KR100813196B1

KR100813196B1 - 발광 칩 및 이를 포함하는 발광 장치

Info

Publication number: KR100813196B1
Application number: KR20060058429A
Authority: KR
Inventors: 김재조; 김대원
Original assignee: 서울반도체 주식회사
Priority date: 2006-06-28
Filing date: 2006-06-28
Publication date: 2008-03-13
Also published as: KR20080000725A

Abstract

본 발명은 발광 칩 및 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 장치에 관한 것으로, 홈부를 갖는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 상기 홈부에 형성된 LED부와, 적어도 상기 홈부의 측벽면 영역에 형성된 반사막을 포함하는 발광 칩 및 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 장치를 제공한다. 이와 같이 웨이퍼에 홈부를 형성하고, 홈부 내측에 발광하는 LED 부를 마련하고, 웨이퍼의 표면 영역에 반사막을 형성하여 발광 칩의 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 홈부와 반사막을 갖는 발광 칩을 사용하여 발광 장치를 제작공정을 단순화시킬 수 있다.

발광 칩, 웨이퍼, 홈부, 반사막, 발광 장치, 발광 효율

Description

발광 칩 및 이를 포함하는 발광 장치{Luminous chip and luminous device having the same}

도 1은 종래의 스템 타입의 발광 장치의 단면도.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 칩의 단면 개념도.

도 3은 일 실시예에 따른 발광 칩의 평면 개념도.

도 4 및 도 5는 일 실시예의 변형예에 따른 발광 칩의 단면 개념도.

도 6 내지 도 9는 일 실시예에 따른 발광 칩의 제작 방법을 설명하기 위한 단면 개념도.

도 10 및 도 11은 일 실시예의 발광 칩을 포함하는 발광 장치의 단면 개념도.

도 12는 본 발명의 변형예에 따른 발광 칩을 포함하는 발광 장치의 단면 개념도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 웨이퍼 110 : 홈부

200 : LED부 300 : 전극부

400 : 반사막 1000 : 발광칩

2100 : 스템 2200 : 외부 전극 단자

2300, 3300, 4300 : 봉지부 3100 : 기판

3200 : 전극 패턴 4100, 4200 : 단자부

본 발명은 발광 칩 및 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 장치에 관한 것으로, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 칩 및 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 장치에 관한 것이다.

종래 스템 타입의 LED 발광 장치는 발광 효율을 향상시키기 위해 스템에 홈부를 형성하고, 홈부 내에 발광 칩을 실장하여 제작하였다.

도 1은 종래의 스템 타입의 발광 장치의 단면도이다.

도 1을 참조하면, 종래의 스템 타입의 발광 장치는 내부에 금속성의 스템(1)과, 상기 스템(1) 상에 실장된 발광 칩(2)과, 상기 스템(1)을 관통하여 상기 발광 칩(2)과 전기적으로 접속되는 복수의 리드 단자부(3)와, 상기 스템(1)을 봉지하는 봉지부(4)를 포함하고, 상기 발광 칩(2) 둘레의 상기 스템(1) 상에 마련된 반사기(reflector; 5)를 더 구비한다.

도면에서와 같이 종래의 스템 타입의 발광 장치는 스템(1)의 상측 표면에 발광 칩(2)을 실장하고, 발광 칩(2) 주변의 스템(1) 상측 영역에 반사기(5)를 마련하여 발광 칩(2)의 측변 방향으로 퍼지는 광을 모아 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.

하지만, 종래의 스템 타입의 발광 장치의 경우 별도의 반사기(5)를 스템(1)의 상측에 장착하여야 하는 공정을 수행하여야 한다. 이를 통해 발광 장치의 제작 공정이 복잡해지는 문제가 발생한다. 또한, 이러한 반사기(5)로 인해 발광 칩(2)과 리드 단자부(3)간을 와이어로 연결하기가 어려워지는 문제가 발생하였다.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 발광 칩의 제작시 웨이퍼에 홈부를 형성하고, 홈부 내측에 LED부를 순차적으로 형성하며, 웨이퍼 표면에 반사막을 형성하여 LED부의 발광 효율을 향상시켜 이를 이용하여 제작된 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있으며, 발광 장치 제작시 그 제작 공정을 단순화시킬 수 있는 발광 칩 및 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

본 발명에 따른 홈부를 갖는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 상기 홈부에 형성된 LED부와, 상기 웨이퍼를 관통하여 상기 LED부에 전기적으로 접속된 전극부와, 적어 도 상기 홈부의 측벽면 영역에 형성된 반사막을 포함하는 발광 칩을 제공한다.

