KR100846293B1 - 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

발광 다이오드 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 반도체 발광 다이오드는, 제1 장벽층과, 제2 장벽층과, 제1 및 제2 장벽층 사이에 개재된 반도체로 된 활성층으로서 다수개의 양자점이 면 방향으로 분포된 양자점층과 양자점층의 양자점들을 둘러싸는 중간 박막층이 교번적으로 적층된 활성층을 포함하고, 각 양자점층의 양자점들의 일부 또는 전부는 이웃 양자점층의 양자점 분포 패턴과 유사한 분포 패턴을 가져서, 인접하게 배치되고, 전기적으로 커플링된다. 이러한 본 발명의 반도체 발광 다이오드는 매우 간단하고 경제성 있는 방식으로 백색 등의 다양한 컬러가 발광되는 다이오드를 제공할 수 있다.

양자점, 장벽층, 전기적 커플링, 백색 발광

Description

발광 다이오드 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 반도체 발광 다이오드를 개략적으로 도시한 단면도.

도 2는 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 활성층을 개략적으로 도시한 단면도.

도 3은 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 활성층의 전기적 에너지 밴드 구조를 나타내는 그래프.

도 4는 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 양자점층의 InGaN 양자점의 원자현미경 이미지.

도 5는 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 주입전류 세기에 따른 전계발광 스펙트럼을 나타내는 그래프.

삭제

도 6은 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 발광 이미지.

본 발명은 반도체 발광 다이오드에 관한 것으로서, 특히 양자 우물 구조를 이용하는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.

최근까지 연구되거나 상용되고 있는 발광 다이오드들 중 특히 백색 발광 다이오드는 일반적으로 아래와 같은 2가지 방식이 대표적이다.

하나는 빛의 삼원색인 적, 녹, 청색의 발광 다이오드의 조합을 통해 백색광을 얻는 방법이며, 다른 하나는 청색이나 자외선 발광 다이오드 칩 위에 YAG계열의 무기물 형광체를 도포하여 백색광을 얻는 방법이다[참고문헌: Science, 308, 1274 (2005)].

전자의 경우, 각각의 발광 다이오드를 독립적으로 제어하므로 인간의 눈에 적합한 백색을 방출할 수 있고 효율이 우수한 장점이 있지만, 하나의 백색 발광 다이오드를 제작하는데 세 개 이상의 발광 다이오드를 필요로 하기 때문에 비경제적이므로 그 사용범위가 매우 제한되어 있다.

따라서 후자의 방법이 주로 채택되고 있으며, 상용화단계에 이르고 있다. 이와 같이 형광체를 자외선이나 청색 질화물 발광 다이오드위에 도포하는 방법은 그 제작 방법이 용이한 장점은 있다. 그러나 이러한 방식의 백색 발광 다이오드는, 자외선이나 청색 발광 다이오드에 의해서 여기 되는 빛을 형광체가 자체 흡수하므로 소자의 효율이 제한된다는 문제점이 있다. 또한 발광 다이오드 칩 위에 형광체를 일정한 비율로 도포하는 공정과 같은 추가 공정을 필요하게 된다.

따라서 궁극적으로는 하나의 발광 활성층에서 전 가시광 영역을 구현하는 기술이 개발되고 있다.

이러한 목적에 따라 제시된 하나의 방법은 청색과 황색 계열의 파장을 발광하는 다중 양자우물구조를 동시에 발광 다이오드의 활성층에 삽입함으로써, 형광체를 도포하는 후공정 없이도 백색광을 구현하는 것이 이다[참고문헌: Jpn. J. Appl. Phys. 41, L246 (2002)].

이와 더불어 InGaN 양자우물 내에 발생하는 압전 현상을 이용하여 장파장의 가시광을 발광하는 양자우물을 형성하는 방법이 벤자민 다밀라노(Benjamin Damilano) 등에 의해 제시되었다[참고문헌: Jpn. J. Appl. Phys. 40, L918 (2001)].

이러한 방법은 하나의 발광 다이오드에서 백색광을 얻으므로 공정이 단순하고, 경제적인 장점이 있으나, InGaN 양자우물층의 인듐 조성이 증가할수록 결정성이 저하하고, 압전 현상이 증가하여 양자우물 내에서 전자와 정공의 재결합 효율을 떨어뜨리므로 발광효율이 현저히 낮아지는 문제점이 제기된다.

