KR20060082509A - Multi-tip probe and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
멀티 팁 프로브 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 지지체와, 상기 지지체에 일단이 연결된 캔틸레버와, 상기 캔틸레버의 타단에 형성된 적어도 두 개의 팁을 포함하는 멀티 팁 프로브에 있어서, 상기 캔틸레버는 주어진 간격으로 이격되어 독립된 제1 및 제2 캔틸레버를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 팁 프로브와 그 제조 방법을 제공한다.Multi-tip probes and methods of making the same are disclosed. Disclosed is a multi-tip probe comprising a support, a cantilever having one end connected to the support, and at least two tips formed on the other end of the cantilever, wherein the cantilever is spaced at a given interval and is independent of the first and second cantilevers. It provides a multi-tip probe and its manufacturing method comprising a.
Description
도 1은 종래 기술에 의한 멀티 팁 프로브의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a multi-tip probe according to the prior art.
도 2는 도 1의 밑면도이다.2 is a bottom view of FIG. 1.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 멀티 팁 프로브의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a multi-tip probe according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3의 밑면도이다.4 is a bottom view of FIG. 3.
도 5 및 도 8은 본 발명의 실시예에 의한 멀티 팁 프로브의 제조 방법을 단계별로 나타낸 밑면도들이다.5 and 8 are bottom views showing step by step a method of manufacturing a multi-tip probe according to an embodiment of the present invention.
도 6은 도 5의 원안에 도시한 도면의 일부를 6-6방향으로 절개한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view of a portion of the figure shown in the circle of FIG. 5 cut in the 6-6 direction.
도 7은 도 5의 원안의 도시한 도면의 일부를 7-7방향으로 절개한 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of a portion of the original view of FIG. 5 taken in the 7-7 direction. FIG.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
40:지지체 42, 50:캔틸레버(cantilever)40:
42a, 50a:제1 캔틸레버 42b, 50b:제2 캔틸레버42a, 50a:
44, 60:팁 44a, 60a:제1 팁(tip)44, 60:
44b, 60b:제2 팁 46a, 46b:제1 및 제2 배선44b, 60b:
D, D3:제1 및 제2 캔틸레버(팁) 간격 D1:팁 모체의 상부 평평한 부분의 폭D, D3: first and second cantilever (tip) spacing D1: width of the upper flat portion of the tip matrix
h:홀h: hall
본 발명은 측정 장치에 관한 것으로써, 보다 자세하게는 SRA(Spreading Resistance Analysis)용 멀티 프로브에 관한 것이다.The present invention relates to a measuring device, and more particularly, to a multi-probe for Spreading Resistance Analysis (SRA).
DRAM, FLASH, FRAM등과 같은 메모리 소자뿐 아니라 대부분의 반도체 장치는 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)를 포함한다. MOSFET는 소오스 및 드레인 영역은 P형 또는 N형 반도체 기판에 붕소(B), 인(P) 또는 비소(As) 등의 불순물을 반도체 기판의 한정된 영역에 이온 주입하여 형성한다. 소오스 및 드레인 영역의 불순물 농도 분포는 반도체 장치의 제작에 있어 중요한 설계 변수가 된다. 그러므로 반도체 장치의 설계를 위해 실제 반도체 장치를 제조하는 과정에서 불순물 농도를 측정할 필요가 있다.Most semiconductor devices, as well as memory devices such as DRAM, FLASH, and FRAM, include MOSFETs (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors). In the MOSFET, the source and drain regions are formed by ion implanting impurities such as boron (B), phosphorus (P), or arsenic (As) into a limited region of the semiconductor substrate on a P-type or N-type semiconductor substrate. Impurity concentration distribution in the source and drain regions is an important design variable in the fabrication of semiconductor devices. Therefore, it is necessary to measure the impurity concentration in the process of manufacturing the actual semiconductor device for the design of the semiconductor device.