여기서, 상기 전극부의 일부는 상기 웨이퍼의 바닥면에 형성된다.

또한, 본 발명에 따른 웨이퍼의 일부를 제거하여 오목한 홈부를 형성하는 단계와, 상기 홈부에 N형 반도체층, P형 반도체층, 활성층을 포함하는 LED부를 형성하는 단계와, 상기 웨이퍼를 관통하여 상기 LED부와 전기적으로 접속하는 전극부를 형성하는 단계와, 상기 웨이퍼의 상측 표면에 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 발광 칩의 제조 방법을 제공한다.

또한, 본 발명에 따른 홈부를 갖는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 상기 홈부에 형성된 LED부와, 상기 웨이퍼를 관통하여 상기 LED부에 전기적으로 접속된 전극부와, 적어도 상기 홈부의 측벽면 영역에 형성된 반사막을 포함하는 발광 칩과, 상기 발광 칩이 실장된 실장부와, 상기 발광 칩을 봉지하는 봉지부를 포함하는 발광 장치를 제공한다.

그리고, 상기 실장부는 스템, PCB 기판 및 전극 단자부인 것이 바람직하다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 칩의 단면 개념도이고 도 3은 일 실시예에 따른 발광 칩의 평면 개념도이다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 칩은 홈부(110)를 갖는 웨이퍼(100)와, 상기 웨이퍼(100)의 홈부(110) 내측에 형성된 LED부(200)와, 상기 웨이퍼(100)를 관통하여 상기 LED부(200)에 접속되는 전극부(300)를 포함한다.

상기의 웨이퍼(100)로는 Al₂O₃, SiC, ZnO, Si, GaAs, GaP, LiAl₂O₃, BN, AlN 및 GaN 중 적어도 어느 하나의 웨이퍼를 사용한다. 웨이퍼(100)의 중앙 영역 일부가 제거되어 오목하게 파인 형태의 홈부(110)가 마련된다. 도 2에서는 원형 형상의 홈부(110)가 마련을 도시하였지만 이에 한정되지 않고, 상기 홈부(110)는 다양한 형상이 가능하다.

상기의 홈부(110)는 웨이퍼(100)의 표면 아래에 마련된 바닥면(111)과, 상기 바닥면(111)에서 웨이퍼(100)의 표면으로 연장된 측벽면(112)을 포함한다. 상기 측벽면(112)은 도면에 도시된 바와 같이 소정의 기울기를 갖는 형상으로 제작되는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고 상기 측벽면(112)은 수직한 형상으로 제작할 수도 있다.

상기의 LED부(200)는 상기 홈부(110)의 바닥면(111) 상에 형성된다. LED부(200)는 N형 반도체층(210)과 P형 반도체층(230) 및 상기 N형 반도체층(210)과 P형 반도체층(230) 사이에 마련된 활성층(220)을 포함한다. 또한, 상기 N형 반도체층(210) 상에는 N형 단자(240)가 마련되고, P형 반도체층(230) 상에는 P형 단 자(250)가 마련된다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(100)의 홈부(110) 바닥면(111)상의 일부에 N형 반도체층(210)이 형성되고, N형 반도체층(210) 상측 일부 영역에 활성층(220)이 마련되고, 상기 활성층(220) 상에 P형 반도체층(230)이 마련된다. 이때 N형 반도체층(210)의 일부는 노출되어 그 상부에 N형 단자(240)가 형성된다. 그리고, P형 반도체층(230) 상에 P형 단자(240)가 형성된다. 상술한 층들은 에피 공정을 통해 제작되는 것이 바람직하다. 상기 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 N형 반도체층(210)과 웨이퍼(100) 사이에는 N형 반도체층(210)의 막질 향상을 위한 버퍼층이 마련될 수 있다.

상기의 전극부(300)는 상기 웨이퍼(100)의 바닥면에 마련된 복수의 하부 전극(310)과, 상기 하부 전극(310)과 접속되고 상기 웨이퍼(100)를 관통하는 복수의 관통 전극(320)과, 상기 관통 전극(320)과 상기 LED부(200)를 연결하는 연결 전극(330)을 포함한다.

