KR100813590B1 - Fpd를 위한 다중 딕셔너리 압축 방법을 이용한 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

Abstract

리소그래피 장치는 방사선 빔을 변조시키는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이, 상기 변조된 빔에 의해 기판 상에 형성될 요구된 도즈 패턴의 압축된 표현을 저장하는 압축된 패턴 메모리, 및 상기 압축된 표현을 전체적으로 또는 부분적으로 해제하는 딕셔너리 해제기를 포함하여 이루어진다. 딕셔너리 해제기는 외부 딕셔너리 메모리, 외부 딕셔너리 메모리로부터 압축된 표현 내에 포함된 외부 딕셔너리 메모리의 참조들에 대응하는 패턴 데이터의 부분들을 추출함으로써 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 전체적으로 또는 부분적으로 해제하는 제 1 딕셔너리 디코더, 및 내부 딕셔너리 메모리로부터 압축된 표현 내에 포함된 내부 딕셔너리 메모리의 참조들에 대응하는 패턴 데이터의 부분들을 추출함으로써 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 전체적으로 또는 부분적으로 해제하는 제 2 딕셔너리 디코더를 포함하여 이루어진다.

Description

ＦＰＤ를 위한 다중 딕셔너리 압축 방법을 이용한 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD UTILIZING A MULTIPLE DICTIONARY COMPRESSION METHOD FOR ＦＰＤ}

본 명세서에서 인용 참조되고 서술 내용의 일부분을 형성하는 첨부된 도면들은 본 발명의 1 이상의 실시예를 예시하며, 또한 도면 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하고, 당업자가 본 발명을 시행하고 사용할 수 있게 하는 역할을 한다.

도 1 및 도 2는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;

도 3은 도 2에 나타낸 바와 같은 본 발명의 실시예를 이용하여 기판에 패턴을 전사(transfer)하는 모드를 도시하는 도면;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 엔진(optical engine)들의 구성을 도시하는 도면; 및

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 해제 디바이스(decompression device)를 도시하는 도면이다.

이하, 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여 본 발명을 설명할 것이다. 도면들에서, 동일한 참조 부호들은 동일하거나 기능적으로 유사한 요소들을 나타낼 수 있다. 추가적으로, 참조 부호의 맨 앞자리 숫자(들)는 참조 부호를 처음 나타낸 도면 과 동일할 수 있다.

본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판 또는 기판의 일부분 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 평판 디스플레이(flat panel display), 집적 회로(IC), 및 미세 구조(fine structure)들을 포함하는 다른 디바이스의 제조시에 사용될 수 있다. 종래의 장치에서 마스크 또는 레티클이라고 언급될 수 있는 패터닝 디바이스는 평판 디스플레이(또는 다른 디바이스)의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)에 의해 기판(예컨대, 유리판)의 전체 또는 일부분 상으로 전사(transfer)될 수 있다.

회로 패턴 대신에 다른 패턴, 예를 들어 컬러 필터 패턴(color filter pattern) 또는 도트(dot)의 매트릭스(matrix)를 생성하기 위해 패터닝 수단이 사용될 수 있다. 마스크 대신에, 패터닝 디바이스는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 포함하는 패터닝 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 시스템에서는 패턴이 마스크 기반 시스템(mask-based system)에 비해 더 빠르고 더 적은 비용으로 변화될 수 있다.

평판 디스플레이 기판은 전형적으로 직사각형 모양이다. 이 형태의 기판을 노광하도록 디자인된 리소그래피 장치는 직사각형의 기판의 전체 폭을 덮거나 폭의 일부(예를 들어, 폭의 절반)를 덮는 노광 영역을 제공할 수 있다. 마스크 또는 레티클이 빔을 통해 동기적으로 스캐닝되는 동안에, 기판이 노광 영역 밑에서 스캐닝될 수 있다. 이러한 방식으로 상기 패턴이 기판으로 전사된다. 노광 영역이 기판의 전체 폭을 덮는 경우, 노광은 단일 스캔을 이용하여 완료될 수 있다. 노광 영역이, 예를 들어 기판의 절반을 덮는 경우, 기판은 제 1 스캔 이후에 횡방향으로(transversely) 이동될 수 있으며, 전형적으로 또 다른 스캔이 기판의 나머지(remainder)를 노광하도록 수행된다.

개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에 의해 이미징된 픽셀로부터 원하는 도즈 패턴(dose pattern)이 형성될 경우, 데이터 처리 과정에서의 초기 단계는 원하는 도즈 패턴을 비트맵(bitmap) 형식으로 래스터화(rasterize)하는 것일 수 있다. 하지만, 디바이스 피처들의 높은 콘센트레이션(concentration)이 요구되는 경우, 비트맵 형식은 매우 큰 양의 데이터를 나타내기 쉬우며, 처리 및/또는 저장하기 어렵고 및/또는 비용이 많이 들 수 있다.

일 접근법은 비트맵 데이터를 압축(compress)하는 것이나, 이는 온라인 해제(online decompression)할 수 있는 하드웨어를 제공하고 요청된 패턴의 성질(nature) 및 그 압축/해제 특성에 있어서의 변동(variation)들을 다루는 것을 포함하여 많은 당면 과제(challenge)들을 제시한다. 장치의 주어진 비용에 대해, 형성될 수 있는 패턴의 형태를 강요(constrain)하고, 및/또는 매우 복잡한 패턴들이 비교적 더 느리게 생성될 것이라는 것을 수용할 필요가 있을 수 있으며, 이 두 대 안들은 리소그래피 디바이스의 사용자에 대한 바람직하지 않은 제한을 나타낸다.

그러므로, 리소그래피 장치를 위한 개선된 데이터 압축/해제 시스템을 이용한 방법 및 시스템이 요구된다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이, 압축된 패턴 메모리(compressed-pattern memory) 및 딕셔너리 해제기(dictionary decompressor)를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이는 방사선 빔을 변조(modulate)한다. 상기 압축된 패턴 메모리는 변조된 빔에 의해 기판 상에 형성될 요청된 도즈 패턴의 압축된 표현(compressed representation)을 저장한다. 상기 딕셔너리 해제기는 압축된 표현을 전체적으로 또는 부분적으로 해제한다. 딕셔너리 해제기는 제 1 딕셔너리 메모리 및 제 1 딕셔너리 디코더(dictionary decoder)를 포함한다. 상기 제 1 딕셔너리 디코더는 제 1 딕셔너리 메모리로부터 압축된 표현에 포함된 제 1 딕셔너리 메모리의 참조(reference)들에 대응하는 패턴 데이터의 부분들을 추출(extract)함으로써 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 전체적으로 또는 부분적으로 해제한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 다음의 단계들: 한 번 이상 일어난 데이터의 시퀀스들을 확인(identify)하기 위하여 데이터의 스트림을 분석하는 단계; 딕셔너리 디코더에 의한 추후 해제를 위해 인코딩하도록 데이터의 확인된 반복 시퀀스로부터의 그룹을 선택하는 단계; 반복 시퀀스의 압축되지 않은 버전(uncompressed version)이 딕셔너리 디코더에 의한 해제시에 접근할 수 있는 딕 셔너리 메모리 내의 일 위치의 일 참조로 상기 그룹 내의 반복 시퀀스의 1 이상을 교체(replace)함으로써 데이터 스트림의 압축된 표현의 전체 또는 일부를 형성하는 단계를 포함하는 리소그래피 장치를 위한 요청된 도즈 패턴을 나타내는 데이터의 스트림(stream)을 압축하는 방법이 제공된다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 다음의 단계들: 방사선 빔을 변조하는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 제공하는 단계; 상기 변조된 빔에 의해 기판 상에 형성될 요청된 도즈 패턴의 압축된 표현을 저장하는 단계; 딕셔너리 메모리로부터 압축된 표현에 포함된 딕셔너리 메모리의 참조에 대응하는 패턴 데이터의 부분들을 추출함으로써 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 판독(read out)하고 전체적으로 또는 부분적으로 해제하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예, 특징 및 장점들뿐만 아니라, 본 발명의 다양한 실시예들의 작동원리 및 구조가 상세히 설명된다.

특정한 구성(configuration) 및 배치(arrangement)가 설명되었지만, 이는 예시의 목적으로만 행해진다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면 본 발명의 의도와 범위에 벗어나지 않고 다른 구성 및 배치가 사용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, 당업자라면 본 발명이 다양한 다른 응용예들에서도 채택될 수 있다는 것을 분명히 알 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예의 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상 기 장치는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(PD), 기판 테이블(WT) 및 투영 시스템(PS)을 포함한다. 상기 조명 시스템(일루미네이터)(IL)은 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된다.

상기 패터닝 디바이스(PD)(예를 들어, 레티클 또는 마스크 또는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이)는 상기 빔을 변조한다. 일반적으로, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 위치는 투영 시스템(PS)에 대해 고정될 것이다. 하지만, 그 대신에 소정 파라미터들에 따라 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 정확히 위치시키도록 구성된 위치설정기에 연결될 수 있다.

상기 기판 테이블(WT)은 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 기판)(W)을 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 위치설정기(PW)에 연결된다.

상기 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)은 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에 의해 변조된 방사선 빔을 투영하도록 구성된다.

조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스" 또는 "콘트라스트 디바이스(contrast device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하도록 방사선 빔의 단면을 변조하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 상기 디바이스는 정적(static) 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 또는 동적(dynamic) 패터닝 디바이스(예를 들어, 프로그램가능한 요소들의 어레이)일 수 있다. 간결함을 위해, 대부분의 설명은 동적 패터닝 디바이스에 대한 것이지만, 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 정적 패터닝 디바이스가 사용될 수도 있다는 것을 이해하여야 한다.

방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 이와 유사하게, 기판 상에 최종적으로 생성된 패턴은 어느 한 순간에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 상에 형성된 패턴과 일치하지 않을 수 있다. 이는 기판의 각 부분 상에 형성된 최종 패턴이 기판의 상대 위치 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 패턴이 변화하는 주어진 시간 주기 또는 주어진 수의 노광에 걸쳐 형성되는 구성인 경우일 수 있다.

일반적으로, 기판의 타겟부 상에 생성된 패턴은 집적 회로 또는 평판 디스플레이(flat panel display)와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능층(예를 들어, 평판 디스플레이 내의 컬러 필터 층 또는 평판 디스플레이 내의 박막 트랜지스터(thin film transistor) 층)에 해당할 것이다. 이러한 패터닝 디바이스의 예로는, 예를 들어 레티클, 프로그램가능한 거울 어레이, 레이저 다이오드 어레이(laser diode array), 발광 다이오드 어레이(light emitting diode array), 격자 광 밸브(grating light valve) 및 LCD 어레이를 포함한다.

