KR100830352B1

KR100830352B1 - Probe tip, probe card, method of manufacturing the probe tip and method of manufacturing a probe structure

Info

Publication number: KR100830352B1
Application number: KR1020060131664A
Authority: KR
Inventors: 최우창
Original assignee: 주식회사 파이컴
Priority date: 2006-12-21
Filing date: 2006-12-21
Publication date: 2008-05-19
Also published as: WO2008075918A1; TW200827728A; TWI365986B

Abstract

A probe tip, a probe card, a probe tip manufacturing method, and a probe structure manufacturing method are provided to use the probe tip for the general metal pad as well as a ball type electric pad by forming an extended part absorbing force applied to the probe card and to cope with pine pitches of a semiconductor device by vertically attaching the probe tip to the probe card at high density. A probe tip(100) consists of a pillar-shaped body unit(130); a plurality of extended parts(120) connected to the lower side of the body unit to be symmetrical to each other and extended downward in a vertical direction; and a plurality of inclined parts(110) formed at the ends of the extended parts, respectively and inclined inward. The extended parts are arranged in zigzag or aligned with facing each other. The extended parts are connected with the whole or a portion of the upside of the inclined part.

Description

Probe tip, probe card, method of manufacturing the probe tip and method of manufacturing a probe structure}

도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 프로브 팁을 설명하기 위한 도면들이다.1 to 4 are diagrams for explaining a probe tip according to embodiments of the present invention.

도 5 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 프로브 팁을 설명하기 위한 도면들이다.5 to 8 are diagrams for explaining a probe tip according to other embodiments of the present invention.

도 9 내지 도 12는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 프로브 팁을 설명하기 위한 도면들이다.9 to 12 are diagrams for explaining a probe tip according to another embodiment of the present invention.

도 13 내지 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 프로브 팁을 설명하기 위한 도면들이다.13 to 16 are diagrams for explaining a probe tip according to another embodiment of the present invention.

도 17은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 프로브 카드를 설명하기 위한 단면도이다.17 is a cross-sectional view illustrating a probe card according to still another embodiment of the present invention.

도 18 내지 도 31은 도 1 내지 도 4의 프로브 팁을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.18 to 31 are diagrams for describing a method of manufacturing the probe tip of FIGS. 1 to 4.

도 32 및 도 33은 프로브 팁 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.32 and 33 are diagrams for describing a method of manufacturing the probe tip structure.

도 34 및 도 35는 도 5 내지 도 8의 프로브 팁을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.34 and 35 are diagrams for describing a method of manufacturing the probe tip of FIGS. 5 to 8.

도 36 및 도 37은 도 9 내지 도 12의 프로브 팁을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.36 and 37 are diagrams for describing a method of manufacturing the probe tip of FIGS. 9 to 12.

도 38 내지 도 41은 도 13 내지 도 16의 프로브 팁을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.38 to 41 are diagrams for describing a method of manufacturing the probe tip of FIGS. 13 to 16.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 프로브 팁 110 : 경사부100: probe tip 110: inclined portion

120 : 연장부 130 : 몸체부120: extension 130: body

101 : 희생 기판 102 : 마스크 패턴101: sacrificial substrate 102: mask pattern

103 : 제1 포토레지스트 패턴 104 : 트렌치103: first photoresist pattern 104: trench

105 : 하부 포토레지스트 패턴 106 : 상부 포토레지스트 패턴105: lower photoresist pattern 106: upper photoresist pattern

107 : 제2 포토레지스트 패턴 110 : 경사부107: second photoresist pattern 110: inclined portion

111 : 제3 포토레지스트 패턴 112 : 개구111: third photoresist pattern 112: opening

120 : 연장부 121 : 제4 포토레지스트 패턴120 extension 121 fourth photoresist pattern

130 : 몸체부 140 : 프로브 헤드130: body 140: probe head

150 : 범프 160 : 솔더150: bump 160: solder

190 : 프로브 팁 구조물190: Probe Tip Structure

본 발명은 프로브 팁 및 프로브 팁 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 프로브의 단부에 구비되며 반도체 장치의 전극 패드와 접촉하는 프로브 팁 및 프로브 팁 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a probe tip and a method for manufacturing a probe tip, and more particularly, to a probe tip and a probe tip manufacturing method provided at the end of the probe and in contact with the electrode pad of the semiconductor device.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 웨이퍼으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a Fab process for forming an electrical circuit including electrical elements on a silicon wafer used as a semiconductor wafer, and an EDS (electrical) for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process. die sorting) and a package assembly process for encapsulating and individualizing the semiconductor devices with an epoxy resin.

상기 EDS 공정은 상기 반도체 장치의 전극패드와 접촉한 프로브 카드의 프로브 팁을 통해 테스트장치가 전기신호를 인가한 후, 이에 대응하는 전기신호를 다시 테스트장치가 수신함으로써 상기 반도체 장치의 이상 유무를 테스트한다.In the EDS process, after the test device applies an electrical signal through a probe tip of a probe card in contact with an electrode pad of the semiconductor device, the test device receives an electrical signal corresponding thereto to test whether the semiconductor device is abnormal. do.

한국등록특허 제0463308호에는 수직형 전기적 프로브 팁 및 이의 제조 방벙에 대한 일실시예가 개시되어 있다. 상기 수직형 전기적 프로브 팁은 기둥형상의 본체부 저면에 복수의 뿔형상의 팁을 구비한다. 따라서, 상기 프로브 팁은 반도체 장치의 볼타입 전극패드와 용이하게 접촉할 수 있다. Korean Patent No. 0463308 discloses an embodiment of a vertical electrical probe tip and a manufacturing method thereof. The vertical electrical probe tip has a plurality of horn-shaped tips on the bottom of the columnar body. Therefore, the probe tip may easily contact the ball type electrode pad of the semiconductor device.

상기 프로브 팁은 프로브 카드에 가해지는 힘을 흡수할 수 있는 탄성부가 없다. 상기 프로브 팁이 상기 반도체 장치를 손상시킬 수 있으므로 상기 프로브 팁을 볼타입 전극 패드가 아닌 일반적인 전극 패드에 사용할 수 없다. 또한, 상기 프로브 팁의 제조시 실리콘 기판 상에 저면이 라운딩된 다수의 트렌치를 형성하지만, 기술적 한계로 인하여 상기 트렌치들을 균일한 깊이로 형성하기 어렵다. 따라서, 상기 프로브 팁들의 길이가 불균일하다.The probe tip has no elastic portion that can absorb the force applied to the probe card. Since the probe tip may damage the semiconductor device, the probe tip may not be used for a general electrode pad other than a ball type electrode pad. In addition, in the manufacture of the probe tip, a plurality of rounded bottoms are formed on the silicon substrate, but due to technical limitations, it is difficult to form the trenches at a uniform depth. Thus, the probe tips are non-uniform in length.

본 발명의 실시예들은 다양한 전극 패드에 적용할 수 있으며 동일한 길이를 갖는 프로브 팁을 제공한다. Embodiments of the present invention are applicable to various electrode pads and provide probe tips having the same length.

본 발명의 실시예들은 상기 프로브 팁을 구비하는 프로브 카드를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a probe card having the probe tip.

본 발명의 실시예들은 다양한 전극 패드에 적용할 수 있으며 동일한 길이를 갖는 프로브 팁의 제조 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention are applicable to various electrode pads and provide a method of manufacturing a probe tip having the same length.

본 발명의 실시예들은 상기 프로브 팁을 구비하는 프로브 팁 구조물의 제조 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a method of manufacturing a probe tip structure having the probe tip.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 프로브 팁은 기둥 형태의 몸체부와, 상기 몸체부의 하부면에 서로 대칭되도록 연결되며, 수직 하방으로 연장되는 다수의 연장부 및 상기 연장부들의 단부에 각각 구비되며, 내측을 향해 하방으로 경사진 다수의 경사부를 포함한다. In order to achieve the object of the present invention, the probe tip according to the present invention is symmetrically connected to each other in a pillar-shaped body portion, the lower surface of the body portion, a plurality of extensions extending vertically downward and the ends of the extensions It is provided in each, and includes a plurality of inclined portion inclined downward toward the inside.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 연장부들은 지그 재그 형태로 배치될 수 있다. According to one embodiment of the invention, the extensions may be arranged in a zigzag form.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 연장부들은 서로 마주 보는 형태로 배치될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the extensions may be arranged to face each other.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 연장부는 상기 경사부의 상부면 전체 와 연결될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the extension may be connected to the entire upper surface of the inclined portion.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 연장부는 상기 경사부의 상부면 일부와 연결될 수 있다. 상기 상부면 일부는 상기 상부면 중 상부일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the extension may be connected to a portion of the upper surface of the inclined portion. A portion of the upper surface may be an upper portion of the upper surface.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 프로브 카드는 다층 회로와 연결된 관통홀이 형성된 인쇄회로기판과, 상기 관통홀에 삽입되어 하방으로 돌출된 탄성 재질의 전기적 접속핀과, 상기 돌출된 접속핀과 연결된 프로브 헤드 및 상기 프로브 헤드의 하부에 수직으로 부착된 몸체부, 상기 몸체부의 하부면에 서로 대칭되도록 연결되며 하방으로 연장되는 다수의 연장부 및 상기 연장부들의 단부에 각각 구비되며 내측을 향해 하방으로 경사진 다수의 경사부를 갖는다. In order to achieve the object of the present invention, a probe card according to the present invention includes a printed circuit board having a through hole connected to a multilayer circuit, an electrical connection pin of an elastic material inserted into the through hole and projecting downward, and the protruding portion. A probe head connected to the connecting pin and a body part vertically attached to the lower part of the probe head, a plurality of extensions connected downwardly and symmetrically connected to the lower surface of the body part, and provided at ends of the extension parts, respectively, It has a plurality of inclined portions inclined downward toward the surface.