상기 하부 전극(310)은 일정 면적을 갖는 판 형상으로 형성한다. 이를 통해 본 실시예의 발광 칩이 표면 실장이 가능해진다. 상기 관통 전극(320)은 웨이퍼(100)에 형성된 복수의 관통홀을 도전성의 물질로 매립하여 형성한다. 관통전극(320)은 기둥 형상으로 제작된다. 이때, 도 1에 도시된 바와 같이 관통 전극(320)의 하단은 하부 전극(310)에 접속되고, 상단은 웨이퍼(100)의 홈부(110)의 바닥면(111)에 노출된다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 관통 전극(320)의 상단은 홈부(110)가 형성되지 않은 웨이퍼(100) 상측 표면에 노출될 수도 있다. 상기 연결 전극(330)은 LED부(200)의 N형 및 P형 단자(240, 250)와 관통 전극(320) 사이를 전기적으로 연결하는 역할을 한다. 이때, 연결 전극(330)이 상기 LED부(200)의 반도체층과 접속되지 않도록 상기 연결 전극(330)은 브리지 공정 또는 스텝 커버 공정을 통해 제작되는 것이 바람직하다. 물론 상기 연결 전극(330) 대신 와이어를 사용할 수도 있다.

여기서, 상기 LED부(200)가 N형 단자(240)와 P형 단자(250)를 포함하기 때문에 전극부(300) 내부의 하부 전극(310)과 관통 전극(320)은 적어도 2개 이상 형성되는 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이 웨이퍼(100)의 홈부(110)의 내측에 LED부(200)를 형성하여 LED부(200)의 측면으로 방출되는 광은 측벽면(112)을 통해 상측 방향으로 유도할 수 있어 LED 칩의 발광 효율을 상승시킬 수 있다.

본 실시예에 따른 발광 칩은 상술한 설명에 한정되지 않고 다양한 변형예가 가능하다.

도 4 및 도 5는 일 실시예의 변형예에 따른 발광 칩의 단면 개념도이다.

변형예에 따른 발광 칩은 먼저 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(100) 상측면에 마련된 반사막(400)을 더 포함한다.

상기의 반사막(400)으로는 광반사 특성이 우수한(85%이상) 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 본 변형예에서는 이러한 반사막(400)으로 Ag, Al, Au, Cu 및 이들을 포함하는 합금 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 반사막(400)은 적어도 웨이퍼(100)의 홈부(110)의 측벽면(112)에 형성되는 것이 효과적이다. 이를 통해 측벽면(112) 방향으로 조사된 광을 전면 방향으로 반사시킬 수 있 다. 물론 이에 한정되지 않고, 반사막(400)은 도 4에 도시된 바와 같이 LED부(200) 및 전극부(300)가 마련된 영역을 제외한 웨이퍼(100) 상측 표면 전체 영역에 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사막(400) 대신 웨이퍼(100) 표면에 난반사 패턴이 형성될 수도 있다.

그리고 도 5에 도시된 바와 같이 발광 칩은 홈부(110)가 마련된 웨이퍼(100)와, 홈부(110)에 형성된 LED부(200)와, 상기 웨이퍼(100)의 상측 표면 영역에 마련된 반사부(400)를 포함한다. 즉, 웨이퍼(100)를 관통하여 LED부(200)에 접속되는 전극부를 형성하지 않을 수 있다. 즉, LED부(200)의 N형 단자(240)와 P형 단자(250)이 와이어를 통해 직접 외부 전원 단자에 접속될 수 있다.

하기에서는 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 칩의 제작 방법을 설명한다.

도 6 내지 도 9는 일 실시예에 따른 발광 칩의 제작 방법을 설명하기 위한 단면 개념도이다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 웨이퍼(100) 상에 홈부(110) 형성을 위한 마스크 패턴(101)을 형성한다. 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 통해 상기 웨이퍼(100)의 일부를 제거하여 홈부(110)를 형성한다.

상기 마스크 패턴(101)으로는 감광막을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 웨이퍼(100) 상에 감광막을 도포한 다음 마스크를 이용한 사진 현상 공정을 실시하여 홈부(110)가 형성될 영역의 감광막을 제거하여 감광막 마스크 패턴을 형성한다.