반도체 장치를 제조하는 과정에서 반도체 기판의 선택된 한 영역의 불순물의 농도 혹은 불순물 프로화일(profile) 등을 알아내는 방법으로 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscope), CED(Chemical Etching Decoration), SSRM(Scanning Spreading Resistance Microscope) 또는 SCM(Scanning Capacitance Microscope)을 이용한 방법이 연구되고 있다. In the process of manufacturing a semiconductor device, a method of determining the impurity concentration or impurity profile of a selected region of a semiconductor substrate, such as secondary ion mass spectroscope (SIMS), chemical etching decoration (CED), and scanning spreading resistance microscope (SSRM) ) Or SCM (Scanning Capacitance Microscope) has been studied.
파괴검사의 한 종류인 SIMS를 이용한 방법은 이차원 측정을 실행하지 못하는 단점을 보완하도록, 최근 맵핑으로 불리우는 이차원 디스플레이 모드가 추가되었으나 이온의 집속 정도가 일반적으로 마이크론 오더이므로 소스-드레인 영역의 측정에 충분한 분해능을 가질 수 없다. SIMS, a kind of failure test, has been added recently to add a two-dimensional display mode called mapping, but it is sufficient to measure the source-drain region because the concentration of ions is generally micron order. Cannot have resolution.
SPM(Scanning Probe Microscope)를 이용한 기술의 하나인 SCM을 이용한 방법은 SIMS을 이용한 방법에 비해 수평 분해능은 월등하지만 깊이 정보를 얻기 어려우며 정전용량의 공간적 변화량을 측정하기 때문에, 주입된 불순물의 정량화가 어려운 단점이 있다. The method using SCM, a technique using Scanning Probe Microscope (SPM), has a better horizontal resolution than the method using SIMS, but it is difficult to quantify the injected impurities because it is difficult to obtain depth information and measures the spatial variation of capacitance. There are disadvantages.
상기 SIMS를 이용한 방법과 SCM을 이용한 방법을 보완하기 위해 방법으로 불순물 농도에 따라 상이한 식각률을 가지는 식각 용액으로 식각하고, 식각 결과물의 형상으로부터 불순물의 농도 프로파일을 유추해내는 방법이 소개된 바 있다(USP 6,121,060 참조). 하지만, 이 방법은 SIMS을 이용한 방법과 마찬가지로 파괴검사의 한 종류로서 불순물 농도를 간접적인 방법으로 알아내기 때문에, 분석법을 실행하기가 복잡하다는 단점을 갖고 있다.In order to complement the method using the SIMS and the method using the SCM, a method of etching with an etching solution having a different etching rate according to the impurity concentration and inducing the impurity concentration profile from the shape of the etching result has been introduced. See USP 6,121,060). However, this method has a disadvantage in that the analysis method is complicated to perform because the impurity concentration is determined indirectly as a kind of destruction test like the SIMS method.
최근, SRP(Spreading Resistance Profiler)를 이용한 방법과 SPM(Scanning Probe Microscope)을 이용한 방법을 접목한 SSRM(Scanning Spreading Resistance Microscope)을 이용한 분석 방법은 SPM을 이용한 방법에서 사용하는 전도성 프로브를 시료와 접촉시키고 일정 전압을 인가하여 전도성 프로브로부터 시료로 유입되는 전류량을 측정하여 시료의 불순물 농도의 변화를 알아낸다. 이 방법은 전류의 변화로부터 불순물의 농도 변화를 알 수 있으므로, 농도의 변별력이 높다.Recently, an analysis method using Scanning Spreading Resistance Microscope (SSRM) combining a method using a Spreading Resistance Profiler (SRP) and a method using a Scanning Probe Microscope (SPM) has contacted a sample with a conductive probe used in the SPM method. Applying a constant voltage to measure the amount of current flowing into the sample from the conductive probe to determine the change in the impurity concentration of the sample. In this method, since the change in the concentration of impurities can be known from the change in current, the discrimination power of concentration is high.