이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 상기 프로브 팁은 프로브 카드에 가해지는 힘을 흡수하는 연장부를 가지므로, 볼타입의 전기 패드 뿐만 아니라 일반 금속 패드에서도 사용할 수 있다. 또한, 상기 프로브 팁은 상기 프로브 카드에 고밀도로 수직 부착되어 반도체 장치의 파인 피치(pine pitch)에 대응할 수 있다 .According to the present invention configured as described above, since the probe tip has an extension portion for absorbing the force applied to the probe card, the probe tip can be used not only for the ball type electric pad but also for general metal pad. In addition, the probe tip may be vertically attached to the probe card at a high density to correspond to a fine pitch of the semiconductor device.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 프로브 팁 제조 방법은, 희생 기판의 상부면에 스트라이프 형태를 가지며, 양측면이 경사진 다수의 트렌치를 형성한다. 각 트렌치의 양측면에 일정 간격 이격되어 배치되는 다수의 경사부를 형성한다. 상기 희생 기판의 하부면에 상기 경사부들의 하부면을 노출시키는 개구들을 형성한다. 상기 개구들을 매립하여 상기 경사부들과 각각 연결되는 다수의 연장부를 형성한다. 상기 희생 기판의 하부면에 서로 인접하면서 서로 다른 트렌치의 하부에 위치하는 연장부들과 연결되는 몸체부를 형성한다. 상기 희생 기판 을 제거하여 상기 프로브 팁을 완성한다. In order to achieve the object of the present invention, the probe tip manufacturing method according to the present invention has a stripe shape on the top surface of the sacrificial substrate, and forms a plurality of trenches in which both sides are inclined. A plurality of inclined portions are formed on both sides of each trench to be spaced apart at regular intervals. Openings are formed in the lower surface of the sacrificial substrate to expose the lower surfaces of the inclined portions. The openings are filled to form a plurality of extensions each connected to the inclined portions. Body parts are connected to lower surfaces of the sacrificial substrates and connected to extension parts positioned under lower trenches. Remove the sacrificial substrate to complete the probe tip.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 경사부들은 지그 재그 형태를 갖도록 형성될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the inclined portions may be formed to have a zigzag shape.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 경사부들은 서로 마주 보는 형태를 갖도록 형성될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the inclined portions may be formed to have a form facing each other.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 개구들은 각각 상기 경사부들의 하부면 전체를 노출시키도록 형성될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, each of the openings may be formed to expose the entire lower surface of the inclined portions.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 개구들은 상기 경사부들의 하부면 일부를 노출시키도록 형성될 수 있다. 상기 하부면 일부는 상기 트렌치의 저면과 인접한 부위일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the openings may be formed to expose a portion of the lower surface of the inclined portions. A portion of the lower surface may be a portion adjacent to the bottom of the trench.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 트렌치는 상기 희생 기판의 상부면에 스트라이프 형태의 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 상기 희생 기판을 습식 식각한 후, 상기 마스크 패턴을 제거하여 형성될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the trench forms a stripe-shaped mask pattern on the upper surface of the sacrificial substrate, wet etching the sacrificial substrate using the mask pattern as an etch mask, and then removing the mask pattern Can be formed.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 경사부들은 상기 트렌치들이 형성된 기판의 표면에 시드막을 형성하고, 각 트렌치의 양측면에 일정 간격 이격되도록 상기 시드막을 노출시키는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 노출된 시드막을 전기 도금하여 경사부들을 형성하고, 상기 경사부들이 상기 희생 기판의 상부면과 평행하도록 상기 경사부들을 평탄화하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하고, 노출된 시드막을 제거하여 형성될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the inclined portions form a seed film on the surface of the substrate on which the trenches are formed, and form a first photoresist pattern exposing the seed film to be spaced apart at regular intervals on both sides of each trench, Forming the inclined portions by electroplating the exposed seed film, planarizing the inclined portions so that the inclined portions are parallel to the upper surface of the sacrificial substrate, removing the first photoresist pattern, and removing the exposed seed film. Can be.

상기 시드막은 상기 희생 기판 상에 접착을 위한 제1 금속막을 형성하고, 상 기 제1 금속막 상에 시드로 작용하는 제2 금속막을 형성함으로써 형성된다.The seed film is formed by forming a first metal film for adhesion on the sacrificial substrate and forming a second metal film serving as a seed on the first metal film.

상기 개구들은 상기 경사부의 위치와 대응하는 상기 희생 기판의 하부면을 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 시드막이 노출될 때까지 상기 희생 기판을 건식 식각하여 형성한다. The openings form a second photoresist pattern exposing a lower surface of the sacrificial substrate corresponding to the position of the inclined portion, and the sacrificial substrate is exposed until the seed layer is exposed using the second photoresist pattern as an etch mask. Form by dry etching.

상기 연장부들을 상기 개구에 의해 노출된 시드막 중 상기 제1 금속막을 제거하고, 상기 제2 금속막을 시드로 전기도금한 후, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하여 형성될 수 있다. The extension portions may be formed by removing the first metal layer from the seed layer exposed by the opening, electroplating the second metal layer with a seed, and then removing the second photoresist pattern.

상기 제1 포토레지스트 패턴은 상기 시드막 상에 하부 포토레지스트막을 형성하고, 상기 하부 포토레지스트 상에 상부 포토레지스트막을 형성하고, 상기 상부 및 하부 포토레지스트막들을 노광하고, 노광된 상부 포토레지스트막을 현상한 후, 노광된 하부 포토레지스트막을 현상하여 형성될 수 있다. 상기 하부 포토레지스트막은 포토레지스트를 분사하여 형성하며, 상기 상부 포토레지스트막은 포토레지스트 필름을 부착하여 형성할 수 있다. The first photoresist pattern may include forming a lower photoresist layer on the seed layer, forming an upper photoresist layer on the lower photoresist, exposing the upper and lower photoresist layers, and developing the exposed upper photoresist layer. Then, the exposed lower photoresist film may be developed by developing. The lower photoresist film may be formed by spraying a photoresist, and the upper photoresist film may be formed by attaching a photoresist film.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 몸체부는 상기 희생 기판의 하부면 및 상기 연장부들 상에 시드막을 형성하고, 상기 희생 기판의 하부면에 서로 인접하며 다른 트렌치의 하부에 위치하는 연장부를 노출하는 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 시드막을 전기 도금하여 상기 몸체부를 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 노출된 시드막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the body portion forms a seed film on the lower surface of the sacrificial substrate and the extension portions, and exposes the extension portions adjacent to the lower surface of the sacrificial substrate and located below the other trenches. The method may include forming a photoresist pattern, electroplating the seed film exposed by the photoresist pattern to form the body portion, and removing the photoresist pattern and the exposed seed film.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 프로브 헤드 구조물 제조 방법은 희생 기판의 상부면에 스트라이프 형태를 가지며, 양측면이 경사진 다수의 트렌치를 형성한다. 각 트렌치의 양측면에 일정 간격 이격되어 배치되는 다수의 경사부를 형성한다. 상기 희생 기판의 하부면에 상기 경사부들의 하부면을 노출시키는 개구들을 형성한다. 상기 개구들을 매립하여 상기 경사부들과 각각 연결되는 다수의 연장부를 형성한다. 상기 희생 기판의 하부면에 서로 인접하면서 서로 다른 트렌치의 하부에 위치하는 연장부들과 연결되는 다수의 몸체부를 형성한다. 프로브 헤드에 다수의 범프를 형성한다. 상기 범프들과 상기 몸체부들을 본딩한 후, 상기 희생 기판을 제거한다. In order to achieve the object of the present invention, the probe head structure manufacturing method according to the present invention has a stripe shape on the top surface of the sacrificial substrate, and forms a plurality of trenches in which both sides are inclined. A plurality of inclined portions are formed on both sides of each trench to be spaced apart at regular intervals. Openings are formed in the lower surface of the sacrificial substrate to expose the lower surfaces of the inclined portions. The openings are filled to form a plurality of extensions each connected to the inclined portions. A plurality of body parts are formed on the bottom surface of the sacrificial substrate and connected to the extension parts positioned below the different trenches. Multiple bumps are formed in the probe head. After bonding the bumps and the body portions, the sacrificial substrate is removed.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 프로브 헤드의 하부면에 시드막을 형성하고, 상기 몸체부들과 대응하는 부분의 상기 시드막을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 노출된 시드막을 전기 도금하여 상기 범프들을 형성하고, 상기 범프들이 상기 프로브 헤드의 하부면과 평행하도록 상기 범프들을 평탄화한다. 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 노출된 시드막을 제거하여 상기 범프들을 형성한다.According to an embodiment of the present invention, a seed film is formed on a lower surface of the probe head, and a photoresist pattern exposing the seed film of a portion corresponding to the body parts is formed. The exposed seed layer is electroplated to form the bumps, and the bumps are planarized so that the bumps are parallel to the bottom surface of the probe head. After removing the photoresist pattern, the exposed seed layer is removed to form the bumps.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 범프들을 미리 형성하여 마련한 후, 상기 프로브 헤드의 하부면에 상기 범프들을 본딩하여 상기 범프들을 형성한다.According to another embodiment of the present invention, after forming the bumps in advance, the bumps are formed by bonding the bumps to a lower surface of the probe head.

