KR100824171B1 - 새로운 박막 특성을 획득하기 위한 ｐｅｃｖｄ 방전 소스의전력 및 전력 관련 함수의 변조 방법 및 시스템 - Google Patents

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Abstract

화학 기상 증착 공정 동안 박막을 생성하는 방법이 개시된다. 일 실시예는 제1 펄스 진폭을 가지는 제1 전기 펄스를 생성하는 단계, 상기 제1 전기 펄스를 사용하여 제1 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계, 상기 제1 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스를 해리하여 제1 증착 물질을 생성하는 단계, 상기 제1 증착 물질을 기판 상에 증착하는 단계, 상기 제1 펄스 진폭과는 상이한 제2 펄스 진폭을 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계, 상기 제2 전기 펄스를 사용하여 제2 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계, 상기 제2 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스를 해리하여 제2 증착 물질을 생성하는 단계, 및 복수의 상기 제2 증착 물질을 상기 제1 증착 물질 상에 증착하는 단계를 포함한다.
화학 기상 증착(CVD), 플라스마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 펄스 폭 변조(PWM), 펄스 진폭 변조(PAM)

Description

새로운 박막 특성을 획득하기 위한 ＰＥＣＶＤ 방전 소스의 전력 및 전력 관련 함수의 변조 방법 및 시스템{SYSTEM AND METHOD FOR MODULATION OF POWER AND POWER RELATED FUNCTIONS OF PECVD DISCHARGE SOURCES TO ACHIEVE NEW FILM PROPERTIES}
첨부된 도면과 함께 이하의 발명의 상세한 설명과 첨부된 특허청구범위를 참조하여 본 발명의 다양한 목적 및 장점이 명백해지고 본 발명을 더 잘 이해할 수 있다.
도 1은 PECVD 시스템의 일 유형을 도시한 도면.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 PECVD 시스템용 전력 공급 장치를 도시한 도면.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 PECVD 시스템용 전력 공급 장치의 대체 도면.
도 3은 펄스 폭 변조된(pulse-width modulated) 전력 신호의 일례를 도시한 도면.
도 4는 펄스 진폭 변조된(pulse-amplitude modulated) 전력 신호의 일례를 도시한 도면.
도 5는 주파수 변조된 전력 신호의 일례를 도시한 도면.
도 6a는 펄스 폭 변조를 이용하여 형성된 구배 박막(gradient film)의 일례를 도시한 도면.
도 6b는 펄스 폭 변조를 이용하여 형성된 다층 구배 박막의 일례를 도시한 도면.
도 7a는 펄스 진폭 변조를 이용하여 형성된 구배 박막의 일례를 도시한 도면.
도 7b는 펄스 진폭 변조를 이용하여 형성된 다층 구배 박막의 일례를 도시한 도면.
도 8a-8d는 펄스 폭 변조된 전력 신호를 이용한 시간에 따른 다층 구배 박막의 성장을 도시한 도면.
본 발명은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)을 위한 전력 공급 장치, 시스템 및 방법에 관한 것이다.
화학 기상 증착(CVD)은 화학물질을 기체 또는 증기 상태에서 반응시켜 기판 상에 박막을 증착시켜 박막을 형성하는 공정이다. CVD에 이용되는 기체 또는 증기는 박막을 증착하기 위해 기판 또는 다른 기체와 반응하도록 유도될 수 있고 증착될 원소를 포함하는 기체 또는 화합물이다. CVD 반응은 열적으로 활성화되거나(thermally activated), 플라스마 유도되거나(plasma induced), 플라스마 강화되 거나(plasma enhanced), 광자 유도 시스템에서 빛에 의하여 활성화될 수 있다.
CVD는 반도체 산업에서 웨이퍼를 만드는데 널리 사용된다. 또한, CVD는 유리와 폴리카보네이트 판과 같은 큰 기판을 코팅하는데에도 사용될 수 있다. 예를 들어, 플라스마 강화 CVD(PECVD)는 큰 광발전 판(photovoltaic sheet), LCD 스크린 및 자동차용 폴리카보네이트 창을 만드는데 있어서 유망한 기술 중 하나이다.