복수의 프로그램가능한 요소들을 포함하는 패터닝 디바이스와 같이 전자 수단(예를 들어, 컴퓨터)의 도움으로, 패턴이 프로그램가능한 패터닝 디바이스(예를 들어, 레티클을 제외하고 이전 문장에 언급된 모든 디바이스)는 본 명세서에서 집합적으로 "콘트라스트 디바이스"라고 언급된다. 일 예시에서, 패터닝 디바이스는 10 이상의 프로그램가능한 요소들, 예를 들어 100 이상, 1000 이상, 10000 이상, 100000 이상, 1000000 이상 또는 10000000 이상의 프로그램가능한 요소들을 포함한다.

프로그램가능한 거울 어레이는 점탄성(viscoelastic) 제어층 및 반사 표면을 갖는 매트릭스-어드레서블 표면(matrix-addressable surface)을 포함할 수 있다. 이러한 장치의 기본 원리는, 예를 들어 반사 표면의 어드레싱된 영역들에서는 입사광을 회절 광(diffracted light)으로서 반사시키는 반면, 어드레싱되지 않은 영역들에서는 입사광을 비회절 광으로서 반사시키는 것이다. 적절한 공간 필터를 사용하여, 반사된 빔 중에서 비회절 광을 필터링하고 기판에 도달하는 회절 광만을 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 상기 빔이 패터닝된다.

일 대안예로서, 상기 필터는 회절 광을 필터링하여 기판에 도달하는 비회절 광을 남게 할 수 있다는 것을 이해할 것이다.

또한, 회절 광학 MEMS 디바이스(마이크로-전기-기계 시스템 디바이스(micro-electro-mechanical system device))들의 어레이가 대응하는 방식으로 사용될 수도 있다. 일 예시에서 회절 광학 MEMS 디바이스는 입사광을 회절광으로서 반사시키는 격자를 형성하도록 서로에 대해 변형될 수 있는 복수의 반사 리본(reflective ribbon)들로 구성된다.

프로그램가능한 거울 어레이의 또 다른 대안적인 실시예는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 적절한 국부화된 전기장을 인가하거나 압전 작동 수단(piezoelectric actuation mean)을 채택함으로써 축선에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 다시 말하면, 거울들은 매트릭스-어드레서블일 수 있으므로, 어드레싱된 거울들은 입사하는 방사선 빔을 어드레싱되지 않은 거울들과는 다른 방향으로 반사한다; 이러한 방식으로 반사된 빔은 매트릭스-어드레서블 거울들의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝될 수 있다. 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자 수단들을 사용하여 수행될 수 있다.

또 다른 예시(PD)는 프로그램가능한 LCD 어레이이다.

리소그래피 장치는 1 이상의 콘트라스트 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이는 개별적으로 제어가능한 요소들의 복수의 어레이를 가질 수 있으며, 그 각각은 서로 독립적으로 제어된다. 이러한 구성에서 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 몇몇 또는 모두는 공통의 조명 시스템 (또는 조명 시스템의 부분), 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에 대한 공통의 지지 구조체 및/또는 공통의 투영 시스템 (또는 투영 시스템의 부분) 중 하나를 가질 수 있다.

도 1에 도시된 실시예와 같은 일 실시예에서, 기판(W)은 실질적으로 원형이며, 선택적으로는 그 주변의 일부분을 따라 노치(notch) 및/또는 평탄한 에지(flattened edge)를 갖는다. 일 실시예에서 기판은 다각형, 예를 들어 직사각형 이다.

기판이 실질적으로 원형인 예시는 기판이 25 mm 이상, 예를 들어 50 mm 이상, 75 mm 이상, 100 mm 이상, 125 mm 이상, 150 mm 이상, 175 mm 이상, 200 mm 이상, 250 mm 이상 또는 300 mm 이상의 직경을 갖는 예시들을 포함한다. 일 실시예에서 기판은 최대 500 mm, 최대 400 mm, 최대 350 mm, 최대 300 mm, 최대 250 mm, 최대 200 mm, 최대 150 mm, 최대 100 mm 또는 최대 75 mm의 직경을 갖는다.

기판이 다각형, 예를 들어 직사각형인 예시들은 기판의 1 변 이상, 예를 들어 2 변 이상 또는 3 변 이상이 5 cm 이상, 예를 들어 25 cm 이상, 50 cm 이상, 100 cm 이상, 150 cm 이상, 200 cm 이상 또는 250 cm 이상의 길이를 갖는 예시들을 포함한다.

일 예시에서 기판의 1 변 이상은 최대 1000 cm, 예를 들어 최대 750 cm, 최대 500 cm, 최대 360 cm, 최대 250 cm, 최대 150 cm 또는 최대 75 cm의 길이를 갖는다.

일 예시에서 기판(W)은 웨이퍼, 예를 들어 반도체 웨이퍼이다. 일 예시에서 웨이퍼 물질은 Si, SiGe, SiGeC, SiC, Ge, GaAs, InP 및 InAs로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 일 예시에서 웨이퍼는 Ⅲ/Ⅴ 화합물 반도체 웨이퍼이다. 일 예시에서 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼이다. 일 실시예에서 기판은 세라믹 기판이다. 일 예시에서 기판은 유리 기판이다. 일 예시에서 기판은 플라스틱 기판이다. 일 예시에서 기판은 (육안으로) 투명하다. 일 예시에서 기판은 유채색이다. 일 예시에서 기판은 무채색이다.

기판의 두께는 변동될 수 있으며, 예를 들어 기판 물질 및/또는 기판 치수(dimension)에 따라 어느 정도 달라질 수 있다. 일 예시에서 상기 두께는 50 ㎛ 이상, 예를 들어 100 ㎛ 이상, 200 ㎛ 이상, 300 ㎛ 이상, 400 ㎛ 이상, 500 ㎛ 이상 또는 600 ㎛ 이상이다. 일 예시에서 기판의 두께는 최대 5000 ㎛, 예를 들어 최대 3500 ㎛, 최대 2500 ㎛, 최대 1750 ㎛, 최대 1250 ㎛, 최대 1000 ㎛, 최대 800 ㎛, 최대 600 ㎛, 최대 500 ㎛, 최대 400 ㎛ 또는 최대 300 ㎛이다.

본 명세서에 언급된 기판은, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 노광 전후에 처리될 수 있다. 일 예시에서 레지스트 층은 기판 상에 제공된다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템들, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 형태의 투영 시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

투영 시스템은 패턴이 기판 상에 코히런트하게(coherently) 형성되도록 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 상에 패턴을 이미징할 수 있다. 대안적으로, 투영 시스템은 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 요소들이 셔터(shutter)로서 기능하는 2차 소스(secondary source)를 이미징할 수 있다. 이러한 점에서 투 영 시스템은, 예를 들어 2차 소스들을 형성하고 기판 상에 스폿(spot)들을 이미징하도록 마이크로 렌즈 어레이(MLA라고도 함) 또는 프레넬 렌즈 어레이(Fresnel lens array)와 같은 포커싱 요소들의 어레이를 포함할 수 있다. 일 예시에서 포커싱 요소들의 어레이(예를 들어, MLA)는 10 이상의 포커스 요소, 예를 들어 100 이상의 포커스 요소, 1000 이상의 포커스 요소, 10000 이상의 포커스 요소, 100000 이상의 포커스 요소 또는 1000000 이상의 포커스 요소를 포함한다. 일 예시에서, 패터닝 디바이스 내의 개별적으로 제어가능한 요소들의 개수는 포커싱 요소들의 어레이 내의 포커싱 요소들의 개수와 같거나 그보다 크다. 일 예시에서 포커싱 요소들의 어레이 내의 1 이상(예를 들어, 1000 이상, 대부분, 그 각각)의 포커싱 요소들은, 예를 들어 3 이상, 5 이상, 10 이상, 20 이상, 25 이상, 35 이상 또는 50 이상과 같이, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 내의 1 이상의 개별적으로 제어가능한 요소들, 예를 들어 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 내의 2 이상의 개별적으로 제어가능한 요소들과 광학적으로 연계(associate)될 수 있다. 일 예시에서 MLA는, 예를 들어 1 이상의 액추에이터를 사용하여 적어도 기판을 향하는 방향으로 또한 기판으로부터 멀어지는 방향으로 (예를 들어, 액추에이터를 사용하여) 이동가능하다. 기판쪽으로 또한 기판으로부터 멀리 MLA를 이동시킬 수 있다는 것은, 예를 들어 기판을 이동시킬 필요없이 포커스 조정을 허용한다.

본 명세서에서 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소들의 반사 어레이를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소들의 투과 어레 이를 채택하는) 투과형으로 구성될 수도 있다.

리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블들을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.

또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 "침지 액체", 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 패터닝 디바이스와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용된 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.

도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 일 예시에서 방사선 소스는 5 nm 이상, 예를 들어 10 nm 이상, 50 nm 이상, 100 nm 이상, 150 nm 이상, 175 nm 이상, 200 nm 이상, 250 nm 이상, 275 nm 이상, 300 nm 이상, 325 nm 이상, 350 nm 또는 360 nm 이상의 파장을 갖는 방사선을 제공한다. 일 예시에서 방사선 소스(SO)에 의해 제공된 방사선은 최대 450 nm, 예를 들어 최대 425 nm, 최대 375 nm, 최대 360 nm, 최대 325 nm, 최대 275 nm, 최대 250 nm, 최대 225 nm, 최대 200 nm 또는 최대 175 nm의 파장을 갖는다. 일 예시 에서 상기 방사선은 436 nm, 405 nm, 365 nm, 355 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm 및/또는 126 nm를 포함하는 파장을 갖는다. 일 예시에서 상기 방사선은 약 365 nm 또는 약 355 nm의 파장을 포함한다. 일 예시에서 상기 방사선은, 예를 들어 365, 405 및 436 nm를 포괄하는 광대역의 파장을 포함한다. 355 nm 레이저 소스가 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.

상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL) 또는 그와 연계된 추가 구성요소는 방사선 빔을, 예를 들어 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 1 또는 복 수의 개별적으로 제어가능한 요소들과 각각 연계될 수 있는 복수의 서브-빔(sub-beam)으로 분할하도록 배치될 수도 있다. 예를 들어, 방사선 빔을 서브-빔으로 분할하기 위해 2 차원 회절 격자가 사용될 수 있다. 본 서술내용에서 "방사선의 빔" 및 "방사선 빔"이라는 용어는 제한하는 것은 아니지만, 빔이 이러한 복수의 방사선의 서브-빔으로 구성되는 상황을 포함한다.