이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 상기 경사부를 식각 정지층으로 사용할 수 있다. 따라서, 상기 희생 기판의 면적이 넓더라도 상기 연장부들이 일정한 길이를 갖도록 형성할 수 있다. 그리고, 상기 프로브 팁을 프로브 헤드에 일괄적으로 수직 본딩할 수 있다.According to the present invention configured as described above, the inclined portion can be used as an etch stop layer. Therefore, even if the area of the sacrificial substrate is large, the extension parts may be formed to have a constant length. In addition, the probe tip may be vertically bonded to the probe head collectively.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 프로브 팁, 프로브 카드, 프로브 팁 제조 방법 및 프로브 팁 구조물 제조 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a probe tip, a probe card, a probe tip manufacturing method, and a probe tip structure manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또 는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other It should be understood that it does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of features or numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 팁을 설명하기 위한 도면들이다.1 to 4 are diagrams for explaining a probe tip according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 프로브 팁(100)은 경사부(110), 연장부(120) 및 몸체부(130)를 포함한다.1 to 4, the probe tip 100 includes a slope 110, an extension 120, and a body 130.

상기 몸체부(130)는 사각기둥 형태를 가지며, 상부면이 프로브 카드의 프로브 헤드(미도시)에 부착된다. The body 130 has a rectangular pillar shape, and an upper surface is attached to the probe head (not shown) of the probe card.

한편, 상기 몸체부(130)는 사각 기둥을 제외한 다각 기둥 및 원기둥 형태를 가질 수 있다. On the other hand, the body portion 130 may have a polygonal pillar and a cylindrical shape except for the square pillar.

상기 연장부(120)는 두 개가 구비되며, 각각 하부면은 경사지며 상부면은 평행한 사각 기둥 형태를 갖는다. 상기 연장부(120)들은 상부면이 상기 몸체부(130)의 하부면에 연결된다. 상기 경사부(110)들은 상기 몸체부(130)의 하부면에서 대각 선 방향의 모서리 부위에 각각 위치한다. 또한, 상기 경사부(110)들은 상기 하부면이 내측 하방을 향해 경사지도록 위치한다. The extension part 120 is provided with two pieces, each of which has an inclined bottom surface and an upper surface having a parallel rectangular pillar shape. The extension part 120 has an upper surface connected to a lower surface of the body part 130. The inclined portions 110 are located at corner portions in the diagonal direction from the lower surface of the body portion 130, respectively. In addition, the inclined portions 110 are positioned such that the lower surface is inclined toward the inner side downward.

한편, 상기 연장부(120)는 삼각 기둥, 사다리꼴 기둥 등의 형태를 가질 수도 있다.On the other hand, the extension portion 120 may have a form such as a triangular pillar, trapezoidal pillar.

상기 경사부(110)는 두 개가 구비되며, 각각 일정한 두께를 갖는 대략 사각 패턴이다. 상기 경사부(110)들의 상부면은 상기 연장부(120)들의 하부면과 각각 동일한 면적을 갖는다. 상기 경사부(110)들은 각각 상기 연장부(120)의 하부면에 연결된다. 따라서, 상기 연장부(120)들은 상기 경사부(110)의 상부면 전체와 연결된다. 그리고, 상기 경사부(110)들의 하단부는 뾰족한 형상을 갖는다. 따라서, 상기 경사부(110)들은 반도체 장치의 전극 패드와 용이하게 접촉할 수 있다.The inclined portion 110 is provided with two, each is a substantially rectangular pattern having a predetermined thickness. Upper surfaces of the inclination parts 110 have the same area as lower surfaces of the extension parts 120, respectively. The inclined portions 110 are respectively connected to the lower surface of the extension portion 120. Therefore, the extension parts 120 are connected to the entire upper surface of the inclination part 110. The lower ends of the inclination parts 110 have a pointed shape. Therefore, the inclination parts 110 may easily contact the electrode pads of the semiconductor device.

상기 연장부(120)가 삼각 기둥, 사다리꼴 기둥 형태인 경우, 상기 경사부(110)들은 상기 연장부(120)들의 형태에 대응하여 삼각 패턴, 사다리꼴 패턴 형태를 갖는다. When the extension part 120 is in the form of a triangular pillar or a trapezoidal pillar, the inclined portions 110 may have a triangular pattern or a trapezoidal pattern in correspondence with the shapes of the extension portions 120.

상기 경사부(110)들, 상기 연장부(120)들 및 상기 몸체부(130)는 각각 금속을 포함한다. 상기 금속의 예로는 니켈, 코발트, 텅스텐, 니켈 코발트 합금 등을 들 수 있다.The inclination parts 110, the extension parts 120, and the body part 130 each include a metal. Examples of the metal include nickel, cobalt, tungsten, nickel cobalt alloy and the like.

한편, 상기 경사부(110) 및 상기 연장부(120)가 각각 세 개 이상 구비되는 경우, 상기 경사부(110) 및 상기 연장부(120)의 결합 구조물은 상기 몸체부(130)의 하부면에 지그 재그 형태로 배치된다.On the other hand, when the inclination portion 110 and the extension portion 120 is provided with three or more, respectively, the coupling structure of the inclination portion 110 and the extension portion 120 is the lower surface of the body portion 130 It is arranged in a zigzag form.

상기 프로브 팁(100)이 상기 반도체 장치의 전극 패드에 접촉하여 힘이 가해 질 때, 상기 연장부(120)는 상기 패드와 접촉하는 상기 경사부(110)와 힘의 중심이 일치하지 않아 휘어진다. 이때, 상기 경사부(110)는 상기 패드의 표면에 존재하는 자연 산화막을 긁어 상기 패드와 안정적으로 접촉한다. 또한, 상기 경사부(110)는 상기 패드에 스크럽(scrub) 마크를 형성한다. When a force is applied when the probe tip 100 contacts the electrode pad of the semiconductor device, the extension part 120 is bent because the center of the force does not coincide with the inclination part 110 in contact with the pad. . In this case, the inclined portion 110 contacts the pad stably by scratching the natural oxide film existing on the surface of the pad. In addition, the inclined portion 110 forms a scrub mark on the pad.

상기와 같이, 상기 프로브 팁(100)은 프로브 카드에 가해지는 힘을 연장부(120)가 흡수하므로, 볼타입의 패드 뿐만 아니라 일반 타입의 패드에도 사용할 수 있다. 또한, 상기 프로브 팁(100)은 상기 프로브 카드에 고밀도로 수직 부착되어 반도체 장치의 파인 피치(pine pitch)에 대응할 수 있다 .As described above, since the extension portion 120 absorbs the force applied to the probe card, the probe tip 100 may be used not only for the ball type pad but also for the general type pad. In addition, the probe tip 100 may be vertically attached to the probe card at a high density to correspond to a fine pitch of the semiconductor device.

도 5 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 팁을 설명하기 위한 도면들이다.5 to 8 are diagrams for explaining a probe tip according to another embodiment of the present invention.

도 5 내지 도 8을 참조하면, 프로브 팁(200)은 경사부(210), 연장부(220) 및 몸체부(230)를 포함한다.5 to 8, the probe tip 200 includes an inclined portion 210, an extension 220, and a body 230.