상술한 분석 방법에는 다양한 프로브가 사용된다. 예를 들면, SRP를 이용한 분석 방법의 경우, 도 1에 도시된 바와 같이 멀티 팁(multi-tip)(10)이 캔틸레버(cantilever)(12)의 끝에 형성된 프로브가 사용된다. 도 1에서 참조번호 16은 캔틸레버(12)의 지지체이다.Various probes are used in the above-described analysis method. For example, in the case of an analysis method using SRP, a probe in which a multi-tip 10 is formed at the end of a
도 1의 밑면도인 도 2를 참조하면, 멀티 팁(10)은 이격된 제1 및 제2 팁(10a, 10b)으로 구성된 것을 알 수 있다. 도 2에서 참조번호 18a 및 18b는 각각 캔틸레버(12)를 통해서 제1 및 제2 팁(10a, 10b)에 연결된 제1 및 제2 배선을 나타낸다.Referring to FIG. 2, which is a bottom view of FIG. 1, it can be seen that the multi-tip 10 is composed of spaced apart first and
도 1 및 도 2에 도시된 프로브(이하, 종래의 프로브라 함)의 제1 및 제2 팁(10a, 10b)사이의 거리는 수 ㎛이상인 바, 이 보다 작은 폭을 갖는 측정 대상에 대해서는 측정이 불가능하다. 또한, 종래의 프로브의 제1 및 제2 팁(10a, 10b)은 한 개의 캔틸레버(12)에 집적되는데, 집적되는 공간도 좁다. 때문에 팁(10)의 디자인이 어렵고 제작도 쉽지 않다. 아울러, 공정상 오차로 인해, 제1 및 제2 팁(10a, 10b)을 정확히 같은 높이로 형성하기 어렵기 때문에, 제1 및 제2 팁(10a, 10b) 모두를 측정 대상에 접촉시키기 어렵다. 이러한 원인으로 인해, 종래의 프로브를 이용해서 측정 대상에 대한 3차원 프로화일을 얻기 어렵다.The distance between the first and
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 나노 사이즈를 갖는 측정 대상에 대한 분석이 가능하고, 측정 대상에 대한 3차원의 프로화일을 얻을 수 있는 Spreading Resistance Analysis(SRA)용 멀티 팁 프로브(probe)를 제공함에 있다. The technical problem to be achieved by the present invention is to improve the above problems of the prior art, it is possible to analyze the measurement target having a nano-size, Spreading Resistance Analysis (SRA) to obtain a three-dimensional profile of the measurement target It is to provide a multi-tip probe () for).
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 멀티 팁 프로브의 제조 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the multi-tip probe.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 지지체와 상기 지지체에 일단이 연결된 캔틸레버와 상기 캔틸레버의 타단에 형성된 적어도 두 개의 팁을 포함하는 멀티 팁 프로브에 있어서, 상기 캔틸레버는 주어진 간격으로 이격되어 독립된 제1 및 제2 캔틸레버를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 팁 프로브를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention is a multi-tip probe comprising a support and a cantilever, one end connected to the support and at least two tips formed on the other end of the cantilever, wherein the cantilever is spaced at given intervals and is independent It provides a multi-tip probe, characterized in that it comprises a first and a second cantilever.
상기 제1 및 제2 캔틸레버의 각 타단은 수십 나노미터로 이격된 것일 수 있다.Each other end of the first and second cantilevers may be spaced apart by several tens of nanometers.
상기 제1 및 제2 캔틸레버의 타단에 각각 제1 및 제2 팁이 구비되어 있고, 상기 제1 및 제2 팁은 높이가 같고, 상기 제1 및 제2 캔틸레버와 동일한 간격으로 이격된 것일 수 있다.First and second tips may be provided at the other ends of the first and second cantilevers, respectively, and the first and second tips may have the same height, and may be spaced apart from each other at the same interval as the first and second cantilevers. .