상기 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(PD)(예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 변조된다. 상기 패터닝 디바이스(PD)에 의해 반사되었으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 용량성 센서 등)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 사용된다면, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이용 위치설정 수단은 예를 들어 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(PD)의 위치를 정확히 보정(correct)하는데 사용될 수 있다.

일 예시에서 기판 테이블(WT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 도 1에 명확하게 도시되지는 않는다. 일 예시에서 상기 장치에는 적어도 기판 테이블(WT)을 이동시키는 단 행정 모듈이 존재하지 않는다. 또한, 유사한 시스템이 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 위치시키는데 사 용될 수도 있다. 대상물 테이블 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이가 요구되는 상대 이동을 제공하도록 고정된 위치를 가질 수 있는 반면, 투영 빔(B)은 대안적으로/추가적으로 이동가능할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 이러한 구성은 상기 장치의 크기를 제한하는 것을 도울 수 있다. 예를 들어, 평판 디스플레이의 제조시에 적용가능할 수 있는 또 다른 대안예로서, 기판 테이블(WT) 및 투영 시스템(PS)의 위치는 고정될 수 있으며, 기판(W)은 기판 테이블(WT)에 대해 이동되도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 기판 테이블(WT)에는 실질적으로 일정한 속도로 기판(W)을 가로질러 스캐닝하는 시스템이 제공될 수 있다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 방사선이 초기에 빔 스플리터에 의해 반사되고 패터닝 디바이스(PD)로 지향되도록 구성된 빔 스플리터(BS)에 의해 방사선의 빔(B)이 패터닝 디바이스(PD)로 지향될 수 있다. 또한, 방사선의 빔(B)은 빔 스플리터를 사용하지 않고 패터닝 디바이스에 지향될 수 있다는 것이 실현되어야 한다. 일 예시에서 상기 방사선의 빔은 0 내지 90°, 예를 들어 5 내지 85°, 15 내지 75°, 25 내지 65°, 또는 35 내지 55°의 각도로 패터닝 디바이스에 지향된다(도 1에 나타낸 실시예는 90°의 각도에서이다). 상기 패터닝 디바이스(PD)는 방사선의 빔(B)을 변조시키고, 변조된 빔을 투영 시스템(PS)으로 전달하는 빔 스플리터(BS)로 상기 빔을 다시 반사시킨다. 하지만, 방사선의 빔(B)을 패터닝 디바이스(PD)로 지향시키고 후속하여 투영 시스템(PS)으로 지향시키기 위해 대안적인 구성이 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 특히, 투과 패터닝 디바이스가 사용되는 경우, 도 1에 나타낸 바와 같은 구성은 요구되지 않을 수도 있다.

도시된 장치는 몇몇 모드에서 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 및 기판은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 및 기판은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에 대한 기판의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.

3. 펄스 모드에서 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이는 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 펄스화된 방사선 소스를 사용하여 전체 패턴이 기판(W)의 타겟부(C) 상에 투영된다. 기판 테이블(WT)은 상기 빔(B)이 기판(W)을 가로질러 라인을 스캐닝하도록 유도하기 위해 기본적으로 일정한 속력으로 이동된다. 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 상의 패턴은 방사선 시스템의 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트되며, 연속한 타겟부(C)들이 기판(W) 상의 요구된 위치에 노광 되도록 상기 펄스의 시간이 조절된다(time). 결과적으로, 상기 빔(B)은 기판의 스트립(strip)에 완전한 패턴을 노광하도록 기판(W)을 가로질러 스캐닝할 수 있다. 상기 공정은 전체 기판(W)이 한 라인씩 노광될 때까지 반복된다.

4. 연속 스캔 모드에서는 기판(W)이 실질적으로 일정한 속력으로 방사선의 변조된 빔(B)에 대해 스캐닝되고 상기 빔(B)이 기판(W)을 가로질러 스캐닝하고 그것을 노광함에 따라 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 상의 패턴이 업데이트된다는 것을 제외하고는 기본적으로 펄스 모드와 동일하다. 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 상의 패턴의 업데이팅과 동기화된 실질적으로 일정한 방사선 소스 또는 펄스화된 방사선 소스가 사용될 수 있다.

5. 도 2의 리소그래피 장치를 사용하여 수행될 수 있는 픽셀 그리드 이미징 모드(pixel grid imaging mode)에서 기판(W)상에 형성된 패턴은, 패터닝 디바이스(PD) 상으로 지향되는 스폿 발생기에 의해 형성된 스폿의 후속 노광에 의해 실현된다. 상기 노광된 스폿들은 실질적으로 동일한 형상을 갖는다. 기판(W) 상에서 상기 스폿들은 실질적으로 그리드 내에 프린트된다. 일 예시에서 상기 스폿 크기는 프린트된 픽셀 그리드의 피치(pitch) 보다 크지만, 노광 스폿 그리드보다는 훨씬 작다. 프린트된 상기 스폿의 세기를 변화시킴으로써 패턴이 실현된다. 노광 플래시들 사이에서 스폿에 걸친 세기 분포가 변화된다.

또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.

리소그래피에서 패턴은 기판의 레지스트 층 상에 노광된다. 그 후, 상기 레 지스트가 현상된다. 후속하여, 추가 처리 단계가 기판 상에 수행된다. 기판의 각 부분 상에서의 이 후속 처리 단계들의 효과는 레지스트의 노광에 의존한다. 특히, 상기 공정들은 주어진 도즈 임계(dose threshold) 이상의 방사선 도즈를 수용하는 기판의 부분들이 상기 도즈 임계 이하의 방사선 도즈를 수용하는 기판의 부분들에 다르게 응답하도록 조정(tune)된다. 예를 들어, 에칭(etching) 공정에서 상기 임계 이상의 방사선 도즈를 수용하는 기판의 영역들은 현상된 레지스트 층에 의한 에칭으로부터 보호된다. 하지만, 노광후 현상(post-exposure development)에서 상기 임계 이하의 방사선 도즈를 수용하는 레지스트의 부분들이 제거되므로 이 영역들은 에칭으로부터 보호되지 않는다. 따라서, 원하는 패턴이 에칭될 수 있다. 특히, 패터닝 디바이스 내의 개별적으로 제어가능한 요소들은 패턴 피처 내에서의 기판 상의 영역에 전달되는 방사선이, 그 영역이 노광시에 도즈 임계 이상의 방사선의 도즈를 수용하는 충분히 높은 세기 상태에 있도록 설정된다. 기판 상의 나머지 영역은 0 또는 상당히 낮은 방사선 세기를 제공하도록 대응하는 개별적으로 제어가능한 요소들을 설정함으로써 상기 도즈 임계 이하의 방사선 도즈를 수용한다.

실제로는, 개별적으로 제어가능한 요소들이 피처 경계의 한쪽에 최대 방사선 세기를 제공하고 다른 한쪽에는 최소 방사선 세기를 제공하도록 설정되더라도, 패턴 피처의 에지에서의 방사선 도즈는 주어진 최대 도즈에서 0 도즈로 급작스럽게 변화하지 않는다. 그 대신에, 회절 효과로 인해 방사선 도즈의 레벨은 전이 지대(transition zone)를 거쳐 드롭-오프(drop-off)될 수 있다. 현상된 레지스트에 의해 최종적으로 형성된 패턴 피처의 경계의 위치는 수용된 도즈가 방사선 도즈 임 계 이하로 떨어지는 위치에 의해 결정된다. 전이 지대에 걸친 방사선 도즈의 드롭-오프 프로파일 및 이에 따른 패턴 피처 경계의 정밀한 위치는, 최대 또는 최소 세기 레벨뿐만 아니라 최대 세기 레벨과 최소 레벨 사이의 세기 레벨로의 패턴 피처 경계 상에 또는 그 부근에 있는 기판 상의 지점들에 방사선을 제공하는 개별적으로 제어가능한 요소들을 설정함으로써 더 정밀하게 제어될 수 있다. 이는 통상적으로 "그레이스케일링(grayscaling)"이라고 언급된다.

본 명세서에서 그레이스케일링은 주어진 개별적으로 제어가능한 요소에 의해 기판에 제공된 방사선 세기가 2 개의 값으로만 (즉, 단지 최대값 및 최소값으로만) 설정될 수 있는 리소그래피 시스템에서 가능한 것보다 패턴 피처 경계의 위치의 더 큰 제어를 제공한다는 것에서 시작한다. 일 실시예에서, 3 이상의 상이한 방사선 세기 값, 예를 들어 4 이상의 방사선 세기 값, 8 이상의 방사선 세기 값, 16 이상의 방사선 세기 값, 32 이상의 방사선 세기 값, 64 이상의 방사선 세기 값, 128 이상의 방사선 세기 값 또는 256 이상의 방사선 세기 값이 기판 상으로 투영될 수 있다.

그레이스케일링은 상기 서술된 것에 추가적인 또는 대안적인 목적으로 사용될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 노광 이후의 기판의 처리는 수용된 방사선 도즈 레벨에 의존하여 기판의 영역의 2 이상의 잠재 응답(potential response)이 존재하도록 조정될 수 있다. 예를 들어, 제 1 방식으로 제 1 임계 이하의 방사선 도즈를 수용한 기판의 일부분이 응답한다; 제 2 방식으로는 제 1 임계 이상이지만 제 2 임계 이하의 방사선 도즈를 수용한 기판의 일부분이 응답하며; 또 한 제 3 방식으로는 제 2 임계 이상의 방사선 도즈를 수용한 기판의 일부분이 응답한다. 따라서, 그레이스케일링은 2 이상의 원하는 도즈 레벨을 갖는 기판을 가로지른 방사선 도즈 프로파일을 제공하는데 사용될 수 있다. 일 실시예에서 방사선 도즈 프로파일은 2 이상의 원하는 도즈 레벨, 예를 들어 3 이상의 원하는 방사선 도즈 레벨, 4 이상의 원하는 방사선 도즈 레벨, 6 이상의 원하는 방사선 도즈 레벨 또는 8 이상의 원하는 방사선 도즈 레벨을 갖는다.

또한, 방사선 도즈 프로파일은 상기 설명된 바와 같이 기판 상의 각 지점에서 수용된 방사선의 세기만을 제어하는 것 이외에도 여러가지 방법들에 의해 제어될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 기판 상의 각 지점에 의해 수용된 방사선 도즈는 대안적으로 또는 추가적으로 상기 지점의 노광의 지속기간(duration)을 제어함으로써 제어될 수 있다. 또 다른 예시로서, 기판 상의 각 지점은 복수의 연속한 노광들에서 방사선을 잠재적으로 수용할 수 있다. 그러므로, 각 지점에 의해 수용된 방사선 도즈는 대안적으로 또는 추가적으로 상기 복수의 연속한 노광들의 선택된 서브세트(subset)를 사용하여 상기 지점을 노광함으로써 제어될 수 있다.