상기 연장부(220)의 배치를 제외하고는 상기 프로브 팁(200)에 대한 설명은 도 1 내지 도 4의 프로브 팁(100)에 대한 설명과 동일하다.Except for the arrangement of the extension 220, the description of the probe tip 200 is the same as the description of the probe tip 100 of FIGS. 1 to 4.

두 개의 연장부(220)들은 상기 몸체부(230)의 하부면에서 양측 중앙에 서로 마주보도록 위치한다. 또한, 상기 경사부(210)들은 상기 하부면이 내측 하방을 향해 경사지도록 위치한다. The two extension parts 220 are positioned to face each other at both centers of the lower surface of the body part 230. In addition, the inclined portions 210 are positioned such that the lower surface is inclined downward.

도 9 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 팁을 설명하기 위한 도면들이다.9 to 12 are diagrams for explaining the probe tip according to another embodiment of the present invention.

도 9 내지 도 12를 참조하면, 프로브 팁(300)은 경사부(310), 연장부(320) 및 몸체부(330)를 포함한다.9 to 12, the probe tip 300 includes a slope 310, an extension 320, and a body 330.

상기 연장부(320)와 경사부(310)의 연결 관계를 제외하고는 상기 프로브 팁(300)에 대한 설명은 도 1 내지 도 4의 프로브 팁(100)에 대한 설명과 동일하다.Except for the connection between the extension part 320 and the inclination part 310, the description of the probe tip 300 is the same as the description of the probe tip 100 of FIGS. 1 to 4.

상기 경사부(310)들의 상부면은 상기 연장부(320)들의 하부면보다 넓은 면적을 갖는다. 따라서, 상기 연장부(320)들은 상기 경사부(310)의 상부면 일부와 연결된다. 특히, 상기 연장부(320)들은 상기 경사부(310)의 상부면 중 상부와 연결된다.The upper surface of the inclined portions 310 has a larger area than the lower surface of the extension portions 320. Thus, the extension parts 320 are connected to a portion of the upper surface of the inclination part 310. In particular, the extension parts 320 are connected to the upper part of the upper surface of the inclined part 310.

도 13 내지 도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 팁을 설명하기 위한 도면들이다.13 to 16 are diagrams for explaining a probe tip according to another embodiment of the present invention.

도 13 내지 도 16을 참조하면, 프로브 팁(400)은 경사부(410), 연장부(420) 및 몸체부(430)를 포함한다.13 to 16, the probe tip 400 includes a slope 410, an extension 420, and a body 430.

상기 연장부(420)의 배치 및 상기 연장부(420)와 경사부(410)의 연결 관계를 제외하고는 상기 프로브 팁(400)에 대한 설명은 도 1 내지 도 4의 프로브 팁(100)에 대한 설명과 동일하다.Except for the arrangement of the extension part 420 and the connection relationship between the extension part 420 and the inclined part 410, a description of the probe tip 400 is provided in the probe tip 100 of FIGS. 1 to 4. Same as the description.

두 개의 연장부(420)들은 상기 몸체부(430)의 하부면에서 양측 중앙에 서로 마주보도록 위치한다. 또한, 상기 경사부(410)들은 상기 하부면이 내측 하방을 향해 경사지도록 위치한다. The two extension parts 420 are positioned to face each other at both centers of the lower surface of the body part 430. In addition, the inclined portions 410 are positioned such that the lower surface is inclined downward.

상기 경사부(410)들의 상부면은 상기 연장부(420)들의 하부면보다 넓은 면적을 갖는다. 따라서, 상기 연장부(420)들은 상기 경사부(410)의 상부면 일부와 연결된다. 특히, 상기 연장부(420)들은 상기 경사부(410)의 상부면 중 상부와 연결된 다.The upper surface of the inclined portions 410 has a larger area than the lower surface of the extension portions 420. Therefore, the extension parts 420 are connected to a portion of the upper surface of the inclined part 410. In particular, the extension parts 420 are connected to the upper part of the upper surface of the inclined part 410.

도 17을 참조하면, 프로브 카드(500)는 접속체(510), 인쇄회로기판(520), 프로브 헤드(532) 및 프로브 팁(534)을 포함한다. Referring to FIG. 17, the probe card 500 includes a connector 510, a printed circuit board 520, a probe head 532, and a probe tip 534.

상기 프로브 카드(500)는 내부회로와 연결된 복수의 접속홀이 형성된 인쇄회로기판(520)과 검사대상체와 직접 접촉하는 복수의 프로브 팁(Probe tip : 534)이 하면에 부착된 프로브 헤드(532)가 접속체(510)를 매개로 전기적으로 연결된다. 상기 접속체(510)는 탄성 재질로 이루어지므로, 상기 인쇄회로기판(520)과 상기 프로브 헤드(532) 사이의 간격을 조절한다. 제1 보강판(522), 제2 보강판(526), 제3 보강판(528), 판스프링(530) 및 볼트(524, 536, 538) 등에 의해서 상기 인쇄회로기판(520) 및 프로브 헤드(532)가 고정된다. The probe card 500 includes a printed circuit board 520 having a plurality of connection holes connected to an internal circuit and a probe head 532 attached to a lower surface of a plurality of probe tips 534 directly contacting a test object. Is electrically connected via the connection body 510. Since the connection body 510 is made of an elastic material, the distance between the printed circuit board 520 and the probe head 532 is adjusted. The printed circuit board 520 and the probe head by the first reinforcement plate 522, the second reinforcement plate 526, the third reinforcement plate 528, the leaf spring 530, and the bolts 524, 536, and 538. 532 is fixed.

상기 프로브 팁(534)에 대한 구체적인 설명은 도 1 내지 도 4에 도시된 프로브 팁(100)과 실질적으로 동일하다. 상기 프로브 팁(534)은 상기 프로브 헤드(532)의 하부면에 수직하도록 연결된다. 따라서, 상기 프로브 팁(534)을 조밀하게 배열 설치할 수 있으므로, 반도체 소자의 파인(pine) 피치에 대응할 수 있다. Detailed description of the probe tip 534 is substantially the same as the probe tip 100 shown in FIGS. The probe tip 534 is connected to be perpendicular to the bottom surface of the probe head 532. Therefore, since the probe tip 534 may be densely arranged and installed, the probe tip 534 may correspond to the fine pitch of the semiconductor device.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 프로프 팁(532)으로 도 5 내지 도 16에 도시된 프로브 팁들이 채용될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the probe tips illustrated in FIGS. 5 to 16 may be employed as the probe tips 532.

도 18 내지 도 31은 도 1 내지 도 4의 프로브 팁을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 18 내지 도 31에 있어서, 도 1 내지 도 4와 동일한 부재들 에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용한다.18 to 31 are diagrams for describing a method of manufacturing the probe tip of FIGS. 1 to 4. 18 to 31, the same reference numerals are used for the same members as those of FIGS. 1 to 4.

도 18 및 도 19를 참조하면, 희생 기판(101) 상에 마스크막을 형성한다. 상기 희생 기판(101)은 실리콘 기판 또는 유리 기판일 수 있다. 상기 마스크막은 산화물, 질화물, 산질화물을 포함할 수 있다. 상기 마스크막 상에 포토레지스트 막을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 막을 노광 및 현상하여 상기 마스크막 상에 트렌치들(104)이 형성될 영역을 정의하는 제1 포토레지스트 패턴(103)을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴(103)은 스트라이프 형태를 갖는다. 상기 제1 포토레지스트 패턴(103)을 식각 마스크로 하여 상기 마스크막을 식각함으로써 상기 희생 기판(101) 상에 마스크 패턴(102)을 형성한다. 여기서, 상기 마스크 패턴(102)은 상기 트렌치(104)가 형성될 부분들을 노출시킨다.18 and 19, a mask film is formed on the sacrificial substrate 101. The sacrificial substrate 101 may be a silicon substrate or a glass substrate. The mask layer may include an oxide, nitride, and oxynitride. After forming a photoresist film on the mask film, the photoresist film is exposed and developed to form a first photoresist pattern 103 defining a region where trenches 104 are to be formed on the mask film. The first photoresist pattern 103 has a stripe shape. The mask pattern 102 is formed on the sacrificial substrate 101 by etching the mask layer using the first photoresist pattern 103 as an etching mask. Here, the mask pattern 102 exposes portions where the trench 104 is to be formed.