상기 마스크 패턴(101)을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 홈부(110)를 형성한다. 이때, 상기 식각 공정으로는 등방성 식각을 실시하는 것이 바람직하다. 이를 통해 홈부(110)의 측벽면(112)에 소정의 기울기를 줄 수 있다. 즉, 식각 공정을 통해 형성되는 홈부(110)의 개구부의 면적이 바닥면(111)의 면적보다 넓은 것이 바람직하다.

이와 같이 본 발명은 상술한 바와 같이 화학적 식각 방법을 통해 웨이퍼(100)에 홈부(110)을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 기계적 가공을 통해 웨이퍼(100)에 홈부(110)를 형성할 수 있다. 즉, 기계 장치를 이용하여 웨이퍼(100)의 상측부 일부를 제거하여 오목한 홈부(110)을 형성할 수 있다. 이때, 홈부(110)의 바닥면(111) 상에 LED부(200)가 형성되기 때문에 바닥면(111)의 표면을 평평하게 유지하는 것이 효과적이다.

도 8을 참조하면, 홈부(110)의 바닥면(111)의 일부에 LED부(200)를 형성한다. 본 실시예에서는 수평형의 LED부(200)를 형성함을 설명하지만 본 발명은 이에 한정되지 않고, 수직형의 LED부도 형성할 수 있다.

홈부(110)의 바닥면(111) 일부에 N형 반도체층(210), 활성층(220) 및 P형 반도체층(230)을 형성한다. 이후, 상기 P형 반도체층(230) 및 활성층(220)의 일부를 제거하여 N형 반도체층(210)의 일부를 노출시킨다. 노출된 N형 반도체층(210) 및 P형 반도체층(230) 상에 각각 N형 단자(240) 및 P형 단자(250)를 형성한다.

물론 이때, 반도체층의 결정 결함을 제거하기 위한 층으로 상기 N형 반도체층(210)과 웨이퍼(100) 사이에 버퍼층을 더 형성할 수 있다. 이때, 버퍼층으로 GaN 막 또는 AlN막을 사용하는 것이 바람직하다.

상기의 N형 반도체층(210)은 증착 공정을 통해 웨이퍼(100) 상에 Ga, Al 및 In 중 적어도 어느 하나의 원소와 질소(N) 온소가 포함된 막을 증착한다. 이때, N타입 불순물을 함께 첨가한다. 본 실시예에서는 GaN막을 N형 반도체층(210)으로 사용한다. 상기 활성층(220)은 전자와 전공의 재결합을 통해 광이 생성되는 층으로 InGaN막 및/또는 AlGaN막을 사용한다. 상기 박막을 상기 N형 반도체층(210) 상에 형성한다. 이때, 활성층(220)은 복수의 막으로 제작할 수 있고, 이 막이 초격자 형태로 배치될 수도 있다. 그리고, 활성층(220)을 구성하는 막은 발광하고자 하는 파장에 따라 다양하게 변화될 수 있다. 상기 활성층(220) 상에 P형 반도체층(230)을 형성한다. P형 반도체층(230)으로 Ga, Al 및 In 중 적어도 어느 하나의 원소와 질소(N) 온소가 포함된 막을 증착한다. 이때, P타입 불순물을 함께 첨가한다. 본 실시예에서는 GaN막을 P형 반도체층(230)으로 사용한다.

이후, 홈부(110)의 바닥면(111)을 제외한 영역에 형성된 상기 P형 반도체층(230), 활성층(220) 및 N형 반도체층(210)을 식각한다. 상기 P형 반도체층(230) 및 활성층(220)의 일부를 제거한 다음, 노출된 N형 반도체층(210) 상에 N형 단자(240)를 형성한다. 그리고, P형 반도체층(230) 상에는 P형 단자(250)을 형성한다. 이때, 상기 P형 반도체층(230) 상에 투명전극을 형성하여 이를 P형 단자(250)로 사용할 수도 있다.

상기 층들은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착 법(PCVD; Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등을 포함한 다양한 증착 및 성장 방법을 통해 형성된다.

도 9를 참조하면, 웨이퍼(100)의 바닥면에 하부 전극(310)을 형성하고, LED부(200)의 양측 영역에 관통 전극(320)을 형성한 다음 상기 관통 전극(320)과 LED부(200)의 N형 및 P형 단자(240, 250)를 연결 전극(330)을 통해 전기적으로 연결한다.