미국특허 제6303404호에 의하면, 특정 조성과 온도에서 상분리 현상이 일어나는 InGaN의 고유 특성을 이용해 인듐 조성이 높은 양자점 영역과 인듐 조성이 낮은 매질 영역을 자발 형성하여 백색 발광 다이오드를 제작하는 방법을 제시하고 있다. 하지만 이 방법의 경우, InGaN 박막 성장 후, 고온의 열처리를 필요로 하므로, 박막 계면의 특성이 낮아져 소자의 특성을 저하 시키거나 추가공정이 필요한 단점이 제기된다.

본 발명은 상술한 종래기술들의 문제점을 해결하기 위해 단순한 공정으로 경 제성을 가지는 반도체 발광 다이오드를 제공하는 목적을 가진다.

본 발명의 다른 목적은 상술한 개선된 반도체 발광 다이오드를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적에 따른 반도체 발광 다이오드는, 제1 장벽층과, 제2 장벽층과, 제1 및 제2장벽층 사이에 개재된 반도체로 된 활성층으로서 다수개의 양자점이 면(plane) 방향으로 분포된 양자점층과 양자점층의 양자점들을 둘러싸는 중간 박막층이 교번적으로 적층된 활성층을 포함하고, 각 양자점층의 양자점들의 일부 또는 전부는 이웃 양자점층의 양자점 분포 패턴과 유사한 분포 패턴을 가져서, 인접하게 배치되고, 전기적으로 커플링되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다른 목적에 따른 반도체 발광 다이오드 제조방법은, 기판 상에 제1 장벽층을 포함하는 스택 구조를 형성하는 단계와, 제1 장벽층을 포함하는 스택 구조 상에, 면방향으로 분포되는 다수의 양자점으로 이루어지는 양자점층과 양자점층의 양자점들을 둘러싸도록 양자점층을 포함하는 전면에 형성되는 중간 박막층이 교번적으로 다수 회 적층된 활성층을 형성하는 단계와, 활성층 상에 제2 장벽층을 형성하는 단계를 포함하고, 각 양자점층의 양자점들의 일부 또는 전부는 이웃 양자점층의 양자점 분포 패턴과 유사한 분포 패턴을 가져서, 상호 인접하게 배치되고, 전기적으로 커플링되는 것을 특징으로 한다.

여기에서, 각 중간 박막층 상에 형성되는 양자점층의 양자점의 일부 또는 전부가, 하위 양자점층의 양자점에 의해 그 부위의 중간 박막층에 발생되는 응력 집 중에 의해 그 부위에 우선 형성됨으로써 이웃하는 양자점층간에 양자점의 분포 패턴이 유사하게 되는 것을 특징으로 한다.

상기의 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법에서 공히, 바람직하게는 각 층의 에너지 밴드 갭이, 제1 및 제2 장벽층 > 중간 박막층 > 양자점층이어서, 양자점층에서는 상대적으로 장파장의 광선이 발광하고, 중간 박막층에서는 상대적으로 단파장의 광선이 발광한다. 바람직하게 양자점층의 양자점은 InGaN이다. 바람직하게는 중간 박막층은 양자점층의 InGaN 보다 In의 조성비가 큰 InGaN이다. 바람직하게는 중간 박막층은 두께가 5 nm 이하이다. 제1 및 제2 장벽층은 각각 n형 GaN과 p형 GaN을 포함한다.

상기 제조방법에 있어서는, 양자점층이 형성되는 제1 장벽층을 포함하는 스택 구조의 표면은 GaN이다.

상술한 바와 같이 본 발명은 세로방향으로 적층되어 서로 전기적으로 커플링된 InGaN 양자점에서는 장파장의 가시광선이 발광하고, 이를 둘러싼 InGaN 중간 박막층에서는 단파장의 가시광선이 발광하여 전체적으로 백색 및 다양한 컬러가 발광되는 반도체 발광 다이오드를 제공한다.

