KR100830787B1 - 반도체장치 - Google Patents

반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100830787B1
KR100830787B1 KR1020010014980A KR20010014980A KR100830787B1 KR 100830787 B1 KR100830787 B1 KR 100830787B1 KR 1020010014980 A KR1020010014980 A KR 1020010014980A KR 20010014980 A KR20010014980 A KR 20010014980A KR 100830787 B1 KR100830787 B1 KR 100830787B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
wiring board
substrate
wiring
warp
Prior art date
Application number
KR1020010014980A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010093681A (ko
Inventor
시바타가즈다카
Original Assignee
로무 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로무 가부시키가이샤 filed Critical 로무 가부시키가이샤
Publication of KR20010093681A publication Critical patent/KR20010093681A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100830787B1 publication Critical patent/KR100830787B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562Protection against mechanical damage
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1023All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1058Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/162Disposition
    • H01L2924/1627Disposition stacked type assemblies, e.g. stacked multi-cavities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3511Warping

Abstract

반도체 칩과 이 반도체 칩의 한쪽 표면측에 접합되고 상기 반도체 칩과 전기 접속된 배선기판과, 반도체 칩의 다른 쪽 표면측에 접합되고 상기 배선기판과 동일한 재료로 된 휘어짐 방지기판을 구비한 반도체장치.
상기 배선기판의 반도체 칩과는 반대측의 표면에 표면실장용의 외부접속부재가 배치되어 있어도 된다.