기판 상에 요구된 패턴을 형성하기 위하여, 노광 공정시에 패터닝 디바이스 내의 각각의 개별적으로 제어가능한 요소들을 각각의 스테이지에 필요한 상태(requisite state)로 설정하는 것이 필수적이다. 그러므로, 필요한 상태를 나타낸 제어 신호는 각각의 개별적으로 제어가능한 요소들로 전송된어야 한다. 일 예시에서 리소그래피 장치는 제어 신호를 발생시키는 제어기를 포함한다. 기판 상에 형 성될 패턴은 GDSⅡ와 같은 벡터-정의된 포맷(vector-defined format)으로 리소그래피 장치에 제공될 수 있다. 설계 정보를 각각의 개별적으로 제어가능한 요소들에 대한 제어 신호로 변환하기 위하여, 상기 제어기는 패턴을 나타내는 데이터 스트림 상에서 처리 단계를 수행하도록 각각 구성된 1 이상의 데이터 조작 디바이스(data manipulation device)를 포함한다. 상기 데이터 조작 디바이스들은 집합적으로 "데이터경로(datapath)"라고 언급될 수 있다.

데이터경로의 데이터 조작 디바이스는 다음의 기능들: 벡터 기반(vector-based) 설계 정보를 비트맵 패턴 데이터(bitmap pattern data)로 변환하는 기능; 비트맵 패턴 데이터를 요구된 방사선 도즈 맵(즉, 기판을 가로지른 요구된 방사선 도즈 프로파일)으로 변환하는 기능; 요구된 방사선 도즈 맵을 각각의 개별적으로 제어가능한 요소에 대한 요구된 방사선 세기 값으로 변환하는 기능; 및 각각의 개별적으로 제어가능한 요소에 대한 요구된 방사선 세기 값을 대응하는 제어 신호로 변환하는 기능 중 1 이상을 수행하도록 구성될 수 있다.

도 2는, 예를 들어 평판 디스플레이의 제조시에 사용될 수 있는 본 발명에 따른 장치의 일 구성예를 도시한다. 도 1에 나타낸 것들에 대응하는 구성요소들은 동일한 참조 번호들로 도시된다. 또한, 다양한 실시예들, 예를 들어 기판, 콘트라스트 디바이스, MLA, 방사선 빔 등의 다양한 구성들의 상기 설명이 유효하게 적용될 수 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일 구성예를 도시한다. 이 실시예는, 예를 들어 평판 디스플레이의 제조시에 사용될 수 있다. 도 1에 나타낸 것들에 대응하는 구성요소들은 동일한 참조 번호들로 도시된다. 또한, 다양한 실시예들, 예를 들어 기판, 콘트라스트 디바이스, MLA, 방사선 빔 등의 다양한 구성들의 상기 설명이 유효하게 적용될 수 있다.

도 2에 나타낸 바와 같이 투영 시스템(PS)은 2 개의 렌즈(L1, L2)를 포함하는 빔 익스팬더를 포함한다. 제 1 렌즈(L1)는 변조된 방사선 빔(B)을 수용하고 어퍼처 스톱(aperture stop: AS) 내의 어퍼처를 통해 상기 빔을 포커스하도록 배치된다. 또 다른 렌즈(AL)는 상기 어퍼처 내에 위치될 수 있다. 그 후, 방사선 빔(B)은 발산(diverge)되어 제 2 렌즈(L2)(예를 들어, 필드 렌즈)에 의해 포커스된다.

또한, 투영 시스템(PS)은 확대되고 변조된 방사선(B)을 수용하도록 배치된 렌즈들의 어레이(MLA)를 포함한다. 패터닝 디바이스(PD) 내의 1 이상의 개별적으로 제어가능한 요소들에 대응하는 변조된 방사선 빔(B)의 상이한 부분들은 렌즈들의 어레이(MLA) 내의 각각의 상이한 렌즈들을 통과한다. 각각의 렌즈는 변조된 방사선 빔(B)의 각 부분을 기판(W) 상에 놓인 지점으로 포커스한다. 이러한 방식으로 방사선 스폿(S)의 어레이가 기판(W) 상에 노광된다. 예시된 렌즈의 어레이(MLA) 중 8 개의 렌즈만이 도시되었지만, 렌즈들의 어레이는 수 천개의 렌즈들을 포함할 수 있다(동일하게는 패터닝 디바이스(PD)로서 사용된 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에서도 그러하다)는 것을 이해할 것이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 기판(W) 상의 패턴이 도 2의 시스템을 사용하여 생성되는 방식을 개략적으로 예시한다. 검은 원들은 투영 시스템(PS) 내의 렌즈들의 어레이(MLA)에 의해 기판(W) 상에 투영된 스폿(S)들의 어레이를 나타 낸다. 일련의 노광들이 기판 상에 노광될 때, 기판(W)은 Y 방향으로 투영 시스템(PS)에 대해 이동된다. 흰 원은 이전에 기판(W) 상에 노광된 스폿 노광(SE)을 나타낸다. 나타낸 바와 같이, 투영 시스템(PS) 내의 렌즈들의 어레이에 의해 기판 상에 투영된 각각의 스폿은 기판(W) 상의 스폿 노광들의 로우(row: R)를 노광한다. 기판에 대한 전체 패턴은 각각의 스폿에 의해 노광된 스폿 노광(SE)들의 모든 로우(R)들의 합에 의해 생성된다. 통상적으로, 이러한 구성은 상기 설명된 "픽셀 그리드 이미징"이라고 언급된다.

방사선 스폿(S)의 어레이는 기판(W)에 대해 각도(θ)로 배치된다(기판의 에지들은 X 및 Y 방향으로 평행하게 놓여 있다)는 것을 알 수 있다. 이는 기판이 스캐닝 방향(Y-방향)으로 이동되는 경우에, 각각의 방사선 스폿이 기판의 상이한 영역 위를 지나감에 따라, 전체 기판이 방사선 스폿(S)들의 어레이에 의해 덮이도록 허용하기 위해 행해진다. 일 예시에서 각도(θ)는 최대 20°, 10°, 예를 들어 최대 5°, 최대 3°, 최대 1°, 최대 0.5°, 최대 0.25°, 최대 0.10°, 최대 0.05° 또는 최대 0.01°이다. 일 예시에서 각도(θ)는 0.001°이상이다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른, 전체 평판 디스플레이 기판(W)이 복수의 광학 엔진을 사용하여 단일 스캔으로 노광될 수 있는 방식을 개략적으로 나타낸다. 나타낸 예시에서는 방사선 스폿(S)들의 일 어레이의 에지가 방사선 스폿들의 인접한 어레이의 에지와 (스캐닝 방향(Y)으로) 약간 오버랩되도록, "바둑판(chess board)" 구성으로 2 개의 로우(R1 및 R2)에 배치된, 8 개의 광학 엔진들(도시되지 않음)에 의해 방사선 스폿들(S)의 8 개의 어레이(SA)가 생성된다. 일 예시에서 광 학 엔진들은 3 이상의 로우, 예를 들어 4 이상의 로우 또는 5 이상의 로우로 배치된다. 이러한 방식으로, 방사선의 대역이 기판(W)의 폭을 가로질러 연장되어, 전체 기판의 노광이 단일 스캔으로 수행되도록 허용한다. 여하한의 적절한 개수의 광학 엔진들이 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 일 예시에서 광학 엔진들의 개수는 1 이상, 예를 들어 2 이상, 4 이상, 8 이상, 10 이상, 12 이상, 14 이상 또는 17 이상이다. 일 예시에서 광학 엔진들의 개수는 40 이하, 예를 들어 30 이하 또는 20 이하이다.

각각의 광학 엔진은 상기 설명된 바와 같은 별도의 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(PD) 및 투영 시스템(PS)을 포함할 수 있다. 하지만, 2 이상의 광학 엔진들이 조명 시스템, 패터닝 디바이스 및 투영 시스템 중 1 이상의 전체 또는 일부분을 공유할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 예를 들어 도 5에 나타낸 바와 같이 상이한 형태의 패턴들에 대해 최적화된 하드웨어 요소들을 포함하는 해제 디바이스가 제공된다. LCD 디스플레이와 연계된 것들과 같은 패턴들은 효율적이고 비용 효과적인 방식으로 다루어질 수 있다. 예를 들어, 고가의 내부 SRAM 메모리(internal SRAM memory)의 방대한 캐시(cache)들에 대한 필요성이 회피된다.

도 5는 본 발명의 이 실시예에 따른 해제 디바이스(500)를 예시한다. 해제 디바이스(500)는 데이터 링크(512)를 통해 패턴 메모리(510)에 저장된, 압축되고 요청된 패턴 데이터를 수용하도록 배치된다. 그 후, 몇몇 스테이지에서 해제가 수행된다.

딕셔너리 해제기(580)에 의해 먼저 2 개의 스테이지가 수행된다. 일 예시에서 딕셔너리 해제기(580)는 2 개의 딕셔너리 기반 디코더: 글로벌 딕셔너리 디코더(global dictionary decoder: 520) 및 로컬 딕셔너리 디코더(590)를 포함한다. 2 개의 디코더의 사용은 각각에 대한 하드웨어가 전체 패턴의 상이한 측면에 대해 최적화될 수 있기 때문에, 패턴(예를 들어, LCD 디스플레이에 대한 패턴 내에서의 디스플레이 영역 및 경계 영역(border area))이 더 효율적인 방식으로 다루어지도록 허용하며, 이는 하기에 더 상세하게 서술된다.

일 예시에서 딕셔너리 기반 압축 및 해제는 메모리(예를 들어, "딕셔너리") 내에 저장된 패턴들(또는 패턴들 또는 패턴들의 부분들에 대응하는 데이터의 시퀀스들)의 참조에 의지한다. 압축 스테이지에서 딕셔너리 기반 알고리즘은 통과한 패턴의 히스토리(history)를 메모리 내에 유지시키고 반복 패턴(repeating pattern)들을 점검한다. 반복 패턴이 생기는 경우 이제까지 패턴이 생겼던 메모리 내의 위치의 참조를 포함하는 심볼(symbol)이 생성된다. 일반적으로 심볼은 상기 반복 패턴보다 훨씬 작으므로 압축도(degree of compression)를 제공한다. 자주 반복되는 패턴 피처들에 대해 이 방법은 고압축 인자를 제공한다. 해제는 상기 프로세스를 역으로 하여 수행될 수 있다.