InGaN 물질을 이용한 장파장 발광 다이오드를 제작하고자 함에 있어서 종래의 기술이 겪고 있는 인듐조성이 증가함에 따라 결정성이 저하하는 문제점과 전자와 정공의 재결합 효율이 낮아지는 문제점은 본 발명의 양자점 구조를 이용함으로써 해결될 수 있다. GaN 표면 위에서 InGaN 물질이 성장 시, 두 물질 사이의 격자상수 차이에 의해 InGaN 내에 압축 응력이 발생하게 된다. 따라서 상술한 바와 같 이 종래기술에서는 활성층에 인듐 조성이 높은 InGaN을 형성하는데 문제가 있었다. 그러나 본 발명에서는 양자점층 상에 인듐 조성이 높은 InGaN의 중간 박막층을 형성하고, 하위의 양자점들에 의해 응력이 집중되는 부위에 다시 양자점을 형성함으로써 그를 해소한다. 하위의 양자점들에 의해 집중된 응력은 그 부위의 박막 중간 내에 전위를 형성하거나 박막의 표면적을 증가시킨다. 하지만 본 발명과 같이 중간 박막층에 다시 양자점을 형성하면 자연히 응력이 집중된 부위에 우선적으로 양자점이 생성이 되고, 응력 집중으로 인한 문제가 해소된다. 따라서 이와 같은 방식으로 본 발명에서는 인듐 조성이 높은 InGaN(중간 박막층)을 활성층으로 형성할 수 있게 된다. 또한, 두께가 얇게 형성되는 중간 박막층은 상하의 양자점들을 전기적 커플링되도록 한다. 이는 실질적으로 양자점의 크기를 증가시키는 효과를 거두게 되어, 에너지 밴드 갭을 낮추고, 발광 파장을 증가시키게 된다.

결과적으로 본 발명의 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법은, 발광 다이오드 칩 위에 형광체를 도포하는 후공정이나 InGaN의 상분리 촉진을 위해 추가 열처리 공정을 필요로 하지 않으므로, 제작공정이 단순하고 경제적이며, 형광체에 의한 재흡수 과정이 없으므로 에너지효율이 높은 백색 발광 다이오드 제작할 수 있게 된다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 더 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 다이오드를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 활성층을 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 반도체 발광 다이오드는 제1 장벽층(40)과 제2 장벽층(60), 그리고 그들 사이에 개재된 활성층(50)을 포함한다. 활성층(50)의 아래에 형성되는 하위 스택구조는 기판(10), 버퍼층(20) 및 도핑되지 않은 중간층(30)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 장벽층(40, 60)을 통해 캐리어인 전자와 정공이 활성층(50)으로 전달되고, 상기 제1 장벽층(40) 및 제2 장벽층(60)에 의해 캐리어는 활성층(50) 내에 감금된다. 따라서, 제1 및 제2 장벽층(40, 60)은 접촉층 또는 클래딩층을 포함하는 접촉층일 수 있다.

제1 및 제2 장벽층(40, 60)은 각각 도핑된 n형 GaN과 p형 GaN이다.

활성층(50)은 양자점층(51-1~4)과 중간 박막층(52-1~4)이 교번적으로 적층된 적층 구조이다. 양자점층(51-1~4)과 중간 박막층(52-1~4)은 InGaN으로 이루어지며, 중간 박막층(52-1~4)이 양자점층(51-1~4)보다 인듐의 조성비가 크다.

각각의 양자점층(51-1~4)은 면방향으로 분포된 다수개의 양자점으로 이루어진다. 또한 양자점층(51-1~4)은 그들 사이에 개재된 중간 박막층(52-1~4)을 중심으로 일부 또는 전부가 서로 유사하거나 동일한 분포 패턴을 갖는다.

이는 n형 GaN인 제1 장벽층(40)의 표면에 양자점층(51-1)을 형성하고, 그 위에 중간 박막층(52-1)을 형성하게 되면 양자점층(51-1)의 양자점이 있는 부위의 중간 박막층(52-1)에는 응력이 집중이 일어나게 된다. 다시 중간 박막층(52-1) 표면 상에 양자점층(51-2)을 형성하면 응력이 집중된 부위에 우선적으로 양자점이 성장하게 되어 양자점층(51-2)의 양자점의 분포 패턴은 양자점층(51-1)의 양자점의 분포가 유사하게 되는 것이다. 이에 대해서는 하기에서 더 자세하게 설명된다.

중간 박막층(52-1~4)은 대략 5 nm 이하의 두께를 가짐으로써 양자점층(51-1~4)의 양자점들은 이웃하는 층의 인접하게 대응하는 양자점들과 전기적으로 커플링된다.

상술한 바와 같이 중간 박막층(52-1~4)의 인듐 조성비는 양자점층(51-1~4)의 인듐 조성비 보다 크다. 따라서, 각 층의 에너지 밴드 갭은 제1 및 제2 장벽층(40, 60) > 중간 박막층(52-1~4) > 양자점층(51-1~4)이 된다.

