KR101322262B1 - Method for producing probe card - Google Patents

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KR101322262B1
KR101322262B1 KR20070105470A KR20070105470A KR101322262B1 KR 101322262 B1 KR101322262 B1 KR 101322262B1 KR 20070105470 A KR20070105470 A KR 20070105470A KR 20070105470 A KR20070105470 A KR 20070105470A KR 101322262 B1 KR101322262 B1 KR 101322262B1
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Inventor
김영진
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주식회사 코리아 인스트루먼트
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Abstract

본 발명의 프로브 카드 제조 방법은 내부에 복수의 배선부, 및 상기 복수의 배선부의 일단에 각각 전기적으로 연결되며 상부에 부착되어 있는 복수의 상면 단자가 구비되어 있는 기판을 준비하는 단계; The probe card manufacturing method of the present invention includes a plurality of wiring portions therein, and are each electrically connected to one end of the plurality of the interconnection portion is a step of preparing a substrate which is provided with a plurality of the upper surface of the terminal that is attached to the top; 희생 기판을 준비하고, 상기 희생 기판상에 상기 복수의 상면 단자에 대응하는 위치에 각각 대응하도록 복수의 관통홀을 형성하는 단계; Forming a plurality of through-holes so as to correspond to the positions corresponding to the plurality of terminals on the upper surface of the prepared sacrificial substrate, the sacrificial substrate; 상기 희생 기판의 일측에 금속 플레이트를 부착시키는 단계; Attaching a metal plate on one side of the sacrificial substrate; 상기 금속 플레이트를 이용하여 상기 복수의 관통홀에 전도성 금속을 도입하여 복수의 기단부를 형성하는 단계; Forming a plurality of the base by introducing a conductive metal into the plurality of through-holes by using the metal plate; 상기 복수의 기단부가 상기 복수의 상면 단자에 각각 대응하도록 상기 희생 기판을 상기 기판의 상부에 부착시키는 단계; Attaching the sacrificial substrate on which the plurality of the base end so as to respectively correspond to the plurality of terminals on the top surface of the upper substrate; 및 상기 희생 기판을 제거하고, 상기 복수의 기단부에 별도로 형성된 복수의 프로브를 결합 고정하는 단계;를 포함한다. It includes; and removing the sacrificial substrate and fixedly connected to the probes is formed separately on the plurality of the base end.
본 발명의 프로브 카드 제조 방법에 의하면, 프로브의 기단부를 희생 기판을 통하여 별도로 형성하므로, 프로브 카드의 기판부에 가해지는 공정 스트레스를 감소시키고, 공정 시간을 단축 시킬 수 있다. According to the probe card manufacturing method of the present invention, since the separately formed to the base end of the probe through the sacrificial substrate, it is possible to reduce a process stress applied to the substrate portion of the probe card and shorten the process time.
프로브 카드 Probe Card

Description

프로브 카드 제조 방법{Method for producing probe card} The probe card manufacturing method {Method for producing probe card}

본 발명은 프로브 카드의 제조 방법, 특히 실리콘 웨이퍼를 희생기판으로 이용하여 프로브 카드의 프로브용 기단부를 형성할 수 있는 프로브 카드의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a probe card that can manufacturing method of a probe card, in particular by using a silicon wafer as a sacrificial substrate to form a probe for the base end of the probe card.

웨이퍼 프로빙 장치는 웨이퍼 상에 형성되어 있는 각 개별 반도체 칩들을 프로브 카드를 이용하여 전기적으로 테스트하는 장치이며, 프로브는 각 개별 반도체 칩들의 금속 패드에 접촉하여 테스트가 수행될 수 있게 한다. Wafer probing apparatus is an apparatus for testing each of the individual semiconductor chips formed on the wafer by electrically using a probe card, the probe allows the test is carried out in contact with the metal pads of each individual semiconductor chip.

이렇게 웨이퍼 상의 각 개별 반도체 칩의 전기 테스트를 수행하기 위한 프로브 카드의 프로브는 일반적으로 침 형태로 사용되며('프로브 침' 이라고도 한다), 이러한 프로브는 프로브 카드에 각각 실장되어 사용된다. Thus the probe of a probe card for performing an electrical test of each individual semiconductor chip on the wafer is typically used as a needle form (also referred to as a "probe"), such a probe is used are respectively mounted to the probe card. 그러나 침 형태의 프로브를 프로브 카드에 일일이 실장하는 것은 그 제조 시간, 및 경비 측면에서 바람직하지 않다. However, having to mount a probe of a probe card in needle form is not preferred from a manufacturing time, and guards side.

따라서 복수개의 프로브 카드용 프로브를 반도체 식각 기술을 이용하여 동시에 제조하는 방법이 연구되고 있다. Therefore, there is being researched a method for preparing a plurality of probe card probe at the same time by using a semiconductor etching technique.

이하, 도 1을 참조하여, 반도체 식각 기술을 이용한 종래의 프로브 카드의 제조 방법을 구체적으로 살펴본다. Reference to FIG. 1, see particularly at the production process of the conventional probe card using a semiconductor etching technique.

먼저, 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 기판(10)에 포토레지스트 물질로 포토레지스트 층을 형성한 후, 배선부(11) 부위의 포토레지스트 층을 식각 제거한 후, 식각 제거된 배선부(11) 부위에 금속을 도금하여 프로브의 기단부(bump)(20)를 형성한다. First, Fig., The substrate 10 after forming the photoresist layer of a photoresist material, the wiring unit 11 after removing the etching a portion of the photoresist layer, a wiring portion (11 removes etch, as can be seen in 1 ) plating a metal on a region to form the base end portion (bump) (20) of the probe.