일 예시에서 글로벌 딕셔너리 디코더(520)는 데이터 링크(524)를 통해 외부 메모리 블록(external memory block: 550) 내에서 구현되는 글로벌 딕셔너리 메모리(522)(예를 들어, 글로벌 딕셔너리)와 상호작용하도록 구성된다. 또한, 나타낸 실시예에서 상기 메모리 블록(550)은 패턴 메모리(510)를 포함하지만, 상기 패턴 메모리(510)는 별도의 메모리 블록 내에서 구현될 수도 있다. 메모리 블록(550)은 해제 디바이스(500)의 통합부를 형성하지 않는다는 취지에서 외부에 있다. 예를 들어, 해제 디바이스가 1 이상의 FPGA 칩들로 구현되는 경우, 상기 메모리 블록은 FPGA 칩들의 통합부를 형성하지 않는다. 메모리 블록(550)은 높은 대역폭 연결을 통해 해제 디바이스(500)에 연결될 수 있다.

글로벌 딕셔너리(522)는 전반적으로 요구된 패턴에 비해 큰 패턴 피처들 및/또는 (상기 피처들이 디코딩 프로세스에서 덜 빈번하게, 딕셔너리로부터 전체적으로 "판독"된다는 점에서, "액세스(access)"만을 필요로 하도록) 비교적 큰 간격에 걸쳐 반복되는 피처를 저장한다. 예를 들어, 각각의 피처들은 딕셔너리 내의 특정 위치에 저장되고, 메모리 주소에 의해 인덱스(index)될 수 있다.

일 예시에서 더 작은 "국부" 피처들은 로컬 딕셔너리(540)에 의해 더 효율적으로 다루어질 수 있기 때문에 글로벌 딕셔너리(522) 내에 나타내지 않으며, 이는 이러한 국부 피처들과 연계된 메모리 액세스 작업의 형태에 대해 최적화될 수 있다(하기 참조).

일 예시에서 글로벌 딕셔너리는: (1) 로컬 딕셔너리에 피트(fit)하기에 너무 크거나 (2) 반복 피처의 크기에 더해진 경우 로컬 딕셔너리보다 큰 분리 패턴(separation pattern)(즉, 당해(in question) 반복 패턴이 반복하는 인스턴스(instance)들 사이의 공간에 생기는 패턴)을 이용하여 반복되는 모든 반복 피처들을 저장하도록 구성될 수 있다.

일 예시에서 글로벌 딕셔너리 디코더(520)에 의해 수행되는 해제 프로세스의 부분은 다음과 같다. 데이터는 패턴 메모리(510)로부터 읽히고 상기 데이터는 글로벌 딕셔너리(522)를 참조하며, 글로벌 딕셔너리 디코더(520)는 글로벌 딕셔너리(522)로부터 참조된 데이터를 추출하고 이것을 출력 링크(526)로 보낸다. 글로벌 딕셔너리(522)를 참조하지 않은 데이터는 출력 링크(526)으로 곧바로 보내진다.

글로벌 딕셔너리 디코딩 단계는 글로벌 딕셔너리(522) 내의 많은 엔트리(entry)를 참조하는 패턴의 영역들에 대해, 즉 비교적 큰 반복 패턴 피처를 포함하는 영역 및/또는 큰 간격으로 반복되는 패턴 피처에 특히 효과적이다. 예를 들어, 이 단계에 의해 LCD 디스플레이에 대한 패턴 내의 디스플레이 픽셀들, 경계 영역 내의 큰 반복 패턴들 및/또는 일련 번호들 및 경사 정보가 효율적으로 다루어진다.

일 예시에서 외부 메모리 블록(550)은 표준 DRAM의 더 고속 버전인 SDRAM(동기식 DRAM)을 포함한다. 이 타입의 메모리는 (고용량이 적당한 비용으로 제공될 수 있도록) 비교적 싸고 메모리 대역폭이 픽셀들의 더 큰 블록들(예를 들어, 수백 이상의 픽셀들의 비트맵 픽셀 블록들) 나타내는데 가장 효과적으로 이용되기 때문에 글로벌 딕셔너리 엔트리들을 저장하기에 특히 적절하다. 이 종류의 메모리를 이용하여 작은 픽셀 블록들을 참조하는 것은, 데이터의 작은 블록들을 전송하는데에는 비교적 비효율적이기 때문에 매우 불량한(poor) 메모리 대역폭 이용을 유도한다(많은 병렬 메모리들은 동일한 대역폭을 달성하도록 요구되어 끝마칠 수 있다). 예를 들어, 전형적인 SDRAM 디바이스는 (인접한 메모리 주소들로부터) 100 바이트 이상을 포함하는 데이터블록들이 액세스되는 경우 비교적 높은 데이터 대역폭을 제공할 수 있다. 하지만, 데이터블록들의 크기가 8 바이트 이하로 감소되는 경우 데이터 대역폭은 약 10의 팩터(factor)로 떨어질 것이 기대될 수 있으며, 이에 따라 더 큰 블록들을 전송하는 경우에 달성되는 것과 동일한 대역폭을 얻기 위해 10 배 이상의 메모리 디바이스들이 요구될 수도 있다. 외부 메모리의 중요한 특성은 그것이 높은 대역폭을 갖지만, 랜덤 액세스(random access)가 필수적으로 요구되지는 않는다는 것이다.

일 예시에서 FPGA 내부 SRAM 메모리를 사용함으로써 작은 픽셀 블록들을 효율적으로 참조하는 것이 가능하며, 이는 외부 메모리보다 훨씬 더 짧은 액세스 시간을 가지므로 로컬 딕셔너리(540)를 구현하는데 더 적절하다. 이는 높은 대역폭 및 랜덤 액세스 용량을 이용하여 구현될 수 있다. 작은 간격으로 반복되는 작은 반복 패턴들만을 다루도록 설계되는 경우, 이용가능한 SRAM 메모리의 양은 훨씬 더 제한되지만 매우 클 필요는 없다. 하지만, 로컬 딕셔너리는 패턴 규칙 (반복)의 상당한 부분(proportion)을 캡처(capture)하도록 충분히 크게 만들어져야 한다. 예를 들어, 평판 디스플레이에서 로컬 딕셔너리는 디스플레이 영역 패턴 내의 적어도 더 작은 스케일의 규칙을 캡처하도록 충분히 크게 만들어져야 한다. 일 예시에서 로컬 딕셔너리의 콘텐츠(contents)는 상기 딕셔너리의 검색 능력(relevance)을 개선하도록 동적인 방식(dynamic fashion)으로 업데이트될 수 있다. 예를 들어, 딕셔너리는 딕셔너리 디코더(590)로부터 최근에 출력된 데이터만을 저장하도록 구성될 수 있다. 이 실시예에 관한 더 상세한 내용은 하기에 주어진다.

로컬 딕셔너리 디코더(590)는 패턴의 국부적인 반복 피처를 다루도록 특별히 설계된 추가 해제 스테이지로서 제공된다. 나타낸 실시예에서 디코더(590)는 디코딩/계산 부분(530) 및 로컬 딕셔너리 메모리(540)(또는 "로컬 딕셔너리")를 포함한다. 나타낸 실시예에서 로컬 딕셔너리 디코더(590)는 글로벌 딕셔너리 디코더(520)의 출력을 입력으로서 수신하도록 배치된다. 또한, 글로벌 및 로컬 디코더(520 및 590)는 로컬 딕셔너리 디코더(590)의 출력이 글로벌 딕셔너리 디코더(520)에 의해 입력으로서 수신되도록 역순(opposite order)으로 배치될 수 있지만 이는 낮은(inferior) 압축 비율을 초래할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.

이 예시에서 로컬 딕셔너리 디코더(590)는 로컬 딕셔너리(540) 내에 저장된 적은 양의 데이터로의 잦은 액세스를 행함으로써 작동한다. 상기 언급된 바와 같이 해제시에 로컬 딕셔너리(540)의 콘텐츠를 변화시킴으로써 로컬 딕셔너리(540)의 용량의 양호한 사용이 달성될 수 있다. 이것이 달성될 수 있는 한가지 방식은 딕셔너리를 "슬라이딩 윈도우(sliding window)" 모드에서 업데이트되도록 배치함으로써 이루어진다. 이 구성에 따르면 전체 요청된 패턴에 대한 반복 패턴 데이터를 저장하는 대신에, 로컬 딕셔너리(540)는 패턴 위를 "슬라이딩"하도록 배치되는 개념적인(notional) "윈도우" 내에 포함된 상기 요청된 패턴의 일부분에 관한 데이터만을 저장하며, 이어서 패턴의 영역이 해제된다. 예를 들어, 이 모드에서 로컬 딕셔너리 디코더(530)는 작은 패턴 피처들이 스캔 라인에서 스캔 라인까지 대체로 짧은 간격으로 반복되는 경향이 있다는 사실에 의지한다. 그러므로, 이 반복은 물리적으로 서로 매우 가까이 있으며 최근에 처리된 데이터를 나타내는 딕셔너리 주소의 참조를 이용하여 코딩될 수 있다.

"슬라이딩 윈도우" 모드가 수행될 수 있는 한가지 방식은 로컬 딕셔너리 디코더(530)로부터의 출력을 로컬 딕셔너리 메모리(540)의 입력으로서 사용되도록 배치하는 것이다. 상기 언급된 바와 같이 로컬 메모리(540)의 크기는 제한되며, 로컬 디코더(530)로부터의 누적 출력(cumulative output)의 일부분만이 어느 한 순간에 저장될 수 있다. 이는, 예를 들어 전문 메모리 하드웨어(specialist memory hardware)("선입선출(first-in-first-out)" 메모리)를 사용하거나 더 편리한 메모리를 사용하여 수행될 수 있는 "선입선출" 원리에서 제어될 수 있다. 이러한 방식으로 가장 최근에 처리된 디코더 출력의 일부분만이 메모리(540)에 저장될 것이다.

로컬 딕셔너리 메모리(540) 내에 보유(retain)된 데이터의 부분(proportion)은, 예를 들어 제어가능한 링크(534)를 이용하여 변화될 수 있다. 특히, 제어가능한 링크(534)는 해제 프로세스시 추후의 스테이지에서 재사용되지 않을 데이터는 로컬 딕셔너리 메모리(540)에 저장될 필요가 없다는 사실을 이용하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 압축 프로세스는 해제 처리시에 (로컬 딕셔너리 적절한) 피처들이 추후에 반복되는지 또는 반복되지 않는지를 (또는 로컬 딕셔너리(540)에 저장하기에 너무 크거나 적절하지 않은지를) 나타내기 위해 해제될 데이터 스트림 내에 데이터의 여분의 비트가 삽입되도록 설계될 수 있다. 그 후, 제어가능한 링크(534)는 로컬 디코더(590)에 의해 실제로 사용될 데이터의 그 부분들만을 로컬 딕셔너리(540)로 포워드(forward)하도록 구성된다. 이러한 방식으로 더 큰 반복 피처들이 저장될 수 있고 및/또는 더 오래된 반복 피처들이 메모리 내에 더 오래 유지될 수 있도록 더 양호한 사용이 로컬 딕셔너리(540)에 대해 행해진다. 이는 출력 스트림 의 부분(532)에 대한 로컬 딕셔너리(540)의 "크기"가 더 이상 일정하지 않으며 데이터 스트림 내의 국부적 반복의 정도(extent)에 따라 변화한다는 것을 의미한다.