도 3은 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 활성층(50)의 전기적 에너지 밴드 구조를 나타내는 그래프이다. 상기 활성층(50)은 세로 방향으로 적층되어 전기적으로 커플링된 양자점(In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x,y≤1))과, 양자점들을 둘러싸는 중간 박막층(52-1~4; In_xAl_yGa_{1 -x- y}N (0≤x,y≤1))으로 구성되어 있다.

도 3에서도 알 수 있는 바와 같이, 전기적으로 커플링된 양자점들의 에너지 밴드 갭은 중간 박막층(52-1~4)의 에너지 밴드 갭 보다 작다. 특히 전기적으로 커플링된 상하에 인접한 양자점들은 실질적으로 통상의 양자점보다 더욱 낮은 밴드 갭을 가지게 된다. 따라서, 전기적으로 커플링된 양자점들에서는 장파장의 가시광선이 발광하게 된다.

일반적으로 양자점의 적층 구조를 형성 시, 양자우물을 형성하기위해 두꺼운 장벽층을 삽입하게 된다. 이러한 구조의 경우 각각의 양자점이 전기적으로 독립된 구조이므로 양자구속 효과에 의해 밴드 갭이 증가하게 된다. 하지만 본 발명에서 이루고자하는 구조는 양자점을 형성한 후에 얇은 층의 인듐조성이 다른 InGaN 중간 박막층(52-1~4)을 삽입하고 그 위에 다시 양자점층(51-1~4)을 형성하는 과정을 반복함으로써, 수직 또는 세로로 적층된 구조의 양자점을 성장시키게 된다.

양자점들 개재되는 중간 박막층(52-1~4)들이 매우 얇기 때문에 양자점들은 종래 기술과는 다르게 개별적으로 격리되지 않고, 세로로 배치된 또는 이웃하는 층의 대응하는 양자점과 전기적으로 커플링된 구조를 가진다. 이러한 구조의 경우 양자점의 적층수를 증가함에 따라 양자점의 크기가 실질적으로 증가하므로, 밴드 갭이 감소하여 발광파장을 증가시킬 수 있다.

또한, 적층수를 조절함으로써, 양자점에서의 발광파장을 조율할 수 있다. 이러한 방법을 통해 양자점에서의 발광파장을 자외선 영역에서 가시광 영역을 통틀어 적외선 영역까지 확장이 가능하다. 또한 중간 박막층(52-1~4)으로 증착되는 인듐 조성이 높은 얇은 InGaN 박막층은 실질적으로 양자점의 장벽층 역할을 하고, 또한 단파장의 발광 영역으로 작용하게 된다.

상술한 원리를 도 1 내지 도 3을 통해 살펴보면, 활성층(50) 내에 수직 적층된 양자점 구조에 의해 깊은 양자 우물이 형성이 되고, 이를 둘러싸고 있는 얇은 중간 박막층(52-1~4)에 의해 전기적 장벽이 형성되게 된다. 양자점 주변의 인듐 조성이 높은 얇은 InGaN 중간 박막층(52-1~4)은 다시 도핑된 n형 GaN인 제1 장벽층(40)과 도핑된 p형 GaN인 제2 장벽층(60)에 의해 양자우물 구조가 형성되는 이중 양자우물 구조이다. 이러한 밴드 구조에서는 전자와 정공의 농도가 낮을 경우는 전자와 정공이 포텐셜이 낮은 양자점에서 재결합하여 광자를 방출하지만, 전자와 정공의 농도가 증가하여 양자점의 에너지 준위를 모두 채우게 되면, 그보다 높은 에 너지 준위를 갖는 중간 박막층(52-1~4)의 에너지 준위에서 재결합을 하게 되어 궁극적으로는 양자점과 그를 둘러싸고 있는 중간 박막층(52-1~4)에서 동시에 발광하게 되므로 장파장과 단파장의 가시광의 광자가 동시에 방출되고, 실질적으로 단일 층에서 백색 발광을 하는 것과 같은 백색 발광 다이오드를 구현할 수 있게 된다.

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 백색 발광 다이오드의 제조방법에 대해서도 살펴보기로 한다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 먼저 기판(10) 상에 버퍼층(20), 도핑되지 않은 중간층(30) 및 제1 장벽층(40)을 순차로 적층 형성한다.

박막성장 장비로는 유기화학기상증착(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD) 시스템을 이용하였다. 기판으로는 (0001)면의 사파이어를 사용하였다.