도 1은 현재 2.5 미터의 폭에 이르는 대규모 증착 공정에 있어서 전형적인 PECVD 시스템(100)의 안이 보이도록 외부의 일부를 잘라낸 그림을 도시하고 있다. 이 시스템은 진공 체임버(vacuum chamber; 105)를 포함하며, 진공 체임버(105)의 두 개의 벽만이 도시되어 있다. 진공 체임버(105)는 선형 방전관(linear discharge tube; 110)을 수용한다. 선형 방전관(110)은 마이크로파 신호 또는 기타 신호를 진공 체임버(105)로 전달하도록 구성된 내부 도체(inner conductor; 115)로 형성된다. 이 마이크로파 전력은 선형 방전 안테나(115)로부터 외부로 방출되고, 지지 기체관(support gas tube; 120)을 통해 도입된 주변 지지 기체(120)를 연소시킨다(ignite). 이러한 연소된 기체는 플라스마이며, 일반적으로 선형 방전관(110)에 인접한다. 플라스마와 전자기 방사에 의해 생성된 라디칼(radical)은 피드스톡 가스관(feedstock gas tube; 125)을 통해 도입된 피드스톡 가스(130)를 해리하여, 피드스톡 가스를 분해하여 새로운 분자를 형성한다. 해리 과정 동안 형성된 어떤 분자는 기판(135) 상에 증착된다. 해리 과정에 의하여 형성된 다른 분자는, 기판 상에 증착되려는 경향이 있기는 하나, 폐기되고 배출구(도시되지 않음)를 통해 제거된다. 이러한 해리 과정은 플라스마를 생성하는데 사용되는 전력의 양에 크게 민감하다.
일부 실시예에 따르면, 기판(135)은 정적으로(statically) 코팅될 수 있으나, 넓은 기판 표면 영역을 신속하게 코팅하기 위하여, 기판 캐리어(substrate carrier; 도시되지 않음)가 일정 속도로 진공 체임버(105)를 통해 기판(135)을 이동시킨다. 기판(135)이 진공 체임버(105)를 통해 이동함에 따라, 해리는 일정한 속도로 계속되고, 해리된 피드 기체(feed gas)로부터의 타겟 분자는 기판 상에 이론적으로 증착되어, 기판 상에 균일한 박막을 형성한다. 그러나, 다양한 실제적 요인 때문에, 이 공정에 의하여 형성된 박막이 언제나 균일한 것은 아니다.
플라스마 강화 화학적 증기 소스(plasma enhanced chemical vapor source)를 이용하여 증착된 비도전성 및 도전성 박막은 다양한 유형의 전력 공급원 및 시스템 구성으로 획득될 수 있다. 대부분의 이러한 소스는 여기된 플라스마 종(excited plasma species)을 생성하기 위해 마이크로파, 전파(RF), 고주파(HF), 또는 초고주파(VHF) 에너지를 이용한다.
당업자라면, PECVD의 소정의 공정 조건 및 시스템 구성에 있어서, 생성되는 라디칼화된 플라스마 종(radicalized plasma species)의 밀도에 가장 큰 영향을 미치는 요인이 플라스마 방전으로 도입되는 평균 전력임을 알 것이다. 이러한 라디칼화된 플라스마 종은 피드스톡 가스의 해리의 원인이 된다. 전형적인 PECVD 공정에 있어서, 플라스마로부터 생성된 라디칼화된 종의 필요한 밀도는 모든 유기 물질을 완전히 전환하는데 필요한 밀도보다 커야 한다. 펌핑 손실(pumping loss), 재 결합 손실(recombination loss), 전구체 물질(precursor material)의 플라스마 분해 공정, 박막 증착 공정에서의 소모(consumption)와 같은 요인이 고려되어야 한다.
전력 유형, 구성 및 이용되는 물질에 따라, 라디칼화된 플라스마 종의 필요한 밀도를 생성하는데 요구되는 전력 수준은 기판을 물리적 한계 이상으로 과도하게 가열하여 박막과 기판을 사용할 수 없게 만들 수 있다. 이는 주로 폴리머 물질의 낮은 용융점 때문에 폴리머 물질 기판에서 일어난다.
기판의 열 부하(heat loading)를 감소시키기 위해, 펄스 사이에 시간 간격(off times)을 가지고 플라스마에 고전력 펄스를 발생시키는 방법이 사용될 수 있다. 이 방법은, 다른 형태의 전자기 방사의 감소를 통해 기판의 순간적 및 계속적인 가열을 감소시키나, 짧은 고에너지 펄스 동안 플라스마가 박막 증착 공정에 필요한 라디칼화된 종의 포화(saturation)에 이르게 하고 손실을 발생시킨다.
박막 특성 요건은 소스(source)의 충격 계수(duty cycle), 펄스 주파수 및 전력 수준을 포함하는 증착 공정 조건을 설정함으로써 얻어진다. 요구되는 박막 특성을 얻기 위하여, 증착된 박막의 구조 및 구조적 함량(structral content)이 제어되어야 한다. 박막 특성은 (기타 중요한 공정 파라미터들 중에서) 라디칼 종 함량을 변화시킴으로써 제어될 수 있으며, 전술한 바와 같이, 라디칼 밀도는 주로 플라스마 방전으로의 평균 및 최대 전력 수준에 의해 제어된다.