일 대안예로서 로컬 디코더(590)로부터의 모든 데이터 출력은 로컬 딕셔너리(540)로 통과될 수 있다(이는 모든 데이터를 통과시키는 링크(534)를 갖는 것에 대응한다). 이 구성은 덜 복잡한 압축 기술들을 필요로 하며(동일한 방식으로 반복 데이터를 더 이상 표시(mark)할 필요가 없으며), 또한 하드웨어에서 수행하는데 더 간단할 수도 있다.

일 예시에 따르면 반복 국부 피처가 생기는 경우, 제 1 인스턴스의 피처는 비교적 압축되지 않은 형태로 입력 데이터 스트림에 제공될 것이며(즉, 이는 또 다른 딕셔너리에 대한 참조를 포함하지 않지만, 여전히 런-렝스 인코딩(run length encode)될 수 있으며), 그것이 로컬 딕셔너리(540) 내에 보유되는 시간 동안에 참조로서 기능하도록 이용될 수 있을 것이다. 이 피처의 또 다른 인스턴스들은 로컬 딕셔너리(540) 내의 초기 발생을 참조함으로써 간단하게 인코딩되며, 그것들이 발생하는 경우와 발생하는 때에 로컬 디코더(530)로부터의 데이터 스트림 출력 내로 이입(import)된다. 모든 압축되지 않은 형태의 피처가 로컬 딕셔너리로부터 통과된(또는, 그 전체가 적어도 더 이상 이용가능하지 않은) 이후에 발생한 동일한 반복 국부 피처의 여하한의 인스턴스는 또 다른 비교적 압축되지 않은 버전의 피처를 이용하여 인코딩될 필요가 있을 것이며, 그것들이 로컬 딕셔너리 등 내에 있는 동안은 제 2 참조 피처가 참조될 수 있다. 다수 버전의 동일한 반복 피처들이 내부 메모리 내에 존재하는 상황에서, 가장 최근에 및/또는 가장 용이하게 액세스가능한 것이 참조될 수 있다.

일 예시에서 로컬 디코더(530)로의 입력 데이터 스트림(526)은 로컬 딕셔너리(540)에 대한 참조들을 포함하지만, 출력 데이터 스트림(532) 및 이에 따른 로컬 딕셔너리(540)의 콘텐츠는 더 이상 로컬 딕셔너리에 대한 참조들을 포함하지 않으며 디코더(560)에 의해 디코딩될 간단하게 런-렝스 (또는 아니면) 인코딩된 데이터이다.

상기 언급된 바와 같이 로컬 딕셔너리(540) 내의 데이터로 표현되는 요청된 패턴의 부분은 최종 디코더(560)로 입력될 요청된 도즈 패턴의 표현 상에서 "슬라이딩"으로서 가시화(visualize)될 수 있는 "윈도우"에 의해 한정(delimit)될 수 있다(예를 들어, 최종 디코더(560)가 런-렝스 디코딩할 수 있는 경우, 윈도우는 요청된 도즈 패턴의 런-렝스 인코딩된 표현 상에서 슬라이딩할 것이다). 상기 언급된 바와 같이 이 윈도우의 크기 및 지오메트리(geometry)는, 예를 들어 로컬 딕셔너리(540)가 실제 참조될 데이터만을 항상 포함할 것을 보장하도록 제어가능한 링크(534)가 제공되는 경우에 변화할 수 있다. 일 예시에서, 상기 윈도우는 고정된 수의 "토큰(token)"을 저장하도록 구성될 수 있으며, 각각은 (예를 들어, 단일 픽셀에 의해 또는 픽셀들의 전체 라인들에 의해 정의된) 패턴의 일부분에 대응한다. 그 후, 토큰의 개수 및 각각의 개별적인 토큰의 크기는 윈도우 데이터의 총 크기를 결정하며, 이는 로컬 딕셔너리 메모리(540) 내에 저장될 수 있어야 한다.

제어가능한 링크(534)가 로컬 딕셔너리 디코더(530)에서 로컬 딕셔너리(540)로 모든 데이터 출력을 통과시키도록 구성되는 경우, 요청된 도즈 패턴의 압축된 표현을 형성하는 압축 소프트웨어는 데이터의 반복 시퀀스를 로컬 딕셔너리(540) 내에 저장된 데이터에 대한 참조로 교체하도록 구성될 것이다. 이는 다음의 부등식: A + B ≤ S 이 만족될 때마다 발생할 수 있으며, 여기서 A는 (비교적 압축되지 않은 형태, 예를 들어 로컬 또는 글로벌 딕셔너리 디코더에 의해 또 다른 디코딩을 필요로 하지는 않지만, 디코더(560)에 의한 또 다른 해제를 거칠 수 있는 형태로) 당해 데이터의 시퀀스를 저장하기 위해 요구된 메모리의 양이고, B는 데이터의 시퀀스의 참조 버전과 반복 발생 사이에서 (예를 들어, 이전 발생과 이전 발생을 참조한 교체에 의해 압축될 시퀀스 사이에서) 로컬 디코더(530)로부터의 출력 내에 생기는 데이터에 의해 취해진 메모리의 양이며, S는 로컬 딕셔너리(540)의 용량이다. 상기 관계는 반복 피처의 버전이 로컬 딕셔너리(540) 내에서 (그 전체에) 액세스가능한 경우 상기 반복 피처를 참조하는 것만이 유용하다는 요건을 구현한다. 큰 반복 피처들 및/또는 충분히 가깝게 반복하지 않는(즉, 요청된 패턴 또는 상기 요청된 패턴의 런-렝스 인코딩 또는 그렇지 않으면 압축된 표현에 가깝지 않은) 피처들은 상기 부등식이 만족되지 않도록 글로벌 딕셔너리 내에 저장될 수 있으며 글로벌 딕셔너리 디코더에 의해 디코딩될 수 있다.

제어가능한 링크(534)가 데이터의 시퀀스들을 로컬 디코더(530)에 의해 참조될 로컬 딕셔너리(540)로만 통과시키도록 구성되는 경우, 데이터의 반복 시퀀스들이 딕셔너리 메모리(540)에 대한 참조로 교체될 수 있는지의 여부를 결정하는 관계는 더 완화(relax)된다. 예를 들어, A + B' ≤ S, 여기서 B' < B 이므로 이 형태의 압축의 범위를 증가시킨다.

상기 설명된 로컬 및 글로벌 디코더들은 패턴 데이터가 적절한 방식으로 압축될 것을 필요로 한다. 로컬 딕셔너리 디코더(590)에 대해, 예를 들어 인코딩 프로세스는 로컬 딕셔너리 메모리(540) 내의 메모리 주소에 대한 참조들이 의도적으로 해제된 피처를 나타낼 것을 보장하도록 슬라이딩 윈도우의 크기 및 가능하다면 글로벌 딕셔너리 디코더의 작동을 고려할 필요가 있을 수 있다. 또한, 상기 언급된 바와 같이 토큰이 로컬 딕셔너리 메모리(540) 안으로 통과되어야 하는지를 나타내기 위해 (즉, 제어가능한 링크(534)의 작동을 제어하기 위해) 각각의 토큰에 데이터가 삽입될 필요가 있을 수 있다.

일 예시에서 인코딩 (압축) 프로세스는 디코딩 (해제) 프로세스의 역(inverse)이 되도록 2-스테이지 프로세스로서 구현될 수 있다. 우선, 참조번호(532) 상의 요구된 출력의 인코딩은 로컬 딕셔너리 디코더(590)만이 존재하는 것처럼 구성된다. 이는 참조번호(526) 상에 전달되어야 할 스트림이다. 제 2 패스(pass)에서 이는 글로벌 딕셔너리 인코더(580)로 인코딩되며, 그 후 이는 참조번호(510)에 저장되고 참조번호(512) 상에서 전달되어야 하는 인코딩된 스트림을 제공한다. 최종 디코더(560)가 존재한다면 제 1 스테이지는 상기 디코더(560)의 용량에 대응하는 압축된 형태로의 패턴 데이터의 인코딩일 것이다. 인코더가 상기 콘텐츠를 최적 방식으로 수행하기 위해, 해제 하드웨어의 특성에 대한 정보(예를 들어, 메모리 크기, 메모리 대역폭 특성 등)가 제공되어야 한다.

상기 인코딩 순서에 대한 대안예로서 사용자에 의해 공급된 요구된 도즈 패턴의 GDSⅡ (또는 등가물(equivalent)) 벡터 기반 표현 내의 계층(hierarchy)이 사 용될 수 있도록 글로벌 딕셔너리 디코더에 대한 데이터를 인코딩하는 것이 유리할 수 있다. 이는 인코딩 시간을 상당히 감소시킬 수 있다. 최종 디코더(560)가 존재한다면, 다음에 인코딩 프로세스는 최종 디코더(560)에 대응하는 인코딩을 다루고 로컬 딕셔너리 디코더(590)에 대한 인코딩을 마무리할 것이다.

또한, 로컬 딕셔너리 디코더(590) 및/또는 글로벌 딕셔너리 디코더(520)의 성능은 딕셔너리 디코더들(590 및 520)이 그것을 처리하기 이전에 초기 압축을 수행하는 패턴 데이터를 사전처리(pre-processing)함으로써 개선될 수 있다. 디코딩은 상기 언급된 바와 같이 상기 딕셔너리 디코더들 이후에 해제 디바이스(500) 내에 추가 디코더(560)를 포함함으로써 구현될 수 있다. 사전처리 기술(들)은 용이한 온라인 해제를 이용하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 런-렝스(run length) 인코딩 또는 유사한 것이 사용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로 허프만 인코딩(Huffman encoding)(정적 딕셔너리형 인코딩), 델타 인코딩(delta encoding), 딕셔너리 기반 인코딩 또는 이 방법들의 여하한의 조합이 사용될 수 있다.