Description

반도체장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 반도체장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 단면도.
도 2는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 반도체장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1. 반도체 칩 2. 배선기판
3. 절연판 4, 5. 땜납볼
본 발명은 반도체 칩을, 예를 들면 필름상의 배선기판상에 접합한 구성의 반도체장치에 관한 것이다.
반도체장치의 실장면적을 감소시키기 위해, 반도체 칩 자체와 거의 동등한 크기의 IC패키지인 칩사이즈 패키지에 대한 개발이 종래로부터 행해지고 있다.
칩사이즈 패키지형의 반도체장치의 하나의 형태로, 표면실장형의 패키지가 있다.
이 표면실장형의 패키지에서는, 박형(薄型)의 반도체 칩이 필름상의 배선기판상에 접합되고, 이 필름상의 배선기판이 전자기기내의 실장기판상에 실장된다.
반도체 칩과 접합되는 배선기판은, 반도체 칩의 원주둘레부에 배열된 복수의 패드를 재배선하여 배선기판의 하면에 2차원 배열된 땜납볼과 접속하는 내부배선을 갖고 있다.
그러나, 상술한 것과 같은 구성에서는, 극히 박형의 반도체 칩을, 이와는 열팽창계수가 다른 배선기판에 접합한 구조이기 때문에, 환경온도의 변화에 수반하여 패키지에 휘어짐이 생긴다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 박형의 반도체 칩을 배선기판에 접합한 구조이면서 휘어짐이 생기는 것을 방지할 수 있는 반도체장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 반도체장치는, 반도체 칩과, 이 반도체 칩의 한쪽 표면측에 접합되며 상기 반도체 칩과 전기 접속된 배선기판과, 상기 반도체 칩의 다른 쪽 표면측에 접합되며 상기 배선기판과 동일한 재료로 된 휘어짐 방지기판을 포함한다.
본 발명에 의하면, 반도체 칩은, 동일재료로 된 배선기판 및 휘어짐 방지기판(예를 들면, 절연재료로 된)으로 끼고 지지되기 때문에, 예를 들면 반도체 칩이, 두께 100㎛ 정도의 박형의 것이라도, 환경온도의 변화에 의해 패키지에 휘어짐이 생길 우려가 없다.
즉, 환경온도가 변화한 때에는, 반도체 칩의 양면에 있어서, 열팽창 또는 열 수축이 균등하게 생기기 때문에, 패키지에 휘어짐이 생기는 것을 방지할 수가 있다.
상기 배선기판의 반도체 칩과는 반대측의 표면에는, 표면실장용의 외부접속부재가 배치되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 배선기판의 반도체 칩과는 반대측의 표면에, 표면실장용의 외부접속부재(땜납볼이나 랜드 등)가 설치되어 있기 때문에, 이 반도체장치를 전자기기내의 실장기판에 표면 실장시킬 수가 있다.
상기 휘어짐 방지기판은 별도의 배선기판으로서, 이 휘어짐 방지기판의 상기 반도체 칩과는 반대측에, 그 휘어짐 방지기판에 전기 접속된 별도의 반도체 칩이 접합되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 휘어짐 방지기판을 끼고 또한 별도의 반도체 칩을 적층할 수가 있기 때문에, 반도체 칩의 소위 3차원 실장이 가능하게 된다.
이에 의해, 반도체 칩의 고밀도 실장이 가능하게 되므로, 결과로서, 반도체장치의 실질적인 집적도를 향상시킬 수가 있다.
상기 배선기판과 휘어짐 방지기판 사이에, 이들을 전기 접속하기 위한 배선재가 개재 실장되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 배선기판과 휘어짐 방지기판 사이에 전기 접속용의 접속부재가 배치되기 때문에, 휘어짐 방지기판(배선기판으로서의 기능을 갖는)에 접합된 별도의 반도체 칩을, 배선기판에 전기 접속할 수가 있다.
같은 모양으로 해서, 그 별도의 반도체 칩의 상면에 배선기판과 동일한 재료 로 된 휘어짐 방지기판을 배치하여 3층 이상의 3차원 적층구조를 구성할 수도 있다.
이 경우에, 배선기판과 휘어짐 방지기판 사이 및 각층의 휘어짐 방지기판 사이에 배선재를 배치하는 것이 바람직하다.
이에 의해, 각층의 반도체 칩간 및/또는 각층의 반도체 칩과 배선기판 사이의 전기 접속을 달성할 수가 있다.
본 발명에 있어서의 상술한, 또는, 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 기술하는 실시형태의 설명에 의해 보다 명백해 질 것이다.
(실시예)
도 1은, 본 발명의 1 실시형태에 관한 반도체장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
이 반도체장치는, 박형의 반도체 칩(1)과, 이 반도체 칩(1)을 끼고 지지하도록 설치된 배선기판(2) 및 휘어짐 방지기판으로서의 절연판(3)을 포함하고, 평면으로 보아 반도체 칩(1) 자체의 크기와 거의 동등한 정도의 크기로 구성된 칩사이즈 패키지형의 장치이다.
반도체 칩(1)은, 그 활성표면을 배선기판(2)에 대향시켜 배치되어 있다.
이 반도체 칩(1)의 활성면에는, 땜납볼(4)이, 그 원주둘레에 따라 복수개 배열되어 형성되어 있다.
이 땜납볼(4)을 통해 반도체 칩(1)이 배선기판(2)과 접합되어 있고, 이에 의해, 반도체 칩(1)의 내부회로가 배선기판(2)에 전기 접속되어 있다.
배선기판(2)은, 예를 들면 필름상의 기판으로서, 반도체 칩(1)의 땜납볼(4)에 접속되는 내부배선(도시생략)을 구비하고 있다.
이 내부배선은, 배선기판(2)의 반도체 칩(1)과는 반대측의 표면에 2차원적으로 배열되어 있는 복수개의 땜납볼(5)(표면실장용 외부접속부재)에 접속되어 있다.
배선기판(2)의 내부배선은, 반도체 칩(1)의 원주둘레에 따라 배열된 땜납볼(4)을 각각 배선기판(2)의 하면에 2차원적으로 배열된 땜납볼(5)에 접속하도록 형성되어 있다.
한편, 반도체 칩(1)의 배선기판(2)과는 반대측의 표면에는, 절연판(3)이 예를 들면, 접착제에 의해 접합되어 있다.
이 절연판(3)은, 배선기판(2)을 구성하는 절연재료와 동일한 절연재료를 사용하여 제작되어 있다.
그리고, 이 절연판(3)의 두께는, 배선기판(2)의 두께와 거의 동등하게 되어 있다.
이에 의해, 반도체 칩(1)의 활성면 및 비활성면에는, 각각 동등한 열팽창계수의 판상체인 배선기판(2) 및 절연판(3)이 접합되어 있게 된다.