그 후, 포토레지스트 층을 추가 형성하고, 프로브의 몸통부(beam)에 대응하는 부위를 식각 제거한 후, 식각 제거된 부위에 금속을 도금하여 프로브의 몸통부(30)을 형성하고, 이와 유사한 방법으로 프로브의 팁부(40)를 형성한다. Then, how this further form the photoresist layer is removed, and then etching a portion corresponding to the body part (beam) of the probe, plating the metal on the removed etching portions forming the body portion 30 of the probe, and a similar to form the tip 40 of the probe.

그런데, 종래의 방법에서, 기판(10) 상에 형성되는 포토레지스트 층의 두께는 포토레지스트 물질을 도포하여 형성되므로 일정 두께(80㎛) 이상으로 형성되기 어렵다. By the way, in the conventional method, the thickness of the photoresist layer formed on the substrate 10 is formed by coating a photoresist material is hard to be formed over a certain thickness (80㎛). 따라서, 목적하는 프로브의 기단부(120)의 높이가 300㎛ 이상 인 경우에는 포토레지스트층을 3회 이상 반복해야 했다. Therefore, when the height of the base end 120 of the probe of interest or more 300㎛ had to be repeated at least three times the photoresist layer. 즉, 포토레지스트 층 형성, 식각제거 공정, 금속 도금 공정, 돌출된 금속 도금의 연마공정을 수회 이상 반복해야 했다. That is, the polishing process of the photoresist layer is formed, the etching removal process, the metal plating process, the extruded metal plating has to be repeated more than several times. 따라서, 공정 시간이 장기간 소요되고, 기단부(20)가 도 1에 도시된 바와 같이 다층으로 형성되게 된다. Therefore, the processing time is spent for an extended period of time, the base end portion 20 is to be formed in a multi-layer as shown in FIG.

그런데, 이렇게 다층으로 형성된 기단부(20)에서는 각 층간의 접합력이 좋지 않고, 반복되는 연마공정에서 공정 스트레스가 인가되어 제조 공정시 수율이 낮게 되며, 웨이퍼 프로빙시 반복되는 반도체 소자의 접촉부와의 접촉에 의해 쉽게 파손되는 문제점이 발생하였다. By the way, so the base end portion 20 formed as multi-layer in contact with each without the interlayer bonding strength of the good, is applied to the process of stress in repeating the polishing process is the manufacturing process when in the semiconductor device contacting the yield is low, repeated during wafer probing this is easily damaged by problems occurred.

상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 포토레지스트 층의 형성, 식각제거공정, 및 연마공정의 반복 없이 충분한 높이의 프로브의 기단부를 형성할 수 있는 신규한 프로브 카드 제조 방법을 제공하고자 한다. To solve the problems of the prior art, the present invention provides a novel probe card manufacturing method capable of forming a base end of a sufficient height probe without repeating the formation, removing the etching process of the photoresist layer, and the polishing process it would.

또한, 본 발명은 원하는 높이의 기단부를 한번의 금속 도금 공정으로 형성할 수 있는 신규한 프로브 카드 제조 방법을 제공하고자 한다. In addition, the present invention is to provide a novel probe card manufacturing method in the base end portion of the desired height can be formed by metal plating process once.

위와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서는 목적하는 프로브의 기단부의 높이에 대응하는 두께의 희생 기판에 관통홀을 형성한 후, 상기 희생 기판에 금속 플레이트를 접촉시켜 프로브의 기단부에 대응하는 금형을 별도로 형성하고, 상기 금형을 이용하여 한번의 금속 도금 공정을 수행하여 프로브의 기단부를 형성시킴으로써, 포토레지스트 층의 형성, 식각제거공정, 및 연마공정 등의 반복없이 프로브의 기단부를 형성할 수 있다. In order to solve the above problems, after forming the through holes in the sacrificial substrate with a thickness corresponding to the height of the probe base end portion of interest in the present invention, by contacting the metal plate on the sacrificial substrate to a mold corresponding to the proximal end of the probe by separately formed, and by using the mold perform the metal plating process of once forming the proximal end of the probe, it is without repetition, such as the formation of the photoresist layer, the etching removal process, and polishing process to form a base end of the probe.

구체적으로, 본 발명의 한 특징에 따른 프로브 카드 제조 방법은 내부에 복수의 배선부, 및 상기 복수의 배선부의 일단에 각각 전기적으로 연결되며 상부에 부착되어 있는 복수의 상면 단자가 구비되어 있는 기판을 준비하는 단계; Specifically, the probe card manufacturing method according to the features of the invention are respectively electrically connected to the plurality of wiring parts, and one of the plurality of wiring portions inside the substrate which is provided with a plurality of the upper surface of the terminal that is attached to the top a step of preparing; 희생 기판을 준비하고, 상기 희생 기판상에 상기 복수의 상면 단자에 대응하는 위치에 각각 대응하도록 복수의 관통홀을 형성하는 단계; Forming a plurality of through-holes so as to correspond to the positions corresponding to the plurality of terminals on the upper surface of the prepared sacrificial substrate, the sacrificial substrate; 상기 희생 기판의 일측에 금속 플레이트를 부착시키는 단계; Attaching a metal plate on one side of the sacrificial substrate; 상기 금속 플레이트를 이용하여 상기 복수의 관통홀에 전도성 금속을 도입하여 복수의 기단부를 형성하는 단계; Forming a plurality of the base by introducing a conductive metal into the plurality of through-holes by using the metal plate; 상기 복수의 기단부가 상기 복수의 상면 단자에 각각 대응하도록 상기 희생 기판을 상기 기판의 상부에 부착시키는 단계; Attaching the sacrificial substrate on which the plurality of the base end so as to respectively correspond to the plurality of terminals on the top surface of the upper substrate; 및 상기 희생 기판을 제거하고, 상기 복수의 기단부에 별도로 형성된 복수의 프로브를 결합 고정하는 단계;를 포함한다. It includes; and removing the sacrificial substrate and fixedly connected to the probes is formed separately on the plurality of the base end.