여러 중요한 박막 특성을 획득하고 일부 유형의 기판으로의 접착을 개선시키기 위해, 박막 유기 함량이 정교하게 제어되거나, 가능한 한 함량이 전체 박막 두 께에 걸쳐 구배(gradient)의 형태이어야 한다. 특정 공정 파라미터만 제어할 수 있는 현재 기술로는 이러한 정교한 제어를 달성할 수 없다. 예를 들어, 현재 기술은 통상적으로 다른 공정 조건을 가지는 다수의 소스와 체임버에 의하거나 수동으로 증착 조건을 변경하고, 구배 유형의 스택(stack)을 얻을 때까지 박막 스택에 단(step)을 만드는 것으로 이루어진다. 주로 전구체 증기 함량, 시스템 압력, 및/또는 전력 수준이 1회 또는 다수회 층의 스택을 성장시키는데 사용된다. 이러한 방법은 기껏해야 기본적인 것이며, 정교한 제어를 가능하게 하지는 않는다. 따라서, 기존 기술의 이러한 문제 및 기타 문제를 처리하기 위해 새로운 시스템 및 방법이 필요하다.
도면에 도시된 본 발명의 예시적인 실시예들이 이하에서 요약된다. 이러한 실시예들 및 기타 실시예들은 이하에서 더 상세히 설명될 것이다. 그러나, 발명의 상세한 설명에서 기술된 형태로 발명을 한정하려는 의도가 없음을 이해하여야 할 것이다. 당업자라면 특허청구범위에서 표현된 발명의 범위 및 사상을 벗어나지 않고 다양한 변경, 등가물 및 대체 구성이 존재함을 알 수 있다.
일 실시예는 제1 펄스 진폭을 가지는 제1 전기 펄스를 생성하는 단계, 상기 제1 전기 펄스를 사용하여 제1 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계, 상기 제1 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스를 해리하여 제1 증착 물질을 생성하는 단계, 상기 제1 증착 물질을 기판 상에 증착하는 단계, 상기 제1 펄스 진폭과는 상이한 제2 펄스 진폭을 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계, 상기 제2 전기 펄스를 사용하여 제2 밀도의 라디칼화된 종을 생성하 는 단계, 상기 제2 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스를 해리하여 제2 증착 물질을 생성하는 단계, 및 복수의 상기 제2 증착 물질을 상기 제1 증착 물질 상에 증착하는 단계를 포함한다.
일부 PECVD 공정에서 전형적인 라디칼 수명(라디칼 종의 소모 및 손실 시간)은 잔여 라디칼 밀도가 박막의 증착 및 손실 메커니즘에 의해 점진적으로 소모되는 동안 플라스마의 오프 타임(off time)이 존재할 수 있도록 충분히 길다. 따라서, 플라스마의 이러한 온 타임(on time) 및 오프 타임 동안 전체 라디칼 밀도를 제어함으로써, 박막의 전체 층 특성 뿐만 아니라 박막의 화학적 성질이 변경될 수 있다.
플라스마로의 전력 수준, 플라스마의 온 타임과 전력 펄스 사이의 타이밍을 변조함으로써, 사용자는 PECVD에서 이전에 얻을 수 없었던 박막을 만들 수 있다. 이 층들은 각각의 층 사이에 다양한 특성을 가지는 수백 내지 수천의 마이크로층의 다중 스택(multiple stack) 또는 단일 구배층(single gradient layer)일 수 있다. 두 공정 모두 고유한 박막을 생성할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따라 구성된 시스템을 도시하고 있다. 이 시스템은 펄스 제어기(145)에 의해 제어 가능한 DC 소스(140)를 포함한다. 용어 "DC 소스" 및 "DC 전원 공급 장치"는 선형 증폭기, 비선형 증폭기를 사용하거나 증폭기를 사용하지 않는 전원 공급 장치를 포함하는 임의의 유형의 전원 공급 장치를 의미한다. DC 소스(140)는 마그네트론(magnetron; 150)에 전력을 공급하며, 마그 네트론(150)은 선형 방전관(도시되지 않음) 내의 내부 도체를 구동하는 마이크로파 또는 기타 에너지파를 생성한다. 펄스 제어기(145)는 DC 펄스의 모양을 컨투어링 하고(contour), 충격 계수, 주파수 및 진폭과 같은 펄스 특성에 대한 설정값(set point)을 조정할 수 있다. DC 펄스의 모양을 컨투어링 하는 과정은, 공동으로 소유 및 양도된 대리인 문서 정리 번호 APPL-008/00US "마이크로파 선형 방전 소스의 전력 함수 램핑을 위한 방법 및 시스템(SYSTEM AND METHOD FOR POWER FUNCTION RAMPING OF MICROWAVE LINEAR DISCHARGE SOURCES)"에서 설명되며, 이는 본 명세서에 참조로 반영되어 있다.