따라서, 환경온도가 변화한 경우에, 반도체 칩(1)의 활성면 및 비활성면에 있어서, 열팽창 또는 열수축이 동등하게 생기므로, 그 반도체장치의 사용시 또는 보관시 등에 패키지에 휘어짐이 생길 염려가 없다.
이 칩사이즈 패키지형의 반도체장치는, 배선기판(2)의 하면에 설치된 복수개의 땜납볼(5)을 전자기기에 설치된 보다 큰 실장기판(10)에 전기 접속시키므로서, 이 전자기기에 장착된다.
도 2는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 반도체장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
또한, 이 도 2에 있어서, 상기 도 1에 표시된 각부에 대응하는 부분에는, 도 1의 경우와 동일한 참조부호를 부여하여 표시한다.
이 반도체장치도, 상술한 도 1에 나타낸 제 1 실시예의 경우와 마찬가지로, 평면으로 보아 전체의 크기가 반도체 칩 자체의 크기와 거의 동등한, 소위 칩사이즈 패키지형의 것이다.
이 실시형태의 반도체장치는, 복수개의 박형반도체 칩(11, 12, 13)을 적층하여 구성되어 있다.
즉, 배선기판(2)상에 제 1의 반도체 칩(11)이 실장되어 있고, 이 반도체 칩(11)상에 배선기판(21)을 거쳐 제 2의 반도체 칩(12)이 적층되어 있고, 이 제 2의 반도체 칩(12)상에 배선기판(22)을 거쳐 제 3의 반도체 칩(13)이 적층되어 있다.
제 1의 반도체 칩(11)은, 상술한 제 1 실시형태에 있어서의 반도체 칩(1)의 경우와 마찬가지로, 그 활성면에 형성된 땜납볼(4)을 배선기판(2)에 접합시키므로서, 이 배선기판(2)을 통해 전자기기 내의 보다 큰 실장기판에 전기 접속될 수 있도록 되어 있다.
제 1의 반도체 칩(11)과 제 2의 반도체 칩(12) 사이에 개재 실장되는 배선기판(21)은, 제 1의 반도체 칩(11)에 대해서는, 그 활성면 및 비활성면의 열팽창 의 차이를 보상하는 휘어짐 방지기판으로서 기능한다.
그리고, 이 배선기판(21)은, 제 2의 반도체 칩(12)에 대해서는, 외부와의 전기 접속을 위한 배선기판으로서 기능하고 있다.
즉, 배선기판(21)은, 제 2의 반도체 칩(12)의 활성면에 형성된 복수개의 땜납볼(41)에 전기 접속되는 복수의 내부배선(도시생략)을 갖고 있다.
이 내부배선은, 배선기판(21)의 하면, 즉 제 1의 반도체 칩(11)측의 면에 설치된 층간접속부재(51)(배선재)에 접속되어 있다.
층간접속부재(51)는, 배선기판(2) 및 배선기판(21)의 각 내부배선간을 접속하도록, 제 1의 반도체 칩(11)의 주위에 복수개 배열되어 설치되어 있다.
배선기판(21)의 내부배선이 이 층간접속부재(51)에 접속되므로서, 제 2의 반도체 칩(12)은, 땜납볼(41) 및 배선기판(21)의 내부배선 및 층간접속부재(51)를 거쳐, 배선기판(2)에 전기 접속되게 된다.
층간접속부재(51)는, 배선기판(2)의 내부배선에 접속되어 있으므로, 제 2의 반도체 칩(12)과 제 1의 반도체 칩(11) 사이의 전기 접속이 가능함과 동시에, 제 2의 반도체 칩(12)과 그 반도체장치가 실장되는 전자기기내의 실장기판 사이의 전기 접속도 가능하다.
제 3의 반도체 칩(13)에 관해서도 같은 구조가 취해져 있다.
즉, 제 2의 반도체 칩(12)과 제 3의 반도체 칩(13) 사이에 개재 실장된 배선기판(22)은, 제 2의 반도체 칩(12)에 대해, 그 활성면 및 비활성면 사이의 열팽창계수의 차이를 보상하기 위한 휘어짐 방지기판으로서 기능한다.
제 3의 반도체 칩(13)의 활성면에 설치된 복수의 땜납볼(42)은, 배선기판(22)의 내부배선(도시생략)에 접속되어 있다.
이 배선기판(22)의 내부배선은, 배선기판(21, 22) 사이에 배치된 층간접속부(52)에 각각 접속되어 있다.
층간접속부(52)는, 제 2의 반도체 칩(12)의 주위에 복수개 배열되어 설치되어 있다.
이 층간접속부재(52)는, 배선기판(21)의 내부배선에 접속되어 있다.
이에 의해, 제 3의 반도체 칩(13)은, 제 1 또는 제 2의 반도체 칩(11, 12)에 전기 접속되는 외에, 그 반도체장치가 실장되는 전자기기내의 실장기판에도 전기 접속될 수 있도록 되어 있다.
제 3의 반도체 칩(13)의 상면, 즉 비활성면에는, 절연판(3)이 예를 들면 접착제에 의해 첨부되어 있다.
배선기판(2, 21, 22) 및 절연판(3)은, 어느 것이나 동일한 절연재료를 사용하여 구성되어 있고, 또한 그들의 두께가 거의 동등하게 형성되어 있다.
따라서, 제 1, 제 2 및 제 3의 반도체 칩(11, 12, 13)에 대해서는, 각 활성면 및 비활성면에 있어서의 열팽창 및 열수축이 각각 동등하게 생기기 때문에, 환경온도의 변화에 의해 어느 것인가의 반도체 칩에 휘어짐이 생기는 일이 없다.
이상, 본 발명의 두 가지 실시형태에 대해 설명했으나, 본 발명은 다른 형태로도 실시할 수가 있다.
즉, 상술한 두 가지 실시형태에서는, 최하층에 위치하는 배선기판(2)의 하면 에 땜납볼(5)을 복수개 배열한, 소위 볼그리드 어레이 형식의 반도체장치에 대해 설명했으나, 반도체장치와 전자기기 내부의 실장기판 등과의 접속은, 다른 형식의 외부단자에 의해서도 행할 수가 있다.
즉, 배선기판(2)의 하면에 땜납볼(5)을 설치하지 않고, 배선기판(2)의 내부배선에 접속된 평탄한 단자부(랜드)를 노출시켜 두는 랜드그리드 어레이 형식이 채용되어도 된다.
또, 상술한 제 2 실시형태에서는, 3개의 반도체 칩(11, 12, 13)을 적층한 예에 대해 설명했으나, 2층 구조의 반도체장치나, 4층 이상으로 반도체 칩을 적층한 구조도 같은 모양으로 실현할 수 있다.
또한, 상술한 실시형태에서는, 반도체 칩의 배선기판으로의 접합을 땜납볼로 행하도록 하고 있으나, 반도체 칩의 표면에 금 등의 내산화성 금속으로 된 돌기를 형성하여, 이것을 배선기판의 표면에 형성한 금도금부 등에 접합하도록 하여, 반도체 칩을 배선기판에 접합해도 된다.
본 발명의 실시형태에 대해 상세히 설명해 왔으나, 이는 본 발명의 기술적 내용을 명백히 하기 위해 이용된 구체예에 불과하며, 본 발명은 이들 구체예에 한정해서 해석될 것이 아니라, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부하는 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
본 발명은 박형의 반도체 칩을 배선기판에 접합한 구조이면서 휘어짐이 생기는 것을 방지할 수 있는 반도체장치를 제공한다.