상기 프로브 카드 제조 방법은 상기 복수의 프로브를 준비하는 단계; The probe card manufacturing method comprising the steps of: preparing a plurality of probes; 및 상기 복수의 프로브를 고정기판을 통해 상기 복수의 기단부에 대응하는 위치에 고정시키는 단계;를 더 포함할 수 있다. And fixing at positions corresponding to the plurality of the base end through a fixing substrate a plurality of probe may further include a.

상기 프로브 카드 제조 방법에서, 상기 희생 기판으로 실리콘 웨이퍼로 이루어진 것이 이용되는 것이 바람직하다. In the probe card manufacturing method, it is preferred that it is made of a silicon wafer used as the sacrificial substrate.

본 발명에서는 앞서 개시한 바와 같이, 희생기판에 관통홀을 형성한 후에, 희생기판에 금속 플레이트를 접착시켜 희생기판의 관통홀에 직접 전도성 금속으로 프로브의 기단부를 형성할 수 있다. As it stated previously the present disclosure the invention, after forming the through holes in the sacrificial substrate, followed by bonding a metal plate on a sacrificial substrate to form the probe's proximal end to the conductive metal directly on the through hole of the sacrificial substrate.

따라서, 본 발명의 프로브 카드 제조 방법을 이용하면, 적절한 두께의 희생기판을 선택하는 것만으로 목적하는 길이의 프로브의 기단부를 형성할 수 있게 된다. Thus, using the method of manufacturing the probe card of this invention, it is possible to form the base end of the probe to the desired length simply by selecting the appropriate thickness of the sacrificial substrate.

또한, 본 발명의 프로브 카드 제조 방법에 의하면, 희생기판 상에 기 형성된 프로브의 기단부를 나중에 기판상의 단자에 접합시키므로, 종래의 경우와 같이 기판상에 프로브의 기단부 형성을 위해 포토레지스트 층의 형성, 식각제거공정, 전도성 금속 도금 공정, 및 연마 공정을 반복하여 수행할 필요가 없다. Further, according to the probe card manufacturing method of the present invention, because the base end of the probe later joined to the terminals on the substrate, which is formed based on a sacrificial substrate, forming a photoresist layer to the base end portion formed of the probe on the substrate as in the conventional case, etching removal process, conductivity is not necessary to perform repeatedly a metal plating process, and polishing process. 따라서, 전체 적인 공정 시간이 단축되고, 원하는 높이의 기단부를 한번의 금속 도금 공정으로 형성할 수 있다. Thus, the overall process time is shortened, and the base end portion of the desired height can be formed by metal plating process once.

또한, 본 프로브 카드 제조 방법을 이용하면, 기판의 상부에서 포토레지스트 층의 형성, 식각제거공정, 전도성 금속 도금 공정, 및 연마 공정을 최소화할 수 있어, 기판이 받는 공정 스트레스를 최소화할 수 있고, 그에 따라 제조 공정 도중에 프로브의 기단부가 무너지는 현상을 최소화할 수 있다. Also, by using this probe card manufacturing method, it is possible to minimize the formation of the photoresist layer, the etching removing step, the conductive metal plating process, and polishing process at the top of the substrate, it is possible to minimize the process stress the substrate is received, Accordingly, it is possible to minimize the phenomenon that the proximal end of the probe down during the manufacturing process.

이하, 본 발명을 바람직한 실시예와 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. It will be described below in detail to in the art by the invention to the preferred embodiment with reference to the accompanying drawings to which the invention pertains can easily practice the self-skilled. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. This invention may, however, be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판 또는 적층 세라믹 기판을 기판(100)으로서 준비한다. First, as shown in Figure 2a, to prepare a silicon substrate, or a multilayer ceramic substrate as a substrate 100. 이러한 기판(100)으로는 내부에 배선부, 배선부의 일단에 연결되며 기판(100)의 상면에 부착된 상면 단자(130) 및 배선부의 타단에 연결되며 기판(100)의 하면에 부착된 하면 단자가 형성되어 있는 것이면 특별한 제한이 없으나, 바람직하게는 세라믹 재질로 이루어지며 상용되는 스페이스트렌스포머가 사용될 수 있다. If this substrate 100 as is one end connected to the interconnection portion, the interconnection portion is connected to the upper surface of the terminal 130 and the interconnection portion is the other end attached to the upper surface of the substrate 100 therein is attached to the lower surface of the substrate 100 terminal Although there is no particular limitation as long as it is formed, preferably made of a ceramic material may be used that are commercially space Transformers. 본 발명의 도면에서는 설명의 편의상 배선부 및 하면 단자의 도시를 생략하였으며, 기판(100) 상에 하나의 상면 단자(130)만을 도시하였으나, 이러한 상면 단자(130)의 개수에는 제한이 없으며 일반적으로 복수 개로 형성된다. When the drawing of the present invention part convenience wiring of illustration and were not shown to the terminal, but shows only one of the upper surface of the terminal 130 on the substrate 100, the number of this upper surface of the terminal 130 is no limit generally It is formed a plurality pieces.