또한, 펄스 제어기(145)는 PECVD 장치의 동작 동안 마그네트론(150)을 구동하는 에너지 신호 또는 DC 펄스를 변조하도록 구성된다. 일부 실시예에 따르면, 펄스 제어기(145)는 마그네트론(150)을 구동하는 신호만을 변조하도록 구성될 수 있다. 그러나, 다른 실시예에 따르면, DC 펄스를 변조함으로써, 플라스마로의 전력 수준이 변조될 수 있으며, 따라서 사용자가 라디칼 밀도를 제어하고 이전의 PECVD에서 얻을 수 없었던 박막을 만드는 것을 가능하게 한다. 이 시스템은 서로 간에 다양한 특성을 가지는 수백 내지 수천의 마이크로층의 다중 스택 또는 가변성의 단일 구배층을 형성하는데 사용될 수 있다.
도 2b는 전원 공급 장치의 대체 실시예를 도시하고 있다. 이 실시예는 임의 파형 생성기(arbitrary waveform generator; 141), 증폭기(142), 펄스 제어기(145), 마그네트론(150), 및 플라스마 소스 안테나(152)를 포함한다. 동작 중에, 임의 파형 생성기(141)는 실질적으로 임의의 형태가 될 수 있는 파형 및 대응 하는 전압을 생성한다. 이후, 증폭기(142)는 임의 파형 생성기로부터의 전압을 이용 가능한 양으로 증폭한다. 마이크로파 생성기(예컨대, 마그네트론(150))의 경우, 신호는 +/-5VDC에서 5,000VDC로 증폭될 수 있다. 이후, 고전압 시그너처(signature)가 고주파 생성기인 마그네트론(150)에 인가된다. 마그네트론(150)은 원래 생성된 전압 시그너처에 기초하여 변화된 진폭 및/또는 주파수를 가지는 전력 출력 캐리어(power output carrier)를 (이 경우 2.45GHz에서) 생성한다. 마지막으로, 마그네트론으로부터의 출력이 소스(152)에 인가되어 전력 변조된 플라스마를 생성한다.
신호 변조는 펄스 제어기(145)에 의하여 임의 파형 생성기(141)로 인가될 수 있다. 신호 변조는 다양한 분야에서 공지된 공정이며, 가장 잘 알려진 것은 FM(주파수 변조) 및 AM(진폭 변조) 라디오이다. 그러나, 이전에는 PECVD 동안 층을 생성하고 박막 특성을 제어하는데 변조가 사용되지는 않았다. 파형 전압 수준, 충격 계수 또는 주파수에 가해질 수 있는 다수의 변조 형태가 존재하나, 이하에서는 소수만이 기술된다. 당업자라면 다른 방법들도 알 것이다. 변조가 단순히 소스로의 전력 신호의 전력 또는 충격 계수를 증가 또는 감소시키는 것과는 다름을 주의하여야 한다.
도 3은 시간에 따라 펄스 폭을 변화시키는 펄스 폭 변조를 도시하고 있다. 펄스 폭 변조에 따르면, 데이터의 샘플의 값은 펄스의 길이에 의해 나타내어진다.
도 4는 메시지 정보가 일련의 신호 펄스의 진폭으로 인코딩된 신호 변조의 형태인 펄스 진폭 변조를 도시하고 있다. 플라스마 소스의 경우, 전압, 전류 또는 전력 수준이 어떠한 퍼센티지가 요구되더라도 진폭 변조될 수 있다.
도 5는 입력 신호에 따라 순간 주파수를 변화시킴으로써 반송파(carrier wave)로 아날로그 또는 디지털 형태로 정보를 인코딩하는 주파수 변조(FM)를 도시하고 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 이들은 펄스 폭 변조 및 펄스 진폭 변조의 두 가지 상이한 형태의 변조로 생성될 수 있는 다층 박막의 두 가지 예를 도시하고 있다. 이 도면들은 기판 상에 증착된 박막 층과, 이에 대응하는, 플라스마를 생성하는데 사용된 변조된 전력 신호를 도시하고 있다. 전력 신호가 증착 과정 동안 변조되며, 이는 증착 과정 동안 변화하지 않는 초기 설정값을 설정하고 방치하는 것과는 다름을 주의하여야 한다.
먼저 도 6a를 참조하면, 이는 펄스 폭 변조에 의하여 생성된 가변성 박막(variable film; 157)을 도시하고 있다. 이 실시예에 따르면, 짧은 펄스 폭과 긴 펄스 폭 사이의 주기가 비교적 길다. 이러한 긴 주기는 기판 상에 가변성 구배 코팅(variable-gradient coating)을 생성하는데, 이는 두께에 따라 기판 이웃에 위치한 가요성의 유기 실리콘(organo-silicon) 박막에서 강성의 밀한 SiO2 또는 SiOxNy 박막으로 변화한다. 이 공정에 의해 생성된 박막은 기판으로부터 연장될수록 더 단단해지고 강해진다.
