지하기 위한 감지센서(39)가 배치된다.
한편, 상기 제 2 벨로우즈(35) 외부에는 본 제 2 벨로우즈(35)와 상기 개폐부재(32)를 소정의 온도로 냉각시키기 위한 냉각수단(44)이 설치되어, 상기 제 2 벨로우즈(35)와 개폐부재(32)가 과열되는 것을 방지하게 된다.
또한, 상기 냉각수단(44)은 상기 개폐부재(32)의 개방시 상기 개구(24)로부터 배출되는 기체를 냉각시켜 본 냉각된 기체를 재순환시키거나 외부로 배출가능하도록 한다.
상기 냉각수단(44)은 상기 제 2 벨로우즈(35) 및 상기 개폐부재(32)의 외부를 둘러싸며 권취된 형태인 금속제 튜브로 구성될 수 있으나, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다.
상기와 같이 개폐부재(32) 상부에 제 1 벨로우즈(37) 및 제 2 벨로우즈(35)를 겹으로 설치하고, 상기 제 1 벨로우즈(37) 내부에 탄성부재(42) 및 감지센서(39)를 설치하며, 또한 상기 제 2 벨로우즈(35) 외부를 감싸는 형태로 냉각수단(44)을 설치함으로써, 보다 컴팩트한 구성의 개폐장치를 구현할 수 있다.
본 발명에 의해, 보다 컴팩트한 구성을 갖는 반도체 제조용 가열로의 개폐장치를 구현할 수 있다.
또한, 가열로 내부의 온도를 신속 정확히 강하시킬 수 있는 반도체 제조용 가열로의 개폐장치를 구현할 수 있다.
또한, 가열로의 밀폐시 이로부터 발생되는 열에 의해 밀폐효과를 더욱 높일 수 있다.
Claims (6)
- 반도체 제조용 가열로의 개폐장치로서,가열로를 개폐하기 위한 개폐부재와;상기 개폐부재를 가압하기 위한 벨로우즈와;상기 벨로우즈에 기체를 공급 및 배출하기 위한 기체공급배출부재와;상기 개폐부재의 개방 또는 밀폐 여부를 감지하기 위한 센서를 포함하는 반도체 제조용 가열로의 개폐장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 벨로우즈는 내부의 제 1 벨로우즈와 본 제 1 벨로우즈 외부에 배치된 제 2 벨로우즈로 구성되며, 상기 기체공급배출부재에 의해 공급된 기체는 상기 제 1, 제 2 벨로우즈 사이로 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가열로의 개폐장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 벨로우즈 내부에는 상기 개폐부재에 탄성력을 작용시키기 위한 탄성부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가열로의 개폐장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 탄성부재는 두개의 코일 스프링인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가열로의 개폐장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 2 벨로우즈 외부에는 상기 가열로로부터의 기체 및 상기 제 2 벨로우즈를 냉각시키기 위한 냉각수단을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가열로의 개폐장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 냉각수단은 상기 제 2 벨로우즈 및 상기 개폐부재의 외부를 둘러싸며 권취된 형태로 배치된 금속제 튜브인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가열로의 개폐장치.
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| KR1020070043219A KR100855950B1 (ko) | 2007-05-03 | 2007-05-03 | 반도체 제조용 가열로의 개폐장치 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200034515A (ko) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | (주) 예스티 | 국소배기 유닛 및 이를 포함하는 열처리 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394638A (ja) | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Fujitsu Ltd | 真空炉キヤツプ |
| JPH05149433A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-15 | Kobe Steel Ltd | 半導体製造装置用真空チヤンバのシール構造 |
| JPH11214489A (ja) | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 真空処理装置 |
-
2007
- 2007-05-03 KR KR1020070043219A patent/KR100855950B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394638A (ja) | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Fujitsu Ltd | 真空炉キヤツプ |
| JPH05149433A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-15 | Kobe Steel Ltd | 半導体製造装置用真空チヤンバのシール構造 |
| JPH11214489A (ja) | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 真空処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200034515A (ko) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | (주) 예스티 | 국소배기 유닛 및 이를 포함하는 열처리 장치 |
| KR102103872B1 (ko) * | 2018-09-21 | 2020-04-24 | (주) 예스티 | 국소배기 유닛 및 이를 포함하는 열처리 장치 |
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