이렇게 준비된 기판(100)의 하부에 금속 막(110, 120)을 형성한다. This is in the lower portion of the prepared substrate 100 to form a metal film (110, 120). 금속 막(110, 120)은 화학 기상 증착 방법(chemical vapor deposition; CVD)이나, 스퍼터링 방법으로 도포하여 형성될 수 있으나, 그 형성 방법은 특별히 제한되지는 않는다. A metal film (110, 120) is a chemical vapor deposition method; may be formed by applying a (chemical vapor deposition CVD) or sputtering method, the forming method is not particularly limited. 이러한 금속 막(110, 120)은 추후 기단부 형성 공정을 위한 도금 공정에서 전극으로 이용된다. Such a metal film (110, 120) are used as electrodes in the plating process, the base end for later forming step.

그 후, 도 2b에서 볼 수 있는 바와 같이, 기판(100)의 상부에 포토레지스트 물질을 도포하고, 이를 일정 온도로 베이킹하여, 포토레지스트 층(200)을 형성하였다. Then, to form a photoresist layer 200, coating a photoresist material on top of the substrate 100, and baking it at a constant temperature, as can be seen in Figure 2b.

여기서, 포토레지스트 물질로는 노광되었을 때 노광된 부위 내의 폴리머의 결합 사슬이 끊어지는 물질인 양성 포토레지스트 물질, 또는 노광되었을 때 노광된 부위 내의 폴리머의 결합 사슬이 견고해지는 음성 포토레지스트 물질일 수 있다. Here, as a photoresist material may be a combined chain is robust becomes negative photoresist material when the exposure is that the coupling chain of the polymer in the exposed areas lose substance positive photoresist material, or polymer in the exposed regions when exposed . 이렇게 형성되는 포토레지스트 층(200)의 두께는 상면 단자(130)의 두께를 초과하는 것이 바람직하나 그 두께는 80 ㎛ 이하로 한다. Thus the thickness of the photoresist layer 200 is formed is preferably one that exceeds the thickness of the upper surface of the terminal 130 has a thickness of at most 80 ㎛.

이와 같이, 포토레지스트 층(200)이 형성되면, 마스크(도시 하지 않음)을 통해 기판의 상면단자(130)에 대응하는 부위 만을 선택적으로 노광시켜, 포토레지스트 층(200)의 노광된 부위의 포토레지스트 물질을 변질시키고, 변질된 부위만을 식각용액을 이용하여 선택적으로 제거한다. Thus, picture when the resist layer 200 is formed, the mask (not shown) picture of the exposed portion of only the selectively exposed photoresist layer 200, portions corresponding to the upper surface terminals 130 of the substrate through the the deterioration of the resist material and, selectively removing only the altered portion using an etching solution. 그 결과 포토레지스트 층(200)에서 도 2c에 도시된 바와 같이 상면단자(130)에 대응하는 부위(210) 만이 식각 제거되어 노출된다. As a result, the photoresist layer portions 210 corresponding to the upper surface of the terminal 130 as shown in Figure 2c in 200 million are exposed are etched to remove. 이러한 식각 방법으로는 특별한 제한이 없으며 상술된 습식 식각 방법 이외에도 건식 식각을 이용할 수 있다. In addition to this etching method it is not particularly limited the above-described wet etching method can be used for dry etching.

그 후, 식각 제거 부위(210)의 상부, 즉 상면 단자(130)의 상부에 전기 도금 방법에 따라 전도성 금속으로 충전하여 접촉층(220)을 형성한다. Then, the top of the etching removal part 210, that is, according to the electric plating method on top of the upper surface of the terminal (130) is filled with a conductive metal to form a contact layer 220. 이때, 바람직하게는 전도성 금속으로 주석(Sn)이 바람직하게 사용된다. In this case, preferably used tin (Sn) is preferably a conductive metal. 이와 같이 주석으로 이루어진 접촉층(220)은 비교적 저온에서도 용융되고, 그 접합력이 우수한 바 후속 공정에서 기단부(340)와 용이한 접착을 가능하게 한다. The contact layer 220 as consisting of tin is melted in a relatively low temperature, the bonding strength is to enable excellent bar proximal end 340 and the easy-adhesion in the subsequent steps.

그 후, 접촉층(220)의 상부에 접합 물질을 더 도포할 수 있다. Then, the adhesive material on top of the contact layer 220 may be further applied. 이러한 접합 물질은 추후 공정에서 접촉층(220)이 기단부(340)와 접합하는 것을 보조한다. Such adhesive material should assist the contact layer 220 is joined to the proximal end 340 in a later process.