이러한 단일 가변성 구배층은, 박막의 부드러운 가요성 부분이 밀한 강성 부분보다 기판에 더 잘 결합하기 때문에 유리하다. 따라서, 펄스 폭 변조는, 박막이 기판과 잘 결합하고, 스크래치에 견디고 양호한 장벽 특성(barrier property)을 가 지는 경화된 외부를 가지도록 한다. 이러한 유형의 박막은 변조된 전력 신호 없이는 효율적으로 생성될 수 없다.
전력 신호의 변조를 변화시킴으로써, 다층 구배 코팅은 기판 상에 증착될 수 있다. 도 6b는 이러한 유형의 기판과 박막(160)을 도시하고 있다. 이 실시예에 따르면, 짧은 펄스 폭과 긴 펄스 폭 사이의 주기가 비교적 짧아, 다중의 층을 생성한다. 이러한 개별적인 층들은, 도 6a의 단일 구배층과 같은 정도로, 단일 층 내에서 덜 밀한 정도로부터 더 밀한 정도로 변화할 수 있다.
이 실시예에 따르면, 덜 밀한 유기 실리콘 층이 기판 상에 처음 증착된다. 이러한 유형의 층은 기판과 가장 잘 결합한다. 다음 층은 약간 더 밀하며, 세번째 층은 거의 순수한 SiO2 또는 SiOxNy 층으로서 매우 밀하고 단단하다. 펄스 폭이 더 짧은 펄스 폭으로 변조됨에 따라, 다음 층은 다시 바로 아래의 밀한 층에 쉽게 결합하는 덜 밀한 유기 실리콘 층이다. 이러한 주기는 수백회 또는 수천회 반복되어, 매우 단단하고, 탄력 있고, 양호한 장벽 특성을 가지는 다층 구배 박막을 생성할 수 있다. 또한, 이러한 박막은 최소한의 열과 최소한의 기판 손상으로 생성될 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 도 6a 및 도 6b에 도시된 것과 유사한 또 다른 일련의 박막을 도시하고 있다. 그러나, 이 박막은 펄스 진폭 변조를 이용하여 생성된다. 또한, 변조 기술을 이용하여 단일 구배 박막(165) 또는 다층 구배 박막(170)이 생성될 수 있다. 이러한 공정은 대부분의 임의의 전구체에 대하여 작용하며, 실리콘 기반 화합물에 한정되지 않음을 주의하여야 한다.
기타 변조 기술로 다양한 박막이 만들어질 수 있다. 실제로, 시간에 관하여 전자기 방사 및 라디칼 종 밀도를 효과적으로 제어하기 위해 구현될 수 있는 다수의 변조 기술이 존재하며, PWM(펄스 폭 변조), PAM(펄스 진폭 변조), PPM(펄스 위치 변조), AM(진폭 변조), FM(주파수 변조) 등이 포함된다. 또한, 이러한 기술들은 초기 전력이나 충격 계수를 설정하는 것보다는 박막 증착 동안 전력 신호를 변조하는 것을 포함한다.
도 8a 내지 도 8d를 참조하면, 이들은 펄스 폭 변조 및 SiO2 및/또는 SiOxNy의 박막 특성에 펄스 폭 변조가 미칠 수 있는 영향의 일례를 도시하고 있다. 플라스마로의 단기 평균 전력을 증가 또는 감소시키기 위하여 사인파 신호가 고정된 최대 전력 수준에서 펄스 주파수를 구동하도록 사용된다. 도시된 사인파는 구동 신호이며, 전력을 나타낸다.
도 8a의 시작 부분(왼쪽)에서, 변조는 플라스마의 온 타임을 증가시키고 오프 타임을 감소시킴으로써 소정의 시간 간격당 전력 수준을 증가시켜, 플라스마의 순간 라디칼 밀도 및 전자기 성분을 증가시킨다. 이 공정은 모든 물질이 전환 및 증착되고 새로운 물질이 성장하는 박막 스택 SiO2 또는 SiOxNy에 대하여 지배적인 제공자(contributor)가 될 때까지 라디칼 밀도를 증가시킨다. 도 8b는 이러한 상태 동안 기판 주위에 형성된 밀한 층을 도시하고 있다.
구동 신호의 중앙에서, 온 타임은 구동 신호의 최저값에 위치하고 오프 타임은 최고값에 위치한다. 이 효과는 모든 물질이 소모되고 전구체 물질이 다시 성장하는 박막 스택에 대한 지배적인 제공자가 될 때까지 순간 라디칼 밀도를 감소시킨 다. 도 8c는 제2 상태 동안 형성되는 덜 밀하고 더 유기적인 층을 도시하고 있다. 이 층은 제1 층 상에 증착된다.