상기 제1 및 제2 캔틸레버에 각각 상기 제1 및 제2 캔틸레버의 휨을 감지할 수 있는 센서가 부착될 수도 있다.Sensors capable of sensing the warpage of the first and second cantilevers may be attached to the first and second cantilevers, respectively.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 지지체와, 상기 지지체에 일단이 연결된 캔틸레버와, 상기 캔틸레버의 타단에 적어도 두 개의 팁이 형성된 멀티 팁 프로브의 제조 방법에 있어서, 상기 캔틸레버의 타단에 사이즈가 상기 적어도 두 개의 팁을 합한 것보다 큰 팁 모체를 형성하는 제1 단계 및 상기 캔틸레버 및 상기 팁 모체를 대칭이 되도록 이분하는 제2 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 팁 프로브의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above another technical problem, the present invention provides a support, a cantilever one end connected to the support, and at least two tips formed on the other end of the cantilever, the size of the other end of the cantilever A first step of forming a tip matrix larger than the sum of the at least two tips and a second step of dividing the cantilever and the tip matrix to be symmetrical. do.
이와 같은 제조 방법에서 상기 제2 단계는 집속된 이온 빔(Focused Ion Beam)을 이용하여 상기 캔틸레버 및 상기 팁 모체를 동시에 이분할 수 있다.In the manufacturing method as described above, the second step may simultaneously divide the cantilever and the tip matrix by using a focused ion beam.
상기 팁 모체는 상기 적어도 두 개의 팁을 합한 것보다 적어도 수십 나노 미터 크게 형성할 수 있다.The tip matrix may be at least several tens of nanometers larger than the sum of the at least two tips.
상기 제2 단계 후에 얻어지는 두 개의 캔틸레버에 각각 구비되도록 상기 캔틸레버에 상기 캔틸레버의 휨을 감지할 수 있는 센서 2개를 형성할 수 있다.Two sensors may be formed in the cantilever so as to be provided in each of the two cantilevers obtained after the second step.
이러한 본 발명을 이용하면, 이분된 캔틸레버가 각각 독립적으로 움직일 수 있고, 또한 탄성을 갖고 있으므로, 캔틸레버의 끝단에 형성된 팁은 측정 대상의 표면 굴곡에 맞게 움직일 수 있다. 이러한 팁의 움직임을 감지하여 측정 대상의 표면 굴곡을 알 수 있다. 곧 측정 대상의 표면에 대한 3차원 형태를 알 수 있다. 또한, 본 발명의 멀티 팁의 간격은 50 nm 정도로 좁기 때문에, 종래보다 훨씬 작은 사이즈를 갖는 측정 대상에 대한 분석도 가능하다. 곧, 분석 해상도를 훨씬 증가시킬 수 있다. 그러므로 반도체 소자의 제조 과정의 이상 유무를 웨이퍼 단위로 확인하는데 사용되는 프로브 카드에 본 발명의 프로브가 적용될 경우, 보다 높은 집적도를 갖는 반도체 소자의 제조 공정에 대한 이상 유무를 확인하는데 사용될 수 있는 프로브 카드(이하, 고집적 반도체 소자용 프로브 카드라 함)를 구현할 수 있다.Using the present invention, since the bisected cantilevers can move independently of each other and have elasticity, the tips formed at the ends of the cantilevers can move in accordance with the surface curvature of the object to be measured. By detecting the tip movement, it is possible to know the surface curvature of the measurement target. The three-dimensional shape of the surface to be measured is known. In addition, since the interval between the multi-tips of the present invention is as narrow as 50 nm, it is possible to analyze the measurement target having a much smaller size than the conventional one. In other words, the resolution of analysis can be increased much. Therefore, when the probe of the present invention is applied to a probe card used to check whether there is an abnormality in the manufacturing process of a semiconductor device, a probe card that can be used to confirm an abnormality of a manufacturing process of a semiconductor device having a higher degree of integration. (Hereinafter referred to as a probe card for a highly integrated semiconductor device) can be implemented.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 멀티 팁 프로브(본 발명의 프로브) 및 그 제조 방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.Hereinafter, a multi-tip probe (probe of the present invention) and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of layers or regions illustrated in the drawings are exaggerated for clarity.