Claims (5)

  1. 제 1 반도체 칩 표면 및 상기 제 1 반도체 칩 표면의 맞은편에 배치되어 반도체 칩 표면 영역을 정의하는 제 2 반도체 칩 표면으로 이루어진 반도체 칩;
    상기 제 1 반도체 칩 표면에서 상기 반도체 칩에 전기적으로 접속되고, 배선 기판 두께를 갖는 배선 기판; 및
    휘어짐 방지 기판 표면 영역을 정의하는 휘어짐 방지 기판 표면 및 휘어짐 방지 기판 두께를 갖는 휘어짐 방지 기판을 구비하며,
    상기 휘어짐 방지 기판 표면과 상기 제 2 반도체 칩 표면은 마주보는 배열로 상호 접속되어서 상기 휘어짐 방지 기판 표면의 상기 휘어짐 방지 기판 표면 영역이 상기 반도체 칩의 상기 반도체 칩 표면 영역을 덮고,
    상기 휘어짐 방지 기판 두께는 상기 배선 기판 두께와 실질적으로 동일하고, 상기 휘어짐 방지 기판과 상기 배선 기판은 동일한 재료로 제작되며,
    상기 휘어짐 방지 기판은 상기 배선 기판의 열 팽창 계수와 본질적으로 동일한 열 팽창 계수를 가지고,
    상기 반도체 칩은 상기 휘어짐 방지 기판 및 상기 배선 기판의 열 팽창 계수와 상이한 열 팽창 계수를 가지며,
    상기 휘어짐 방지 기판과 상기 배선 기판은 어떠한 열 팽창과 열 수축이라도 상기 제 1 반도체 칩 표면과 제 2 반도체 칩 표면 양자상에서 본질적으로 동일하게 집합적으로 유발함으로써 주변 온도가 변화하는 동안 상기 반도체 칩의 휘어짐을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
KR1020010014980A 2000-03-28 2001-03-22 반도체장치 KR100830787B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000089164A JP2001274196A (ja) 2000-03-28 2000-03-28 半導体装置
JP2000-89164 2000-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010093681A KR20010093681A (ko) 2001-10-29
KR100830787B1 true KR100830787B1 (ko) 2008-05-20