마지막으로, 파형의 마지막 부분에서, 공정은 파형의 첫번째 부분에서와 같은 라디칼 밀도의 포화로 되돌아간다. 이 상태는 경화되고 밀한 층을 증착한다. 도 8d는 제2 층 상에 증착된 밀한 제3 층을 도시하고 있다. 따라서, 3개의 상태가 2개의 단단하고 밀한 층 사이에 유기 물질의 중간층을 남김으로써, 전체 박막 스택이 가요성을 가지게 한다.
이러한 변조 기술들은 직렬(inline) 또는 동적(dynamic) 증착 공정 동안 사용될 수 있다. 동적 증착 공정으로 이러한 변조 기술들을 이용함으로써, LCD 디스플레이와 같은 응용에서 배향층(alignment layer)을 생성하는 것이 가능하며, 이로써 현재 사용되고 있는 폴리마이드층(polymide layer)을 대체할 수 있다.
본 발명은 사용자가 과거에는 가능하지 않았던 확장된 박막 특성 및 품질을 갖는 PECVD 박막을 얻을 수 있도록 한다. 시간 간격당 평균 및 최대 전력 수준을 컨투어링함으로써 단위 시간당 연속적으로 플라스마 라디칼/전자기 방사선 밀도를 능동적으로 제어하는 능력으로부터 높은 품질의 얇은 박막이 얻어진다. 구동 파형은 임의의 파형 또는 임의의 함수일 수 있다. 소스 및 시스템이 국부 에칭 속도(localized etching rate)를 제어하도록 구성된 경우, 이러한 기술은 국부 에칭 속도를 제어하는데도 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명은 특히 기판 상으로의 증착을 제어하는 방법 및 시스템을 제공한다. 당업자라면 본 명세서에서 기술된 실시예들에 의해 얻을 수 있는 것과 실질적으로 동일한 결과를 얻기 위한 구성 및 효용을 가지는 다양한 변형 및 치환이 본 발명에서 이루어질 수 있음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명을 개시된 예시적인 형태로 제한하려는 의도가 없다. 다양한 변형, 변경 및 대체 구성은 특허청구범위에서 표현된 본 발명의 범위 및 사상 내에 포함된다.

Claims (33)

  1. 화학 기상 증착 공정 동안 박막을 생성하는 방법으로서,
    제1 펄스 폭을 가지는 제1 전기 펄스를 생성하는 단계;
    상기 제1 전기 펄스를 사용하여, 제1 밀도의 라디칼화된 종(radicalized species)을 생성하는 단계;
    상기 제1 밀도의 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스의 제1 부분을 해리(disassociate)하여 증착 물질을 생성하는 단계;
    상기 증착 물질을 제1 층으로서 기판 상에 증착하는 단계;
    상기 제1 펄스 폭과는 상이한 제2 펄스 폭을 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계;
    상기 제2 전기 펄스를 사용하여, 제2 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제2 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종들을 사용하여 피드스톡 가스의 제2 부분을 해리하여 복수의 제2 증착 물질을 생성하는 단계; 및
    상기 증착 물질을 상기 제1 층 상에 증착하는 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 화학 기상 증착 공정을 제어하는 방법으로서,
    소정 밀도의 라디칼화된 종을 가지는 플라스마를 생성하는 단계 - 상기 플라 스마는 전력 신호를 사용하여 생성됨 - ;
    상기 소정 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스의 제1 부분을 해리하여 제1 증착 물질을 생성하는 단계;
    상기 제1 증착 물질을 기판 상에 증착하여 제1 층을 형성하는 단계;
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계;
    상기 변경된 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 상기 피드스톡 가스의 제2 부분을 해리하여 제2 증착 물질을 생성하는 단계; 및
    상기 제2 증착 물질을 상기 제1 층 상에 증착하여 제2 층을 형성하는 단계
    를 포함하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하여 제3 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제3 밀도의 라디칼화된 종을 사용하여 상기 피드스톡 가스의 제3 부분을 해리하여 제3 증착 물질을 생성하는 단계; 및
    상기 제3 증착 물질을 상기 제2 층 상에 증착하여 제3 층을 형성하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 층 및 상기 제2 층은 상기 기판 상에 증착된 박막 내에 별개의 증착 물질 층들을 포함하는 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 층 및 상기 제2 층은 상기 기판 상에 증착된 단일 구배 스택(single gradient stack)을 포함하는 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는 데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계는,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호의 진폭 특성을 변조하는 단계
    를 포함하는 방법.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는 데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계는,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호의 주파수 특성을 변조하는 단계
    를 포함하는 방법.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는 데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계는,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호의 펄스 폭 특성을 변조하는 단계
    를 포함하는 방법.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는 데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계는,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호의 펄스 위치 특성을 변조하는 단계
    를 포함하는 방법.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 전력 신호는 상기 플라스마를 생성하기 위한 고주파 신호를 포함하는 방법.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 전력 신호는 고주파 생성기(high frequency generator)에 의하여 사용 가능하여 상기 고주파 생성기가 상기 플라스마를 생성하기 위한 고주파 신호를 생성할 수 있는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 고주파 신호는 마이크로파를 포함하는 방법.