먼저, 본 발명의 프로브에 대해 설명한다.First, the probe of this invention is demonstrated.
도 3을 참조하면, 지지체(40)의 밑면 일측에 소정 길이의 캔틸레버(42)가 연결되어 있다. 캔틸레버(42)의 끝단에 팁(44)이 형성되어 있다. 팁(44)은 지지체(40)와 반대 방향으로 형성되어 있다. 지지체(40), 캔틸레버(42) 및 팁(44)의 재질은 소정의 반도체, 예를 들면 실리콘(Si)일 수 있다. 팁(44)은 팁(44)과 캔틸레버(42)의 일부를 포함하는 프로브의 소정 영역(C1)을 확대하여 보여주는 제1 원(C1a)에 도시한 바와 같이 캔틸레버(42)의 끝에서 조금 안쪽에 구비될 수도 있으나, 제2 원(C1b)에 도시한 바와 같이 캔틸레버(42)의 끝에 구비될 수도 있다.Referring to FIG. 3, a
도 3의 밑면을 보여주는 도 4를 참조하면, 지지체(40)의 밑면에 이격된 제1 및 제2 배선(46a, 46b)이 존재한다. 제1 및 제2 배선(46a, 46b)은 금속 배선일 수도 있고, 도전성 불순물이 주입된 도핑 영역일 수도 있다. 캔틸레버(42)는 제1 및 제2 캔틸레버(42a, 42b)로 구성되어 있다. 제1 캔틸레버(42a)의 일단은 제1 배선(46a)에 연결되어 있다. 그리고 제2 캔틸레버(42b)의 일단은 제1 캔틸레버(42a)와 무관하게 제2 배선(46b)에 연결되어 있다. 이러한 제1 및 제2 캔틸레버(46a, 46b)의 타단, 곧 끝단은 소정 간격(D) 만큼 이격되어 있는데, 간격(D)은 50nm 정도 혹은 그 이상일 수 있다. 간격(D)은 제1 및 제2 캔틸레버(46a, 46b)를 형성하는데 사용된 집속 이온 빔(Focused Ion Beam) 조사 장치의 분해능에 따라 50nm보다 좁거나 더 넓어질 수 있다. 제1 및 제2 캔틸레버(42a, 42b)는 탄성을 갖고 있다. 때문에 제1 및 제2 캔틸레버(42a, 42b)는 수직 방향으로 어느 정도 휘어질 수 있고, 휘어진 후 바로 원래의 위치로 돌아올 수 있다. 팁(44)은 제1 팁(44a)과 제2 팁(44b)을 포함하는 멀티 팁이다. 프로브의 소정 영역(P1)을 확대 도시한 도 4의 (b)도 및 (c)도에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 팁(44a, 44b)은 각각 제1 및 제2 캔틸레버(42a, 42b)의 끝단에서 조금 안쪽에 형성되거나 제1 및 제2 캔틸레버(42a, 42b)의 끝에 형성될 수 있다. 후자를 위해, 프로브 제조 과정에서 제1 및 제2 캔틸레버(42a, 42b)의 끝을 제1 및 제2 팁(44a, 44b)의 끝과 일치하도록 가공할 수 있다. 제1 및 제2 팁(44a, 44b)은 상호 정면으로 마주하는 위치에 구비되어 있다. 또한, 제1 및 제2 팁(44a, 44b)은 제1 및 제2 캔틸레버(42a, 42b)와 동일한 간격(D)으로 이격되어 있다. 따라서 제1 및 제2 캔틸레버(42a, 42b)가 접촉될 경우, 제1 및 제2 팁(44a, 44b)도 정확히 접촉된다.Referring to FIG. 4, which shows the bottom of FIG. 3, there are first and
다음에는 상술한 본 발명의 프로브를 제조하는 방법에 대해 설명한다.Next, a method of manufacturing the probe of the present invention described above will be described.