상기 마스크 패턴(102)을 식각 마스크로 하여 기판(101)을 부분적으로 식각함으로써 상기 희생 기판(101) 상에 스트라이프 형태의 트렌치(104)들을 형성한다. 상기 트렌치(104)들은 습식 식각, 레이저 식각 등에 의해 형성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 트렌치(104)들은 실리콘의 식각을 위한 습식 식각 공정에 의해 형성된다. 상기 식각 공정을 위한 용액으로는 수산화칼륨(KOH) 용액 및 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 용액을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합되어 사용될 수 있다. 여기서, 상기 트렌치(104)들은 양측면이 경사진 형태를 갖는다. 이후, 상기 제1 포토레지스트 패턴(103) 및 상기 마스크 패턴(102)을 애싱 및/또는 스트립 공정을 이용하여 제거한다.By partially etching the substrate 101 using the mask pattern 102 as an etch mask, stripe-shaped trenches 104 are formed on the sacrificial substrate 101. The trenches 104 may be formed by wet etching, laser etching, or the like. Preferably, the trenches 104 are formed by a wet etching process for etching silicon. Solutions for the etching process include potassium hydroxide (KOH) solution and tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) solution. These may be used alone or in combination. Here, the trenches 104 have a form in which both sides are inclined. Thereafter, the first photoresist pattern 103 and the mask pattern 102 are removed using an ashing and / or strip process.

다른 예로, 상기 제1 포토레지스트 패턴(103)을 애싱 및/또는 스트립 공정을 이용하여 제거한 다음, 상기 마스크 패턴(102)을 식각 마스크로 하여 기판(101)을 부분적으로 식각함으로써 상기 희생 기판(101) 상에 스트라이프 형태의 트렌치(104)들을 형성한다. 이후, 상기 마스크 패턴(102)을 애싱 및/또는 스트립 공정을 이용하여 제거할 수 있다.As another example, the first photoresist pattern 103 may be removed using an ashing and / or strip process, and then the substrate 101 may be partially etched using the mask pattern 102 as an etch mask. To form trenches 104 in the form of stripes. Thereafter, the mask pattern 102 may be removed using an ashing and / or strip process.

도 20 및 도 21을 참조하면, 상기 트렌치(104)들이 형성된 기판(101) 상에 제1 시드막(미도시)을 형성한다. 상기 제1 시드막은 스퍼터링 공정에 의해 형성된다. 구체적으로, 상기 희생 기판(101) 상에 점착력이 우수한 제1 금속막을 형성하고, 상기 제1 금속막 상에 시드로 작용하는 제2 금속막을 형성하여 상기 제1 시드막을 형성한다. 상기 제1 금속막은 상기 제2 금속막을 상기 희생 기판(101)에 접착시킨다. 상기 제1 금속막은 티타늄 밑 크롬을 포함하며, 상기 제2 금속막은 구리 및 금을 포함할 수 있다.20 and 21, a first seed layer (not shown) is formed on the substrate 101 on which the trenches 104 are formed. The first seed film is formed by a sputtering process. Specifically, a first metal film having excellent adhesion on the sacrificial substrate 101 is formed, and a second metal film serving as a seed is formed on the first metal film to form the first seed film. The first metal film adheres the second metal film to the sacrificial substrate 101. The first metal layer may include chromium under titanium, and the second metal layer may include copper and gold.

상기 제1 시드막이 형성된 기판(101) 상에 포토레지스트막을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 막을 노광 및 현상하여 상기 제1 시드막 상에 경사부들이 형성될 영역을 정의하는 제2 포토레지스트 패턴(107)을 형성한다. 구체적으로, 상기 제1 시드막이 형성된 기판(101) 상에 스프레이 코팅 공정을 통해 하부 포토레지스트막을 형성한다. 상기 하부 포토레지스트막 상에 포토레지스트 필름 코팅 공정을 통해 상부 포토레지스트막을 형성한다. After forming a photoresist film on the substrate 101 on which the first seed film is formed, a second photoresist pattern 107 defining an area where the inclined portions are to be formed on the first seed film by exposing and developing the photoresist film. ). Specifically, a lower photoresist film is formed on the substrate 101 on which the first seed film is formed through a spray coating process. An upper photoresist film is formed on the lower photoresist film through a photoresist film coating process.

일반적인 스핀 코팅 공정을 통해 포토레지스트막을 형성하는 경우, 상기 트렌치(104)의 양측면에 일정한 두께의 포토레지스트막을 거의 형성할 수 없다. 또한, 상기 스프레이 코팅 공정만을 통해 상기 포토레지스트막을 형성하는 경우, 상 기 트렌치(104)의 저면에는 상기 포토레지스트막이 상대적으로 두껍게 형성되지만, 상기 트렌치(104)의 양측면에는 상기 포토레지스트막이 상대적으로 얇게 형성된다. 그러므로, 상기 트렌치(104)의 양측면에 충분한 두께의 포토레지스트막을 형성할 수 없다. 그리고, 상기 포토레지스트 필름 코팅 공정만을 통해 상기 포토레지스트막을 형성하는 경우, 상기 포토레지스트 필름의 두께로 인해 상기 포토레지스트막과 상기 트렌치(104)의 저면이 밀착되지 못하고 공간이 생긴다. 따라서, 상기 스프레이 코팅 공정 및 상기 포토레지스트 필름 코팅 공정을 이용하여 상기 트렌치(104)의 경사면에도 비교적 균일하며 일정 두께 이상의 포토레지스트막을 형성할 수 있다.When the photoresist film is formed through a general spin coating process, a photoresist film having a constant thickness may hardly be formed on both sides of the trench 104. In addition, when the photoresist film is formed only through the spray coating process, the photoresist film is formed relatively thick on the bottom of the trench 104, but the photoresist film is relatively thin on both sides of the trench 104. Is formed. Therefore, a photoresist film of sufficient thickness cannot be formed on both sides of the trench 104. When the photoresist film is formed only through the photoresist film coating process, the bottom surface of the photoresist film and the trench 104 may not be in close contact with each other due to the thickness of the photoresist film. Accordingly, a photoresist film having a predetermined thickness or more may be formed on the inclined surface of the trench 104 by using the spray coating process and the photoresist film coating process.

상기 하부 및 상부 포토레지스트막들을 동시에 노광한 후, 상기 상부 포토레지스트막 및 상기 하부 포토레지스트막을 순차적으로 현상하여 상부 포토레지스트 패턴(106) 및 하부 포토레지스트 패턴(105)을 각각 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴(107)은 상기 상부 포토레지스트 패턴(106) 및 하부 포토레지스트 패턴(105)을 포함한다. 여기서, 상기 제2 포토레지스트 패턴(107)은 각 트렌치(104)의 양측면의 제1 시드막을 일정 간격 이격되는 지그 재그 형태로 노출시킨다. After exposing the lower and upper photoresist layers simultaneously, the upper photoresist layer and the lower photoresist layer are sequentially developed to form an upper photoresist pattern 106 and a lower photoresist pattern 105, respectively. The second photoresist pattern 107 includes the upper photoresist pattern 106 and the lower photoresist pattern 105. Here, the second photoresist pattern 107 exposes the first seed films on both sides of the trenches 104 in a zigzag form at regular intervals.

일예로, 도 20에 도시된 바와 같이 노출된 제1 시드막들은 상기 트렌치(104)의 하부면 가장자리부터 측면 상부까지 연장된 대략 사각형 형태를 갖는다. 다른 예로, 노출된 제1 시드막들은 상기 트렌치(104)의 하부면 가장자리부터 측면 상부로 갈수록 좁아지는 삼각형 형태를 가질 수 있다. 또 다른 예로, 상기 노출된 제1 시드막들은 상기 트렌치(104)의 하부면 가장자리부터 측면 상부로 갈수록 좁아지는 사다리꼴 형태를 가질 수 있다.For example, as illustrated in FIG. 20, the exposed first seed layers may have a substantially rectangular shape extending from an edge of a lower surface of the trench 104 to an upper side of the side of the trench 104. As another example, the exposed first seed layers may have a triangular shape that narrows from the edge of the lower surface of the trench 104 to the upper side of the trench 104. As another example, the exposed first seed layers may have a trapezoidal shape that narrows from the lower edge of the trench 104 toward the upper side.

도 22 및 도 23을 참조하면, 전기 도금(electro plating)에 의해 상기 제2 포토레지스트 패턴(107)에 의해 노출된 제1 시드막 상에 일정한 두께를 갖는 경사부(110)들을 형성한다. 상기 경사부(110)들은 금속을 포함한다. 상기 금속의 예로는 니켈, 코발트, 텅스텐, 니켈 코발트 합금 등을 들 수 있다. 상기 경사부들(110)은 각각 상기 트렌치(104)의 하부면 가장자리부터 측면 상부까지 연장된 사각형 형태를 가지며, 지그 재그 형태로 위치한다. 22 and 23, the inclined portions 110 having a predetermined thickness are formed on the first seed layer exposed by the second photoresist pattern 107 by electro plating. The inclined portions 110 include metal. Examples of the metal include nickel, cobalt, tungsten, nickel cobalt alloy and the like. The inclined portions 110 each have a rectangular shape extending from an edge of the bottom surface of the trench 104 to an upper side of the trench 104, and are disposed in a zigzag shape.

이후, 상기 희생 기판(101)의 표면이 노출될 때까지 평탄화공정을 수행한다. 상기 평판화 공정의 예로는 화학적 기계적 연마(cemical mechanical polishing), 에치백, 그라인딩 등을 들 수 있다. 상기 경사부들(110)의 상단부가 상기 희생 기판(101)의 상부면과 평행하도록 평탄화되므로 상기 경사부(110)들의 상단부가 뾰족한 형상을 갖는다. 상기 제2 포토레지스트 패턴(107)을 애싱 및/또는 스트립 공정을 이용하여 제거한 다음, 상기 경사부(110)의 하부의 제1 시드막을 제외한 제1 시드막을 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용하여 제거한다. 즉, 노출된 제1 시드막을 제거한다. Thereafter, the planarization process is performed until the surface of the sacrificial substrate 101 is exposed. Examples of the planarization process include chemical mechanical polishing, etch back, grinding, and the like. Since the upper ends of the inclination parts 110 are flattened to be parallel to the upper surface of the sacrificial substrate 101, the upper ends of the inclination parts 110 have a pointed shape. After removing the second photoresist pattern 107 using an ashing and / or strip process, the first seed layer except for the first seed layer under the inclination part 110 may be dried or dried by using a wet etching process. Remove That is, the exposed first seed film is removed.

도 24 및 도 25를 참조하면, 상기 희생 기판(101)의 하부면에 포토레지스트막을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 막을 노광 및 현상하여 상기 경사부(110)와 대응하는 상기 희생 기판(101)의 하부면을 노출시키는 제3 포토레지스트 패턴(111)을 형성한다. 상기 제3 포토레지스트 패턴(111)을 식각마스크로 하여 상기 경사부(110)들의 하부에 위치하는 제1 시드막이 노출될 때까지 기판(101)을 건식 식각 함으로써 상기 희생 기판(101) 하부면에 다수의 개구(112)를 형성한다. 상기 제1 시드막이 식각 정지막으로 작용하므로 상기 개구(112)들은 동일한 깊이를 갖는다. 상기 개구(112)들은 상기 제1 시드막의 전체를 노출한다. 상기 개구(112)에 의해 노출된 제1 시드막 중 접착 용도로 사용되는 제1 금속막을 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용하여 선택적으로 제거한다.24 and 25, a photoresist film is formed on the lower surface of the sacrificial substrate 101, and then the photoresist film is exposed and developed to cover the inclined portion 110 of the sacrificial substrate 101. The third photoresist pattern 111 exposing the lower surface is formed. Using the third photoresist pattern 111 as an etch mask, the substrate 101 is dry-etched until the first seed layer positioned below the inclined portions 110 is exposed to the lower surface of the sacrificial substrate 101. Multiple openings 112 are formed. Since the first seed layer serves as an etch stop layer, the openings 112 have the same depth. The openings 112 expose the entirety of the first seed layer. Among the first seed films exposed by the opening 112, the first metal film used for the adhesive purpose is selectively removed by using a dry etching process or a wet etching process.

도 26 및 도 27을 참조하면, 전기 도금(electro plating)에 의해 상기 개구(112)에 의해 노출된 제1 시드막의 제2 금속막 상에 상기 개구(112)들을 매립하는 연장부(120)들을 형성한다. 상기 개구(112)들이 동일한 깊이를 가지므로, 상기 연장부(120)들도 동일한 길이를 갖는다. 상기 연장부(120)들은 금속을 포함한다. 상기 금속의 예로는 니켈, 코발트, 텅스텐, 니켈 코발트 합금 등을 들 수 있다. 26 and 27, extensions 120 filling the openings 112 are buried on the second metal film of the first seed film exposed by the opening 112 by electroplating. Form. Since the openings 112 have the same depth, the extensions 120 also have the same length. The extensions 120 include metal. Examples of the metal include nickel, cobalt, tungsten, nickel cobalt alloy and the like.

이후, 상기 제3 포토레지스트 패턴(111)을 애싱 및/또는 스트립 공정을 이용하여 제거한다. 상기 연장부(120)들이 형성된 상기 희생 기판(101)의 하부면에 대해 평탄화공정을 수행한다. 상기 평판화 공정의 예로는 화학적 기계적 연마(cemical mechanical polishing), 에치백, 그라인딩 등을 들 수 있다. Thereafter, the third photoresist pattern 111 is removed using an ashing and / or strip process. The planarization process is performed on the lower surface of the sacrificial substrate 101 on which the extension parts 120 are formed. Examples of the planarization process include chemical mechanical polishing, etch back, grinding, and the like.

도 28 및 도 29를 참조하면, 상기 희생 기판(101)의 하부면 및 상기 연장부(130)들 상에 스퍼터링 공정을 수행하여 제2 시드막을 형성한다. 상기 제2 시드막은 상기 제1 시드막과 동일한 구성을 갖는다. 28 and 29, a sputtering process is performed on the lower surface of the sacrificial substrate 101 and the extension parts 130 to form a second seed layer. The second seed film has the same structure as the first seed film.

상기 제2 시드막이 형성된 상기 희생 기판(101)의 하부면에 포토레지스트막을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 막을 노광 및 현상하여 서로 인접하며 서로 다른 트렌치(104)에 위치하는 연장부(120)들을 노출시키는 제4 포토레지스트 패 턴(121)을 형성한다. After forming a photoresist film on the lower surface of the sacrificial substrate 101 on which the second seed film is formed, the photoresist film is exposed and developed to expose the extension parts 120 adjacent to each other and positioned in different trenches 104. The fourth photoresist pattern 121 is formed.

전기 도금(electro plating)에 의해 상기 제4 포토레지스트 패턴(121)에 의해 노출된 제2 시드막 상에 상기 제4 포토레지스트 패턴(121)을 매립하는 몸체부(130)들을 형성한다. 상기 몸체부(130)들은 금속을 포함한다. 상기 금속의 예로는 니켈, 코발트, 텅스텐, 니켈 코발트 합금 등을 들 수 있다. 이후, 상기 몸체부(120)들이 형성된 상기 희생 기판(101)의 하부면에 대해 평탄화공정을 수행한다.Body portions 130 may be formed to fill the fourth photoresist pattern 121 on the second seed layer exposed by the fourth photoresist pattern 121 by electro plating. The body portions 130 include metal. Examples of the metal include nickel, cobalt, tungsten, nickel cobalt alloy and the like. Thereafter, a planarization process is performed on the lower surface of the sacrificial substrate 101 on which the body parts 120 are formed.

도 30 및 도 31을 참조하면, 상기 제4 포토레지스트 패턴(121)을 애싱 및/또는 스트립 공정을 이용하여 제거한 다음, 상기 몸체부(130)에 의해 노출된 제2 시드막을 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용하여 제거한다.30 and 31, the fourth photoresist pattern 121 is removed using an ashing and / or strip process, and then the second seed layer exposed by the body 130 is dry etched or wet. It is removed using an etching process.

이후, 상기 희생 기판(101)을 리프트 오프(lift-off) 또는 식각 공정에 의하여 제거하여 프로브 팁(100)을 완성한다. 상기 리프트 오프(lift-off) 또는 식각 공정에는 수산화칼륨(KOH) 용액 및 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 용액이 사용될 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합되어 사용될 수 있다.Thereafter, the sacrificial substrate 101 is removed by a lift-off or etching process to complete the probe tip 100. Potassium hydroxide (KOH) solution and tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) solution may be used in the lift-off or etching process. These may be used alone or in combination.

상기 실시예에서는 경사부(110)들, 연장부(120)들 및 몸체부(130)들을 전기 도금 공정을 이용하여 형성하는 것으로 도시되었지만, 다른 실시예에 따르면, 상기 경사부(110)들, 연장부(120)들 및 몸체부(130)들은 증착 공정에 의해 형성될 수도 있다. In the above embodiment, the inclination parts 110, the extension parts 120, and the body part 130 are shown to be formed using an electroplating process, but according to another embodiment, the inclination parts 110, The extension parts 120 and the body part 130 may be formed by a deposition process.

상기와 같이 형성된 프로브 팁(100)들은 상기 연장부(120)가 각각 동일한 길이를 가지므로, 프로브 헤드에 동일한 길이를 갖도록 부착될 수 있다.Probe tips 100 formed as described above may be attached to have the same length to the probe head because the extension 120 has the same length, respectively.

도 32 및 도 33은 프로브 팁 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이 다.32 and 33 are views for explaining a method for manufacturing a probe tip structure.

도 32를 참조하면, 평판 형태를 갖는 프로브 헤드(140) 상에 스퍼터링 공정을 수행하여 제3 시드막(미도시)을 형성한다. 상기 제3 시드막은 상기 제1 시드막과 동일한 구성을 갖는다. Referring to FIG. 32, a third seed layer (not shown) is formed by performing a sputtering process on the probe head 140 having a flat plate shape. The third seed film has the same structure as the first seed film.

상기 제3 시드막이 형성된 상기 프로브 헤드(140)의 상부면에 포토레지스트막을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 막을 노광 및 현상하여 제4 포토레지스트 패턴(121)과 동일한 패턴을 갖는 제5 포토레지스트 패턴을 형성한다. After forming a photoresist film on an upper surface of the probe head 140 on which the third seed film is formed, the photoresist film is exposed and developed to form a fifth photoresist pattern having the same pattern as that of the fourth photoresist pattern 121. Form.

전기 도금(electro plating)에 의해 상기 제5 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 제3 시드막 상에 상기 제5 포토레지스트 패턴을 매립하는 범프(150)들을 형성한다. 상기 범프(150)들은 금속을 포함한다. 상기 금속의 예로는 니켈, 코발트, 텅스텐, 니켈 코발트 합금 등을 들 수 있다. Bumps 150 may be formed to fill the fifth photoresist pattern on the third seed layer exposed by the fifth photoresist pattern by electro plating. The bumps 150 include metal. Examples of the metal include nickel, cobalt, tungsten, nickel cobalt alloy and the like.

이후, 상기 범프(150)들이 형성된 상기 프로브 헤드(140)의 상부면에 대해 평탄화공정을 수행한다. 상기 제5 포토레지스트 패턴을 애싱 및/또는 스트립 공정을 이용하여 제거한 다음, 상기 범프(150)에 의해 노출된 제3 시드막을 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용하여 제거한다.Thereafter, a planarization process is performed on the upper surface of the probe head 140 on which the bumps 150 are formed. The fifth photoresist pattern is removed using an ashing and / or strip process, and then the third seed layer exposed by the bumps 150 is removed using a dry etching process or a wet etching process.

다음으로, 상기 희생 기판(101)이 제거되지 않은 프로브 팁(100)의 몸체부(130)들과 상기 범프(150)들을 솔더를 이용하여 본딩한다. 상기 솔더는 금(Au)과 주석(Sn)을 포함할 수 있다.Next, the body parts 130 of the probe tip 100 and the bumps 150 of which the sacrificial substrate 101 is not removed are bonded using solder. The solder may include gold (Au) and tin (Sn).

다른 실시예에 따르면, 범프(150)들을 미리 형성하고, 솔더를 이용하여 상기 기 형성된 범프(150)들로 상기 프로브 헤드(140)와 상기 몸체부(130)들을 연결할 수 있다.According to another embodiment, the bumps 150 may be formed in advance, and the probe head 140 and the body 130 may be connected to the pre-formed bumps 150 using solder.

도 33을 참조하면, 상기 프로브 팁(100)의 상기 희생 기판(101)을 리프트 오프(lift-off) 또는 식각 공정에 의하여 제거하여 프로브 구조물(190)을 완성한다. 상기 리프트 오프(lift-off) 또는 식각 공정에는 수산화칼륨(KOH) 용액 및 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 용액이 사용될 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합되어 사용될 수 있다.Referring to FIG. 33, the sacrificial substrate 101 of the probe tip 100 is removed by a lift-off or etching process to complete the probe structure 190. Potassium hydroxide (KOH) solution and tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) solution may be used in the lift-off or etching process. These may be used alone or in combination.

상기 프로브 구조물(190)은 상기 프로브 팁(100)들을 분리하지 않은 상태에서 프로브 헤드(140)와 결합된다. 따라서, 다수의 프로브 팁(100)들을 상기 프로브 헤드(140)에 한 번에 결합할 수 있다. 또한, 상기 프로브 팁(100)들의 길이가 일정하므로, 상기 프로브 구조물(190)은 평탄도를 확보할 수 있다.The probe structure 190 is coupled to the probe head 140 in a state where the probe tips 100 are not separated. Thus, a plurality of probe tips 100 may be coupled to the probe head 140 at one time. In addition, since the length of the probe tips 100 is constant, the probe structure 190 may ensure flatness.

도 34 및 도 35를 참조하면, 상기 프로브 팁(200)은 경사부(210)가 형성되는 위치를 제외하고는 도 18 내지 도 31에 도시된 프로브 팁(100)의 제조 방법과 실질적으로 동일하므로, 반복되는 설명은 생략한다.34 and 35, the probe tip 200 is substantially the same as the manufacturing method of the probe tip 100 illustrated in FIGS. 18 to 31 except for the position where the inclined portion 210 is formed. , Repeated descriptions are omitted.

제2 포토레지스트 패턴(207)은 각 트렌치(204)의 양측면의 제1 시드막을 일정 간격 이격되며 서로 마주보는 형태로 노출시킨다. 이후, 전기 도금(electro plating)에 의해 상기 제2 포토레지스트 패턴(207)에 의해 노출된 제1 시드막 상에 일정한 두께를 갖는 경사부들을 형성한다.The second photoresist pattern 207 exposes the first seed films on both sides of each trench 204 in a form spaced apart at regular intervals and facing each other. Thereafter, inclined portions having a predetermined thickness are formed on the first seed layer exposed by the second photoresist pattern 207 by electroplating.

도 36 및 도 37을 참조하면, 상기 프로브 팁(300)은 경사부(310)와 연결되는 연장부(320)의 면적을 제외하고는 도 18 내지 도 31에 도시된 프로브 팁(100)의 제조 방법과 실질적으로 동일하므로, 반복되는 설명은 생략한다.Referring to FIGS. 36 and 37, the probe tip 300 may be manufactured by manufacturing the probe tip 100 illustrated in FIGS. 18 to 31 except for the area of the extension portion 320 connected to the inclined portion 310. Since the method is substantially the same, repeated descriptions are omitted.

상기 희생 기판(301)의 하부면에 포토레지스트막을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 막을 노광 및 현상하여 상기 경사부(310)와 대응하면서 상기 경사부(310)의 영역보다 좁은 영역의 상기 희생 기판(301)의 하부면을 노출시키는 제3 포토레지스트 패턴(311)을 형성한다. 상기 제3 포토레지스트 패턴(311)을 식각 마스크로 하여 상기 경사부(310)들의 하부에 위치하는 제1 시드막이 노출될 때까지 기판(301)을 건식 식각함으로써 상기 희생 기판(301) 하부면에 다수의 개구(312)를 형성한다. 상기 개구(312)들은 상기 제1 시드막의 일부를 노출한다. 구체적으로, 상기 개구(312)들은 상기 제1 시드막 중 상기 트렌치(304)의 저면과 인접한 부위를 노출한다. 상기 개구(312)에 의해 노출된 제1 시드막 중 접착 용도로 사용되는 제2 금속막을 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용하여 선택적으로 제거한다. After forming a photoresist film on the lower surface of the sacrificial substrate 301, the photoresist film is exposed and developed to correspond to the inclined portion 310, the sacrificial substrate (in the region narrower than the area of the inclined portion 310) A third photoresist pattern 311 exposing the lower surface of the 301 is formed. Using the third photoresist pattern 311 as an etch mask, the substrate 301 is dry-etched until the first seed layer positioned below the inclined portions 310 is exposed, thereby lowering the surface of the sacrificial substrate 301. A plurality of openings 312 are formed. The openings 312 expose a portion of the first seed layer. Specifically, the openings 312 expose portions of the first seed layer adjacent to the bottom surface of the trench 304. Among the first seed films exposed by the openings 312, the second metal film used for adhesion is selectively removed using a dry etching process or a wet etching process.

이후, 전기 도금(electro plating)에 의해 상기 개구(312)에 의해 노출된 제1 시드막의 제2 금속막 상에 상기 개구(312)를 매립하는 연장부(320)들을 형성한다.Subsequently, extensions 320 may be formed to fill the opening 312 on the second metal film of the first seed film exposed by the opening 312 by electro plating.

도 38 내지 도 41을 참조하면, 상기 프로브 팁(400)은 경사부(410)가 형성되 는 위치와 상기 프로브 팁(400)은 경사부(410)와 연결되는 연장부(420)의 면적을 제외하고는 도 18 내지 도 31에 도시된 프로브 팁(100)의 제조 방법과 실질적으로 동일하므로, 반복되는 설명은 생략한다.38 to 41, the probe tip 400 excludes the position where the inclined portion 410 is formed and the area of the extension 420 that the probe tip 400 is connected to the inclined portion 410. And since it is substantially the same as the manufacturing method of the probe tip 100 shown in Figures 18 to 31, repeated description is omitted.

도 38 및 도 39를 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(407)은 각 트렌치(404)의 양측면의 제1 시드막을 일정 간격 이격되며 서로 마주보는 형태로 노출시킨다. 이후, 전기 도금(electro plating)에 의해 상기 제2 포토레지스트 패턴(407)에 의해 노출된 제1 시드막 상에 일정한 두께를 갖는 경사부들을 형성한다.38 and 39, the second photoresist pattern 407 exposes the first seed layers on both sides of each trench 404 in a form spaced apart at regular intervals and facing each other. Thereafter, inclined portions having a predetermined thickness are formed on the first seed layer exposed by the second photoresist pattern 407 by electro plating.