  13. 화학 기상 증착 공정 동안 박막을 생성하는 방법으로서,
    제1 펄스 진폭을 가지는 제1 전기 펄스를 생성하는 단계;
    상기 제1 전기 펄스를 사용하여, 제1 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제1 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스의 제1 부분을 해리하여 제1 증착 물질을 생성하는 단계;
    상기 제1 증착 물질을 기판 상에 증착하는 단계;
    상기 제1 펄스 진폭과는 상이한 제2 펄스 진폭을 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계;
    상기 제2 전기 펄스를 사용하여, 제2 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제2 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 상기 피드스톡 가스의 제2 부분을 해리하여 제2 증착 물질을 생성하는 단계; 및
    복수의 상기 제2 증착 물질을 상기 제1 증착 물질 상에 증착하는 단계
    를 포함하는 방법.
  14. 화학 기상 증착 공정 동안 박막을 생성하는 방법으로서,
    제1 전기 펄스를 사용하여 제1 밀도의 라디칼화된 종을 가지는 플라스마를 생성하는 단계;
    상기 제1 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스의 제1 부분을 해리하여 제1 증착 물질을 생성하는 단계;
    상기 제1 증착 물질을 기판 상에 증착하는 단계;
    제2 전기 펄스를 사용하여 상기 플라스마 내에 상기 제1 밀도보다 작은 제2 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제2 밀도의 라디칼화된 종을 사용하여 상기 피드스톡 가스의 제2 부분을 해리하여 제2 증착 물질을 생성하는 단계; 및
    상기 제2 증착 물질을 상기 제1 증착 물질 상에 증착하는 단계
    를 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 전기 펄스는 제1 펄스 폭과 연관되고,
    상기 방법은,
    상기 제1 펄스 폭보다 큰 제2 펄스 폭을 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1 전기 펄스는 제1 펄스 폭과 연관되고,
    상기 방법은,
    상기 제1 펄스 폭보다 작은 제2 펄스 폭을 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제1 전기 펄스는 제1 펄스 진폭과 연관되고,
    상기 방법은,
    상기 제1 펄스 진폭보다 작은 제2 펄스 진폭을 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제1 전기 펄스는 제1 펄스 위치와 연관되고,
    상기 방법은,
    상기 제1 펄스 위치보다 작은 제2 펄스 위치를 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  19. 제14항에 있어서,
    제1 전기 펄스를 사용하여 제1 밀도의 라디칼화된 종을 가지는 플라스마를 생성하는 단계는,
    상기 제1 전기 펄스를 사용하여 고주파 신호를 생성하는 단계
    를 포함하는 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    제1 전기 펄스를 사용하여 제1 밀도의 라디칼화된 종을 가지는 플라스마를 생성하는 단계는,
    상기 고주파 신호를 증착 체임버로 도입하는 단계; 및
    상기 고주파 신호를 사용하여 상기 증착 체임버 내에서 상기 플라스마를 생성하는 단계
    를 포함하는 방법.
  21. 얇은 박막으로 코팅된 기판으로서,
    제1 펄스 폭을 가지는 제1 전기 펄스를 생성하는 단계;
    상기 제1 전기 펄스를 사용하여, 제1 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제1 밀도의 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스의 제1 부분을 해리하여 복수의 제1 증착 물질을 생성하는 단계;
    상기 복수의 제1 증착 물질을 제1 층으로서 상기 기판 상에 증착하는 단계;
    상기 제1 펄스 폭과는 상이한 제2 펄스 폭을 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계;
    상기 제2 전기 펄스를 사용하여, 제2 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제2 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스의 제2 부분을 해리하여 복수의 제2 증착 물질을 생성하는 단계; 및
    상기 복수의 제2 증착 물질을 상기 제1 층 상에 증착하는 단계
    에 의하여 형성되는 기판.
  22. 얇은 박막으로 코팅된 기판으로서,
    소정 밀도의 라디칼화된 종을 가지는 플라스마를 생성하는 단계 - 상기 플라스마는 전력 신호를 사용하여 생성됨 - ;
    상기 소정 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스의 제1 부분을 해리하여 제1 증착 물질을 생성하는 단계;
    상기 제1 증착 물질을 상기 기판 상에 증착하여 제1 층을 형성하는 단계;
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계;
    상기 변경된 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 상기 피드스톡 가스의 제2 부분을 해리하여 제2 증착 물질을 생성하는 단계; 및
    상기 제2 증착 물질을 상기 제1 층 상에 증착하여 제2 층을 형성하는 단계
    에 의하여 형성되는 기판.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하여 제3 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제3 밀도의 라디칼화된 종을 사용하여 상기 피드스톡 가스의 제3 부분을 해리하여 제3 증착 물질을 생성하는 단계; 및
    상기 제3 증착 물질을 상기 제2 층 상에 증착하여 제3 층을 형성하는 단계
    에 더 의하여 형성되는 기판.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 제1 층 및 상기 제2 층은 상기 기판 상에 증착된 박막 내에 별개의 증착 물질 층들을 포함하는 기판.
  25. 제22항에 있어서,
    상기 제1 층 및 상기 제2 층은 상기 기판 상에 증착된 단일 구배 스택을 포함하는 기판.
  26. 제22항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는 데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계는,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호의 진폭 특성을 변조하는 단계
    를 포함하는 기판.
  27. 제22항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는 데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계는,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호의 주파수 특성을 변조하는 단계
    를 포함하는 기판.
  28. 제22항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는 데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계는,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호의 펄스 폭 특성을 변조하는 단계
    를 포함하는 기판.
  29. 제22항에 있어서,
    상기 플라스마를 생성하는 데 사용되는 상기 전력 신호를 변조함으로써 상기 라디칼화된 종의 밀도를 변경하는 단계는,
    상기 플라스마를 생성하는데 사용되는 상기 전력 신호의 펄스 위치 특성을 변조하는 단계
    를 포함하는 기판.
  30. 제22항에 있어서,
    상기 전력 신호는 상기 플라스마를 생성하기 위한 고주파 신호를 포함하는 기판.
  31. 제22항에 있어서,
    상기 전력 신호는 고주파 생성기에 의하여 사용 가능하여 상기 고주파 생성기가 상기 플라스마를 생성하기 위한 고주파 신호를 생성할 수 있는 기판.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 고주파 신호는 마이크로파를 포함하는 기판.
  33. 박막으로 코팅된 기판으로서,
    제1 펄스 진폭을 가지는 제1 전기 펄스를 생성하는 단계;
    상기 제1 전기 펄스를 사용하여, 제1 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제1 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 피드스톡 가스의 제1 부분을 해리하여 제1 증착 물질을 생성하는 단계;
    상기 제1 증착 물질을 상기 기판 상에 증착하는 단계;
    상기 제1 펄스 진폭과는 상이한 제2 펄스 진폭을 가지는 제2 전기 펄스를 생성하는 단계;
    상기 제2 전기 펄스를 사용하여, 제2 밀도의 라디칼화된 종을 생성하는 단계;
    상기 제2 밀도의 라디칼화된 종 내의 상기 라디칼화된 종을 사용하여 상기 피드스톡 가스의 제2 부분을 해리하여 제2 증착 물질을 생성하는 단계; 및
    복수의 상기 제2 증착 물질을 상기 제1 증착 물질 상에 증착하는 단계
    에 의하여 형성되는 기판.
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US11/264,596 2005-11-01
US11/492,628 2006-07-25
US11/492,628 US20070098893A1 (en) 2005-11-01 2006-07-25 Coated substrate created by systems and methods for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100351626C (zh) * 2004-01-05 2007-11-28 番禺得意精密电子工业有限公司 光学检测系统
US8883028B2 (en) 2011-12-28 2014-11-11 Lam Research Corporation Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems
JP5865806B2 (ja) 2012-09-05 2016-02-17 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61284918A (ja) 1985-06-11 1986-12-15 Sharp Corp プラズマ化学気相成長装置
JPH05160044A (ja) * 1991-12-11 1993-06-25 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法及び装置
KR100232364B1 (ko) 1995-06-06 1999-12-01 모리시타 요이찌 플라즈마 처리방법 및 장치
KR20050088438A (ko) * 2002-12-16 2005-09-06 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 플라즈마 생성장치, 플라즈마 제어방법 및 기판 제조방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59171491A (ja) * 1983-03-18 1984-09-27 富士通株式会社 マイクロ波処理方法及び処理装置
JP2792558B2 (ja) * 1987-12-07 1998-09-03 株式会社日立製作所 表面処理装置および表面処理方法
US4837185A (en) * 1988-10-26 1989-06-06 Intel Corporation Pulsed dual radio frequency CVD process
DE4445427C2 (de) * 1994-12-20 1997-04-30 Schott Glaswerke Plasma-CVD-Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht
JP3063761B2 (ja) * 1999-05-31 2000-07-12 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法及び装置
JP2006286705A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ成膜方法及び成膜構造

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61284918A (ja) 1985-06-11 1986-12-15 Sharp Corp プラズマ化学気相成長装置
JPH05160044A (ja) * 1991-12-11 1993-06-25 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法及び装置
KR100232364B1 (ko) 1995-06-06 1999-12-01 모리시타 요이찌 플라즈마 처리방법 및 장치
KR20050088438A (ko) * 2002-12-16 2005-09-06 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 플라즈마 생성장치, 플라즈마 제어방법 및 기판 제조방법

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