다음으로, 희생 기판으로 실리콘 웨이퍼를 준비한 후, 도 3a에 도시된 바와 같이, 제조하고자 하는 프로브의 기단부의 높이에 대응하는 두께가 되도록 실리콘 웨이퍼를 연마 가공한다. Next, machining, after preparing the silicon wafer as a sacrificial substrate, as illustrated in Figure 3a, the polishing of a silicon wafer so as to have a thickness corresponding to the height of the base end of the probe to be manufactured. 이러한 연마 방법은 특별한 제한이 없으며 바람직하게는 화학 기계 연마(CMP)를 이용한다. This polishing method utilizes the not particularly limited preferably is chemical mechanical polishing (CMP). 본 발명에서 기단부의 높이는 특별히 제한되지 않으며, 바람직하게는 300㎛ 이상일 수 있다. The height of the base is not particularly limited in the present invention, it may preferably be 300㎛ or more. 이와 같이 본 발명에서는 그 두께가 목적하는 프로브카드용 프로브의 기단부의 높이를 초과하는 실리콘 웨이퍼를 연마하여 프로브의 기단부의 높이에 대응하도록 준비하므로, 종래 기술과 같이 프로브의 기단부의 높이를 맞추기 위해 포토레지스트 형성, 식각제거공정, 및 연마공정 등을 반복할 필요가 없게 된다. Thus, because the present invention, prepared so as to correspond to the height of the base end of the probe to polish the silicon wafer of a thickness exceeding the height of the base end of the probe card, the probe of interest, picture to match the height of the probe base end as in the prior art necessary to repeat the resist formation, etching removal process, and polishing process or the like is not.

본 발명의 실시예에서는 희생 기판(300)으로 실리콘 웨이퍼를 이용하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 희생 기판(300)은 프로브의 기단부의 높이에 대응하는 두께를 가지며 선택적으로 식각 제거될 수 있는 것이면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다. In the embodiment of the invention it has been shown using a silicon wafer as a sacrificial substrate 300, not limited to this, the sacrificial substrate 300 of the present invention may have removed selectively etched by a thickness corresponding to the height of the probe base end as long as it can be used without limitation.

그 후, 도 3b에 도시된 바와 같이, 이렇게 두께가 조절된 희생 기판(300)의 상부에 포토레지스트 층을 형성한 후, 프로브의 기단부에 대응하는 부위가 노출되도록 식각 제거하여 마스크 층(310)을 형성한다. Then, the, so after the thickness is formed in the upper photoresist layer of a controlled sacrificial substrate 300, the mask layer 310 by removing the etching such that region are exposed corresponding to the base end of the probe as shown in Figure 3b the form.

그후, 마스크(310)를 이용하여 희생 기판(300)이 관통될 때까지 통상의 활성 이온 식각 방법(deep reactive ion etching)을 수행하여 프로브의 기단부용 관통홀을 형성한다. Thereafter, performing a conventional active ion etching (deep reactive ion etching) until the using the mask 310 will be through the sacrificial substrate 300 to form a through-hole for the proximal end of the probe. 이러한 관통홀의 모양은 특별한 제한이 없으나, 바람직하게는 양측에 요(凹)부가 구비된 형태로 구비될 수 있다. Although there is no such a through-hole shape is no particular limitation, it is preferably be provided in the form required (凹) portion provided on both sides.

그리고, 이렇게 관통홀이 형성된 희생 기판(300)의 양면을 산화시켜 산화막(320)을 형성한다. And, oxidizing the surfaces of the thus formed with a through hole sacrificial substrate 300 to form the oxide film 320. 이러한 산화막은 추후 금속 도금 공정에서 절연막으로 이용된다. This oxide film is used as the insulating film in the subsequent metal plating process.

그 후, 도 3e에 도시된 바와 같이, 희생 기판(300)의 일면에 금속 플레이트(330)을 부착한다. Then, attach the metal plate 330 on a surface of a sacrificial substrate 300, as shown in Figure 3e. 이러한 금속 플레이트(330)의 부착은 포토레지스트 물질을 이용하여 핫 엠보싱 장치로 수행한다. Adhesion of metal plate 330 by using the photoresist material is performed by hot embossing apparatus.

이러한 금속 플레이트(330)는 전도성 금속 재질로 이루어지며, Ti이 바람직하게 사용된다. The metal plate 330 is made of a conductive metal material, it is used Ti are preferred. 금속 플레이트(330)는 그 두께가 4~5mm 정도인 것이 바람직하게 사용된다. Metal plate 330 is preferably used has a thickness of about 4 ~ 5mm.

그 후, 도 3f에 도시된 바와 같이, 금속 플레이트(330)를 전극으로 이용하여 상기 관통홀의 내부를 전기 도금 방법에 따라 전도성 금속으로 충전하여 기단부(340)를 형성한다. Then, to form the base end portion 340 by filling the interior of the through hole with a conductive metal in accordance with the electroplating method, using a metal plate 330 as an electrode, as shown in Figure 3f.

이때 기단부(340)의 형성을 위해 사용되는 전도성 금속으로는 탄성 및 전도 성이 우수한 금속이 사용되며, 바람직하게는 니켈 또는 니켈 합금, 구체적으로 니켈 코발트 합금 또는 니켈 철 합금이 바람직하게 사용된다. The conductive metal used for the formation of the base end portion 340 is resilient and conductive property are used and are excellent metal, preferably nickel or a nickel alloy, in particular nickel-cobalt alloy or a nickel iron alloy is preferably used. 이와 같이 본 발명의 한 실시예에 따른 기단부(340)는 탄성력이 우수한 금속으로 이루어지므로, 후술되는 프로브의 걸림부와 탄성 결합될 때 보다 강한 결합력으로 결합될 수 있게 한다. The base end portion 340 according to this manner an embodiment of the present invention allows the elastic force is made so as excellent metal, can be combined with a strong binding force than when the engaged portion of the probe, which will be described later and elasticity.