제1 장벽층(40)은 상술한 바와 같이 도핑된 n형 GaN으로서 접촉층이기도 하다. 갈륨 원으로는 트리메틸갈륨 (Trimethylgallium: TMGa), 인듐 원으로는 트리메틸인듐 (Trimethylindium: TMIn), 질소원으로는 암모니아(NH₃)를 사용하고, n형 도펀트(dopant)는 사수소화실리콘 (SiH₄)을, p형 도펀트로는 마그네슘 (Cp₂Mg)을 사용하였다. 운반가스로는 수소 또는 질소를 사용하였다.

사파이어 기판(10)을 1050 ℃ 고온의 수소분위기에서 열처리하여 기판(10) 표면을 에칭하여 불순물을 제거하고, 온도를 550 ℃낮춘 후, 약 25 nm 두께의 GaN 핵생성층으로 도핑되지 않은 중간층(30)을 성장시킨 후, 그 위에 1050 ℃에서 1시 간 동안 2 μm 두께의 도핑된 n형 GaN 에피층인 제1 장벽층(40)을 성장시켰다.

다음 온도를 650 ℃로 낮춘 후, 트리메틸 갈륨 25.4 마이크로 몰/분, 트리메틸 인듐 30.3 마이크로 몰/분, 암모니아 15,000 sccm, 성장 속도 0.2 nm/초, 성장압력 200 torr의 성장조건하에서 6초간 InGaN 양자점을 성장시켜서 양자점층(51-1)을 형성하였다.

도 4는 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 양자점층(51-1)의 InGaN 양자점의 원자현미경 이미지이며, 표면 분석을 측정한 InGaN 양자점의 지름 약 45nm, 높이 1.35nm, 면 밀도 약 5x10⁹/cm²의 InGaN 양자점이 형성되었음을 확인할 수 있다.

양자점층(51-1)을 형성한 후, 그 위에 InGaN의 중간 박막층(52-1)을 형성하였다. 트리메틸 갈륨 12.7 마이크로 몰/분, 트리메틸 인듐 5.05 마이크로 몰/분, 암모니아 12,000sccm, 성장압력 200torr의 성장 조건하에서 3초간 얇은 InGaN의 중간 박막층(52-1)을 성장하였다.

중간 박막층(52-1) 위에 다시 양자점층(51-2)을 양자점층(51-1)과 동일한 조건을 성장시킨다. 이 경우, 중간 박막층(52-1~4)에 있어서 하부에 양자점이 형성된 표면 부위에는 응력이 집중되므로 양자점층(51-2)의 양자점들은 이러한 영역에 우선 성장되게 된다.

위와 같은 방식으로 양자점층과 중간박막층을 교번적으로 반복 적층하여 활성층(50)을 완성한다. 이후, 활성층(50) 위에 제2 장벽층(60)으로서 도핑된 p형 GaN을 형성하였다. p형 도판트(dopant)로는 마그네슘 (Cp₂Mg)을 8.08 마이크로 몰/ 분의 소스 주입을 통해 얻을 수 있다.

양자점의 성장과 InGaN 중간 박막층의 성장을 반복함에 따라 양자점층(51-1~4)의 양자점들은 세로 또는 수직으로 인접한 양자점들이 전기적으로 커플링이 되어 실질적으로 양자점의 크기는 증가한다. 따라서 광발광 스펙트럼 (Photoluminescence : PL)을 통해 에너지 밴드 구조를 관측하면, 반복하는 수에 따라 양자점에서의 발광 파장이 자외선 영역에서부터 장파장의 가시광선 영역까지 확장될 수 있다는 것을 확인할 수 있다.

본 실시예에서는 이러한 과정을 15 회 반복하였다. 결과적으로 중간 박막층(52-1~4)에서는 청색의 빛이 발광하고, 세로로 적층된 양자점 구조에서는 500 ~ 700 nm에 해당하는 넓은 영역의 발광스펙트럼이 형성되어 전체적으로 백색 발광을 보이게 된다.

도 5는 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 광세기에 따른 광발광 스펙트럼을 나타는 그래프이다. 여기광의 세기가 낮을 경우는 세로로 전기적 커플링된 양자점 구조에서만 광발광을 보이게 되지만, 여기광의 세기가 증가함에 따라 높은 에너지 준위인 중간 박막층(52-1~4)의 InGaN에서 광발광이 일어나면서, 전체적으로 두 개의 스펙트럼 영역에서 발광하는 모습을 보이게 되어 백색 발광 스펙트럼을 얻을 수 있다.