웨이퍼(100) 하부 바닥면에 도전성 물질을 증착 및 패터닝 하여 하부 전극(310)을 형성하거나, 도전성 물질을 인쇄 방법을 통해 하부 전극(310)을 형성한다. 그리고, 웨이퍼(100)를 관통하는 복수의 관통홀을 형성한다. 이때, 상기 관통홀은 마스크를 이용한 식각 공정을 통해 제작될 수 있고, 기계적 장치를 이용하여 제작될 수도 있다. 그리고, 관통홀은 웨이퍼(100)의 두께가 상대적으로 얇은 홈부(110)의 바닥면(111)에 형성하는 것이 바람직하다. 이후, 상기 관통홀을 도전성 물질로 매립하여 관통 전극(320)을 형성한다. 그리고, 에어브리지 공정 및 스텝커버 공정을 통해 상기 관통 전극(320)과 LED부(200)의 N형 및 P형 단자(240, 250)을 연결하는 연결 전극(330)을 형성한다.

상술한 설명에서는 LED부(200) 형성 후에 전극부(300)을 형성하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, LED부(200) 형성 전에 전극부(300)를 형성할 수도 있다. 그리고, LED부(200) 및 전극부(300)를 형성한 다음 웨이퍼(100)의 상측 표면 영역에 반사막을 더 형성할 수도 있다.

하기에서는 상술한 구조의 발광 칩을 이용한 발광 장치에 관해 설명한다.

본 실시예의 발광 칩은 다양한 형태의 패키지에 의해 패키징되어 다양한 구조의 발광 장치의 제작이 가능하다.

도 10 및 도 11은 일 실시예의 발광 칩을 포함하는 발광 장치의 단면 개념도이다.

도 10을 참조하면, 발광 장치는 스템(2100)과, 상기 스템(2100) 상에 실장되고 웨이퍼(100)의 홈부(110)에 LED부(200)가 마련되며 웨이퍼(100)를 관통하여 LED부(200)에 접속된 전극부(300)를 포함하는 발광 칩(1000)과, 상기 스템(2100)을 관통하여 상기 발광 칩(1000)의 전극부(300)에 접속된 외부 전극 단자(2200)와, 상기 스템(2100)을 감싸는 봉지부(2300)를 포함한다.

여기서, 발광 칩(1000)의 전극부(300)의 일부(즉, 하부 전극)가 도면에 도시된 바와 같이 웨이퍼(100)의 바닥면에 마련되어 있기 때문에 발광 칩(1000)이 스템(2100)에 실장 되면서 외부 전극 단자(2200)와 전기적으로 접속될 수 있다. 이때, 상기 스템(2100)으로 도전성 물질을 사용할 경우, 스템(2100)과 외부 전극 단자(2200) 사이에는 절연성 물질이 마련되고, 또한, 스템(2100)과 발광 칩(1000) 사이에도 절연성 물질이 마련되는 것 바람직하다.

상기 봉지부(2300)는 투명한 유리 또는 플라스틱을 컵 형태로 마련하여 제작할 수 있다. 물론 상기 봉지부(2300)를 몰딩 형태로 제작하고, 이를 통해 상기 발광 칩(1000)만을 봉지하도록 할 수 있다.

또한, 상기 발광 칩(1000)의 상부에 별도의 형광체를 포팅할 수도 있다. 이 때, 상기 발광 칩(1000)의 덮는 형태로 형광체를 마련할 수도 있다. 또한 홈부(110) 영역에만 선택적으로 형광체를 마련하여 LED부(200) 상측 영역에만 형광체를 도포할 수도 있다.

물론 본 실시예의 발광 칩(1000)을 이용한 발광 장치는 도 11에 도시된 바와 같이 전극 패턴(3200)이 형성된 기판(3100)과, 상기 기판(3100)의 전극 패턴(3200)에 접속된 발광 칩(1000)과, 상기 발광 칩(1000)을 봉지하는 봉지부(3300)를 포함할 수 있다.

이때, 기판(3100)으로는 PCB기판을 사용하는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고, 금속성의 기판을 사용할 수도 있다. 그리고 상기 기판(3100)은 히트 싱크를 더 포함할 수 있다. 기판(3100) 상의 전극 패턴(3200)은 도 11에서와 같이 기판(3100)의 표면 영역에 형성된다. 상기 전극 패턴(3200)에 발광 칩(1000)의 전극부(300)가 실장되어 표면 실장이 가능하다. 상기 전극 패턴(3200)은 이에 한정되지 않고, 상기 기판(3100)을 관통하여 형성될 수도 있고, 기판(3100)에서부터 기판(3100)의 외측 방향으로 그 일부가 연장되어 형성될 수도 있다.