기단부(340)를 형성한 후, 도 3g에 도시된 바와 같이, 관통홀 외부로 돌출된 전도성 금속 부분을 화학 기계 연마(CMP) 등으로 갈아낸다. After forming the base end portion 340, as shown in Figure 3g, it produces a change of the conducting metal parts projecting into the through-hole external to the chemical mechanical polishing (CMP). 이때, 기단부(340)의 두께를 소정의 두께로 재차 조절할 수 있다. At this time, it is possible to re-adjust the thickness of the base end 340 to a desired thickness. 이러한 기단부(340)의 모양은 특별한 제한이 없으나, 바람직하게는 양측에 요(凹)부가 구비된 형태로 구비될 수 있다. The shape of the base end 340 Although there is no particular limitation, and preferably can be made is provided in a form having additional yaw (凹) on both sides.

그 후, 희생 기판(300)과 금속 플레이트(330)를 부착하는 포토레지스트 물질을 선택적으로 식각 제거하여 금속 플레이트(330)를 희생기판(300)으로부터 제거한다. Then, remove selectively etching the photoresist material to attach the sacrificial substrate 300 and the metal plate 330 to remove the metal plate (330) from the sacrificial substrate (300).

그후, 희생 기판(300)에서 금속 플레이트(330)가 제거된 면에 의해 노출된 기단부(340)의 돌출 부분을 화학 기계 연마(CMP) 등으로 갈아낸다. Then, it produces a change of the projecting portions of the base end portion 340 exposed by the surface of the metal plate 330 is removed from the sacrificial substrate 300, such as by chemical mechanical polishing (CMP). 그에 따라, 본 발명에 따르면, 희생기판(300)에 형성된 기단부(340)는 그 양면이 평탄하게 연마되게 된다. Thus, according to the present invention, the base end portion 340 formed on the sacrificial substrate 300 is flat so that both sides polished. 따라서, 후속 공정에서 프로브(600)의 삽입이 용이하게 된다. Accordingly, it becomes easy to insert the probe 600 in the subsequent steps.

그 후, 도 3에 의해 내부에 프로브의 기단부(340)가 형성된 실리콘 웨이퍼 희생 기판(300)을 도 2에 의해 준비된 기판(100) 상부에 정렬시킨후 서로 부착시킨다. Thereafter, attached to each other also after by 3 arranged on the upper substrate 100 prepared by the silicon wafer, a sacrificial substrate 300, the proximal end 340 of the probe formed in Fig. 2 therein.

이때, 도 4a에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 접촉층(220) 위에 희생 기 판(300)의 기단부(340)가 위치하여 서로 연통되도록, 희생기판(300)과 기판(100)의 위치를 정렬한다. At this time, of a sacrificial substrate 300 and the substrate 100 such that, to the base end portion 340 of the sacrificial exchanger plate 300 is positioned over the contact layer 220 of the substrate 100 communicate with each other as shown in Figure 4a Sort the position.

그후, 기판(100)의 접촉층(220)과 희생 기판(300)의 기단부(340)를 서로 가압하여 접합한다. Thereafter, the proximal end 340 of the contact layer 220 and the sacrificial substrate 300, the substrate 100 is bonded by pressure to each other.

이렇게 접합된 기단부(340)는 기판(100)의 상면 단자(130), 그리고 상면 단자와 연결된 배선부와 전기적으로 연결되게 된다. Thus joining the base end portion 340 is to be electrically connected to the wiring portion connected to the upper surface of the terminal 130, and the upper surface of the terminal board 100. 그리고, 접촉층(220)과 기단부(340)는 본 발명의 기단부(500)를 이루게 된다. Then, the contact layer 220 and the base end portion 340 is led to the proximal end 500 of the present invention.

그 후, 도 4b에서 볼 수 있는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼 희생기판(300)을 KOH와 같은 식각 용액으로 선택적으로 식각 제거한 후, 산화막(320) 및 포토레지스트 층(200)을 선택적으로 식각 제거한다. Is then removed, as can be seen in Figure 4b, selectively etching the after selective removal of etching the silicon wafer, a sacrificial substrate 300, the etching solution such as KOH, the oxide film 320 and photoresist layer 200. 이때 식각 용제로 아세톤 등의 알카리 용제가 바람직하게 사용된다. In this case it is used the alkaline solvent, such as acetone, preferably as an etching solution.

그리고, 도 4b에서 볼 수 있는 바와 같이, 도금 공정에서 전극으로 이용된 금속 막(110)을 제거하여 프로브 카드용 프로브의 기단부(500)가 형성된 기판(100)을 준비한다. And, to prepare a substrate 100, a proximal end 500 of the probe card, the probe is formed by removing the metal film 110 used as electrodes in the plating process, as can be seen in Figure 4b.

한편, 이렇게 형성된 프로브의 기단부(500)에 의해 고정될 프로브의 몸체부를 별도로 준비한다. On the other hand, it is prepared separately from the base end of the thus formed probes 500 of the probe body is secured by the parts. 이렇게 준비되는 프로브의 몸체부(이하, 단순히 프로브라고도 한다)는 본 발명의 실시예에서는 멤스(MEMS)와 같은 반도체 공정에 따라 평면 모양 즉 2차원적 형상을 갖추도록 하는 것이 바람직하다. To do this (hereinafter, also referred to as simply probe) the body of the probe to be prepared is preferably a way to have a plane shape that is two-dimensional shape according to the semiconductor process, such as a MEMS (MEMS) in the embodiment of the present invention. 이러한 프로브 제조 방법은 통상적인 반도체 공정에서 이루어지는 방법으로 수행될 수 있으므로 여기서는 구체적인 설명은 생략하기로 한다. Such a probe manufacturing method can be carried out in a way formed in a conventional semiconductor manufacturing process in this case a detailed description thereof will be omitted.