Family

ID=18604951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010014980A KR100830787B1 (ko) 2000-03-28 2001-03-22 반도체장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6777787B2 (ko)
JP (1) JP2001274196A (ko)
KR (1) KR100830787B1 (ko)
TW (1) TW501239B (ko)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003019654A1 (en) * 2001-08-22 2003-03-06 Tessera, Inc. Stacked chip assembly with stiffening layer
TWI226110B (en) * 2004-03-17 2005-01-01 Cyntec Co Ltd Package with stacked substrates
EP1775768A1 (en) * 2004-06-04 2007-04-18 ZyCube Co., Ltd. Semiconductor device having three-dimensional stack structure and method for manufacturing the same
US7906363B2 (en) 2004-08-20 2011-03-15 Zycube Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device having three-dimensional stacked structure
US8525314B2 (en) 2004-11-03 2013-09-03 Tessera, Inc. Stacked packaging improvements
US7829989B2 (en) * 2005-09-07 2010-11-09 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. Vertical packaged IC device modules with interconnected 3D laminates directly contacts wafer backside
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US8114707B2 (en) * 2010-03-25 2012-02-14 International Business Machines Corporation Method of forming a multi-chip stacked structure including a thin interposer chip having a face-to-back bonding with another chip
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
JP2011044755A (ja) * 2010-12-03 2011-03-03 Rohm Co Ltd 半導体装置
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
JP6008582B2 (ja) * 2012-05-28 2016-10-19 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ、放熱板及びその製造方法
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
KR101443972B1 (ko) * 2012-10-31 2014-09-23 삼성전기주식회사 일체형 전력 반도체 모듈
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
TWI518878B (zh) * 2012-12-18 2016-01-21 Murata Manufacturing Co Laminated type electronic device and manufacturing method thereof
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9082753B2 (en) 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US10043779B2 (en) 2015-11-17 2018-08-07 Invensas Corporation Packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
WO2019181589A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2019181590A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021106341A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06216194A (ja) * 1993-01-12 1994-08-05 Sony Corp 半導体チップの実装構造
JPH07106509A (ja) * 1993-09-29 1995-04-21 Nitto Denko Corp 多層構造半導体装置
KR19990067780A (ko) * 1998-01-07 1999-08-25 가네꼬 히사시 반도체장치의 어셈블리방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952725A (en) * 1996-02-20 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor devices
EP0824301A3 (en) * 1996-08-09 1999-08-11 Hitachi, Ltd. Printed circuit board, IC card, and manufacturing method thereof
KR100260997B1 (ko) * 1998-04-08 2000-07-01 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
JP2000223645A (ja) * 1999-02-01 2000-08-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06216194A (ja) * 1993-01-12 1994-08-05 Sony Corp 半導体チップの実装構造
JPH07106509A (ja) * 1993-09-29 1995-04-21 Nitto Denko Corp 多層構造半導体装置
KR19990067780A (ko) * 1998-01-07 1999-08-25 가네꼬 히사시 반도체장치의 어셈블리방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010093681A (ko) 2001-10-29
US20020008318A1 (en) 2002-01-24
JP2001274196A (ja) 2001-10-05
US6777787B2 (en) 2004-08-17
TW501239B (en) 2002-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100830787B1 (ko) 반도체장치
KR100817073B1 (ko) 휨방지용 보강부재가 기판에 연결된 반도체 칩 스택 패키지
JP5222509B2 (ja) 半導体装置
JP2570498B2 (ja) 集積回路チップ・キャリア
US6501157B1 (en) Substrate for accepting wire bonded or flip-chip components
KR100546374B1 (ko) 센터 패드를 갖는 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
US7763964B2 (en) Semiconductor device and semiconductor module using the same
KR100497997B1 (ko) 반도체 모듈
US7473993B2 (en) Semiconductor stack package and memory module with improved heat dissipation
US20060055018A1 (en) Semiconductor device
KR100631922B1 (ko) 개선된 열 확산 성능을 갖는 다층 회로 보오드 및 그에따른 제조방법
WO2012145480A1 (en) Reinforced fan-out wafer-level package
US8302277B2 (en) Module and manufacturing method thereof
JP4545917B2 (ja) 電子回路モジュールの薄型相互接続構造及び接続方法
US7663248B2 (en) Flip-chip component
US7902664B2 (en) Semiconductor package having passive component and semiconductor memory module including the same
JPH0529537A (ja) 半導体モジユール構造
KR100546359B1 (ko) 동일 평면상에 횡 배치된 기능부 및 실장부를 구비하는 반도체 칩 패키지 및 그 적층 모듈
KR100498470B1 (ko) 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR100400826B1 (ko) 반도체패키지
US11140772B2 (en) Printed circuit board including warpage offset regions and semiconductor packages including the same
JP2011044755A (ja) 半導体装置
JP2007318182A (ja) 半導体装置
JP4395003B2 (ja) 積層型半導体装置
JP2006135044A (ja) 半導体パッケージ用基板およびそれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120423

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee