KR100807794B1 - 증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 에어신호속도와 가스공급속도의 차이를 줄일 수 있는 증착장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 증착장치는 가스공급개시신호에 응답하여 가스를 가스세정기에 공급하는 가스공급기와, 가스공급개시신호에 응답하여 에어차단신호를 생성하는 제어기와, 에어차단신호에 응답하여 가스세정기에 공급되는 에어를 차단하는 에어차단기와, 가스공급개시신호와 에어차단신호를 동기화시켜 각각 가스공급기와 에어차단기에 공급하는 신호중계기를 구비한다.

Description

증착장치{Deposition Device}
도 1은 통상적인 박막 트랙지스터를 나타내는 단면도.
도 2는 종래의 증착장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 3은 도 2에 도시된 프로세스챔버를 상세히 나타내는 도면.
도 4는 도 2에 도시된 증착장치별로 세정가스의 반응상태를 나타내는 도면.
도 5는 종래 에어의 흐름을 나타내는 도면.
도 6은 에어공급시간과 클리닝가스의 흐름을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명에 따른 증착장치의 지연기를 나타내는 도면.
도 8은 도 7에 도시된 지연기의 동작과정을 나타내는 도면.
도 9는 도 8에 도시된 에어공급시간과 클리닝가스의 흐름을 나타내는 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
12 : 가스패널 14 : 플라즈마 생성부
16 : 프로세스 챔버부 18 : 펌프부
20 : 가스세정기 32,62 : 에어공급기
33,63 : 에어차단기 34,64 : 레귤레이터
35,65 : 압력스위치 36,67 : PLC
66 : 가스공급기 68 : 지연기
본 발명은 액정표시소자의 제조장치에 관한 것으로, 특히 에어신호속도와 가스공급속도 차이를 줄일 수 있는 화학기상증착장치에 관한 것이다.
액정표시장치는 소형 및 박형화와 저전력 소모의 장점을 가지며, 노트북 PC, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기 등으로 이용되고 있다. 특히, 스위치(Switch) 소자로서 박막 트렌지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)가 이용되는 액티브 매트릭스(Active Matrix) 타입의 액정표시장치는 동적인 이미지를 표시하기에 적합하다.
액정표시장치는 화소들이 게이트라인(Gate Line)들과 데이터라인(Data Line)들의 교차부들 각각에 배열되어진 화소매트릭스(Picture Element Matrix 또는 Pixel Matrix)에 텔레비전 신호와 같은 비디오신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 화소들 각각은 데이터라인으로부터의 데이터신호의 전압레벨에 따라 투과 광량을 조절하는 액정셀을 포함한다. TFT는 게이트라인과 데이터라인들의 교차부에 설치되어 게이트라인으로부터의 스캔(Scan)신호에 응답하여 액정셀(Cell)쪽으로 전송될 데이터신호를 절환하게 된다.
도 1을 참조하면, 하부기판(1) 상에는 TFT가 형성된다. TFT는 하부기판(1) 상에 형성되는 게이트(Gate)전극(4)과, 게이트절연막(2) 및 반도체층(7,8)을 사이에 두고 소스(Source) 및 드레인(Drain)전극(5,6)으로 이루어진다. 이러한 TFT를 보호하기 위해 보호층(3)이 형성되며, TFT의 드레인전극(6)은 보호층(3)을 관통하는 접촉홀(Contact Hole, 10)을 통해 화소전극(9)과 접속된다.
이러한 게이트절연막(2), 반도체층(7,8) 및 보호막(3)은 플라즈마 인핸스드 화학적 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : 이하 "PECVD"라 함) 장치를 이용하여 증착되고 있다. PECVD는 진공실을 이루는 챔버 내부에 증착에 필요한 가스를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면 고주파(Radio Frequency : 이하 "RF"라 함)를 이용하여 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판 위에 증착하게된다.
PECVD장치는 도 2에 도시된 바와 같이 가스패널(Gas Panel, 12)과 제2 가스세정기(Scrubber, 20b) 사이에 플라즈마생성부(14), 프로세스챔버부(Process Chamber, 16), 펌프(Pump)부(18) 및 제1 가스세정기(20a)를 구비한다.
가스패널(12)은 가스 룸(Gas Room)에서 증착물 증착시 필요로 하는 가스 및 세정가스들이 주입되는 곳이다. 주입되는 가스로는 NF3, Ar 등이다.
플라즈마생성부(14)는 가스패널(12)에서 주입된 가스를 분해하기 위한 플라즈마를 생성하는 곳이다.
프로세스챔버부(16)는 도 3에 도시된 바와 같이 증착물질을 증착시키는 제1 내지 제4 증착챔버들(28a 내지 28d)을 구비한다. 각 증착챔버들(28a 내지 28d) 사 이에는 반송챔버(도시하지 않음)가 설치되며, 반송챔버(도시하지 않음)의 상/하측에는 기판(1)이 소정 매씩 탑재되는 제1 및 제2 로드락챔버(Load Lock)들(26a,26b)과 기판(1)을 예열시키기 위한 히팅(Heating)챔버(30)가 설치된다. 제1 및 제2 로드락챔버들(26a,26b)과 카세트로더(Cassette Loader, 22) 사이에는 로봇(Robot, 24)이 설치된다.
펌프부(18)는 제1 내지 제4 증착챔버(28a 내지 28d)의 증착시 제1 내지 제4 증착챔버(28a 내지 28d)의 내부가스를 배기시킴으로써 제1 내지 제4 증착챔버(28a 내지 28d)의 내부를 소정 진공압으로 진공상태를 유지하게 된다.
제1 가스세정기(20a)는 증착시 펌프부(18)에 의해 배출되는 잔류가스를 정제하게된다.
제2 가스세정기(20b)는 옥외에 설치되어 제1 가스세정기(20a)에 의해 정제된 잔류가스를 대기로 방출하게 된다.
이러한 PECVD장치의 클리닝(Cleaning) 가스흐름을 도 4를 참조하여 살펴보면, 가스패널(12)내에 위치하는 가스 매스(Mass) 흐름제어기(도시하지 않음)의 신호가 가스공급기(도시하지 않음)에 전달되면, NF3와 Ar은 플라즈마 생성부(14)에 주입된다.(S1단계) 주입된 가스 중 NF3는 플라즈마 생성부(14)에서 생성된 고주파 플라즈마를 이용하여 N+F로 분리된다.(S2단계) 분리된 F가스와 프로세스챔버(16) 내부에 증착하고 남은 증착부산물(Powder)이 반응하여 클리닝이 실행된다.(S3단계) 분리된 N가스는 제1 가스세정기(20a)로 공급되는 O2와 반응하여 제1 가스세정기(20a)내에 유해성분인 NOx가 생성된다.(S4단계) 이 NOx는 제2 가스세정기(20b)를 통해 대기로 방출하게 된다.(S5단계)
제1 가스세정기(20a)로 공급되는 에어(O2)의 흐름을 도 5를 참조하여 설명하면, 시스템(System) PLC(Programmable Logic Controller, 36)에서 에어(Air)차단신호(C)가 입력되면 에어차단기(33)가 동작하게 된다. 에어차단기(33)로는 솔레노이드 밸브(Solenoide Valve)등이 이용된다. 여기서, 시스템 PLC(36)에서 에어차단신호(C)는 증착공정이 진행될 경우 항상 온(on)신호를 출력하여 증착공정 중에는 제1 가스세정기(20a)에 에어가 공급된다. 에어차단기(33)가 동작하게 되면, 에어공급기(Air Utility, 32)를 통해 유입되던 에어공급이 차단되어 레귤레이터(Regulator, 34)는 압력 및 온도 등을 감지하게 된다. 원하는 압력 및 온도일 때에 압력스위치(Pressure Switch, 35)는 온이 되어 프로세스챔버(16)는 일정한 압력을 유지하게 된다.
이러한 PECVD장치는 제1 가스세정기(20a)에 에어공급이 중단되면, 가스패널(12) 및 프로세스챔버(16) 등을 거쳐 제1 가스세정기(20a)에 N가스가 공급된다. N가스가 공급된 제1 가스세정기(20a)는 N가스와 에어가 반응하여 유해 성분인 NOx를 발생하게 되며, 이 NOx는 제2 가스세정기(20b)를 통해 외부로 방출된다. 그런 다음, 제1 세정기(20a)에 에어가 공급됨과 동시에 프로세스챔버(16)에 증착가스가 공급되고 클리닝가스공급은 중단된다.
이러한 에어차단신호는 시스템 PLC(36)에서 0.1초 이내로 에어차단기(33)에 전달된다. 그러나, 가스공급기(도시하지 않음)에서 제1 가스세정기(20a)까지 가스의 흐름은 약 10초/20m이다. 이에 따라, 에어차단과 가스공급의 불일치로 도 6에 도시된 바와 같이 A,C 영역에서 비정상적인 조건으로 반응이 진행된다. 이를 상세히 설명하면, 제1 영역(H1)에서 에어차단신호가 입력되면, 에어공급이 중단되고 NF3가스가 주입되어야 한다. 그러나, 약 10초간의 제1 영역(H1)과 제2 영역(H2)에서 에어의 공급은 중단되지만 N성분이 제1 가스세정기(20a)에 공급되지 않게 된다. 또한, 제3 영역(H3)에서 에어공급이 시작되면, NF3가 가스패널(12)에 공급이 중단되어야 한다. 그러나, 약 10초간의 제3 영역(H3)과 제4 영역(H4)에서 N성분의 가스가 공급되는 상태에서 에어를 공급하게 되어 비정상적인 반응을 하는 문제점이 있다.
또한, 챔버별 배관 라인구성길이 차이 및 프로세스 진행 공정차이에 의해 A,B구간의 시간은 프로세스 챔버별로 차이가 발생하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 에어신호속도와 가스공급속도의 차이를 줄일 수 있는 증착장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 증착장치는 가스공급개시신호 에 응답하여 가스를 가스세정기에 공급하는 가스공급기와, 가스공급개시신호에 응답하여 에어차단신호를 생성하는 제어기와, 에어차단신호에 응답하여 가스세정기에 공급되는 에어를 차단하는 에어차단기와, 가스공급개시신호와 에어차단신호를 동기화시켜 각각 가스공급기와 에어차단기에 공급하는 신호중계기를 구비한다.