도 40 및 도 41을 참조하면, 상기 희생 기판(401)의 하부면에 포토레지스트막을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 막을 노광 및 현상하여 상기 경사부(410)와 대응하면서 상기 경사부(410)의 영역보다 좁은 영역의 상기 희생 기판(401)의 하부면을 노출시키는 제3 포토레지스트 패턴(411)을 형성한다. 상기 제3 포토레지스트 패턴(411)을 식각 마스크로 하여 상기 경사부(410)들의 하부에 위치하는 제1 시드막이 노출될 때까지 기판(401)을 건식 식각함으로써 상기 희생 기판(401) 하부면에 다수의 개구(412)를 형성한다. 상기 개구(412)들은 상기 제1 시드막의 일부를 노출한다. 구체적으로, 상기 개구(412)들은 상기 제1 시드막 중 상기 트렌치(404)의 저면과 인접한 부위를 노출한다. 상기 개구(412)에 의해 노출된 제1 시드막 중 접착 용도로 사용되는 제2 금속막을 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용하여 선택적으로 제거한다. 40 and 41, after forming a photoresist film on the lower surface of the sacrificial substrate 401, the photoresist film is exposed and developed to correspond to the inclined portion 410, and the inclined portion 410 of the inclined portion 410 is formed. A third photoresist pattern 411 exposing the lower surface of the sacrificial substrate 401 in a region narrower than the region is formed. Using the third photoresist pattern 411 as an etch mask, the substrate 401 is dry-etched until the first seed layer positioned below the inclined portions 410 is exposed to the lower surface of the sacrificial substrate 401. Multiple openings 412 are formed. The openings 412 expose a portion of the first seed layer. In detail, the openings 412 expose portions of the first seed layer adjacent to the bottom surface of the trench 404. Among the first seed films exposed by the openings 412, the second metal film used for adhesion is selectively removed using a dry etching process or a wet etching process.

이후, 전기 도금(electro plating)에 의해 상기 개구(412)에 의해 노출된 제1 시드막의 제2 금속막 상에 상기 개구(412)를 매립하는 연장부(420)들을 형성한 다.Subsequently, extensions 420 are formed to fill the opening 412 on the second metal film of the first seed film exposed by the opening 412 by electro plating.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 프로브 팁은 프로브 카드에 가해지는 힘을 흡수하는 연장부를 가지므로, 볼타입의 전기 패드 뿐만 아니라 일반 금속 패드에서도 사용할 수 있다. 또한, 상기 프로브 팁은 프로브 카드에 고밀도로 수직 부착되어 반도체 장치의 파인 피치(pine pitch)에 대응할 수 있다. As described above, according to the embodiments of the present invention, since the probe tip has an extension portion for absorbing the force applied to the probe card, the probe tip may be used not only in a ball type electric pad but also in a general metal pad. In addition, the probe tip may be vertically attached to the probe card at a high density to correspond to the fine pitch of the semiconductor device.

상기 프로브 팁 제조시 경사부를 식각 정지층으로 사용할 수 있다. 따라서, 상기 프로브 팁이 제조되는 기판의 면적이 넓더라도 상기 연장부들이 일정한 길이를 갖도록 형성할 수 있다. 그리고, 상기 프로브 팁을 프로브 카드에 일괄적으로 수직 본딩할 수 있다.The inclined portion may be used as an etch stop layer in manufacturing the probe tip. Therefore, even if the area of the substrate on which the probe tip is manufactured is wide, the extension parts may be formed to have a constant length. The probe tip may be vertically bonded to the probe card at once.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims

A pillar-shaped body portion;

A plurality of extension parts connected to the lower surface of the body part to be symmetrical to each other and extending vertically downward; And

Probes tips respectively provided at the ends of the extension portion, comprising a plurality of inclined inclined downward toward the inside.

The probe tip of claim 1, wherein the extensions are arranged in a zigzag form.

The probe tip of claim 1, wherein the extensions are disposed to face each other.

The probe tip of claim 1, wherein the extension part is connected to the entire upper surface of the inclined part.

The probe tip of claim 1, wherein the extension part is connected to a portion of an upper surface of the inclined part.

The probe tip of claim 5, wherein a portion of the upper surface is an upper portion of the upper surface.

A printed circuit board having through holes connected to the multilayer circuit;

An electrical connection pin of an elastic material inserted into the through hole and protruding downward;

A probe head connected to the protruding connecting pin; And

A body portion vertically attached to a lower portion of the probe head, a plurality of extensions connected downwardly and symmetrically connected to a lower surface of the body portion, and provided at ends of the extension portions and inclined downward toward the inside, respectively Probe card comprising a probe tip having a slope of.

Forming a plurality of trenches having a stripe shape on the top surface of the sacrificial substrate and having both sides inclined;

Forming a plurality of inclined portions spaced at regular intervals on both sides of each trench;

Forming openings in the bottom surface of the sacrificial substrate to expose the bottom surfaces of the inclined portions;

Filling the openings to form a plurality of extensions each connected to the inclined portions;

Forming a body portion adjacent to the lower surface of the sacrificial substrate and connected to the extension portions positioned under the different trenches; And

And removing the sacrificial substrate.

The method of claim 8, wherein the inclined portions are formed to have a zigzag shape.

The method of claim 8, wherein the inclined portions are formed to have a shape facing each other.

The method of claim 8, wherein the openings are formed to expose the entire lower surface of the inclined portions, respectively.

The method of claim 8, wherein the openings are formed to expose a portion of the lower surface of the inclined portions.

The method of claim 12, wherein a portion of the lower surface is a portion adjacent to the bottom of the trench.

The method of claim 8, wherein the forming of the trenches comprises:

Forming a mask pattern having a stripe shape on an upper surface of the sacrificial substrate;

Wet etching the sacrificial substrate using the mask pattern as an etching mask; And

Probe tip manufacturing method comprising the step of removing the mask pattern.

The method of claim 8, wherein the forming of the inclined portion,

Forming a seed film on a surface of the substrate on which the trenches are formed;

Forming first photoresist patterns exposing the seed layer on both sides of each trench to be spaced apart from each other by a predetermined distance;

Electroplating the exposed seed film to form slopes;

Planarizing the inclined portions such that the inclined portions are parallel to an upper surface of the sacrificial substrate;

Removing the first photoresist pattern; And

And removing the exposed seed film.

The method of claim 15, wherein the forming of the seed layer comprises:

Forming a first metal film on the sacrificial substrate for adhesion; And

And forming a second metal film acting as a seed on the first metal film.

The method of claim 16, wherein forming the openings comprises:

Forming a second photoresist pattern exposing a lower surface of the sacrificial substrate corresponding to the position of the inclined portion; And

And dry etching the sacrificial substrate until the seed layer is exposed using the second photoresist pattern as an etching mask.

18. The method of claim 17, wherein forming the extensions comprises:

Removing the first metal film from the seed film exposed by the opening;

Electroplating the second metal film with a seed to form extensions; And

Probe tip manufacturing method comprising the step of removing the second photoresist pattern.

The method of claim 15, wherein the forming of the first photoresist pattern comprises:

Forming a lower photoresist film on the seed film;

Forming an upper photoresist film on the lower photoresist;

Exposing the upper and lower photoresist films;

Developing the exposed upper photoresist film; And

And developing the exposed lower photoresist film.

20. The method of claim 19, wherein the lower photoresist film is formed by spraying a photoresist, and the upper photoresist film is formed by attaching a photoresist film.

The method of claim 8, wherein the forming of the body portion,

Forming a seed layer on the lower surface of the sacrificial substrate and the extension portions;

Forming a photoresist pattern adjacent the lower surface of the sacrificial substrate and exposing an extension portion positioned below the other trench;

Electroplating the seed film exposed by the photoresist pattern to form the body portion; And

And removing the photoresist pattern and the exposed seed film.

Forming a plurality of body parts adjacent to the bottom surface of the sacrificial substrate and connected to the extension parts positioned under the different trenches;

Forming a plurality of bumps in the probe head;

Bonding the bumps and the body portions; And

Removing the sacrificial substrate.

The method of claim 22, wherein the forming of the bumps,

Forming a seed film on a lower surface of the probe head;

Forming a photoresist pattern exposing the seed layer in portions corresponding to the body portions;

Electroplating the exposed seed film to form the bumps;

Planarizing the bumps such that the bumps are parallel to the bottom surface of the probe head;

Removing the photoresist pattern; And

And removing the exposed seed film.

The method of claim 22, wherein the forming of the bumps,

Providing the bumps; And

Bonding the bumps to a bottom surface of the probe head.