상기 기판(3100)의 전극 패턴(3200)에 발광 칩(1000)을 실장한 다음 몰딩 공정을 통해 발광 칩(1000)이 실장된 기판(3100) 상측 영역을 덮는 봉지부(3300)을 형성한다. 상기 봉지부(3300)의 내측에는 소정의 형광체가 마련되어 발광 칩(1000) 광의 파장을 변화시킬 수 있다.

또한, 앞선 도 5에서 설명한 변형예에 따른 발광 칩을 이용하여 램프 형태의 패키지로 제작된 발광 장치를 형성할 수 있다.

도 12는 본 발명의 변형예에 따른 발광 칩을 포함하는 발광 장치의 단면 개념도이다.

도 12를 참조하면, 발광 장치는 발광 칩(1000)이 실장된 제 1 단자부(4100)와, 발광 칩(1000)과 전기적으로 연결된 제 2 단자부(4200)와, 상기 제 1 및 제 2 단자부의 일부와 상기 발광 칩(1000)을 봉지하는 봉지부(4300)을 포함한다. 상기 발광 칩(1000)과 제 1 및 제 2 단자부(4100, 4200)는 와이어를 통해 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다. 상기 단자부(4100, 4200)는 도면에서와 같이 직선 리드 형태로 제작된다. 물론 이에 한정되지 않고, 절곡된 형태의 직선 리드로 제작될 수도 있다.

상술한 바와 같이 웨이퍼(100)의 홈부(110)에 발광하는 LED부(200)가 마련된 발광 칩(1000)을 사용할 경우, LED부(200)의 광이 웨이퍼(100)의 홈부(110)를 통해 전면으로 조사된다. 또한, 적어도 홈부(110)의 측벽면(112) 영역에 반사막(400)을 형성하여 LED부(200)의 측면으로 진행하는 광의 방향을 전면으로 유도시켜 발광 칩(1000)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 이뿐만 아니라 발광 칩(1000) 내에 홈부(110)와 반사막(400)이 마련되어 있기 때문에 발광 장치의 패키지 내부에 별도의 홈부와 반사막을 형성하지 않아도 된다. 이를 통해 발광 장치의 제작 단가를 줄일 수 있고, 그 제조 공정을 단순화시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼(100)의 바닥면(111)에 LED부(200)와 전기적으로 접속되는 전극을 형성하여 표면 실장이 가능하다.

상술한 바와 같이 본 발명은 웨이퍼에 홈부를 형성하고, 홈부 내측에 발광하는 LED 부를 마련하고, 웨이퍼의 표면 영역에 반사막을 형성하여 발광 칩의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 홈부와 반사막을 갖는 발광 칩을 사용하여 발광 장치를 제작공정을 단순화시킬 수 있다.

또한, 발광 칩의 웨이퍼를 관통하여 그 하측에 전극을 형상하여 발광 칩의 표면 실장이 가능할 수 있다.

Claims

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표면 영역에 홈부를 갖는 웨이퍼;

상기 웨이퍼의 상기 홈부에서 에피 성장된 LED부;

상기 웨이퍼를 관통하여 상기 LED부에 전기적으로 접속되고, 일부가 상기 웨이퍼의 바닥면에 형성된 전극부; 및

적어도 상기 홈부의 측벽면 영역에 형성된 반사막을 포함하는 발광 칩.
표면 영역에 홈부를 갖는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 상기 홈부에서 에피 성장된 LED부와, 상기 웨이퍼를 관통하여 상기 LED부에 전기적으로 접속되고, 일부가 상기 웨이퍼의 바닥면에 형성된 전극부와, 적어도 상기 홈부의 측벽면 영역에 형성된 반사막을 포함하는 발광 칩;

상기 발광 칩의 상기 웨이퍼의 바닥면에 형성된 전극부 영역이 실장된 실장부; 및

상기 발광 칩을 봉지하는 봉지부를 포함하는 발광 장치.
청구항 4에 있어서,

상기 실장부는 스템, PCB 기판 및 전극 단자부인 발광 장치.