상기 신호중계기는 지연기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 신호중계기는 상기 에어차단신호를 지연시키는 것을 특징으로 한다.
상기 신호중계기의 지연시간은 작업자에 의해 결정되는 것을 특징으로 한다.
상기 신호중계기는 상기 가스세정기 전면부 패널에 위치하는 것을 특징으로 한다.
상기 가스는 클리닝가스인 것을 특징으로 한다.
상기 클리닝가스는 NF3인 것을 특징으로 한다.
상기 에어는 O2를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명에 따른 PECVD장치를 나타내는 도면이다.
도7을 참조하면, 본 발명에 따른 PECVD장치(50)는 PECVD장치(50)의 전면부 패널(Panel) 쪽에 지연기(52)를 설치하게 된다. 상기 지연기(52)는 바람직하게는 PECVD장치(50) 중 가스세정기의 전면부 패널에 위치하게 된다.
이 지연기(52)는 종래의 에어차단신호속도와 가스공급속도 차이를 측정하여 그만큼의 지연시간을 세팅(Setting)한다. 즉, 에어차단신호속도에 비해 느린 가스공급을 먼저 한 후 세팅된 소정의 지연시간 후 에어차단신호를 출력하여 가스가 가스세정기(도시하지 않음)에 도달함과 동시에 에어공급을 중단하도록 한다. 이에 따라, 프로세스 챔버별, 공정진행별 변경되는 시간을 조절할 수 있다.
도 8을 참조하면, PECVD장치(50)의 가스공급기(66)의 클리닝가스공급신호(C1)가 시스템 PLC(67)에 입력된다. 가스공급기(66)는 클리닝가스공급신호(C1)에 의해 세정시 필요로 하는 가스 등이 가스패널 및 프로세스 챔버에 주입된다. 세정시 필요로 하는 가스로는 NF3 등이 사용된다. 시스템 PLC(67)는 증착가스공급신호가 입력되면 에어공급신호를 출력하게 되며, 클리닝가스공급신호(C1)가 입력되면, 에어차단신호(C2)를 출력하게 된다. 이에 따라, 시스템 PLC(67)에 입력된 클리닝가스공급신호(C1)에 의해 시스템 PLC(67)는 에어차단신호(C2)를 지연기(68)로 출력한다. 지연기(68)는 세팅된 소정의 지연시간 후 시스템 PLC(67)로부터 입력된 에어차단신호(C2)를 에어차단기(63)에 공급한다. 에어차단기(63)에 공급된 에어차단신호(C2)에 의해 에어공급기(62)를 통해 유입되던 에어공급이 차단된다. 에어가 차단됨으로써 레귤레이터(64)는 PECVD장치(50)의 압력 및 온도 등을 감지하게 된다. 원하는 압력 및 온도일 때에 압력스위치(65)는 온이 되어 프로세스챔버는 일정한 압력을 유지하게 된다.
이에 따라, 소정기간 지연된 에어차단신호와 가스공급신호속도 차이를 줄일 수 있게 된다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이 제1 기간(Ⅰ)에는 에어가 공급됨과 동시에 증착가스가 공급되며, 제2 기간(Ⅱ)에는 에어가 차단됨과 동시에 클리닝가스가 공급된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 증착장비 및 그 구동방법에 의하면, 에어차단신호속도와 가스공급속도의 차이시간을 줄여주기 위해 지연기를 설치하게 된다. 이 지연기에 의해 가스가 공급된 후 소정시간 후 에어가 차단됨으로써 증착가스의 미반응 및 유해가스 발생을 최소화할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (8)

  1. 가스공급개시신호에 응답하여 가스를 가스세정기에 공급하는 가스공급기와,
    상기 가스공급개시신호에 응답하여 에어차단신호를 생성하는 제어기와,
    상기 에어차단신호에 응답하여 상기 가스세정기에 공급되는 에어를 차단하는 에어차단기와,
    상기 가스공급개시신호와 상기 에어차단신호를 동기화시켜 각각 상기 가스공급기와 상기 에어차단기에 공급하는 신호중계기를 구비하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 신호중계기는 지연기를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 신호중계기는 상기 에어차단신호를 지연시키는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 신호중계기의 지연시간은 작업자에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 신호중계기는 상기 가스세정기 전면부 패널에 위치하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스는 클리닝가스인 것을 특징으로 하는 증착장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 클리닝가스는 NF3인 것을 특징으로 하는 증착장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 에어는 O2를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960025402A (ko) * 1994-12-08 1996-07-20 김희수 광픽업 장치
JPH10321595A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
KR20000007652A (ko) * 1998-07-06 2000-02-07 윤종용 반도체 제조공정 설비의 가스공급 제어장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960025402A (ko) * 1994-12-08 1996-07-20 김희수 광픽업 장치
JPH10321595A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
KR20000007652A (ko) * 1998-07-06 2000-02-07 윤종용 반도체 제조공정 설비의 가스공급 제어장치

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