이렇게 2차원적 형상을 가지는 프로브가 준비되면, 도 5에 도시된 바와 같이, 프로브(600)을 기단부(500)에 끼워 고정하게 된다. When this two-dimensional shape having a probe is prepared, is a stationary into the probe 600 to the base 500 as shown in Fig. 이때, 기단부(500)는 프로브와 기판(100)의 상면 단자(130)를 서로 전기적으로 연결하게 된다. At this time, the base end portion 500 is electrically connected to each other, a top terminal (130) of the probe and the substrate 100. 본 발명에서, 기단부(500)는 대응하는 프로브의 형상에 따라 적합한 높이로 형성되는 것이 바람직하다. In the present invention, the base end portion 500 is preferably formed of a suitable height depending on the shape of the corresponding probes.

이렇게 형성된 기단부(500)에 별도로 2차원 멤스 방법으로 형성된 프로브(600)를 도 5에 도시된 바와 같이 결합 고정하여 프로브 카드를 형성하게 된다. This combination formed as a probe (600) separately formed in a two-dimensional MEMS way to the proximal end 500 shown in Fig. 5 fixed to form the probe card.

이러한 프로브(600)는 기단부(500)의 양 측면에 탄성력으로 단단히 결합되도록 2개 이상의 다리로 구성된 걸림부를 가지는 형태로 형성된다. The probe 600 is formed of a retaining portion having a form configured by two or more legs to be firmly bonded to the elastic force on both sides of the base 500. The 이러한 걸림부의 2개의 다리 사이에는 빈공간이 형성되는 것이 더욱 바람직한데, 이러한 형상으로 걸림부는 그 빈공간 방향으로 탄성력을 갖게 된다. The engaging portion between the two legs together is more preferable, an empty space is formed, will have an elastic force in a direction of the free space portion engaging with such a shape. 따라서, 걸림부를 갖는 프로브(600)의 다리가 기단부(500)의 양 측면에 결합되면 프로브(600)는 걸림부의 탄성력으로 인해 기판(100)의 기단부(500)로부터 용이하게 분리되지 않게 된다. Therefore, when the legs of the probe 600 with engaging an engaging portion on both sides of the base end portion 500, the probe 600 is not due to the engaging parts of the elastic force is not easily separated from the base end portion 500 of the substrate 100. 그러나, 프로브(600)의 형태는 도 5에 도시된 것에 의해 제한되는 것은 아니며, 발명의 목적에 따라 적절하게 변형될 수 있다. However, the form of the probe 600 is not limited by that shown in Figure 5, can be appropriately modified depending on the purpose of the invention.

본 발명의 실시예에서 기단부(500)는 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 일례로 기단부(500))의 양 측면에 프로브와의 결합이 용이하도록 요(凹)부가 형성될 수 있다. Proximal end 500. In the embodiment of the present invention can be can be formed into various shapes, requires additional (凹) to facilitate bonding to the probe on each side of the base end portion 500) is formed as an example. 이와 같이 기단부(500)의 양 측면에 요부가 형성되면, 도 5에 도시된 바와 같이, 프로브의 걸림부의 양 다리가 기단부(500)의 양 측면의 한쌍의 요부에 단단히 결합될 수 있게 된다. When thus forming the main portion on either side of the base end portion 500, as shown in Figure 5, the two leg portions of the engaging probe is able to be securely coupled to the pair of main portion of each side of the base end portion 500. The 다른예로서, 기단부(500)는 그 내부에 공간을 가지도 록 ㅁ 자 형태로 형성될 수 있으며, 이 경우 프로브(600)는 기단부(600)의 내부 공간에 삽입되며, 프로브(600)의 걸림부는 기단부(600)의 내부 공간에 탄성력으로 단단히 결합되게 된다. As another example, the proximal end 500 is also of the space therein may be formed of rock Wh-shape, in which case the probe 600 is inserted into the inner space of the base end portion 600, engagement of the probe 600 portion is to be tightly coupled to the elastic force of the inner space of the base 600. the 도 5에서는 편의상 하나의 프로브(600)가 하나의 기단부(500)에 결합되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 실제 프로브 카드에서는 복수개의 프로브(600)가 복수개의 기단부(500)에 각각 결합되어 프로브 카드를 구성하게 된다. In Figure 5 are illustrated as being coupled to the convenience one probe 600 is a proximal end 500, a plurality of probes 600 in the actual probe card is respectively coupled to a plurality of base end 500 is a probe card It is configured.

한편, 복수의 기단부(500)가 형성된 기판(100)에 복수의 프로브(600)를 동시에 고정하기 위해, 본 발명의 프로브카드는 복수의 프로브(600)가 복수의 기단부(500)에 대응하는 위치에 미리 삽입되어 고정되어 있는 별도의 고정 기판(도시하지 않음)을 이용할 수 있다. On the other hand, in order to secure the plurality of probes (600) are used in the substrate 100, a plurality of base end 500 is formed, the probe card of the present invention is a position corresponding to the probes 600, a plurality of proximal ends 500, separate fixed substrate which is fixed in advance inserted may be used (not shown). 이 경우, 본 발명의 프로브 카드는 복수의 기단부(500)가 형성된 기판(100) 상에 복수의 프로브(600)가 고정되어 있는 상기 고정 기판을 정렬하여 고정함으로써 완성된다. In this case, the probe card of the present invention is completed by fixing the alignment of the fixing substrate with a plurality of probes 600 are fixed on the substrate 100, a plurality of base end 500 is formed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 첨부된 특허 청구 범위에 속하는 것은 당연하다. The In has been described with a preferred embodiment of the invention, the invention can be carried out in various modifications as within the spirit scope of the invention not limited thereto, and this also is natural that belong to the following claims Do.