도 5를 참조하면, 제1 및 제2 배선(46a, 46b), 지지체(40)에 일단이 연결된 캔틸레버 단일체(50) 및 캔틸레버 단일체(50)의 끝에서 조금 안쪽에 팁 모체(60)를 형성하기까지는 통상의 공정을 따른다. 다만, 캔틸레버 단일체(50)의 안쪽 부분에 삼각형 모양의 홀(h)을 형성한다. 삼각형 모양의 홀(h)은 밑변이 지지체(40)와 캔틸레버 단일체(50) 경계가 되도록 형성한다. 또한, 팁 모체(60)는 6-6방향으로 자른 단면이 도 6에 도시한 바와 같이 마름모꼴로 형성하고, 7-7 방향으로 자른 단면은 도 7에 도시한 바와 같이 삼각형이 되도록 형성한다. 이때, 도 6에서 상부 평행한 부분(60a)의 폭(D1)은 후속 공정에서 팁 모체(60) 및 캔틸레버 단일체(50)를 이분하는데 사용되는 분할 수단의 분해능을 고려하여 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대 상기 분할 수단의 분해능이 50nm 정도이면, 팁 모체(60)는 상기 평행한 부분(60a)의 폭(D1)이 50nm 정도가 되도록 형성하고, 상기 분할 수단의 분해능이 보다 높은 경우, 팁 모체(60)는 상기 평행한 부분(60a)의 폭(D1)이 50nm보다 좁게 되도록 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5, the
계속하면, 상기한 바와 같은 조건을 만족하도록 캔틸레버 단일체(50) 및 팁 모체(60) 등을 형성한 후, 캔틸레버 단일체(50)의 팁 모체(60)를 2개로 분할하는 이분 공정을 진행한다.Subsequently, after the
도 5에서 원(C2)안의 도면은 캔틸레버 단일체(50)의 팁 모체(60)를 포함하는 일부 영역(P2)을 확대 도시한 것인데, 상기 이분 공정은 이를 참조한다.In FIG. 5, the diagram in circle C2 is an enlarged view of a partial region P2 including the
구체적으로, 상기 이분 공정에서는 제1 및 제2 점선(L1, L2) 안쪽의 속하는 캔틸레버 단일체(50) 및 팁 모체(60)의 일부를 소정의 분할 수단을 이용하여 제거한다. 제1 및 제2 점선(L1, L2)의 간격은 바로 도 6에 도시한 캔틸레버 단일체(50)의 상부 평행한 부분(60a)의 폭(D1)과 동일하다. 그러므로 제1 및 제2 점선(L1, L2)의 간격은 상기 소정의 분할 수단의 분해능에 따라 다를 수 있다. 상기 분할 수단은, 예를 들면 집속된 이온 빔 조사 장치일 수 있다. 상기 이분 공정은 홀(h)에서 캔틸레버 단일체(50)의 끝까지 혹은 그 반대로 진행할 수 있다. 상기 분할 수단이 집속된 이온 빔 조사 장치인 경우, 그 분해능에 따라 사용자는 수 나노 혹은 수십 나노에서 수 마이크로 단위까지 이온빔의 스폿 사이즈(spot size)를 정확히 조절할 수 있다. 따라서 상기 분할 수단을 이용해서 캔틸레버 단일체(50) 및 팁 모체(60)를 정확히 이분할 수 있으므로, 상기 이분 공정 후에 얻어지는 결과물은 정확히 대칭을 이루게 된다.Specifically, in the dividing process, a part of the
도 8은 상기 분할 수단을 이용하여 상기 이분 공정을 수행한 결과물을 보여 준다. 도 5와 도 8을 비교하면, 도 5의 캔틸레버 단일체(50)는 정확히 대칭을 이루는 제1 및 제2 캔틸레버(50a, 50b)로 이분된 것을 볼 수 있고, 팁 모체(60) 역시 정확히 대칭을 이루는 제1 및 제2 팁(60a,60b)으로 이분된 것을 볼 수 있다. 제1 및 제2 캔틸레버(50a, 50b)는 각각 도 4의 제1 및 제2 캔틸레버(42a, 42b)와 동일하고, 제1 및 제2 팁(60a, 60b)은 각각 도 4의 제1 및 제2 팁(44a, 44b)과 동일한 것이다. 또한, 도 8의 제1 및 제2 팁(60a, 60b)사이의 간격(D3)은 제1 및 제2 팁(44a, 44b)사이의 간격(D)과 같거나 다를 수 있다.8 shows the result of performing the dividing process using the dividing means. 5 and 8, it can be seen that the
한편, 도면에 도시하지는 않았지만, 제1 및 제2 캔틸레버 각각에 제1 및 제2 캔틸레버의 휨을 감지할 수 있는 센서를 부착하여 매 순간 캔틸레버의 휨 정도를 측정할 수 있다. 이러한 측정을 통해서 팁이 접촉되고 있는 측정 대상의 표면 형태에 대한 정보를 얻을 수 있고, 이러한 정보를 분석하여 상기 측정 대상의 표면 형태에 대한 2차원 및 3차원 프로화일을 얻을 수도 있다.On the other hand, although not shown in the drawings, the first and second cantilever can be attached to each of the sensors that can detect the warp of the first and second cantilever can measure the degree of warpage of the cantilever every moment. Through this measurement, it is possible to obtain information on the surface shape of the measurement target that the tip is in contact with, and by analyzing such information, two-dimensional and three-dimensional profiles of the surface shape of the measurement target may be obtained.