도 5에 나타낸 디코더 예시에서 런-렝스 디코더(560)가 제공되며, 이는 데이터 링크(532)를 통해 로컬 및 글로벌 딕셔너리 디코더들(590 및 520)에 의한 디코딩 이후에 출력된 신호를 수신하도록 배치된다. 런-렝스 인코딩된 형태로만 데이터를 출력해야만 함으로써 로컬 및 글로벌 딕셔너리들(540 및 522)은 각각 주어진 개수의 엔트리에 대해 감소될 수 있다. 그러므로, 메모리 액세스 작동들이 더 효과적으로 수행될 수 있으며, 또는 예를 들어 로컬 딕셔너리의 경우 요청된 도즈 패턴의 더 큰 부분 및 이에 따른 패턴 규칙의 더 큰 부분을 고려하여 슬라이딩 윈도우의 크기가 증가될 수 있다.

예를 들어, 평판 디스플레이 패턴들의 주변(periphery) 또는 경계 영역 내의 패턴들은 비교적 크며(즉, 그것들은 비교적 큰 길이 스케일에 걸쳐 불규칙함), 일반적으로 적절한 크기의 로컬 딕셔너리(540)에 피트되지 않을 것이다. 하지만, 상기 설명된 형태의 사전처리는 흔히 이 영역들에서 자주 직면하는(encounter) 패턴의 형태 때문에 이를 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 런-렝스 인코딩은 동일한 그레이 톤(gray tone)을 이용하여 인접한 픽셀들의 데이터 크기를 감소시키는데 특히 효과적일 수 있으며, 주변 영역에서 이들 중 다수(예를 들어, 12 개의 범위로(in the order of dozens))를 보는 것은 통상적이다. 또한, 상기 언급된 바와 같이 로컬 딕셔너리(540)는 평판 디스플레이 패턴들의 디스플레이 영역들에 관한 패턴 데이터를 저장하는데 사용될 수 있다.

최종 해제 스테이지(560)의 출력은 데이터 링크(562)를 통해 외부 메모리(570)로 포워드된다. 상기 메모리(570)는 데이터 경로의 추후 스테이지들에 대해 일정한 비율로 데이터를 출력하도록 배치될 수 있으며 메모리 크기는 해제 디바이스(500)로부터의 출력율의 작은 변동에 대한 보상을 허용하도록 선택된다.

이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피(imprint lithography)에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이 스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층 안으로 가압(press)될 수 있으며, 레지스트는 전자기 방사선, 열(heat), 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 경화(cure)된다. 상기 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 이후에 그 안에 패턴을 남긴 레지스트로부터 이동된다.

본 발명의 특정 실시예들이 상기에 서술되었지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 상기에 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.

결론

본 발명의 다양한 실시예들이 서술되었지만, 상기 서술내용은 예시의 방식으로만 제시되며, 제한하려는 것이 아니라는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 본 발명의 범위 및 의도를 벗어나지 않고 형태 및 항목에 있어 다양한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위와 한계는 상술된 예시적인 실시예들 중 어떤 것으로 제한되어서는 아니되며, 다음의 청구항 및 그 균등론에 따라서만 정의되어야 한다.

'발명이 이루고자 하는 기술적 과제'가 아닌 '발명의 구성'이 청구항을 설명하기 위해 사용되도록 의도된다는 것을 이해하여야 한다. '발명이 이루고자 하는 기술적 과제'는 1 이상을 설명할 수 있지만, 발명자(들)에 의해 의도된 본 발명의 모든 예시적인 실시예를 설명하지는 않으므로, 본 발명 및 첨부된 청구항을 어떤 식으로도 제한하지는 않는다.

본 발명에 따르면, 데이터 압축/해제를 개선하기 위해 요구된 도즈 패턴을 표현하는 데이터의 스트림을 압축하는 다중 딕셔너리 압축 방법을 이용한 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법이 제공된다.

Claims (32)

1. 리소그래피 장치에 있어서:

   방사선 빔을 변조시키는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이;

   상기 변조된 빔에 의해 기판 상에 형성될 요청된 도즈 패턴(requested dose pattern)의 압축된 표현(compressed representation)을 저장하는 압축된 패턴 메모리; 및

   상기 압축된 표현을 전체적으로 또는 부분적으로 해제(decompress)하는 딕셔너리 해제기(dictionary decompressor)를 포함하여 이루어지고, 상기 딕셔너리 해제기는,

   제 1 딕셔너리 메모리, 및

   상기 제 1 딕셔너리 메모리로부터 상기 압축된 표현에 포함된 상기 제 1 딕셔너리 메모리에 대한 참조(reference)들에 대응하는 패턴 데이터의 부분들을 추출(extract)함으로써 상기 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 전체적으로 또는 부분적으로 해제하는 제 1 딕셔너리 디코더를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 딕셔너리 메모리는 외부 딕셔너리 메모리이고,

   상기 리소그래피 장치는 내부 딕셔너리 메모리를 갖는 제 2 딕셔너리 디코더 를 더 포함하여 이루어지며, 상기 제 2 딕셔너리 디코더는 상기 내부 딕셔너리 메모리로부터 상기 압축된 표현에 포함된 상기 내부 딕셔너리 메모리에 대한 참조들에 대응하는 패턴 데이터의 부분들을 추출함으로써 상기 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 전체적으로 또는 부분적으로 해제하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 제 2 딕셔너리 디코더에 의해 해제된 데이터의 전체 또는 일부분을 상기 내부 딕셔너리 메모리로 포워드(forward)하는 제어가능한 링크(controllable link)를 더 포함하여 이루어지고, 상기 제어가능한 링크는 추후에 상기 디코딩 프로세스에서 상기 제 2 딕셔너리 디코더에 의해 추출될 피처들에 대응하는 해제된 데이터의 그 부분들만을 포워드하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 제어가능한 링크는 상기 압축된 표현 내의 마커들에 기초하여 상기 내부 딕셔너리 메모리로 포워드하도록 상기 해제된 데이터의 부분들을 선택하고, 상기 마커들은 패턴 데이터의 시퀀스들이 추후에 상기 디코딩 프로세스에서 상기 제 2 딕셔너리 디코더에 의해 추출될 것을 나타내는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
5. 제 2 항에 있어서,

   상기 제 1 및 제 2 딕셔너리 디코더들은 1 이상의 필드 프로그램가능한 게이트 어레이(Field Programmable Gate Array)를 이용하여 구현되고; 상기 내부 딕셔너리 메모리는 상기 1 이상의 필드 프로그램가능한 게이트 어레이와 일체로 형성된(integral) 메모리 내에서 구현되며; 상기 외부 딕셔너리 메모리는 상기 1 이상의 필드 프로그램가능한 게이트 어레이와 별도로 형성되고 통신 인터페이스를 통해 연결되는 메모리 내에서 구현되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
6. 제 2 항에 있어서,

   상기 요청된 도즈 패턴은 반복 패턴 피처(repeating pattern feature)의 2 개의 그룹을 포함하여 이루어지고;

   상기 딕셔너리 해제기는:

   상기 외부 딕셔너리 메모리가 제 1 그룹에 대응하는 패턴 데이터를 저장하고,

   상기 내부 딕셔너리 메모리가 제 2 그룹에 대응하는 패턴 데이터를 저장하도록 구성되며, 상기 제 1 그룹 내의 상기 반복 패턴 피처는 상기 제 2 그룹 내의 상기 반복 패턴 피처보다 큰 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
7. 제 2 항에 있어서,

   상기 외부 딕셔너리 메모리는 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(Synchronous Dynamic Random Access Memory)를 사용하여 구현되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
8. 제 2 항에 있어서,

   상기 내부 딕셔너리 메모리는 정적 랜덤 액세스 메모리(Static Random Access Memory)를 사용하여 구현되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
9. 제 2 항에 있어서,

   상기 딕셔너리 메모리들 중 1 이상의 콘텐츠(content)는 상기 딕셔너리 해제기에 의해 처리되는 상기 요청된 도즈 패턴의 영역에 따라 변하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 딕셔너리 메모리들 중 1 이상은 상기 딕셔너리 디코더들 중 1 이상으로부터의 출력의 후속 부분들을 저장함으로써 업데이트되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
11. 제 9 항에 있어서,

    상기 제 1 딕셔너리 디코더로부터의 출력은 상기 제 2 딕셔너리 디코더에 대한 입력을 형성하고, 상기 내부 딕셔너리 메모리는 상기 제 2 딕셔너리 디코더로부터의 출력의 후속 부분들을 저장함으로써 업데이트되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
12. 제 9 항에 있어서,

    상기 딕셔너리 메모리들 중 1 이상은 외부 메모리 디바이스로부터 데이터를 이입(import)함으로써 업데이트되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
13. 제 9 항에 있어서,

    상기 딕셔너리 메모리들 중 1 이상의 콘텐츠는 상기 요청된 도즈 패턴의 일부분에 관한 데이터를 포함하고, 상기 일 부분은 가장 최근에 처리된 상기 요청된 도즈 패턴의 영역에 대응하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
14. 제 13 항에 있어서,

    상기 요청된 도즈 패턴의 부분은 상기 요청된 도즈 패턴보다 작은 실질적으로 사전설정된 크기의 윈도우(window)에 의해 한정(delimit)되고, 상기 윈도우는 해제시에 상기 가장 최근에 처리된 패턴의 영역만을 포함하도록 이동되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
15. 제 1 항에 있어서,

    상기 딕셔너리 해제기는 부분적으로 압축된 데이터를 다음의 형태들: 런-렝스 인코딩 데이터(run-length encoded data), 허프만 인코딩 데이터(Huffman encoded data), 델타 인코딩 데이터(delta encoded data) 및 딕셔너리 기반 인코딩 데이터 중 1 이상으로 출력하고;

    상기 리소그래피 장치는 런-렝스 디코더, 허프만 디코더, 델타 디코더 및 딕셔너리 기반 디코더 중 1 이상을 더 포함하여 이루어지며, 그 각각은 상기 부분적으로 압축된 데이터를 디코딩하도록 전체적으로 또는 부분적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
16. 제 1 항에 있어서,

    상기 요청된 도즈 패턴은 반복 패턴 피처들의 2 개의 그룹을 포함하여 이루어지고;

    상기 제 1 딕셔너리 디코더는 제 1의 그룹에 대응하는 상기 압축된 표현의 일부분을 전체적으로 또는 부분적으로 해제하며,

    상기 리소그래피 장치는: 제 2 딕셔너리 디코더 및 제 2 딕셔너리 메모리를 더 포함하여 이루어지고, 상기 제 2 딕셔너리 디코더는 상기 제 2 딕셔너리 메모리로부터 상기 압축된 표현에 포함된 상기 제 2 딕셔너리 메모리에 대한 참조들에 대응하는 패턴 데이터의 부분들을 추출함으로써 제 2 그룹에 대응하는 상기 압축된 표현의 일부분을 전체적으로 또는 부분적으로 해제하며, 상기 제 1 그룹 내의 상기 반복 패턴 피처들은 상기 제 2 그룹 내의 상기 반복 패턴 피처들보다 큰 것을 특징 으로 하는 리소그래피 장치.
17. 리소그래피 장치용 요청된 도즈 패턴을 표현하는 데이터의 스트림(stream of data)을 압축하는 방법에 있어서:

    한 번 이상 발생한 데이터의 시퀀스들(sequences of data)을 확인(identify)하도록 상기 데이터의 스트림(stream of data)을 분석하는 단계;

    딕셔너리 디코더에 의한 추후 해제를 위해 인코딩하도록 상기 확인된 데이터의 반복 시퀀스들로부터 그룹을 선택하는 단계; 및

    상기 그룹 내의 상기 반복 시퀀스들 중 1 이상을, 상기 딕셔너리 디코더에 의한 해제시에 상기 반복 시퀀스의 압축되지 않은 버전(uncompressed version)이 액세스될 수 있는 딕셔너리 메모리 내의 위치에 대한 참조로 교체함으로써 상기 데이터의 스트림(stream of data)의 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
18. 제 17 항에 있어서,

    제 1 딕셔너리 디코더에 의한 추후 해제를 위해 인코딩하도록 상기 확인된 데이터의 반복 시퀀스들로부터 제 1 그룹을 선택하는 단계;

    제 2 딕셔너리 디코더에 의한 추후 해제를 위해 인코딩하도록 상기 확인된 데이터의 반복 시퀀스들로부터 제 2 그룹을 선택하는 단계;

    상기 제 1 그룹 내의 상기 반복 시퀀스들 중 1 이상을, 상기 제 1 딕셔너리 디코더에 의한 해제시에 상기 반복 시퀀스의 압축되지 않은 버전이 액세스될 수 있는 외부 딕셔너리 메모리 내의 위치에 대한 참조로 교체함으로써 상기 데이터 스트림의 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 외부 딕셔너리 메모리는 상기 제 1 딕셔너리 디코더의 외부에 있으며; 및

    상기 제 2 그룹 내의 상기 반복 시퀀스들 중 1 이상을 상기 제 2 딕셔너리 디코더에 의한 해제시에 상기 반복 시퀀스의 압축되지 않은 버전이 액세스될 수 있는 내부 딕셔너리 메모리 내의 위치에 대한 참조로 교체함으로써 상기 데이터 스트림의 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 내부 딕셔너리 메모리는 상기 제 2 딕셔너리 디코더의 내부에 있는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
19. 제 18 항에 있어서,

    상기 제 1 및 제 2 딕셔너리 디코더들은 1 이상의 필드 프로그램가능한 게이트 어레이에 의해 구현되고;

    상기 내부 딕셔너리 메모리는 상기 1 이상의 필드 프로그램가능한 게이트 어레이와 일체로 형성되는 메모리 내에 구현되며;

    상기 외부 딕셔너리 메모리는 상기 1 이상의 필드 프로그램가능한 게이트 어레이와 별도로 형성되고 통신 인터페이스를 통해 연결되는 메모리 내에 구현되는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
20. 제 18 항에 있어서,

    상기 데이터의 스트림(stream of data)은 다음의 방법들: 런-렝스 인코딩, 허프만 인코딩 및 델타 인코딩 중 1 이상에 따라 인코딩된 상기 요청된 도즈 패턴의 표현을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
21. 제 18 항에 있어서,

    상기 반복 시퀀스의 제 1 그룹은 상기 제 1 그룹 내의 반복 시퀀스의 각각의 인스턴스(instance)에 대해, 상기 반복 시퀀스의 압축되지 않은 버전을 구성하는 비트(bit)의 개수, 및 상기 인스턴스와 상기 데이터의 스트림(stream of data) 내의 동일한 반복 시퀀스의 이전 인스턴스 사이에 발생한 비트의 개수의 합이 사전설정된 참조값보다 크도록 선택되고,

    상기 반복 시퀀스의 제 2 그룹은 상기 제 2 그룹 내의 반복 시퀀스의 각각의 인스턴스에 대해, 상기 반복 시퀀스의 압축되지 않은 버전을 구성하는 비트의 개수, 및 상기 인스턴스와 상기 데이터의 스트림 내의 상기 동일한 반복 시퀀스의 이전 인스턴스 사이에 발생한 비트의 개수의 합이 상기 사전설정된 임계값과 같거나 그보다 작도록 선택되는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
22. 제 21 항에 있어서,

    상기 사전설정된 임계값은 상기 내부 딕셔너리 메모리의 용량에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
23. 제 18 항에 있어서,

    디코딩시 상기 제 2 딕셔너리 디코더에 의해 상기 내부 딕셔너리 메모리로부터 액세스되는지의 여부를 나타내도록 상기 압축된 표현으로 상기 데이터의 시퀀스들(sequences of data) 내에 마커들을 생성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
24. 제 17 항에 있어서,

    초기 압축을 수행하도록 상기 데이터의 스트림(stream of data)을 사전처리(preprocessing)하는 단계;

    한 번 이상 발생한 데이터의 시퀀스들(sequences of data)을 확인하기 위해 사전처리된 데이터의 스트림을 분석하는 단계;

    이러한 데이터의 반복 시퀀스의 각각의 인스턴스에 대해, 상기 인스턴스와 이전 인스턴스 사이의 상기 사전처리된 데이터의 스트림 내에 얼마나 많은 매개 데이터(intervening data)가 발생하는지를 계산하는 단계;

    상기 매개 데이터의 크기 및 상기 데이터의 시퀀스(sequence of data)의 크기의 합이 사전설정된 임계값을 초과하지 않는 데이터의 각각의 반복 시퀀스에 대해 로컬 딕셔너리 인코딩 프로세스를 수행하고, 상기 데이터의 시퀀스를 상기 로컬 딕셔너리 디코더에 의한 상기 데이터의 스트림의 디코딩시에 상기 이전 인스턴스가 밝혀질 수 있는 상기 로컬 딕셔너리 디코더의 내부 메모리 내의 위치에 대한 참조와 교체하는 단계; 및

    나머지 반복 시퀀스들의 전체 또는 일부분을, 글로벌 딕셔너리 디코더에 의한 상기 데이터의 스트림의 디코딩시에 상기 반복 시퀀스의 표현이 밝혀질 수 있는 상기 글로벌 딕셔너리 디코더에 의해 사용될 외부 메모리 내의 위치에 대한 참조들과 교체하는 것을 포함하여 이루어지는 글로벌 딕셔너리 인코딩 프로세스로 상기 로컬 딕셔너리 인코딩 프로세스의 출력을 포워드하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
25. 제 24 항에 있어서,

    상기 사전설정된 임계값은 상기 내부 메모리의 용량에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
26. 제 24 항에 있어서,

    상기 사전처리하는 단계는 다음의 방법들: 런-렝스 인코딩, 허프만 인코딩, 델타 인코딩 및 딕셔너리 기반 인코딩 중 1 이상을 이용하여 인코딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
27. 제 17 항에 있어서,

    초기 압축을 수행하도록 상기 데이터의 스트림(stream of data)을 사전처리하는 단계;

    로컬 딕셔너리 디코더에 의한 디코딩에 적절한 로컬 딕셔너리 인코딩된 데이터 스트림을 제공하도록 로컬 딕셔너리 인코딩 프로세스를 수행하는 단계를 포함하여 이루어지고:

    상기 로컬 딕셔너리 디코더는 내부 로컬 딕셔너리 메모리에 액세스하도록 구성되며,

    상기 로컬 딕셔너리 디코더로부터의 출력은 상기 출력의 가장 최근의 부분만을 저장하는 상기 내부 딕셔너리 메모리에 대한 입력을 제공하고,

    상기 로컬 딕셔너리 인코딩 프로세스는:

    한 번 이상 발생한 데이터의 시퀀스들을 확인하도록 상기 사전처리된 데이터를 분석하는 단계, 및

    이러한 반복 시퀀스의 각각의 인스턴스에 대해, 디코딩시에 이후 인스턴스가 직면(encounter)하는 시점에 상기 동일한 시퀀스의 이전 인스턴스가 상기 국부 딕셔너리 메모리에 전부 저장되는지를 계산하고, 그러한 경우 상기 각각의 인스턴스를, 디코딩시에 상기 이전 인스턴스가 이용될 수 있는 상기 로컬 딕셔너리 메모리 내의 위치에 대한 참조와 교체하는 단계를 포함하여 이루어지며,

    입력으로서 상기 로컬 딕셔너리 인코딩된 데이터의 스트림을 글로벌 딕셔너리 인코딩 프로세스로 포워드하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 글로벌 딕셔너리 인코딩 프로세스는 글로벌 딕셔너리 디코더에 의한 디코딩에 적절한 글로벌 딕셔너리 인코딩된 데이터 스트림을 제공하며:

    상기 글로벌 딕셔너리 디코더는 외부 글로벌 딕셔너리 메모리에 액세스하도록 구성되고,

    상기 글로벌 딕셔너리 디코딩 프로세스는:

    한 번 이상 발생한 데이터의 시퀀스들을 확인하도록 상기 로컬 딕셔너리 인코딩된 데이터를 분석하는 단계, 및

    상기 반복 시퀀스들의 1 이상의 서브세트(subset)를, 디코딩시에 상기 시퀀스의 표현이 이용될 수 있는 상기 글로벌 딕셔너리 메모리 내의 위치들에 대한 참조들과 교체하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
28. 제 27 항에 있어서,

    상기 사전처리하는 단계는 다음의 방법들: 런-렝스 인코딩, 허프만 인코딩, 델타 인코딩 및 딕셔너리 기반 인코딩 중 1 이상을 이용하여 인코딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
29. 제 27 항에 있어서,

    상기 로컬 딕셔너리 메모리는 선입선출(first-in-first-out) 기반으로 상기 로컬 딕셔너리 디코더로부터의 상기 출력의 일부분을 저장하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터의 스트림을 압축하는 방법.
30. 디바이스 제조 방법에 있어서:

    방사선 빔을 변조시키는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 제공하는 단계;

    상기 변조된 빔에 의해 기판 상에 형성될 요청된 도즈 패턴의 압축된 표현을 저장하는 단계; 및

    딕셔너리 메모리로부터 상기 압축된 표현에 포함된 상기 딕셔너리 메모리의 참조들에 대응하는 패턴 데이터의 부분들을 추출함으로써 상기 압축된 표현의 전체 또는 일부분을 전체적으로 또는 부분적으로 판독하고 해제하는 단계를 포함하여 이루어지는 디바이스 제조 방법.
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