도 1은 종래의 프로브 카드 제조 방법에 따라 제조된 프로브 카드를 개략적으로 보여준다. Figure 1 shows a probe card prepared according to the conventional probe card manufacturing method As shown in Fig.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드의 제조방법중 기판 준비 단계를 개략적으로 보여준다. Figure 2a to 2d shows a substrate preparation step of the method for manufacturing a probe card in accordance with an embodiment of the invention.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드의 제조방법중 희생 기판 준비 단계를 개략적으로 보여준다. Figures 3a-3g show the sacrificial substrate preparation step in the method for manufacturing a probe card in accordance with an embodiment of the invention.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드의 제조방법중 프로브의 기단부 형성 단계를 개략적으로 보여준다. Figures 4a and 4b schematically shows the proximal end of the probe forming step of the method for manufacturing a probe card in accordance with an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따라 제조된 프로브 카드의 단면을 개략적으로 보여준다. Figure 5 schematically shows a cross-section of the probe card made according to one embodiment of the present invention.

Claims (10)

  1. 내부에 복수의 배선부, 및 상기 복수의 배선부의 일단에 각각 전기적으로 연결되며 상부에 부착되어 있는 복수의 상면 단자가 구비되어 있는 기판을 준비하는 단계; A plurality of wiring portions therein, and are each electrically connected to one end of the plurality of the interconnection portion is a step of preparing a substrate which is provided with a plurality of the upper surface of the terminal that is attached to the top;
    희생 기판을 준비하고, 상기 희생 기판상에 상기 복수의 상면 단자에 대응하는 위치에 각각 대응하도록 복수의 관통홀을 형성하는 단계; Forming a plurality of through-holes so as to correspond to the positions corresponding to the plurality of terminals on the upper surface of the prepared sacrificial substrate, the sacrificial substrate;
    상기 희생 기판의 일측에 금속 플레이트를 부착시키는 단계; Attaching a metal plate on one side of the sacrificial substrate;
    상기 금속 플레이트를 이용하여 상기 복수의 관통홀에 전도성 금속을 도입하여 복수의 기단부를 형성하는 단계; Forming a plurality of the base by introducing a conductive metal into the plurality of through-holes by using the metal plate;
    상기 복수의 기단부가 상기 복수의 상면 단자에 각각 대응하도록 상기 희생 기판을 상기 기판의 상부에 부착시키는 단계; Attaching the sacrificial substrate on which the plurality of the base end so as to respectively correspond to the plurality of terminals on the top surface of the upper substrate; And
    상기 희생 기판을 제거하고, 상기 복수의 기단부에 별도로 형성된 복수의 프로브를 결합 고정하는 단계; And removing the sacrificial substrate and fixedly connected to the probes is formed separately on the plurality of the base;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법. The probe card manufacturing method comprising: a.
  2. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 기단부의 높이가 300㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법. The probe card production method, characterized in that the height of the base end than 300㎛.
  3. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 복수의 상면 단자의 상부에 전도성 금속으로 접촉층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법. The probe card manufacturing method according to claim 1, further comprising forming a contact layer on the upper surface of the plurality of terminals with a conductive metal.
  4. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 복수의 프로브의 일측에 두개 이상의 다리로 구성된 걸림부가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법. The probe card manufacturing method characterized in that it is provided with engaging portion consisting of two or more legs on one side of the plurality of probes.
  5. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 복수의 프로브의 걸림부가 상기 복수의 기단부에 각각 탄성 결합되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법. The probe card production method, characterized in that additional locking of said plurality of probes in which each elastically coupled to the plurality of the base end.
  6. 제5항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    상기 복수의 기단부의 양측에 요(凹)부가 형성되어 있어, 상기 복수의 프로브의 걸림부가 상기 요부에 결합되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법. In both sides of the plurality of the base end is formed in addition yaw (凹), the probe card production method, characterized in that additional locking of said plurality of probes coupled to the main body portion.
  7. 제5항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    상기 복수의 기단부의 내측에 ㅁ 자형 내부 공간이 형성되어 있어, 상기 복수의 프로브의 걸림부가 상기 내부 공간에 결합되는 것을 특징으로 하는 상기 프로 브 카드 제조 방법. It is the wh-shaped inner space formed inside the plurality of the base end, the probe card production method, characterized in that additional locking of said plurality of probes coupled to the interior space.
  8. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 복수의 프로브를 준비하는 단계; Preparing a plurality of probes; And
    상기 복수의 프로브를 고정기판을 통해 상기 복수의 기단부에 대응하는 위치에 고정시키는 단계; The step of fixing the substrate through the plurality of probes fixed to a position corresponding to the plurality of the base;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법. A method of producing a probe card according to claim 1, further comprising.
  9. 제1항에 있어서 The method of claim 1, wherein
    상기 전도성 금속이 니켈, 니켈 코발트 합금 또는 니켈 철 합금인 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법. The method for manufacturing a probe card in which the conducting metal, characterized in that the nickel, nickel-cobalt alloy or a nickel iron alloy.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서 The method according to any one of the preceding claims
    상기 희생 기판이 실리콘 웨이퍼로 이루어진 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법. The probe card manufacturing method is characterized in that the sacrificial substrate made of a silicon wafer.
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