도 6은 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 주입전류 세기에 따른 전계발광 스펙트럼 (Electroluminescence : EL)을 나타내는 그래프이다. 광발광 스펙트럼과 유사한 경향으로, 주입전류의 세기가 낮을 경우, 양자점 구조에서의 발광만을 보이 며 장파장의 발광을 보이지만, 주입전류 세기를 증가시킬수록 높은 퍼텐셜 우물에서 재결합을 하므로, 중간 박막층(52-1~4)에서 단파장의 발광을 함께 보이며 전체적으로는 백색 발광스펙트럼을 나타낸다.

도 7은 본 발명의 반도체 발광 다이오드의 발광 이미지이다. 도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 반도체 발광 다이오드는 100 mA의 주입전류 하에서 백색 발광을 보여주었다.

이상과 같이, 본 발명의 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법은 매우 단순하고 경제성 있는 방식으로 다양한 컬러의 발광을 구현하는 발광 다이오드를 얻을 수 있다. 특히, 본 발명의 발광 다이오드는 백색 발광을 효과적으로 구현한다. 다시 말해서, 종래의 발광 다이오드가 백색 발광을 위해서 형광체를 도포하거나, 인위적인 상분리를 위해 추가적인 열처리 공정을 진행하여야 하였지만, 본 발명의 반도체 발광 다이오드는 그러한 후속 추가 공정이 없이도 안정적으로 백색이 발광되는 다이오드를 제공할 수 있다.

Claims (13)

1. 반도체 발광 다이오드에 있어서,

   제1 장벽층;

   제2 장벽층; 및

   상기 제1 및 제2장벽층 사이에 개재되고, 다수개의 양자점이 면방향으로 분포된 양자점층과 상기 양자점층의 양자점들을 둘러싸는 중간 박막층이 교번적으로 적층된 활성층을 포함하고,

   상기 각 양자점층의 양자점들의 일부 또는 전부는 이웃 양자점층의 양자점 분포 패턴과 유사한 분포 패턴을 가져서, 상호 인접하게 배치되고, 전기적으로 커플링되며,

   상기 각 층의 에너지 밴드 갭이 제1 및 제2 장벽층 > 중간 박막층 > 양자점층이고, 상기 양자점층에서 발광하는 광선의 파장은 상기 중간 박막층에서 발광하는 광선의 파장에 비해 장파장인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서, 상기 양자점층의 양자점은 InGaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
4. 제3항에 있어서, 상기 중간 박막층은 상기 양자점층의 InGaN 보다 In의 조성비가 큰 InGaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
5. 제4항에 있어서, 상기 중간 박막층은 두께가 5nm 이하인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 장벽층은 각각 n형 GaN과 p형 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
7. 반도체 발광 다이오드 제조방법에 있어서,

   기판 상에 제1 장벽층을 포함하는 스택 구조를 형성하는 단계;

   상기 제1 장벽층을 포함하는 스택 구조 상에, 면방향으로 분포되는 다수의 양자점으로 이루어지는 양자점층과 상기 양자점층의 양자점들을 둘러싸도록 상기 양자점층을 포함하는 전면에 형성되는 중간 박막층이 교번적으로 다수 회 적층된 활성층을 형성하는 단계; 및

   상기 활성층 상에 제2 장벽층을 형성하는 단계를 포함하고,

   상기 각 양자점층의 양자점들의 일부 또는 전부는 이웃 양자점층의 양자점 분포 패턴과 유사한 분포 패턴을 가져서, 상호 인접하게 배치되고, 전기적으로 커플링되며,

   상기 각 층의 에너지 밴드 갭이 제1 및 제2 장벽층 > 중간 박막층 > 양자점층이고, 상기 양자점층에서 발광하는 광선의 파장은 상기 중간 박막층에서 발광하는 광선의 파장에 비해 장파장인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 각 중간 박막층 상에 형성되는 양자점층의 양자점의 일부 또는 전부가, 하위 양자점층의 양자점에 의해 그 부위의 중간 박막층에 발생되는 응력 집중에 의해 그 부위에 우선 형성됨으로써 이웃하는 양자점층간에 양자점의 분포 패턴이 유사하게 되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
9. 삭제
10. 제7항에 있어서, 상기 양자점층의 양자점은 InGaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 중간 박막층은 상기 양자점층의 InGaN 보다 In의 조성비가 큰 InGaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
12. 제7항에 있어서, 상기 양자점층이 형성되는 상기 제1 장벽층을 포함하는 스택 구조의 표면은 GaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
13. 제7항에 있어서, 상기 중간 박막층은 두께가 5nm 이하인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.

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