KR100810644B1 - 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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KR100810644B1 KR1020070038513A KR20070038513A KR100810644B1 KR 100810644 B1 KR100810644 B1 KR 100810644B1 KR 1020070038513 A KR1020070038513 A KR 1020070038513A KR 20070038513 A KR20070038513 A KR 20070038513A KR 100810644 B1 KR100810644 B1 KR 100810644B1
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Abstract

본 발명은 유기전계발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 아조 벤젠 그룹 물질을 포함하는 전자수송층이 요철 구조로 형성된 유기전계발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 위치하는 제 1전극; 상기 제 1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 위치하는 아조 벤젠 그룹 물질을 포함하며, 반복적인 요철 구조로 이루어져 있는 전자수송층; 및 상기 전자수송층 상에 위치하는 제 2전극을 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 기판 상에 제 1전극을 형성하고; 상기 제 1전극 상에 유기 발광층을 형성하고; 상기 유기 발광층 상에 아조 벤젠 그룹 물질을 포함하는 전자수송층을 반복적인 요철구조로 형성하고; 및 상기 전자수송층 상에 제 2전극을 형성하는 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
아조 벤젠 그룹, 요철 구조, 유기전계발광소자

Description

유기전계발광소자 및 그의 제조 방법{Organic Light Emiting Display Device And A Method Of The Same}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터, 절연층, 제 1전극, 화소정의막, 유기 발광층 및 전자수송층이 형성된 유기전계발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 기판 상에 적층된 전자수송층을 요철 구조로 형성하기 위해, 레이저를 홀로그래피 방법으로 입사시키기 위한 광학 장치의 개략도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따라, 요철 구조로 형성된 전자수송층 구조의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실험예에 따라, 아조 벤젠 그룹을 포함하는 물질이 요철 구조로 형성된 것을 나타내는 AFM 사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 버퍼층
115 : 반도체층 120 : 게이트 절연막
125 : 게이트 전극 130 : 층간 절연막
135a, 135b : 소스/드레인 전극 140 : 절연층
150 : 제 1전극 160 : 화소정의막
170 : 유기 발광층 175 : 전자수송층
180 : 제 2전극
본 발명은 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 아조 벤젠 그룹 물질을 포함한 전자수송층 상에 레이저를 홀로그래피 방법으로 입사함으로써, 상기 전자수송층을 반복적인 요철 구조로 형성하고, 상기 전자수송층 상에 제 2전극을 형성한 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 소자(Flat Panel Display Device)중에 하나인 유기전계발광소자 (Organic Electroluminescence Device)는 자체 발광형이기 때문에 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Deivce)에 비해 시야각, 콘트라스트(Contrast) 등이 우수하며 백라이트(Back Light)가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 또한 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 구성하는 소자 모두가 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 비용 측면에서도 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
특히, 상기 유기전계발광소자의 제조 공정은 액정 표시 장치나 PDP(Plasma Display Panel)와는 달리 증착/식각(Deposition/Etching) 공정의 반복 및 인캡슐레이션(Encapsulation) 공정이 전부라고 할 수 있기 때문에 공정이 매우 단순하다는 장점이 있다.
종래의 유기전계발광소자는 제한된 주위 콘트라스트 및 제한된 휘도를 갖는다. 유기전계발광소자는 밝은 주위 조도에서 사용될 때 그 주위 콘트라스트 비가 크게 감소하는 문제가 있다. 이는 일차적으로는 디스플레이의 표면 또는 기판으로부터 주위 조도의 반사율 때문이다. 유기전계발광소자의 휘도는 광 방출 물질을 통해 유동하는 전류 밀도를 증가시킴으로써 증가시킬 수 있지만, 그렇게 하면 디스플레이의 수명이 감소하고, 전력 사용이 증가하고 디스플레이의 효율이 감소하게 된다.
상기의 문제점을 개선하기 위해, OLED 디스플레이에서 광출력을 향상시키기 위한 방법으로써, 유기전계발광소자에 표면 플라스몬 크로스 커플링을 유도하기 위한 요철 구조가 제안되었다. 상기 요철 구조는 철부(凸)와 요부(凹)가 반복적으로 형성된 것으로서, 철부와 그 다음 철부, 요부와 그 다음 요부가 나타나는 거리가 일정하고, 철부와 요부가 서로 교차하며 연속적으로 반복되는 구조를 말한다. 상기 요철 구조를 가진 유기전계발광소자는 방출된 광의 측방향 전송 및 웨이브 가이딩(내부 전반사)을 억제하면서, 상기 구조물의 효율 및 광 출력을 증가시키는 역할을 한다.
원리적으로 살펴 보면, 금속을 사용하여 전극을 요철 구조로 형성하는 경우, 표면 플라스몬 공명(surface plasmon resonance)을 극대화하여, 빛을 흡수하기도 하지만, 공기와 맞닿아 있는 금속과 공기 계면의 표면 플라스몬과 크로스 커플링을 할 수 있어, 광출력이 향상되는 것으로 알려져 있다. 이러한 표면 플라스몬 크로스 커플링 현상(surface plasmon polariton cross coupling)으로 인해, 광출력이 향상되는 효과는 꽤 많이 보고되어 있다.
유기전계발광소자 내에 요철 구조를 적용하여 광출력을 향상시키기 위해, 종래에는 포토레지스트 패턴을 이용한 포토리소그래피 공정을 사용하였다. 하지만, 기판 상에 포토레지스트 패턴을 이용하여 요철 구조를 형성하는 제조 공정은 노광, 현상 및 식각 공정을 거치거나, 상기 식각 공정에서 더 나아가 큐어링(curing) 공정까지 거쳐야 하는 번거로움이 있었다. 또한, 일반적으로 기판 상에 바로 포토레지스트를 적용하여야 하기 때문에 공정상 많은 제약이 따른다.
그리고, 나노 임프린트 방법을 이용하여 요철 구조를 포함하는 디바이스를 제조하는 방법은 양산이 곤란하다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위해, 전자수송층의 요철 구조를 간단한 공정으로 형성할 수 있는 유기전계발광소자의 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해 제조된 유기전계발광소자를 제공하기 위한 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 위치하는 제 1전극; 상기 제 1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 위치하는 아조 벤젠 그룹 물질을 포함하며 반복적인 요철 구조로 이루어져 있는 전자수송층; 및 상기 전자수송층 상에 위치하는 제 2전극을 포함하는 유기전계발광 소자에 의하여 달성된다.
또한, 상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 기판 상에 제 1전극을 형성하고; 상기 제 1전극 상에 유기 발광층을 형성하고; 상기 유기 발광층 상에 아조 벤젠 그룹 물질을 포함하는 전자수송층을 반복적인 요철구조로 형성하고; 상기 전자수송층 상에 제 2전극을 형성하는 유기전계발광소자의 제조방법에 의하여 달성된다.
여기서, 상기 아조 벤젠 그룹에 대하여 설명하면, 두 벤젠기를 연결하는 질소 원자에 각 하나의 비결합 전자쌍이 존재하며, 광에너지에 의해 트랜스 구조와 시스 구조 이성질체 사이에서 광이성질화(photoisomerization) 반응이 일어나는 작용기이다. 따라서, 아조 벤젠 그룹을 포함하는 화합물에 레이저의 간섭 현상이 일어나도록 레이저를 입사시키면, 아조 벤젠 그룹의 광이성질화 현상으로 상기 화합물에 기하학적인 높이 차이가 발생하게 된다. 이는 상기 아조 벤젠 그룹을 포함하는 화합물이 선형 편광된 빛에 노광되었을 경우, 입사광선의 선편광 방향에 대하여 수직으로 배향하는 특성과 관련되어 있다.
상기 아조 벤젠 그룹의 화학 구조는 다음 화학식 1과 같이 나타내어진다.
[화학식 1]
Figure 112007029837640-pat00001
아조 벤젠 그룹은 -N=N- 기가 두 아로마틱 링을 연결하는데, 상기 화학식 1에서, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 메틸, 에틸, t-부틸, 할로겐족 원소, -H, -CN, -NO2, -NH2, -NHR 및 -NR2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 치환기이거나, -O-, -S-, -SO- 및 -CO-로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 연결된 치환기이거나, 또는 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스타이렌, 폴리아미드 및 폴리에폭사이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 결합된 고분자 치환기일 수 있으며, 상기 화합물의 분자량은 4만 내지 30만이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터, 절연층, 제 1전극, 화소정의막, 유기 발광층 및 전자수송층이 형성된 유기전계발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화 막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 형성된 버퍼층(110)을 형성한다. 상기 버퍼층(110)은 기판으로부터 발생하는 불순물을 박막 트랜지스터로부터 차단하는 역할을 한다.
상기 버퍼층(110) 상에는 반도체층(115)이 위치하며, 상기 반도체층(115)은 상기 버퍼층(110) 상에 비정질 실리콘막을 형성하고 이를 결정화함으로써 형성할 수 있다.
상기 반도체층(115)이 형성된 기판 상부로 게이트 절연층(120)과 게이트 전극(125)이 위치하고, 그 상부로 층간 절연층(130)이 위치한다. 이 때, 게이트 절연층(120)과 층간 절연층(130)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성한다.
상기 층간 절연층(130) 상에는 상기 반도체층(115)과 콘택이 되는 소스 전극(135a) 또는 드레인 전극(135b)이 위치한다.
상기 소스 전극(135a) 또는 드레인 전극(135b) 상에 기판 전면에 걸쳐 절연층(140)이 위치한다. 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극(135a) 또는 드레인 전극(135b)을 노출시키는 비아홀이 상기 절연층(140)에 형성되고, 상기 비아홀을 통하여 상기 소스 전극(135a) 또는 드레인 전극(135b)과 제1전극(150)이 콘택된다.
상기 제 1전극(150) 상부로는 개구부를 가지는 화소정의막(PDL,160)이 위치하고, 상기 화소정의막(PDL,160)에 의해 정의된 화소 개구부 영역에 따라 상기 제1전극(150)이 노출된다. 이때 상기 제 1전극(150)은 일함수가 높은 ITO 또는 IZO로 이루어지며, 하부층에 Al, Al-Nd, Ag와 같은 고반사율의 특성을 갖는 금속으로 이 루어진 반사막을 포함할 수 있다. 상기 노출된 제 1전극(150) 상에 발광층(170)이 위치한다. 상기 발광층 상에 아조 벤젠 그룹 물질을 포함하는 전자수송층(175)이 위치한다.
상기 전자수송층(175)은 아조 벤젠 그룹 물질을 포함하면서, 반복적인 요철 구조로 이루어져 있다.
상기 전자수송층(175)은 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 물질인 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)에 아조 벤젠 그룹을 포함한 물질을 결합 또는 혼합하거나 또는 첨가(doping)하는 형태로 증착하여 형성할 수 있다.
상기 아조 벤젠 그룹의 화학 구조는 다음 화학식 1과 같다.
[화학식 1]
Figure 112007029837640-pat00002
아조 벤젠 그룹은 -N=N- 기가 두 아로마틱 링을 연결하는데, 상기 화학식 1에서, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 메틸, 에틸, t-부틸, 할로겐족 원소, -H, -CN, -NO2, -NH2, -NHR 및 -NR2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 치환기이거나, -O-, -S-, -SO- 및 -CO-로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 연결된 치환기이거나, 또는 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스타이렌, 폴리아미드 및 폴리에폭사이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 결합된 고분자 치환기일 수 있으며, 상기 화합물의 분자량은 4만 내지 30만이다. 여기서, 상기 고분자 화합물의 분자량이 4만 미만인 경우에는 고분자로서 형성되기 어렵고, 분자량이 30만을 초과하는 경우에는 제조하기 곤란하고, 용매에 녹기 어렵다.
상기 아조 벤젠 그룹을 포함한 물질을 이용하여, 전자수송층(175)을 증착하여 형성할 수 있고, 상기 전자수송층(175)을 요철 구조로 형성하기 위한 방법은 다음과 같다.
도 2는 기판 상에 적층된 전자수송층을 요철 구조로 형성하기 위해, 레이저를 홀로그래피 방법으로 입사시키기 위한 광학 장치의 개략도이다.
광원(200)은 통상적으로 아르곤 레이저의 488nm 또는 514nm의 레이저 광선을 이용한다. 상기 레이저 광선은 λ/2 파동면(wave plate)(210) 또는 λ/4 파동면(210)을 거치게 되는데, λ/2 파동면(210)은 레이저 광선의 선형 편광면을 0~90° 범위 내에서 회전시킬 수 있고, λ/4 파동면(210)의 경우에는 선형편광을 원편광으로 변환시킬 수 있다. 45° 선편광 또는 원편광된 광산이 아조 벤젠을 포함한 화합물을 요철 구조로 형성하는데 있어서 더욱 효과적이라 알려져 있다.
상기 λ/2 파동면(210) 또는 λ/4 파동면(210)을 거친 레이저 광선은 제 1렌즈(220)를 통과하여 확장되고, 확장된 파장광은 다시 제 2렌즈(230)를 통과하여 평행광으로 변환된다. 이 때, 상기 평행광은 시료(250)의 표면에 직접 도달하는 광선과, 거울(240)에 도달하는 광선으로 나누어지고, 상기 거울(240)에 도달한 광선은 거울(240)에서 반사된다. 따라서, 시료(250) 상에서 두 광선이 보강, 상쇄하게 되고, 광선 세기의 주기성을 나타내게 된다.
따라서, 시료(250) 위치에 아조 벤젠 그룹을 포함한 전자수송층을 적층한 기판을 놓으면, 보강 간섭과 상쇄 간섭이 일어나는 소정 영역에 노출된 상기 전자수송층은 아조 벤젠 그룹의 광이성질화 현상으로 인하여, 기하학적인 높이 차이를 가지는 요철 구조를 형성하게 된다.
상기 형성된 전자수송층의 요철 구조는 철부와 철부 사이의 간격이 레이저 광선의 파장, 기판에 대한 광선의 입사각에 의존된다. 또한, 요철 구조의 깊이는 입사광선의 세기와 노광시간에 비례하여 증가하며, 사용하는 광원의 파장, 아조 벤젠 그룹이 포함된 물질의 최대 흡수 파장, 광원의 편광특성, 물질 필름의 두께, 유리전이온도 및 물질의 화학적 구조와 밀접한 연관성이 있다.
따라서, 상기 아조 벤젠 물질을 포함한 전자수송층은 철부(凸)와 그 다음 철부(凸) 와의 거리를 100nm 내지 1000nm로, 깊이는 10nm 내지 1000nm로서 형성할 수 있다. 상기 철부(凸)와 그 다음 철부(凸) 와의 거리 및 깊이 범위 내에서, 표면 플라스몬 크로스 커플링 현상이 일어난다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따라, 요철 구조로 형성된 전자수송층 구조를 나타내는 사시도이다.
도 3a를 참조하면, 아조 벤젠 그룹을 포함하는 전자수송층(175) 물질 상에 레이저를 홀로그래피 방법으로 입사시킨 경우, 선형 형태로 형성된 요철 구조를 나타내는 사시도이다.
상기 선형 형태로 형성된 요철 구조로 형성된 전자수송층(175)이 적층된 기판을 90도의 각도로 회전시켜, 반복적으로 레이저를 홀로그래피 방법으로 입사시키 는 경우에는 2차원적으로 형성된 요철 구조를 볼 수 있으며, 이는 도 3b와 같다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
박막트랜지스터, 절연층, 제 1전극, 화소정의막, 유기 발광층을 형성한 기판 상에, 상기 설명한 방법으로 전자수송층(175)을 요철 구조로 형성한다.
소자의 특성을 향상시키기 위하여 유기발광층 및 전자수송층 외에 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함하도록 할 수 있다. 여기서, 상기와 같은 유기막은 스핀 코팅이나 증착법에 의해 형성될 수 있거나, 도너 기판의 전사층에 형성하여, 레이저 열전사법을 적용하여 형성할 수 있다.
상기 요철 구조로 형성된 전자수송층(175) 상에 제 2전극(180)을 형성한다. 상기 제 2전극(180)은 MgAg 또는 CaAg 등의 광투과물질로 이루어지거나, ITO 또는 IZO 등의 투명 물질로 이루어질 수 있고, 상기 제 2전극(180)은 공통 전극으로 형성될 수 있다.
상기 제 2전극(180)은 전자수송층(175)과 유사한 요철 구조를 갖는다. 상기 제 2 전극(180)은 상기 전자수송층(175)의 요철 구조에 부합하며, 두께는 10nm 내지 300nm로 하는 것이 바람직하다.
상기 제 2전극(180)의 두께가 10nm 보다 얇은 경우, 광투과율은 좋은 면이 있으나, 재현성이 좋지 않고, 면저항이 너무 커지는 단점이 있다. 그러나, 상기 제 2전극의 두께가 300nm 보다 두꺼운 경우에는 표면 플라스몬 크로스 커플링이 잘 일어나지 않아, 광출력이 크게 향상되지 않는다.