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 캔틸레버의 끝 부분을 변형할 수도 있고, 본 발명의 기술 사상을 SRA 측정이 아닌 다른 물리량 측정에 사용되는 프로브에 응용할 수도 있을 것이다. 또한, 배선을 도핑 방법으로 형성할 경우, 캔틸레버와 지지체의 이면 전체에 도전성 불순물을 도핑할 수도 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.While many details are set forth in the foregoing description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments, rather than to limit the scope of the invention. For example, one of ordinary skill in the art may modify the tip of the cantilever, and the technical idea of the present invention may be applied to a probe used for measuring physical quantities other than SRA measurement. In addition, when the wiring is formed by the doping method, the conductive impurity may be doped on the entire back surface of the cantilever and the support. Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.
상술한 바와 같이, 본 발명의 프로브는 이분된 캔틸레버 하나하나가 탄성을 갖고 있으므로, 캔틸레버의 끝단에 형성된 팁은 측정 대상의 표면 굴곡에 맞게 움직일 수 있다. 이러한 팁의 움직임을 감지하여 측정 대상의 표면 굴곡을 알 수 있으므로, 측정 대상 표면의 3차원 형태를 알 수 있다. 또한, 본 발명의 멀티 팁의 간격은 50nm정도로 좁기 때문에, 종래보다 훨씬 작은 사이즈를 갖는 측정 대상에 대한 분석도 가능하다. 곧, 분석 해상도를 훨씬 증가시킬 수 있다. 더 나아가서 본 발명을 고 집적 반도체 소자용 프로브 카드에도 적용할 수 있다.As described above, in the probe of the present invention, since each of the two cantilevers is elastic, the tip formed at the end of the cantilever may move in accordance with the surface curvature of the object to be measured. By sensing the movement of the tip, it is possible to know the surface curvature of the object to be measured. In addition, since the interval between the multi-tips of the present invention is as narrow as about 50 nm, it is also possible to analyze the measurement target having a much smaller size than the conventional one. In other words, the resolution of analysis can be increased much. Furthermore, the present invention can also be applied to probe cards for high integrated semiconductor devices.
Claims (8)
Priority Applications (1)
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KR1020050002888A KR20060082509A (en) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | Multi-tip probe and method of manufacturing the same |
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KR100830352B1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-05-19 | 주식회사 파이컴 | Probe tip, probe card, method of manufacturing the probe tip and method of manufacturing a probe structure |
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2005
- 2005-01-12 KR KR1020050002888A patent/KR20060082509A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
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WO2008075918A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Phicom Corporation | Probe tip, probe card, method of manufacturing a probe tip and method of manufacturing a probe structure |
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