작동시, 전류는 제 2전극(180)을 통해 상향으로 광을 방출시킬 수 있는 발광 소자를 통해 전극(150 및 180)을 통과한다. 제 2전극(180)의 전자수송층(175)과 부합하는 요철 구조는 층간의 표면 플라스몬 크로스 커플링을 유발하여, 광출력을 증가시키는 장점을 갖는다. 전면으로 방출된 광이 관찰자에게 보이고, 배면으로 방출된 광은 절연층에 의해 흡수되거나 반사된다.
상기 제 2전극(180)을 형성한 후, 봉지하여 유기전계발광소자를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 실험예를 제시한다. 하기하는 실험예는 본 발명을 더욱 잘 이해하기 위한 것이고, 본 발명이 하기하는 실험예에 한정되는 것은 아니다.
실험예
유리 기판 상에 아조 벤젠 그룹을 포함하는 물질 중 어느 하나인 poly[(methyl methacrylate)-co-(Disperse Red 1 methacrylate)](제조사: 시그마-알드리치)를 THF에 녹여, 스핀 코팅 방법으로 5000Å의 두께로 형성하였다. 상기 물질의 구조식은 다음 화학식 2와 같다.
[화학식 2]
Figure 112007029837640-pat00003
광원으로는 2W의 514nm 파장을 가지며, 원편광된 아르곤 레이저를 사용하였다. 상기 레이저 빔을 상기 물질이 코팅된 유리 기판 상에 30분 동안 노광시켰다. 그 후, 요철 구조는 철부(凸)와 다음 철부(凸)와의 거리는 480nm이고, 깊이는 72nm로 형성되었다.
도 5는 본 발명의 실험예에 따라, 요철 구조로 형성된 것을 나타내는 AFM 사진이다.
도 5를 참조하면, 밝은 부분인 a부분과 어두운 부분인 b부분이 교차하는데, a부분은 요철 구조의 철부분(凸)이고, b부분은 요부분(凹)에 해당한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 아조 벤젠 그룹을 포함하는 전자수송층을 이용한 유기전계발광소자 및 그의 제조방법에 따르면, 종래의 포토피소그래피를 적용하여 격자 구조를 형성하는 방법에 대해서는 그 제조 공정이 노광, 현상 및 식각 공정을 거치거나, 상기 식각 공정에서 더 나아가 큐어링(curing) 공정까지 거쳐야 하는 번거로운 공정의 문제점을 개선하여, 더욱 단순한 공정을 제공할 수 있다. 또한, 나노 임프린트 제조 공정에 비하여는 양산하기에 효율적인 공정을 통하여 요철 구조를 포함하는 유기전계발광소자를 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판 상에 위치하는 제 1전극;
    상기 제 1전극 상에 위치하는 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 위치하는 아조 벤젠 그룹 물질을 포함하며, 반복적인 요철 구조로 이루어져 있는 전자수송층; 및
    상기 전자수송층 상에 위치하는 제 2전극을 포함하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전자수송층은 철부와 요부가 다수개의 선형 형태로 교차하며, 요철 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 전자수송층이 다수개의 철부를 포함하며, 상기 철부는 2차원적인 형태로 요부로 둘러싸여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 아조 벤젠 그룹 물질은 다음 화학식 1과 같은 아조 벤젠 그룹을 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
    [화학식1]
    Figure 112007029837640-pat00004
    상기 화학식 1에서, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 메틸, 에틸, t-부틸, 할로겐족 원소, -H, -CN, -NO2, -NH2, -NHR 및 -NR2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 치환기이거나, -O-, -S-, -SO- 및 -CO-로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 연결된 치환기이거나, 또는 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스타이렌, 폴리아미드 및 폴리에폭사이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 결합된 고분자 치환기일 수 있으며, 상기 화합물의 분자량은 4만 내지 30만이다.
  5. 기판 상에 제 1전극을 형성하고,
    상기 제 1전극 상에 유기 발광층을 형성하고,
    상기 유기 발광층 상에 아조 벤젠 그룹 물질을 포함하는 전자수송층을 반복적인 요철 구조로 형성하고,
    상기 전자수송층 상에 제 2전극을 형성하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 전자수송층은 레이저를 홀로그래피 방법으로 입사시켜 반복적인 요철 구조로 형성시키는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 전자수송층의 요철구조는 철부와 요부가 다수개의 선형 형태로 교차하며 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 기판을 90도 회전하여, 반복적으로 레이저를 홀로그래피 방법으로 입사하여, 상기 전자수송층을 2차원적인 요철 구조로 형성시키는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
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